TWI711175B - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

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TWI711175B
TWI711175B TW105107442A TW105107442A TWI711175B TW I711175 B TWI711175 B TW I711175B TW 105107442 A TW105107442 A TW 105107442A TW 105107442 A TW105107442 A TW 105107442A TW I711175 B TWI711175 B TW I711175B
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崔源一
朱惠珍
朴源祥
金武謙
明萬植
尹孝烈
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

提供一種有機發光二極體顯示器，其包含可拉伸基板、形成板狀的複數個像素、第一像素與第二像素以及缺口槽。形成板狀的像素位於基板上且彼此間隔。第一像素與第二像素緊鄰於第一方向且位於複數個像素形成板之第一與第二像素形成板上。第一與第二像素形成板與第一橋部相連接。其中缺口槽位於第一與第二像素形成板上且與第一橋部相連接。

Description

有機發光二極體顯示器
本文所述之一或多個實施方式係關於一種有機發光二極體顯示器。
各種的平板顯示器已經被發展。例示包含液晶顯示器、電漿顯示器、有機發光二極體(OLED)顯示器、場效顯示器、以及電泳顯示器。有機發光二極體顯示器(OLED)的各像素於兩個電極之間具有有機發光層。由一電極注入的電子與由另一電極注入的電洞在有機發光層結合，以產生激子。當激子改變狀態時發出光。
OLED顯示器有自發光特性，而允許其達到改善的性能與效率，如低功耗率、高亮度和高反應速率。再者，因為OLED顯示器不需要額外的光源(如，背光)，所以其也可比其他顯示器更輕薄。
近年來，已開發出可彎曲、可折疊、可拉伸或可伸展的顯示裝置。在可拉伸的顯示裝置中，發光裝置可形成於可拉伸基板上。當可拉伸基板被拉伸時，可能損壞層疊於可拉伸基板的上部上的發光裝置或配線。
根據一個或多個實施方式，一種有機發光二極體顯示器，其包含：可拉伸基板；位於基板上且彼此間隔的複數個像素形成板；以及各自位於複數個像素形成板之第一像素形成板與第二像素形成板上，以在第一方向上相鄰之第一像素與第二像素，其中，第一像素形成板與第二像素形成板藉由第一橋部連接；以及缺口槽位於第一像素形成板與第二像素形成板且與連接至第一橋部的區域相鄰。
第一橋部可於第二方向上彎曲，其中第二方向與第一方向交叉。第一橋部可具有一預定寬度。第一橋部可具有一預定的曲率半徑。第一橋部可沿著第二方向向上彎曲。
第一像素形成板可包含：第一主支撐板；位於第一主支撐板的一側表面上的第一翼板，其中，第一翼板的一側端部與第一橋部連接；位於第一主支撐板的另一側表面上的第二翼板，且相鄰於第一翼板的一側端部；以及位於第二翼板的一側端部與第一橋部之間的第一缺口槽。
第二像素形成板可包含：第二主支撐板；位於第二主支撐板的一側表面上且與第一像素形成板之第一翼板相對的第三翼板，第三翼板之一側端部與第一橋部連接；位於該第二主支撐板的另一側表面上且相鄰於第三翼板的一側端部的第四翼板；以及位於第四翼板的一側端部與第一橋部之間的第二缺口槽。
基層可包含第三像素形成板，其於第二方向上與第一像素形成板相鄰；位於第三像素形成板上的第三像素；以及連接第一像素形成板與第三像素形成板的第二橋部。
第三像素形成板可包含：第三主支撐板；位於第三主支撐板的一側表面以與第一像素形成板之第二翼板相對第五翼板，第五翼板之一側端部與第二橋部連接；以及位於第三主支撐板的另一側表面上以相鄰於第五翼板的一側端部的第六翼板，其中第二橋部與第一像素形成板之第二翼板的另一側端部連接，且第三缺口槽位於第六翼板的一側端部與第二橋部之間。
該顯示器可包含複數個第一配線至第三配線，其位於第一像素形成板上且與第一像素連接，且第一配線可經由第一橋部之上側而與第二像素形成板之第二像素連接。第一配線可於第一橋部之長度方向延伸且穿過第一橋部之中心而設置於第一橋部之中心線的外側。
該顯示器可包含複數個虛擬配線，其位於第一橋部上且設置於第一配線之上或是之下，以與第一配線的部分重疊，其中虛擬配線的應變大於第一配線的應變。虛擬配線可於第一橋部之長度方向延伸且可穿過第一橋部之中心而設置第一橋部之中心線的內側。虛擬配線的長度可由第一橋部的內側往其外側減少。
該顯示器可包含：感測電晶體，其位於各像素形成板上且與第一配線至第三配線中的至少一個連接，以測量第一配線至第三配線中的至少一個之應變。第一配線可包含複數個閘極線。第二橋部可於第一方向上彎曲。第二橋部可具有一預定寬度。第二橋部可具有一預定的曲率半徑。
第二配線與第三配線經由第二橋部的上側與位於第三像素形成板上之第三像素連接。基於在第二橋部之長度方向延伸且穿過第二橋部之中心點的第二橋部之中心線，具有第一範圍之應變的第二配線與第三配線之部分可側置於中心線之外側，並且具有第二範圍之應變的第二配線與第三配線之另一 部分可設置於中心線之內側，第二範圍大於第一範圍。第二配線可包含複數個數據線與第三配線可包含複數個驅動電壓線。第一橋部可沿著第二方向向下彎曲。
第一像素形成板可包含：第一主支撐板；位於第一主支撐板之一側表面上的第一翼板；以及位於第一主支撐板之另一側表面上的第二翼板，其中第二翼板之一側端部連接至第一橋部，且其中第一缺口槽位在相鄰於第二翼板之一側端部的第一翼板之一側端部與第一橋部之間。
第二像素形成板可包含：第二主支撐板；形成於第二主支撐板之一側表面上且相對於第一像素形成板之第一翼板的第三翼板以及形成於第二主支撐板之另一側表面上的第四翼板，其中第四翼板之一側端部與第一橋部連接，且其中第二缺口槽位在相鄰於第四翼板之一側端部的第三翼板之一側端部與第一橋部之間。
該顯示器可包含複數個第一像素，與複數個第二像素。各個第一像素與第二像素可包含至少一像素電路。各個第一像素與第二像素可包含複數個子像素。各像素形成板可實質上具有一多邊形。
根據一或多個實施方式，一種有機發光二極體顯示器，其包含：可拉伸基板；位於基板上且彼此間隔的複數個像素形成板；以及各自位於複數個像素形成板之第一像素形成板與第二像素形成板上以在第一方向上相鄰第一像素與第二像素；及位於第一像素形成板上且與第一像素連接之第一配線至第三配線，其中第一像素形成板與第二像素形成板藉由第一橋部連接，且其中第一配線經由第一橋部的上側而與第二像素形成板之第二像素連接。
第一橋部可具有一預定寬度且可在第二方向上彎曲，其中第二方向與第一方向交叉。第一橋部可具有一預定的曲率半徑。第一配線可在第一橋部之長度方向延伸且可穿過第一橋部之中心而設置於第一橋部之中心線之外側。
該顯示器可包含複數個虛擬配線，其位於第一橋部上且於第一配線之上或是之下，以與第一配線的部分重疊，其中虛擬配線在第一橋部之長度方向延伸且穿過第一橋部之中心而設置於第一橋部之中心線之內側，並且其虛擬配線的應變大於第一配線的應變。
基層可包含第三像素形成板，其於與第一方向交叉的第二方向上與第一像素形成板相鄰，並且第二橋部連接第一像素形成板與第三像素形成板，其中第二配線及第三配線經由第二橋部的上側而與位於第三像素形成板上之第三像素相連接。第二橋部可具有一預定寬度且於第一方向上彎曲。第二橋部可具有一預定之曲率半徑。
基於在第二橋部之長度方向延伸且通過第二橋部之中心的第二橋部之中心線，可具有第一範圍之應變的第二配線與第三配線之部分可設置於中心線之外側，並且可具有第二範圍之應變的第二配線與第三配線之另一部分可設置於中心線之內側，第二範圍大於第一範圍。
100:基板
110、1110":基層
1110、1110':像素形成板
1111、1111'、1111":第一像素形成板
1111a、1111a'、1111a":第一主支撐板
1111b、1111b'、1111b":第一翼板
1111c、1111c'、1111c":第二翼板
1113、1113'、1113":第二像素形成板
1113a、1113a":第二主支撐板
1113b、1113b":第三翼板
1113c、1113c":第四翼板
1115、1115'、1115":第三像素形成板
1115a:第三主支撐板
1115b:第五翼板
1115c:第六翼板
1130、1135'、BR:橋部
1131、1131'、1131":第一橋部
1133、1133'、1133":第二橋部
120:緩衝層
121:閘極線
121':第一配線
128:第一電容電極
125a:開關閘極電極
125b:驅動閘極電極
1355:通道區
1356:源極區
1357:汲極區
135a:開關半導體層
135b:驅動半導體層
140:閘極絕緣層
160:層間絕緣層
171:數據線
171':第二配線
172:驅動電壓線
172':第三配線
176a:開關源極電極
176b:驅動源極電極
177a:開關汲極電極
177b:驅動汲極電極
178:第二電容電極
180:鈍化層
181:接觸孔
350:像素定義層
30a、30a":第一缺口槽
30b、30b":第二缺口槽
50a、50a":第三缺口槽
50b、50b":第四缺口槽
61:源極接觸孔
62:汲極接觸孔
63:儲存接觸孔
70、LD:有機發光元件
710:像素電極
720:有機發光層
730:共用電極
800:虛擬配線
900:感測電晶體
B:藍色子像素
B1:第一藍色子像素
B2:第二藍色子像素
CL:中心線
Cst:儲存電容器
E1:第一電極
E2:第二電極
ELVSS:共用電壓
EML:發光層
ENC:封裝層
G:綠色子像素
IS:島
Id:輸出電流I
N1、N2、N3、N4、N5:端子
OLED:有機發光二極體
PX、PX1、PX1'、PX2、PX2'、PX3、PX3'、PX4、PX4':像素
P:距離
R:紅色子像素
T1:開關電晶體
T2:驅動電晶體
TFT:薄膜電晶體
對於所屬領域具有通常知識者而言，藉由詳細描述例示性實施方式時一併參照附圖而使特徵變得顯而易知，其中：第1圖係繪示OLED顯示器之實施方式； 第2圖係繪示像素之實施方式；第3圖係繪示根據第一實施方式之基層；第4圖係繪示根據第3圖之A區域之放大圖；第5圖係繪示第一配線至第三配線連接至像素之之例子；第6圖係繪示用於擴展基層之例子；第7圖係繪示第6圖之B區域之應變之例子；第8圖係繪示基於位置的應變變異之例子；第9圖係繪示像素電路之例子；第10圖係繪示像素的配置實施方式；第11圖係繪示第10圖中沿著XI-XI橫切線之圖式；第12圖係繪示第10圖中沿著XII-XII橫切線之圖式；第13圖至第17圖係繪示橋區域之配線之配置實施方式；第18圖係繪示在配線與用於測量應變之感測電晶體之間之連接結構之例子；第19圖至第21圖係繪示子像素的配置實施方式；第22圖係繪示第二實施方式之基層之俯視圖；第23圖係繪示第三實施方式之基層之俯視圖；第24圖係繪示第23圖中的C區域之放大圖；以及第25圖係繪示第一配線至第三配線連接於第24圖之基層上之各個像素之例子。
例示性實施方式將參照附圖更充分的描述於下文中；然而，其可以各種不同形式實施，而不應理解為限於本文所闡述的實施方式。相反的，提供這些例示性實施方式使得本揭露徹底及完整，且充分傳達例示性實施方式予此技術領域中具有通常知識者。實施方式可進行結合以形成額外的實施方式。
亦將理解的是，當層或元件被指為在另一層或基板「上(on)」時，其可直接於其他層或基板上，或亦可存在中間層。進一步，將理解的是，當層被指為在另一層「之下(under)」時，其能直接在另一層之下，或亦可存在一或多個中間層。此外，亦將理解的是，當層被指為在兩層「之間(between)」時，其可為兩層之間的唯一層，或亦可存在一或多個中間層。在全文中相似的元件符號指稱相似的元件。
第1圖繪示OLED顯示器之實施方式，第2圖繪示像素結構之實施方式之剖面圖，第3圖係為OLED顯示器之基層之實施方式之俯視圖，第4圖繪示第3圖中之A區域之放大圖，以及第5圖繪示說明第一配線至第三配線連接至第4圖中的基層上之像素之例子。
在第1圖與第2圖中，OLED顯示器包含具有島型的可拉伸基板100與於可拉伸的基板100上的像素結構。除基板100之外，像素結構表示OLED顯示器之其餘配置。
請參照第1圖，基板100具有用於支撐像素的結構。就可拉伸基板而言，基板100可在至少一方向上延伸或收縮。基板100具有島狀，其例如複數個島IS以一預定距離P彼此間隔。當基板100被拉伸時，在島IS之間的距離P可增加或減少。然而，即使基板100被拉伸，各個島IS不會變形，例如，各個島IS的長度及/或寬度不會增加或減少。
此外，即使基板100被拉伸時，位於島IS上的像素結構也不會變形。然而，連接像素結構彼此的橋部BR與其中連接橋部和像素PX的區域CN可變形。
請參照第2圖，於基板100上的像素PX包括基層110、薄膜電晶體TFT、緩衝層120、第一電極E1、發光層EML、第二電極E2、封裝層ENC等。基層110位於基板100上。舉例來說，基層110位於基板100的各島上。在此情況下，當基板100被拉伸時，基層110與基板100一起形成為可拉伸的。
請參照第3圖，基層110包含複數個像素形成板1110與橋部1130。像素形成板1110分別設置於基板100的島IS上。像素形成板1110以格子狀設置。各個像素PX可形成於各個像素形成板1110上。橋部1130連接像素形成板彼此。在此情況下，複數個像素可形成於各個像素形成板1110上。
各個像素可包含用於驅動有機發光元件之像素電路。像素電路可包含例如用以驅動像素的薄膜電晶體與儲存電容器Cst。
每個像素形成板1110可具有對應於基板100之島IS的截面形狀的形狀。於一個實施方式中，像素形成板1110可實質上具有四邊形形狀。在另一實施方式中，像素形成板1110可具有對應於基板100之島IS的截面形狀的不同形狀，如多邊形、圓形、三角形或五邊形等。
請參照第4圖，在第3圖中的A區域之放大圖，其包含排列於第一方向上之像素形成板1110的第一像素形成板1111與第二像素形成板1113。第一像素形成板1111與第三像素形成板1115排列在與第一方向垂直的第二方向上。第一像素形成板1111與第二像素形成板1113藉由第一橋部1131連接，且第一像素形成板1111與第三像素形成板1115藉由第二橋部1133連接。
第一像素形成板1111包含第一主支撐板1111a、第一翼板1111b與第二翼板1111c。第一主支撐板1111a位於第一像素形成板1111之中心區域。薄膜電晶體、有機發光元件形成於第一主支撐板1111a上。第一主支撐板1111a實質上具有四邊形形狀。
第一翼板1111b與第二翼板1111c形成於第一像素形成板111之側表面上，且與連接像素形成板彼此的橋部結合。第二翼板1111c位於第一主支撐板1111a上且相鄰於第一翼板1111b。於第4圖中，於第一主支撐版1111a與第一翼板1111b及第二翼板1111c之間的虛線係為區分主支撐板與翼板的虛擬線。
除第一翼板1111b與第二翼板1111c，其他的翼板可形成於第一主支撐板1111a之側表面上。如第4圖所示，翼板可形成於第一主支撐板1111a之右側、左側、上側與下側。四個翼板可形成於第一主支撐板1111a上。在此情況下，四個翼板分別設置於四邊形之第一主支撐板1111a之各自的側表面上。形成於像素形成板上之翼板可實質上具有四邊形形狀。
除此之外，第二像素形成板1113包含第二主支撐板1113a、第三翼板1113b及第四翼板1113c。如第一主支撐板1111a，第二主支撐板1113a位於第二像素形成板1113之中心區域。薄膜電晶體、有機發光元件等形成於第二主支撐板1113a上。第二主支撐板1113a實質上具有四邊形形狀。
第三翼板1113b與第四翼板1113c位於第二像素形成板1113之側表面，且與連接像素形成板彼此的橋部結合。第三翼板1113b位於第二主支撐板1113a之側表面，以面對第一像素形成板1111之第一翼板1111b。第四翼板1113c位於第二主支撐板1113a上且相鄰於第三翼板1113b。
除第三翼板1113b與第四翼板1113c之外，其他翼板可形成於第二主支撐板1113a之側表面。如第4圖所示，與第一主支撐板1111a類似，翼板可形成於第二主支撐板1113a之右側、左側、上側與下側。四個翼板可形成於第二主支撐板1113a上。在此情況下，四個翼板設置於四邊形之第二主支撐板1113a之各自的側表面上。形成於像素形成板上之翼板可實質上具有四邊形形狀。
第三像素形成板1115包含第三主支撐板1115a、第五翼板1115b與第六翼板1115c。如第一主支撐板1111a，第三主支撐板1115a位於第三像素形成板1115之中心區域，且薄膜電晶體、有機發光元件等位於第三主支撐板1115a上。第三主支撐板1115a可實質上具有四邊形的形狀。
第五翼板1115b與第六翼板1115c位於第三像素形成板1115之側表面上，且與連接像素形成板彼此的橋部結合。第五翼板1115b位於第三主支撐板1115a之側表面，以面對第一像素形成板1111之第二翼板1111c。第六翼板1115c位於第三主支撐板1115a上且相鄰於第五翼板1115b。
除第五翼板1115b與第六翼板1115c之外，其他翼板可形成於第三主支撐板1115a之側表面。如第4圖所示，與第一主支撐板1111a類似，翼板可形成於第三主支撐板1115a之右側、左側、上側與下側。四個翼板可形成於第三主支撐板1115a之上。在此情況下，四個翼板設置於四邊形之第三主支撐板1115a之各自的側表面上。
在另一實施方式中，第一像素形成板1111之第一翼板1111b及第二像素形成板1113之第三翼板1113b藉由第一橋部1131連接。第一橋部1131與第一翼板1111b及第三翼板1113b之同一側端部結合。
第一橋部1131可具有曲狀，例如彎曲狀。第一橋部1131可具有預定的常數寬度。在一實施方式中，第一橋部1131可具有預定的曲率半徑。在此情況下，當設置在第一橋部1131下之基板100被拉伸時，第一橋部1131的形狀變形。
請參照第6圖，當基板100被拉伸時，位於基板100之島IS上之各個像素形成板將於一方向上移動，且將連接第一像素形成板1111與第二像素形成板1113之第一橋部1131的形狀變形。在此情況下，第一橋部1131的曲率半徑增加，而可擴展基層110之面積或可在一方向上延伸其長度。
請再次參照第4圖，第一像素形成板1111之第二翼板1111c及第三像素形成板1115之第五翼板1115b藉由第二橋部1133連接。第二橋部1133與第二翼板1111c及與第五翼板1115b之同一側端部結合。
如第一橋部1131，第二橋部1133可為曲狀。在此情況下，第二橋部1133可具有預定寬度。在一實施方式中，第二橋部1133可具有預定的曲率半徑。
如第一橋部1131，當設置於第二橋部1133下方之基板100被拉伸時，第二橋部1133之形狀變形。當基板100被拉伸時，將連接第一像素形成板1111與第三像素形成板與1115之第二橋部1133的形狀變形。在此情況下，第二橋部1133的曲率半徑增加，而可擴展基層110之面積或可於一方向上延伸其長度。
在一實施方式中，第一缺口槽30a形成於第一像素形成板1111，以相鄰於與第一橋部1131連接的區域。例如，第一缺口槽30a可形成在第一像素形成板1111與第一橋部1131之間。
更具體而言，第一缺口槽30a可形成在第一像素形成板1111之第二翼板1111c之一側端部與第一橋部1131之間。第一缺口槽30a可防止基層免於因發生於第一橋部1131與第二翼板1111c之一側端部之間的應力而破裂。
在第4圖中，若第一缺口槽30a並未形成於第一像素形成板1111之第二翼板1111c與第一橋部1131之間，且以與第二翼板1111c與第一橋部1131相同的材料填充於第一缺口槽30a的區域時，第一橋部1131可被變形，而使應力可能集中於該區域。因此，裂痕可能發生於此區域。此外，層疊於第一像素形成板1111上的像素可能損壞。
除此之外，第二缺口槽30b形成於第二像素形成板1113以相鄰於與第一橋部1131連接之區域。舉例來說，第二缺口槽30b可形成於第二像素形成板1113與第一橋部1131之間。
更具體而言，第二缺口槽30b可形成在第二像素形成板1113之第四翼板1113c之一側端部與第一橋部1131之間。與第一缺口槽1113c相似，第二缺口槽30b可防止基層免於因發生於第一橋部1131與第四翼板1113c之一側端部之間的應力而破裂。
除此之外，類似於前述之第一缺口槽30a與第二缺口槽30b，第四缺口槽50b可形成於第一像素形成板1111以相鄰於與第二橋部1133連接之區域。此外，第三缺口槽50a可形成於第三像素形成板1115以相鄰於與第二橋部1133連接之區域。
請參照第5圖，一像素PX1、PX2、PX3或PX4可形成於基層110之每個像素形成板1110上。每個像素PX1、PX2、PX3或PX4可包含複數個子像素，例如紅色子像素R、綠色子像素G與藍色子像素B。
第9圖繪示OLED顯示器中的像素、或子像素之實施方式。第10圖繪示像素之配置實施方式。第11圖為第10圖中的沿XI-XI線截取之剖面圖。第12圖為第10圖中的沿XII-XII線截取之剖面圖。
位於每個像素形成板1110上之一像素或子像素之等效電路圖可參閱第9圖進行說明。OLED顯示器包含複數個訊號線，且其與子像素相連接。在此情況下，子像素可為紅色子像素R、綠色子像素G與藍色子像素B中的任一個。如前所述，位於每個像素形成板1110上之像素PX1、PX2、PX3或PX4可包含複數個子像素。
訊號線包含用於傳輸掃描訊號之閘極線121、用於傳輸數據訊號之數據線171與傳輸驅動電壓的驅動電壓線172。閘極線121實質上在列方向上延伸且接近彼此平行。數據線171實質上在行方向上延伸且接近彼此平行。驅動電壓線172繪示成實質上在往行方向上延伸，但可於列方向或行方向上延伸、或可具有網狀形狀。
請參照第9圖，單個子像素包含含有開關電晶體T1與驅動電晶體T2之薄膜電晶體、儲存電容器Cst以及有機發光元件LD。一像素PX或子像素可包含薄膜電晶體與電容器，以補償施加至有機發光元件LD之電流。
開關電晶體T1包含控制端子N1、輸入端子N2與輸出端子N3。控制端子N1連接至閘極線121，輸入端子N2連接至數據線171，與輸出端子N3連接於驅動電晶體T2。
開關電晶體T1基於經由閘極線121傳輸的掃描訊號傳輸自數據線171的數據訊號至驅動電晶體T2。
驅動電晶體T2包含控制端子N3、輸入端子N4與輸出端子N5。控制端子N3連接至開關電晶體T1，輸入端子N4連接至驅動電壓線172，與輸出端子N5連接至有機發光元件LD。驅動電晶體T2輸出輸出電流Id，其電流量係根據施加在控制端子N3與輸出端子N5之間的電壓而改變。
在此情況下，電容器Cst連接在驅動電晶體T2之控制端子N3與輸入端子N4之間。電容器Cst以施加至驅動電晶體T2之控制端子N3的數據訊號充電，且即使當開關電晶體T1關閉之後仍然維持數據訊號。
舉例來說，作為有機發光二極體(OLED)，有機發光元件LD具有與驅動電晶體T2之輸出端子N5連接的陽極、以及與共用電壓ELVSS連接的陰極。有機發光元件LD根據驅動電晶體T2之輸出電流Id發出不同強度的光。
有機發光元件LD可包含呈現一或多個原色，例如紅色、綠色和藍色的有機材料。OLED顯示器以該顏色之空間總和顯示期望的影像。
開關電晶體T1與驅動電晶體T2為n通道型電場效電晶體(FETs)，但其中至少其為p通道型FET。除此之外，於開關電晶體T1與驅動電晶體T2、電容器Cst以及有機發光元件LD之間的連接關係於另一實施方式中可為不同。
形成於各個像素形成板上1110上之OLED顯示器將參照第10圖至第12圖而更清楚進行描述。如上所述，基層110位於基板100上，且可包含例如，聚醯胺、聚醯胺、聚丙烯酸酯等。
緩衝層120形成於基層110上。緩衝層120層可由單層的氮化矽(SiNx)或其中層疊氮化矽(SiNx)和氧化矽(SiOx)的雙層。緩衝層120用於表面的平坦化，同時防止不必要的材料，如雜質或水分的滲入。
開關半導體層135a和驅動半導體層135b形成於緩衝層120上，且彼此分開。半導體層135a與135b可包含例如多晶矽或氧化半導體。氧化半導體可包括，如基於鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In)的氧化物，以及其複合氧化物，如氧化鋅(ZnO)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO4)、氧化銦鋅(In-Zn-O)、氧化錫鋅(Zn-Sn-O)、氧化銦鎵(In-Ga-O)、氧化銦錫(In-Sn-O)、氧化銦鋯(In-Zr-O)、氧化銦鋯鋅(In-Zr-Zn-O)、氧化銦鋯錫(In-Zr-Sn-O)、氧化銦鋯鎵(In-Zr-Ga-O)、氧化銦鋁(In-Al-O)、氧化銦鋅鋁(In-Zn-Al-O)、氧化銦錫鋁(In-Sn-Al-O)、氧化銦鋁鎵(In-Al-Ga-O)、氧化鉭銦(In-Ta-O)、氧化銦鉭鋅(In-Ta-Zn-O)、氧化銦鉭錫(In-Ta-Sn-O)、氧化銦鉭鎵(In-Ta-Ga-O)、氧化銦鍺(In-Ge-O)、氧化銦鍺鋅(In-Ge-Zn-O)、氧化銦鍺錫(In-Ge-Sn-O)、氧化銦鍺鎵(In-Ge-Ga-O)、氧化鈦銦鋅(Ti-In-Zn-O)和氧化鉿銦鋅(Hf-In-Zn-O)。
當半導體層135a與135b包含氧化半導體材料時，可添分離鈍化層，以保護氧化半導體免於受到環境的影響，如高溫等。
半導體層135a與135b包含無摻雜雜質的通道區。源極區與汲極區位於摻雜雜質的通道區之相對側。摻雜之雜質可依據薄膜電晶體的類型而不同，且例如可包含n型或p型雜質。
開關半導體層135a與驅動半導體層135b劃分成通道區1355與分別形成於通道區1355之相對側的源極區1356與汲極區1357。開關半導體層135a和驅動半導體層135b之通道區1355可包含未摻雜雜質的多晶矽，例如，可為本質半導體。
開關半導體層135a和驅動半導體層135b之源極區1356與汲極區1357可包含摻雜有導電雜質的多晶矽，例如，可為雜質半導體。
閘極絕緣層140位於開關半導體層135a與驅動半導體層135b上。閘極絕緣層140可以是單層或包含例如，氮化矽或氧化矽中的至少其一的多層。
閘極線121、驅動閘極電極125b、和第一電容電極128位於閘極絕緣層140上。閘極線121於水平方向上延伸且傳輸掃描訊號至開關電晶體T1。閘極線121包含朝向開關半導體層135a突出之開關閘極電極125a。
驅動閘極電極125b由第一電容電極128朝向驅動半導體層135b突出。每個開關閘極電極125a與驅動閘極電極125b與通道區1355重疊。
層間絕緣層160位於閘極線121、驅動閘極電極125b與第一電容電極128上。層間絕緣層160與閘極絕緣層140相同，可包含例如，氮化矽、氧化矽等。
於層間絕緣層160和閘極絕緣層140中，源極接觸孔61和汲極接觸孔62分別形成以露出源極區1356和汲極區1357。儲存接觸孔63形成以露出第一電容電極128的部分。
具有開關源極電極176a之數據線171、具有驅動源極電極176b與第二電容電極178之驅動電壓線172、以及連接至第一電容電極128的開關汲極電極177a及驅動汲極電極177b形成於層間絕緣層160上。
數據線171傳輸數據訊號且延伸以與閘極線121交叉。驅動電壓線172傳輸驅動電壓且與數據線分離而在與數據線171相同之方向延伸。
開關源極電極176a從數據線171朝向開關半導體層135a突出。驅動源極電極176b從驅動電壓線172朝向驅動半導體層135b突出。每個開關源極電 極176a與驅動源極電極176b經由源極接觸孔61與源極區1356連接。開關汲極電極177a與開關源極電極176a相面對，以及驅動汲極電極177b與驅動源極電極176b相面對。
每個開關汲極電極177a與驅動汲極電極177b經由汲極接觸孔62與汲極區1357連接。開關汲極電極177a經由位於層間絕緣層160之接觸孔63延伸以與第一電容電極128及驅動閘極電極125b電性連接。
第二電容電極178自驅動電壓線172突出，以與第一電容電極128重疊。因此，第一電容電極128和第二電容電極178與作為介質材料的層間絕緣層160形成儲存電容器Cst。
開關半導體層135a、開關閘極電極125a、開關源極電極176a與開關汲極電極177a形成開關電晶體T1。同時，驅動半導體層135b、驅動閘極電極125b、驅動源極電極176b與驅動汲極電極177b形成驅動電晶體T2。開關電晶體T1和驅動電晶體T2對應於開關元件。
鈍化層180形成於開關源極電極176a、驅動源極電極176b、開關汲極電極177a與驅動汲極電極177b上。
像素電極710形成於鈍化層180上。像素電極710可包含例如，透明導電材料如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)等，或如鋰、鈣、氟化鋰/鈣(lithium fluoride/calcium)、氟化鋰/鋁(lithium fluoride/aluminum)、鋁、銀、鎂、金等之反射金屬。
像素電極710經由於鈍化層180的接觸孔181與驅動電晶體T2之驅動汲極電極177b電性連接，且成為有機發光元件70之陽極。
像素定義層350形成於鈍化層180與像素電極710之邊界部分上。像素定義層350包含露出像素電極710之開口。像素定義層350包括基於例如，聚丙烯酸酯或聚亞醯胺的樹脂、或二氧化矽類無機材料。
有機發光層720形成於像素定義層350之開口。有機發光層720可以包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)及/或電子注入層(EIL)的多層結構。當上述所述之層均包含時，HIL可設置於作為陽極的像素電極710上，且HTL、發光層、ETL與EIL可依序層疊於其上。
有機發光層720可包含發出紅色光的紅色有機發光層、發出綠色光的綠色有機發光層及/或發出藍色光的藍色有機發光層。紅色有機發光層、綠色有機發光層與藍色有機發光層分別形成於紅色子像素、綠色子像素與藍色子像素上，以實現彩色影像。
紅色有機發光層、綠色有機發光層與藍色有機發光層可分別於每個像素之紅色子像素、綠色子像素與藍色子像素中一體地層疊於有機發光層720上，因而實現彩色影像。
在另一實施方式中，發出白光的白色有機發光層形成在所有的紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素上。紅色濾色器、綠色濾色器與藍色濾色器可分別形成於該像素，以實現彩色影像。當彩色影像藉由白色有機發光層與濾色器實現時，則不需用於沈積各個像素上之紅色有機發光層、綠色有機發光層與藍色有機發光層，即，紅色子像素，綠色子像素和藍色子像素的沈積遮罩。
在另一實施方式中，白色有機發光層可形成為具有單一有機發光層，亦可進一步包含其中由複數個有機發光層層疊以發出白光的配置。例如，可進一步包含其中將至少一黃色有機發光層和至少一藍色有機發光層組合以發 出白光的配置、其中將至少一青色有機發光層和至少一紅色有機發光層組合以發出白光的配置、以及其中將至少一紫紅色有機發光層和至少一個綠色有機發光層組合以發出白光的配置。
共用電極730形成於像素定義層350與有機發光層720上。共用電極730可包含例如，透明導電材料如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)等，或如鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、銀、鎂、金等之反射金屬。共用電極730可為有機發光元件70之陰極。像素電極710、有機發光層720與共用電極730形成有機發光元件70。保護膜可形成於共用電極730上，以保護有機發光元件70。
在一實施方式中，第一配線至第三配線連接至像素形成板1110上之像素PX1、PX2、PX3與PX4，且亦可形成於橋部1130上。例如，連接於像素PX1、PX2、PX3與PX4之複數條配線可分別通過橋部延伸至像素形成板。
請再參照第5圖。第一配線可通過於第一像素形成板1111上的像素PX1在第一方向上延展。第一配線形成於第一橋部1131上且可連接至第二像素形成板1113之像素PX2。例如，第一配線通過第一像素形成板1111，第一橋部1131與第二像素形成板1113在第一方向上延伸。
在一實施方式中，第一配線對應於用於傳輸掃描訊號之前述閘極線121。如第10圖所示，閘極線121實質上在列方向上延伸，且可對應於第一配線。例如，閘極線121可經由連接於像素形成板的橋部分別連接至像素。
第二配線與第三配線經由位於第一像素形成板1111上的像素PX1在第二方向延伸，且可形成於第二橋部1133上。第二配線與第三配線可連接 至第三像素形成板1115之像素PX3。例如，第二配線與第三配線經由第一像素形成板1111、第二橋部1133與第三像素形成板1115延伸。
在一實施方式中，第二配線與第三配線可分別對應於用於傳輸數據訊號之前述數據線171與用於傳輸驅動電壓之前述驅動電壓電172。如第10圖所示，數據線171與驅動電壓線172實質上在行方向上延伸，且可分別對應於第二配線與第三配線。例如，數據線171與驅動電壓線172可經由連接至像素形成板之橋部分別連接於像素。
第7圖繪示第6圖之B區域中的應變的例子，且第8圖根據橋部的位置繪示應變變異之例子的圖。更具體地說，第7圖說明當第一像素形成板1111與第二像素形成板1113於相對側方向移動時，測量發生於第一橋部1131之區域之例示結果。第8圖說明基於參考點S沿著對應於外部圓周方向的d軸測量第一橋部1131上的應變之結果。
請參照第7圖，當第一像素形成板1111與第二像素形成板1113在相反方向上移動時，發生於第一橋部1131之應變將依據位置而改變。應變是每單位長度之長度變異率(%)之測量。例如，第7圖其中應變的a、b、c與d各自區域為相等，且應變由a區域朝向b區域、c區域與d區域減少。
第一橋部1131上之應變更接近參考點S而增加。也就是說，應變基於曲率的預定半徑而更接近第一橋部1131之中心而增加。例如，基於通過第一橋部1131之寬度中心之中心線，位於中心線的內側上之應變大於該中心線外側之應變。
請參照第8圖，應變係基於第7圖之參考點S沿著d軸更接近外側而快速地遞減。
基於第7圖與第8圖之測量結果，當第一像素形成板1111與第二像素形成板1113於相反側方向上移動時，於第一橋部1131中發生在內側的形變大於外側。因此，形成在第一橋部1131上的第一配線基於中心線設置於橋部1130之外側。
請參照第13圖，如閘極線121之第一配線可基於中心線CL設置於中心線CL之外側，其中該中心線通過第一橋部1131之寬度中心。如上所述，因為第一配線設置於外側，其應變相對較小，第一配線可免於因第一像素形成板1111與第二像素形成板1113的重複移動而斷裂或破裂。
在一實施方式中，第一配線可均一地設置於橋部1130。然而，虛擬配線800可位於中心線CL的內側。在此情況下，虛擬配線800上之應變可大於第一配線上之應變。
請參照第14圖與第15圖，虛擬配線800可位於中心線CL的內側之第一配線之上或之下。例如，第14圖所示，第一配線可均一地疊層，且虛擬配線800可額外地疊層於中心線CL內側的第一配線上。再者，如第15圖所示，虛擬配線800疊層於中心線CL的內側，且第一配線可均一地疊層於虛擬配線800之上。
在一實施方式中，第一配線可均一地於橋部1130上。然而，如第16圖所示，虛擬配線800可額外地置於橋部1130之中心區域。虛擬配線800之長度可由橋部1130之內側朝向其外側而變短。再者，虛擬配線800上之應變大於第一配線之應變。橋部1130之內側係為一區域，其位於彎曲的橋部1130之曲率半徑之中心。且橋部1130之外側係為除了中心區域之外的其餘區域。
在一實施方式中，於橋部1130上的第二配線與第三配線之中，位於中心線CL之外側之配線具有相對小的應變。此外，在第二配線與第三配線之 中，位於中心線CL之內側之配線具有相對大的應變。因此，具有相對大的應變之配線設置於中心線CL之內側，且具有相對小的應變之配線設置於中心線CL之外側，所以第二配線與第三配線可免於因第一像素形成板1111與第二像素形成板1113的重複移動而斷裂或破裂。
例如，請參照第17圖，第二配線可設置於中心線CL之內側，且第三配線可設置於中心線CL之外側。在一實施方式中，第二配線與第三配線分別對應於數據線171與驅動電壓線172。第二配線可包含金屬，其具有大於第三配線的應變。
在一實施方式中，感測電晶體900可設置於像素形成板1110上，其用於測量橋部1130上之第一配線至第三配線之應變。例如，請參照第18圖，為了偵測第二配線上之應變，感測電晶體900可連接至第二配線，以測量第二配線之電阻。感測電晶體900可例如為用於測量金屬之電阻之感測電晶體。
第19圖、第20圖及第21圖係為像素形成板上的子像素配置圖之例子。如上所述，於各個像素形成板1110上之像素PX可包含複數個子像素。在此情況下，紅色子像素R、綠色子像素G與藍色子像素B可以不同形式設置於各個像素PX。在另一實施方式中，至少一像素PX可形成於每個像素形成板上，例如，包含紅色子像素、綠色子像素與藍色子像素的複數個像素PX可形成於每個像素形成板上。
請參照第19圖，綠色子像素G位於像素形成板1110之中心且在第二方向延伸。藍色子像素B與紅色子像素R可設置於綠色子像素G之相反側。
請參照第20圖，一對綠色子像素G可以與第一方向成一預定角度而彼此分開。藍色子像素B與紅色子像素R可基於第二方向而與一對綠色子像素G對稱。
請參照第21圖，第一藍色子像素B1與紅色子像素R可於第一方向上彼此分開。綠色子像素G與第二藍色子像素B2可於第二方向上彼此分開。在一實施方式中，第一藍色子像素B1與第二藍色子像素B2可發出具有不同波長之光線。
第22圖係為OLED顯示器之基層之另一實施方式之俯視圖。請參照第22圖，OLED顯示器與前述實施方式的OLED顯示器不同在於基層的結構。
如第4圖所示，在前述實施方式之OLED顯示器中，第一橋部1131係沿第二方向往上彎曲。此外，連接第一像素形成板1111與第二像素形成板1113的第一橋部1131連接至第一翼板1111b與第三翼板1113b。
然而，如第22圖所示，於此實施方式中，第一橋部1131"沿第二方向往下彎曲。此處，第二方向之往上與往下彎曲是在第一橋部的曲線形狀之間的區別運用於第4圖與第22圖的概念性位置。在此情況下，第二方向之往上彎曲表示由第一像素形成板1111與1111"朝向第三像素型成版1115與1115"之方向。第二方向之往下彎曲表示由第三像素型成版1115與1115"朝向第一像素形成板1111與1111"之方向。
第一像素形成板至第三像素形成板1111"、1113"及1115"之配置可與前述實施方式之第一像素形成板至第三像素形成板1111、1113及1115相同。亦如前述實施方式，第一橋部1131"可具有一預定寬度。此外，第一橋部1131"可以預定之曲率半徑彎曲。
請參照第22圖，第一橋部1131"連接於第一像素形成板1111"之第二翼板1111c"與第二像素形成板1113"之第四翼板1113c"。第一橋部1131"與彼此面對的第四翼板1113c"與第二翼板1111c"之端部結合。例如，第二翼板1111c"位於四邊形之第一主支撐板1111a"之上部，且第四翼板1113c"位於四邊形之第二主支撐板1113a"之上部。沿第二方向向下彎曲之第一橋部1131"與彼此面對之第二翼板1111c"與第四翼板1113c"之每個端部結合。
在此實施方式中，第一缺口槽30a"形成於第一像素形成板1111"以相鄰於與第一橋部1131"連接之區域。例如，第一缺口槽30a"可位於第一像素形成板1111"與第一橋部1131"之間。例如，第一缺口槽30a"位於第一像素形成板1111"之第二翼板1111c"之一側端部與第一橋部1131"之間。第一缺口槽30a"可防止第一像素形成板1111"免於因發生在第一翼板1111b"之一側端部與第一橋部1131"之間的應力作用而損壞。
如第22圖所示，若第一缺口槽30a"並未形成於第一像素形成板1111"之第一翼板1111b"與第一橋部1131"之間，且以與第一翼板1111b"及第一橋部1131"相同的材料填補於第一缺口槽30a"之區域，第一橋部1131"可被變形，而使應力集中於該區域。因此，破裂將可發生於此區域。此外，可能損壞層疊於第一像素形成板1111"上之像素。
除此之外，第二缺口槽30b"形成於第二像素形成板1113"以相鄰於與第一橋部1131"連接之區域。例如，第二缺口槽30b"可位於第二像素形成板1113"與第一橋部1131"之間。例如，第二缺口槽30b"位於第二像素形成板1113"之第三翼板1113b"之一側端部與第一橋部1131"之間。與第一缺口槽30a"類似， 第二缺口槽30b"可防止第二像素形成板1113"免於因發生在第三翼板1113b"之一側端部與第一橋部1131"之間的應力而損壞。
除此之外，與前述第一缺口槽30a"與第二缺口槽30b"相似，第四缺口槽50b"可形成於第一像素形成板1111"以相鄰於與第二橋部1133"連接之區域。此外，第三缺口槽50a"可形成於第三像素形成板1115"以相鄰於與第二橋部1133"連接之區域。
第23圖係為OLED顯示器之基層之另一實施方式之俯視圖。第24圖繪示第23圖之C區域之放大圖。第25圖繪示第一配線至第三配線連接於第24圖之基層上之各個像素之例子。在第23圖至第25圖中，OLED顯示器與前述初始實施方式之OLED顯示器不同在於基層的結構。
如第4圖所示，於前述之初始實施方式之OLED顯示器中，缺口槽30a、30b、50a、50b形成於像素形成板1111、1113及1115以相鄰於與橋部1131與1133連接之區域。然而，在此實施方式之OLED顯示器中，如第23圖與第24圖所示，缺口槽並未形成於像素形成板1111'、1113'、1115'以相鄰於與橋部1131'及1133'連接之區域。亦即，此實施方式之OLED顯示器不同在於不論缺口槽是否形成於基層。
根據上述之第二實施方式，第一像素形成板1111'與第二像素形成板1113'排列於第一方向上。此外，第一像素形成板1111'與第三像素形成板1115'排列於第二方向上。於此情況下，第一像素形成板1111'與第二像素形成板1113'藉由第一橋部1131'連接，且第一像素形成板1111'與第三像素形成板1115'藉由第二橋部1133'連接。
例如，第一像素形成板1111'包含第一主支撐板1111a'、第一翼板1111b'與第二翼板1111c'。
第一主支撐板1111a'可具有位於第一像素形成板1111'之中心區域的實質上四邊形形狀。此外，第一翼板1111b'與第二翼板1111c'形成於第一像素形成板1111'之側表面，並與連接像素形成板彼此的橋部結合。第二翼板1111c'設置於第一主支撐板1111a'以相鄰於第一翼板1111b'。在第24圖中，於第一主支撐板1111a'與第一翼板1111b'及第二翼板1111c'之間之虛線係為區分主支撐板與翼板之間的虛擬線。
在此情況下，第一翼板1111b'與第二翼板1111c'設置於第一像素形成板1111'的側表面，其可形成為具有實質上三角形。如第24圖所示，由於第一翼板1111b'與第二翼板1111c'可形成為具有三角形形狀，因此缺口槽並未形成於第一橋部1131'與第二翼板1111c'之間。
與前述之第一像素形成板1111'類似，第二像素形成板1113'與第三像素形成板1115'之翼板也可形成為具有三角形，且缺口槽並未形成於第二像素形成板1113'及第三像素形成板1115'與橋部之間。
請參照第25圖，在此實施方式中，連接至形成於像素形成板1110'上之像素PX1'、PX2'、PX3'及PX4'之第一配線至第三配線121'、171'及172'可形成於橋部1131'、1133'與1135'上。例如，與第一實施方式相同方式，連接於像素PX1'、PX2'、PX3'與PX4'之複數個配線可分別經由橋部1131'、1133'與1135'往像素形成板延伸。
例如，第一配線121'，其經由形成於第一像素形成板1111'上之像素PX1'在第一方向延伸，其形成於第一橋部1131'上。此外，第一配線121'可連接 至第二像素形成板1113'之像素PX2'。例如，第一配線121'可形成為經由第一像素形成板1111'、第一橋部1131'與第二像素形成板1113'於第一方向上延伸。
第二配線171'與第三配線172'，其經由形成於第一像素形成板1111'上之像素PX1'在第二方向延伸，其形成於第二橋部1133'上。此外，第二配線171'與第三配線172'可連接至第三像素形成板1115'之像素PX3'。例如，第二配線171'與第三配線172'形成為經由第一像素形成板1111'、第二橋部1133'與第三像素形成板1115'而延伸。
在此實施方式中，通過第一橋部1131'或第二橋部1133'之第一配線至第三配線121'、171'與172'可與第13圖至第17圖中的實施方式相同，設置於第一橋部1131'或第二橋部1133'中。由於第一配線至第三配線121'、171'與172'以前述之結構設置，因此可防止第一配線至第三配線121'、171'與172'因第一像素形成板至第三像素形成板1111'、1113'與1115'的重複移動而斷裂或破裂。
文中已經揭露例示性實施例，而儘管使用特定的術語，這些使用語只用於一般性及描述性的解釋及理解，而不意圖為限制。於部分例子中，對於本申請所述技術領域中具有通常知識者顯而易知的是，除非具體指出，否則結合特定實施例描述的特徵、特性、與/或元件，可能為個別地使用或與結合其他實施例的特徵、特性、與/或構件組合使用。因此，將為所屬技術領域中具有通常知識者所了解的是，可進行形式及細節上的各種變更而不脫離如申請專利範圍所定義之本發明的精神與範疇。
100:基板
BR:橋部
IS:島
PX:像素
P:距離

Claims (38)

  1. 一種有機發光二極體顯示器，其包含：一可拉伸基板；複數個像素形成板，係位於該可拉伸基板上且彼此分隔；一第一像素與一第二像素，係各自位於該複數個像素形成板之一第一像素形成板與一第二像素形成板上以在一第一方向上相鄰，該第一像素形成板與該第二像素形成板係藉由一第一橋部連接；以及一缺口槽，係位於該第一像素形成板與該第二像素形成板且相鄰於連接至該第一橋部的區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一橋部係在與該第一方向交叉的一第二方向上彎曲。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一橋部具有一預定寬度。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一橋部具有一預定的曲率半徑。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一橋部係沿該第二方向向上彎曲。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一像素形成板包含：一第一主支撐板； 一第一翼板，係位於該第一主支撐板的一側表面上，其中該第一翼板的一側端部與該第一橋部連接；以及一第二翼板，係位於該第一主支撐板的另一側表面上且相鄰於該第一翼板的一側端部；其中，一第一缺口槽係形成在該第二翼板的一側端部與該第一橋部之間。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二像素形成板包含：一第二主支撐板；一第三翼板，係位於該第二主支撐板的一側表面，以與該第一像素形成板的該第一翼板相對，該第三翼板之一側端部與該第一橋部連接；以及一第四翼板，係位於該第二主支撐板的另一側表面上且相鄰於該第三翼板的該側端部；其中，一第二缺口槽係形成在該第四翼板的一側端部與該第一橋部之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其更包含：一基層，其包含：一第三像素形成板，係於該第二方向上與該第一像素形成板相鄰；一第三像素，係位於該第三像素形成板上；以及一第二橋部，係連接該第一像素形成板與該第三像素形成板。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第三像素形成板包含：一第三主支撐板；一第五翼板，係位於該第三主支撐板的一側表面，以與該第一像素形成板的該第二翼板相對，該第五翼板之一側端部與該第二橋部連接；以及一第六翼板，係位於該第三主支撐板的另一側表面上，以相鄰於該第五翼板的該側端部，其中該第二橋部與該第一像素形成板之該第二翼板的另一側端部連接，其中，一第三缺口槽係形成在該第六翼板的一側端部與該第二橋部之間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機發光二極體顯示器，其更包含：複數個第一配線、第二配線及第三配線，係位於該第一像素形成板上且與該第一像素連接，其中該第一配線係經由該第一橋部之一上側連接至該第二像素形成板之該第二像素。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一配線於該第一橋部之一長度方向延伸，且穿過該第一橋部之中心而設置於該第一橋部之一中心線的外側。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光二極體顯示器，其更包含： 複數個虛擬配線，係位於該第一橋部上且設置於該第一配線之上或之下，以與部分的該第一配線重疊，其中該虛擬配線的應變係大於該第一配線的應變。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器，其中該虛擬配線於該第一橋部之一長度方向延伸，且穿過該第一橋部之中心而設置於該第一橋部之一中心線的內側。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之有機發光二極體顯示器，其中該虛擬配線的長度由該第一橋部的內側往該第一橋部的外側減少。
  15. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光二極體顯示器，其更包含：一感測電晶體，其位於各該像素形成板上且與該第一配線至該第三配線中的至少一個連接，以測量該第一配線至該第三配線中的至少一個之應變。
  16. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一配線包含複數個閘極線。
  17. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二橋部於該第一方向上彎曲。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二橋部具有一預定寬度。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二橋部具有一預定的曲率半徑。
  20. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二配線與該第三配線係經由該第二橋部之上側而與位於該第三 像素形成板上之該第三像素連接。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之有機發光二極體顯示器，其中基於在該第二橋部之一長度方向延伸且穿過該第二橋部之中心之該第二橋部之一中心線：具有一第一範圍之應變的該第二配線與該第三配線之一部分係設置於該中心線之外側，以及具有一第二範圍之應變的該第二配線與該第三配線之另一部分係設置於該中心線之內側，該第二範圍係大於該第一範圍。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二配線包含複數個數據線，且該第三配線包含複數個驅動電壓線。
  23. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一橋部係沿該第二方向向下彎曲。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一像素形成板包含：一第一主支撐板；一第一翼板，係位於該第一主支撐板之一側表面上；以及一第二翼板，係位於該第一主支撐板之另一側表面，其中該第二翼板之一側端部係連接至該第一橋部，其中，一第一缺口槽係形成在相鄰於該第二翼板之該側端部的該第一翼板之一側端部與該第一橋部之間。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二像素形成板包含： 一第二主支撐板；一第三翼板，係形成於該第二主支撐板之一側表面上，以與該第一像素形成板之該第一翼板相對；以及一第四翼板，係形成於該第二主支撐板之另一側表面，其中該第四翼板之一側端部與該第一橋部連接，其中一第二缺口槽係形成在相鄰於該第四翼板之該側端部的該第三翼板之一側端部與該第一橋部之間。
  26. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其更包含：複數個該第一像素；以及複數個該第二像素。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之有機發光二極體顯示器，其中該複數個第一像素與該複數個第二像素中的每一個包含至少一像素電路。
  28. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中，該第一像素與該第二像素中的每一個包含複數個子像素。
  29. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該像素形成板的每一個實質上具有一多邊形。
  30. 一種有機發光二極體顯示器，其包含：一可拉伸基板；複數個像素形成板，係位於該可拉伸基板上且彼此分隔； 一第一像素與一第二像素，係各自位於該複數個像素形成板之一第一像素形成板與一第二像素形成板以在一第一方向上相鄰；以及一第一配線、一第二配線及一第三配線，係位於與該第一像素連接的該第一像素形成板，其中該第一像素形成板與該第二像素形成板藉由一第一橋部連接，並且其中該第一配線經由該第一橋部之上側而連接至該第二像素形成板之該第二像素。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一橋部具有一預定寬度且於與該第一方向交叉的一第二方向上彎曲。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一橋部具有一預定的曲率半徑。
  33. 如申請專利範圍第31項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一配線係於該第一橋部之一長度方向延伸，且經由該第一橋部之中心而設置於該第一橋部之一中心線之外側。
  34. 如申請專利範圍第31項所述之有機發光二極體顯示器，其更包含：複數個虛擬配線，係位於該第一橋部上且於該第一配線的上方或是下方而與部分的該第一配線重疊，其中該虛擬配線係於該第一橋部之一長度方向延伸且穿過該第一橋部之中心而設置於該第一橋部之一中心線之內側，並且其中該虛擬配線的應變大於該第一配線的應變。
  35. 如申請專利範圍第30項所述之有機發光二極體顯示器，其更包含： 一基層，其包含：一第三像素形成板，係於與該第一方向交叉的一第二方向上與該第一像素形成板相鄰；以及一第二橋部，係連接該第一像素形成板與該第三像素形成板，其中該第二配線及該第三配線經由該第二橋部之上側而與位在該第三像素形成板上之一第三像素連接。
  36. 如申請專利範圍第35項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二橋部具有一預定寬度且於該第一方向上彎曲。
  37. 如申請專利範圍第36項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第二橋部具有一預定之曲率半徑。
  38. 如申請專利範圍第35項所述之有機發光二極體顯示器，其中基於在該第二橋部之一長度方向延伸且穿過該第二橋部之中心的該第二橋部之一中心線：該第二配線與該第三配線之部分係具有一第一範圍之應變且設置於該中心線之外側，以及該第二配線與該第三配線之另一部分係具有一第二範圍之應變且設置於該中心線之內側，且該第二範圍大於該第一範圍。
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