CN111181520A - 一种表面声波滤波器封装结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种表面声波滤波器封装结构，其包括一介电基板，包括一介电层、一第一图案化导电层、一第二图案化导电层及一导电连接层，其中导电连接层设于介电层内，并且电性连接分设于介电层两侧的第一图案化导电层及第二图案化导电层，且第二图案化导电层至少具有一指叉电极部；一芯片，以主动面面对于指叉电极部而设置；一高分子密封框体，设置于芯片与介电基板之间，并围设于芯片周缘，以与芯片及介电基板共同形成一密闭腔体；模封层设置于介电基板之上，并且覆盖芯片及高分子密封框体。本发明还提供表面声波滤波器封装结构的制法。
Description
技术领域
本发明是有关于一种半导体封装件及其制作方法，且特别是有关于一种表面声波滤波器封装结构及其制作方法。
背景技术
表面声波滤波器（Surface Acoustic Wave filter，SAW filter）是通信系统中常见的零组件，其运作原理为将接收的电气信号在压电材料中转化为机械波，由于机械波通过压电材料传播时发生延时，再通过输出电极将延时的机械波转换成电能信号。通过将延时输出信号组合重现的结果，即可达到过滤不必要的信号及噪声、提升收信质量的目标。
同时，由于表面声波滤波器设计灵活性大、模拟/数字兼容、群延迟时间偏差和频率选择性优良（可选频率范围为10MHz～3GHz）、输入输出阻抗误差小、传输损耗小、抗电磁干扰（EMI）性能好、可靠性、制作的器件体小量轻，其体积、重量分别是传统的陶瓷介质滤波器的1/40和1/30左右，且能实现多种复杂的功能。
不过在现行各种便携设备中，为缩小表面声波滤波器的体积，通常采取三种改进方法：第一是优化组件性能，以实现在缩小的体积设计下，仍可具有良好的功效；第二是改进组件的封装形式，舍弃传统圆形金属壳封装，改以扁平金属封装或LCCC（无引线陶瓷芯片载体）表面贴装；第三则是将不同功能的表面声波滤波器封装在一起构成组合型组件，以减小PCB面积。
图1绘示的是现有的一种晶圆级封装（WLCSP）的表面声波滤波器封装结构的截面示意图。如图1所示，现有的表面声波滤波器封装结构包括上芯片15及下芯片11，其中导电电路12及表面声波过滤电路13设置于下芯片11。上芯片15以及下芯片11之间夹设一胶框14以形成一空间101，此空间为真空共振腔体，所述的表面声波过滤电路13即位于真空的空间101内。凸块（bump）18则通过底层金属薄膜（under bump metallurgy，UBM）17以及电镀金属薄膜16以电性连接于上芯片15的外侧表面。电镀金属薄膜16是自上芯片15的外侧表面延伸包覆胶框14、导电电路12乃至于下芯片11与导电电路12的连接处，借以电性连接凸块18、上芯片15及下芯片11。
然而，现有的晶圆级封装的表面声波滤波器封装结构在电性连接的设计上，乃先接置接合上芯片15至下芯片11后，再通过电镀工艺以于封装结构外部形成电镀金属薄膜16，如此不但无法简化制作流程，又容易让芯片在相关工艺受到污染或损坏，导至在工艺的良率控制、成本控制上，均无法获得改善。故如何开发一种得以解决上述现有技术各种缺点的工艺，以薄化产品及确保滤波效能，并降低制造成本，实为目前亟欲解决的课题之一。
发明内容
因此，本发明的目的提供一种表面声波滤波器封装结构及其制作方法，以大尺寸版面封装（panel level packaging）工艺制作表面声波滤波器封装结构，其可以薄化封装结构及确保滤波效能，并降低制造成本。
为达上述目的，本发明提供一种表面声波滤波器封装结构，其包括一介电基板、一芯片、一高分子密封框体以及一模封层。介电基板具有一介电层、一第一图案化导电层、一第二图案化导电层及一导电连接层。第一图案化导电层设置于介电基板的第一侧的介电层上。第二图案化导电层设置于介电基板的第二侧的介电层上，并至少区分为一导电电路部、一导电电极部及一指叉电极部。导电连接层设置于介电层内，并且电性连接于第一图案化导电层及第二图案化导电层。芯片具有一主动面，且芯片的主动面面向于介电基板的第二侧，并使主动面对应于第二图案化导电层的指叉电极部而设置。高分子密封框体，设置于该芯片与该介电基板之间，并围设于芯片周缘，以与芯片及介电基板共同形成一密闭腔体。模封层设置于介电基板之上，并且覆盖芯片及高分子密封框体。
于本发明的一实施例中，表面声波滤波器封装结构更包括一图案化保护层，其设置于介电基板的介电基板的第一侧，并暴露出部分的第一图案化导电层。
于本发明的一实施例中，其中高分子密封框体与芯片于一投影方向具有一封闭重叠区域。
于本发明的一实施例中，其中高分子密封框体被模封层完全包覆。在其他实施例中，高分子密封框体的侧边外露于模封层。
于本发明的一实施例中，其中芯片的主动面设置有至少一电性连接垫，其通过一导电组件而与第二图案化导电层的导电电极部电性连接。
于本发明的一实施例中，其中导电组件为一导电凸块或一锡球或一导电胶。
于本发明的一实施例中，其中导电连接层具有至少一导电柱和/或一导电盲孔。
于本发明的一实施例中，其中模封层的材质为铸模化合物。
于本发明的一实施例中，其中第一图案化导电层的一表面暴露出于介电基板的第一侧的介电层的表面。
于本发明的一实施例中，第二图案化导电层的表面突出于介电基板的第二侧的介电层的表面。在其他实施例中，第二图案化导电层的表面上再覆盖有一介电层，并且暴露出该第二图案化导电层的一表面。
另外，为达上述目的，本发明提供一种表面声波滤波器封装结构的制作方法，其包括下列步骤。步骤一形成一具有相对的一第一侧及一第二侧的介电基板于一附加电路板上，该介电基板包括有一第一图案化导电层、一介电层、一导电连接层、以及一第二图案化导电层。步骤二形成多个高分子密封框体于该介电基板的第二侧上，各高分子密封框体具有一开口以暴露部分的介电基板的第二侧。步骤三将多个芯片设置于对应的各高分子密封框体上，其中各芯片的一主动面面向该介电基板的第两侧，并且对应于各高分子密封框体的开口，以令对应的高分子密封框体、芯片与介电基板共同形成一密闭腔体。步骤四形成一模封层覆盖这些芯片及这些高分子密封框体。步骤五移除附加电路板。
于本发明的一实施例中，其中形成介电基板的步骤包括下列步骤。首先，于附加电路板的一表面形成一第一图案化导电层；而后，于附加电路板上形成一介电层，并且覆盖第一图案化导电层；而后，于介电层形成多个开口，以暴露部分的第一图案化导电层；而后，形成一导电连接层于这些开口，以及形成一第二图案化导电层于介电层及导电连接层上。
于本发明的一实施例中，其中，于形成第二图案化导电层后，还可包括形成另一介电层于该介电基板的第二侧的介电层上，并且暴露出该第二图案化导电层的一表面。
于本发明的一实施例中，其中于移除附加电路板之后还包括形成一图案化保护层于该介电基板的该第一侧，并且暴露出部分的第一图案化导电层。
于本发明的一实施例中，于移除该附加电路板之前或之后，还包括根据各芯片及各高分子密封框体的区域切割，以形成多个单一封装结构。
附图说明
图1显示现有表面声波滤波器封装结构的剖视示意图。
图2显示依据本发明较佳实施例的表面声波滤波器封装结构的剖视示意图。
图3A至图3J显示本发明较佳实施例的表面声波滤波器封装结构的制作方法的结构示意图。
图4显示表面声波滤波器封装结构的俯视图。
图5显示在表面声波滤波器封装结构的制作方法的另一实施例中，令第二图案化导电层的表面齐平于介电基板的介电层的表面的结构示意图。
图6显示依据本发明另一实施例的表面声波滤波器封装结构的剖视示意图。
图7显示在表面声波滤波器封装结构的制作方法的又一实施例中，高分子密封框体的侧边包覆于模封层的实施态样的结构示意图。
图8显示依据本发明又一实施例的表面声波滤波器封装结构的剖视示意图。
附图标记说明
11、下芯片；12 、导电电路；13、表面声波过滤电路；14、胶框；
15、上芯片；16 、电镀金属薄膜；17、底层金属薄膜；18、凸块；
101、空间；
200、400、400-1、400-2、400a、400b： 表面声波滤波器封装结构；
201、401-1、401-2：腔体；
21、41：介电基板；
211、411：第一侧；
212、412： 第二侧；
23、43：第一图案化导电层；
25、45、45a ：介电层；
27、47：导电连接层；
29、49：第二图案化导电层；
291、491： 导电电路部；
292、492 ：导电电极部；
293、493 ：指叉电极部；
31、51-1、51-2：高分子密封框体；
33、53-1、53-2：芯片；
331、531-1、531-2：主动面；
332、532 ：电性连接垫；
35、5：导电组件；
37、57：模封层；
39、59：图案化保护层；
40、附加电路板；
451、511、511a、591：开口；
51、高分子密封层；OV1、封闭重叠区域。
具体实施方式
关于本发明的优点与精神可以通过以下发明详述及所附附图得到进一步的了解。本发明较佳实施例的制造及使用详细说明如下。必须了解的是本发明提供了许多可应用的创新概念，在特定的背景技术之下可以做广泛的实施。此特定的实施例仅以特定的方式表示，以制造及使用本发明，但并非限制本发明的范围。
请参照图，依据本发明较佳实施例的表面声波滤波器封装结构200包括一介电基板21、一芯片33、一高分子密封框体31、一模封层37以及一图案化保护层39。
介电基板21具有一介电层25、一第一图案化导电层23、一第二图案化导电层29及一导电连接层27。另外，介电基板21还具有相对设置的一第一侧211及一第二侧212。
介电层25的材质可以为高填料含量介电材（high filler content dielectricmaterial），例如为铸模化合物（molding compound），其以酚醛基树脂（Novolac-BasedResin）、环氧基树脂（Epoxy-Based Resin）或硅基树脂（Silicone-Based Resin）为主要基质，其占铸模化合物的整体比例约为8 wt.%～12 wt.%，并掺杂占整体比例约70 wt.%～90wt.%的填充剂而形成。其中，填充剂可以包括二氧化硅及氧化铝，以达到增加机械强度、降低线性热膨胀系数、增加热传导、增加阻水及减少溢胶的功效。
第一图案化导电层23设置于介电基板21的第一侧211的介电层25内，且第一图案化导电层23的部分表面暴露于介电层25的表面。第一图案化导电层23可包括导电金属材料，例如铜、银、镍或其组成的合金。
第二图案化导电层29设置于介电基板21的第二侧212的介电层25的表面，并依据其作用或连接关的不同而至少区分为一导电电路部291、一导电电极部292及一指叉电极部293。与第一图案化导电层23相同，第二图案化导电层29可包括导电金属材料，例如铜、银、镍或其组成的合金。
导电连接层27设置于介电层25之内，并且电性连接于第一图案化导电层23及第二图案化导电层29。导电连接层27可以是导电柱（conductive pillar）或是导电盲孔（conductive blind hole）。导电连接层27的材料可相同或不同于第一图案化导电层23及第二图案化导电层29的导电金属材料，例如为铜。
芯片33具有一主动面331，且芯片33的主动面331面向于介电基板21的第二侧212，并使主动面331对应于第二图案化导电层29的指叉电极部293而设置。在本实施例中，芯片33为表面声波芯片（SAW chip）。另外，芯片33的主动面331还设置有多个个电性连接垫332，而芯片33则通过电性连接垫332通过导电组件35而与第二图案化导电层29的导电电极部292电性连接。其中，导电组件35可以为导电凸块、锡球或导电胶，如是导电凸块，其可以是包括金凸块（gold bump）、共晶锡铅凸块（eutectic solder bump）或高铅锡铅凸块（highlead solder bump）。
高分子密封框体31设置于芯片33与介电基板21之间，并围设于芯片33周缘，以与芯片33及介电基板21共同形成一密闭腔体201。高分子密封框体31的功效为了使得腔体201保持密封（气密）的状态，因此其材质可为具有弹性或可压缩性的高分子材料。要说明的是，于此所谓的弹性或可压缩性，非指富有弹性的材料，而是指具有低弹性系数的材料，其可包括以橡胶或树脂为基底的材料。
模封层37设置于介电基板21之上，并且覆盖芯片33及高分子密封框体31。与介电层25相同，模封层37的材质也可以为高填料含量介电材，例如为铸模化合物。
图案化保护层39设置于介电基板21的第一侧211的介电层25上，并且覆盖介电层25的表面及部分的第一图案化导电层23。其中，暴露于图案化保护层39的第一图案化导电层23可作为与外部组件（例如电路板）电性连接的电性连接垫（或称焊垫）之用。
接着，请参照图3A至图3J所示，依据本发明较佳实施例的表面声波滤波器封装结构400的制作方法包括步骤S01至步骤S11。
如图3A所示，步骤S01提供一附加电路板40，并于附加电路板40的表面上形成一第一图案化导电层43。附加电路板40可包括金属板或绝缘板。若附加电路板40采用金属板，其材质可为铜。另一方面，若附加电路板40采用绝缘板，则其材质可为陶瓷、环氧树脂（epoxyresin）、聚乙酰胺（polyimide）、氰脂（cyanate ester）、碳纤维（carbon fiber）或玻璃纤维（glass fiber）与环氧树脂所混合的材质所构成。第一图案化导电层43可包括导电金属材料，例如铜、银、镍或其组成的合金。第一图案化导电层43可配合额外的光阻层（图中未显示）执行曝光显影工序，并执行电镀工序，以将第一图案化导电层43形成于附加电路板40上。
如图3B所示，步骤S02于附加电路板40的表面上形成一介电层45，并且覆盖第一图案化导电层43。而后，于介电层45采用雷射钻孔（laser）技术形成多个开口451，以暴露出部分第一图案化导电层43。
如图3C所示，步骤S03形成一导电连接层47于如图3B所示的该些开口451中，以及形成一第二图案化导电层49于介电层45及导电连接层47上。与第一图案化导电层43类似地，导电连接层47及第二图案化导电层49亦可配合额外的光阻层（图中未显示）执行曝光显影工序，并执行电镀工序，以将导电连接层47形成于开口451中，以及将第二图案化导电层49形成于介电层45及导电连接层47上。于此，第二图案化导电层49可区分为导电电路部491、导电电极部492及指叉电极部493。
为了便于后续的叙述，于此要说明的是，上述所形成的第一图案化导电层43、介电层45、导电连接层47以及第二图案化导电层49可称的为介电基板41，其具有相对的第一侧411及第二侧412。其中，介电基板41与附加电路板40接触的一侧为第一侧411。另外，通过上述工艺所制作的介电基板41为超薄基板，其厚度不大于100微米。
接着，如图3D所示，步骤S04形成一高分子密封层（polymer layer）51于介电基板41的第二侧412上，换言之，高分子密封层51形成于介电层45及第二图案化导电层49上。
接着，如图3E所示，步骤S05于高分子密封层51以咬蚀技术形成多个开口511以暴露出部分的第二图案化导电层49，进而形成多个高分子密封框体51-1、51-2。
而后，如图3F所示，步骤S06将多个芯片53-1、53-2设置于对应的各高分子密封框体51-1、51-2上。其中，芯片53-1、53-2的主动面531-1、531-2面向介电基板41的第两侧412。在本实施例中，芯片53-1、53-2的主动面531-1、531-2还设置有电性连接垫532，其分别对应于第二图案化导电层49的导电电极部492设置，并通过对应的导电组件55而令其产生电性连接。其中，导电组件55可以为导电凸块、锡球或导电胶，其可通过印刷工艺或点胶工艺而形成。
据此，高分子密封框体51-1、51-2、芯片53-1、53-2与介电基板41之间共同形成一密闭腔体401-1、401-2，并且第二图案化导电层49的指叉电极部493位于密闭腔体401-1、401-2内。
于此，要特别说明的是，于传统的晶圆型式（wafer type）的工艺中，仅能对于形成于单一晶圆内的芯片同时进行封装工艺，其较为耗时且具有工艺上的诸多限制。相较于传统的晶圆型式的封装工艺，本发明采用大尺寸版面型式（panel level type）的封装工艺；亦即附加电路板40的面积为单一晶圆面积的多倍。据此，本发明的大尺寸附加电路板40能够对于切割自多个个晶圆的全部芯片同时进行封装工艺，而能有效节省制造时程。
接着，如图3G所示，步骤S07以铸模工艺形成一模封层57，以覆盖芯片53-1、53-2及高分子密封框体51-1、51-2。在本实施例中，模封层57的材质与介电层45的材质相同或不同，其包括高填料含量介电材（high filler content dielectric material），例如为铸模化合物（molding compound），其以酚醛基树脂（Novolac-Based Resin）、环氧基树脂（Epoxy-Based Resin）或硅基树脂（Silicone-Based Resin）为主要基质，其占铸模化合物的整体比例约为8 wt.%～12 wt.%，并掺杂占整体比例约70 wt.%～90 wt.%的填充剂而形成。其中，填充剂可以包括二氧化硅及氧化铝，以达到增加机械强度、降低线性热膨胀系数、增加热传导、增加阻水及减少溢胶的功效。
接着，如图3H所示，步骤S08移除附加电路板40。
接着，如图3I所示，步骤S09形成一图案化保护层59于介电基板41的第一侧411，以完成表面声波滤波器封装结构400的制作。换言之，图案化保护层59形成于介电层45及第一图案化导电层43上。其中，图案化保护层59的开口591可通过雷射钻孔技术完成。
最后，如图3J所示，步骤S10将如图3I所示的封装结构400切割成各个独立的表面声波滤波器封装结构400-1、400-2。
承上所述，请参照图4所示并搭配上述，以表面声波滤波器封装结构400-1为例，本发明的表面声波滤波器封装结构400-1的高分子密封框体51-1与芯片53-1于一正投影方向（例如俯视）具有一封闭重叠区域OV1。封闭重叠区域OV1的作用在于，在形成上述模封层57的过程中，模封层57的原料不会溢到密闭腔体401-1中，而破坏了腔体结构。
请再参照图2，在前述的实施例中可以观察到，第一图案化导电层23的表面齐平于介电基板21的第一侧211的介电层25的表面；第二图案化导电层29的表面突出于介电基板21的第二侧212的介电层25的表面。在其他实施例中，第一图案化导电层的表面可突出于介电基板的第一侧的介电层的表面，而第二图案化导电层的表面可齐平于介电基板的第二侧的介电层的表面。
以下，请再参照图5及图6，以简单说明第二图案化导电层的表面齐平于介电基板的第二侧的介电层的表面的实施态样。
如图5所示，其接续于前述实施例的图3C所述的步骤S03之后执行，于此，在形成第二图案化导电层49之后，再形成另一介电层45a于介电层45及第二图案化导电层49上。而后，再以研磨工序减薄介电层45a的厚度，并且暴露出第二图案化导电层49的表面，使其与介电层45a的表面齐平。而在此步骤之后，则继续执行步骤S04，其后续步骤则不再多加赘述。
据此所制成的表面声波滤波器封装结构如图6所示，表面声波滤波器封装结构400a的第二图案化导电层49的表面齐平于介电基板41的第两侧412的介电层45a的表面。进一步而言，第二图案化导电层49的表面、介电层45a的表面以及高分子密封框体51-1的表面，实质上同一平面。
再者，在前述的实施例中可以观察到，切割后的表面声波滤波器封装结构的高分子密封框体的侧边外露于模封层。在其他实施例中，高分子密封框体的侧边亦可包覆于模封层中，以避免芯片与高分子密封框体的接合处劣化而延着产生龟裂分离的情事。
以下请再参照图7及图8所示，以简单说明高分子密封框体的侧边包覆于模封层的实施态样。
如图7所示，其接续于前述实施例的图3D所述的步骤S04之后执行。于此，于高分子密封层51以咬蚀技术形成多个开口511以及开口511a以暴露出部分的第二图案化导电层49。而在此之后，则接续执行上述步骤S06至步骤S10，以形成如图8所示的表面声波滤波器封装结构400b，其高分子密封框体51-1的侧边包覆于模封层57中。
综上所述，将本发明的表面声波滤波器封装结构及其制作方法达成的功能特征列举如下：
01.通过大尺寸版面工艺，可以对多个晶圆的芯片同时批量进行工艺，以提高生产效率，因此相较于现有的WLCSP技术，本发明的批次产量可以是现有技术的倍数，而可大幅提升工艺效率并有效降低成本。
02.本发明使用高分子材料作为高分子密封框体，搭配模封层包覆芯片，可以提升整体的结构刚性，以及密封性，因而可应用于较差的工作环境，改善可靠度及效能。
03.本发明其中接置接合芯片33之后，随即通过模封层37将芯片33包覆封装，故能确保芯片33于后续工艺不会受到污染或损坏，因此可以有效提升整体生产合格率。
04.通过薄型化的介电基板21、41取代传统表面声波滤波器封装结构的下芯片11，能确实有效薄型化表面声波滤波器封装结构，借以完全满足弹性化的应用环境需求。
显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
Claims (15)
1.一种表面声波滤波器封装结构，其特征在于，包括：
一介电基板，其包括一介电层、一第一图案化导电层、一第二图案化导电层及一导电连接层，该介电层包括相对的一第一侧及一第二侧，该第一图案化导电层设置于该介电层内，且该第一图案化导电层的一表面自该介电层的该第一侧暴露出来，该第二图案化导电层设置于该介电层的该第二侧之上，并至少区分为一导电电路部、一导电电极部及一指叉电极部，该导电连接层设置于该介电层内，并且电性连接于该第一图案化导电层及该第二图案化导电层；
一芯片，具有一主动面，该芯片以该主动面面向于该介电基板的该第二侧，且该主动面对应于该第二图案化导电层的该指叉电极部设置；
一高分子密封框体，设置于该芯片与该介电基板之间，并围设于该芯片周缘，以与该芯片及该介电基板共同形成一密闭腔体；以及
一模封层，设置于该介电基板之上，并且覆盖该芯片及该高分子密封框体。
2.如权利要求1所述的表面声波滤波器封装结构，其特征在于，该封装结构还包括：一图案化保护层，设置于该介电基板的该介电层的该第一侧，并暴露出部分的该第一图案化导电层。
3.如权利要求1所述的表面声波滤波器封装结构，其特征在于，该高分子密封框体与该芯片于一投影方向具有一封闭重叠区域。
4.如权利要求1所述的表面声波滤波器封装结构，其特征在于，该高分子密封框体被该模封层完全包覆。
5.如权利要求1所述的表面声波滤波器封装结构，其特征在于，该高分子密封框体的侧边还外露于该模封层。
6.如权利要求1所述的表面声波滤波器封装结构，其特征在于，该芯片的该主动面设置有至少一电性连接垫，其通过一导电组件而与该第二图案化导电层的该导电电极部电性连接。
7.如权利要求6所述的表面声波滤波器封装结构，其特征在于，该导电组件为一导电凸块或一锡球或一导电胶。
8.如权利要求1所述的表面声波滤波器封装结构，其特征在于，该导电连接层具有至少一导电柱和/或一导电盲孔。
9.如权利要求1所述的表面声波滤波器封装结构，其特征在于，该模封层的材质为铸模化合物。
10.如权利要求1所述的表面声波滤波器封装结构，其特征在于，该第二图案化导电层设于该介电层内，且该第二图案化导电层的一表面暴露于该介电层的该第二侧的表面。
11.一种表面声波滤波器封装结构的制作方法，其特征在于，包括：
形成一具有相对的一第一侧及一第二侧的介电基板于一附加电路板上，该介电基板包括一第一图案化导电层、一介电层、一导电连接层、以及一第二图案化导电层；
形成多个高分子密封框体于该介电基板的该第二侧上，各高分子密封框体具有一开口以暴露该介电基板；
将多个芯片设置于对应的各高分子密封框体上，其中各芯片的一主动面面向该介电基板的该第二侧，并且对应于各高分子密封框体的该开口，以使得对应的该高分子密封框体、该芯片与该介电基板共同形成一密闭腔体；
形成一模封层覆盖这些芯片及这些高分子密封框体；以及
移除该附加电路板。
12.如权利要求11所述表面声波滤波器封装结构的制作方法，其特征在于，形成该介电基板的步骤，包括：
于该附加电路板的一表面形成该第一图案化导电层；
于该附加电路板上形成该介电层，并且覆盖该第一图案化导电层；
于该介电层形成多个开口，以暴露部分的该第一图案化导电层；
形成该导电连接层于这些开口；以及
形成该第二图案化导电层于该介电层及该导电连接层上，且该第二图案化导电层并至少区分为一导电电路部、一导电电极部及一指叉电极部。
13.如权利要求12所述表面声波滤波器封装结构的制作方法，其特征在于，于形成该第二图案化导电层后，还包括：
形成另一介电层于该介电层与该第二图案化导电层上，并且暴露出该第二图案化导电层的一表面。
14.如权利要求11所述表面声波滤波器封装结构的制作方法，其特征在于，于移除附加电路板之后，还包括：形成一图案化保护层于该介电基板的该第一侧，并暴露出部分的该第一图案化导电层。
15.如权利要求11所述表面声波滤波器封装结构的制作方法，其特征在于，于移除该附加电路板之前或之后，还包括：
根据各芯片及各高分子密封框体的区域切割，以形成多个单一封装结构。
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