CN111158172A - 阵列基板单元及其制备方法、阵列基板、显示控制系统 - Google Patents

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CN111158172A CN202010043548.XA CN202010043548A CN111158172A CN 111158172 A CN111158172 A CN 111158172A CN 202010043548 A CN202010043548 A CN 202010043548A CN 111158172 A CN111158172 A CN 111158172A
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李广伟
张新彬
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Abstract

本申请公开了一种阵列基板单元及其制备方法、阵列基板、显示控制系统，所述阵列基板单元包括：衬底；波导层，设置于所述衬底上；电极层对，设置于所述衬底上，且所述波导层位于所述电极层对之间；控制电路，与所述电极层对连接，用于控制电极层对之间的电压值，以改变所述电极层对之间波导层中的光路。本申请的阵列基板单元可通过控制电路改变电极层对之间的电压值，调节该电极层对之间波导层中的光路，使阵列基板单元在不同电压值下，具有不同的显示结果。

Description

阵列基板单元及其制备方法、阵列基板、显示控制系统
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种阵列基板单元及其制备方法、阵列基板、显示控制系统。
背景技术
目前，在投影显示技术领域，LCOS(Liquid Crystal on Silicon,硅基液晶)反射式投影显示技术和DLP(Digital Light Processing,数字光学处理技术)由于高亮度、高清晰度等特点，获得广泛应用。其中，DLP显像技术通过将影像信号经过数字处理后，再将光投影出来，以产生图像，该过程需要核心元器件DMD(Digital Micromirror Device,数字微镜元件)来完成可视数字光学处理的过程。
相关技术中，DMD器件是在半导体芯片上布置一个由微镜片组成的矩阵，该些微镜片在数字驱动信号的控制下，通过光吸收器吸收不需要的光来实现影像投影，然而DMD芯片的质量要求很高、制备工艺难度大，且DMD芯片的控制器是耗材、价格高，也易造成坏点出现，一旦出现损坏极易造成整个投影仪器无法继续使用，因此有必要提出一种可替代DMD器件的显示器件。
发明内容
本申请的目的在于提供了一种阵列基板单元及其制备方法、阵列基板、显示控制系统，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。本申请的阵列基板单元，能通过控制电路改变电极层对之间的电压值，调节电极层对之间波导层中的光路，使阵列基板单元在不同电压值下，具有不同的显示结果。
根据本申请的一个方面，提供一种阵列基板单元，该阵列基板单元包括：
衬底；
波导层，设置于所述衬底上；
电极层对，设置于所述衬底上，且所述波导层位于所述电极层对之间；
控制电路，与所述电极层对连接，用于控制电极层对之间的电压值，以改变所述电极层对之间波导层中的光路。
可选地，所述波导层包括：
波导基底层；
衬底介质层，设置于所述波导基底层上；
导光介质层，覆盖所述衬底介质层；
其中，所述导光介质层的折射率大于所述衬底介质层的折射率；
优选地，位于所述电极层对之间的波导层的数量为一个或多个。
可选地，所述导光介质层是通过具有轻离子注入的铌酸锂层经退火工艺形成的铌酸锂薄层。
可选地，铌酸锂层中注入的离子可以为氦、碳、氧等离子；注入的离子的剂量为2×104ions/cm2～10×104ions/cm2；注入离子的能量在1～20MeV；离子的注入深度为1.5μm～20μm。
可选地，所述衬底的材料选自铌酸锂、掺氧化镁铌酸锂、钽酸锂、掺氧化镁钽酸锂中的任一种；
所述电极层对选自金、银、铜、铝、镁/银、锂/铝等金属电极中的任一种；
优选地，所述电极层对是通过蒸镀或印刷形成的金电极。
根据本申请的一个方面，提供一种阵列基板，包括多个上述任一项所述的阵列基板单元；
所述阵列基板是通过多个所述阵列基板单元排列连接形成的。
可选地，所述阵列基板中不同的阵列基板单元具有不同的衬底；或者，所述阵列基板中的不同的阵列基板单元位于同一衬底上。
根据本申请的一个方面，提供一种阵列基板单元的制备方法，该制备方法包括：
在衬底上形成波导层；
在所述衬底上形成电极层对，使所述波导层位于所述电极层对之间；
其中，所述电极层对与控制电路连接，通过控制电路调整电极层对之间的电压值，以改变所述电极层对之间波导层中的光路。
可选地，在衬底上形成波导层包括：
在所述衬底上提供波导基底层；
形成覆盖所述波导基底层的衬底介质层和覆盖所述衬底介质层的导光介质层；
对所述导光介质层进行构图工艺，得到所述波导层；
其中，所述导光介质层的折射率大于所述衬底介质层的折射率。
根据本申请的一个方面，提供一种显示控制系统，所述显示控制系统包括：
光源；
上述任一项所述的阵列基板单元排列形成的阵列基板；
镜头，用于投射通过所述阵列基板的光源。
可选地，所述阵列基板中的任一阵列基板单元对应一个像素；
调整控制电路对阵列基板单元中的电极层对所施加的电压值，改变所述电极层对之间波导层中光的偏转方向，以改变所述阵列基板单元对应像素的显示结果。
可选地，若所述电压值为零，所述电极层对之间波导层中的光路不偏转，则所述阵列基板单元对应的像素是亮的状态；
若所述电压值不为零，则所述电极层对之间波导层中的光路发生偏转，所述阵列基板单元对应的像素是灭的状态；
优选地，在所述电压值不为零时，所述电压值的范围为2～5V。
本申请能产生的有益效果包括：
本申请所提供的阵列基板单元及阵列基板，结构简单，能通过控制电路改变电极层对之间的电压值，使通过对应波导层中的光在外加电压的场强下发生不同程度的偏转，即可改变对应波导层中的光路，进而改变经过阵列基板单元后的光的投射结果，无需为阵列基板单元设置额外的控制器，阵列基板单元的制备材料易得，成本低，制备工艺过程简单，易操作。
具体地，通过控制阵列基板单元中电极层对之间的电压，能实现阵列基板单元对应像素的亮、灭控制；若所述电压值为零，电极层对之间波导层中的光路不偏转，则阵列基板单元对应的像素是亮的状态；若所述电压值不为零，则电极层对之间波导层中的光路发生偏转，阵列基板单元对应的像素是灭的状态。
本申请所提供的显示控制系统，在不使用DMD器件的情况下，通过控制电路改变阵列基板单元中电极层对之间的电压值，在外加场强的作用下，改变对应波导中的光的偏转方向，以实现对显示结果的控制；
进一步的，若电极层对之间的电压值为零，电极层对之间波导层中的光路不偏转，则阵列基板单元对应的像素是亮的状态；若电极层对之间的电压值不为零，则电极层对之间波导层中的光路发生偏转，通过波导层的光投射在镜头之外，则阵列基板单元对应的像素是灭的状态，通过外加电压值的调整实现像素的亮灭切换，以使像素在经组合后，实现最终图像显示结果的调整。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
图1为本申请一种阵列基板示意图；
图2A-2B分别为本申请一种阵列基板单元及阵列基板的示意图；
图3为本申请另一种阵列基板单元及阵列基板的示意图；
图4为本申请一种阵列基板单元的示意图；
图5为本申请波导层制备过程的示意图；
图6A-6B为本申请显示控制系统中波导层在不同场强作用下的光路图。
具体实施方式
下面结合实施例详述本申请，但本申请并不局限于这些实施例。
针对相关技术中投影显示技术对DMD器件的依赖，其中DMD器件的制备工艺难度较大，且该器件需设置控制器来进行显示控制，控制器的材料不仅是耗材，也易造成坏点等问题，基于此，本申请提供一种阵列基板单元、阵列基板及其制备方法、显示控制系统，本申请的阵列基板单元可应用于投影机、电视机屏等显示设备。本申请的阵列基板单元，通过控制电路改变电极层对之间的电压值，使得通过对应波导层中的光在外加电压的场强下发生不同程度的偏转，进而改变光路，达到不同的显示效果，无需额外设置控制器，制备材料易得，制备成本低，整个工艺过程简单，易操作。
本申请首先提供一种阵列基板单元，参见图1及图2A，该阵列基板单元包括：衬底210、设于所述衬底210上的波导层230、设置于所述衬底210上的电极层对220，且所述波导层230位于所述电极层对220之间、控制电路，与所述电极层对220连接，用于控制电极层对220之间的电压值，以改变所述电极层对220之间波导层230中的光路。
可选地，波导层230包括波导基底层、衬底介质层，设置于波导基底层上、导光介质层，覆盖衬底介质层；其中，导光介质层的折射率大于衬底介质层的折射率。
可选地，波导层230中波导基底层选自铌酸锂、钽酸锂等基底材料，导光介质层选自铌酸锂、钽酸锂等材料，衬底介质层选自任一种折射率小于导光介质层的材料。举例而言，若导光介质层为铌酸锂，则衬底介质层选自折射率小于铌酸锂的材料，如二氧化硅。
可选地，导光介质层是通过具有轻离子注入的铌酸锂层经退火工艺形成的铌酸锂薄层。
可选地，铌酸锂层中注入的离子可以为氦、碳、氧等离子；注入的离子的剂量为2×104ions/cm2～10×104ions/cm2；注入离子的能量在1～20MeV；离子的注入深度为1.5μm～20μm。
可选地，波导层的形式可以为梯形、Y形、条形，等等，本申请对此不作限。
可选地，衬底选自无机材料铌酸锂、钽酸锂、掺氧化镁铌酸锂、二氧化硅、五氧化二钽、五氧化二铌等；有机材料塑料、有机玻璃等；半导体材料CaAs、GaAsP、InGaAlP等中的任意一种。
可选地，继续参见图2A，依次位于衬底210上的电极层221、波导层230和电极层222之间具有间隙，间隙的范围为10～1000nm。
可选地，电极层对选自金、银、铜、铝、镁/银、锂/铝等金属电极中的任一种；
优选地，所述电极层对是通过蒸镀或印刷形成的金电极。
可选地，任一电极层对之间的波导层的数量可以为一个或多个。图4示出了本申请一实施方式的阵列基板单元的示意图，如图4所示，该阵列基板单元400包括电极层411、波导层421、波导层422及波导层423和电极层412，当通过控制电路控制电极层411和电极层412之间的电压值时，在同一场强的变化下同时控制波导层421、波导层422及波导层423内的光的偏转方向，当然，本申请对任一阵列基板单元中电极层对之间波导层的数量不做特殊限制。
本申请实施方式还提供一种阵列基板，该阵列基板包括多个排列连接的上述的阵列基板单元。
可选地，在阵列基板中，阵列基板单元的排列连接方式可以为周期性矩形阵的形式排布，阵列基板包括M×N个阵列基板单元，其中M和N均为正整数，继续参照图1所示。
可选地，多个阵列基板单元通过胶合固定、键合固定、胶合与键合固定相结合等方式排列连接；具体地，胶合材料选自天然树脂光学胶、合成树脂光学胶和光敏胶，例如环氧树脂、甲醇胶、冷杉树脂胶、加拿大树脂胶和光敏胶结剂GGJ-2，等等。
可选地，衬底选自无机材料铌酸锂、钽酸锂、掺氧化镁铌酸锂、二氧化硅、五氧化二钽、五氧化二铌等；有机材料塑料、有机玻璃等；半导体CaAs、GaAsP、InGaAlP等中的任意一种。
在一些可能的实施方式中，不同的阵列基板单元具有不同的衬底，也就是说，任意阵列基板单元独自占有一个衬底，参见图2A-2B所示为本实施方式的阵列基板单元及阵列基板的示意图，阵列基板单元200包括衬底210、电极层对220和波导层230。基于不同的阵列基板单元具有不同的衬底，通过将各个阵列基板单元的衬底进行排列连接，得到阵列基板，如图2B，在此方式下，方便了对每个阵列基板单元的调整和控制，例如存在某一个阵列基板单元损坏，对该阵列基板单元进行单独调整即可，多个阵列基板单元组成的阵列基板的显示效果更佳。在另一些可能得实施方式中，各个阵列基板单元位于同一衬底上，即任意阵列基板单元在同一衬底上形成。参见图3所示为本实施方式的阵列基板单元及阵列基板的示意图，如图3所示，任一阵列基板单元300包括共同衬底330、电极层对310、波导层320，将所有的阵列基板单元形成于同一衬底330上，得到阵列基板。
需要说明的是，在任一阵列基板单元中，电极层(电极层对其中之一)、波导层和电极层(电极层对另一个)之间存在间隙，间隙的范围为10～1000nm。
可选地，电极层对与控制电路是通过导线、印刷电路板或连接支座等方式连接，本公开对此不作特殊限制。
可选地，任一阵列基板单元中的电极层对之间的波导层的数量可以为多个，例如2个、3个或4个等。继续参照图4，该阵列基板单元400包括电极层411、波导层421、波导层422及波导层423和电极层412，当通过控制电路控制电极层411和电极层412之间的电压值时，在同一场强的变化下同时控制波导层421、波导层422及波导层423内的光的偏转方向，当然，本申请对任一阵列基板单元中电极层对之间波导层的数量不做特殊限制。
可选地，形成阵列基板的多个阵列基板单元中波导层的数量可以相同，也可以不同。举例而言，阵列基板1可以包括两个阵列基板单元1(分别包括一个电极层对、位于电极层对之间的2个波导层)、两个阵列基板单元2(分别包括一个电极层对、位于电极层对之间的3个波导层)，等等，本公开对阵列基板中任一阵列基板单元中波导层的数量不做特殊限定。
可选地，电极层对的材料选自金、银、铜、铝、镁/银、锂/铝等金属电极材料中的任一种，可以通过常规的形成电极层的方法形成，例如蒸镀、印刷等，本申请对此不作限。
本申请的实施方式还提供一种阵列基板单元的制备方法，包括：
首先，在衬底上形成波导层。
可选地，衬底选自无机材料铌酸锂、钽酸锂、掺氧化镁铌酸锂、二氧化硅、五氧化二钽、五氧化二铌等；有机材料塑料、有机玻璃等；半导体材料CaAs、GaAsP、InGaAlP等中的任意一种。
可选地，波导层的制备过程包括：首先，提供波导基底层；其次，形成覆盖波导基底层的衬底介质层和覆盖衬底介质层的导光介质层；最后，对导光介质层进行构图工艺，以得到波导层。其中，波导基底层选自铌酸锂、钽酸锂等基底材料，导光介质层选自铌酸锂、钽酸锂等材料，衬底介质层选自任一种折射率小于导光介质层的材料。举例而言，若导光介质层为铌酸锂，则衬底介质层选自折射率小于铌酸锂的材料，如二氧化硅。
可选地，波导基底层的数量为2，具体而言，形成覆盖波导基底层的衬底介质层和覆盖衬底介质层的导光介质层的过程包括：首先，形成覆盖第一波导基底层的衬底介质层；其次，对第二波导基底层进行离子注入工艺，使第二波导基底层中形成离子注入层；最后，将衬底介质层与第二波导基底层键合，并进行退火工艺以去除第二波导基底层内的离子注入层，使得在衬底介质层上形成导光介质层。在第二波导基底形成离子注入层的目的在于，通过后续的退火工艺，使得注入的离子以气体的形式释放出来，从而在离子注入层形成空腔，导致离子注入层断裂，使得在衬底介质层上形成导电介质层。
可选地，注入的离子可以为氦、碳、氧等离子；注入的离子的计量为2×104ions/cm2～10×104ions/cm2；注入离子的能量在1～20MeV；离子的注入深度为1.5μm～20μm。
可选地，在对导光介质层进行构图工艺，以得到波导层的过程可以采用本领域惯用的经典的掩膜工艺，其可以包括光光刻胶涂敷、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤，当然也可以是利用离地剥离技术的掩膜工艺，在此不做特殊限定，只要能将导光介质层制作成为具有所需形状即可。
可选地，在对导光介质进行构图工艺后，还可以对得到的波导层进行光波导制作的常规流程，如抛光、切割等，本申请对此不再详述。
图5为本实施例所提供的波导层制备过程的示意图，下面结合图5对本实施例进行说明。
如图5所示，在步骤S510中，提供两块铌酸锂波导基底层511、铌酸锂波导基底层512，其中，铌酸锂波导基底层511是在铌酸锂基底中一定深度中注入一定剂量的氦离子层后形成(中间得到离子注入层520)，铌酸锂波导基底层512为表面沉积一层2μm的二氧化硅薄膜530的铌酸锂基底；在步骤S520中，将铌酸锂波导基底层511、铌酸锂波导基底层512在室温下键合，得到结合后的波导结构；在步骤S530中，对结合后的波导结构进行退火工艺，使得离子注入层520(即氦)以气体的形式释放出来，从而在离子注入层520处形成空腔，导致离子注入层520断裂，使得在二氧化硅薄膜530上形成铌酸锂薄膜；在步骤S540中，对步骤S530中的铌酸锂薄膜进行刻蚀等构图工艺，得到所需形状的波导；在步骤S550中，根据实际需求，将步骤S540得到的波导层进行光波导制作的常规流程，如抛光、切割等，得到最终的波导层。
可选地，波导层的形式可以为梯形、Y形、条形，等等。
其次，在衬底上形成电极层对，使波导层位于电极层对之间。
可选地，电极层对的材料选自金、银、铜、铝、镁/银、锂/铝等金属电极材料中的任一种，可以通过常规的形成电极层的方法形成，例如蒸镀、印刷等，本申请对此不作限。
可选地，位于一对电极层对之间的波导层的数量可以为一个或多个。
可选地，将电极层对与控制电路连接，通过控制电路调整电极层对之间的电压值，以改变所述电极层对之间波导层中的光路。
可选地，可以通过导线、印刷电路板或连接支座的方式，将电极层对与控制电路连接；举例而言，可以将整个阵列基板单元进行封装，并将电极层对通过金线绑定的方式引至管脚，基于此，控制电路就可以通过上述方式连接至电极层对；其中，封装方式包括但不限于BGA(Ball Grid Array Package,球栅阵列封装)、SOP(Small Out-Line Package,小外形封装)、TSOP(Thin Small Out-Line Package,薄型小尺寸封装)等等。当然，本申请还可以根据实际情况，选择其他方式将电极层对与控制电路连接，本申请包括但不限于上述电极层对与控制电路的连接方式。
可选地，可以将多个所述阵列基板单元排列连接，形成阵列基板。
可选地，多个阵列基板单元的排列连接方式可以为周期性矩形阵的形式排布，阵列基板包括M×N个阵列基板单元，其中M和N均为正整数。
可选地，可以通过胶合固定的方式，利用光学级的透明胶将多个阵列基板单元胶合，形成阵列基板，胶合材料选自天然树脂光学胶、合成树脂光学胶和光敏胶，例如环氧树脂、甲醇胶、冷杉树脂胶、加拿大树脂胶和光敏胶结剂GGJ-2，等等。可选地，还可以通过键合固定的方式将多个阵列基板单元级联，得到阵列基板，本申请采用的键合固定方式为常规的键合方式，可以包括将多个阵列基板单元经表面清洗或活化处理，在一定条件下(例如加热、加电压或加压力等)直接结合等步骤，当然，还可以通过键合与胶合结合的方式将多个阵列基板单元连接，得到阵列基板，本申请对此不作特殊限定。
在一些可能的实施方式中，不同的阵列基板具有不同的衬底。继续参照2A-2B，阵列基板单元200包括衬底210、电极层对220和波导层230。其中，依次位于所述子衬底210上的电极层221、波导层230和电极层222之间具有间隙，间隙的范围为10～1000nm。
基于不同的阵列基板单元具有不同的衬底的情况，在将多个阵列基板单元排列连接形成阵列基板时，将多个阵列基板单元对应的衬底进行排列连接，即得到阵列基板，以此得到的阵列基板是由多个独立的阵列基板单元200组成，方便了对每个阵列基板单元的调整和控制，例如存在某一个阵列基板单元损坏，对该阵列基板单元进行单独调整即可，多个阵列基板单元组成的阵列基板的显示效果更佳。
在一些可能得实施方式中，各个阵列基板单元位于同一衬底上。
继续参照图3所示，任一阵列基板单元300包括共同衬底330、电极层对310、波导层320，将所有的阵列基板单元形成于同一衬底330上，得到阵列基板。其中，阵列基板单元300中的电极层311、波导层320和电极层312之间存在间隙，间隙的范围为10～1000nm。
基于所有的阵列基板单元位于同一衬底上，在将多个阵列基板单元排列连接形成阵列基板时，在同一衬底上，将各阵列基板单元进行排列，得到阵列基板，如图3。
可选地，任一阵列基板单元中的电极层对之间的波导层的数量可以为一个或多个，如图4所示，该阵列基板单元400包括电极层411、波导层421、波导层422及波导层423和电极层412，当通过控制电路控制电极层411和电极层412之间的电压值时，在同一场强的变化下同时控制波导层421、波导层422及波导层423内的光的偏转方向，当然，本申请对任一阵列基板单元中电极层对之间波导层的数量不做特殊限制，例如2个、3个或4个，等等。
可选地，在将多个阵列基板单元排列连接形成阵列基板时，各阵列基板单元中波导层的数量可以相同，也可以不同。举例而言，阵列基板1可以包括两个阵列基板单元1(分别包括一个电极层对、位于电极层对之间的2个波导层)、两个阵列基板单元2(分别包括一个电极层对、位于电极层对之间的3个波导层)，等等，本公开对阵列基板中任一阵列基板单元中波导层的数量不做特殊限定。
需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本申请中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本申请的实施方式还提供一种显示控制系统，该系统包括光源、上述任一项所述的阵列基板单元排列形成的阵列基板；镜头，用于投射通过阵列基板的光源。
可选地，阵列基板中的任一阵列基板单元对应一个像素；
在控制电路调节电极层对之间波导层中的光路以控制显示结果时，调整控制电路对阵列基板单元中的电极层对所施加的电压值，改变电极层对之间波导层中光的偏转方向，以改变阵列基板单元对应像素的显示结果。
可选地，若电压值为零，电极层对之间波导层中的光路不偏转，经过波导层的光直接通过镜头投射出去，则阵列基板单元对应的像素是亮的状态；
若电压值不为零，则电极层对之间波导层中的光路发生偏转，经过波导层的光发生偏转投射到镜头以外，则阵列基板单元对应的像素是灭的状态。
优选地，在电压值不为零时，电压值的范围为2～5V。
图6A-6B示出了本申请实施方式中显示控制系统中波导层在不同场强作用下的光路图，如图6A，若调整控制电路对阵列基板单元的电极层对所施加的电压值为零时，在不存在外加场强的作用下，由光源射出的光通过波导层时，光不发生偏转，通过镜头投射出去，则阵列基板单元对应的像素是亮的状态；如图6B，若调整控制电路对阵列基板单元的电极层对所施加的电压值不为零时，在存在外加场强的作用下，由光源射出的光通过波导层时，光发生偏转，透射至镜头以外，则阵列基板单元对应的像素是灭的状态。
基于此，通过控制对阵列基板单元的电极层对所施加的电压值，改变波导层中光的偏转方向，来确保通过波导层的光是否投射至镜头，可实现单个像素的亮灭控制，而多个阵列基板单元排列连接则构成二维图像。在无需提供多个微镜片和控制器的情况下，可实现对像素点亮灭的控制，整个阵列基板的制备过程简单，材料易得，可作为一种行之有效的投影显示方案。
以上，仅是本申请的几个实施例，并非对本申请做任何形式的限制，虽然本申请以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限制本申请，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本申请技术方案的范围内，利用上述揭示的技术内容做出些许的变动或修饰均等同于等效实施案例，均属于技术方案范围内。

Claims (10)

1.一种阵列基板单元，其特征在于，包括：
衬底；
波导层，设置于所述衬底上；
电极层对，设置于所述衬底上，且所述波导层位于所述电极层对之间；
控制电路，与所述电极层对连接，用于控制电极层对之间的电压值，以改变所述电极层对之间波导层中的光路。
2.根据权利要求1所述的阵列基板单元，其特征在于，所述波导层包括：
波导基底层；
衬底介质层，设置于所述波导基底层上；
导光介质层，覆盖所述衬底介质层；
其中，所述导光介质层的折射率大于所述衬底介质层的折射率；
优选地，位于所述电极层对之间的波导层的数量为一个或多个。
3.根据权利要求2所述的阵列基板单元，其特征在于，所述导光介质层是通过具有轻离子注入的铌酸锂层经退火工艺形成的铌酸锂薄层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板单元，其特征在于，所述衬底的材料选自铌酸锂、掺氧化镁铌酸锂、钽酸锂、掺氧化镁钽酸锂中的任一种；
所述电极层对选自金、银、铜、铝、镁/银、锂/铝金属电极中的任一种；
优选地，所述电极层对是通过蒸镀或印刷形成的金电极。
5.一种阵列基板，其特征在于，包括多个权利要求1-4任一项所述的阵列基板单元；
所述阵列基板是通过多个所述阵列基板单元排列连接形成的。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板中不同的阵列基板单元具有不同的衬底；或者，
所述阵列基板中的不同的阵列基板单元位于同一衬底上。
7.一种阵列基板单元的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成波导层；
在所述衬底上形成电极层对，使所述波导层位于所述电极层对之间；
其中，所述电极层对与控制电路连接，通过控制电路调整电极层对之间的电压值，以改变所述电极层对之间波导层中的光路。
8.根据权利要求7所述的阵列基板单元的制备方法，其特征在于，在衬底上形成波导层包括：
在所述衬底上提供波导基底层；
形成覆盖所述波导基底层的衬底介质层和覆盖所述衬底介质层的导光介质层；
对所述导光介质层进行构图工艺，得到所述波导层；
其中，所述导光介质层的折射率大于所述衬底介质层的折射率。
9.一种显示控制系统，其特征在于，所述显示控制系统包括：
光源；
权利要求1-4任一项所述的阵列基板单元排列形成的阵列基板；
镜头，用于投射通过所述阵列基板的光源。
10.根据权利要求9所述的显示控制系统，其特征在于，所述阵列基板中的任一阵列基板单元对应一个像素；
调整控制电路对阵列基板单元中的电极层对所施加的电压值，改变所述电极层对之间波导层中光的偏转方向，以改变所述阵列基板单元对应像素的显示结果。
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