CN217405415U - 一种半导体器件用封装结构 - Google Patents
一种半导体器件用封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN217405415U CN217405415U CN202221292209.6U CN202221292209U CN217405415U CN 217405415 U CN217405415 U CN 217405415U CN 202221292209 U CN202221292209 U CN 202221292209U CN 217405415 U CN217405415 U CN 217405415U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heat
- shell
- semiconductor device
- fin
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种半导体器件用封装结构，具体涉及半导体器件技术领域，包括外壳和位于外壳内部的芯片，外壳由上外壳和位于上外壳下方的下外壳构成，且上外壳通过连接框与下外壳连接，连接框顶部的两侧均开设有一组散热凹槽，每组散热凹槽的内部均插接有导热片，每组导热片的一端与一个吸热片一侧连接，每组导热片的另一端均固定连接有连接片，两组连接片的自由端均与散热片对应的侧边连接，两个吸热片靠近芯片的一侧均设置有多个吸热凸体，散热片靠近上外壳的一侧均设置有多个散热凸体。通过设置吸热片、导热片、连接片和散热片的相互配合，不仅能够满足密封性要求，也能够进行快速散热，从而延长整个半导体器件的使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体为一种半导体器件用封装结构。
背景技术
半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。它可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。
目前半导体器件在生产过程中都需要外壳进行外封装，构成外壳的上外壳和下外壳就是封装结构，但是现有上外壳和下外壳为了保持封装的密封性，整体散热性能较差，长时间工作会影响半导体器件的使用寿命，为此我们提出一种半导体器件用封装结构。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种半导体器件用封装结构，通过设置吸热片、导热片、连接片和散热片的相互配合，不仅能够满足密封性要求，也能够进行快速散热，从而延长整个半导体器件的使用寿命。
为解决上述技术问题，本实用新型提供如下技术方案：一种半导体器件用封装结构，包括外壳和位于外壳内部的芯片，所述外壳由上外壳和位于上外壳下方的下外壳构成，且上外壳通过连接框与下外壳连接，所述连接框顶部的两侧均开设有一组散热凹槽，每组所述散热凹槽的内部均插接有导热片，每组所述导热片的一端与一个吸热片一侧连接，每组所述导热片的另一端均固定连接有连接片，两组所述连接片的自由端均与散热片对应的侧边连接，两个所述吸热片靠近芯片的一侧均设置有多个吸热凸体，所述散热片靠近上外壳的一侧均设置有多个散热凸体。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述芯片由内芯和与内芯侧边连接的两组接线脚构成，所述连接框底部的两侧均开设有一组接线凹槽，所述下外壳在与每个接线凹槽位置相对应的部位均开设有一个通槽，且每个通槽的内部尺寸与对应接线凹槽的内部尺寸相同，每个通槽与对应接线凹槽构成一个矩形槽，每个所述接线脚的一端穿过对应的矩形槽。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述连接框通过焊接方式与下外壳和上外壳进行连接。
作为本实用新型的一种优选技术方案，每个所述散热凹槽的内部均填充有导热硅脂。
作为本实用新型的一种优选技术方案，每组所述导热片的数量至少设置为五个。
作为本实用新型的一种优选技术方案，每个所述导热片的一端与对应连接片的一端通过焊接方式连接，同一侧的多个导热片的另一端与对应吸热片的一侧通过焊接方式连接，同一侧的多个连接片的另一端通过焊接方式与散热片对应的侧边连接。
作为本实用新型的一种优选技术方案，每个所述矩形槽的内部均填充有导热硅脂。
与现有技术相比，本实用新型能达到的有益效果是：
1、通过外壳内部的两个吸热片上的多个吸热凸体吸收热量，热量会通过多个导热片快速传递到多个连接片上，随后通过连接片传递到散热片上，通过散热片和所设置的多个散热凸体进行散热，该设计通过设置吸热片、导热片、连接片和散热片的相互配合，同时设置的吸热凸体和散热凸体，能够进行快速散热，从而延长整个半导体器件的使用寿命；
2、通过在散热凹槽和矩形槽内部填充导热硅脂，不仅能够起到良好的密封效果，同时也能够进行散热，从而进一步提升散热效果，也较好的延长了半导体器件的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的内部结构示意图。
图2为本实用新型的图1中A处局部放大结构示意图。
图3为本实用新型的连接框结构示意图。
其中：1、下外壳；2、上外壳；3、内芯；4、接线脚；5、接线凹槽；6、散热凹槽；7、导热片；8、吸热片；9、吸热凸体；10、连接片；11、散热片；12、散热凸体；13、连接框。
具体实施方式
如图1-图3所示，一种半导体器件用封装结构，包括外壳和位于外壳内部的芯片，外壳由上外壳2和位于上外壳2下方的下外壳1构成，且上外壳2通过连接框13与下外壳1连接，连接框13顶部的两侧均开设有一组散热凹槽6，每组散热凹槽6的内部均插接有导热片7，每组导热片7的一端与一个吸热片8一侧连接，每组导热片7的另一端均固定连接有连接片10，两组连接片10的自由端均与散热片11对应的侧边连接，两个吸热片8靠近芯片的一侧均设置有多个吸热凸体9，散热片11靠近上外壳2的一侧均设置有多个散热凸体12；当外壳内部的两个吸热片8上的多个吸热凸体9吸收热量后，热量会通过多个导热片7快速传递到多个连接片10上，随后通过连接片10传递到散热片11上，通过散热片11和所设置的多个散热凸体12进行散热，该设计通过设置吸热片8、导热片7、连接片10和散热片11的相互配合，同时设置的吸热凸体9和散热凸体12，能够进行快速散热，从而延长整个半导体器件的使用寿命。
芯片由内芯3和与内芯3侧边连接的两组接线脚4构成，连接框13底部的两侧均开设有一组接线凹槽5，下外壳1在与每个接线凹槽5位置相对应的部位均开设有一个通槽，且每个通槽的内部尺寸与对应接线凹槽5的内部尺寸相同，每个通槽与对应接线凹槽5构成一个矩形槽，每个接线脚4的一端穿过对应的矩形槽；方便实际安装上外壳2和下外壳1。
每个散热凹槽6的内部均填充有导热硅脂；每个导热片7的宽度尺寸与对应连接片10的宽度尺寸以及对应散热凹槽6的宽度尺寸相适配，方便更好的填充导热硅脂，不仅能够对散热凹槽6起到良好的密封效果，还能够快速传递热量。
每组导热片7的数量至少设置为五个；通过每组中的多个导热片7方便导热片7能够快速传递热量，同时传递过程中也能进行散热。
连接框13通过焊接方式与下外壳1和上外壳2进行连接。
每个导热片7的一端与对应连接片10的一端通过焊接方式连接，同一侧的多个导热片7的另一端与对应吸热片8的一侧通过焊接方式连接，同一侧的多个连接片10的另一端通过焊接方式与散热片11对应的侧边连接；通过先将多个导热片7与对应的一个吸热片8进行焊接，然后将多个导热片7与对应的多个连接片10连接焊接，再将连接片10放置于对应的散热凹槽6处，随后将芯片放置于上外壳2和下外壳1之间，再将连接框13分别与下外壳1和上外壳2进行焊接，再将多个连接片10与散热片11对应的侧边进行焊接即可。
每个矩形槽的内部均填充有导热硅脂；方便通过导热硅脂将矩形槽密封起来，从而便于保护内芯3。
在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本实用新型的优选例，并不用来限制本实用新型，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.一种半导体器件用封装结构，包括外壳和位于外壳内部的芯片，其特征在于：所述外壳由上外壳(2)和位于上外壳(2)下方的下外壳(1)构成，且上外壳(2)通过连接框(13)与下外壳(1)连接，所述连接框(13)顶部的两侧均开设有一组散热凹槽(6)，每组所述散热凹槽(6)的内部均插接有导热片(7)，每组所述导热片(7)的一端与一个吸热片(8)一侧连接，每组所述导热片(7)的另一端均固定连接有连接片(10)，两组所述连接片(10)的自由端均与散热片(11)对应的侧边连接，两个所述吸热片(8)靠近芯片的一侧均设置有多个吸热凸体(9)，所述散热片(11)靠近上外壳(2)的一侧均设置有多个散热凸体(12)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件用封装结构，其特征在于：所述芯片由内芯(3)和与内芯(3)侧边连接的两组接线脚(4)构成，所述连接框(13)底部的两侧均开设有一组接线凹槽(5)，所述下外壳(1)在与每个接线凹槽(5)位置相对应的部位均开设有一个通槽，且每个通槽的内部尺寸与对应接线凹槽(5)的内部尺寸相同，每个通槽与对应接线凹槽(5)构成一个矩形槽，每个所述接线脚(4)的一端穿过对应的矩形槽。
3.根据权利要求1所述的一种半导体器件用封装结构，其特征在于：所述连接框(13)通过焊接方式与下外壳(1)和上外壳(2)进行连接。
4.根据权利要求1所述的一种半导体器件用封装结构，其特征在于：每个所述散热凹槽(6)的内部均填充有导热硅脂。
5.根据权利要求1所述的一种半导体器件用封装结构，其特征在于：每组所述导热片(7)的数量至少设置为五个。
6.根据权利要求1所述的一种半导体器件用封装结构，其特征在于：每个所述导热片(7)的一端与对应连接片(10)的一端通过焊接方式连接，同一侧的多个导热片(7)的另一端与对应吸热片(8)的一侧通过焊接方式连接，同一侧的多个连接片(10)的另一端通过焊接方式与散热片(11)对应的侧边连接。
7.根据权利要求2所述的一种半导体器件用封装结构，其特征在于：每个所述矩形槽的内部均填充有导热硅脂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202221292209.6U CN217405415U (zh) | 2022-05-23 | 2022-05-23 | 一种半导体器件用封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202221292209.6U CN217405415U (zh) | 2022-05-23 | 2022-05-23 | 一种半导体器件用封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN217405415U true CN217405415U (zh) | 2022-09-09 |
Family
ID=83146838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202221292209.6U Active CN217405415U (zh) | 2022-05-23 | 2022-05-23 | 一种半导体器件用封装结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN217405415U (zh) |
-
2022
- 2022-05-23 CN CN202221292209.6U patent/CN217405415U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN213635964U (zh) | 一种散热增强功率模块 | |
| CN206807850U (zh) | 基于qfn封装的pcb散热结构 | |
| CN217405415U (zh) | 一种半导体器件用封装结构 | |
| CN210778596U (zh) | 一种led驱动ic封装结构 | |
| CN219435850U (zh) | Mosfet芯片封装结构 | |
| CN217881476U (zh) | 一种半导体封装结构 | |
| CN218241826U (zh) | 一种芯片封装结构 | |
| CN214411167U (zh) | 一种易封装集成电路封装结构 | |
| CN211555873U (zh) | 一种双mos晶体管封装体 | |
| CN215069946U (zh) | 一种新型贴片ic塑封结构 | |
| CN220569657U (zh) | 一种半导体绝缘封装件 | |
| CN218896627U (zh) | 一种sbd器件封装散热结构 | |
| CN218827096U (zh) | 一种封装结构 | |
| CN219436951U (zh) | 具有散热结构的接线盒 | |
| CN215578530U (zh) | 一种贴片封装半导体的框架 | |
| CN212874535U (zh) | 一种白光led用固体荧光材料进行封装的结构 | |
| CN219226272U (zh) | 一种耐高温光电耦合器 | |
| CN220400580U (zh) | 高效散热单元式分立器件 | |
| CN212625554U (zh) | 一种高硬度铜封二极管 | |
| CN217544598U (zh) | 一种用于半导体芯片的封装结构 | |
| CN211125630U (zh) | 一种高反压晶体管 | |
| CN220510029U (zh) | 一种大功率半导体的双基岛串联内绝缘封装结构 | |
| CN213752702U (zh) | 一种用于发光二极管的封装组件 | |
| CN218769503U (zh) | 一种耐高温半导体器件 | |
| CN212967688U (zh) | 半导体封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |