CN111223972A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111223972A
CN111223972A CN201911126719.9A CN201911126719A CN111223972A CN 111223972 A CN111223972 A CN 111223972A CN 201911126719 A CN201911126719 A CN 201911126719A CN 111223972 A CN111223972 A CN 111223972A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
light emitting
disposed
sub
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201911126719.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111223972B (zh
Inventor
金铉厓
金永大
金次东
张宗燮
许义康
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN111223972A publication Critical patent/CN111223972A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111223972B publication Critical patent/CN111223972B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底；第一电极，设置在基底上；第二电极，设置在基底上，并与第一电极分隔开；多个第一子绝缘层，沿第一方向延伸，设置在基底上以及第一电极和第二电极上，并沿着与第一方向交叉的第二方向布置；以及多个发光元件，设置在第一子绝缘层之间，并电连接到第一电极和第二电极。

Description

显示装置
本专利申请要求于2018年11月22日提交的第10-2018-0145377号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
这里的本公开涉及一种显示装置和用于制造该显示装置的方法，更具体地，涉及一种能够改善发光元件的对准度和接触面积的显示装置和用于制造该显示装置的方法。
背景技术
通常，显示装置包括用于显示图像的像素。各种类型的像素(诸如包括液晶层的像素、包括电润湿层的像素、包括电泳层的像素和包括发光元件的像素)被用于显示图像。在这些类型之中，发光元件是自发光元件，并不需要单独的光源。
最近，已经开发了超小型LED元件作为发光元件。超小型元件以纳米或微米的单位来制造，并且具有柱状或圆柱状的形状。这些超小型LED元件水平地布置，并且电连接到具有彼此相反的极性的第一电极和第二电极。将具有彼此相反的极性的电压施加到第一电极和第二电极，使得多个超小型LED元件通过第一电极和第二电极中形成的电场朝向第一电极和第二电极布置。
为了改善第一电极和第二电极与超小型元件之间的接触面积，接触电极布置在第一电极和第二电极上以覆盖超小型LED元件。然而，接触电极可能不会正常地接触具有圆柱状形状的超小型LED元件的下部。
发明内容
本公开提供了一种能够改善发光元件的对准度和接触面积的显示装置和用于制造该显示装置的方法。
发明构思的实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底；第一电极，设置在基底上；第二电极，设置在基底上，并与第一电极分隔开；多个第一子绝缘层，沿第一方向延伸，设置在基底上以及第一电极和第二电极上，并沿着与第一方向交叉的第二方向布置；以及多个发光元件，设置在第一子绝缘层之间，并电连接到第一电极和第二电极。
在显示装置中，相对于与由第一方向和第二方向限定的平面垂直的第三方向，发光元件中的每个发光元件可具有第一厚度，并且第一子绝缘层中的每个第一子绝缘层可具有比第一厚度小的第二厚度。
在显示装置中，第二厚度可具有第一厚度的0.3倍至0.5倍的值。
在显示装置中，相对于第二方向，发光元件可具有第一宽度，并且第h第一子绝缘层与第h发光元件之间的第一间隙和第(h+1)第一子绝缘层与第h发光元件之间的第二间隙可比第一宽度小(h是自然数)。
在显示装置中，第一间隙和第二间隙中的每个可具有第一宽度的0.15倍至0.25倍的值。
在显示装置中，第一电极和第二电极可沿第二方向延伸，发光元件可沿第一方向延伸，并且发光元件中的每个发光元件的两侧可分别设置在第一电极和第二电极上。
在显示装置中，第一子绝缘层可在第二方向上以规则的间隔布置。
显示装置还可以包括：第一接触电极，沿第二方向延伸，设置在第一电极上和第一子绝缘层的与第一电极叠置的部分上，并被构造为覆盖发光元件的一侧；以及第二接触电极，沿第二方向延伸，设置在第二电极上和第一子绝缘层的与第二电极叠置的部分上，并被构造为覆盖发光元件的另一侧。
在显示装置中，第一子绝缘层可包括无机材料。
显示装置还可以包括：第一分隔壁层，设置在基底与第一电极之间；以及第二分隔壁层，设置在基底与第二电极之间，其中，发光元件可设置在第一分隔壁层与第二分隔壁层之间。
显示装置还可以包括设置在发光元件与第一子绝缘层之间的多个第二子绝缘层，其中，相对于与由第一方向和第二方向限定的平面交叉的第三方向，第二子绝缘层中的每个第二子绝缘层的厚度可比第一子绝缘层中的每个第一子绝缘层的厚度小。
在显示装置中，第二子绝缘层可包括有机材料。
附图说明
包括附图以提供对发明构思的进一步理解，并且附图被包括在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了发明构思的示例性实施例，并且与描述一起用于解释发明构思的原理。在附图中：
图1是根据发明构思的实施例的显示装置的透视图；
图2是图1中示出的显示装置的平面图；
图3是图2中示出的一个像素的等效电路图；
图4是连接到图3中示出的发光元件的第一电极和第二电极的平面图；
图5是图4中示出的一个发光元件的透视图；
图6是沿图4中示出的线I-I'截取的剖视图；
图7是沿图4中示出的线II-II'截取的剖视图；
图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15和图16是用于描述根据发明构思的实施例的用于制造显示装置的方法的图；以及
图17是用于示出根据发明构思的另一实施例的显示装置的构造的图。
具体实施方式
在该说明书中，将意图的是，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接在所述另一元件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件，或者第三元件可以置于该元件与所述另一元件之间。
同样的附图标记指同样的元件。此外，在附图中，为了说明的清楚，夸大了层和区域的尺寸。
术语“和/或”包括可以由相关所列项定义的一个或更多个组合中的任何一个。
将理解的是，虽然在这里使用第一和第二的术语来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语限制。以上术语仅用于区分一个组件与其它组件。例如，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，第二元件也可以被称为第一元件。除非明确地指示为相反，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
另外，在这里可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“在……上”、“在……上方”等的术语来描述附图中示出的元件之间的关系。以上术语是相对的概念，并且相对于附图中指示的方向来描述。
除非另有定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想的或过于形式化的含义进行解释，除非在这里明确地如此定义。
应该理解的是，在说明书中，“包括(包含)”或“具有”的含义指明存在性质、数字、步骤、操作、元件或它们的组合，但是不排除存在其它的性质、数字、步骤、操作、元件或它们的组合。
在下文中，将参照附图详细地描述发明构思的示例性实施例。
图1是根据发明构思的实施例的显示装置的透视图。
参照图1，显示装置DD可以通过显示区域DA显示图像。显示区域DA可以具有由第一方向DR1和与第一方向DR1交叉的第二方向DR2限定的平面。然而，本发明构思不限于此，显示装置DD的显示区域DA可以具有弯曲的表面。
在下文中，与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面基本垂直地交叉的方向被定义为第三方向DR3。第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3是相对的概念，并且可以转换为其它的方向。
图1示例性地示出了显示装置DD是电视机。然而，本发明构思不限于此，显示装置DD可以用于诸如电视机、监视器或外部广告板的大型电子设备，也可以用于诸如个人计算机、膝上计算机、个人数字终端、车辆导航单元、游戏机、智能电话、平板电脑和照相机的中小型电子设备。然而，仅提供这些作为示例，当然，显示装置DD也可以用于其它的电子设备。
图2是图1中示出的显示装置DD的平面图。
参照图2，根据发明构思的实施例的显示装置DD可以包括显示面板DP、扫描驱动器SDV和数据驱动器DDV。扫描驱动器SDV和数据驱动器DDV可以设置在显示面板DP上。
显示面板DP可以具有在第一方向DR1上具有短边并且在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上具有长边的矩形的形状。然而，本发明构思不限于此，显示面板DP的形状可以具有诸如圆形或多边形的各种形状。
显示面板DP可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域NDA。显示区域DA可以是显示图像的区域，非显示区域NDA可以是不显示任何图像的区域。
显示面板DP可以包括多个像素PX、多条扫描线SL1至SLm和多条数据线DL1至DLn，其中m和n是自然数。像素PX可以示例性地布置成矩阵形状，但是像素PX的布置形状不限于此。
像素PX可以设置在显示区域DA中，并且连接到扫描线SL1至SLm和数据线DL1至DLn。像素PX中的每个可以包括用于显示图像的发光元件。
扫描驱动器SDV和数据驱动器DDV可以设置在非显示区域NDA中。扫描驱动器SDV可以与显示面板DP的长边之中的任何一个长边相邻地设置在非显示区域NDA中。数据驱动器DDV可以与显示面板DP的短边之中的任何一个短边相邻地设置在非显示区域NDA中。
扫描线SL1至SLm可以沿第一方向DR1延伸，并且连接到扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn可以沿第二方向DR2延伸，并且连接到数据驱动器DDV。
扫描驱动器SDV可以产生多个扫描信号，并且扫描信号可以通过扫描线SL1至SLm施加到像素PX。扫描信号可以顺序地施加到像素PX。数据驱动器DDV可以产生多个数据电压，并且数据电压可以通过数据线DL1至DLn施加到像素PX。
虽然未示出，但是显示装置DD可以包括用于控制扫描驱动器SDV和数据驱动器DDV的操作的时序控制器。时序控制器可以响应于从外部接收的控制信号并产生扫描控制信号和数据控制信号。时序控制器可以从外部接收图像信号，转换图像信号的数据格式以符合与数据驱动器DDV的接口规范，并将图像信号提供给数据驱动器DDV。
扫描驱动器SDV可以响应于扫描控制信号并产生扫描信号。数据驱动器DDV可以接收具有转换的数据格式的图像信号并响应于数据控制信号以产生与图像信号对应的数据电压。
像素PX可以响应于扫描信号并接收数据电压。像素PX可以发射具有与数据电压对应的亮度的光，从而显示图像。
图3是图2中示出的一个像素PX的等效电路图。
图3示出了图2中示出的像素PX之中的一个像素PX的等效电路图，但是图2中示出的其它像素PX可以具有与图3中示出的像素PX的等效电路图相同的等效电路图。图3示例性地示出了连接到扫描线SLi和数据线DLj的像素PX，其中i和j是自然数。
参照图3，像素PX可以包括发光元件ED、驱动元件DT、电容元件C和开关元件ST。发光元件ED可以设置为多个。多个发光元件ED将在下面的图4中示出。
驱动元件DT和开关元件ST可以是P型晶体管。然而，本发明构思不限于此，驱动元件DT和开关元件ST可以是N型晶体管。电容元件C可以是电容器并且包括彼此面对的第一电容器电极(未示出)和第二电容器电极(未示出)。
驱动元件DT可以包括：输入端子，连接到电容元件C的第一电容器电极和第一电源线PL1；输出端子，连接到发光元件ED；以及控制端子，连接到开关元件ST的输出端子。驱动元件DT可以通过第一电源线PL1接收第一电源电压ELVDD。电容元件C的第二电容器电极可以连接到驱动元件DT的控制端子。
开关元件ST可以包括：输入端子，连接到数据线DLj；输出端子，连接到驱动元件DT的控制端子；以及控制端子，连接到扫描线SLi。
发光元件ED可以连接到驱动元件DT和第二电源线PL2。例如，发光元件ED可以连接到与驱动元件DT连接的第一电极E1，并且连接到与第二电源线PL2连接的第二电极E2。发光元件ED可以通过第二电源线PL2接收第二电源电压ELVSS。第二电源电压ELVSS可以具有比第一电源电压ELVDD的电压电平低的电压电平。
扫描信号可以通过扫描线SLi被施加到开关元件ST的控制端子，并且开关元件ST可以响应于扫描信号而导通。导通的开关元件ST可以向第一节点N1提供通过数据线DLj接收的数据电压。
电容元件C可以充有与供应到第一节点N1的数据电压与第一电源电压ELVDD之间的差对应的电荷量，并且即使在开关元件ST截止之后也可以维持该电荷量。
驱动元件DT可以根据充到电容元件C的电荷量而导通。根据充到电容元件C的电荷量，可以确定驱动元件DT的导通时间。电流通过导通的驱动元件DT而被供应到发光元件ED，因此，发光元件ED可以发光。发光元件ED发光，从而可以产生图像。
发光元件ED可以是超小型LED元件。超小型LED元件可以是具有几纳米至几百微米的长度的LED元件。说明了超小型LED元件的长度仅作为示例，并且超小型LED元件的长度不限于以上数值范围。
图4是连接到图3中示出的发光元件的第一电极和第二电极的平面图。
参照图4，第一电极E1可以包括：第一延伸部E1_1，沿第一方向DR1延伸；以及多个第一分支部E1_2，从第一延伸部E1_1沿第二方向DR2分支。示例性地示出了两个第一分支部E1_2，但是第一分支部E1_2的数量不限于此。
第二电极E2可以包括：第二延伸部E2_1，沿第一方向DR1延伸；以及第二分支部E2_2，从第二延伸部E2_1沿第二方向DR2分支。示例性地示出了两个第二分支部E2_2，但是第二分支部E2_2的数量不限于此。第一分支部E1_2和第二分支部E2_2可以在第一方向DR1上以1:1的方式交替地布置。
像素PX可以包括：多个第一接触电极CTE1，设置在第一电极E1的第一分支部E1_2上；以及多个第二接触电极CTE2，设置在第二电极E2的第二分支部E2_2上。
相对于第一方向DR1，第一接触电极CTE1中的每个的宽度可以比第一分支部E1_2中的每个的宽度大。第一接触电极CTE1可以覆盖第一分支部E1_2的端部。相对于第一方向DR1，第二接触电极CTE2中的每个的宽度可以比第二分支部E2_2中的每个的宽度大。第二接触电极CTE2可以覆盖第二分支部E2_2的端部。
在第一电极E1和第二电极E2上，可以设置沿第一方向DR1延伸并且沿第二方向DR2布置的多个第一子绝缘层SIL1。第一子绝缘层SIL1可以设置在第一分支部E1_2和第二分支部E2_2上。第一子绝缘层SIL1可以在第二方向DR2上以规则的间隔布置。
像素PX可以包括多个发光元件ED。发光元件ED可以沿第一方向DR1延伸，并且设置在第一子绝缘层SIL1之间。发光元件ED可以水平地布置，并且发光元件ED的两端可以设置在第一电极E1和第二电极E2上。发光元件ED可以电连接到第一电极E1的第一分支部E1_2和第二电极E2的第二分支部E2_2。
像素PX的平面区域可以包括像素区域PA和像素区域PA周围的非像素区域NPA。发光元件ED可以设置在像素区域PA中。
图5是图4中示出的单个发光元件ED的透视图。
图5示例性地示出了单个发光元件ED，但是其它发光元件ED可以具有与图5中示出的发光元件ED的构造相同的构造。
参照图5，发光元件ED可以具有沿第一方向DR1延伸的圆柱状形状。然而，本发明构思不限于此，发光元件ED还可以具有多棱柱状形状。发光元件ED可以包括n型半导体层NS、p型半导体层PS以及设置在n型半导体层NS与p型半导体层PS之间的活性层(active layer)AL。
n型半导体层NS可以形成为使得n型掺杂剂掺杂到半导体层上。p型半导体层PS可以形成为使得p型掺杂剂掺杂到半导体层上。半导体层可以包括半导体材料。例如，半导体层可以包括但不限于GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN或AlInN。
n型掺杂剂可以是但不限于硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)、硒(Se)、碲(Te)或它们的组合。p型掺杂剂可以是但不限于镁(Mg)、锌(Zn)、锶(Sr)、钡(Ba)或它们的组合。
活性层AL可以以单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构和量子点结构之中的至少任何一种来形成。活性层AL可以是其中通过n型半导体层NS注入的电子和通过p型半导体层PS注入的空穴复合的区域。活性层AL可以被限定为这样的层，其发射具有由材料中固有的能带确定的能量的光。活性层AL的位置可以根据二极管的类型进行各种变化。
n型半导体层NS可以连接到第一电极E1和第二电极E2中的任何一个。p型半导体层PS可以连接到第一电极E1和第二电极E2中的另一个。
发光元件ED的长度LT可以是几纳米至几百微米。例如，发光元件ED的长度LT可以是大约1微米至大约100微米。
图6是沿图4中示出的线I-I'截取的剖视图。
参照图6，像素PX可以包括驱动元件DT、开关元件ST、第一电极E1、第二电极E2和发光元件ED。驱动元件DT、开关元件ST、第一电极E1、第二电极E2和发光元件ED可以设置在第一基体基底BS1上。
第二基体基底BS2可以面对第一基体基底BS1。驱动元件DT、开关元件ST、第一电极E1、第二电极E2和发光元件ED可以设置在第一基体基底BS1与第二基体基底BS2之间。第一基体基底BS1和第二基体基底BS2可以各自是包括硅基底、塑料基底、玻璃基底、绝缘膜或多个绝缘层的层叠结构。
因为驱动元件DT的构造和开关元件ST的构造是相同的，所以在下文中将主要描述驱动元件DT的构造，将简单地描述或省略开关元件ST的构造。
缓冲层BFL可以设置在第一基体基底BS1上。缓冲层BFL可以包括无机材料。驱动元件DT和开关元件ST可以设置在缓冲层BFL上。
驱动元件DT可以包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1和第一半导体层SM1。开关元件ST可以包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2、第二漏电极DE2和第二半导体层SM2。
第二栅电极GE2、第二源电极SE2、第二漏电极DE2和第二半导体层SM2可以具有与第一栅电极GE1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1和第一半导体层SM1的结构相同的结构，并且可以与第一栅电极GE1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1和第一半导体层SM1设置在同一层上。
第一半导体层SM1可以设置在缓冲层BFL上。第一半导体层SM1可以包括由诸如非晶硅或多晶硅的无机材料形成的半导体或者有机半导体。另外，第一半导体层SM1可以包括氧化物半导体。虽然在图6中未示出，但是第一半导体层SM1可以包括源区、漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区。
缓冲层BFL可以向第一半导体层SM1提供改性的表面。在这种情况下，与第一半导体层SM1直接设置在第一基体基底BS1上的情况相比，第一半导体层SM1可以对缓冲层BFL具有较高的粘附性。缓冲层BFL可以是保护第一半导体层SM1的下表面的阻挡层。在这种情况下，缓冲层BFL可以防止第一基体基底BS1本身中或通过第一基体基底BS1引入的污染物或湿气渗入第一半导体层SM1。
第一绝缘层INS1可以设置在缓冲层BFL上，以覆盖第一半导体层SM1。第一绝缘层INS1可以包括无机材料。例如，第一绝缘层INS1可以包含但不限于包含氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝。
与第一半导体层SM1叠置的第一栅电极GE1可以设置在第一绝缘层INS1上。第一栅电极GE1可以设置成与第一半导体层SM1的沟道区叠置。第二绝缘层INS2可以设置在第一绝缘层INS1上，以覆盖第一栅电极GE1。第二绝缘层INS2可以包括有机材料或无机材料。
电容元件C(图3中示出)可以包括第一电容器电极(未示出)和第二电容器电极CPa。第一电容器电极可以从第二栅电极GE2分支，第二电容器电极CPa可以设置在第二绝缘层INS2上。
第三绝缘层INS3可以设置在第二绝缘层INS2上，以覆盖第二电容器电极CPa。第三绝缘层INS3可以被限定为层间绝缘层。第三绝缘层INS3可以包含有机和/或无机材料。
第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以设置在第三绝缘层INS3上，以彼此分隔开。第一源电极SE1可以通过被限定为穿过第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的第一接触孔CH1连接到第一半导体层SM1的源区。第一漏电极DE1可以通过被限定为穿过第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3的第二接触孔CH2连接到第一半导体层SM1的漏区。
第四绝缘层INS4可以设置在第三绝缘层INS3上，以覆盖第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第四绝缘层INS4可以被限定为提供平坦的上表面的平坦化膜，并且可以包含有机材料。
其中设置有第一基体基底BS1、缓冲层BFL以及第一绝缘层至第四绝缘层INS1、INS2、INS3、INS4的层可以被限定为第一基底SUB1。第一分隔壁层BR1和第二分隔壁层BR2可以设置在第一基底SUB1上，以彼此分隔开。第一分隔壁层BR1和第二分隔壁层BR2可以包括有机材料。
第一电极E1可以设置在第一基底SUB1上，以覆盖第一分隔壁层BR1。第一电极E1可以设置在第一分隔壁层BR1上，并且可以设置在第一基底SUB1的与第一分隔壁层BR1相邻的部分上。因此，第一分隔壁层BR1可以设置在第一基底SUB1与第一电极E1之间。
第二电极E2可以设置在第一基底SUB1上以覆盖第二分隔壁层BR2，第二电极E2可以与第一电极E1分隔开。第二电极E2可以设置在第二分隔壁层BR2上，并且可以设置在第一基底SUB1的与第二分隔壁层BR2相邻的部分上。因此，第二分隔壁层BR2可以设置在第一基底SUB1与第二电极E2之间。
第一电极E1可以通过被限定为穿过第一基底SUB1的第四绝缘层INS4的第三接触孔CH3连接到第一漏电极DE1。因此，第一电极E1可以电连接到驱动元件DT。
第一电极E1和第二电极E2中的每个可以具有单层或多个层叠结构。例如，第一电极E1和第二电极E2中的每个可以包括反射电极，或者包括反射电极和设置在反射电极上的透明电极。
反射电极可以包含可以反射光的铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)等。透明电极可以包含氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IGZO)和它们的混合物/化合物之中的至少任一种。
发光元件ED可以设置在第一分隔壁层BR1与第二分隔壁层BR2之间。发光元件ED的两侧可以设置在第一电极E1和第二电极E2上，并且接触第一电极E1和第二电极E2中的每个。发光元件ED可以电连接到第一电极E1和第二电极E2。
第一子绝缘层SIL1可以沿第一方向DR1延伸，并且设置在第一基底SUB1、第一电极E1的预定部分和第二电极E2的预定部分上。
第一接触电极CTE1可以设置在第一子绝缘层SIL1的与第一电极E1叠置的部分和第一电极E1上，并且覆盖发光元件ED的一侧。第二接触电极CTE2可以设置在第一子绝缘层SIL1的与第二电极E2叠置的部分和第二电极E2上，并且覆盖发光元件ED的另一侧。
第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以包括透明导电材料。例如，第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IGZO)和它们的混合物/化合物之中的至少任一种，但是本发明构思不限于此。
发光元件ED可以具有圆柱状形状，因为圆柱状形状的侧表面(或外部圆周表面)接触第一电极E1和第二电极E2，所以发光元件ED可以与第一电极E1和第二电极E2成线接触。线接触具有比面接触小的接触面积，并且接触面积越小，接触电阻会越大。电阻会阻碍电流的流动。
第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2覆盖发光元件ED的两侧，并且与第一电极E1和第二电极E2接触，使得发光元件ED的接触面积可以通过第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2增大。因此，可以减小发光元件ED与第一电极E1和第二电极E2之间的接触电阻。
第五绝缘层INS5可以设置在第一基底SUB1上，以覆盖发光元件ED以及第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第五绝缘层INS5可以包括无机材料。
光转换层LCL和黑矩阵BM可以设置在第二基体基底BS2的面对第一基体基底BS1的一个表面上。光转换层LCL可以设置在像素区域PA中，并且黑矩阵BM可以设置在非像素区域NPA中。像素PX的一部分可以不包括光转换层LCL。
光转换层LCL可以包括发射体。例如，发射体可以转换从发光元件ED产生的第一颜色光的波长，并且发射具有与第一颜色光不同的颜色的第二光。发射体可以是量子点。第一颜色光可以是蓝光，第二颜色光可以是红光或绿光。
包括将蓝光转换成红光的光转换层LCL的像素PX、包括将蓝光转换成绿光的光转换层LCL的像素PX以及不包括光转换层LCL的像素PX可以设置在显示面板DP上。因此，可以通过像素PX产生红光、蓝光和绿光。
然而，本发明构思不限于此。例如，光转换层LCL可以被滤色器代替。另外，可以从像素PX省略光转换层LCL。在这种情况下，发光元件ED可以发射蓝光、绿光或红光。黑矩阵BM可以防止像素PX之间的光泄漏。
其中设置有第二基体基底BS2、光转换层LCL和黑矩阵BM的层可以被限定为第二基底SUB2。第六绝缘层INS6可以设置在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间。第六绝缘层INS6可以是光学透明粘合膜、光学透明粘合树脂或压敏粘合膜。
第二基底SUB2可以通过第六绝缘层INS6附着到第一基底SUB1。然而，这仅作为示例示出，并且在发明构思的另一实施例中，可以省略第二基底SUB2和第六绝缘层INS6。
图7是沿图4的线II-II'截取的剖视图。
参照图7，第一子绝缘层SIL1设置在第一电极E1上，并且第一子绝缘层SIL1可以以规则的间隔设置以彼此分隔开。虽然未示出，但是第一子绝缘层SIL1可以以规则的间隔设置在第二电极E2上以彼此分隔开。
第一子绝缘层SIL1可以是包括无机材料的无机绝缘层。例如，第一子绝缘层SIL1可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛或氧化铝。
相对于第三方向DR3，发光元件ED可以具有第一厚度TH1，并且第一子绝缘层SIL1中的每个可以具有小于第一厚度TH1的第二厚度TH2。这里，厚度可以被定义为在第三方向DR3上测量的相应构造的下表面与上表面之间的距离。
第二厚度TH2可以示例性地为第一厚度TH1的大约0.3-0.5倍，并且可以优选地为第一厚度TH1的大约0.5倍的值。相对于第一电极E1的上表面，每个第一子绝缘层SIL1的上表面的高度可以低于或等于每个发光元件ED的上端的高度的大约0.5倍。
相对于第二方向DR2，发光元件ED中的每个可以具有第一宽度W1。这里，宽度可以被定义为相应构造的两端之间的间隙。
第h发光元件ED可以设置在第h第一子绝缘层SIL1与第(h+1)第一子绝缘层SIL1之间。相对于第二方向DR2，第h第一子绝缘层SIL1与第h发光元件ED之间的第一间隙GP1和第(h+1)第一子绝缘层SIL1与第h发光元件ED之间的第二间隙GP2可以小于第一宽度W1。h是整数，例如，自然数。
第一间隙GP1可以等于第二间隙GP2。例如，第一间隙GP1和第二间隙GP2中的每个可以是第一宽度W1的大约0.15至大约0.25倍，并且可以优选地是第一宽度W1的大约0.2倍。已经描述了第一间隙GP1和第二间隙GP2是相同的，但是本发明构思不限于此，并且第一间隙GP1和第二间隙GP2可以是不同的。
在未设置第一子绝缘层SIL1的情况下设置发光元件ED之后，第一接触电极CTE1可以设置在第一电极E1上以覆盖发光元件ED。然而，在这种情况下，因为发光元件ED具有圆柱状形状，所以用于形成第一接触电极CTE1的导电材料可能不会正常地供应到发光元件ED中的每个的下部。
然而，在发明构思的实施例中，第一接触电极CTE1可以设置在第一子绝缘层SIL1之间限定的空间中。具体地，用于形成第一接触电极CTE1的导电材料可以供应到发光元件ED与第一子绝缘层SIL1之间限定的空间G(在下文中称为凹槽)。发光元件ED的设置在凹槽G中的部分可以被限定为发光元件ED的下部。
与供应到平面上时相比，当供应到凹槽G时，导电材料可以更集中地供应到凹槽G。因此，第一接触电极CTE1可以形成为在凹槽G中进一步与发光元件ED接触。虽然未示出，但是第二接触电极CTE2也可以形成为在凹槽G中进一步与发光元件ED接触。结果，发光元件ED对第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2的接触面积可以增大。
图8至图16是用于描述根据发明构思的实施例的用于制造显示装置的方法的图。
为了便于描述，图8至图11、图14和图15被示出为与图7对应的剖面，图12和图16被示出为与图6对应的剖面。另外，图13示出了其上设置有单个发光元件ED的第一电极E1和第二电极E2的平面。
在下文中，作为示例，参照图8至图11，将描述用于形成设置在第一电极E1上的第一子绝缘层SIL1的方法。虽然未示出，但是设置在第二电极E2上的第一子绝缘层SIL1可以基本上通过与图8至图11中示出的制造方法相同的方法形成。
参照图8，在第一基底SUB1上设置第一分隔壁层BR1，在第一分隔壁层BR1上设置第一电极E1，并且可以在第一电极E1上设置绝缘层IL。绝缘层IL是包括无机材料的无机层，并且可以设置在第一基底SUB1上以形成第一子绝缘层SIL1。
虽然未示出，但是可以在第二分隔壁层BR2上设置第二电极E2，并且可以在第二电极E2上设置绝缘层IL。
参照图9，可以在绝缘层IL上设置暴露绝缘层IL的第一部分P1的光致抗蚀剂图案PR。光致抗蚀剂图案PR可以包括光敏树脂。
与光致抗蚀剂图案PR叠置的部分可以是用于基本上形成第一子绝缘层SIL1的部分。第一部分P1可以沿第一方向DR1延伸并且沿第二方向DR2布置。
参照图10，可以用光致抗蚀剂图案PR作为掩模来去除被光致抗蚀剂图案PR暴露的第一部分P1。例如，为了去除第一部分P1，可以使用干式蚀刻方法。
参照图11，去除光致抗蚀剂图案PR，并且可以由剩余的绝缘层IL来形成第一子绝缘层SIL1。第一子绝缘层SIL1可以以规则的间隔布置在第一电极E1上。虽然未示出，但是也可以在第二电极E2上设置第一子绝缘层SIL1。
参照图12，可以在第一分隔壁层BR1与第二分隔壁层BR2之间设置包括发光元件ED的溶液LQ。溶液LQ可以是墨或糊。溶液LQ可以是能够在室温下气化或者通过热而气化的材料。
参照图13，可以将具有彼此相反的极性的电压施加到第一电极E1和第二电极E2。可以向第一电极E1和第二电极E2施加直流电压或交流电压。因此，可以在第一电极E1与第二电极E2之间形成电场。可以通过电场在发光元件ED中诱导偶极性，并且发光元件ED可以通过介电泳力自对准到第一电极E1和第二电极E2上。
因为第一子绝缘层SIL1是绝缘材料，所以相比于其中设置有第一子绝缘层SIL1的区域中，在第一子绝缘层SIL1之间在第一电极E1和第二电极E2处可以形成更强的电场。因此，在第一子绝缘层SIL1之间，发光元件ED可以容易地朝向第一电极E1和第二电极E2对准。结果，可以改善发光元件ED的对准度。
参照图14，可以通过电场使发光元件ED对准，并且可将发光元件ED设置在第一子绝缘层SIL1之间。如上所述，可以在发光元件ED与第一子绝缘层SIL1之间限定凹槽G。
参照图15，可以在第一电极E1上设置第一接触电极CTE1，以覆盖凹槽G中的发光元件ED。可以在第一子绝缘层SIL1上设置第一接触电极CTE1。为了形成第一接触电极CTE1，可以在第一基底SUB1上设置导电材料，并且导电材料可以更集中地设置到凹槽G。
第一接触电极CTE1可以形成为进一步与发光元件ED的设置在凹槽G中的下部接触。因此，可以增大发光元件ED对第一接触电极CTE1的接触面积。虽然未示出，但是在凹槽G中设置第二接触电极CTE2，使得可以增大发光元件ED对第二接触电极CTE2的接触面积。
参照图16，可以在第一基底SUB1上设置第五绝缘层INS5，以覆盖第一接触电极CTE1、第二接触电极CTE2、发光元件ED和第一子绝缘层SIL1。在第五绝缘层INS5上设置第六绝缘层INS6，并且在第六绝缘层INS6上设置第二基底SUB2，因此，可以制造出显示装置DD。
结果，显示装置DD和用于制造显示装置DD的方法可以改善发光元件ED的对准度和接触面积。
图17是用于示出根据发明构思的另一实施例的显示装置的构造的图。
图17示例性地示出了与图7对应的剖面，除了添加第二子绝缘层SIL2的事实之外，其它元件可以与图7中示出的构造基本相同。因此，在下文中将描述第二子绝缘层SIL2的构造，并且将省略关于其它构造的描述。
参照图17，多个第二子绝缘层SIL2可以在发光元件ED与第一子绝缘层SIL1之间设置在第一电极E1上。相对于第三方向DR3，第二子绝缘层SIL2中的每个的厚度可以小于第一子绝缘层SIL1中的每个的厚度。例如，第二子绝缘层SIL2可以是包括有机材料的有机绝缘层。
发光元件ED的下端可以不被第二子绝缘层SIL2暴露。发光元件ED可以通过第二子绝缘层SIL2被更牢固地固定。
凹槽G'可以被限定在第二子绝缘层SIL2上并在发光元件ED与第一子绝缘层SIL1之间，并且用于形成第一接触电极CTE1的导电材料可以集中地提供到凹槽G'。用于形成第二接触电极CTE2的导电材料也可以提供到凹槽G'。结果，可以增大发光元件ED对第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2的接触面积。
在发明构思的实施例中，第一子绝缘层布置在第一电极和第二电极上，并且发光元件布置在第一子绝缘层之间，使得可以改善发光元件的对准度。
另外，在发明构思的实施例中，第一接触电极和第二接触电极布置在第一子绝缘层之间限定的空间中并覆盖发光元件，因此，可以改善发光元件对第一接触电极和第二接触电极的接触面积。
虽然以上描述了示例性实施例，但是本领域技术人员可以理解的是，在不脱离在权利要求中限定的本发明的精神和范围的情况下，可以进行许多修改和变化。此外，本公开中公开的实施例并不意图限制本发明的技术精神，并且权利要求和落入等同范围内的所有技术精神被解释为包括在本发明的权利范围内。

Claims (12)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
第一电极，设置在所述基底上；
第二电极，设置在所述基底上，并与所述第一电极分隔开；
多个第一子绝缘层，沿第一方向延伸，设置在所述基底上以及所述第一电极和所述第二电极上，并沿着与所述第一方向交叉的第二方向布置；以及
多个发光元件，设置在所述第一子绝缘层之间，并电连接到所述第一电极和所述第二电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，相对于与由所述第一方向和所述第二方向限定的平面垂直的第三方向，所述发光元件中的每个发光元件具有第一厚度，并且所述第一子绝缘层中的每个第一子绝缘层具有比所述第一厚度小的第二厚度。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二厚度具有所述第一厚度的0.3倍至0.5倍的值。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，相对于所述第二方向，所述发光元件具有第一宽度，并且第h第一子绝缘层与第h发光元件之间的第一间隙和第(h+1)第一子绝缘层与所述第h发光元件之间的第二间隙比所述第一宽度小，其中，h是自然数。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一间隙和所述第二间隙中的每个具有所述第一宽度的0.15倍至0.25倍的值。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述第二电极沿所述第二方向延伸，所述发光元件沿所述第一方向延伸，并且所述发光元件中的每个发光元件的两侧分别设置在所述第一电极和所述第二电极上。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子绝缘层在所述第二方向上以规则的间隔布置。
8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：第一接触电极，沿所述第二方向延伸，设置在所述第一电极上和所述第一子绝缘层的与所述第一电极叠置的部分上，并被构造为覆盖所述发光元件的一侧；以及第二接触电极，沿所述第二方向延伸，设置在所述第二电极上和所述第一子绝缘层的与所述第二电极叠置的部分上，并被构造为覆盖所述发光元件的另一侧。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子绝缘层包括无机材料。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：第一分隔壁层，设置在所述基底与所述第一电极之间；以及第二分隔壁层，设置在所述基底与所述第二电极之间，其中，所述发光元件设置在所述第一分隔壁层与所述第二分隔壁层之间。
11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述发光元件与所述第一子绝缘层之间的多个第二子绝缘层，其中，相对于与由所述第一方向和所述第二方向限定的平面交叉的第三方向，所述第二子绝缘层中的每个第二子绝缘层的厚度比所述第一子绝缘层中的每个第一子绝缘层的厚度小。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二子绝缘层包括有机材料。
CN201911126719.9A 2018-11-22 2019-11-18 显示装置 Active CN111223972B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180145377A KR102579915B1 (ko) 2018-11-22 2018-11-22 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR10-2018-0145377 2018-11-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111223972A true CN111223972A (zh) 2020-06-02
CN111223972B CN111223972B (zh) 2024-07-02

Family

ID=70771212

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911126719.9A Active CN111223972B (zh) 2018-11-22 2019-11-18 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11348966B2 (zh)
KR (1) KR102579915B1 (zh)
CN (1) CN111223972B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018132542A1 (de) * 2018-12-17 2020-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische leuchtvorrichtung und herstellungsverfahren
KR20210035362A (ko) * 2019-09-23 2021-04-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210044938A (ko) * 2019-10-15 2021-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210124564A (ko) * 2020-04-03 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220026626A (ko) 2020-08-25 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220126843A (ko) * 2021-03-09 2022-09-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114023859B (zh) * 2021-11-02 2022-07-15 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN115732514A (zh) * 2022-11-14 2023-03-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示模块及显示面板

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140159064A1 (en) * 2012-12-10 2014-06-12 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
CN105051804A (zh) * 2013-04-01 2015-11-11 Lg电子株式会社 使用半导体发光器件的显示装置
CN107093601A (zh) * 2017-05-24 2017-08-25 陕西科技大学 一种led封装结构及方法
CN107210350A (zh) * 2014-11-18 2017-09-26 Psi株式会社 用于水平排列组件的超小型发光二极管元件、其制造方法及包括其的水平排列组件
CN107507845A (zh) * 2016-06-14 2017-12-22 群创光电股份有限公司 显示装置
US20180019369A1 (en) * 2016-07-12 2018-01-18 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN107610602A (zh) * 2016-07-11 2018-01-19 三星显示有限公司 像素结构、显示设备以及制造该像素结构的方法
CN107634081A (zh) * 2016-07-15 2018-01-26 三星显示有限公司 发光装置及其制造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120138805A (ko) * 2010-03-12 2012-12-26 샤프 가부시키가이샤 발광 장치의 제조 방법, 발광 장치, 조명 장치, 백라이트, 액정 패널, 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법, 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치
KR20150098246A (ko) 2010-09-01 2015-08-27 샤프 가부시키가이샤 발광 소자 및 그 제조 방법, 발광 장치의 제조 방법, 조명 장치, 백라이트, 표시 장치 및 다이오드
KR101347896B1 (ko) * 2012-06-26 2014-01-10 엘지디스플레이 주식회사 퀀텀 로드 발광 표시장치
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US9773761B2 (en) * 2013-07-09 2017-09-26 Psi Co., Ltd Ultra-small LED electrode assembly and method for manufacturing same
KR101713818B1 (ko) 2014-11-18 2017-03-10 피에스아이 주식회사 초소형 led 소자를 포함하는 전극어셈블리 및 그 제조방법
KR102465382B1 (ko) * 2015-08-31 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR102574603B1 (ko) 2016-07-15 2023-09-07 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
KR102707509B1 (ko) * 2016-12-19 2024-09-23 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
KR102587215B1 (ko) * 2016-12-21 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR102415812B1 (ko) * 2017-09-22 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법
KR102513267B1 (ko) * 2017-10-13 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102605339B1 (ko) 2018-07-18 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140159064A1 (en) * 2012-12-10 2014-06-12 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
CN105051804A (zh) * 2013-04-01 2015-11-11 Lg电子株式会社 使用半导体发光器件的显示装置
CN107210350A (zh) * 2014-11-18 2017-09-26 Psi株式会社 用于水平排列组件的超小型发光二极管元件、其制造方法及包括其的水平排列组件
CN107507845A (zh) * 2016-06-14 2017-12-22 群创光电股份有限公司 显示装置
CN107610602A (zh) * 2016-07-11 2018-01-19 三星显示有限公司 像素结构、显示设备以及制造该像素结构的方法
US20180019369A1 (en) * 2016-07-12 2018-01-18 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN107634081A (zh) * 2016-07-15 2018-01-26 三星显示有限公司 发光装置及其制造方法
CN107093601A (zh) * 2017-05-24 2017-08-25 陕西科技大学 一种led封装结构及方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20200168662A1 (en) 2020-05-28
US11705481B2 (en) 2023-07-18
KR102579915B1 (ko) 2023-09-18
CN111223972B (zh) 2024-07-02
US20220285432A1 (en) 2022-09-08
KR20200060638A (ko) 2020-06-01
US11348966B2 (en) 2022-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111223972B (zh) 显示装置
KR102645630B1 (ko) 표시 장치 및 그것의 제조 방법
TWI711175B (zh) 有機發光二極體顯示器
US20170117343A1 (en) Organic light-emitting diode display
KR102572340B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
CN111162093A (zh) 显示装置和制造该显示装置的方法
US11696477B2 (en) Organic light emitting diode display including a common power supply line in a non-display area
KR102702808B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
CN112400233B (zh) 显示装置及用于制造显示装置的方法
KR102360010B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102526778B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
US9929225B2 (en) Display device and a manufacturing method thereof
EP2889913A2 (en) Organic light emitting display device
CN106129097A (zh) 像素结构及其显示面板
EP3783651A1 (en) Display apparatus
KR102317835B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 구비하는 유기전계발광 표시장치
US11195824B2 (en) Pixel, display device including the same, and manufacturing method thereof
KR20230144155A (ko) 표시 장치
US20200211444A1 (en) Display Apparatus Having a Unit Pixel Composed of Four Sub-Pixels
KR102721238B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20200040352A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant