CN111063741A - 薄膜晶体管及其制作方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。所述薄膜晶体管包括：基板；设于所述基板上的栅极层；设于所述栅极层上的吸光图案层；设于所述吸光图案层上的有源层；设于所述有源层上的源漏极。本申请能够避免光通过栅极层反射到有源层，从而减小漏电流，保证薄膜晶体管的稳定性。
Description
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。
背景技术
对于薄膜晶体管液晶显示器来说，薄膜晶体管的特性对产品的品质有很大影响，而其亮态漏电流的影响显得尤为重要。薄膜晶体管中有源层的材料一般为氧化铟镓锌或非晶硅，是一种对光很敏感的材料。而有源层下方设置有栅极层，在画面显示时，外界光照和背光源发出的光会在栅极层形成反射，照射到有源层，导致漏电流上升，严重影响薄膜晶体管的特性。
发明内容
本申请实施例提供一种薄膜晶体管，以解决有源层受到光照导致漏电流上升的问题。
本申请实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：
基板；
设于所述基板上的栅极层；
设于所述栅极层上的吸光图案层；
设于所述吸光图案层上的有源层；
设于所述有源层上的源漏极。
在本申请实施例中，所述吸光图案层在所述基板上的正投影与所述栅极层在所述基板上的正投影完全重叠。
在本申请实施例中，所述吸光图案层为铜锌锡硫硒薄膜。
在本申请实施例中，所述吸光图案层的厚度范围为100A-5000A。
在本申请实施例中，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层设置在所述吸光图案层与所述有源层之间。
本申请实施例还提供了一种显示面板，包括背光源和上述薄膜晶体管；
所述背光源设于所述薄膜晶体管中的基板远离栅极层的一侧。
本申请实施例还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：
提供基板；
在所述基板上依次形成栅极层和吸光图案层；
在所述吸光图案层上形成有源层；
在所述有源层上形成源漏极。
在本申请实施例中，所述在所述基板上依次形成栅极层和吸光图案层，具体包括：
在所述基板上依次形成金属层和吸光层；
对所述金属层和所述吸光层进行蚀刻，得到所述栅极层和所述吸光图案层。
在本申请实施例中，所述吸光图案层在所述基板上的正投影与所述栅极层在所述基板上的正投影完全重叠。
在本申请实施例中，所述吸光图案层为铜锌锡硫硒薄膜，所述吸光图案层的厚度范围为100A-5000A。
本申请的有益效果为：在薄膜晶体管中增加吸光图案层，且吸光图案层位于栅极层与有源层之间，以对外部光和背光源发出的光进行吸收，避免光通过栅极层反射到有源层，从而减小漏电流，保证薄膜晶体管的稳定性。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的薄膜晶体管的制作方法的流程示意图；
图4为本申请实施例提供的薄膜晶体管的制作方法中步骤302的部分结构示意图；
图5为本申请实施例提供的薄膜晶体管的制作方法中步骤302的另一部分结构示意图。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本申请的示例性实施例的目的。但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
下面结合附图和实施例对本申请作进一步说明。
如图1所示，本申请实施例提供了一种薄膜晶体管，包括基板1、栅极层2、吸光图案层3、有源层4和源漏极5。所述栅极层2设于所述基板1上，所述吸光图案层3设于所述栅极层2上，所述有源层4设于所述吸光图案层3上，所述源漏极5设于所述有源层4上。
其中，栅极层2和源漏极5的材料可以为导电材料，如铜、铝、银等金属或金属合金。有源层4的材料包括氧化铟镓锌或非晶硅等，即本实施例中的薄膜晶体管可以为a si:HTFT结构或IGZO结构等。吸光图案层3的材料包括Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)等化合物材料，即吸光图案层3可以为铜锌锡硫硒薄膜。需要说明的是，吸光图案层3的材料还可以为其他材料，只要能够达到吸光效果即可，在此不做具体限定。另外，吸光图案层3的厚度范围为100A-5000A，1A＝10-7MM。
本申请实施例中的吸光图案层3设置在栅极层2与有源层4之间，当外部光和背光源反射的光照射到吸光图案层3时，光能够被吸光图案层3吸收，而不再被栅极层2反射至有源层4，减小漏电流，保证薄膜晶体管的稳定性。
进一步地，吸光图案层3覆盖在栅极层2上，且吸光图案层3与栅极层2在平行于基板1方向上的截面面积相同，即所述吸光图案层3在所述基板1上的正投影与所述栅极层2在所述基板1上的正投影完全重叠，使得吸光图案层3既能避免栅极层2反射光至有源层4，又不会影响像素区的发光效率。
进一步地，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层6，所述栅极绝缘层6设置在所述吸光图案层3与所述有源层4之间。具体地，如图1所示，吸光图案层3覆盖在栅极层2上，栅极绝缘层6覆盖在基板1和吸光图案层3上，有源层4覆盖在栅极绝缘层6上，源漏极5覆盖在有源层4上，且源漏极5与栅极层2对应设置。另外，薄膜晶体管还包括层间绝缘层7，层间绝缘层7覆盖在有源层4和源漏极5上。
其中，栅极层2和吸光图案层3可以同制程完成，即在基板上依次形成金属层和吸光层后，对金属层和吸光层一同进行曝光、显影和蚀刻，得到栅极层2和吸光图案层3，从而避免增加制程工艺。
综上，本申请实施例能够在薄膜晶体管中增加吸光图案层，且吸光图案层位于栅极层与有源层之间，以对外部光和背光源发出的光进行吸收，避免光经栅极层反射到有源层，从而减小漏电流，保证薄膜晶体管的稳定性；吸光图案层在基板上的正投影与栅极层在所述基板上的正投影完全重叠，不会影响像素区域的发光效率。
如图2所示，本申请实施例提供了一种显示面板，包括背光源21和薄膜晶体管22，其中，薄膜晶体管22为上述实施例中的薄膜晶体管，在此不再详细赘述。
其中，所述背光源21设于所述薄膜晶体管22中的基板1远离栅极层2的一侧，即薄膜晶体管22中的基板1设于背光源21上，使薄膜晶体管22中的吸光图案层3能够对外部光和背光源发出的光进行吸收，避免光经栅极层2反射至有源层4，保证薄膜晶体管的稳定性。
如图3所示，本申请实施例还提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：
301、提供基板。
302、在所述基板上依次形成栅极层和吸光图案层。
具体地，步骤302中的所述在所述基板上依次形成栅极层和吸光图案层，具体包括：
在所述基板上依次形成金属层和吸光层；
对所述金属层和所述吸光层进行蚀刻，得到所述栅极层和所述吸光图案层。
如图4所示，先在基板1上整层形成金属层41，在金属层41上整层形成吸光层42。进而在吸光层42上涂覆一层光刻胶，在光刻胶上贴服光罩，通过光罩对吸光层42上的光刻胶曝光处理，以保留所需图案的光刻胶，进而对金属层41和吸光层42进行蚀刻，去掉未覆盖光刻胶的金属层和吸光层，而保留被光刻胶覆盖的金属层和吸光层，进而去除剩余光刻胶，保留的金属层即为栅极层2，保留的吸光层即为吸光图案层3，如图5所示。
其中，所述吸光图案层3在所述基板1上的正投影与所述栅极层2在所述基板1上的正投影完全重叠。所述吸光图案层3为铜锌锡硫硒薄膜，所述吸光图案层3的厚度范围为100A-5000A。
303、在所述吸光图案层上形成有源层。
如图1所示，可以先在基板1和吸光图案层3上形成栅极绝缘层6，进而在栅极绝缘层6上形成有源层4。
304、在所述有源层上形成源漏极。
如图1所示，在有源层4上形成源漏极5，且源漏极5与栅极层2对应设置，进而在有源层4和源漏极5上形成层间绝缘层7。
本申请实施例能够在薄膜晶体管中增加吸光图案层，且吸光图案层位于栅极层与有源层之间，以对外部光和背光源发出的光进行吸收，避免光经栅极层反射到有源层，从而减小漏电流，保证薄膜晶体管的稳定性；吸光图案层在基板上的正投影与栅极层在所述基板上的正投影完全重叠，不会影响像素区域的发光效率。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板；
设于所述基板上的栅极层；
设于所述栅极层上的吸光图案层；
设于所述吸光图案层上的有源层；
设于所述有源层上的源漏极。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述吸光图案层在所述基板上的正投影与所述栅极层在所述基板上的正投影完全重叠。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述吸光图案层为铜锌锡硫硒薄膜。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述吸光图案层的厚度范围为100A-5000A。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层设置在所述吸光图案层与所述有源层之间。
6.一种显示面板，其特征在于，包括背光源和如权利要求1至5任一项所述的薄膜晶体管；
所述背光源设于所述薄膜晶体管中的基板远离栅极层的一侧。
7.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上依次形成栅极层和吸光图案层；
在所述吸光图案层上形成有源层；
在所述有源层上形成源漏极。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上依次形成栅极层和吸光图案层，具体包括：
在所述基板上依次形成金属层和吸光层；
对所述金属层和所述吸光层进行蚀刻，得到所述栅极层和所述吸光图案层。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述吸光图案层在所述基板上的正投影与所述栅极层在所述基板上的正投影完全重叠。
10.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述吸光图案层为铜锌锡硫硒薄膜，所述吸光图案层的厚度范围为100A-5000A。
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