CN111116019A - 一种电子器件外壳热弯加工工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种电子器件外壳热弯加工工艺，包括以下步骤：S1、将2D玻璃原材进行切割，得到半成品a；S2、将半成品a进行CNC加工，得到半成品b；S3、将半成品c放入石墨模具中，在热压弯机中进行热压弯成型，降温后得到带有钻石纹理3D形状的半成品d；S4、将半成品进行抛光加工后，再进行钢化处理得到成品。本发明以2D玻璃为原料，制备出的电子器件外壳采用钻石的棱角及效果，使3D电子器件玻璃外壳呈现出超炫钻石效果，能够在整个3D外壳上突显出来，使3D外壳更加美观，具有时尚个性，握感好。

Description

一种电子器件外壳热弯加工工艺
技术领域
本发明涉及电子器件外壳技术领域，尤其涉及一种电子器件外壳热弯加工工艺。
背景技术
现在各电子器件为了使其产品更加美观出色，产品外观突出新颖性，电子器件外壳开始是普及采用玻璃材质的外壳，随着社会发展，科学的进步，以及人们对电子器件的外观审美的提升，目前市场上流通的3D电子器件外壳已经渐渐的满足不了消费者苛刻的要求，现有3D玻璃外壳表面平整，没有任何图案花纹，无视觉冲击，握在手里没有立体感，无时尚个性。
发明内容
基于背景技术中存在的技术问题，本发明提出了一种电子器件外壳热弯加工工艺。
本发明提出的一种电子器件外壳热弯加工工艺，包括以下步骤：
S1、将2D玻璃原材进行切割，得到半成品a；
S2、将半成品a进行CNC加工，得到半成品b；
S3、将半成品c放入石墨模具中，在热压弯机中进行热压弯成型，降温后得到带有钻石纹理3D形状的半成品d；
S4、将半成品进行抛光加工后，再进行钢化处理得到成品。
优选的，在S3中，在热压弯机内利用15个工站对半成品c进行加热、成型、降温，其中15个工站包括7个预热工站、3个成型工站和5个缓冷冷却工站。
优选的，所述成型工站的温度为630℃-750℃。
优选的，在S4中，所述抛光包括两次抛光，其中：第一次抛光采用3D抛光技术，设计仿形3D贴合底座，胶丝刷抛28-35min；第二次抛光采用3D抛光技术，设计仿形3D贴合底座，磨皮条抛28-35min。
优选的，在S2中，CNC加工采用机械手上下料。
本发明提出的一种电子器件外壳热弯加工工艺，先通过CNC机加工2D玻璃，然后通过热压弯把玻璃压成带有钻石的效果，再通过抛光处理由于热压弯在玻璃表面形成的雾状；本工艺以2D玻璃为原料，制备出的手机外壳采用钻石的棱角及效果，使3D手机玻璃外壳呈现出超炫钻石效果，能够在整个3D外壳上突显出来，使3D外壳更加美观，具有时尚个性，握感好。
附图说明
图1为本发明提出的工艺制备出的3D钻石玻璃电子器件外壳结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，图1为本发明提出的工艺结构处的3D钻石玻璃电子器件外壳结构示意图。
参照图1，本发明提出一种电子器件外壳热弯加工工艺，包括以下步骤：
S1、将2D玻璃原材进行切割，得到半成品a；
S2、将半成品a进行CNC加工，得到半成品b；
S3、将半成品c放入石墨模具中，在热压弯机中进行热压弯成型，降温后得到带有钻石纹理3D形状的半成品d；
S4、将半成品进行抛光加工后，再进行钢化处理得到成品。
在本实施例中，在S2中，CNC加工采用机械手上下料，高效循环加工适合热弯模具的外形。
在本实施例中，在S3中，在热压弯机内利用15个工站对半成品c进行加热、成型、降温，其中15个工站包括7个预热工站、3个成型工站和5个缓冷冷却工站，所述成型工站的温度为630℃-750℃，优选温度为750℃，玻璃在750℃高温下会软化，可重新塑形。
在本实施例中，在S4中，所述抛光包括两次抛光，其中：第一次抛光采用3D抛光技术，设计仿形3D贴合底座，胶丝刷抛28-35min；第二次抛光采用3D抛光技术，设计仿形3D贴合底座，磨皮条抛28-35min。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种电子器件外壳热弯加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将2D玻璃原材进行切割，得到半成品a；
S2、将半成品a进行CNC加工，得到半成品b；
S3、将半成品c放入石墨模具中，在热压弯机中进行热压弯成型，降温后得到带有钻石纹理3D形状的半成品d；
S4、将半成品进行抛光加工后，再进行钢化处理得到成品盖。
2.根据权利要求1所述的电子器件外壳热弯加工工艺，其特征在于，在S3中，在热压弯机内利用15个工站对半成品c进行加热、成型、降温，其中15个工站包括7个预热工站、3个成型工站和5个缓冷冷却工站。
3.根据权利要求2所述的电子器件外壳热弯加工工艺，其特征在于，所述成型工站的温度为630℃-750℃。
4.根据权利要求1所述的电子器件外壳热弯加工工艺，其特征在于，在S4中，所述抛光包括两次抛光，其中：第一次抛光采用3D抛光技术，设计仿形3D贴合底座，胶丝刷抛28-35min；第二次抛光采用3D抛光技术，设计仿形3D贴合底座，磨皮条抛28-35min。
5.根据权利要求1所述的电子器件外壳热弯加工工艺，其特征在于，在S2中，CNC加工采用机械手上下料。
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