CN111152095A - 基板研磨装置及基板研磨方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基板研磨装置及基板研磨方法,该基板研磨装置包括水刀及水气刀,分别设置于所述基板的两端上方;对位相机,设置于所述水刀并远离所述水气刀的一侧;磨轮,研磨所述基板边缘;及罩体,罩设所述磨轮并开设有第一开口和第二开口,所述基板通过所述第一开口穿入所述罩体内,所述第一开口高度高于所述第二开口。本发明通过在基板研磨装置中基板两端设置水刀和水气刀,相较于目前的基板研磨装置,能够极大降低所述玻璃碎屑对所述基板表面的损伤,改善了显示面板异常的情况,提高了产品的生产良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置加工领域,具体涉及一种基板研磨装置及基板研磨方法。
背景技术
在有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板的生产过程中,需要对基板进行激光切割、磨边和清洗工艺,然后采用蒸镀法在基板上形成OLED器件。在OLED蒸镀工艺前需将基板切割为符合蒸镀机需求的尺寸,为实现以上需求基板需经过切割、研磨、清洗和检查工艺。其中研磨工艺是将切割边棱角研磨掉,避免在蒸镀机内破片造成产能、良率损失。
上述实际研磨生产中,会产生大量的玻璃碎屑,因现有防尘机构无法有效防止研磨产生的玻璃碎屑飞溅到基板,玻璃碎屑粘附基板上清洗困难,会造成显示面板产生黑斑、霉点、凸点、坏点等异常,造成产品良率损失。
综上所述,现有的磨边工艺中存在玻璃碎屑飞溅到基板表面造成显示面板异常,进而造成产品良率损失的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种基板研磨装置及基板研磨方法,用于解决现有磨边工艺中存在玻璃碎屑飞溅到基板表面造成显示面板异常,进而造成产品良率损失的技术问题。
为解决上述问题,第一方面,本发明提供一种基板研磨装置,包括:
水刀及水气刀,分别设置于所述基板的两端上方;
对位相机,设置于所述水刀并远离所述水气刀的一侧;
磨轮,研磨所述基板边缘;及
罩体,罩设所述磨轮并开设有第一开口和第二开口,所述基板通过所述第一开口穿入所述罩体内,所述第一开口高度高于所述第二开口。
在本发明一些实施例中,还包括承载基板的载台以及与所述第二开口连接的吸尘器,所述对位相机和所述水刀位于所述载台上方,所述水气刀位于所述第一开口上方。
在本发明一些实施例中,还包括机台横杆以及运动机构,所述对位相机和所述水刀设置在所述机台横杆上,所述运动机构根据所述对位相机的对位调整所述水刀的刀口方向的高度和角度。
在本发明一些实施例中,所述水刀用于提供去离子水,所述水气刀用于提供去离子水和空气混合流体
在本发明一些实施例中,所述第一开口或所述第二开口的直径为5mm~10mm。
第二方面,本发明还提供一种基板研磨方法,包括以下步骤;
将基板放置于载台上,所述载台开始移动至原点位置;
对位相机进行对位;
打开水刀对所述基板表面开始喷水,并持续移动所述载台;
打开水气刀对所述基板的切割边进行冲洗,并利用磨轮研磨所述基板的切割边;
关闭所述水气刀,所述载台回归原点位置;
关闭所述水刀,卸下基板。
在本发明一些实施例中,所述水刀喷出的去离子水流向为:由所述基板远离所述切割边的一侧向所述基板靠近所述切割边的一侧流动。
在本发明一些实施例中,打开所述水刀后还包括:通过运动机构调整所述水刀的刀口方向的高度和角度使所述基板表面布满去离子水。
在本发明一些实施例中,在所述磨轮进行研磨时还包括:打开吸尘器使罩设所述磨轮的罩体内部形成负压。
在本发明一些实施例中,所述载台回归原点位置后还包括:所述水刀对所述基板进行冲洗。
相较于现有技术,本发明通过在基板研磨装置中基板两端设置水刀和水气刀,使得所述水刀满足研磨开始前所述水刀将所述基板表面布满去离子水防止玻璃碎屑飞溅划伤所述基板表面,研磨过程中所述水刀持续喷水防止混合有所述玻璃碎屑的研磨废水向所述基板方向流动,研磨结束后所述水刀对所述基板进行冲洗防止所述玻璃碎屑附着于所述基板表面,相较于目前的基板研磨装置,能够极大降低所述玻璃碎屑对所述基板表面的损伤,改善了显示面板异常的情况,提高了产品的生产良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一个实施例中的基板研磨装置的结构示意图;
图2为本发明一个实施例中的基板研磨方法的流程图;及
图3为颗粒数量分析的统计图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
现有的磨边工艺中存在玻璃碎屑飞溅到基板表面造成显示面板异常,进而造成产品良率损失的技术问题。
基于此,本发明实施例提供一种基板研磨装置及基板研磨方法。一下分别进行详细说明。
首先,本发明实施例提供一种基板研磨装置,如图1所示,为本发明一个实施例中的基板研磨装置的结构示意图。所述基板研磨装置包括:水刀102及水气刀103,分别设置于所述基板107的两端上方;对位相机101,设置于所述水刀102并远离所述水气刀103的一侧;磨轮104,研磨所述基板107边缘;及罩体105,罩设所述磨轮104并开设有第一开口和第二开口,所述基板107通过所述第一开口穿入所述罩体104内,所述第一开口高度高于所述第二开口。
本发明实施例中通过在所述基板研磨装置中所述基板107两端设置所述水刀102和水气刀103,使得所述水刀102满足研磨开始前所述水刀102将所述基板107表面布满去离子水防止玻璃碎屑飞溅划伤所述基板107表面,研磨过程中所述水刀102持续喷水防止混合有所述玻璃碎屑的研磨废水向所述基板107方向流动,研磨结束后所述水刀102对所述基板进行冲洗107防止所述玻璃碎屑附着于所述基板107表面,相较于目前的基板研磨装置,能够极大降低所述玻璃碎屑对所述基板107表面的损伤,改善了显示面板异常的情况,提高了产品的生产良率。
在上述实施例的基础上,在本发明的另一个实施例中,所述基板研磨装置还包括承载所述基板107的载台108以及与所述第二开口连接的吸尘器106,所述对位相机101和所述水刀102位于所述载台108上方,所述水气刀103位于所述第一开口上方。
研磨过程发生在所述罩体105内部,所述基板107通过所述第一开口穿入所述罩体104内,与所述磨轮104发生摩擦。为了清理研磨产生的研磨废水,防止混合有玻璃碎屑的所述研磨废水划伤所述基板107,使得所述第一开口的高度高于所述第二开口,所述第一开口处发生研磨并产生所述研磨废水,所述第二开口用于排出所述研磨废水,同时,在所述第二开口处连接有所述吸尘器106,在研磨过程中打开所述吸尘器106形成负压,可以增强排出所述研磨废水的性能。
在本发明的另一个实施例中,所述基板研磨装置还包括机台横杆以及运动机构,所述对位相机101和所述水刀102设置在所述机台横杆上,所述运动机构根据所述对位相机101的对位调整所述水刀102的刀口方向的高度和角度。
由于所述载台108在对位过程中和研磨过程中需要保持移动,故所述水刀102需要配合所述运动机构工作,所述运动机构用于根据所述对位相机101的对位调整所述水刀102的刀口方向的高度和角度,使得所述水刀102喷出的水可以持续布满覆盖所述基板表面。在本实施例中,所述对位相机101和所述水刀102设置于所述机台横杆上,优选的,所述机台横杆为龙门式横梁,当然也可以采用其它可以实现这一目的的机台横杆,此处不再赘述。
所述水刀102用于提供去离子水,所述水气刀103用于提供去离子水和空气混合流体。利用完全或部分地去除离子物质的去离子水冲洗所述基板107,可以防止自来水中的矿物质或消毒产生氯离子对所述基板107产生影响,同时,所述第一开口处利用去离子水和干燥洁净空气混合而成的高压水气混合流体冲洗,是由于所述混合流体相较于单一的去离子水,阻力较大,可以减少研磨过程中产生的玻璃碎屑飞溅至所述基板107表面。
优选的,所述第一开口或所述第二开口的直径为5mm~10mm。
为了更好地实施本发明实施例中的基板研磨装置,本发明实施例中还提供了一种基板研磨方法,所述基板研磨方法采用了如上述实施例中所述的基板研磨装置。
如图2所示,为本发明一个实施例中的基板研磨方法的流程图。所述基板研磨方法包括以下步骤;
S1、将基板107放置于载台上,所述载台108开始移动至原点位置;
S2、对位相机101进行对位;
S3、打开水刀102对所述基板107表面开始喷水,并持续移动所述载台108;
S4、打开水气刀103对所述基板107的切割边进行冲洗,并利用磨轮研磨所述基板的切割边;
S5、关闭所述水气刀103,所述载台108回归原点位置;
S6、关闭所述水刀102,卸下基板107。
具体的,所述水刀102喷出的去离子水流向为:由所述基板107远离所述切割边的一侧向所述基板107靠近所述切割边的一侧流动,所述水刀102从步骤S3中所述载台108移动之前开始喷水,直到步骤S5中所述载台108回归原点位置后仍保持喷水过程一段时间。
在本发明实施例中,在步骤S3中打开所述水刀102后还包括:通过运动机构调整所述水刀102的刀口方向的高度和角度使所述基板107表面布满去离子水,由于所述载台108在对位过程中和研磨过程中需要保持移动,故所述水刀102需要配合所述运动机构工作,所述运动机构用于根据所述对位相机101的对位调整所述水刀102的刀口方向的高度和角度,使得所述水刀102喷出的水可以持续布满覆盖所述基板107表面。
在步骤S4中在所述磨轮104进行研磨时还包括:打开吸尘器106使罩设所述磨轮104的罩体105内部形成负压,增强排出所述研磨废水的性能。所述水刀102向所述基板107的研磨边持续喷水,阻止混合有玻璃碎屑的所述研磨废水向所述基板方向流动。
在步骤S5中,所述载台108回归原点位置后还包括:所述水刀102对所述基板107进行冲洗,进一步清洁所述基板107,防止所述玻璃碎屑粘附于所述基板107表面。
针对本发明公开的基板研磨装置及基板研磨方法,在机台的现有状况下,做了相关测试试验,验证改善效果。
此实验为主动将混合有玻璃碎屑的研磨废水布满所述基板107,将待测基板分为实验组和对照组,实验组使用如上实施例所述的基板研磨装置及基板研磨方法,没有空气刀,研磨水布满所述基板107表面;对照组采用现有的研磨方案,引入空气刀,使用空气刀,研磨水分布于基板表面约1/4区域。
如图3所示,为颗粒数量分析的统计图。经检测,实验组为32号~39号基板,平均颗粒数量为610ea,对照组为40号~56号基板,平均颗粒数量为5139ea,实验组相较于对照组,改善率达到88.13%。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种基板研磨装置,其特征在于,包括:
水刀及水气刀,分别设置于所述基板的两端上方;
对位相机,设置于所述水刀并远离所述水气刀的一侧;
磨轮,研磨所述基板边缘;及
罩体,罩设所述磨轮并开设有第一开口和第二开口,所述基板通过所述第一开口穿入所述罩体内,所述第一开口高度高于所述第二开口。
2.根据权利要求1所述的基板研磨装置,其特征在于,还包括承载基板的载台以及与所述第二开口连接的吸尘器,所述对位相机和所述水刀位于所述载台上方,所述水气刀位于所述第一开口上方。
3.根据权利要求1所述的基板研磨装置,其特征在于,还包括机台横杆以及运动机构,所述对位相机和所述水刀设置在所述机台横杆上,所述运动机构根据所述对位相机的对位调整所述水刀的刀口方向的高度和角度。
4.根据权利要求1所述的基板研磨装置,其特征在于,所述水刀用于提供去离子水,所述水气刀用于提供去离子水和空气混合流体。
5.根据权利要求1所述的基板研磨装置,其特征在于,所述第一开口或所述第二开口的直径为5mm~10mm。
6.一种基板研磨方法,其特征在于,包括以下步骤;
将基板放置于载台上,所述载台开始移动至原点位置;
对位相机进行对位;
打开水刀对所述基板表面开始喷水,并持续移动所述载台;
打开水气刀对所述基板的切割边进行冲洗,并利用磨轮研磨所述基板的切割边;
关闭所述水气刀,所述载台回归原点位置;
关闭所述水刀,卸下基板。
7.根据权利要求7所述的基板研磨方法,其特征在于,所述水刀喷出的去离子水流向为:由所述基板远离所述切割边的一侧向所述基板靠近所述切割边的一侧流动。
8.根据权利要求7所述的基板研磨方法,其特征在于,打开所述水刀后还包括:通过运动机构调整所述水刀的刀口方向的高度和角度使所述基板表面布满去离子水。
9.根据权利要求7所述的基板研磨方法,其特征在于,在所述磨轮进行研磨时还包括:打开吸尘器使罩设所述磨轮的罩体内部形成负压。
10.根据权利要求7所述的基板研磨方法,其特征在于,所述载台回归原点位置后还包括:所述水刀对所述基板进行冲洗。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20200515 |
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