CN116803002A - 芯片封装结构及芯片封装方法、电子设备 - Google Patents
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Abstract
一种芯片封装结构，包括基板、倒装在所述基板上的裸片、位于所述基板和所述裸片之间的至少一个导电凸点和导电的密封圈。裸片朝向所述基板的表面上设置有功能元件。导电凸点电性连接所述裸片和所述基板。密封圈使所述功能元件与所述基板相互间隔，且密封圈环绕功能元件形成封闭的圈状，使基板和所述裸片之间形成一个封闭的空腔。本申请还提供应用该芯片封装结构的电子设备和芯片封装结构的制备方法。本申请的芯片封装结构，在裸片与基板之间本来就需要设置导电凸点实现裸片与基板的电性连接的空间中，设置封闭圈状的密封圈使所述裸片与所述基板之间形成封闭的空腔以避免对所述功能元件造成损伤，简化了所述芯片封装结构。
Description
本申请涉及一种芯片封装结构、芯片封装方法、应用该芯片封装结构的电子设备。
手机中通常设置有多个滤波器以对多个频段的2G、3G、4G和5G等无线接入方式的发送和接收路径进行滤波，同时要滤波的还包括：Wi-Fi、蓝牙和GPS接收器的接收路径。目前手机中常用的两种滤波器包括表面波滤波器(Surface Acoustic Wave Filter，SAWF)和体波滤波器(Bulk Acoustic Wave Filter，BAWF)。如图1A所示，SAWF为压电材料的基体61上设置有收端和发端两个交错叉指换能器(Interdigital Transducer，IDT)63；输入电信号加在发端换能器63上，由于基体61的压电效应，将电信号转换成在基体61表面传播的声信号，称为表面声波；声信号传播至收端换能器63，再转换成电信号输出给负载；在电-声-电转换和声传递过程中，完成对输入信号的滤波。如图1B所示，BAWF为石英或硅衬底71的相对两侧分别设置电极73以及位于两个电极73之间的压电材料(图未示)。与SAWF不同，声波在BAWF中是垂直传播，贴嵌于衬底71两侧的电极73对声波实施激励，使声波从顶部表面反弹至底部，以形成驻声波。
声波滤波器的功能元件，例如叉指换能器或表面电极等，表面状况改变，例如毁损、残留物、薄膜结构改变等，皆会影响声波滤波器的特性。现有的声波滤波器的封装技术皆使用不伤害功能表面的金球、锡球或利用晶圆键合，再在声波滤波器表面设置注塑材料、胶膜材料等与声波滤波器形成空腔以达到不伤害元件功能表面的目的。然而，注塑材料、胶膜材料等的设置会导致声波滤波器的封装厚度增加。
发明内容
第一方面，本申请提供一种芯片封装结构，包括：
基板；
裸片，倒装在所述基板上，所述裸片朝向所述基板的表面上设置有功能元件；
至少一个导电凸点，位于所述基板和所述裸片之间，电性连接所述裸片和所述基板；
导电的密封圈，位于所述基板和所述裸片之间且与所述导电凸点间隔使所述功能元件与所述基板相互间隔，且所述密封圈环绕所述功能元件形成封闭的圈状，使所述基板和所述裸片之间形成一个封闭的空腔。
可以看出，第一方面提供的芯片封装结构，在裸片与基板之间本来就需要设置导电凸点实现裸片与基板的电性连接的空间中，设置封闭圈状的密封圈使所述裸片与所述基板之间形成封闭的空腔以避免对所述功能元件造成损伤，如此不需要再额外设置其他的注塑材料、胶膜材料等与所述裸片配合形成空腔，简化了所述芯片封装结构，且有效降低了所述芯片封装结构的整体厚度。
结合第一方面，在一些实施例中，所述裸片包括声波滤波器。
可以看出，声波滤波器的功能元件表面状况改变，例如毁损、残留物、薄膜结构改变， 皆会影响元件特性，因此封装过程中需重点保护声波滤波器功能元件，通过所述密封圈的设置可有效保护所述声波滤波器裸片的功能元件，进而避免直接在声波滤波器功能元件表面直接做加工，避免影响滤波器特性。
结合第一方面，在一些实施例中，所述功能元件包括谐振器。
结合第一方面，在一些实施例中，所述裸片朝向所述基板的表面上设置有多个金属垫，所述多个金属垫包括一个封闭的圈状的金属垫和其他点状的金属垫，所述密封圈连接于封闭的圈状的所述金属垫与所述基板之间，每一个导电凸点连接于一个点状的所述金属垫与所述基板之间。
结合第一方面，在一些实施例中，所述密封圈和所述至少一个导电凸点均采用电镀工艺形成。
可以看出，采用电镀工艺，形成导电凸点实现裸片与基板的电性连接的同时形成所述密封圈，如此，可有效简化所述芯片封装结构的制备流程。
结合第一方面，在一些实施例中，所述密封圈和每一个导电凸点均包括依次层叠在所述裸片朝向所述基板的表面上的种子层和电镀层。
结合第一方面，在一些实施例中，所述种子层包括位于所述裸片上的Ti层和位于Ti层上的Cu层，所述电镀层包括依次层叠在所述种子层上的Cu层、Ni层、SnAg层。
可以看出，所述种子层中的Ti层可作为粘附层位于所述裸片的金属垫和所述电镀层之间，所述种子层中的Cu层可与所述电镀层中的Cu层结合牢固。所述电镀层的Ni层设置在所述Cu层与所述SnAg层之间防止Cu和Sn形成共晶导致脆性增大；SnAg层的设置便于后续加热熔融使密封圈与所述基板进行连接以及导电凸点与所述基板电性连接。
结合第一方面，在一些实施例中，所述基板中设置有布线结构,每一个导电凸点电性连接所述布线结构，所述基板背离所述裸片的表面设置有焊球连接所述布线结构。
第二方面，本申请提供一种芯片封装方法，包括：
提供一表面设置有功能元件的裸片；
在所述裸片具有所述功能元件的表面形成导电的密封圈和至少一个导电凸点，所述密封圈环绕所述功能元件形成封闭的圈状；
依靠所述密封圈和所述至少一个导电凸点将所述裸片倒装在一基板上，所述至少一个导电凸点位于所述裸片与所述基板之间实现所述裸片与所述基板之间的电性连接，所述密封圈位于所述裸片与所述基板之间，使所述基板和所述裸片之间形成一个封闭的空腔且使所述功能元件与所述基板相互间隔。
可以看出，第二方面提供的芯片封装方法，通过在裸片与基板之间形成导电凸点的同时形成封闭圈状的密封圈使所述裸片与所述基板之间形成封闭的空腔以避免对所述功能元件造成损伤，如此不需要再额外形成其他的注塑材料、胶膜材料等与所述裸片配合形成空腔，简化了所述芯片封装的步骤，且有效降低了所述芯片封装结构的整体厚度。
结合第二方面，在一些实施例中，提供一表面设置有功能元件的裸片的步骤包括：提供具有所述功能元件的声波滤波器裸片。
结合第二方面，在一些实施例中，提供一表面设置有功能元件的裸片的步骤包括：提供一表面设置有功能元件和多个金属垫的裸片，所述多个金属垫包括一个环绕所述功能元件且为封闭的圈状的金属垫和其他点状的金属垫。
结合第二方面，在一些实施例中，形成所述密封圈和所述至少一个导电凸点的步骤包括：
在所述裸片的具有所述功能元件的表面形成第一光阻层，所述第一光阻层完全覆盖所述功能元件且每一个金属垫相对所述第一光阻层露出；
在所述第一光阻层背离所述裸片的表面以及所述多个金属垫上形成导电的种子层；
在所述种子层上形成第二光阻层，并在所述第二光阻层对应每一个金属垫的位置形成通孔以使每一个金属垫上的种子层相对露出；
采用电镀工艺在每一个通孔中形成导电材料以连接对应的金属垫，其中连接封闭的圈状的金属垫的导电材料形成为密封圈，连接其他的金属垫的导电材料形成为导电凸点；
依次去除所述第二光阻层、未被所述密封圈和所述导电凸点覆盖的种子层、和所述第一光阻层。
可以看出，利用光阻层遮蔽保护所述功能元件并进行电镀工艺形成所述导电凸点和所述密封圈，由于所述功能元件被光阻层遮蔽并不会污染及损害所述功能元件。
结合第二方面，在一些实施例中，形成所述种子层的步骤包括依次形成层叠的Ti层和Cu层，采用电镀工艺在每一个通孔中形成导电材料的步骤包括依次形成层叠的Cu层、Ni层、SnAg层。
第三方面，本申请提供一种电子设备，其包括电路板以及设置在所述电路板上的本申请第一方面所述的芯片封装结构。
图1A和图1B为现有技术的两种声波滤波器的示意图。
图2A为本申请实施例的芯片封装结构的剖面示意图。
图2B为本申请实施例的芯片封装结构的裸片的俯视示意图。
图3为本申请实施例的芯片封装结构的密封圈的剖面示意图。
图4为本申请实施例的电子设备的示意图。
图5A为本申请实施例的芯片封装结构的制备过程的示意图一。
图5B为本申请实施例的芯片封装结构的制备过程的示意图二。
图5C为本申请实施例的芯片封装结构的制备过程的示意图三。
图5D为本申请实施例的芯片封装结构的制备过程的示意图四。
图5E为本申请实施例的芯片封装结构的制备过程的示意图五。
图5F为本申请实施例的芯片封装结构的制备过程的示意图六。
图5G为本申请实施例的芯片封装结构的制备过程的示意图七。
图5H为本申请实施例的芯片封装结构的制备过程的示意图八。
图5I为本申请实施例的芯片封装结构的制备过程的示意图九。
下面结合本申请实施例中的附图对本申请实施例进行描述。
现有的包括声波滤波器的封装结构，通常在声波滤波器的功能表面设置注塑材料、胶膜材料等与声波滤波器配合形成空腔以达到不伤害声波滤波器的功能表面的目的。然而，上述方式得到的封装结构整体厚度会较大。
鉴于此，请参阅图2A，本申请实施例的一种芯片封装结构100，包括基板10和倒装在所述基板10上的裸片30。所述裸片30朝向所述基板10的表面上设置有功能元件31。所 述裸片30可为声波滤波器裸片，但不以此为限。所述芯片封装结构100还包括导电的密封圈50和至少一个导电凸点40。每一个导电凸点40位于所述基板10和所述裸片30之间，用于电性连接所述裸片30和所述基板10。所述密封圈50也位于所述基板10和所述裸片30之间，即与所述导电凸点40设置在同一层且与所述导电凸点40相互间隔。所述密封圈50用于使所述功能元件31与所述基板10相互间隔不接触。结合参阅图2B，所述密封圈50环绕所述功能元件31形成封闭的圈状，使所述基板10和所述裸片30之间形成一个封闭的空腔101。如图2A所示，本实施例中，导电凸点40位于所述空腔101中。可以理解的，导电凸点40的位置不限于设置在空腔101中，也可设置在空腔101外；或者部分导电凸点40设置在空腔101内，部分导电凸点40设置在空腔101外。
本申请中的裸片(die)指加工厂生产出来的芯片，即晶圆经过切割测试后没有经过封装的芯片。
本申请的芯片封装结构100，在裸片30与基板10之间本来就需要设置导电凸点40实现裸片30与基板10的电性连接的空间中，设置封闭圈状的密封圈50使所述裸片30与所述基板10之间形成封闭的空腔101以避免对所述功能元件31造成损伤，如此不需要再额外设置其他的注塑材料、胶膜材料等与所述裸片30配合形成空腔101，简化了所述芯片封装结构100，且有效降低了所述芯片封装结构100的整体厚度。
所述裸片30可包括声波滤波器。当所述裸片30包括声波滤波器，则所述功能元件31包括谐振器。所述裸片30的电路(图未示)可包含声波滤波器的模块以及其他的功能模块，或者仅含有声波滤波器的模块。声波滤波器的功能元件31表面状况改变，例如毁损、残留物、薄膜结构改变，皆会影响元件特性，因此封装过程中需重点保护声波滤波器表面的功能元件31，本申请通过所述密封圈50的设置可有效保护所述裸片30的功能元件31，进而避免直接在声波滤波器功能元件31表面直接做加工，避免影响滤波器特性。
本申请中的声波滤波器可为本领域常规的声波滤波器，例如SAWF，其具有交错的叉指换能器(Interdigital Transducer，IDT)的谐振器；BAWF，其具有上下电极中间夹着压电材料的叠层结构的谐振器。
如图2A所示，所述裸片30朝向所述基板10的表面上设置有多个金属垫33，所述多个金属垫33和所述功能元件31均设置在所述裸片30的同一个表面。所述多个金属垫33包括封闭的圈状的一个金属垫33a和点状的其他金属垫33b。图2A中示出了两个点状的金属垫33b。所述密封圈50连接并位于封闭圈状的金属垫33a与所述基板10之间。每一个导电凸点40位于一个点状的金属垫33b与所述基板10之间从而电性连接所述裸片30和所述基板10。
如图2A所示，所述基板10对应连接所述密封圈50和所述导电凸点40的位置也相应设置有金属垫33。所述基板10上的金属垫33也同样包括封闭圈状的一个金属垫33a和点状的其他金属垫33b。所述密封圈50连接并位于所述裸片30上的封闭圈状的金属垫33a与所述基板10上的封闭圈状的金属垫33a之间。每一个导电凸点40连接并位于所述裸片30上的一个点状的金属垫33b和所述基板10上的一个点状的金属垫33b之间。
本实施例中，所述密封圈50和所述至少一个导电凸点40均采用电镀工艺形成。采用电镀工艺，形成导电凸点40实现裸片30与基板10的电性连接的同时形成所述密封圈50，如此，可有效简化所述芯片封装结构100的制备流程。
由于所述密封圈50和导电凸点40采用电镀工艺同时形成，其具有完全相同的剖面结构，图3中仅示意出密封圈50的剖面结构。如图3所示，所述密封圈50和每一个导电凸点40均 包括依次层叠在所述裸片30朝向所述基板10的表面上的种子层51和电镀层53。所述种子层51包括位于所述裸片30上的Ti层511和位于Ti层511上的Cu层513，所述电镀层53包括依次层叠在所述种子层51上的Cu层531、Ni层533、SnAg层535。所述种子层51的厚度通常低于所述电镀层53的厚度。由于电镀工艺的特殊性，电镀形成的层只能沉积到导电材料的表面，所以电镀工艺一般先预先形成一厚度较薄的导电的种子层51，然后再在种子层51的表面形成厚度相对较厚的电镀层53。
所述种子层51中的Ti层511可作为粘附层位于所述裸片30的金属垫33和所述电镀层53之间，所述种子层51中的Cu层513可与所述电镀层53中的Cu层531结合牢固。所述电镀层53的Ni层533设置在所述Cu层531与所述SnAg层535之间防止Cu和Sn形成共晶导致脆性增大；SnAg层535的设置便于后续加热熔融使密封圈50与所述基板10进行连接以及导电凸点40与所述基板10电性连接。
可以理解的，所述密封圈50和所述导电凸点40均不限于采用电镀工艺得到的种子层51和电镀层53的结构，也可以直接使用锡膏替代，直接采用锡膏形成所述密封圈50和所述导电凸点40。
所述基板10可为有机材质的基板、陶瓷基板、或扇出型封装基板。如图2A所示，所述基板10中设置有布线结构11。每一个导电凸点40通过所述基板10上的一个金属垫33电性连接所述布线结构11。所述基板10背离所述裸片30的表面设置有焊球13电性连接所述布线结构11，以实现信号的引出。可以理解的，本实施例中，所述密封圈50也电性连接所述布线结构11。可以理解的，所述密封圈50也可以不电性连接所述布线结构11。
如图4所示，本申请实施例还提供一种电子设备300，其包括电路板310以及设置在所述电路板310上的所述的芯片封装结构100。所述基板10可位于所述电路板310与所述裸片30之间，所述基板10的焊球13可电性连接所述电路板310。图4所示的电子设备300为一手机，但不限于手机。
结合参阅图5A至图5I，本申请还提供一种芯片封装方法，包括：
提供一表面设置有功能元件31的裸片30；
在所述裸片30具有所述功能元件31的表面形成导电的密封圈50和至少一个导电凸点40，所述密封圈50环绕所述功能元件31形成封闭的圈状；
依靠所述密封圈50和所述至少一个导电凸点40将所述裸片30倒装在一基板10上，所述至少一个导电凸点40位于所述裸片30与所述基板10之间实现所述裸片30与所述基板10之间的电性连接，所述密封圈50位于所述裸片30与所述基板10之间，使所述基板10和所述裸片30之间形成一个封闭的空腔101且使所述功能元件31与所述基板10相互间隔。
本申请的芯片封装方法，通过在裸片30与基板10之间形成导电凸点40的同时形成封闭圈状的密封圈50使所述裸片30与所述基板10之间形成封闭的空腔101以避免对所述功能元件31造成损伤，如此不需要再额外形成其他的注塑材料、胶膜材料等与所述裸片30配合形成空腔101，简化了所述芯片封装的步骤，且有效降低了所述芯片封装结构100的整体厚度。
请参阅图5A，提供一表面设置有功能元件31的裸片30的步骤包括：提供一表面设置有功能元件31和多个金属垫33的裸片30，所述多个金属垫33包括环绕所述功能元件31且为封闭圈状的一个金属垫33a和点状的其他金属垫33b。所述裸片30可为包括声波滤波器的裸片30，所述功能元件31可包括谐振器。
请参阅图5B至图5I，形成所述密封圈50和所述至少一个导电凸点40具体包括如下步 骤。
请参阅图5B，在所述裸片30的具有所述功能元件31的表面形成第一光阻层21，所述第一光阻层21完全覆盖所述功能元件31且每一个金属垫33相对所述第一光阻层21露出。所述第一光阻层21的厚度要保证完全覆盖住所述功能元件31以避免后续的加工步骤影响到所述功能元件31。所述第一光阻层21对应每一个金属垫33的位置开设有开孔211以使金属垫33露出。
请参阅图5C，在所述第一光阻层21背离所述裸片30的表面以及所述多个金属垫33上形成导电的种子层51。所述种子层51的设置使为了预先得到一较薄的导电的种子层51，后续在种子层51的相应位置形成厚度相对较厚的电镀层。
请参阅图5D，在所述种子层51上形成第二光阻层22，并在所述第二光阻层22对应每一个金属垫33的位置形成通孔221以使每一个金属垫33上的种子层51相对露出。该步骤使为了限定厚度电镀层53形成的位置，通孔221中的种子层51上将会形成电镀层。
请参阅图5E，采用电镀工艺在每一个通孔221中形成导电材料以连接对应的金属垫33，其中连接封闭圈状的金属垫33a的导电材料形成为密封圈50，连接其他的金属垫33b的导电材料形成为导电凸点40。
请参阅图5F、图5G、图5H，依次去除所述第二光阻层22、未被所述密封圈50和所述导电凸点40覆盖的种子层51、和所述第一光阻层21。
利用光阻层遮蔽保护所述功能元件31并进行电镀工艺形成所述导电凸点40和所述密封圈50，由于所述功能元件31被光阻层遮蔽并不会污染及损害所述功能元件31。
可以理解的，所述第二光阻层22中开设的通孔221的开口面积大小可以依据需要进行调整。例如，通孔221的开口面积可以小于所述金属垫33的面积，或者等于所述金属垫33的面积，或者小于所述金属垫33的面积。由于通孔221的开口大小的不同，电镀形成的导电凸点40和密封圈50的微结构会有少量的差异。
形成所述种子层51的步骤包括依次形成层叠的Ti层511和Cu层513，形成所述种子层51的各层的方式可采用溅射法。采用电镀工艺在每一个通孔中形成导电材料的步骤包括采用电镀工艺依次形成层叠的Cu层513、Ni层533、SnAg层535。
所述封装方法还包括在将所述裸片30倒装在所述基板10上之前，对所述裸片30进行厚度的减薄，具体从所述裸片30设置所述功能元件31相对的表面进行厚度的减薄，如图5I所示。
将所述裸片30倒装在所述基板10上的步骤：将所述裸片30具有所述密封圈50和所述导电凸点40的表面朝向所述基板10放置并对准，使裸片30层叠在所述基板10上，然后加热使所述密封圈50和所述导电凸点40中的SnAg层535或者锡膏熔融，冷却后所述密封圈50和所述导电凸点40与所述基板10，尤其与所述基板10上的金属垫33牢固结合，从而使所述裸片30安装在所述基板10上，得到图2A所示的芯片封装结构100。
需要说明的是，以上仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内；在不冲突的情况下，本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (14)
- 一种芯片封装结构，其特征在于，包括：基板；裸片，倒装在所述基板上，所述裸片朝向所述基板的表面上设置有功能元件；至少一个导电凸点，位于所述基板和所述裸片之间，电性连接所述裸片和所述基板；导电的密封圈，位于所述基板和所述裸片之间且与所述导电凸点间隔使所述功能元件与所述基板相互间隔，且所述密封圈环绕所述功能元件形成封闭的圈状，使所述基板和所述裸片之间形成一个封闭的空腔。
- 根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述裸片包括声波滤波器。
- 根据权利要求1或2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述功能元件包括谐振器。
- 根据权利要求1至3中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述裸片朝向所述基板的表面上设置有多个金属垫，所述多个金属垫包括一个封闭的圈状的金属垫和其他点状的金属垫，所述密封圈连接于封闭的圈状的所述金属垫与所述基板之间，每一个导电凸点连接于一个点状的所述金属垫与所述基板之间。
- 根据权利要求1至4中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述密封圈和所述至少一个导电凸点均采用电镀工艺形成。
- 根据权利要求5所述的芯片封装结构，其特征在于，所述密封圈和每一个导电凸点均包括依次层叠在所述裸片朝向所述基板的表面上的种子层和电镀层。
- 根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述种子层包括位于所述裸片上的Ti层和位于Ti层上的Cu层，所述电镀层包括依次层叠在所述种子层上的Cu层、Ni层、SnAg层。
- 根据权利要求1至7中任一项所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基板中设置有布线结构,每一个导电凸点电性连接所述布线结构，所述基板背离所述裸片的表面设置有焊球连接所述布线结构。
- 一种芯片封装方法，其特征在于，包括：提供一表面设置有功能元件的裸片；在所述裸片具有所述功能元件的表面形成导电的密封圈和至少一个导电凸点，所述密封圈环绕所述功能元件形成封闭的圈状；依靠所述密封圈和所述至少一个导电凸点将所述裸片倒装在一基板上，所述至少一个导电凸点位于所述裸片与所述基板之间实现所述裸片与所述基板之间的电性连接，所述密封圈位于所述裸片与所述基板之间，使所述基板和所述裸片之间形成一个封闭的空腔且使所述功能元件与所述基板相互间隔。
- 根据权利要求9所述的芯片封装方法，其特征在于，提供一表面设置有功能元件的裸片的步骤包括：提供具有所述功能元件的声波滤波器裸片。
- 根据权利要求9或10所述的芯片封装方法，其特征在于，提供一表面设置有功能元件的裸片的步骤包括：提供一表面设置有功能元件和多个金属垫的裸片，所述多个金属垫包括一个环绕所述功能元件且为封闭的圈状的金属垫和其他点状的金属垫。
- 根据权利要求11所述的芯片封装方法，其特征在于，形成所述密封圈和所述至少一个导电凸点的步骤包括：在所述裸片的具有所述功能元件的表面形成第一光阻层，所述第一光阻层完全覆盖所述功能元件且每一个金属垫相对所述第一光阻层露出；在所述第一光阻层背离所述裸片的表面以及所述多个金属垫上形成导电的种子层；在所述种子层上形成第二光阻层，并在所述第二光阻层对应每一个金属垫的位置形成通孔以使每一个金属垫上的种子层相对露出；采用电镀工艺在每一个通孔中形成导电材料以连接对应的金属垫，其中连接封闭的圈状的金属垫的导电材料形成为密封圈，连接其他的金属垫的导电材料形成为导电凸点；依次去除所述第二光阻层、未被所述密封圈和所述导电凸点覆盖的种子层、和所述第一光阻层。
- 根据权利要求12所述的芯片封装方法，其特征在于，形成所述种子层的步骤包括依次形成层叠的Ti层和Cu层，采用电镀工艺在每一个通孔中形成导电材料的步骤包括依次形成层叠的Cu层、Ni层、SnAg层。
- 一种电子设备，其包括电路板以及设置在所述电路板上的如权利要求1至8中任一项所述的芯片封装结构。
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