CN111106046A - 冷却设备及待冷却件的冷却方法 - Google Patents

冷却设备及待冷却件的冷却方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111106046A
CN111106046A CN202010013039.2A CN202010013039A CN111106046A CN 111106046 A CN111106046 A CN 111106046A CN 202010013039 A CN202010013039 A CN 202010013039A CN 111106046 A CN111106046 A CN 111106046A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cooling
space
cooled
inert gas
moving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010013039.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111106046B (zh
Inventor
罗佳明
顾立勋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Original Assignee
Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yangtze Memory Technologies Co Ltd filed Critical Yangtze Memory Technologies Co Ltd
Priority to CN202010013039.2A priority Critical patent/CN111106046B/zh
Publication of CN111106046A publication Critical patent/CN111106046A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111106046B publication Critical patent/CN111106046B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

本申请提供了冷却设备及待冷却件的冷却方法。其中,冷却设备包括冷却装置,惰性气体进气装置,以及排气装置。其中,冷却装置具有冷却空间。惰性气体进气装置连接冷却装置,惰性气体进气装置用于向冷却空间内通入惰性气体。排气装置连接冷却装置,排气装置用于排出冷却空间内的气体。通过在冷却设备中增设惰性气体进气装置,利用惰性气体进气装置来向冷却空间内通入惰性气体,而冷却空间内原本的空气可从排气装置中排出。最后导致当处于高温的待冷却件进入冷却空间时,待冷却件的周缘均为惰性气体。由于惰性气体不与待冷却件进行反应,且待冷却件周缘不存在氧气,因此待冷却件便无法与氧气发生反应从而生成氧化层,有效地保护了待冷却件。

Description

冷却设备及待冷却件的冷却方法
技术领域
本申请属于芯片生产技术领域,具体涉及冷却设备及待冷却件的冷却方法。
背景技术
在将晶圆制备成半导体芯片的过程中需要将多晶硅表面进行预处理以去除多晶硅表面的氧化硅层,从而使硅单质暴露出来,来提高芯片的性能。当在高温的条件下去除氧化硅层后,还需进入冷却设备进行冷却。但现有技术中冷却设备内充满了空气,因此还处于高温下的多晶硅表面又会与冷却设备内的空气中的氧气进行反应,又重新生成氧化硅层,影响芯片的性能。
发明内容
鉴于此,本申请第一方面提供了一种冷却设备,所述冷却设备包括:
冷却装置,所述冷却装置具有冷却空间;
惰性气体进气装置,所述惰性气体进气装置连接所述冷却装置,所述惰性气体进气装置用于向所述冷却空间内通入惰性气体;以及
排气装置,所述排气装置连接所述冷却装置,所述排气装置用于排出所述冷却空间内的气体。
本申请第一方面提供的冷却设备,通过在冷却设备中增设惰性气体进气装置,并使惰性气体进气装置连接冷却装置,这样便可利用惰性气体进气装置来向冷却空间内通入惰性气体,而冷却空间内原本的空气可从排气装置中排出。最后导致当处于高温的待冷却件进入冷却空间时,待冷却件的周缘均为惰性气体。由于惰性气体不与待冷却件进行反应,且待冷却件周缘不存在氧气,因此待冷却件便无法与氧气发生反应从而生成氧化层,有效地保护了待冷却件。
其中,所述冷却设备还包括装夹装置,所述装夹装置设于所述冷却空间内,所述装夹装置用于装夹待冷却件。
其中,所述装夹装置具有装夹面,所述装夹面用于装设所述待冷却件,所述冷却设备还包括旋转装置,所述旋转装置连接所述装夹装置,所述旋转装置用于使所述装夹装置沿平行于所述装夹面的方向旋转。
其中,所述惰性气体进气装置朝向所述平行于所述装夹面的方向通入所述惰性气体。
其中,所述冷却设备还包括反应装置与缓冲装置;所述反应装置具有反应空间,所述缓冲装置具有缓冲空间,所述缓冲空间的气压大于所述冷却空间的气压,且小于所述反应空间的气压。
其中,所述冷却装置包括外壳与移动部,所述外壳连接所述移动部,所述移动部可相对于所述外壳进行移动以打开或闭合所述冷却空间;所述冷却设备还包括密封件,所述密封件对应所述移动部的周缘设置,且所述密封件的相对两侧分别连接所述外壳与所述缓冲装置,所述密封件、所述冷却装置与所述缓冲装置构成密封空间。
本申请第二方面提供了一种待冷却件的冷却方法,所述冷却方法包括:
提供待冷却件与冷却设备,所述冷却设备包括冷却装置、惰性气体进气装置、以及排气装置;其中,所述冷却装置具有冷却空间,所述惰性气体进气装置连接所述冷却装置,所述惰性气体进气装置用于向所述冷却空间内通入惰性气体;所述排气装置连接所述冷却装置,所述排气装置用于排出所述冷却空间内的气体;
将所述待冷却件移动至所述冷却空间,向所述冷却空间内通入所述惰性气体。
本申请第二方面提供的冷却方法,通过在冷却设备中增设惰性气体进气装置,并使惰性气体进气装置连接冷却装置,这样便可利用惰性气体进气装置来向冷却空间内通入惰性气体,而冷却空间内原本的空气可从排气装置中排出。最后导致当处于高温的待冷却件进入冷却空间时,待冷却件的周缘均为惰性气体。由于惰性气体不与待冷却件进行反应,且待冷却件周缘不存在氧气,因此待冷却件便无法与氧气发生反应从而生成氧化层,有效地保护了待冷却件。
其中,“将所述待冷却件移动至所述冷却空间,向所述冷却空间内通入所述惰性气体”包括:
向所述冷却空间内通入所述惰性气体,以使得所述冷却空间内均为所述惰性气体;
将所述待冷却件移动至所述冷却空间。
其中,“将所述待冷却件移动至所述冷却空间,向所述冷却空间内通入所述惰性气体”包括:
将所述待冷却件移动至所述冷却空间;
向所述冷却空间内通入所述惰性气体,以使得至少所述待冷却件的周缘均为所述惰性气体。
其中,所述待冷却件具有相对设置的加工面与非加工面,“向所述冷却空间内通入所述惰性气体”包括:
控制所述待冷却件沿平行于所述加工面的方向进行旋转;
朝向平行于所述加工面的方向通入所述惰性气体。
其中,所述冷却设备还包括反应装置与缓冲装置,所述反应装置具有反应空间,所述缓冲装置具有缓冲空间,所述缓冲空间的气压大于所述冷却空间的气压,且小于所述反应空间的气压;在“将所述待冷却件移动至所述冷却空间,向所述冷却空间内通入所述惰性气体”之前,还包括:
将所述待冷却件移动至所述反应空间进行反应;
将所述反应后的所述待冷却件移动至所述缓冲空间。
其中,所述冷却装置包括外壳与移动部,所述外壳连接所述移动部,所述移动部可相对于所述外壳进行移动以打开或闭合所述冷却空间;所述冷却设备还包括密封件,所述密封件对应所述移动部的周缘设置,且所述密封件的相对两侧分别连接所述外壳与所述缓冲装置,所述密封件、所述冷却装置与所述缓冲装置构成密封空间;在“将所述反应后的所述待冷却件移动至所述缓冲空间”之后,还包括:
将缓冲后的所述待冷却件移动至所述密封空间,以防止外界的空气接触所述待冷却件。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案,下面将对本申请实施方式中所需要使用的附图进行说明。
图1为本申请第一实施方式提供的冷却设备的示意图。
图2为本申请第二实施方式提供的冷却设备的示意图。
图3为本申请第三实施方式提供的冷却设备的示意图。
图4为本申请第四实施方式提供的冷却设备的示意图。
图5为本申请第五实施方式提供的冷却设备的示意图。
图6为本申请第一实施方式提供的冷却方法的工艺流程图。
图7为本申请第二实施方式提供的冷却方法的工艺流程图。
图8为本申请第三实施方式提供的冷却方法的工艺流程图。
图9为本申请第四实施方式提供的冷却方法的工艺流程图。
图10为本申请第五实施方式提供的冷却方法的工艺流程图。
图11为本申请第六实施方式提供的冷却方法的工艺流程图。
标号说明:
冷却设备-1,冷却装置-10,冷却空间-11,外壳-12,移动部-13,密封件-14,密封空间-15,惰性气体进气装置-20,排气装置-30,装夹装置-40,装夹面-41,旋转装置-50,反应装置-60,反应空间-61,缓冲装置-70,缓冲空间-71,壳体-72,开口部-73。
具体实施方式
以下是本申请的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。
请参考图1,图1为本申请第一实施方式提供的冷却设备的示意图。本实施方式中,所述冷却设备1包括冷却装置10,惰性气体进气装置20,以及排气装置30。其中,所述冷却装置10具有冷却空间11。所述惰性气体进气装置20连接所述冷却装置10,所述惰性气体进气装置20用于向所述冷却空间11内通入惰性气体。所述排气装置30连接所述冷却装置10,所述排气装置30用于排出所述冷却空间11内的气体。
本申请提供的冷却设备1用于对刚进行完上一步工艺的待冷却件进行冷却,此时待冷却件处于高温状态,当待冷却件进入冷却设备1后,便可慢慢进行冷却,以使待冷却件冷却后再进行下一道工序。本申请提供的冷却装置10具有外壳12,至少由外壳12可构成冷却空间11,冷却空间11用于装设待冷却件以及惰性气体,冷却空间11内还可用于装设冷却设备1的其他部件。本申请还提供了惰性气体进气装置20与排气装置30。惰性气体进气装置20与排气装置30连接冷却装置10,即惰性气体进气装置20可连通冷却空间11,并且惰性气体进气装置20可向冷却空间11内通入惰性气体。排气装置30可将冷却空间11内的气体排出。因此当惰性气体进入冷却空间11内时,冷却空间11内原本存在的空气以及部分惰性气体便可从排气装置30中排出。可选地,惰性气体包括氮气、氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、以及氡气中的一种或多种。进一步可选地,惰性气体包括氮气。
因此本申请通过上述结构来向冷却空间11内填充惰性气体,最后导致当处于高温的待冷却件进入冷却空间11时,至少待冷却件的周缘均为惰性气体。由于惰性气体不与待冷却件进行反应,而待冷却件周缘由于充满了惰性气体,没有氧气的存在,因此待冷却件也无法与氧气发生反应从而生成氧化层,有效地保护了待冷却件。
请一并参考图2,图2为本申请第二实施方式提供的冷却设备的示意图。本实施方式中,所述冷却设备1还包括装夹装置40,所述装夹装置40设于所述冷却空间11内,所述装夹装置40用于装夹待冷却件。本申请还可在冷却空间11内增设装夹装置40,用装夹装置40来装夹待冷却件以固定和控制待冷却件,防止待冷却件冷却不均,以及防止待冷却件与冷却装置10发生碰撞从而对待冷却件造成破坏。
请一并参考图3,图3为本申请第三实施方式提供的冷却设备的示意图。本实施方式中,所述装夹装置40具有装夹面41,所述装夹面41用于装设所述待冷却件,所述冷却设备1还包括旋转装置50,所述旋转装置50连接所述装夹装置40,所述旋转装置50用于使所述装夹装置40沿平行于所述装夹面41的方向旋转(即图3中的D1方向)。本申请还可在冷却空间11内增设旋转装置50,并使旋转装置50连接装夹装置40。这样便可以通过旋转装置50来使装夹装置40沿平行于装夹面41的方向进行旋转,从而带动装设在装夹面41上的待冷却件也沿平行于装夹面41的方向旋转。
可选地,所述惰性气体进气装置20朝向所述平行于所述装夹面41的方向通入所述惰性气体(即图3中的D2方向)。此时惰性气体进气装置20虽然仅朝向所述平行于所述装夹面41的方向通入惰性气体,但由于待冷却件在进行旋转,因此就可使待冷却件的周缘均接触惰性气体,进一步防止了待冷却件与氧气发生反应。由于本申请只需待冷却件的周缘为惰性气体即可保证待冷却件不与氧气发生反应,而其他区域则不作要求,这样可降低通入的惰性气体的量,从而降低冷却成本。另外,此时待冷却件的周缘不断地接触新通入的惰性气体,因此可进一步加快待冷却件的冷却,减少冷却时间。
请一并参考图4,图4为本申请第四实施方式提供的冷却设备的示意图。本实施方式中,所述冷却设备1还包括反应装置60与缓冲装置70;所述反应装置60具有反应空间61,所述缓冲装置70具有缓冲空间71,所述缓冲空间71的气压大于所述冷却空间11的气压,且小于所述反应空间61的气压。
本申请还可包括反应装置60与缓冲装置70,反应装置60用于使待冷却件进行反应,例如当待冷却件为晶圆时,晶圆可在反应装置60内进行反应,以去除晶圆表面的氧化硅层。但此时的反应空间61的气压较大,无法直接将待冷却件从反应空间61转移至冷却空间11,因此本申请通过增设缓冲装置70,并使缓冲空间71的气压大于所述冷却空间11的气压,且小于所述反应空间61的气压,即缓冲空空间的气压处于反应空间61与冷却空间11之间。这样处于较高压力下的反应空间61的待冷却件在反应完后,可先移至中等压力下的缓冲空间71来对压力进行缓冲,随后在从中等压力下的缓冲空间71移至较低压力下的冷却空间11,来进一步保护冷却设备1与待冷却件。
请一并参考图5,图5为本申请第五实施方式提供的冷却设备的示意图。本实施方式中,所述冷却装置10包括外壳12与移动部13,所述外壳12连接所述移动部13,所述移动部13可相对于所述外壳12进行移动以打开或闭合所述冷却空间11;所述冷却设备1还包括密封件14,所述密封件14对应所述移动部13的周缘设置,且所述密封件14的相对两侧分别连接所述外壳12与所述缓冲装置70,所述密封件14、所述冷却装置10与所述缓冲装置70构成密封空间15。
本申请提供的冷却装置10包括外壳12与移动部13,外壳12和移动部13共同构成冷却空间11,并且移动部13可相对于所述外壳12进行移动以打开或闭合所述冷却空间11,即移动部13相当于冷却装置10的“门”。当移动部13打开冷却空间11时,待冷却件便可从缓冲空间71进入冷却空间11内。另外,本申请的冷却设备1还可包括密封件14,所述密封件14的相对两侧分别连接所述外壳12与所述缓冲装置70,即密封件14将冷却装置10与缓冲装置70连接在了一起。并且所述密封件14、所述冷却装置10与所述缓冲装置70构成密封空间15。这样从缓冲空间71出来的待冷却件便可先进入密封空间15,再进入冷却空间11内。由于密封件14配合冷却装置10与缓冲装置70形成了密闭的密封空间15,因此外界的空气便无法进入密封空间15中,待冷却件在从缓冲空间71移至冷却空间11的过程中不会受到外界空气的影响,进一步防止待冷却件与氧气发生反应,有效地保护了待冷却件。可选地,缓冲装置70包括壳体72与开口部73,开口部73连接所述壳体72,开口部73可相对于所述壳体72进行移动以打开或闭合所述缓冲空间71,且开口部73设于所述密封空间15内。
除了上述提供的冷却设备1,本申请还提供了一种待冷却件的冷却方法。本申请实施方式提供的冷却设备1及冷却方法都可以达到本申请的技术效果,二者可以一起使用,当然也可以单独使用,本申请对此没有特别的限制。例如,作为一种实施方式,可以使用上文提供的冷却设备1来实现下文提到的冷却方法。
请参考图6,图6为本申请第一实施方式提供的冷却方法的工艺流程图。本实施方式中,所述冷却方法包括S100,S200。其中,S100,S200的详细介绍如下。
S100,提供待冷却件与冷却设备1,所述冷却设备1包括冷却装置10、惰性气体进气装置20、以及排气装置30。其中,所述冷却装置10具有冷却空间11,所述惰性气体进气装置20连接所述冷却装置10,所述惰性气体进气装置20用于向所述冷却空间11内通入惰性气体。所述排气装置30连接所述冷却装置10,所述排气装置30用于排出所述冷却空间11内的气体。
S200,将所述待冷却件移动至所述冷却空间11,向所述冷却空间11内通入所述惰性气体。
本申请提供的冷却方法,通过在冷却设备1中增设惰性气体进气装置20,并使惰性气体进气装置20连接冷却装置10,这样便可利用惰性气体进气装置20来向冷却空间11内通入惰性气体,而冷却空间11内原本的空气可从排气装置30中排出。最后导致当处于高温的待冷却件进入冷却空间11时,待冷却件的周缘均为惰性气体。由于惰性气体不与待冷却件进行反应,且待冷却件周缘不存在氧气,因此待冷却件便无法与氧气发生反应从而生成氧化层,有效地保护了待冷却件。
请一并参考图7,图7为本申请第二实施方式提供的冷却方法的工艺流程图。本实施方式中,S200“将所述待冷却件移动至所述冷却空间11,向所述冷却空间11内通入所述惰性气体”包括S210,S220。其中,S210,S220的详细介绍如下。
S210,向所述冷却空间11内通入所述惰性气体,以使得所述冷却空间11内均为所述惰性气体。
S220,将所述待冷却件移动至所述冷却空间11。
本申请提供了几种不同的通气方法,例如在本申请一实施方式中,可在将所述待冷却件移动至所述冷却空间11之前,先向冷却空间11内通入惰性气体,并使得冷却空间11内已无氧气存在,均为惰性气体。之后再将所述待冷却件移动至所述冷却空间11,这样可更好地保护待冷却件,防止待冷却件与氧气发生反应。
请一并参考图8,图8为本申请第三实施方式提供的冷却方法的工艺流程图。本实施方式中,S200“将所述待冷却件移动至所述冷却空间11,向所述冷却空间11内通入所述惰性气体”包括S230,S240。其中,S230,S240的详细介绍如下。
S230,将所述待冷却件移动至所述冷却空间11。
S240,向所述冷却空间11内通入所述惰性气体,以使得至少所述待冷却件的周缘均为所述惰性气体。
在申请另一实施方式中,可先将待冷却件移动至冷却空间11内。当待冷却件的位置固定好之后,再向冷却空间11内的待冷却件的周缘通入惰性气体,以使得至少所述待冷却件的周缘均为所述惰性气体。此时待冷却件的周缘均为惰性气体,而冷却空间11的其他空间可以允许存在空气。由于本申请只需待冷却件的周缘为惰性气体即可保证待冷却件不与氧气发生反应,而其他区域则不作要求,这样可降低通入的惰性气体的量,从而降低冷却成本。
请一并参考图9,图9为本申请第四实施方式提供的冷却方法的工艺流程图。本实施方式中,所述待冷却件具有相对设置的加工面与非加工面,S200“向所述冷却空间11内通入所述惰性气体”包括S250,S260。其中,S250,S260的详细介绍如下。
S250,控制所述待冷却件沿平行于所述加工面的方向进行旋转。
S260,朝向平行于所述加工面的方向通入所述惰性气体。
本申请可控制待冷却件进行旋转,并朝向平行于所述加工面的方向通入所述惰性气体。这样虽然只朝向一个方向进行通入惰性气体,但通过待冷却件的旋转,便可使待冷却件的周缘均接触惰性气体,进一步防止了待冷却件与氧气发生反应。
请一并参考图10,图10为本申请第五实施方式提供的冷却方法的工艺流程图。本实施方式中,所述冷却设备1还包括反应装置60与缓冲装置70,所述反应装置60具有反应空间61,所述缓冲装置70具有缓冲空间71,所述缓冲空间71的气压大于所述冷却空间11的气压,且小于所述反应空间61的气压;在S200“将所述待冷却件移动至所述冷却空间11,向所述冷却空间11内通入所述惰性气体”之前,还包括S110,S120。其中,S110,S120的详细介绍如下。
S110,将所述待冷却件移动至所述反应空间61进行反应。
S120,将所述反应后的所述待冷却件移动至所述缓冲空间71。
本申请还可增设反应装置60与缓冲装置70,就像上述内容所说,本申请可使处于较高压力下的反应空间61的待冷却件在反应完后,可先移至中等压力下的缓冲空间71来对压力进行缓冲,随后在从中等压力下的缓冲空间71移至较低压力下的冷却空间11,来进一步保护冷却设备1与待冷却件。
请一并参考图11,图11为本申请第六实施方式提供的冷却方法的工艺流程图。本实施方式中,所述冷却装置10包括外壳12与移动部13,所述外壳12连接所述移动部13,所述移动部13可相对于所述外壳12进行移动以打开或闭合所述冷却空间11;所述冷却设备1还包括密封件14,所述密封件14对应所述移动部13的周缘设置,且所述密封件14的相对两侧分别连接所述外壳12与所述缓冲装置70,所述密封件14、所述冷却装置10与所述缓冲装置70构成密封空间15;在S120“将所述反应后的所述待冷却件移动至所述缓冲空间71”之后,还包括S130。其中,S130的详细介绍如下。
S130,将缓冲后的所述待冷却件移动至所述密封空间15,以防止外界的空气接触所述待冷却件。
本申请可增设密封件14,来利用密封件14与缓冲装置70和冷却装置10形成密封空间15,当待冷却件在从缓冲空间71移至冷却空间11时,便可先从缓冲空间71移至密封空间15,最后再移至冷却空间11。这样便可避免了当待冷却件在从缓冲空间71移至冷却空间11的过程中使待冷却件接触到外界空气从而与氧气发生反应,进一步地保护了待冷却件。
以上对本申请实施方式所提供的内容进行了详细介绍,本文对本申请的原理及实施方式进行了阐述与说明,以上说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (12)

1.一种冷却设备,其特征在于,所述冷却设备包括:
冷却装置,所述冷却装置具有冷却空间;
惰性气体进气装置,所述惰性气体进气装置连接所述冷却装置,所述惰性气体进气装置用于向所述冷却空间内通入惰性气体;以及
排气装置,所述排气装置连接所述冷却装置,所述排气装置用于排出所述冷却空间内的气体。
2.如权利要求1所述的冷却设备,其特征在于,所述冷却设备还包括装夹装置,所述装夹装置设于所述冷却空间内,所述装夹装置用于装夹待冷却件。
3.如权利要求2所述的冷却设备,其特征在于,所述装夹装置具有装夹面,所述装夹面用于装设所述待冷却件,所述冷却设备还包括旋转装置,所述旋转装置连接所述装夹装置,所述旋转装置用于使所述装夹装置沿平行于所述装夹面的方向旋转。
4.如权利要求3所述的冷却设备,其特征在于,所述惰性气体进气装置朝向所述平行于所述装夹面的方向通入所述惰性气体。
5.如权利要求1所述的冷却设备,其特征在于,所述冷却设备还包括反应装置与缓冲装置;所述反应装置具有反应空间,所述缓冲装置具有缓冲空间,所述缓冲空间的气压大于所述冷却空间的气压,且小于所述反应空间的气压。
6.如权利要求5所述的冷却设备,其特征在于,所述冷却装置包括外壳与移动部,所述外壳连接所述移动部,所述移动部可相对于所述外壳进行移动以打开或闭合所述冷却空间;所述冷却设备还包括密封件,所述密封件对应所述移动部的周缘设置,且所述密封件的相对两侧分别连接所述外壳与所述缓冲装置,所述密封件、所述冷却装置与所述缓冲装置构成密封空间。
7.一种待冷却件的冷却方法,其特征在于,所述冷却方法包括:
提供待冷却件与冷却设备,所述冷却设备包括冷却装置、惰性气体进气装置、以及排气装置;其中,所述冷却装置具有冷却空间,所述惰性气体进气装置连接所述冷却装置,所述惰性气体进气装置用于向所述冷却空间内通入惰性气体;所述排气装置连接所述冷却装置,所述排气装置用于排出所述冷却空间内的气体;
将所述待冷却件移动至所述冷却空间,向所述冷却空间内通入所述惰性气体。
8.如权利要求7所述的冷却方法,其特征在于,“将所述待冷却件移动至所述冷却空间,向所述冷却空间内通入所述惰性气体”包括:
向所述冷却空间内通入所述惰性气体,以使得所述冷却空间内均为所述惰性气体;
将所述待冷却件移动至所述冷却空间。
9.如权利要求7所述的冷却方法,其特征在于,“将所述待冷却件移动至所述冷却空间,向所述冷却空间内通入所述惰性气体”包括:
将所述待冷却件移动至所述冷却空间;
向所述冷却空间内通入所述惰性气体,以使得至少所述待冷却件的周缘均为所述惰性气体。
10.如权利要求9所述的冷却方法,其特征在于,所述待冷却件具有相对设置的加工面与非加工面,“向所述冷却空间内通入所述惰性气体”包括:
控制所述待冷却件沿平行于所述加工面的方向进行旋转;
朝向平行于所述加工面的方向通入所述惰性气体。
11.如权利要求7所述的冷却方法,其特征在于,所述冷却设备还包括反应装置与缓冲装置,所述反应装置具有反应空间,所述缓冲装置具有缓冲空间,所述缓冲空间的气压大于所述冷却空间的气压,且小于所述反应空间的气压;在“将所述待冷却件移动至所述冷却空间,向所述冷却空间内通入所述惰性气体”之前,还包括:
将所述待冷却件移动至所述反应空间进行反应;
将所述反应后的所述待冷却件移动至所述缓冲空间。
12.如权利要求11所述的冷却方法,其特征在于,所述冷却装置包括外壳与移动部,所述外壳连接所述移动部,所述移动部可相对于所述外壳进行移动以打开或闭合所述冷却空间;所述冷却设备还包括密封件,所述密封件对应所述移动部的周缘设置,且所述密封件的相对两侧分别连接所述外壳与所述缓冲装置,所述密封件、所述冷却装置与所述缓冲装置构成密封空间;在“将所述反应后的所述待冷却件移动至所述缓冲空间”之后,还包括:
将缓冲后的所述待冷却件移动至所述密封空间,以防止外界的空气接触所述待冷却件。
CN202010013039.2A 2020-01-09 2020-01-09 冷却设备及待冷却件的冷却方法 Active CN111106046B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010013039.2A CN111106046B (zh) 2020-01-09 2020-01-09 冷却设备及待冷却件的冷却方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010013039.2A CN111106046B (zh) 2020-01-09 2020-01-09 冷却设备及待冷却件的冷却方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111106046A true CN111106046A (zh) 2020-05-05
CN111106046B CN111106046B (zh) 2021-04-20

Family

ID=70425899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010013039.2A Active CN111106046B (zh) 2020-01-09 2020-01-09 冷却设备及待冷却件的冷却方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111106046B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6108937A (en) * 1998-09-10 2000-08-29 Asm America, Inc. Method of cooling wafers
US6207026B1 (en) * 1999-10-13 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Magnetron with cooling system for substrate processing system
CN1369109A (zh) * 1999-07-12 2002-09-11 Fsi国际公司 加热和冷却薄片形制品的热处理室
CN102379035A (zh) * 2009-03-30 2012-03-14 东京毅力科创株式会社 被处理体的冷却方法和被处理体处理装置
CN202205717U (zh) * 2011-08-17 2012-04-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶圆冷却装置
CN104685604A (zh) * 2013-10-02 2015-06-03 艾克塞利斯科技公司 真空中高速预冷站和后热站
CN108759219A (zh) * 2018-07-06 2018-11-06 北京汉能光伏投资有限公司 一种冷却装置
CN208738190U (zh) * 2018-09-28 2019-04-12 德淮半导体有限公司 晶圆冷却室及半导体设备

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6108937A (en) * 1998-09-10 2000-08-29 Asm America, Inc. Method of cooling wafers
CN1369109A (zh) * 1999-07-12 2002-09-11 Fsi国际公司 加热和冷却薄片形制品的热处理室
US6207026B1 (en) * 1999-10-13 2001-03-27 Applied Materials, Inc. Magnetron with cooling system for substrate processing system
CN102379035A (zh) * 2009-03-30 2012-03-14 东京毅力科创株式会社 被处理体的冷却方法和被处理体处理装置
CN202205717U (zh) * 2011-08-17 2012-04-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶圆冷却装置
CN104685604A (zh) * 2013-10-02 2015-06-03 艾克塞利斯科技公司 真空中高速预冷站和后热站
CN108759219A (zh) * 2018-07-06 2018-11-06 北京汉能光伏投资有限公司 一种冷却装置
CN208738190U (zh) * 2018-09-28 2019-04-12 德淮半导体有限公司 晶圆冷却室及半导体设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN111106046B (zh) 2021-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5067218A (en) Vacuum wafer transport and processing system and method using a plurality of wafer transport arms
US8827695B2 (en) Wafer's ambiance control
US7198447B2 (en) Semiconductor device producing apparatus and producing method of semiconductor device
KR19980701759A (ko) 반도체장치의 제조방법 및 반도체 제조장치
CN111106046B (zh) 冷却设备及待冷却件的冷却方法
JP2012069542A (ja) 真空処理システム
US7862289B2 (en) Vacuum processing apparatus and vacuum processing method
US5980684A (en) Processing apparatus for substrates
JP3207993B2 (ja) 半導体製造装置
JP2909481B2 (ja) 縦型処理装置における被処理体の処理方法
JP3082148B2 (ja) 複合型ウェハ処理装置
JPS6173334A (ja) 処理装置
JPH08195426A (ja) 真空搬送用インターフェイス装置
KR100365423B1 (ko) 반도체소자제조를위한연속공정진행시스템
JP3142397B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2002043391A (ja) 半導体製造装置
JP3970748B2 (ja) Cvd装置及び基板処理方法
JPH0521579A (ja) 真空処理装置
JP3340147B2 (ja) 処理装置
JP3432721B2 (ja) 基板冷却装置及び基板冷却方法
JP2001319959A (ja) 減圧・常圧処理装置
JP3048982B2 (ja) レジスト塗布前処理装置
JP3308702B2 (ja) 熱処理方法
KR20010015974A (ko) 로드락챔버내에 쿨링장치를 갖는 반도체 제조장치 및 그반도체 제조장치의 웨이퍼 쿨링방법
JP2006134901A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant