CN111313852B - 一种驱动放大器及模数转换器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种驱动放大器及模数转换器，所述驱动放大器包括：第一级源跟随器、连接于所述第一级源跟随器输出端的第二级源跟随器，及连接于所述第一级源跟随器和所述第二级源跟随器的反馈单元；其中，所述第一级源跟随器用于对输入信号进行驱动增强以驱动所述第二级源跟随器；所述第二级源跟随器用于在所述第一级源跟随器的驱动下，对所述第一级源跟随器的输出信号进行驱动增强后输出；所述反馈单元用于根据所述第二级源跟随器的输出动态调整所述第一级源极跟随器中PMOS输入管的漏端电压，以稳定所述PMOS输入管的直流工作点。通过本发明解决了现有驱动放大器在驱动大电容时无法同时满足高速、高线性度、低噪声、宽摆幅等问题。

Description

一种驱动放大器及模数转换器
技术领域
本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种驱动放大器及模数转换器。
背景技术
随着人们对物理世界的测量范围越来越广泛、测量精度越来越精细，模数转换器（Analog to digital Converter，ADC）的应用越来越多，对ADC的精度和速度要求越来越高，这对ADC的设计提出了挑战。ADC的实际工作按照工作的时间先后顺序可分为两个阶段：第一阶段为采样，将需要转换的模拟信号准确采样到电容并保持住；第二阶段为转换，将第一阶段采样得到的模拟信号进行量化，转换为数字信号并输出；因此，如果要使ADC输出能达到高精度要求，需满足采样精度高的同时量化精度也高。在实际设计中，量化过程会引入额外的误差，因此采样精度比量化精度还要高，一般高2bit以上，这样就对采样精度提出了更高的要求。此外，ADC速度越来越快，这样也限制了采样时间，甚至保证高精度采样时还要压缩采样时间，因此采样模块的设计逐渐成为高速高精度ADC设计的一个瓶颈，特别是针对高精度逐次逼近（Successive Approximation，SAR）ADC，这种ADC一般为了满足匹配要求和抑制输入热噪声，采样电容都很大，因此对前端设计要求更高。
一般应用中输入端的信号驱动能力很弱，要直接驱动这么大的电容并同时满足非常高的建立精度基本不可能，故在实际设计中会在输入信号和采样电容之间插入一个高速驱动放大器。由于该高速驱动放大器处在信号链前端，此高速驱动放大器的性能直接决定了ADC精度所能到达的最高水平，故其引入不能增加过多噪声和非线性并要保证输入信号范围不受损失；因此，设计一款符合要求的驱动放大器对ADC系统来说至关重要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种驱动放大器及模数转换器，用于解决现有驱动放大器在驱动大电容时无法同时满足高速、高线性度、低噪声、宽摆幅等问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种驱动放大器，所述驱动放大器包括：第一级源跟随器、连接于所述第一级源跟随器输出端的第二级源跟随器，及连接于所述第一级源跟随器和所述第二级源跟随器的反馈单元；其中，
所述第一级源跟随器用于对输入信号进行驱动增强以驱动所述第二级源跟随器；
所述第二级源跟随器用于在所述第一级源跟随器的驱动下，对所述第一级源跟随器的输出信号进行驱动增强后输出；
所述反馈单元用于根据所述第二级源跟随器的输出动态调整所述第一级源极跟随器中PMOS输入管的漏端电压，以稳定所述PMOS输入管的直流工作点。
可选地，所述第一级源跟随器包括：第一电流源及PMOS输入管；其中，所述第一电流源的一端接入电源电压，所述第一电流源的另一端连接于所述PMOS输入管的源极端，同时作为所述第一级源跟随器的输出端，所述PMOS输入管的栅极端接入所述输入信号，所述PMOS输入管的漏极端连接于所述反馈单元。
可选地，所述PMOS输入管的衬底端与其源极端短接。
可选地，所述第二级源跟随器包括：NMOS管；其中，所述NMOS管的栅极端连接于所述第一级源跟随器的输出端，所述NMOS管的漏极端接入电源电压，所述NMOS管的源极端连接于所述反馈单元，同时作为所述第二级源跟随器的输出端。
可选地，所述NMOS管的衬底端与其源极端短接。
可选地，所述反馈单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管及第二电流源；其中，所述第一PMOS管的栅极端连接于所述第一PMOS管的漏极端及所述第二PMOS管的栅极端，所述第一PMOS管的源极端连接于所述第二级源跟随器的输出端，所述第一PMOS管的漏极端连接于所述第二电流源的一端，所述第二电流源的另一端接地，所述第二PMOS管的源极端连接于所述第一级源跟随器，所述第二PMOS管的漏极端接地。
本发明还提供了一种模数转换器，所述模数转换器包括：如上所述的驱动放大器，连接于所述输入信号和采样电容之间。
可选地，所述模数转换器包括逐次逼近型模数转换器。
如上所述，本发明的一种驱动放大器及模数转换器，通过两级级联的源跟随器即可保证驱动大电容时的稳定性，同时通过第二级源跟随器形成的负反馈环路来保证建立精度和速度；本发明还通过反馈单元与第一级源跟随器及第二级源跟随器形成的正反馈环路来动态调整PMOS输入管的漏端电压，使其直流工作点在宽摆幅输入下相对稳定以抑制短沟道效应，提高线性度，从而抑制输入摆幅较宽时引入的较大谐波，进而保证宽摆幅下的采样精度；本发明电路架构简单，同时未引入任何电阻反馈，故整体噪声可控，从而保证低噪声。由此可见，本发明所述驱动放大器在驱动大电容时，可实现高稳定性、高建立精度和速度、宽摆幅、高线性度及低噪声。
附图说明
图1显示为本发明所述ADC驱动放大器的电路框图。
图2显示为本发明所述ADC驱动放大器的一种设计实例的电路图。
元件标号说明
101第一级源跟随器，102第二级源跟随器，103反馈单元 。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1和图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
如图1所示，本实施例提供一种驱动放大器，所述驱动放大器包括：第一级源跟随器101、连接于所述第一级源跟随器101输出端的第二级源跟随器102，及连接于所述第一级源跟随器101和所述第二级源跟随器102的反馈单元103；其中，
所述第一级源跟随器101用于对输入信号Vin进行驱动增强以驱动所述第二级源跟随器102；
所述第二级源跟随器102用于在所述第一级源跟随器101的驱动下，对所述第一级源跟随器101的输出信号进行驱动增强后输出；
所述反馈单元103用于根据所述第二级源跟随器102的输出动态调整所述第一级源极跟随器101中PMOS输入管的漏端电压，以稳定所述PMOS输入管的直流工作点，抑制短沟道效应，提高线性度。
作为示例，如图2所示，所述第一级源跟随器101包括：第一电流源I0及PMOS输入管PM0；其中，所述第一电流源I0的一端接入电源电压VDD，所述第一电流源I0的另一端连接于所述PMOS输入管PM0的源极端，同时作为所述第一级源跟随器101的输出端，所述PMOS输入管PM0的栅极端接入所述输入信号Vin，所述PMOS输入管PM0的漏极端连接于所述反馈单元103。本示例中，所述PMOS输入管PM0构成一源跟随器，以使其源极端输出跟随栅极端输入变化，从而实现对所述输入信号Vin进行驱动增强后输出。可选地，本示例中，所述PMOS输入管PM0的衬底端与其源极端短接，从而消除所述PMOS输入管PM0的体效应，提高线性度。
作为示例，如图2所示，所述第二级源跟随器102包括：NMOS管NM0；其中，所述NMOS管NM0的栅极端连接于所述第一级源跟随器101的输出端，所述NMOS管NM0的漏极端接入电源电压VDD，所述NMOS管NM0的源极端连接于所述反馈单元103，同时作为所述第二级源跟随器102的输出端。本示例中，所述NMOS管NM0构成一源跟随器，其在所述PMOS输入管PM0的驱动下，使其源极端输出跟随栅极端输入变化，从而实现对所述PMOS输入管PM0的输出信号进行驱动增强后输出。同时，所述NMOS管NM0的输出端（即源极端）与其漏极端构成一负反馈环路，当ADC采样时，所述NMOS管NM0的输出端给电容充电，所述NMOS管NM0的源极端电压被拉低，此时所述NMOS管NM0的栅源电压Vgs会迅速增大，从而使流过所述NMOS管NM0的电流增大，以此迅速增强其给电容的输电能力，直至电容完全建立到输入对应的直流点，进而实现通过负反馈环路来保证建立精度和速度。而且，由于源跟随器的输出节点为低阻节点，其带宽很高，本示例仅通过两级级联的源跟随器即可保证驱动大电容时的稳定性，无需额外做任何补偿。可选地，本示例中，所述NMOS管NM0的衬底端与其源极端短接，从而消除所述NMOS管NM0的体效应。
作为示例，如图2所示，所述反馈单元103包括：第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2及第二电流源I1；其中，所述第一PMOS管PM1的栅极端连接于所述第一PMOS管PM1的漏极端及所述第二PMOS管PM2的栅极端，所述第一PMOS管PM1的源极端连接于所述第二级源跟随器102的输出端，所述第一PMOS管PM1的漏极端连接于所述第二电流源I1的一端，所述第二电流源I1的另一端接地，所述第二PMOS管PM2的源极端连接于所述第一级源跟随器101，所述第二PMOS管PM2的漏极端接地。本示例中，所述第一PMOS管PM1、所述第二PMOS管PM2与所述PMOS输入管PM0及所述NMOS管NM0构成一正反馈环路，其中所述第一PMOS管PM1和所述第二PMOS管PM2构成一电流镜；对于该正反馈环路，流经所述第一PMOS管PM1的电流满足如下公式：I1=1/2*Up*Cox*（W/L）*（Vgs-Vth）2，其中，Up为空穴的迁移速率，Cox为单位面积栅氧化层电容，W/L为宽长比，Vgs为栅源电压，Vth为阈值电压；而在所述第一PMOS管PM1制作完成时，其涉及的Up、Cox、W/L及Vth均为定值，故在流经所述第一PMOS管PM1的电流I1恒定时，所述第一PMOS管PM1的栅源电压Vgs也是恒定的，此时若所述第一PMOS管PM1的源极端电压（即输出电压Vout）增大，那么所述第一PMOS管PM1的栅极端电压也随之增大，反之若所述第一PMOS管PM1的源极端电压（即输出电压Vout）减小，那么所述第一PMOS管PM1的栅极端电压也随之减小。同样的，所述第二PMOS管PM2的栅源电压Vgs也是恒定的，此时若所述第二PMOS管PM2的栅极端电压增大，那么所述第二PMOS管PM2的源极端电压（即所述PMOS输入管PM0的漏极端电压）也随之增大，反之若所述第二PMOS管PM2的栅极端电压减小，那么所述第二PMOS管PM2的源极端电压（即所述PMOS输入管PM0的漏极端电压）也随之减小，从而实现通过该正反馈环路来动态调整PMOS输入管PM0的漏端电压，使得所述PMOS输入管PM0的源漏端电压、栅漏端电压都相对稳定，即其直流工作点相对稳定，以此抑制短沟道效应，提高线性度，从而抑制输入摆幅较宽时引入的较大谐波，进而保证宽摆幅下的采样精度。
本实施例还提供了一种模数转换器，所述模数转换器包括：如上所述的驱动放大器，连接于所述输入信号Vin和采样电容之间，以通过对所述输入信号Vin进行驱动增强处理来驱动所述采样电容对需要转换的模拟信号进行准确采样。
作为示例，所述模数转换器包括逐次逼近型模数转换器；当然，所述模数转换器也可以为其它类型模数转换器，本示例对所述模数转换器的类型并不进行限定。
综上所述，本发明的一种驱动放大器及模数转换器，通过两级级联的源跟随器即可保证驱动大电容时的稳定性，同时通过第二级源跟随器形成的负反馈环路来保证建立精度和速度；本发明还通过反馈单元与第一级源跟随器及第二级源跟随器形成的正反馈环路来动态调整PMOS输入管的漏端电压，使其直流工作点在宽摆幅输入下相对稳定以抑制短沟道效应，提高线性度，从而抑制输入摆幅较宽时引入的较大谐波，进而保证宽摆幅下的采样精度；本发明电路架构简单，同时未引入任何电阻反馈，故整体噪声可控，从而保证低噪声。由此可见，本发明所述驱动放大器在驱动大电容时，可实现高稳定性、高建立精度和速度、宽摆幅、高线性度及低噪声。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (7)

1.一种驱动放大器，其特征在于，所述驱动放大器包括：第一级源跟随器、连接于所述第一级源跟随器输出端的第二级源跟随器，及连接于所述第一级源跟随器和所述第二级源跟随器的反馈单元；其中，
所述第一级源跟随器用于对输入信号进行驱动增强以驱动所述第二级源跟随器；
所述第二级源跟随器用于在所述第一级源跟随器的驱动下，对所述第一级源跟随器的输出信号进行驱动增强后输出，所述第二级源跟随器还形成一负反馈环路；
所述反馈单元与所述第一级源跟随器及所述第二级源跟随器形成一正反馈环路，用于根据所述第二级源跟随器的输出动态调整所述第一级源极跟随器中PMOS输入管的漏端电压，以稳定所述PMOS输入管的直流工作点；
所述第二级源跟随器包括NMOS管，所述NMOS管的栅极端连接于所述第一级源跟随器的输出端，所述NMOS管的漏极端接入电源电压，所述NMOS管的源极端连接于所述反馈单元，同时作为所述第二级源跟随器的输出端；其中，所述NMOS管的源极端与其漏极端构成一负反馈环路，当ADC采样时，所述NMOS管的输出端给电容充电，所述NMOS管的源极端电压被拉低，此时所述NMOS管的栅源电压会迅速增大，从而使流过所述NMOS管的电流增大，以此迅速增强其给电容的输电能力，直至电容完全建立到输入对应的直流点。
2.根据权利要求1所述的驱动放大器，其特征在于，所述第一级源跟随器包括：第一电流源及PMOS输入管；其中，所述第一电流源的一端接入电源电压，所述第一电流源的另一端连接于所述PMOS输入管的源极端，同时作为所述第一级源跟随器的输出端，所述PMOS输入管的栅极端接入所述输入信号，所述PMOS输入管的漏极端连接于所述反馈单元。
3.根据权利要求2所述的驱动放大器，其特征在于，所述PMOS输入管的衬底端与其源极端短接。
4.根据权利要求1所述的驱动放大器，其特征在于，所述NMOS管的衬底端与其源极端短接。
5.根据权利要求1所述的驱动放大器，其特征在于，所述反馈单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管及第二电流源；其中，所述第一PMOS管的栅极端连接于所述第一PMOS管的漏极端及所述第二PMOS管的栅极端，所述第一PMOS管的源极端连接于所述第二级源跟随器的输出端，所述第一PMOS管的漏极端连接于所述第二电流源的一端，所述第二电流源的另一端接地，所述第二PMOS管的源极端连接于所述第一级源跟随器，所述第二PMOS管的漏极端接地。
6.一种模数转换器，其特征在于，所述模数转换器包括：如权利要求1-5任一项所述的驱动放大器，连接于所述输入信号和采样电容之间。
7.根据权利要求6所述的模数转换器，其特征在于，所述模数转换器包括逐次逼近型模数转换器。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112019216B (zh) * 2020-10-19 2021-01-19 微龛(广州)半导体有限公司 提高输入驱动放大器建立速度的电路、方法及模数转换器
CN113922763B (zh) * 2021-12-14 2022-02-15 深圳市时代速信科技有限公司 一种二级放大电路与电子设备
CN116155262A (zh) * 2022-12-08 2023-05-23 苏州迅芯微电子有限公司 双源跟随器、缓冲电路以及模数转换器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109935626A (zh) * 2017-12-17 2019-06-25 微龛（北京）半导体科技有限公司 一种绝缘层上硅总剂量效应版图加固技术

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6580326B2 (en) * 2001-05-25 2003-06-17 Infineon Technologies North America Corp. High-bandwidth low-voltage gain cell and voltage follower having an enhanced transconductance
TWI266166B (en) * 2004-12-16 2006-11-11 Realtek Semiconductor Corp Source follower and stabilizing current feedback circuit thereof
EP1764919A1 (en) * 2005-09-19 2007-03-21 Infineon Technologies AG Circuit device for filtering or impedance matching
US7675315B2 (en) * 2006-01-10 2010-03-09 Texas Instruments Incorporated Output stage with low output impedance and operating from a low power supply
US7710200B2 (en) * 2007-08-02 2010-05-04 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Output buffer and power amplifier comprising thereof
CN102386850B (zh) * 2011-08-25 2014-04-23 杭州士兰微电子股份有限公司 一种压控振荡调制电路
US9817426B2 (en) * 2014-11-05 2017-11-14 Nxp B.V. Low quiescent current voltage regulator with high load-current capability
WO2016137928A1 (en) * 2015-02-24 2016-09-01 Omni Design Technologies Inc. Differential switched capacitor circuits having voltage amplifiers, and associated methods
AU2018289357A1 (en) * 2017-06-20 2019-12-19 Butterfly Network, Inc. Single-ended trans-impedance amplifier (TIA) for ultrasound device
US10404265B1 (en) * 2018-08-30 2019-09-03 Xilinx, Inc. Current-mode feedback source follower with enhanced linearity
CN209400937U (zh) * 2018-12-29 2019-09-17 南京芯耐特半导体有限公司 一种带负反馈的源极跟随器以及滤波器结构
CN110798162A (zh) * 2019-11-27 2020-02-14 西安博瑞集信电子科技有限公司 射频超宽带驱动放大器芯片

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109935626A (zh) * 2017-12-17 2019-06-25 微龛（北京）半导体科技有限公司 一种绝缘层上硅总剂量效应版图加固技术

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