CN111403359A - 一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，包括二极管主体，所述二极管主体的下端设置有接地引脚，所述二极管主体的上端设置有信号引脚，所述信号引脚上设置有弯钩型延长引脚，所述二极管主体的外侧设置有散热机构，本发明为一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，通过设置金属屏蔽层、PN结形成区和环氧树脂封装体等，达到了提高击穿电流的阈值，提高抗浪涌能力，封装结构减薄的效果，解决了现在的大多数产品，通过多层芯片堆叠从而达到大功率流通的效果，导致器件尺寸较厚，散热效果不好的问题。
Description
技术领域
本发明涉及瞬态抑制二极管技术领域，具体为一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管。
背景技术
现在的大多数产品，通过多层芯片堆叠从而达到大功率流通的效果，导致器件尺寸较厚，散热效果不好，导致原先产品在低阻值大电流，通过时会出现击穿现象，且由于传统的多叠层芯片的封装受限，只能增加产品厚度，与现在市场轻薄化结构需求不符。
发明内容
本发明的目的在于提供一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，包括二极管主体，所述二极管主体的下端设置有接地引脚，所述二极管主体的上端设置有信号引脚，所述信号引脚上设置有弯钩型延长引脚，所述二极管主体的外侧设置有散热机构。
优选的，所述二极管主体插接在接地引脚的内部，所述二极管主体与接地引脚之间通过若干个均匀分布的第一极柱相连接，所述二极管主体与接地引脚之间设置有缓冲垫层。
优选的，所述接地引脚的外侧壁上设置有金属屏蔽层，所述金属屏蔽层的外侧壁上设置有绝缘层。
优选的，所述二极管主体插接在信号引脚的内部，所述二极管主体与信号引脚之间通过若干个均匀分布的第二极柱相连接，所述二极管主体与信号引脚之间设置有填充垫层。
优选的，所述二极管主体包括环氧树脂封装体，所述环氧树脂封装体的内部设置有分隔板，所述分隔板的上方设置有若干个均匀分布的P型半导体，所述分隔板的下方设置有若干个均匀分布的N型半导体，所述P型半导体与N型半导体之间通过PN结形成区相连通。
优选的，所述环氧树脂封装体的上端面上对应P型半导体位置处设置有正极金属片，所述正极金属片与第二极柱相连接，所述环氧树脂封装体的下端面上对应N型半导体位置处设置有负极金属片，所述负极金属片与第一极柱相连接。
优选的，所述散热机构包括散热套筒，所述散热套筒设置在二极管主体的外侧，所述散热套筒与二极管主体之间设置有导热硅脂层，所述散热套筒的外侧壁上设置有若干个均匀环绕分布的散热鳍片，所述散热鳍片上开设有上下对称分布的通孔。
优选的，所述环氧树脂封装体上对应散热套筒位置处设置有金属导热框，所述金属导热框的外侧壁与导热硅脂层接触，所述金属导热框的内侧壁与分隔板接触。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，通过P型半导体、N型半导体和PN结形成区联结，实现将两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，通过单层芯片封装，减薄了整体器件的厚度，同时增加上下面积，通过形成多个PN结并联，提高击穿电流的阈值，提高抗浪涌能力，通过缓冲垫层和填充垫层，提高二极管的减震效果，通过金属屏蔽层和绝缘层，提高接地的绝缘屏蔽效果，通过散热套筒19、散热鳍片20和通孔21设置，提高二极管的散热效果，通过金属导热框23和导热硅脂层22设置，方便将环氧树脂封装体11内部元件产生的热量导出，提高导热效率。本发明为一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，通过设置金属屏蔽层、PN结形成区和环氧树脂封装体等，达到了提高击穿电流的阈值，提高抗浪涌能力，封装结构减薄的效果，解决了现在的大多数产品，通过多层芯片堆叠从而达到大功率流通的效果，导致器件尺寸较厚，散热效果不好的问题。
附图说明
图1为一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管的结构示意图；
图2为一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管中二极管主体处的结构示意图；
图3为一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管中二极管主体的内部结构示意图。
图中：1-二极管主体，2-接地引脚，3-信号引脚，4-弯钩型延长引脚，5-缓冲垫层，6-第一极柱，7-填充垫层，8-第二极柱，9-金属屏蔽层，10-绝缘层，11-环氧树脂封装体，12-分隔板，13-P型半导体，14-N型半导体，15-PN结形成区，16-正极金属片，17-负极金属片，18-散热机构，19-散热套筒，20-散热鳍片，21-通孔，22-导热硅脂层，23-金属导热框。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1～3，本发明提供一种技术方案：一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，包括二极管主体1，所述二极管主体1的下端设置有接地引脚2，所述二极管主体1的上端设置有信号引脚3，所述信号引脚3上设置有弯钩型延长引脚4，所述二极管主体1的外侧设置有散热机构18。
所述二极管主体1插接在接地引脚2的内部，所述二极管主体1与接地引脚2之间通过若干个均匀分布的第一极柱6相连接，所述二极管主体1与接地引脚2之间设置有缓冲垫层5。
所述接地引脚2的外侧壁上设置有金属屏蔽层9，所述金属屏蔽层9的外侧壁上设置有绝缘层10。
所述二极管主体1插接在信号引脚3的内部，所述二极管主体1与信号引脚3之间通过若干个均匀分布的第二极柱8相连接，所述二极管主体1与信号引脚3之间设置有填充垫层7。
所述二极管主体1包括环氧树脂封装体11，所述环氧树脂封装体11的内部设置有分隔板12，所述分隔板12的上方设置有若干个均匀分布的P型半导体13，所述分隔板12的下方设置有若干个均匀分布的N型半导体14，所述P型半导体13与N型半导体14之间通过PN结形成区15相连通。
所述环氧树脂封装体11的上端面上对应P型半导体13位置处设置有正极金属片16，所述正极金属片16与第二极柱8相连接，所述环氧树脂封装体11的下端面上对应N型半导体14位置处设置有负极金属片17，所述负极金属片17与第一极柱6相连接。
所述散热机构18包括散热套筒19，所述散热套筒19设置在二极管主体1的外侧，所述散热套筒19与二极管主体1之间设置有导热硅脂层22，所述散热套筒19的外侧壁上设置有若干个均匀环绕分布的散热鳍片20，所述散热鳍片20上开设有上下对称分布的通孔21。
所述环氧树脂封装体11上对应散热套筒19位置处设置有金属导热框23，所述金属导热框23的外侧壁与导热硅脂层22接触，所述金属导热框23的内侧壁与分隔板12接触。
本发明的工作原理是：一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，通过P型半导体13、N型半导体14和PN结形成区15联结，实现将两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，通过单层芯片封装，减薄了整体器件的厚度，同时增加上下面积，通过形成多个PN结并联，提高击穿电流的阈值，提高抗浪涌能力，通过缓冲垫层5和填充垫层7，提高二极管的减震效果，通过金属屏蔽层9和绝缘层10，提高接地的绝缘屏蔽效果,通过散热套筒19、散热鳍片20和通孔21设置，提高二极管的散热效果，通过金属导热框23和导热硅脂层22设置，方便将环氧树脂封装体11内部元件产生的热量导出，提高导热效率。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (8)
1.一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，包括二极管主体(1)，其特征在于：所述二极管主体(1)的下端设置有接地引脚(2)，所述二极管主体(1)的上端设置有信号引脚(3)，所述信号引脚(3)上设置有弯钩型延长引脚(4)，所述二极管主体(1)的外侧设置有散热机构(18)。
2.根据权利要求1所述的一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，其特征在于：所述二极管主体(1)插接在接地引脚(2)的内部，所述二极管主体(1)与接地引脚(2)之间通过若干个均匀分布的第一极柱(6)相连接，所述二极管主体(1)与接地引脚(2)之间设置有缓冲垫层(5)。
3.根据权利要求2所述的一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，其特征在于：所述接地引脚(2)的外侧壁上设置有金属屏蔽层(9)，所述金属屏蔽层(9)的外侧壁上设置有绝缘层(10)。
4.根据权利要求3所述的一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，其特征在于：所述二极管主体(1)插接在信号引脚(3)的内部，所述二极管主体(1)与信号引脚(3)之间通过若干个均匀分布的第二极柱(8)相连接，所述二极管主体(1)与信号引脚(3)之间设置有填充垫层(7)。
5.根据权利要求4所述的一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，其特征在于：所述二极管主体(1)包括环氧树脂封装体(11)，所述环氧树脂封装体(11)的内部设置有分隔板(12)，所述分隔板(12)的上方设置有若干个均匀分布的P型半导体(13)，所述分隔板(12)的下方设置有若干个均匀分布的N型半导体(14)，所述P型半导体(13)与N型半导体(14)之间通过PN结形成区(15)相连通。
6.根据权利要求5所述的一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，其特征在于：所述环氧树脂封装体(11)的上端面上对应P型半导体(13)位置处设置有正极金属片(16)，所述正极金属片(16)与第二极柱(8)相连接，所述环氧树脂封装体(11)的下端面上对应N型半导体(14)位置处设置有负极金属片(17)，所述负极金属片(17)与第一极柱(6)相连接。
7.根据权利要求6所述的一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，其特征在于：所述散热机构(18)包括散热套筒(19)，所述散热套筒(19)设置在二极管主体(1)的外侧，所述散热套筒(19)与二极管主体(1)之间设置有导热硅脂层(22)，所述散热套筒(19)的外侧壁上设置有若干个均匀环绕分布的散热鳍片(20)，所述散热鳍片(20)上开设有上下对称分布的通孔(21)。
8.根据权利要求7所述的一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，其特征在于：所述环氧树脂封装体(11)上对应散热套筒(19)位置处设置有金属导热框(23)，所述金属导热框(23)的外侧壁与导热硅脂层(22)接触，所述金属导热框(23)的内侧壁与分隔板(12)接触。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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