CN111326527A - 包括屏蔽导电层的显示设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种包括屏蔽导电层的显示设备。所述显示设备包括：基底；驱动薄膜晶体管，设置在基底上，其中，驱动薄膜晶体管包括驱动半导体层和驱动栅电极；扫描线，与基底叠置并沿第一方向延伸；数据线，沿与第一方向交叉的第二方向延伸，其中，数据线通过绝缘层与扫描线绝缘；节点连接线，与扫描线设置在同一层上；以及屏蔽导电层，设置在数据线与节点连接线之间，其中，节点连接线的第一端经由第一节点接触孔连接到驱动栅电极。

Description

包括屏蔽导电层的显示设备
本申请要求于2018年12月13日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0161174号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明涉及一种显示设备，更具体地，涉及一种包括屏蔽导电层的显示设备。
背景技术
显示设备是用于显示图像的设备，并且可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光(EL)显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、等离子体显示器或阴极射线显示器。
响应于接收的数据而显示图像的显示设备可以包括基底。包括在显示设备中的基底可以被分成显示区域和外围区域。显示区域可以设置有彼此绝缘的扫描线和数据线以及连接到扫描线和数据线的多个像素。显示区域可以包括与每个像素对应的薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极。此外，显示区域可以设置有与多个像素公共连接的对电极。外围区域可以设置有用于将电信号传输到显示区域的各种布线、扫描驱动器、数据驱动器和/或控制器。
随着显示设备的厚度和重量的减小，显示设备的用途的多样性增加。为了显示设备的高质量和高分辨率，包括在像素中的像素电路的设计是多样化的。
发明内容
本发明的示例性实施例公开了一种用于实现高质量图像的包括屏蔽导电层的显示设备。
本发明的示例性实施例公开了一种包括基底的显示设备。驱动薄膜晶体管设置在基底上，其中，驱动薄膜晶体管包括驱动半导体层和驱动栅电极。扫描线与基底叠置并沿第一方向延伸。数据线沿与第一方向交叉的第二方向延伸，其中，数据线通过设置在数据线与扫描线之间的绝缘层与扫描线绝缘。节点连接线与扫描线设置在同一层上。屏蔽导电层设置在数据线与节点连接线之间。节点连接线的第一端经由第一节点接触孔连接到驱动栅电极。
本发明的示例性实施例公开了与驱动薄膜晶体管叠置并具有下电极和上电极的存储电容器，其中，屏蔽导电层从上电极的一侧延伸。
本发明的示例性实施例公开了存储电容器的下电极连接到驱动薄膜晶体管的驱动栅电极。
本发明的示例性实施例公开了沿第二方向延伸并与数据线设置在同一层上的驱动电压线，其中，屏蔽导电层连接到驱动电压线。
本发明的示例性实施例公开了连接到扫描线并包括补偿半导体层和补偿栅电极的补偿薄膜晶体管。半导体连接线从补偿半导体层延伸。节点连接线的第二端经由第二节点接触孔连接到半导体连接线。
本发明的示例性实施例公开了屏蔽导电层和半导体连接线中的每个包括沿第二方向延伸的部分。
本发明的示例性实施例公开了扫描线的电阻值小于驱动栅电极的电阻值。
本发明的示例性实施例公开了存储电容器，驱动栅电极在存储电容器中用作存储电容器的下电极。上电极与下电极叠置并具有存储开口。第一节点接触孔设置在存储开口中。
本发明的示例性实施例公开了存储开口的尺寸大于第一节点接触孔的尺寸。
本发明的示例性实施例公开了发射控制薄膜晶体管设置在基底上并包括发射控制半导体层和发射控制栅电极。发射控制信号通过发射控制线传输到发射控制栅电极，其中，发射控制栅电极被设置为发射控制线的一部分。
本发明的示例性实施例公开了一种包括基底的显示设备。驱动薄膜晶体管设置在基底上并具有驱动栅电极和驱动半导体层。第一栅极绝缘层设置在驱动栅电极与驱动半导体层之间。第二栅极绝缘层覆盖驱动栅电极。屏蔽导电层设置在第二栅极绝缘层上。层间绝缘层覆盖屏蔽导电层。节点连接线设置在层间绝缘层上，并且经由穿透层间绝缘层和第二栅极绝缘层的第一节点接触孔连接到驱动栅电极。扫描线与节点连接线设置在同一层上，并且沿第一方向延伸。过孔层覆盖扫描线和节点连接线。数据线设置在过孔层上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸。屏蔽导电层在数据线与节点连接线之间沿第二方向延伸。
本发明的示例性实施例公开了扫描线的电阻值小于驱动栅电极的电阻值。
本发明的示例性实施例公开了与驱动薄膜晶体管叠置并具有下电极和上电极的存储电容器，其中，屏蔽导电层沿第二方向从上电极延伸。
本发明的示例性实施例公开了存储电容器的下电极与驱动薄膜晶体管的驱动栅电极一体地形成。
本发明的示例性实施例公开了上电极具有存储开口，存储开口具有闭合曲线形状，并且第一节点接触孔设置在存储开口中。
本发明的示例性实施例公开了驱动半导体层是弯曲的。
本发明的示例性实施例公开了沿第二方向延伸并与数据线设置在同一层上的驱动电压线，其中，屏蔽导电层通过驱动电压线接收直流(DC)电压。
本发明的示例性实施例公开了连接到扫描线并包括补偿半导体层和补偿栅电极的补偿薄膜晶体管。半导体连接线从补偿半导体层延伸，其中，节点连接线的一端经由第二节点接触孔连接到半导体连接线。
本发明的示例性实施例公开了屏蔽导电层和半导体连接线包括沿第二方向延伸的部分。
本发明的示例性实施例公开了设置在基底上并包括发射控制半导体层和发射控制栅电极的发射控制薄膜晶体管。有机发光二极管连接到发射控制薄膜晶体管。
本发明的示例性实施例公开了屏蔽导电层的沿第二方向延伸的部分比半导体连接线的沿第二方向延伸的部分长。
本发明的示例性实施例公开了节点连接线包括沿第二方向延伸的部分，并且屏蔽导电层的沿第二方向延伸的部分比节点连接线的沿第二方向延伸的部分长。
本发明的示例性实施例公开了屏蔽导电层设置在数据线的过孔与第二节点接触孔之间，并且至少部分地围绕数据线的过孔和第二节点接触孔。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明的上述和其它特征，在附图中：
图1示意性地示出了根据本发明的示例性实施例的显示设备；
图2是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的显示设备的框图；
图3是包括在图1的显示设备中的像素的等效电路图；
图4是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的包括在像素电路中的多个薄膜晶体管和电容器的位置的布局图；
图5是图4中描绘的屏蔽导电层和屏蔽导电层附近的选定元件的放大布局图；
图6是沿图4的线I-I'截取的剖视图；以及
图7是沿图4的线II-II'和线III-III'截取的示出了有机发光二极管的剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述本发明的示例性实施例。然而，发明可以以许多可选形式实现，而不应被解释为仅限于在这里阐述的本公开的示例性实施例。应理解的是，在整个详细描述和附图中，同样的附图标记可以指同样的元件。
在以下实施例中，除非上下文另外明确指示，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
在以下实施例中，将进一步理解的是，在这里使用的术语“包括”说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它的特征或组件。
在以下实施例中，将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。换言之，可以存在中间层、区域或组件。
在附图中，为了便于解释，可以夸大组件的尺寸。换言之，因为为了便于解释而任意示出了附图中组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
在以下实施例中，将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接到”另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接连接到所述另一层、区域或组件或者经由中间层、区域或组件间接连接到所述另一层、区域或组件。例如，在本说明书中，当层、区域或组件被称为电连接到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以直接电连接到所述另一层、区域或组件或者经由中间层、区域或组件间接电连接到所述另一层、区域或组件。
在下面的描述中，根据本发明的示例性实施例，将有机发光显示设备作为显示设备来描述，但是本发明不限于此，并且可以使用各种类型的显示设备。
图1示意性地示出了根据本发明的示例性实施例的显示设备。
参照图1，显示设备可以包括显示区域DA和作为非显示区域的外围区域PA。包括有机发光二极管的像素PX可以布置在显示区域DA中，以提供特定图像。外围区域PA可以是不显示图像的区域。外围区域PA可以包括用于向显示区域DA的像素PX提供电信号的扫描驱动器和数据驱动器以及用于供应诸如驱动电压和共电压的电力的电力线。
图2是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的显示设备的框图。
根据本发明的示例性实施例的有机发光显示设备可以包括显示部分10(包括多个像素PX)、扫描驱动器20、数据驱动器30、发射控制驱动器40和控制器50。
显示部分10设置在显示区域DA中，并且可以包括像素PX，像素PX位于多条扫描线SL1至SLn+1、多条数据线DL1至DLm和多条发射控制线EL1至ELn的交叉点处并以矩阵布置。扫描线SL1至SLn+1和发射控制线EL1至ELn可以沿作为行方向的第一方向延伸，数据线DL1至DLm和驱动电压线ELVDDL可以沿作为列方向的第二方向延伸。在一条像素线中，扫描线SL1至SLn+1的数量可以与发射控制线EL1至ELn的数量不同。换言之，扫描线SL1至SLn+1的数量可以比发射控制线EL1至ELn的数量大。
像素PX中的每个可以连接到扫描线SL1至SLn+1中的三条、数据驱动器30和驱动电压线ELVDDL。扫描驱动器20产生三个扫描信号并经由扫描线SL1至SLn+1将三个扫描信号传输到像素PX中的每个。换言之，扫描驱动器20经由扫描线SL2至SLn中的每条、前一扫描线SL1至SLn-1中的每条或后一扫描线SL3至SLn+1中的每条顺序地供应扫描信号。
初始化电压线IL可以从外部电源VINT接收初始化电压，并将该电压供应到像素PX中的每个。
此外，像素PX中的每个可以连接到数据线DL1至DLm中的一条以及发射控制线EL1至ELn中的一条。
数据驱动器30经由数据线DL1至DLm将数据信号传输到像素PX中的每个。每当扫描信号被供应到扫描线SL2至SLn中的每条时，数据信号被供应到像素PX中的由扫描信号选择的一个。
发射控制驱动器40产生发射控制信号，并且经由发射控制线EL1至ELn将发射控制信号传输到像素PX中的每个。发射控制信号控制像素PX的发射时段。换言之，将发射控制信号传输到发射控制线EL1至ELn的发射控制驱动器40可以确定时间长度，像素PX在该时间长度期间发射光并显示图像。根据像素PX的内部结构，可以省略发射控制驱动器40。
控制器50可以被构造为将信号传送到扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40中的每个。例如，控制器50可以将从外部接收的多个图像信号IR、IG和IB转换为多个图像数据信号DR、DG和DB，并将转换的信号传输到数据驱动器30。另外，控制器50可以接收垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync和时钟信号MCLK，产生用于控制扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40的驱动的控制信号，并将产生的信号传输到扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40。换言之，控制器50产生用于控制扫描驱动器20的扫描驱动控制信号SCS、用于控制数据驱动器30的数据驱动控制信号DCS以及用于控制发射控制驱动器40的发射驱动控制信号ECS，并将产生的信号传输到扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40。
像素PX中的每个接收共电力电压ELVSS和来自外部的驱动电力电压ELVDD。驱动电力电压ELVDD可以是高电平电压，共电力电压ELVSS可以是接地电压或低于驱动电力电压ELVDD的电压。驱动电力电压ELVDD可以经由驱动电压线ELVDDL供应到像素PX中的每个。
根据经由数据线DL1至DLm传输的数据信号，像素PX中的每个可以通过供应到发光器件的驱动电流发射一定亮度的光。
图3是包括在图1的显示设备中的像素的等效电路图。
参照图3，像素PX可以包括信号线121、131、132、133和151、连接到信号线121、131、132、133和151的多个薄膜晶体管(TFT)T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、电容器Cst、初始化电压线123、驱动电压线152和有机发光二极管OLED。
虽然图3示出了其中信号线121、131、132、133和151、初始化电压线123和驱动电压线152针对像素PX中的每个来提供的情况，但是本发明不限于此。在本发明的另一实施例中，信号线121、131、132、133、151和初始化电压线123中的至少一条可以由相邻的像素共用。
TFT可以包括TFT T1至T7。例如，TFT T1至T7可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
信号线可以包括用于传输扫描信号Sn的扫描线131、用于将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化TFT T4的前一扫描线132、用于将后一扫描信号Sn+1传输到第二初始化TFTT7的后一扫描线133。扫描线131至133中的每条可以连接到扫描驱动器20。发射控制线121可以连接到发射控制驱动器40，并且可以被设置为用于将发射控制信号En传输到操作控制TFT T5和发射控制TFT T6。连接到数据驱动器30的数据线151可以被设置，并且可以与正交设置的扫描线131相交并将数据信号Dm传输到像素PX。驱动电压线152可以将驱动电力电压ELVDD传输到驱动TFT T1，并且初始化电压线123可以传输用于使驱动TFT T1和像素电极初始化的初始化电压Vint。
驱动TFT T1的驱动栅电极G1可以连接到存储电容器Cst的下电极Cst1。驱动TFTT1的驱动源电极S1经由操作控制TFT T5连接到驱动电压线152。驱动TFT T1的驱动漏电极D1可以经由发射控制TFT T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动TFT T1可以基于开关TFT T2的开关操作来接收数据信号Dm，并且将驱动电流IOLED供应到有机发光二极管OLED。
开关TFT T2的开关栅电极G2可以连接到扫描线131。开关TFT T2的开关源电极S2连接到数据线151。开关TFT T2的开关漏电极D2可以连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1，并且还可以经由操作控制TFT T5连接到驱动电压线152。开关TFT T2在被通过扫描线131传输的扫描信号Sn导通时，可以执行将通过数据线151传输的数据信号Dm传输到驱动TFT T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿TFT T3的补偿栅电极G3可以连接到扫描线131。补偿TFT T3的补偿源电极S3可以连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1，并且还可以经由发射控制TFT T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿TFT T3的补偿漏电极D3可以连接到存储电容器Cst的下电极Cst1、第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。补偿TFTT3在被通过扫描线131传输的扫描信号Sn导通时，可以例如通过二极管连接驱动TFT T1将驱动TFT T1的驱动栅电极G1电连接到驱动漏电极D1。
第一初始化TFT T4的第一初始化栅电极G4可以连接到前一扫描线132。第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4连接到第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7并连接到初始化电压线123。第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4可以连接到存储电容器Cst的下电极Cst1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。第一初始化TFTT4在被通过前一扫描线132传输的前一扫描信号Sn-1导通时，可以通过将初始化电压Vint传输到驱动TFT T1的驱动栅电极G1来执行使驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压初始化的初始化操作。
操作控制TFT T5的操作控制栅电极G5可以连接到发射控制线121。操作控制TFTT5的操作控制源电极S5可以连接到驱动电压线152。操作控制TFT T5的操作控制漏电极D5可以连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1和开关TFT T2的开关漏电极D2。
发射控制TFT T6的发射控制栅电极G6可以连接到发射控制线121。发射控制TFTT6的发射控制源电极S6可以连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1和补偿TFT T3的补偿源电极S3。发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6可以电连接到第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。发射控制栅电极G6可以设置为发射控制线121的一部分。
操作控制TFT T5和发射控制TFT T6可以被通过发射控制线121传输的发射控制信号En同时导通，并且使驱动电力电压ELVDD传输到有机发光二极管OLED，从而使驱动电流IOLED在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化TFT T7的第二初始化栅电极G7可以连接到后一扫描线133。第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7可以连接到发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极。第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7可以连接到第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4和初始化电压线123。第二初始化TFT T7在被通过后一扫描线133传输的后一扫描信号Sn+1导通时，可以使有机发光二极管OLED的像素电极初始化。
虽然图3示出了其中第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7分别连接到前一扫描线132和后一扫描线133的情况，但是本发明不限于此。在另一实施例中，第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7两者可以连接到前一扫描线132并由前一扫描信号Sn-1驱动。可选地，图3的源电极S1至S7和漏电极D1至D7的位置可以根据晶体管的类型(例如，p型或n型晶体管)彼此交换。
下面描述根据本发明的示例性实施例的像素PX中的每个的详细操作。
在初始化时段期间，当前一扫描信号Sn-1通过前一扫描线132供应时，第一初始化TFT T4响应于前一扫描信号Sn-1导通，并且驱动TFT T1被通过初始化电压线123供应的初始化电压Vint初始化。
在数据编程时段期间，当通过扫描线131供应扫描信号Sn时，开关TFT T2和补偿TFT T3响应于扫描信号Sn导通。在这种状态下，驱动TFT T1被导通的补偿TFT T3二极管连接并沿正向偏置。
然后，由从通过数据线151供应的数据信号Dm的电压减去驱动TFT T1的阈值电压Vth而获得的补偿电压(Dm+Vth，Vth是(-)值)被施加到驱动TFT T1的驱动栅电极G1。
驱动电力电压ELVDD和补偿电压Dm+Vth被施加到存储电容器Cst的对应端，并且与两端之间的电压差对应的电荷被存储在存储电容器Cst中。
在发射时段期间，操作控制TFT T5和发射控制TFT T6被通过发射控制线121供应的发射控制信号En导通。驱动电流IOLED根据驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压与驱动电力电压ELVDD之间的电压差产生，并通过发射控制TFT T6供应到有机发光二极管OLED。
根据本发明的示例性实施例的显示设备可以包括从存储电容器Cst的上电极Cst2沿第二方向延伸并且连接到驱动电压线152的屏蔽导电层141。可以设置屏蔽导电层141以防止会在设置有数据线151的部分A与用于将驱动TFT T1连接到补偿TFT T3的部分B之间出现的寄生电容。例如，部分B可以指节点连接线135(见图4)的不被存储电容器Cst叠置并且包括第二节点接触孔CNT2(见图4)的部分。屏蔽导电层141可以连接到驱动电压线152，并且设置在开关TFT T2与补偿TFT T3和驱动TFT T1之间的结之间。例如，屏蔽导电层141可以设置在补偿TFT T3的补偿漏区D3与驱动TFT T1的栅电极G1之间。
参照图4至图7的布局图和剖视图详细地描述根据本发明的示例性实施例的显示设备。
图4是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的包括在像素电路中的多个薄膜晶体管和电容器的位置的布局图。图5是图4中描绘的屏蔽导电层和在屏蔽导电层附近的选定元件的布局图。图6是沿图4的线I-I'截取的剖视图。图7是沿图4的线II-II'和线III-III'截取的其中设置有有机发光二极管OLED的剖视图。
如图4中所示，根据本发明的实施例的显示设备可以包括沿第一方向延伸的扫描线131、前一扫描线132、后一扫描线133、水平驱动电压线134、发射控制线121和初始化电压线123以及沿与第一方向交叉的第二方向延伸的数据线151和驱动电压线152。例如，第一方向和第二方向可以是彼此基本垂直的轴。
根据本发明的示例性实施例，扫描线131、前一扫描线132、后一扫描线133和水平驱动电压线134可以包括相同的材料并且可以设置在同一层上。扫描线131、前一扫描线132和后一扫描线133可以设置在与设置有TFT T1至T7的栅电极G1至G7的层不同的层上，并且可以各自具有小于栅电极G1至G7中的每个的电阻的电阻。换言之，扫描线131的比电阻值可以小于栅电极G1至G7中的每个的比电阻值。因此，可以防止或减小由于施加扫描信号而引起的RC延迟效应。
例如，扫描线131、前一扫描线132和后一扫描线133可以设置在层间绝缘层114(见图6和图7)上，并且可以以包括包含铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)和/或钼(Mo)的导电材料的多层或单层的形式包括上述材料。例如，扫描线131、前一扫描线132和后一扫描线133可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
栅电极G1至G7可以设置在第一栅极绝缘层112(见图6和图7)上，并且可以以单层或多层的形式包括Mo和/或Ti。例如，栅电极G1可以包括单个Mo层。
第二栅极绝缘层113和层间绝缘层114(见图6和图7)可以设置在扫描线131与栅电极G1至G7之间。换言之，扫描线131、前一扫描线132和后一扫描线133设置在与设置有连接到扫描线131、前一扫描线132和后一扫描线133的栅电极G1至G7的层不同的层上。扫描线131、前一扫描线132和后一扫描线133可以经由接触孔连接到栅电极G1至G7。
发射控制线121可以包括与栅电极G1至G7的材料相同的材料，并且可以与第一栅极绝缘层112设置在同一层上。
数据线151和驱动电压线152以及扫描线131的至少一部分可以具有设置在其间的过孔层115。数据线151和驱动电压线152可以具有与扫描线131的比电阻值相似的比电阻值。例如，数据线151和驱动电压线152可以以包括包含Al、Cu、Ti和/或Mo的导电材料的多层或单层的形式来包括上述材料。例如，数据线151和驱动电压线152可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
沿第一方向延伸的水平驱动电压线134可以设置在另一层上，并且可以经由接触孔连接到沿第二方向延伸的驱动电压线152。因此，水平驱动电压线134和驱动电压线152可以具有网格结构。
此外，根据本发明的示例性实施例的显示设备可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6、第二初始化TFT T7和存储电容器Cst。
驱动TFT T1的驱动半导体层A1、开关TFT T2的开关半导体层A2、补偿TFT T3的补偿半导体层A3、第一初始化TFT T4的第一初始化半导体层A4、操作控制TFT T5的操作控制半导体层A5、发射控制TFT T6的发射控制半导体层A6和第二初始化TFT T7的第二初始化半导体层A7可以设置在同一层上，并且可以包括相同的材料。例如，半导体层A1至A7可以包括多晶硅和/或非晶硅。可选地，半导体层A1至A7可以包括氧化物半导体材料，该氧化物半导体材料包括选自铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)中的至少一种的材料的氧化物。半导体层A1至A7可以彼此连接，并且可以以各种形状弯曲。
半导体层A1至A7中的每个可以包括沟道区以及设置在沟道区的两侧处的源区和漏区。根据本发明的示例性实施例，源区和漏区可以掺杂有杂质，并且杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源区和漏区分别与源电极和漏电极对应。在下面的描述中，可以使用诸如源区和漏区的术语来代替源电极和漏电极。
驱动TFT T1可以包括驱动半导体层A1、驱动栅电极G1、驱动源区S1和驱动漏区D1。驱动半导体层A1可以是弯曲的。存储电容器Cst可以设置为至少部分地与其下方的驱动TFTT1叠置。
驱动半导体层A1可以包括驱动沟道区以及设置在驱动沟道区的相应侧处的驱动源区S1和驱动漏区D1。驱动半导体层A1可以具有弯曲的形状，以比其它的半导体层A2至A7长。例如，因为驱动半导体层A1可以以多个互连的弯曲段为特征，并且具有类似欧米茄符号或字母“S”的整体形状，所以可以在窄空间内获得长的沟道长度。当驱动半导体层A1形成为具有长的沟道长度时，施加到驱动栅电极G1的栅极电压的驱动范围扩展，因此可以精确地控制从有机发光二极管OLED发射的光的灰度，从而提高显示质量。
存储电容器Cst可以包括插置有设置在其间的第二栅极绝缘层113的下电极Cst1和上电极Cst2。驱动栅电极G1同时用作下电极Cst1。换言之，驱动栅电极G1可以与下电极Cst1一体地形成。第二栅极绝缘层113用作存储电容器Cst的电介质，并且存储电容由存储在存储电容器Cst中的电荷以及下电极Cst1与上电极Cst2两者之间的电压确定。
下电极Cst1可以作为具有岛状的浮置电极与发射控制线121、开关栅电极G2、补偿栅电极G3、第一初始化栅电极G4、操作控制栅电极G5、发射控制栅电极G6和第二初始化栅电极G7形成在同一层上，并且由与发射控制线121、开关栅电极G2、补偿栅电极G3、第一初始化栅电极G4、操作控制栅电极G5、发射控制栅电极G6和第二初始化栅电极G7的材料相同的材料形成。
上电极Cst2可以设置在第二栅极绝缘层113上。上电极Cst2可以设置为至少部分地与下电极Cst1叠置，并且可以具有存储开口Sop。存储开口Sop设置为与下电极Cst1叠置。存储开口Sop可以具有穿透上电极Cst2的单个闭合曲线形状。单个闭合曲线可以表示诸如多边形或圆的闭合线图形，其中，当在直线或曲线上标记点时，起点和终点是相同的。在平面图中，上电极Cst2还可以至少部分地与水平驱动电压线134、驱动TFT T1、发射控制TFTT6、数据线151和驱动电压线152叠置。上电极Cst2经由接触孔连接到驱动电压线152，并且接收驱动电力电压ELVDD。
开关TFT T2可以包括开关半导体层A2和开关栅电极G2。开关半导体层A2可以包括设置在开关沟道区的相应侧处的开关源区S2和开关漏区D2。开关漏区D2可以连接到驱动源区S1。
补偿TFT T3可以包括补偿半导体层A3和补偿栅电极G3。补偿半导体层A3可以包括设置在补偿沟道区的相应侧处的补偿源区S3和补偿漏区D3。以补偿半导体层A3形成的补偿TFT T3作为双薄膜晶体管可以包括两个补偿沟道区。补偿沟道区之间的区域可以是掺杂有杂质的与双薄膜晶体管中的任一个的源区局部对应且还与另一个的漏区局部对应的区域。补偿漏区D3可以通过节点连接线135连接到下电极Cst1。补偿栅电极G3可以通过形成单独的双栅电极来防止电流的泄漏。
第一初始化TFT T4可以包括第一初始化半导体层A4和第一初始化栅电极G4。第一初始化半导体层A4可以包括设置在第一初始化沟道区的相应侧处的第一初始化源区S4和第一初始化漏区D4。以第一初始化半导体层A4形成的第一初始化TFT T4可以包括两个第一初始化沟道区。例如，所述两个第一初始化沟道区可以设置为双薄膜晶体管。第一初始化沟道区之间的区域可以是掺杂有杂质的并且与双薄膜晶体管中的任一个的源区局部对应且还与另一个的漏区局部对应的区域。第一初始化源区S4可以通过节点连接线135连接到下电极Cst1。第一初始化漏区D4可以连接到初始化电压线123。
操作控制TFT T5可以包括操作控制半导体层A5和操作控制栅电极G5。操作控制半导体层A5可以包括设置在操作控制沟道区的相应侧处的操作控制源区S5和操作控制漏区D5。操作控制漏区D5可以连接到驱动源区S1。
发射控制TFT T6可以包括发射控制半导体层A6和发射控制栅电极G6。发射控制半导体层A6可以包括设置在发射控制沟道区的相应侧处的发射控制源区S6和发射控制漏区D6。发射控制源区S6可以连接到驱动漏区D1。
第二初始化TFT T7可以包括第二初始化半导体层A7和第二初始化栅电极G7。第二初始化半导体层A7可以包括设置在第二初始化沟道区的相应侧处的第二初始化源区S7和第二初始化漏区D7。
初始化电压线123可以与半导体层A1至A7设置在同一层上，并且可以包括与半导体层A1至A7的材料相同的材料。初始化电压线123可以连接到第一初始化TFT T4的第一初始化漏区D4和第二初始化TFT T7的第二初始化漏区D7。
驱动TFT T1的驱动半导体层A1的一端可以连接到开关半导体层A2和操作控制半导体层A5，驱动半导体层A1的另一端可以连接到补偿半导体层A3和发射控制半导体层A6。因此，驱动源电极S1可以连接到开关漏电极D2和操作控制漏电极D5，驱动漏电极D1连接到补偿源电极S3和发射控制源电极S6。
存储电容器Cst的下电极Cst1通过节点连接线135连接到补偿TFT T3和初始化TFTT4。节点连接线135可以设置在与设置有扫描线131的层相同的层上。节点连接线135的一端可以经由形成在第二栅极绝缘层113和层间绝缘层114中的第一节点接触孔CNT1连接到下电极Cst1。第一节点接触孔CNT1可以设置在上电极Cst2的存储开口Sop内侧。存储开口Sop的尺寸可以比第一节点接触孔CNT1的尺寸大，因此在不接触上电极Cst2的情况下，第一节点接触孔CNT1可以连接到下电极Cst1。
节点连接线135的另一端可以经由形成在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层114中的第二节点接触孔CNT2连接到补偿漏区D3和第一初始化漏区D4。
存储电容器Cst的上电极Cst2可以经由设置在层间绝缘层114和过孔层115中的接触孔连接到驱动电压线152，并且可以通过驱动电压线152接收驱动电力电压ELVDD。
开关TFT T2用作开关器件以选择像素来发光。开关栅电极G2可以经由接触孔连接到设置在不同层上的扫描线131。开关源区S2可以经由接触孔连接到数据线151。开关漏区D2连接到驱动TFT T1和操作控制TFT T5。
发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6可以经由形成在过孔层115和平坦化层116中的过孔直接连接到有机发光二极管OLED的像素电极。
根据本发明的示例性实施例的显示设备可以包括屏蔽导电层141。屏蔽导电层141减小了设置有数据线151的部分A与用于将驱动TFT T1连接到补偿TFT T3的部分B之间的寄生电容。
屏蔽导电层141可以从存储电容器Cst的上电极Cst2延伸。换言之，屏蔽导电层141可以与上电极Cst2一体地形成或与其邻接。例如，屏蔽导电层141可以沿第二方向从上电极Cst2的一侧突出。屏蔽导电层141可以经由接触孔连接到驱动电压线152，并且可以接收作为DC电压的驱动电力电压ELVDD。
图5示出了屏蔽导电层141和选定的相邻元件的构造，图6示出了沿图4的线I-I'截取的包括屏蔽导电层141的剖视图。参照图5，在平面图中，屏蔽导电层141可以设置在数据线151与节点连接线135之间和/或数据线151与半导体连接线125之间。半导体连接线125可以是连接到补偿TFT T3的布线，并且可以是补偿漏区D3的一部分。
当未设置屏蔽导电层141时，在数据线151与节点连接线135之间或者在数据线151与半导体连接线125之间出现寄生电容，因此驱动TFT T1的特性会基于信号通过数据线151的供应改变。
然而，根据本发明的示例性实施例的显示设备可以包括屏蔽导电层141，屏蔽导电层141可以防止寄生电容的发生。此外，接收作为DC电压的驱动电力电压ELVDD以维持恒定电压的屏蔽导电层141可以减小由数据线151的信号引起的耦合效应。
节点连接线135和半导体连接线125可以是用于将补偿TFT T3连接到驱动TFT T1的布线。节点连接线135可以设置在层间绝缘层114上，层间绝缘层114是与设置有扫描线131的层相同的层。半导体连接线125可以设置在缓冲层111上，缓冲层111是与设置有半导体层A1至A7的层相同的层。换言之，数据线151可以设置为距半导体连接线125比距节点连接线135远。可以减小节点连接线135的长度以减小寄生电容。节点连接线135可以在第一端处连接到驱动栅电极G1并且在第二端处连接到半导体连接线125。在平面图中，第一端可以被上电极Cst2完全叠置，并且第二端的与数据线151相邻设置的长边可以被沿第二方向延伸的屏蔽导电层141的边至少部分地围绕。例如，节点连接线135的未被上电极Cst2覆盖的部分(例如，第二端)可以在第二方向上具有比至少部分地围绕节点连接线135的屏蔽导电层141的延伸长度短的延伸长度。
因此，在本发明的示例性实施例中，半导体连接线125可以包括沿第二方向延伸的第一部分和基本沿第一方向延伸的第二部分，第二方向是与屏蔽导电层141延伸所沿的方向相同的方向。第一部分的与数据线151相邻的边可以被屏蔽导电层141至少部分地围绕。屏蔽导电层141可以设置在数据线151的过孔与第二节点接触孔CNT2之间，并且至少部分地围绕两者。
参照图7描述包括在根据本发明的示例性实施例的显示设备中的构造。图7是沿图4的线II-II'和线III-III'截取的其中设置有有机发光二极管OLED的剖视图。
基底110可以包括玻璃构件、陶瓷构件、金属构件和/或柔性的或可弯曲的材料。当基底110是柔性的或可弯曲的时，基底110可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和/或乙酸丙酸纤维素(CAP)。基底110可以具有包括上述材料中的至少一种的单层或多层结构。对于多层结构，基底110还可以包括无机层。根据本发明的示例性实施例，基底110可以具有有机材料/无机材料/有机材料的结构。
缓冲层111可以设置在基底110上，并且可以防止或减少异物、湿气或外部空气侵入到基底110的下部中，并且在基底110上提供平坦化表面。缓冲层111可以以无机材料和有机材料的单层或多层结构包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料和/或有机/无机复合物。
阻挡层可以进一步设置在基底110与缓冲层111之间。阻挡层可以防止或减少杂质从基底110侵入到半导体层A1至A7中。阻挡层可以以无机材料和有机材料的单层或多层结构包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料和/或有机/无机复合物。
半导体层A1、A3和A6可以设置在缓冲层111上。半导体层A1、A3和A6可以包括非晶硅和/或多晶硅。根据本发明的示例性实施例，半导体层A1可以包括选自由In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、Ge、Cr、Ti、Al、Cs、Ce和Zn组成的组中的至少一种材料的氧化物。根据本发明的示例性实施例，半导体层A1、A3和A6可以包括Zn氧化物基材料，诸如Zn氧化物(ZnO)、In-Zn氧化物(IZO)和/或Ga-In-Zn氧化物。根据本发明的示例性实施例，半导体层A1可以包括其中诸如In、Ga或Sn的金属包含在ZnO中的In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)和/或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)半导体。半导体层A1、A3和A6可以包括沟道区、设置在沟道区的相应侧处的源区和漏区。半导体层A1、A3和A6可以各自是单层或多层。
栅电极G1、G3和G6设置在半导体层A1、A3和A6上，并且至少部分地与半导体层A1、A3和A6叠置，在栅电极G1、G3和G6与半导体层A1、A3和A6之间有第一栅极绝缘层112。栅电极G1、G3和G6可以以单层或多层的形式包括Mo、Al、Cu或Ti。根据本发明的示例性实施例，栅电极G1、G3和G6可以是单个Mo层。
第一栅极绝缘层112可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或ZnO。
第二栅极绝缘层113可以设置为覆盖栅电极G1、G3和G6。第二栅极绝缘层113可以包括SiO2、Si3N4、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。
存储电容器Cst的下电极Cst1可以与驱动TFT T1叠置。例如，驱动TFT T1的驱动栅电极G1也可以执行作为存储电容器Cst的下电极Cst1的功能。
存储电容器Cst的上电极Cst2可以与下电极Cst1叠置，第二栅极绝缘层113设置在下电极Cst1与上电极Cst2之间。在这种情况下，第二栅极绝缘层113可以用作存储电容器Cst的电介质层。上电极Cst2可以以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料的多层或单层的形式包括上述材料。
层间绝缘层114可以设置为覆盖存储电容器Cst的上电极Cst2。层间绝缘层114可以包括SiO2、Si3N4、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。
扫描线131和节点连接线135可以设置在层间绝缘层114上。扫描线131和节点连接线135可以以多层或单层的形式包括包含Al、Cu和Ti中的至少一种的导电材料。根据本发明的示例性实施例，驱动源电极S1和驱动漏电极D1可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
节点连接线135的一端可以经由穿透层间绝缘层114和第二栅极绝缘层113的第一节点接触孔CNT1连接到驱动栅电极G1。节点连接线135的另一端可以经由穿透层间绝缘层114、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的第二节点接触孔CNT2连接到半导体连接线125。半导体连接线125可以是从补偿TFT T3的补偿漏区D3延伸的布线。
扫描线131可以经由穿透层间绝缘层114和第二栅极绝缘层113的接触孔连接到补偿栅电极G3。连接电极136可以经由穿透层间绝缘层114、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的接触孔连接到发射控制TFT T6的发射控制漏区D6。
过孔层115可以设置在扫描线131、节点连接线135和连接电极136上。数据线151和驱动电压线152可以设置在过孔层115上。
过孔层115可以包括用于通常用途的通用聚合物，诸如苯并环丁烯(BCB)、PI、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物和/或它们的混合物。过孔层115可以包括无机材料。过孔层115可以包括SiO2、Si3N4、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。当过孔层115包括无机材料时，可以根据需要执行化学平坦化抛光。过孔层115可以包括有机材料和无机材料两者。
平坦化层116可以设置在数据线151和驱动电压线152上。平坦化层116可以包括有机材料，诸如丙烯酸类化合物、BCB、PI和/或HMDSO。可选地，平坦化层116可以包括无机材料。平坦化层116可以使覆盖TFT T1至T7的保护膜的上表面基本平坦化。平坦化层116可以以单层或多层的形式设置。
有机发光二极管OLED具有像素电极210、对电极230以及设置在像素电极210与对电极230之间的中间层220。发射层可以设置在平坦化层116上。
像素电极210可以经由穿透平坦化层116和过孔层115的过孔连接到连接电极136，并且通过连接电极136连接到发射控制TFT T6的发射控制漏区D6。
像素限定层117可以设置在平坦化层116上。像素限定层117可以具有与每个子像素对应的开口。换言之，开口可以至少使像素电极210的中心部分暴露，从而限定像素。此外，像素限定层117增加像素电极210的边缘与像素电极210上方的对电极230之间的距离，以防止在像素电极210的边缘处产生电弧。像素限定层117可以包括诸如PI或HMDSO的有机材料。
有机发光二极管OLED的中间层220可以包括低分子量聚合物材料。当中间层220包括低分子量材料时，中间层220可以具有其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)以单个或复合结构堆叠的结构。中间层220可以包括各种有机材料，诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和/或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。这些层可以通过真空沉积方法形成。
当中间层220包括聚合物材料时，中间层220通常可以具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL可以包括聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT)，EML可以包括聚合物材料，诸如聚对亚苯基亚乙烯基(PPV)或聚芴(PFO)。中间层220可以通过丝网印刷法、喷墨印刷法或激光诱导热成像(LITI)法形成。
然而，中间层220不必限于此，并且可以具有各种结构。中间层220可以包括一体跨过多个像素电极210的层，或者可以包括被图案化为与像素电极210中的每个对应的层。
对电极230可以设置在显示区域DA上方，并且可以设置为覆盖显示区域DA。换言之，对电极230可以一体地形成在多个有机发光器件(例如，有机发光二极管OLED)中，并且可以与像素电极210对应。
由于有机发光二极管OLED容易被外部的湿气或氧损坏，所以薄膜封装层300可以通过覆盖有机发光二极管OLED来保护有机发光二极管OLED。薄膜封装层300可以覆盖显示区域DA，并且延伸到显示区域DA的外部。薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310覆盖对电极230，并且可以包括陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化铟锡(ITO)、SiO2、Si3N4和/或SiOxNy。根据需要，诸如盖层的其它层可以设置在第一无机封装层310与对电极230之间。由于第一无机封装层310与其下部的结构对应地形成，所以第一无机封装层310的上表面可以不是平坦的。
有机封装层320可以覆盖第一无机封装层310，与第一无机封装层310不同，有机封装层320的上表面可以是基本平坦的。详细地，有机封装层320的上表面可以在与显示区域DA对应的部分处是基本平坦的。有机封装层320可以包括选自由丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、PET、PEN、PC、PI、PEDOT、聚甲醛、PAR和HMDSO组成的组中的至少一种材料。
第二无机封装层330可以覆盖有机封装层320，并且可以包括陶瓷、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、In2O3、SnO2、ITO、SiO2、Si3N4和/或SiOxNy。
如此，薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。由于上述多层结构，即使在薄膜封装层300中出现裂纹时，这种裂纹也不会在第一无机封装层310与有机封装层320之间或有机封装层320与第二无机封装层330之间连接。因此，可以防止或减少外部湿气或氧沿其侵入到显示区域DA中的路径的形成。
用于防止掩模划痕的间隔件可以进一步设置在像素限定层117上。诸如偏振层、黑矩阵、滤色器和/或具有触摸电极的触摸屏层的各种功能层可以设置在薄膜封装层300上，以减少外部光反射。
如上所述，根据本发明构思的上述实施例，由于从存储电容器的一个电极延伸的屏蔽导电层设置在连接驱动TFT的节点连接线与数据线之间，因此可以减少由于寄生电容引起的串扰。
此外，由于使用具有比开关TFT的栅电极的电阻低的电阻的扫描线，所以可以防止RC延迟效应。
虽然已经参照本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的本发明的范围的情况下，可以在本发明中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (23)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底；
驱动薄膜晶体管，设置在所述基底上，其中，所述驱动薄膜晶体管包括驱动半导体层和驱动栅电极；
扫描线，与所述基底叠置并沿第一方向延伸；
数据线，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，其中，所述数据线通过绝缘层与所述扫描线绝缘；
节点连接线，与所述扫描线设置在同一层上；以及
屏蔽导电层，设置在所述数据线与所述节点连接线之间，
其中，所述节点连接线的第一端经由第一节点接触孔连接到所述驱动栅电极。
2.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括与所述驱动薄膜晶体管叠置并具有下电极和上电极的存储电容器，
其中，所述屏蔽导电层从所述上电极的一侧延伸。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述存储电容器的所述下电极与所述驱动薄膜晶体管的所述驱动栅电极一体地设置。
4.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括沿所述第二方向延伸并与所述数据线设置在同一层上的驱动电压线，其中，所述屏蔽导电层连接到所述驱动电压线。
5.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
补偿薄膜晶体管，连接到所述扫描线并包括补偿半导体层和补偿栅电极；以及
半导体连接线，从所述补偿半导体层延伸，
其中，所述节点连接线的第二端经由第二节点接触孔连接到所述半导体连接线。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述屏蔽导电层和所述半导体连接线中的每个包括沿所述第二方向延伸的部分。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述扫描线的电阻值小于所述驱动栅电极的电阻值。
8.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括存储电容器，所述驱动栅电极在所述存储电容器中用作所述存储电容器的下电极，所述存储电容器具有上电极，所述上电极与所述下电极叠置并具有存储开口，
其中，所述第一节点接触孔设置在所述存储开口中。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述存储开口的尺寸大于所述第一节点接触孔的尺寸。
10.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
发射控制薄膜晶体管，设置在所述基底上，并包括发射控制半导体层和发射控制栅电极；以及
发射控制线，发射控制信号通过所述发射控制线传输到所述发射控制栅电极，
其中，所述发射控制栅电极是所述发射控制线的一部分。
11.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底；
驱动薄膜晶体管，设置在所述基底上并具有驱动栅电极和驱动半导体层；
第一栅极绝缘层，设置在所述驱动栅电极与所述驱动半导体层之间；
第二栅极绝缘层，覆盖所述驱动栅电极；
屏蔽导电层，设置在所述第二栅极绝缘层上；
层间绝缘层，覆盖所述屏蔽导电层；
节点连接线，设置在所述层间绝缘层上，并且经由穿透所述层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层的第一节点接触孔连接到所述驱动栅电极；
扫描线，与所述节点连接线设置在同一层上，其中，所述扫描线沿第一方向延伸；
过孔层，覆盖所述扫描线和所述节点连接线；以及
数据线，设置在所述过孔层上并沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，
其中，所述屏蔽导电层在所述数据线与所述节点连接线之间沿所述第二方向延伸。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述扫描线的电阻值小于所述驱动栅电极的电阻值。
13.根据权利要求11所述的显示设备，所述显示设备还包括与所述驱动薄膜晶体管叠置并具有下电极和上电极的存储电容器，
其中，所述屏蔽导电层沿所述第二方向从所述上电极延伸。
14.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述存储电容器的所述下电极与所述驱动薄膜晶体管的所述驱动栅电极一体地形成。
15.根据权利要求13所述的显示设备，其中，所述上电极具有存储开口，所述存储开口具有闭合曲线形状，并且所述第一节点接触孔设置在所述存储开口中。
16.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述驱动半导体层是弯曲的。
17.根据权利要求11所述的显示设备，所述显示设备还包括沿所述第二方向延伸并与所述数据线设置在同一层上的驱动电压线，
其中，所述屏蔽导电层通过所述驱动电压线接收直流电压。
18.根据权利要求11所述的显示设备，所述显示设备还包括：
补偿薄膜晶体管，连接到所述扫描线并包括补偿半导体层和补偿栅电极；以及
半导体连接线，从所述补偿半导体层延伸，
其中，所述节点连接线的一端经由第二节点接触孔连接到所述半导体连接线。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述屏蔽导电层和所述半导体连接线中的每个包括沿所述第二方向延伸的部分。
20.根据权利要求11所述的显示设备，所述显示设备还包括：
发射控制薄膜晶体管，设置在所述基底上，并包括发射控制半导体层和发射控制栅电极；以及
有机发光二极管，连接到所述发射控制薄膜晶体管。
21.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述屏蔽导电层的沿所述第二方向延伸的所述部分比所述半导体连接线的沿所述第二方向延伸的所述部分长。
22.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述节点连接线包括沿所述第二方向延伸的部分，并且所述屏蔽导电层的沿所述第二方向延伸的所述部分比所述节点连接线的沿所述第二方向延伸的所述部分长。
23.根据权利要求21所述的显示设备，其中，所述屏蔽导电层设置在所述数据线的过孔与所述第二节点接触孔之间，并且至少部分地围绕所述数据线的所述过孔和所述第二节点接触孔。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021104150A1 (zh) * 2019-11-26 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和电子装置
US11910669B2 (en) 2020-10-30 2024-02-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and display apparatus

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102571661B1 (ko) * 2018-11-09 2023-08-28 엘지디스플레이 주식회사 표시패널 및 표시장치
KR20200073347A (ko) 2018-12-13 2020-06-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200145960A (ko) * 2019-06-21 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20210013460A (ko) 2019-07-25 2021-02-04 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20210142025A (ko) 2020-05-14 2021-11-24 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR20220078778A (ko) * 2020-12-03 2022-06-13 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR20220096854A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2022174420A1 (zh) * 2021-02-20 2022-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
KR20220131436A (ko) * 2021-03-18 2022-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220170387A (ko) * 2021-06-22 2022-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114283763B (zh) * 2021-12-27 2023-04-07 昆山国显光电有限公司 像素驱动电路的布线结构、显示面板和显示装置
CN115938274A (zh) * 2023-01-03 2023-04-07 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160275857A1 (en) * 2015-03-18 2016-09-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
CN107527590A (zh) * 2016-06-15 2017-12-29 三星显示有限公司 显示装置
CN108873510A (zh) * 2017-05-11 2018-11-23 三星显示有限公司 显示设备

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120129593A (ko) 2011-05-20 2012-11-28 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
US8730141B2 (en) 2011-09-20 2014-05-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display pixel structure, liquid crystal panel, liquid crystal display device and driving method
KR101977158B1 (ko) 2012-03-07 2019-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR20150061442A (ko) 2013-11-27 2015-06-04 네오뷰코오롱 주식회사 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 표시장치
US20160365042A1 (en) 2015-06-15 2016-12-15 Apple Inc. Display Driver Circuitry With Gate Line and Data Line Delay Compensation
KR101908383B1 (ko) 2018-04-25 2018-12-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR20200073347A (ko) 2018-12-13 2020-06-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160275857A1 (en) * 2015-03-18 2016-09-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
CN107527590A (zh) * 2016-06-15 2017-12-29 三星显示有限公司 显示装置
CN108873510A (zh) * 2017-05-11 2018-11-23 三星显示有限公司 显示设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021104150A1 (zh) * 2019-11-26 2021-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和电子装置
US11910669B2 (en) 2020-10-30 2024-02-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate and display apparatus

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Publication number Publication date
US11482584B2 (en) 2022-10-25
US20200194529A1 (en) 2020-06-18
US20210183979A1 (en) 2021-06-17
KR20200073347A (ko) 2020-06-24
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US20230016366A1 (en) 2023-01-19
US10923549B2 (en) 2021-02-16
CN118540987A (zh) 2024-08-23

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