CN111244265B - 电流传感器制作方法与电流传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电流传感器制作方法与电流传感器。制作电流传感器的方法包括：提供具有电流导体部分(7)的引线框(1)，电流导体部分(7)包含成形以使待测电流在其内沿彼此倾斜或相反取向的方向流动的两个部分(8，9)；使引线框(1)变形以降低电流导体部分(7)；将隔离器(2)安装于电流导体部分(7)上；将具有至少0.2mm厚度且包含由磁场集中器(16)和四个霍尔传感器(13)组成的两个磁场传感器的半导体芯片(3)安装于隔离器(2)上；通过导线键合(17)连接芯片(3)和传感器端子引线(6)；将芯片(3)和引线框(1)的一些部分封装于塑料外壳(4)内；和将引线框(1)的框架(10)从电流端子引线(5)和引线(6)上切下。

Description

电流传感器制作方法与电流传感器
本发明专利申请是2016年12月23日提交的申请号为201611201950.6，名称为“电流传感器制作方法与电流传感器”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及封装于IC外壳(IC＝集成电路)内的电流传感器的制作方法，以及通过该方法生产的电流传感器，在该电流传感器中引出了穿过外壳的电流导体。
背景技术
电流导体可有许多配置和变型。例如，用于检测由电流生成的磁场的、被封装于常规的IC外壳内的并且其中待测量的电流流过其内的电流导体被引导穿过外壳的电流传感器可从US 7129691、WO 2005026749、WO 2006130393和US2010156394中了解。这样的电流传感器含有被布置为引线框的一部分的电流导体以及安装于引线框上的半导体芯片，该引线框被用于安装和产生电端子，该半导体芯片包含至少一个磁场传感器以及其操作所需的且用于处理其输出信号的电子器件。
目前的电流传感器必须满足许多要求，特别是高灵敏度、对温度变化和应力免疫、在电流导体与电子器件之间典型为2～4kV的高介电强度以及最终的低生产成本。
发明内容
本发明基于开发出可满足上述要求达到极高的程度的电流传感器的目的。
根据本发明，电流传感器以包括下列步骤的方法来制成：
提供配置有电流端子引线/传感器端子引线以及与电流端子引线整体耦接的电流导体部分的引线框，该电流导体部分包含按照可使得待测量的电流沿着相对于彼此倾斜地或相反地取向的方向流动的方式来成形的两个部分，
使引线框变形以使电流导体部分处于相对于传感器端子引线而降低的位置，然后
在电流导体部分上安装隔离器，
提供具有至少0.2mm的厚度的半导体芯片，该半导体芯片包含
四个霍尔传感器，每个霍尔传感器均集成于半导体芯片的有源表面处并提供霍尔输出信号，
布置于半导体芯片的有源表面上的磁场集中器，以及
集成于有源表面处的电子电路，用于操作霍尔传感器并处理霍尔传感器的霍尔输出信号以便提供与流过电流导体部分的电流成正比的电流传感器输出信号，其中上述霍尔传感器当中的两个以及一个或多个磁场集中器形成第一磁场传感器，并且其中上述霍尔传感器当中的另外两个以及一个或多个磁场集中器形成第二磁场传感器，
将半导体芯片安装于隔离器上使得半导体芯片的与有源表面相反的背表面面朝隔离器，然后
通过导线键合来连接半导体芯片和传感器端子引线，然后
将引线框放置于模具的型腔内，然后
用塑性材料对半导体芯片和引线框的关联部分进行模制(mold)以便将半导体芯片和引线框的上述关联部分封装于塑料外壳内，并然后
将引线框的框架从电流端子引线和传感器端子引线上切下。
该方法还可以包括分别在磁场集中器和半导体芯片之上施加应力缓冲器。优选地，引线框具有均匀的厚度。布置于半导体芯片的有源表面上的磁场集中器可以通过电镀来制成。隔离器可以凸出至半导体芯片的边缘之外并且优选地包含陶瓷或玻璃板。
因此，用这种方法制成的电流传感器包含
塑料外壳，
凸出到外壳之外的电流端子引线和传感器端子引线，
待测量的电流可以流过其中的电流导体部分，该电流导体部分与电流端子引线整体耦接并被封装于外壳内，
其中
电流导体部分被形成为具有按照可使得待测量的电流可以在两个部分内沿着相对于彼此倾斜地或相反地取向的方向流动的方式布置的两个部分，并且
电流导体位于相对于传感器端子引线而降低的位置，
隔离器被安装于电流导体上，
半导体芯片被安装于隔离器上，该半导体芯片具有至少0.2mm的厚度并具有
四个霍尔传感器，每个霍尔传感器集成于半导体芯片的有源表面处并提供霍尔输出信号，
布置于半导体芯片的有源表面上的磁场集中器，以及
集成于有源表面处的电子电路，用于操作霍尔传感器并处理霍尔传感器的霍尔输出信号以便提供与流过电流导体部分的电流成正比的电流传感器输出信号，其中上述霍尔传感器当中的两个以及一个或多个磁场集中器形成第一磁场传感器，并且其中上述霍尔传感器当中的另外两个以及一个或多个磁场集中器形成第二磁场传感器，以及
连接半导体芯片和传感器端子引线的导线键合，其中半导体芯片的与有源表面相反的背表面面朝隔离器。
电流传感器还可以包含分别施加于磁场集中器之上以及半导体芯片之上的应力缓冲器。优选地，电流端子引线、传感器端子引线和电流导体部分具有均匀的厚度。布置于半导体芯片的有源表面上的磁场集中器优选为电镀的。隔离器可以凸出至半导体芯片的边缘之外并且可以包含陶瓷或玻璃板。
根据本发明的电流传感器基于严格结合最便宜的且完善的材料与最简单的且完善的半导体处理技术的概念。这种概念的电流传感器使用：
-标准的塑料外壳，例如，SOIC-8或SOIC-16或者其他等效的外壳，这种标准的塑料外壳可允许使用单个的且简单的引线框，这不需要任何蚀刻过程来使引线框局部变薄，该引线框提供电流导体和传感器端子，
-包含一个或多个霍尔效应器件的霍尔传感器，
-放大由流过电流导体的电流产生的磁场并将该磁场集中于霍尔传感器的位置处的磁场集中器，
-双差分传感器测量布局，以便用于消除外部磁场的影响，
-保留半导体芯片的最小厚度为至少0.2毫米，以便获得对于应力的高免疫，
-引线框的简单机械变形，以便易于集成用作在电流导体与半导体芯片之间的隔离的胶带或陶瓷板，以及
-用于将半导体芯片连接至引线框的传感器端子的导线键合技术。
优选地，磁场集中器通过进一步提高磁场集中器相对于霍尔传感的放置精度的电镀来制成。
附图说明
并入本说明书并构成其中的一部分的附图示出了本发明的一种或多种实施例，并且连同“具体实施方式”部分一起，用来解释本发明的原理和实施方式。附图并没有按比例来绘制。在附图中：
图1至5示出了用于制作根据本发明的电流传感器的过程，即
图1示出了引线框的第一实施例的顶视图，
图2示出了在变形步骤之后的引线框的横截面，
图3示出了具有带有磁场集中器的半导体芯片的引线框的顶视图，
图4示出了在将引线框和半导体芯片封装到塑料外壳内之后的电流传感器的横截面，
图5示出了完成后的电流传感器的横截面，
图6和7示出了引线框的其他实施例的顶视图，
图8至11示出了设置于半导体芯片上的各种数量和形状的磁场集中器，以及
图12和13示出了引线框和磁场集中器的另外一些实施例。
具体实施方式
基本上，本发明的电流传感器包含从引线框1、隔离器2、半导体芯片3和标准的塑料外壳4切出的部分。制作根据本发明的电流传感器的方法包括下列步骤1至9以及可选的步骤10。该方法由下面的图1至5示出，X、Y和Z指示笛卡尔(Cartesian)坐标系的坐标轴。
1.提供均匀厚度的引线框1，引线框1配置有电流端子引线5、传感器端子引线6以及与电流端子引线5整体耦接的电流导体部分7，其中电流导体部分7包含按照可使得电流在两个部分8和9内基本上沿着相对于彼此倾斜地、甚至可以相反地取向的方向流动的方式而成形的两个部分8和9。
图1示出了该引线框1的第一实施例的顶视图。像常规一般，电流端子引线5和传感器端子引线6与引线框1的框架10连接。术语“取向相反的方向”也称为“反向平行的方向”。图1还示出了半导体芯片3的位置以及完成后的电流传感器的塑料外壳4的轮廓。
2.使引线框1变形以使电流导体部分7位于相对于传感器端子引线6而降低的位置，并且还优选地位于相对于电流端子引线5而降低的位置。
图2示出了变形后的引线框1的沿着图1的直线I-I的截面图。将会随后安装于引线框1的电流导体部分7上的隔离器2以及将会随后安装于隔离器2上的半导体芯片3为了图示的目的而另外示出。电流导体部分7位于第一平面11，电流导体引线5和传感器端子引线6位于第二平面12。这两个平面11和12相互平行并且隔开预定的高度差H。例如，高度差H可以约等于隔离器2和半导体芯片3的组合厚度。
3.将隔离器2安装于电流导体部分7上。
4.提供半导体芯片3，半导体芯片3具有有源表面14以及与有源表面14相反的背表面15，并且厚度至少为0.2mm，半导体芯片3包含
两个磁场传感器，每个磁场传感器都包含两个霍尔传感器13以及一个或多个磁场集中器16，每个霍尔传感器13都集成于半导体芯片3的有源表面14内并提供霍尔输出信号，并且磁场集中器16被布置于半导体芯片3的有源表面14上，其中磁场集中器16将由流过电流导体部分7的部分8的电流产生的磁场集中于第一磁场传感器的霍尔传感器13.1和13.2上，并将由流过电流导体部分7的部分9的电流产生的磁场集中于第二磁场传感器的霍尔传感器13.3和13.4上，以及
电子电路集成于有源表面14内并被配置用于操作霍尔传感器13并处理霍尔传感器13的霍尔输出信号，以便提供与流过电流导体部分7的电流成正比的电流传感器输出信号。
引用编号13一般地指的是所有霍尔传感器，而引用编号13.1至13.4指示单个的霍尔传感器。引用编号16一般地指的是所有磁场集中器，而引用编号16.1至16.4和16.23指示单个的磁场集中器。术语“有源表面”意指半导体芯片的具有集成于其上的所有电子元件(如，晶体管、二极管、电阻器、霍尔传感器等)的表面，而术语“背表面”意指位于与有源表面相对的、没有电子元件的表面。磁场集中器16与有源表面电隔离。磁场集中器16优选为电镀的磁场集中器。
5.将半导体芯片3安装于隔离器2上，使得半导体芯片3的背表面15面朝隔离器2。
6.通过导线键合17来连接半导体芯片3和传感器端子引线6。
7.可任选地，施加分别覆盖着磁场集中器16和半导体芯片3的应力缓冲器18。
图3示出了引线框1以及在步骤5之后安装于其上的半导体芯片3的顶视图。图4示出了在步骤6之后的引线框1、隔离器2和半导体芯片3的截面图。在这些图中同样示出了外壳4的位置，尽管还没出现。
8.将引线框1放置于模具的型腔内。
9.用塑性材料对半导体芯片3和引线框1的关联部分进行模制，以便将半导体芯片3以及引线框1的上述关联部分封装于塑料外壳内。
10.将引线框1的框架10从电流导体引线5和传感器端子引线6上切下。凸出到外壳4之外的用于将该电流导体连接至相邻的电流导体的任何部分同样被切去。
11.可任选地，使电流导体引线5和传感器端子引线6弯曲。
步骤7可以在进行导线键合17之前或之后执行。步骤8至11是标准的且完善的低成本工艺。塑料外壳可以是各种各样的。典型的标准塑料外壳包括SOIC-8或SOIC-16以及类似的外壳。
本发明利用最简单的并从而是最便宜的引线框技术。具有电流端子引线5、电流导体部分7和传感器端子引线6的引线框1从具有均匀厚度的金属薄板中穿孔而出。没有施加蚀刻步骤来使引线框的某些部分比其他部分变得更薄，而这对于特殊的外壳将是需要的。因此，引线框1具有均匀的厚度。
引线框1的变形是几乎没有成本的简单的机械步骤。引线框1的变形用于结合的四个目的，即它允许使用具有0.2mm或更大的相对较大厚度的半导体芯片3，它允许使用相当厚的隔离器2，它允许导线键合，并且它允许使用标准的塑料外壳，如，SOIC-8或SOIC-16或者类似的外壳。
步骤1和2甚至可以结合成单个步骤，其中引线框1可同时从金属薄板穿孔而出并变形。
图1和6示出了可让传感器模制为SOIC-8外壳的引线框1的不同布局。在图1所示的实施例中，三个狭缝被用来限定电流导体部分7的部分8和9并主要对它们划界。在图6所示的实施例中，一个狭缝和两个切口被用来限定电流导体部分7的部分8和9并主要对它们划界。待测量的电流在左侧的两个电流端子引线5处进入，流过电流导体部分7并且在右侧的两个电流端子引线5处离开，或者反之亦然。箭头示出了流过电流导体的电流的局部方向。为了图示的目的，在图1中，箭头在部分8和9内被画成较粗的。如图所示，这两个部分8和9被设计使得电流在这两个部分8和9内基本上沿着相对于彼此倾斜地或者甚至是相反地取向的方向流动。图7示出了可让传感器模制为可满足同样要求的SOIC-16外壳的引线框1的布局。部分8和9可以具有相对较大的宽度，这可降低欧姆电阻。因为磁场集中器16在围绕着部分8和9的一定空间内收集由流过部分8和9的电流产生的“磁场线”，所以它们进而补偿由部分8和9相对较大的宽度导致的磁场的强度的损失。
隔离器2提供具有典型为2～4kV的最小介电强度的电绝缘。隔离器2可以包含一个、两个或更多个绝缘层，以达到单重绝缘、双重绝缘或增强型绝缘的要求，如同例如在UL60950-1标准中所定义的。隔离器2可以包含聚酰亚胺膜、PTFE(聚四氟乙烯)、玻璃或陶瓷板，或者任意其他合适的隔离材料以及还有它们的组合。合适的陶瓷材料是Al2O3。隔离器2还可以是单层非导电粘合剂或者包含非导电粘合剂层。聚酰亚胺层或者聚酰亚胺膜或箔片通常足以满足1～3kV的介电强度。但是，为了随着使用寿命的流失而获得较高的介电强度，将陶瓷或玻璃板用作隔离器2可防止可能会特别发生于外壳4的塑性材料的气泡内的局部放电(即，电晕放电)。隔离器2的横向尺寸优选地大于半导体芯片3的横向尺寸，使得隔离器2凸出到半导体芯片3的边缘之外，例如，凸出0.4mm。隔离器2还可以包含陶瓷或玻璃板以及用于隔开陶瓷或玻璃板和半导体芯片3的应力缓冲器。应力缓冲器可以是聚酰亚胺层等。
半导体芯片3的最小厚度为0.2毫米是相当重要的，因为它是使电流传感器对于机械应力变为免疫或者至少是相当不敏感的先决条件。而且，它由于晶圆的研磨度(degreeof grinding)与更薄的芯片相比更小而具有节约成本的优点，并且还具有安装过程更简单的优点，因为与薄芯片相比，从晶圆胶带上拾起半导体芯片的步骤更容易。如果在塑料外壳4内存在足够的空间，则半导体芯片3优选地比0.2mm更厚，即作为晶圆的标准厚度的0.38mm或者甚至是0.48mm。
磁场集中器16放大由流过部分8的电流和由流过部分9的电流所产生的磁场并将该磁场集中于霍尔传感器13的位置，并且从而提高电流传感器的总体灵敏度。与应用铁磁箔片相比，使用电镀技术来制作磁场集中器16可使该制作变得更加容易，并且可在更好地控制集中器16的长度、宽度、厚度和表面粗糙度的情况下提供相对于霍尔传感器13的更精确对准。
每个霍尔传感器可以是一组霍尔元件(也称为霍尔效应器件)。霍尔元件对于垂直穿过半导体芯片3的有源表面14的磁场分量是敏感的。
导线键合技术是连接半导体芯片与端子引线的标准的并且广泛使用的技术。而且，它是简单的且坚稳(robust)的技术，但是在集成电流传感器领域中，它通常只是次选项(在倒装芯片技术之后)，因为它具有在霍尔传感器13位于与半导体芯片3的背表面15相比离电流导体部分7更远的半导体芯片3的表面14时会降低灵敏度的缺点。为了补偿磁场的强度损失，需要磁场集中器16。但是，使用磁场集中器16不仅涉及更高的成本，而且还需要电流导体部分7必须被成形为具有两个部分8和9以便还利用差分测量的概念。差分测量概念在于使用四个霍尔传感器13，这可允许完全消除同类干扰磁场对电流传感器的输出信号的影响。当前本发明的双差分传感器测量布局使用两个磁场传感器，其中每个磁场传感器具有两个差分耦接的霍尔传感器13，使得每个磁场传感器仅对磁场的X分量敏感，并且这两个磁场传感器被差分耦接以使电流传感器对于外部磁场变得不敏感。
除了使用可产生最低的可能成本的IC处理技术之外，本发明将电流导体部分7的形状与磁场集中器16的功能进行结合，以便在电流传感器的高灵敏度与低欧姆电阻之间达到最佳平衡，从而使由流过电流传感器的电流产生的热量最小化。这在下面的部分中将会进行更详细的概括。
半导体芯片3含有四个霍尔传感器13.1至13.4以及四个磁场集中器16.1至16.4、三个磁场集中器16.1、16.23和16.4或两个磁场集中器16.12和16.34。对于图1所示的引线框布局，这样的实施例被示于图3和8中，对于图6所示的引线框布局则示于图9和10中，对于图7所示的引线框布局则示于图11中，并且对于另外的引线框布局则示于图12和13中。在图12和13所示的引线框布局中，电流在电流导体部分7的两个部分8和9内基本上按照相反的方向流动。
磁场集中器16.1和16.2以及磁场集中器16.3和16.4，并且还有磁场集中器16.1和16.23以及磁场集中器16.23和16.4，都间隔开一定距离。在实践中，该距离典型为数十微米的量级，例如，大约40微米，但是也可以更小或更大。但是，在附图中，为了图示的目的，该距离被图示为比实际大得多。
霍尔传感器13.1和13.2位于第一连接线上，霍尔传感器13.3和13.4位于第二连接线上。第一和第二连接线要么重合，要么相互平行地铺设。这些连接线的方向在此为X方向。在具有四个磁场集中器的实施例中，磁场集中器16.1和16.2被安置于电流导体部分7的部分8之上，以便将由流过部分8的电流产生的磁场集中于两个霍尔传感器13.1和13.2的位置处。磁场集中器16.3和16.4被安置于电流导体部分7的部分9之上，以便将由流过部分9的电流产生的磁场集中于霍尔传感器13.3和13.4的位置处。在属于同一磁场传感器的两个霍尔传感器13的位置处，磁场指向相反的方向。磁场集中器16.1和16.2以及霍尔传感器13.1和13.2形成第一磁场传感器，并且磁场集中器16.3和16.4以及霍尔传感器13.3和13.4形成第二磁场传感器。虽然霍尔传感器13可单独测量垂直穿过半导体芯片3的有源表面14的磁场分量，但是两个霍尔传感器13和磁场集中器16的结合可测量平行于半导体芯片3的有源表面14的磁场分量(此处，该分量为X分量)。这是因为磁场在磁场集中器16的边缘附近旋转90°，参见例如US 5942895，并且因为连接属于同一磁场传感器的霍尔传感器13的连接线沿着X方向延伸。
中间的两个磁场集中器16.2和16.3可以结合成单个磁场集中器16.23，从而产生具有三个磁场集中器的实施例。在这种实施例中，磁场集中器16.1和16.23以及霍尔传感器13.1和13.2形成第一磁场传感器，并且磁场集中器16.23和16.4以及霍尔传感器13.3和13.4形成第二磁场传感器。
在所有的实施例中，电子电路被配置用于操作并处理霍尔传感器13.1和13.2的霍尔输出信号，以便产生第一共用输出信号，并且用于操作并处理霍尔传感器13.3和13.4的霍尔输出信号以便产生第二共用输出信号。第一共用输出信号对于指向X方向的磁场分量是敏感的，而对于指向Y和Z方向的磁场分量是不敏感的。第二共用输出信号对于指向X方向的磁场分量是敏感的，而对于指向Y和Z方向的磁场分量是不敏感的。在假定霍尔传感器13具有相同的灵敏度并且磁场集中器16位于它们的理想位置的情况下，两个共用输出信号是强度相等的。但是它们的符号是相反的。电子电路还被配置用于构造在第一及第二共用输出信号之间的差异，以输送电流传感器信号。电流传感器信号与流过电流导体部分7的电流成正比，并且对于由可以存在于电流传感器的环境中的某个位置的任意磁场源产生的干扰磁场都不敏感，这能够根据下面的解释来理解。
流过电流导体部分7的第一部分8的电流能够被描述为第一电流密度分布，在部分8内的每个点处的第一电流密度分布都可以被描述具有特定强度的且指向特定方向的矢量。流过电流导体部分7的第二部分9的电流可以被描述为第二电流密度分布，在部分9内的每个点处的第二电流密度分布都能够被描述为具有特定强度且指向特定方向的矢量。第一电流密度分布的矢量具有指向X方向的X分量以及指向正的Y方向的Y分量，然而第二电流密度分布的矢量具有指向X方向的X分量以及指向负的Y方向的Y分量(或者反之亦然)。
第一电流密度分布的Y分量产生分别由磁场集中器16.1和16.2或16.1和16.23收集的指向X方向并被集中于霍尔传感器13.1和13.2的位置处的磁场。第二电流密度分布的Y分量产生分别由磁场集中器16.3和16.4或16.23和16.4收集的指向负的X方向并且被集中于霍尔传感器13.3和13.4的位置处的磁场。
对于电流导体部分7、磁场集中器16和霍尔传感器13的给定设计，只有流过电流导体部分7的电流的Y分量对电流传感器信号有贡献。由于在两个部分8和9内的电流密度分布的Y分量在第一磁场传感器的位置处产生指向正的X方向的磁场以及在第二磁场传感器的位置处产生指向负的X方向的磁场，而干扰磁场总是指向相同的方向，因而任意干扰磁场(的同类部分)的影响完全被消除。
可任选地施加于磁场集中器16之上以及于半导体芯片3之上的应力缓冲器18由相对较软的材料制成，例如，聚酰亚胺层等。这有助于降低由塑料外壳4施加于半导体芯片3上的机械应力。
根据本发明的电流传感器可满足许多要求，特别是高灵敏度，电流导体的低欧姆电阻，对外部磁场的免疫，对机械应力引起的温度的免疫，在电流导体与电子器件之间典型为2～4kV的高介电强度以及最低的可能生产成本。由于环境的温度变化，引线(尤其是长引线)会经受到外部扩张和移动。当使用倒装芯片布局时，这会产生作用于在芯片与引线之间的焊接点的应力，并且甚至可能会使焊接点断开。所使用的导线键合技术可保护电流传感器免受这样的损坏。

Claims (20)

1.一种电流传感器，包括：
塑料外壳；
凸出到所述外壳之外的电流端子引线和传感器端子引线；
待测量的电流能够流过其中的电流导体部分，所述电流导体部分与所述电流端子引线整体耦接并被封装于所述外壳内，其中，所述电流导体部分被形成为具有两个部分，所述两个部分按照使得待测量的电流能够在所述两个部分内沿着相对于彼此倾斜地或相反地取向的方向流动的方式来布置；
安装于所述电流导体部分上的隔离器；
安装于所述隔离器上的半导体芯片，所述半导体芯片包含：位于单条线上的四个霍尔传感器，每个霍尔传感器均集成于所述半导体芯片的有源表面处并提供霍尔输出信号，其中第一霍尔传感器与第二霍尔传感器差分耦合，并且第三霍尔传感器和第四霍尔传感器差分耦合；
布置于所述半导体芯片的所述有源表面上的磁场集中器，所述四个霍尔传感器中的每一个定位成靠近磁场集中器的边缘；以及
电子电路，被集成于所述有源表面处以操作所述霍尔传感器并处理所述霍尔传感器的所述霍尔输出信号以便提供与流过所述电流导体部分的所述电流成正比的电流传感器输出信号，所述电子电路用于基于所述第一霍尔传感器的霍尔输出信号和所述第二霍尔传感器的霍尔输出信号的组合来产生第一共用输出信号，基于所述第三霍尔传感器的霍尔输出信号和所述第四霍尔传感器的霍尔输出信号的组合来产生第二共用信号，并且输送基于所述第一共用输出信号和所述第二共用输出信号之间的差异的所述电流传感器信号；以及
连接所述半导体芯片和所述传感器端子引线的导线键合，其中所述半导体芯片的与所述有源表面相反的背表面面朝所述隔离器。
2.如权利要求1所述的电流传感器，还包括分别施加于所述磁场集中器之上和所述半导体芯片之上的应力缓冲器。
3.如权利要求1所述的电流传感器，其中所述电流传感器包括2个或3个或4个磁场集中器。
4.如权利要求1或2所述的电流传感器，其中，所述第一霍尔传感器和所述第二霍尔传感器与所述磁场集中器中的一个或多个一起形成第一磁场传感器，并且其中所述第三霍尔传感器和所述第四霍尔传感器与所述磁场集中器中的一个或多个一起形成第二磁场传感器。
5.如权利要求1或2所述的电流传感器，其中，所述电流端子引线、所述传感器端子引线和所述电流导体部分具有均匀的厚度。
6.如权利要求1或2所述的电流传感器，其中，布置于所述半导体芯片的所述有源表面上的所述磁场集中器是电镀的。
7.如权利要求1或2所述的电流传感器，其中，所述半导体芯片具有至少为0.2毫米的厚度。
8.如权利要求7所述的电流传感器，其中，所述半导体芯片具有0.38毫米或0.48毫米的厚度。
9.如权利要求1或2所述的电流传感器，其中，所述隔离器凸出到所述半导体芯片的边缘之外。
10.如权利要求1或2所述的电流传感器，其中，所述隔离器凸出到所述半导体芯片的边缘之外并且包括陶瓷或玻璃板。
11.一种用于制作电流传感器的方法，所述方法包括下列步骤：
提供配置有电流端子引线、传感器端子引线以及与所述电流端子引线整体耦接的电流导体部分的引线框，所述电流导体部分包含两个部分，所述两个部分按照使得待测量的电流沿着在所述两个部分内沿着相对于彼此倾斜地或相反地取向的方向流动的方式成形；
将隔离器安装于所述电流导体部分上；
提供半导体芯片，所述半导体芯片包含：位于单条线上的四个霍尔传感器，每个霍尔传感器均集成于半导体芯片的有源表面处并提供霍尔输出信号，其中第一霍尔传感器与第二霍尔传感器差分耦合，并且第三霍尔传感器和第四霍尔传感器差分耦合；布置于半导体芯片的有源表面上的磁场集中器，所述四个霍尔传感器中的每一个定位成靠近磁场集中器的边缘；以及集成于有源表面处的电子电路，用于操作霍尔传感器并处理霍尔传感器的霍尔输出信号以便提供与流过电流导体部分的电流成正比的电流传感器输出信号，所述电子电路用于基于所述第一霍尔传感器的霍尔输出信号和所述第二霍尔传感器的霍尔输出信号的组合来产生第一共用输出信号，基于所述第三霍尔传感器的霍尔输出信号和所述第四霍尔传感器的霍尔输出信号的组合来产生第二共用信号，并且输送基于所述第一共用输出信号和所述第二共用输出信号之间的差异的所述电流传感器信号；
将所述半导体芯片安装于所述隔离器上使得所述半导体芯片的与有源表面相反的背表面面朝隔离器；
通过导线键合来连接所述半导体芯片和所述传感器端子引线；
将所述引线框放置于模具的型腔内；
用塑性材料对所述半导体芯片和所述引线框的关联部分进行模制以便将所述半导体芯片和所述引线框的所述关联部分封装于塑料外壳内；以及
将所述引线框的框架从所述电流端子引线和所述传感器端子引线上切下。
12.如权利要求11所述的方法，还包括：分别在所述磁场集中器之上和所述半导体芯片之上施加应力缓冲器。
13.如权利要求11所述的方法，其中所述电流传感器包括2个或3个或4个磁场集中器。
14.如权利要求11或12所述的方法，其中，所述第一霍尔传感器和所述第二霍尔传感器与所述磁场集中器中的一个或多个一起形成第一磁场传感器，并且其中所述第三霍尔传感器和所述第四霍尔传感器与所述磁场集中器中的一个或多个一起形成第二磁场传感器。
15.如权利要求11或12所述的方法，所述引线框具有均匀的厚度。
16.如权利要求11或12所述的方法，布置于所述半导体芯片的所述有源表面上的磁场集中器通过电镀来制成。
17.如权利要求11或12所述的方法，其中，所述半导体芯片具有至少为0.2毫米的厚度。
18.如权利要求17所述的方法，其中，所述半导体芯片具有0.38毫米或0.48毫米的厚度。
19.如权利要求11或12所述的方法，所述隔离器凸出到所述半导体芯片的边缘之外。
20.如权利要求11或12所述的方法，所述隔离器凸出到所述半导体芯片的边缘之外并且包括陶瓷或玻璃板。
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