CN111095760A - 电力转换装置 - Google Patents

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Abstract

本发明抑制向各功率半导体传输的控制信号的电流不平衡，并且抑制控制信号基板的大型化。本发明的电力转换装置具备：第1功率半导体元件；第2功率半导体元件；以及电路基板，其具有传递所述第1功率半导体元件及所述第2功率半导体元件的驱动信号的电路，所述电路基板具备：第1发射极布线，其沿着所述第1功率半导体元件和所述第2功率半导体元件的排列方向而形成；第1栅极布线，其配置在所述第1功率半导体元件和所述第1发射极布线之间；第2栅极布线，其配置在所述第2功率半导体元件和所述发射极布线之间；以及第3栅极布线，其隔着所述发射极布线与所述第1栅极布线及所述第2栅极布线相对地配置，所述电路基板具有第1栅极电阻，所述第1栅极电阻跨过所述第1发射极布线而连接所述第1栅极布线和所述第3栅极布线。

Description

电力转换装置
技术领域
本发明涉及一种用于将直流电力转换为交流电力或将交流电力转换为直流电力的电力转换装置，特别涉及一种用于混合动力汽车、电动汽车的电力转换装置。
背景技术
用于混合动力汽车、电动汽车的电力转换装置要求随着混合动力汽车、电动汽车的驱动转矩的增大而使得输出电力增大。为了应对这样的输出电力的增大，并联连接多个功率半导体。
但是，为了发挥多个并联连接的功率半导体的性能，需要使这些并联连接的功率半导体同时进行开关，需要使向各功率半导体传输控制信号的控制信号线的阻抗不会产生不平衡。
针对这样的问题，在专利文献1中，以抑制在多个功率半导体的发射极上形成的、引起电流不平衡的发射极环路的电流的目的，层叠控制信号线而构成。
但是，需要由层叠了控制信号线的多层基板构成，存在引起控制信号基板的大型化的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2016-46842号公报
发明要解决的问题
因此，本发明的问题在于抑制向各功率半导体传输的控制信号的电流不平衡，并且抑制控制信号基板的大型化。
用于解决问题的技术手段
本发明的电力转换装置具备：第1功率半导体元件；第2功率半导体元件；以及电路基板，其具有传递所述第1功率半导体元件及所述第2功率半导体元件的驱动信号的电路，所述电路基板具备：第1发射极布线，其沿着所述第1功率半导体元件和所述第2功率半导体元件的排列方向而形成；第1栅极布线，其配置在所述第1功率半导体元件和所述第1发射极布线之间；第2栅极布线，其配置在所述第2功率半导体元件和所述发射极布线之间；以及第3栅极布线，其隔着所述发射极布线与所述第1栅极布线及所述第2栅极布线相对地配置，所述电路基板具有第1栅极电阻，所述第1栅极电阻跨过所述第1发射极布线而连接所述第1栅极布线和所述第3栅极布线。
发明的效果
根据本发明，能够降低功率半导体的控制信号布线间的电感差，能够抑制控制信号的电流不平衡，并且能够抑制控制信号基板的大型化。
附图说明
图1是本实施例的电力转换装置的电路图。
图2是本实施例的电力转换装置500的概念分解立体图。
图3是在图1的电路构成中分别使用4个功率半导体构成IGBT和二极管的功率模块100的例子。
图4是将4个IGBT元件165并联连接时的功率模块的俯视图。
图5是表示实施例1的栅极布线、发射极布线和IGBT的连接的图。
图6是表示实施例1的栅极布线和发射极布线的电路图的图。
图7是通常的配置了4个IGBT和控制信号基板的构成图的例子。
图8是表示图7的构成中的栅极布线、发射极布线和IGBT的连接的图。
图9是表示图7的构成中的栅极布线和发射极布线的电路图的图。
图10是功率半导体模块100的外观立体图。
图11是表示在功率半导体模块100的壳体103上组装模块密封体191的工序的分解立体图。
图12是构成功率半导体模块100的上下臂的串联电路的电路部件的分解立体图。
图13是实施例1的配置了8个IGBT和控制信号基板的构成图的例子。
具体实施方式
以下，使用附图对实施例进行说明。
实施例1
在本实施例中，对能够降低功率半导体的控制信号布线间的电感差，能够抑制控制信号的电流不平衡的电力转换装置的例子进行说明。
图1是本实施例的电力转换装置500的电路图。使用图1对本实施例的电力转换装置500的动作原理进行说明。
电力转换装置500由功率半导体模块100、电容器模块200、正极导体310和负极导体320构成。本实施例的电力转换装置500是将直流电流转换为3相的交流电流，或者将3相的交流电流转换为直流电流的电力转换装置，由3个功率半导体模块100U、100V、100W构成。
功率半导体模块100U至100W分别设有交流端子。即，功率半导体模块100U具有模块交流端子150U。功率半导体模块100V具有模块交流端子150V。功率半导体模块100W具有模块交流端子150W。模块交流端子150U、150V、150W与马达的三相端子连接。
正极导体310的直流输入输出正极端子319与高电压电池的正极端子连接。负极导体板320的直流输入输出负极端子329与高电压电池的负极端子连接。
电容器模块200设置有与正极导体310电连接的正极端子和与负极导体320电连接的负极端子。
功率半导体模块100由上臂和下臂构成。此外，以下例如使用以绝缘栅双极型晶体管作为半导体元件，以下略记为IGBT。功率半导体模块100的上臂由IGBT161和二极管162构成。另外，在上臂上设有用于使IGBT161导通/关断的控制端子171。功率半导体模块100的下臂由IGBT163和二极管164构成。另外，在下臂上设有用于使IGBT163导通/关断的控制端子172。
在上臂的IGBT161的集电极上设有用于与正极导体310连接的第1模块正极端子111。在下臂的IGBT163的发射极上设有用于与负极导体320连接的第1模块负极端子121。另外，在上臂IGBT161的发射极和下臂IGBT163的集电极之间设有模块交流端子150。
电力转换装置500通过切换施加在上臂的控制端子171以及下臂的控制端子172上的控制信号，能够从直流电流转换为交流电流，或者从交流电流转换为直流电流。例如，在使功率半导体模块100的上臂IGBT161导通、使下臂IGBT163关断的稳定状态下，电流从正极导体板310通过模块正极端子111流向模块交流端子150。相反，在使功率半导体模块100的上臂IGBT161关断、使下臂IGBT163导通的稳定状态下，电流从模块交流端子150向模块负极端子121流动。
图2是本实施例的电力转换装置500的概念分解立体图。
电力转换装置500由正极导体310、负极导体320、功率半导体模块100和电容器模块200构成。电容器模块200设置有与正极导体310电连接的正极端子和与负极导体320电连接的负极端子。
功率半导体模块100的第1模块正极端子111与正极导体310的第1正极端子311电连接。功率半导体模块100的第1模块负极端子121与负极导体320的第1负极端子321电连接。
接着，表示为了提高输出电力而并联连接多个功率半导体的情况下的构成例。图3是在图1的电路构成中分别使用4个功率半导体构成IGBT和二极管的功率模块100的例子。
上臂侧并联连接有4个IGBT161和4个二极管162。4个IGBT161的源极端子和二极管162的阴极端子与模块正极端子111连接。另外,4个IGBT161的发射极端子和二极管162的阳极端子与模块交流端子150连接。
下臂侧并联连接有4个IGBT163和4个二极管164。4个IGBT163的源极端子和二极管164的阴极端子与模块交流端子150连接。另外,4个IGBT163的发射极端子和二极管164的阳极端子与模块负极端子121连接。
IGBT162及163的栅极端子166与在控制信号基板400上构成的栅极布线连接，IGBT162及163的发射极端子167与在控制信号基板400上构成的发射极布线连接。
在两个控制信号基板400的栅极布线上分别插入有4个栅极电阻430，该栅极电阻430用于抑制并联连接的IGBT162及163的栅极间谐振。
从控制端子171及172输入的栅极信号被输入到控制信号基板400的栅极端子410及发射极端子420。这些信号通过控制信号基板400上的布线被分支为4个,并被输入到各IGBT162及163的栅极端子166及发射极端子167。
图4是将4个IGBT165并联连接时的功率模块的俯视图。
隔着控制信号基板400各配置两个IGBT165。在控制信号基板400上配置有第1栅极布线411、第2栅极布线412、第3栅极布线413、第4栅极布线414、第5栅极布线415。
另外，在第1栅极布线411和第3栅极布线413之间、第2栅极布线412和第3栅极布线413之间，配置有第1发射极布线421。
在第4栅极布线414和第3栅极布线413之间、第5栅极布线415和第3栅极布线413之间配置有第2发射极布线422。
第1栅极电阻431跨过第1发射极布线421与第1栅极布线411和第3栅极布线413连接。
第2栅极电阻432跨过第1发射极布线421与第2栅极布线412和第3栅极布线413连接。
同样，第3栅极电阻433跨过第2发射极布线422与第4栅极布线414和第3栅极布线413连接，第4栅极电阻434跨过第2发射极布线422与第5栅极布线415和第3栅极布线413连接。
IGBT165的栅极端子166通过引线接合440与控制信号基板400的栅极布线连接。IGBT165的发射极端子167通过引线接合440与控制信号基板400的发射极布线连接。
通过采用这样的构成，输入到控制信号基板400的栅极端子410和发射极端子420之间的栅极信号能够通过控制信号基板400上的栅极布线而等距离分支，并传递到各IGBT。
另外，作为另一效果，通过在两个栅极布线之间设置发射极布线，由于流过栅极布线的栅极信号所产生的磁通和流过发射极布线的栅极电流所产生的磁通相互抵消，因此能够降低栅极布线的电感。进而，通过跨过发射极布线设置栅极电阻，能够缩小信号布线基板的安装面积。
以下，对栅极布线的电感降低的原理进行说明。
图5表示本实施例的栅极布线、发射极布线和IGBT的连接结构。这里，为了简化说明，以两个IGBT的连接构成进行说明。
输入到控制信号基板400的栅极端子410的栅极电流2Ig通过第3栅极布线413分流到第1栅极电阻431和第2栅极电阻432。
通过了第1栅极电阻431的栅极电流Ig被施加到第1栅极布线411，并被施加到第1IGBT181的栅极端子183。另一方面，流过发射极布线的栅极电流Ig从第1IGBT181的发射极端子184通过第1发射极布线421返回到控制信号基板的发射极端子420。
同样，栅极电流Ig通过第2栅极电阻432、第2栅极布线412施加到第2IGBT182的栅极端子185。另外，栅极电流Ig从第2IGBT182的发射极端子186通过第1发射极布线421返回到控制信号基板的发射极端子420。
此时，将第1栅极布线411的自感设为Lg1，将第2栅极布线412的自感设为Lg2，将第3栅极布线413的自感设为Lg3，将与第1栅极布线相对的发射极布线421的自感设为Le1，将与第2栅极布线412相对的发射极布线421的自感设为Le2。
另外，如果将第1栅极布线411和第1发射极布线421之间的互感设为M1，将第2栅极布线412和第1发射极布线421之间的互感设为M2，将第3栅极布线413和第1发射极布线421之间的互感设为M3，则能够用图6所示的电路图来表示。
这里，为了着眼于各栅极布线和发射极布线的电感的影响，忽略各布线具有的电阻。另外，第1栅极布线411和第3栅极布线413之间的互感由于距离较远，因此忽略。如果将施加在控制信号基板400的栅极端子410和发射极端子420之间的电压设为Vge，用Ig表示流过的电流，则第1IGBT181的栅极端子183和发射极端子184之间的电压Vge1为下式。
[式1]
Vge1＝Vge-(Lg3·2Ig-M3·Ig)-(Lg1·Ig+M1·Ig)＝Vge-(2Lg3+Lg1+M1-M3)Ig (式1)
这里，假设在第1栅极布线411和第2栅极布线412中流过相等的栅极电流Ig。另一方面，第2IGBT182的栅极端子185和发射极端子186之间的电压Vge2为下式。
[式2]
Vge2＝Vge-(Lg3·2Ig-M3·Ig)-(Lg2·Ig-M2·Ig)-(Le1·Ig+M1·Ig-M3·2Ig)-(Le2·Ig-M2·Ig)＝Vge-(2Lg3+Lg2+Le1+Le2-2M2-2M3)Ig (式2)
根据式1及式2，施加在第1IGBT和第2IGBT上的栅极电压的差为以下的式3。
[式3]
Vge1-Vge2＝(2Lg3+Lg2+Le1+Le2-2M2-2M3)Ig-(2Lg3+Lg1+M1-M3)Ig＝(-Lg1+Lg2+Le1+Le2-M1-2M2-M3)Ig (式3)
即，电压差用电感和栅极电流Ig的积来表示。这里，为了简化，假设布线对称，若假设Lg＝Lg1＝Lg2、Le＝Le1＝Le2、M＝M1＝M2＝M3，则施加在第1IGBT181和第2IGBT182上的栅极电压的差、即栅极布线电感差ΔL为式4。
[式4]
ΔL＝2(Le-2M) (式4)
接着，考察不以栅极电阻跨过发射极布线的通常的控制信号基板。这里，考虑图7所示的控制信号基板。施加在控制信号基板的栅极端子上的栅极电流在通过第3栅极布线后，由4个栅极电阻431～434分支，被传递到4个IGBT165。
这里，为了简化说明，如图8所示，以两个IGBT的连接构成进行说明。输入到控制信号基板的栅极端子410的栅极电流2Ig通过第3栅极布线413而分流到第1栅极电阻431和第2栅极电阻432。
通过了第1栅极电阻431的栅极电流Ig被施加到第1栅极布线411，并被施加到第1IGBT181的栅极端子183。另一方面，流过发射极布线的栅极电流Ig从第1IGBT181的发射极端子184通过第1发射极布线421而返回到控制信号基板的发射极端子420。
同样地，施加在第2IGBT182的栅极端子185上的栅极电流Ig通过第2栅极电阻432、第2栅极布线412。另外，栅极电流Ig从第2IGBT182的发射极端子186通过第1发射极布线421返回到控制信号基板的发射极端子420。此时，将第1栅极布线411的自感设为L’g1，将第2栅极布线412的自感设为L’g2，将第3栅极布线413的自感设为L’g3，将与第1栅极布线相对的发射极布线421的自感设为L’e1，将与第2栅极布线412相对的发射极布线421的自感设为L’e2。另外，如果将第1栅极布线411和第1发射极布线421之间的互感设为M’1，将第2栅极布线412和第1发射极布线421之间的互感设为M’2，将第1栅极布线411和第3栅极布线413之间的互感设为M’4，则能够用图9所示的等效电路图来表示。这里，为了着眼于各栅极布线和发射极布线的电感的影响，忽略各布线具有的电阻。另外，第3栅极布线413和第1发射极布线421之间的互感由于距离较远，因此忽略。如果将施加在控制信号基板400的栅极端子410和发射极端子420之间的电压设为Vge，用Ig表示流过的电流，则第1IGBT181的栅极端子183和发射极端子184之间的电压V’ge1为下式。
[式5]
V′ge1＝Vge-(L′g3·2Ig-M′4·Ig)-(L′g1·Ig+M′1·Ig)＝Vge-(2L′g3+L′g1+M′1-M′4)Ig (式5)
这里，假设在第1栅极布线411和第2栅极布线412中流过相等的栅极电流Ig。另一方面，第2IGBT182的栅极端子185和发射极端子186之间的电压V’ge2为下式。
[式6]
V′ge2＝Vge-(L′g3·2Ig-M’4·lg)-(L′g2·Ig-M′2·Ig)-(L′e1·Ig+M′1·Ig)-(L′e2·Ig-M′2·Ig)＝Vge-(2L′g3+L′g2+L′e1+L′e2+M′1-2M′2-M′4)Ig (式6)
根据式5及式6，施加到第1IGBT和第2IGBT的栅极电压的差为以下的式7。
[式7]
V′ge1-V′ge2＝(2L′g3+L′g2+L′e1+L′e2+M′1-2M′2-M′4)Ig-(2L′g3+L′g1+M′1-M′4)Ig＝(-L′g1+L′g2+L＇e1+L′e2-2M′2)Ig (式7)
即，电压差用电感和栅极电流Ig的积来表示。在此，为了简化，假设布线对称，若假设L’g＝L’g1＝L’g2、L’e＝L’e1＝L’e2、M’＝M’1＝M’2＝M’4，则施加在第1IGBT181和第2IGBT182上的栅极电压的差、即栅极布线电感差ΔL为以下的式8。
[式8]
ΔL′＝2(L′e-M′) (式8)
接着，对图4所示的本实施例的布局中的控制信号的电感差(式4)与图7所示的通常的布局中的电感差(式8)进行比较。在两个布局中，在布线宽度、布线间隔相等的情况下，发射极布线的自感和布线间的互感在两个布局中相等。即，Le＝L’e，M＝M’。此时，本实施例(式4)的电感差变小，可知能够抑制施加在IGBT上的控制信号的电流不平衡。
接着，对上述实施例1的电力转换装置中使用的功率半导体模块100的构成例进行说明。图10是本实施例的电力转换装置中使用的功率半导体模块100的构成图的例子。如图3所示，功率半导体模块100由上臂的IGBT161和二极管162、下臂的IGBT163和二极管164构成。
本实施例的功率半导体模块100为了保护内部的IGBT、二极管，用树脂模制成型。在功率半导体模块100的模制端子面190上设置有用于与正极端子311或负极端子321连接的模块正极端子111、模块负极端子121、模块交流端子150。另外，这些端子(正极端子111、负极端子121、交流端子150)以各自的主面重合于一个假想面上的方式配置。因此，在功率半导体模块100的模制工序中，能够使端子部分的模制夹具的形状简单化，因此能够使模制工序容易化。
使用图10至图12对上述的功率半导体模块的更详细的实施方式的一例进行说明。图10是功率半导体模块100的外观立体图。功率半导体模块100具有除输出端子的开口部以外为全闭结构的壳体103。壳体103由形成侧壁和底面的框体104、冷却功率半导体元件的散热片105和凸缘部106构成。
散热片105形成在与壳体103的侧壁及底面正交的纵向最宽的表面上。散热片105在相对的相反表面上也以同样的形状形成。
凸缘部106起到将功率半导体模块100组装到电力转换装置时的定位的作用。关于本实施例的功率半导体模块100，设想的是形成有散热片105的散热部直接与制冷剂接触的形式的电力转换装置，上述凸缘部106还起到确保与制冷剂接触的散热部和端子部之间的气密性的作用。在设置于凸缘部106的槽部106A上配置有例如O形环那样的确保气密性的构件。此外，在此例示并说明了上述那样的直冷方式的电力转换装置，但本实施方式的功率半导体模块并不特别限定于这些用途，也可以利用于其他方式的电力转换装置。
绝缘模制端子193由模块正极端子111、模块负极端子121、模块交流端子150、模块控制端子171、172、模制构件194构成。
在模制构件194上形成有用于使这些端子(模块正极端子111、模块负极端子121、模块交流端子150、模块控制端子171、172)贯通的多个贯通孔。这些端子通过该模制构件194而相互电绝缘。
另外，也可以采用在各端子间组装分体的绝缘板材来确保绝缘的构成。
图11是表示在功率半导体模块100的壳体103上组装模块密封体191的工序的分解立体图。密封并内置功率半导体元件(上臂的IGBT161和二极管162、下臂的IGBT163和二极管164)的模块密封体191插入到上述壳体103的插入口107中。此时，绝缘构件108与模块密封体191的各个面相对地配置。
图12是构成功率半导体模块100的上下臂的串联电路的电路部件的分解立体图。在图12中，模块密封体191的密封材料未图示。
构成上臂电路的并联连接的4个IGBT161以该IGBT161的集电极与导体板199接合的方式配置。构成上臂电路的并联连接的4个二极管162以该二极管162的阴极与导体板199接合的方式配置。电极板196夹着IGBT161及二极管162，与电极板199相对地配置。电极板196与IGBT161的发射极和二极管162的阳极接合。上臂电路的功率半导体元件(IGBT161、二极管162)以被电极板199和电极板196平行地夹持的方式并联连接。另外，为了将控制信号分支并传递到并联连接的IGBT161，在导体板199上配置有控制信号基板400。
构成下臂电路的并联连接的4个IGBT163以该IGBT163的集电极与导体板195接合的方式配置。构成下臂电路的并联连接的4个二极管164以该二极管164的阴极与导体板195接合的方式配置。电极板197夹着IGBT163及二极管164，与电极板195相对地配置。电极板197与IGBT163的发射极和二极管164的阳极接合。下臂电路的功率半导体元件(IGBT163、二极管164)以被电极板195和电极板197平行地夹持的方式并联连接。另外，为了将控制信号分支并传递到并联连接的IGBT161，在导体板195上配置有控制信号基板400。
导体板196和导体板195通过对形成在导体板196上的中间电极198A和形成在导体板195上的中间电极198B进行金属接合而连接。即，上臂电路的功率半导体元件(IGBT161、二极管162)和下臂电路的功率半导体元件(IGBT163、二极管164)构成串联连接的电路。
另外，信号端子171、172通过接合线等与控制信号基板的栅极端子410或发射极端子420连接。
导体板196和导体板197配置在同一平面上。另外，如图11所示，这些导体板196、197以接合IGBT和二极管的面的相反侧的面从模块密封体191的密封材料露出的方式配置。
导体板195和导体板199配置在同一平面上。另外，虽然在图11中未图示，但这些导体板195、199以接合IGBT和二极管的面的相反侧的面从模块密封体191的密封材料露出的方式配置。
上述导体板195、196、197、199的露出面与壳体103的散热片105相对地配置。
另外，模块正极端子111、模块负极端子121、模块交流端子150从模块密封体191的模块端子面190突出地配置。如上所述，这些端子以各自的主面重合于一个假想面上的方式配置。
在本实施例的功率半导体模块100中，壳体103由具有导电性的构件、例如Cu、Cu合金、Cu-C、Cu-CuO等复合材料、或者Al、Al合金、AlSiC、Al-C等复合材料等形成。另外，壳体103通过焊接等防水性高的接合法或锻造、铸造法等成形。
作为模块密封体191的密封材料，例如可以使用以酚醛清漆系、多官能系、联苯系的环氧树脂系为基础的树脂，含有SiO2、Al2O3、AlN、BN等陶瓷、凝胶、橡胶等，使热膨胀系数接近导体板195、196、197、199。由此，能够降低构件间的热膨胀系数差，伴随着使用环境时的温度上升而产生的热应力大幅降低，因此能够延长功率半导体模块的寿命。
用于导体板与功率半导体元件的接合等的金属接合剂可以使用例如Sn合金系的软钎料(焊锡)、Al合金-Cu合金等硬钎料、使用金属的纳米粒子-微粒的金属烧结材料。
实施例2
在本实施例中，对并联连接8个IGBT时的构成例进行说明。
使用图13说明本实施例的电力转换装置的构成。但是，对于与在实施例1中已经说明的标注相同的符号的构成和具有相同功能的部分，省略说明。
图13是本实施例的电力转换装置的构成图的例子。在本实施例中，对并联连接8个IGBT165时的、能够降低IGBT间的电流不平衡的结构进行说明。控制信号基板400具有将施加在控制信号基板的栅极端子410上的栅极信号分支到8个IGBT165的栅极布线411～419。第3栅极布线413和第1栅极布线411、第2栅极布线412、第6栅极布线416、第7栅极布线417通过跨过第1发射极布线421的栅极电阻430而连接。由于这些栅极布线与第1发射极布线421相邻地配置，因此通过由流过栅极布线的电流和流过发射极布线的电流引起的电感的抵消，能够根据实施例1所示的原理降低电感差。同样地，第3栅极布线413和第4栅极布线414、第5栅极布线415、第8栅极布线418、第9栅极布线419通过跨过第2发射极布线422的栅极电阻430而连接。由于这些栅极布线与第2发射极布线422相邻地配置，因此通过由流过栅极布线的电流和流过发射极布线的电流引起的电感的抵消，能够降低电感差。
此外，本发明不限于上述的实施例，包括各种变形例。例如，上述实施例是为了易于理解地说明本发明而进行的详细说明，不一定限定于具备说明的全部构成。另外，在上述实施例中，作为功率半导体，以Si制的IGBT为例进行了说明，但在使用SiC或GaN等功率半导体的情况下，也能够得到同样的效果。进一步地，可以将实施例的构成的一部分置换为其他实施例的构成，另外，也可以在某个实施例的构成中增加其他实施例的构成。另外，对于各实施例的构成的一部分，可以进行其他构成的追加、删除、置换。
符号说明
100…功率半导体模块、103…壳体、104…框体、105…散热片、106…凸缘部、106A…槽部、107…插入口、108…绝缘构件、111…模块正极端子、121…模块负极端子、150…模块交流端子、161…上臂的IGBT、162…上臂的二极管、163…下臂的IGBT、164…下臂的二极管、165…IGBT、166…IGBT的栅极端子、167…IGBT的发射极端子、171…上臂的控制端子、172…下臂的控制端子、190…模制端子面、191…模块密封体、193…绝缘模制端子、194…模制构件、195…导体板、196…导体板、197…导体板、198…中间电极、199…导体板、200…电容器模块、310…正极导体、311…正极端子、319…直流输入输出正极端子、320…负极导体、321…负极端子、329…直流输入输出负极端子、400…控制信号基板、410…栅极端子、411…第1栅极布线、412…第2栅极布线、413…第3栅极布线、414…第4栅极布线、415…第5栅极布线、416…第6栅极布线、417…第7栅极布线、418…第8栅极布线、419…第9栅极布线、420…发射极端子、421…第1发射极布线、422…第2发射极布线、430…控制信号基板的栅极电阻、431…第1栅极电阻、432…第2栅极电阻、433…第3栅极电阻、434…第4栅极电阻、440…引线接合、500…电力转换装置。

Claims (4)

1.一种电力转换装置，其特征在于，具备：
第1功率半导体元件；
第2功率半导体元件；以及
电路基板，其具有传递所述第1功率半导体元件及所述第2功率半导体元件的驱动信号的电路，
所述电路基板具有：
第1发射极布线，其沿着所述第1功率半导体元件和所述第2功率半导体元件的排列方向而形成；
第1栅极布线，其配置在所述第1功率半导体元件和所述第1发射极布线之间；
第2栅极布线，其配置在所述第2功率半导体元件和所述发射极布线之间；
第3栅极布线，其隔着所述发射极布线与所述第1栅极布线及所述第2栅极布线相对地配置；以及
第1栅极电阻，其跨过所述第1发射极布线连接所述第1栅极布线和所述第3栅极布线。
2.根据权利要求1所述的电力转换装置，其特征在于，
所述电路基板具有第2栅极电阻，所述第2栅极电阻跨过所述第1发射极布线而连接所述第2栅极布线和所述第3栅极布线。
3.一种电力转换装置，其特征在于，具备：
第1功率半导体元件；
第2功率半导体元件；以及
电路基板，其具有传递所述第1功率半导体元件及所述第2功率半导体元件的驱动信号的电路，
所述电路基板具有：
第1发射极布线及第2发射极布线，它们在相对于所述第1功率半导体元件和所述第2功率半导体元件的排列方向横切的方向上形成；
第1栅极布线，其配置在所述第1功率半导体元件和所述第1发射极布线之间；
第4栅极布线，其配置在所述第3功率半导体元件和所述第2发射极布线之间；
第3栅极布线，其配置在所述第1发射极布线和所述第2发射极布线之间；以及
第1栅极电阻，其跨过所述第1发射极布线而连接所述第1栅极布线和所述第3栅极布线。
4.根据权利要求3所述的电力转换装置，其特征在于，
所述电路基板具有第2栅极电阻，所述第2栅极电阻跨过所述第2发射极布线连接所述第4栅极布线和所述第3栅极布线。
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