CN112802905A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了显示面板及其制作方法、显示装置，该显示面板包括：基板；位于所述基板上的薄膜晶体管层，薄膜晶体管层包括有源层、金属层和减反层，减反层至少位于金属层靠近有源层的一侧，减反层的反射率小于金属层的反射率。该方案可以减少照射至有源层上的光线，降低薄膜晶体管层出现性能变化从而失效的风险，以提高薄膜晶体管层工作的稳定性和可靠性。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及显示器件的制造，具体涉及显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
氧化物半导体薄膜晶体管采用氧化物作为电子通道，相较于多晶硅薄膜晶体管具有较高的迁移率、较小寄生电容和低漏电流等特性。
然而，氧化物半导体薄膜晶体管中的有源层受光照影响较大，导致氧化物半导体薄膜晶体管在光照下易出现性能变化而失效，降低了氧化物半导体薄膜晶体管工作的稳定性和可靠性较低。
发明内容
本发明的目的在于提供显示面板及其制备方法、显示装置，以减少照射至有源层的光线，解决了现有技术中因有源层被较多的光线照射下而引发的氧化物半导体薄膜晶体管出现性能变化而失效的问题。
本发明实施例提供显示面板，所述显示面板包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层位于所述基板上，所述薄膜晶体管层包括有源层、金属层和减反层，所述减反层至少位于所述金属层靠近所述有源层的一侧，所述减反层的反射率小于所述金属层的反射率。
在一实施例中，所述金属层包括遮光层，所述遮光层位于所述有源层靠近所述基板的一侧，所述减反层包括第一减反层，所述第一减反层位于所述遮光层靠近所述有源层的一侧，所述第一减反层的反射率小于所述遮光层的反射率。
在一实施例中，所述第一减反层的组成材料包括氧化钼。
在一实施例中，所述第一减反层包括：
第一子层，所述第一子层的组成材料包括钼钛掺镍合金、钼钛合金或者钼；
第二子层，所述第二子层位于所述第一子层靠近所述有源层的一侧，所述第二子层的组成材料包括氧化铟锌。
在一实施例中，所述遮光层的组成材料包括金属材料。
在一实施例中，所述金属层包括栅极层，所述栅极层位于所述有源层远离所述基板的一侧，所述减反层包括第二减反层，所述第二减反层位于所述栅极层靠近所述有源层的一侧，所述第二减反层的反射率小于所述栅极层的反射率。
在一实施例中，所述第二减反层的组成材料包括氧化钼。
在一实施例中，所述第二减反层包括：
第三子层，所述第三子层的组成材料包括钼钛掺镍合金、钼钛合金或者钼；
第四子层，所述第四子层位于所述第三子层靠近所述有源层的一侧，所述第四子层的组成材料包括氧化铟锌。
在一实施例中，所述栅极层的组成材料包括金属材料。
在一实施例中，所述有源层的组成材料包括金属氧化物。
本发明实施例提供显示面板的制作方法，用于制作如上文任一所述的显示面板，所述方法包括：
提供一基板；
在所述基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层、金属层和减反层，所述减反层至少位于所述金属层靠近所述有源层的一侧，所述减反层的反射率小于所述金属层的反射率。
在一实施例中，所述金属层包括遮光层，所述减反层包括第一减反层，所述在所述基板上形成薄膜晶体管层的步骤包括：
在所述基板上形成所述遮光层；
在所述遮光层上形成所述第一减反层，所述第一减反层的反射率小于所述遮光层的反射率；
在所述第一减反层上形成所述有源层。
在一实施例中，所述金属层还包括栅极层，所述减反层还包括第二减反层，所述在所述第一减反层上形成所述有源层的步骤之后，包括：
在所述有源层上形成所述第二减反层；
在所述第二减反层上形成所述栅极层，所述第二减反层的反射率小于所述栅极层的反射率。
在一实施例中，所述金属层包括栅极层，所述减反层包括第二减反层，所述在所述基板上形成薄膜晶体管层的步骤包括：
在所述基板上形成所述有源层；
在所述有源层上形成所述第二减反层；
在所述第二减反层上形成所述栅极层，所述第二减反层的反射率小于所述栅极层的反射率。
本发明实施例提供显示装置，所述显示装置包括如上文任一所述的显示面板或者包括如上文任一所述的制作方法制作的显示面板。
本发明提供了显示面板及其制作方法、显示装置，所述显示面板包括薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层、金属层和减反层，通过将所述减反层设置为位于所述金属层靠近所述有源层的一侧，且所述减反层的反射率小于所述金属层的反射率，即所述减反层可以增强所述金属层靠近所述有源层的一侧对于光线的吸收，以减少照射至所述有源层上的光线，从而降低薄膜晶体管层出现性能变化从而失效的风险，以提高薄膜晶体管层工作的稳定性和可靠性。
附图说明
下面通过附图来对本发明进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的剖面示意图。
图2为本发明实施例提供的另一种显示面板的剖面示意图。
图3为本发明实施例提供的又一种显示面板的剖面示意图。
图4为本发明实施例提供的第一种显示面板的制作方法的流程图。
图5为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程场景示意图。
图6为本发明实施例提供的第二种显示面板的制作方法的流程图。
图7为本发明实施例提供的第三种显示面板的制作方法的流程图。
图8为本发明实施例提供的第四种显示面板的制作方法的流程图。
图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程场景示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“靠近”、“远离”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，例如，“上”只是表面在物体上方，具体指代正上方、斜上方、上表面都可以，只要居于物体水平之上即可；“两侧”或者“两端”是指代图中可以体现出的物体的相对的两个位置，所述两个位置可以和物体直接/间接接触，以上方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
另外，还需要说明的是，附图提供的仅仅是和本发明关系比较密切的结构和步骤，省略了一些与发明关系不大的细节，目的在于简化附图，使发明点一目了然，而不是表明实际中装置和方法就是和附图一模一样，不作为实际中装置和方法的限制。
本发明提供显示面板，所述显示面板包括但不限于以下实施例以及以下实施例的组合。
在一实施例中，如图1-3所示，所述显示面板100包括：基板10；薄膜晶体管层20，所述薄膜晶体管层20位于所述基板10上，所述薄膜晶体管层20包括有源层201、金属层和减反层，所述减反层至少位于所述金属层靠近所述有源层201的一侧，所述减反层的反射率小于所述金属层的反射率。需要注意的是，所述金属层可以包括但不限于两个分隔设置的膜层，所述减反层也可以包括但不限于两个分隔设置的膜层，并且所述减反层中的多个膜层和所述金属层中的多个膜层一一对应，并且满足所述减反层中的每一个膜层的反射率分别小于所述金属层中的对应的膜层的反射率。。
其中，所述基板10可以为刚性基板或者柔性基板，所述刚性基板可以为玻璃或者硅片，所述刚性基板的组成材料可以包括但不限于石英粉、碳酸锶、碳酸钡、硼酸、硼酐、氧化铝、碳酸钙、硝酸钡、氧化镁、氧化锡、氧化锌中的至少一种，所述柔性基板可以为聚合物材料基板、金属箔片基板、超薄玻璃基板、聚合物/无机物基板或者聚合物/有机物/无机物基板，其中所述聚合物材料可以包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的至少一种。
特别的，所述有源层201的组成材料包括金属氧化物。具体的，所述有源层201的组成材料可以包括铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铟镓氧化物、铟锌氧化物、铝铟锌氧化物、铟镓锌锡氧化物或者其它金属氧化物，进一步的，所述有源层201的组成材料可以包括非晶金属氧化物。可以理解的，采用所述有源层201制备的所述薄膜晶体管层20相比于传统的非晶硅薄膜晶体管具有较高的迁移率、较小寄生电容和低漏电流。进一步的，所述薄膜晶体管层20可以作为电流驱动显示电路，例如，所述显示面板100中的发光器件可以包括有机发光半导体发光器件、微型发光二极管或者其它自发光器件。
具体的，所述减反层和所述有源层201相对设置，且所述减反层的两端分别超出所述有源层201的两端，以确保遮挡所述有源层201。可以理解的，由于所述减反层位于对应的所述金属层靠近所述有源层201的一侧，且所述减反层的反射率小于对应的所述金属层的反射率，即照射至所述减反层表面的光线相比于照射至所述金属层表面的光线可以更大程度地被吸收，从而可以减少反射至所述有源层201上的光线，降低所述薄膜晶体管层20出现性能变化从而失效的风险，以提高薄膜晶体管20工作的稳定性和可靠性。
在一实施例中，如图1、3所示，所述金属层包括遮光层3031，所述遮光层303位于所述有源层201靠近所述基板10的一侧，遮光层3031遮光层3031所述减反层包括第一减反层3032，所述第一减反层3032位于所述遮光层3031靠近所述有源层201的一侧，所述第一减反层3032的反射率小于所述遮光层3031的反射率。需要注意的是，由于所述遮光层3031较靠近所述基板10，且所述第一减反层3032较靠近所述有源层201，即外界光线或者背光光线可以依次经过所述遮光层3031和所述第一减反层3032。可以理解的，将所述遮光层3031的反射率设置的较大，不仅可以将较多的外界光线或者背光光线反射至远离所述有源层201的一侧，以提高光线的利用率，而且可以减少光线在所述遮光层3031的通过率，以避免光线照射至所述有源层201；将所述第一减反层3032的反射率设置的较小，可以将照射至所述第一减反层3032的大部分光线吸收，减少从所述第一减反层3032反射至所述所述有源层201的光线。因此，本实施例可以减小照射至有源层201上的光线，降低所述薄膜晶体管层20出现性能变化从而失效的风险，以提高薄膜晶体管20工作的稳定性和可靠性。
在一实施例中，所述遮光层3031的组成材料包括金属材料。具体的，所述遮光层3031可以为单层膜层或者复合膜层。例如，当所述遮光层3031为单层膜层时，所述遮光层3031的组成材料可以包括但不限于铜或者铝；当所述遮光层3031为复合膜层时，如图1、3所示，所述遮光层3031包括第一遮光层30311和位于所述第一遮光层30311远离所述基板10一侧的第二遮光层31312，所述第一遮光层30311的组成材料可以包括但不限于钼、钼钛合金或者钼钛掺镍合金，所述第二遮光层31312的组成材料可以包括但不限于铜或者铝，所述第一遮光层30311用于增加所述遮光层3031和所述基板10之间的粘附力。
在一实施例中，所述第一减反层3032的组成材料包括氧化钼。具体的，当所述第一减反层3032为单层膜层时，所述第一减反层3032的组成材料可以包括氧化钼。在一实施例中，如图1、3所示，当所述第一减反层3032为复合膜层时，所述第一减反层3032包括：第一子层30321，所述第一子层30321的组成材料包括但不限于钼钛掺镍合金、钼钛合金或者钼；第二子层30322，所述第二子层30322位于所述第一子层30321靠近所述有源层201的一侧，所述第二子层30322的组成材料包括但不限于氧化铟锌或者氧化铟锡。
进一步的，如图1-3所示，所述显示面板100还包括缓冲层40，所述缓冲层40位于所述第一减反层3032远离所述基板10的一侧，且所述缓冲层40覆盖所述第一减反层3032和所述基板10。具体的，所述缓冲层40呈绝缘性，所述缓冲层40可以为单层膜层或者复合膜层。例如，当所述述缓冲层40为单层膜层时，所述述缓冲层40的组成材料可以包括但不限于氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅；当所述缓冲层40为复合膜层时，所述缓冲层40可以包括第一缓冲层和位于所述第一缓冲层远离所述基板10一侧的第二缓冲层，所述第一缓冲层的组成材料可以包括但不限于氮化硅，所述第二缓冲层的组成材料可以包括但不限于氧化硅。
在一实施例中，如图2-3所示，所述金属层包括栅极层3041，所述栅极层3041位于所述有源层201远离所述基板10的一侧，所述减反层包括第二减反层3042，所述第二减反层3042位于所述栅极层3041靠近所述有源层201的一侧，所述第二减反层3042的反射率小于所述栅极层3041的反射率。栅极层3041栅极层3041第二减反层3042第二减反层3042第二减反层3042栅极层3041第二减反层3042栅极层3041进一步的，所述栅极层3041位于所述有源层201的远离所述基板10的一侧。同理，由于所述第二减反层3042较靠近所述有源层201，即外界光线依次经过所述栅极层3041和所述第二减反层3042，将所述第二减反层3042的反射率设置的较小，可以将照射至所述第二减反层3042的大部分光线吸收，减少从所述第二减反层3042反射至所述所述有源层201的光线。因此，本实施例可以减小照射至有源层201上的光线，降低所述薄膜晶体管层20出现性能变化从而失效的风险，以提高薄膜晶体管20工作的稳定性和可靠性。
在一实施例中，如图2-3所示，所述栅极层3041的组成材料包括金属材料。具体的，所述栅极层3041可以为单层膜层或者复合膜层，当所述栅极层3041为单层膜层时，如图2-3所示，所述栅极层3041的组成材料可以包括但不限于铜、铝、钼、或者钛，当然所述栅极层3041的组成材料也可以包括金属氧化物、金属氮化物或者金属氮氧化物；当所述栅极层3041为复合膜层时，所述栅极层3041可以为但不限于钼/铝/钼层、铝/钼层、钼/铜层、钼钛合金/铜层。
在一实施例中，所述第二减反层3042的组成材料包括氧化钼。具体的，当所述第二减反层3042为单层膜层时，所述第二减反层3042的组成材料可以包括氧化钼。在一实施例中，如图2-3所示，当所述第二减反层3042为复合膜层时，所述第二减反层3042包括：第三子层30421，所述第三子层30421的组成材料包括但不限于钼钛掺镍合金、钼钛合金或者钼；第四子层30422，所述第四子层30422位于所述第三子层30421靠近所述有源层201的一侧，所述第四子层30422的组成材料包括但不限于氧化铟锌或者氧化铟锡。
进一步的，如图1-3所示，所述薄膜晶体管层20还包括绝缘层202，所述绝缘层202位于所述栅极层3041和所述有源层201之间。具体的，所述绝缘层202可以为单层膜层或者复合膜层，当所述绝缘层202为单层膜层时，如图1-3所示，所述绝缘层202的组成材料可以包括但不限于氧化硅或者氮化硅；当所述绝缘层202为复合膜层时，所述绝缘层202可以为但不限于三氧化二铝/氮化硅/氧化硅层、氧化硅/氮化硅/氧化硅层。
具体的，如图1-3所示，所述显示面板100还包括中间介电层50，所述中间介电层50覆盖所述栅极层3041、所述缓冲层40、所述有源层201和所述绝缘层202，所述中间介电层50上设有多个通孔01；进一步的，所述薄膜晶体管层20还包括源极层203和漏极层204，所述源极层203的两端分别通过对应的所述通孔01连接所述有源层201的左端和所述遮光层303，所述漏极层204通过对应的所述通孔01连接所述有源层201的右端。具体的，所述中间介电层50的组成材料可以包括但不限于氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。具体的，所述源极层203和所述漏极层204的膜层结构相同，两者均可以为单层膜层或者复合膜层，当所述源极层203和所述漏极层204均为单层膜层时，如图1-3所示，所述源极层203和所述漏极层204的组成材料可以包括但不限于钼、铝、铜、钛、氧化铟锡或者铜铌合金；当所述源极层203和所述漏极层204均为复合膜层时，所述源极层203和所述漏极层204均可以为但不限于钼/铝层、钼/铜层、钼/铜/氧化铟锌层、氧化铟锌/铜/氧化铟锌层、钼/铜/氧化铟锡层、镍/铜/镍层、钼镍钛合金/铜/钼镍钛合金层或者镍铬合金/铜/镍铬合金层。
具体的，如图1-3所示，所述显示面板100还包括子绝缘层80、第一导电层60和第二导电层70，所述子绝缘层80和所述绝缘层202同层设置且所述子绝缘层80和对应的所述薄膜晶体管层20之间具有间隙，所述第一导电层60和所述栅极层3041同层设置且所述第一导电层60和对应的所述薄膜晶体管层20之间具有间隙，所述第二导电层70和所述源极层203、所述漏极层204同层设置且所述第二导电层70和对应的所述薄膜晶体管层20之间具有间隙。其中，所述子绝缘层80可以用于垫高所述第一导电层60，所述第一导电层60可以用于传输数据信号，所述第二导电层70可以用于加载高电压或者低电压。
具体的，如图1-3所示，所述显示面板100还包括发光层90、第一电极901和第二电极902，所述发光层90靠近所述薄膜晶体管层20一侧的两端分别设置所述第一电极901和所述第二电极902，所述第一电极901连接所述发光层90和对应的所述第二导电层70，所述第二电极902连接所述发光层90和对应的所述源极层203。可以理解的，由于所述第二导电层70和所述源极层203具有不同的电压，即所述第一电极901和所述第二电极902具有电压差，会有电流通过所述发光层90，使得所述发光层90发光。如上文所述，发光层90可以为但不限于有机发光半导体发光器件、微型发光二极管或者其它自发光器件。进一步的，如图1-3所示，所述显示面板100还包括钝化层101和黑色遮光层102，所述钝化层101覆盖所述中间介电层50、所述漏极层204和部分所述源极层203，所述黑色遮光层102位于所述钝化层101远离所述薄膜晶体管层20的一侧。当所述述钝化层101为单层膜层时，所述述钝化层101的组成材料可以包括但不限于氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅；当所述钝化层101为复合膜层时，所述钝化层101可以为但不限于氧化硅/氮化硅层。
本发明提供显示面板的制作方法，所述显示面板的制作方法包括但不限于以下实施例以及以下实施例的组合。
在一实施例中，如图4、5所示，所述方法可以包括但不限于如下步骤。
S10，提供一基板。
其中，如图5所示，所述基板10可以为刚性基板或者柔性基板，所述刚性基板可以为玻璃或者硅片，所述刚性基板的组成材料可以包括但不限于石英粉、碳酸锶、碳酸钡、硼酸、硼酐、氧化铝、碳酸钙、硝酸钡、氧化镁、氧化锡、氧化锌中的至少一种，所述柔性基板可以为聚合物材料基板、金属箔片基板、超薄玻璃基板、聚合物/无机物基板或者聚合物/有机物/无机物基板，其中所述聚合物材料可以包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的至少一种。
S20，在所述基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层、金属层和减反层，所述减反层至少位于所述金属层靠近所述有源层的一侧，所述减反层的反射率小于所述金属层的反射率。
特别的，如图5所示，所述有源层201的组成材料包括金属氧化物。具体的，所述有源层201的组成材料可以包括铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铟镓氧化物、铟锌氧化物、铝铟锌氧化物、铟镓锌锡氧化物或者其它金属氧化物，进一步的，所述有源层201的组成材料可以包括非晶金属氧化物。可以理解的，采用所述有源层201制备的所述薄膜晶体管层20相比于传统的非晶硅薄膜晶体管具有较高的迁移率、较小寄生电容和低漏电流。进一步的，所述薄膜晶体管层20可以作为电流驱动显示电路，例如，所述显示面板100中的发光器件可以包括有机发光半导体发光器件、微型发光二极管或者其它自发光器件。
具体的，如图5所示，所述金属层包括遮光层3031，所述减反层包括第一减反层3032。其中，所述遮光层3031和所述有源层201相对设置，且所述遮光层3031的两端分别超出所述有源层201的两端，以确保遮挡所述有源层201。可以理解的，由于所述第一减反层3032位于所述遮光层3031靠近所述有源层201的一侧，且所述第一减反层3032的反射率小于所述遮光层3031的反射率，即照射至所述第一减反层3032表面的光线相比于照射至所述遮光层3031表面的光线可以更大程度地被吸收，从而可以减少反射至所述有源层201上的光线，降低所述薄膜晶体管层20出现性能变化从而失效的风险，以提高薄膜晶体管20工作的稳定性和可靠性。
在一实施例中，如图6所示，所述步骤S20可以包括但不限于如下步骤。
S201，在所述基板上形成所述遮光层。
在一实施例中，如图5所示，所述遮光层3031的组成材料包括金属材料。具体的，所述遮光层3031可以为单层膜层或者复合膜层。例如，当所述遮光层3031为单层膜层时，所述遮光层3031的组成材料可以包括但不限于铜或者铝；当所述遮光层3031为复合膜层时，所述遮光层3031包括第一遮光层和位于所述第一遮光层远离所述基板10一侧的第二遮光层，所述第一遮光层的组成材料可以包括但不限于钼、钼钛合金或者钼钛掺镍合金，所述第二遮光层的组成材料可以包括但不限于铜或者铝，所述第一遮光层用于增加所述遮光层3031和所述基板10之间的粘附力。
S202，在所述遮光层上形成所述第一减反层，所述第一减反层的反射率小于所述遮光层的反射率。
在一实施例中，如图5所示，所述第一减反层3032的组成材料包括氧化钼。具体的，当所述第一减反层3032为单层膜层时，所述第一减反层3032的组成材料可以包括氧化钼。在一实施例中，当所述第一减反层3032为复合膜层时，所述第一减反层3032包括：第一子层，所述第一子层的组成材料包括但不限于钼钛掺镍合金、钼钛合金或者钼；第二子层，所述第二子层位于所述第一子层靠近所述有源层的一侧，所述第二子层的组成材料包括但不限于氧化铟锌或者氧化铟锡。
具体的，如图5所示，可以依次在所述基板10上形成整面且连续的遮光膜和第一减反膜，再一次性对所述遮光膜和所述第一减反膜进行图案化处理以形成所述遮光层3031和所述第一减反层3032。同理，可以根据所述遮光膜和所述第一减反膜的实际膜层结构进行整面且连续的膜层制作和图案化处理。
S203，在所述第一减反层上形成所述有源层。
需要注意的是，如图5所示，由于所述遮光层3031较靠近所述基板10，且所述第一减反层3032较靠近所述有源层201，即外界光线或者背光光线依次经过所述遮光层3031和所述第一减反层3032。可以理解的，将所述遮光层3031的反射率设置的较大，不仅可以将较多的外界光线或者背光光线反射至远离所述有源层201的一侧，以提高光线的利用率，而且可以减少光线在所述遮光层3031的通过率，以避免光线照射至所述有源层201；将所述第一减反层3032的反射率设置的较小，可以将照射至所述第一减反层3032的大部分光线吸收，减少从所述第一减反层3032反射至所述所述有源层201的光线。因此，本实施例可以减小照射至有源层201上的光线，降低所述薄膜晶体管层出现性能变化从而失效的风险，以提高薄膜晶体管工作的稳定性和可靠性。
进一步的，如图5所示，所述显示面板100还包括缓冲层40，所述缓冲层40位于所述遮光层3031远离所述基板10的一侧，且所述缓冲层40覆盖所述遮光层3031和所述基板10，即在所述步骤S2031之前可以先在所述遮光层303和所述基10上形成整面且连续的所述缓冲层40。具体的，所述缓冲层40呈绝缘性，所述缓冲层40可以为单层膜层或者复合膜层。例如，当所述述缓冲层40为单层膜层时，所述述缓冲层40的组成材料可以包括但不限于氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅；当所述缓冲层40为复合膜层时，所述缓冲层40可以包括第一缓冲层和位于所述第一缓冲层远离所述基板10一侧的第二缓冲层，所述第一缓冲层的组成材料可以包括但不限于氮化硅，所述第二缓冲层的组成材料可以包括但不限于氧化硅。
同理，可以先在所述缓冲层40上形成整面且连续的有源膜，再对所述有源膜进行图案化处理以形成所述有源层201。需要注意的是，所述有源层201和所述遮光层3031相对设置，并且所述有源层201的两端分别未超出所述遮光层3031的两端。
在一实施例中，所述金属层还包括栅极层，所述减反层还包括第二减反层，如图7所示，所述步骤S203可以包括但不限于如下步骤。
S2031，在所述有源层上形成所述第二减反层。
进一步的，如图5所示，所述薄膜晶体管层还包括绝缘层202，所述绝缘层202位于所述栅极层3041和所述有源层201之间，即在所述S2031之前，可以先在所述有源层201上形成所述绝缘层202，根据上文可知，在形成所述绝缘层202的同时也可以形成子绝缘层80。具体的，所述绝缘层202可以为单层膜层或者复合膜层，当所述绝缘层202为单层膜层时，所述绝缘层202的组成材料可以包括但不限于氧化硅或者氮化硅；当所述绝缘层202为复合膜层时，所述绝缘层202可以为但不限于三氧化二铝/氮化硅/氧化硅层、氧化硅/氮化硅/氧化硅层。同理，可以先在所述有源层201上形成整面且连续的绝缘膜，再对所述绝缘膜进行图案化处理以形成所述绝缘层202。
在一实施例中，所述第二减反层3042的组成材料包括氧化钼。具体的，当所述第二减反层3042为单层膜层时，所述第二减反层3042的组成材料可以包括氧化钼。在一实施例中，当所述第二减反层3042为复合膜层时，所述第二减反层3042包括：第三子层，所述第三子层的组成材料包括但不限于钼钛掺镍合金、钼钛合金或者钼；第四子层，所述第四子层位于所述第三子层靠近所述有源层的一侧，所述第四子层组成材料包括但不限于氧化铟锌或者氧化铟锡。
S2032，在所述第二减反层上形成所述栅极层，所述第二减反层的反射率小于所述栅极层的反射率。
在一实施例中，如图5所示，所述栅极层3041的组成材料包括金属材料。具体的，所述栅极层3041可以为单层膜层或者复合膜层，当所述栅极层3041为单层膜层时，所述栅极层3041的组成材料可以包括但不限于铜、铝、钼、或者钛，当然所述栅极层3041的组成材料也可以包括金属氧化物、金属氮化物或者金属氮氧化物；当所述栅极层3041为复合膜层时，所述栅极层3041可以为但不限于钼/铝/钼层、铝/钼层、钼/铜层、钼钛合金/铜层。
同理，可以依次在所述绝缘层202、所述子绝缘层80、所述有源层201和所述缓冲层40上形成整面且连续的第二减反膜和栅极膜，再一次性对所述第二减反膜和所述栅极膜进行图案化处理以形成所述第二减反层3042和所述栅极层3041，同时也形成第一导电层60，可以理解的，所述第一导电层60的膜层结构和所述栅极层304相同。同理，可以根据所述第二减反膜和所述栅极膜的实际膜层结构进行整面且连续的膜层制作和图案化处理。
在一实施例中，所述金属层包括栅极层，所述减反层包括第二减反层，如图8所示，所述步骤S20也可以包括但不限于如下步骤。
S204，在所述基板上形成所述有源层。
具体的，如图5所示，所述有源层201可以参考上文的相关描述。可以理解的，此处可以先在所述基板10上形成所述缓冲层40，再在所述缓冲层40上形成所述有源层201。
S205，在所述有源层上形成所述第二减反层。
具体的，所述步骤S205可以参考上文中所述步骤S2031的相关描述。
S206，在所述第二减反层上形成所述栅极层，所述第二减反层的反射率小于所述栅极层的反射率。
具体的，所述步骤S206可以参考上文中所述步骤S2032的相关描述。
在一实施例中，如图9所示，在所述步骤S2032或者所述步骤S206之后可以包括但不限于如下步骤。
S20321，在所述栅极层3041上形成中间介电层50。
具体的，根据上文论述可知，在所述栅极层304、所述第一导电层60、所述缓冲层40、所述有源层201和所述绝缘层202上形成所述中间介电层50。其中，所述中间介电层50上设有多个通孔01，所述多个通孔01可以通过图案化形成。
S20322，在所述中间介电层50上形成源极层203、漏极层204和第二导电层70。
具体的，所述源极层203、所述极层204和所述第二导电层70可以参考上文的相关描述。同样，所述源极层203、所述极层204和所述第二导电层70可以通过图案化形成。其中，所述源极层203的两端分别连接所述有源层201的左端和所述遮光层303，所述漏极层204连接所述有源层201的右端。
S20323，在所述中间介电层50、所述漏极层204和部分所述源极层203上形成钝化层101，以及在所述钝化层101上形成黑色遮光层102。
具体的，所述钝化层101和所述黑色遮光层102可以参考上文的相关描述。其中，可以先依次在所述中间介电层50、所述漏极层204和部分所述源极层203上形成钝化膜、黑色遮光膜，再对所述黑色遮光膜进行图案化处理形成所述黑色遮光层102，再通过所述黑色遮光层102作为硬掩模对所述钝化膜进行图案化处理形成所述钝化层101。
S20334，在所述源极层203和所述第二导电层70上形成发光层90、第一电极901和第二电极902。
具体的，所述发光层90、所述第一电极901和所述第二电极902可以参考上文的相关。其中，所述发光层90、所述第一电极901和所述第二电极902可以先制作完成，再一次性转移至对应的所述源极层203和对应的所述第二导电层70上。
本发明实施例提供显示装置，所述显示装置包括如上文任一所述的显示面板或者包括如上文任一所述的制作方法制作的显示面板。
本发明提供了显示面板及其制作方法、显示装置，所述显示面板包括薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层、金属层和减反层，通过将所述减反层设置为位于所述金属层靠近所述有源层的一侧，且所述减反层的反射率小于所述金属层的反射率，即所述减反层可以增强所述金属层靠近所述有源层的一侧对于光线的吸收，以减少照射至所述有源层上的光线，从而降低薄膜晶体管层出现性能变化从而失效的风险，以提高薄膜晶体管层工作的稳定性和可靠性。
以上对本发明实施例所提供的显示面板及其制作、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (15)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板；
薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层位于所述基板上，所述薄膜晶体管层包括有源层、金属层和减反层，所述减反层至少位于所述金属层靠近所述有源层的一侧，所述减反层的反射率小于所述金属层的反射率。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属层包括遮光层，所述遮光层位于所述有源层靠近所述基板的一侧，所述减反层包括第一减反层，所述第一减反层位于所述遮光层靠近所述有源层的一侧，所述第一减反层的反射率小于所述遮光层的反射率。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一减反层的组成材料包括氧化钼。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一减反层包括：
第一子层，所述第一子层的组成材料包括钼钛掺镍合金、钼钛合金或者钼；
第二子层，所述第二子层位于所述第一子层靠近所述有源层的一侧，所述第二子层的组成材料包括氧化铟锌。
5.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述遮光层的组成材料包括金属材料。
6.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述金属层包括栅极层，所述栅极层位于所述有源层远离所述基板的一侧，所述减反层包括第二减反层，所述第二减反层位于所述栅极层靠近所述有源层的一侧，所述第二减反层的反射率小于所述栅极层的反射率。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第二减反层的组成材料包括氧化钼。
8.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第二减反层包括：
第三子层，所述第三子层的组成材料包括钼钛掺镍合金、钼钛合金或者钼；
第四子层，所述第四子层位于所述第三子层靠近所述有源层的一侧，所述第四子层的组成材料包括氧化铟锌。
9.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述栅极层的组成材料包括金属材料。
10.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有源层的组成材料包括金属氧化物。
11.一种显示面板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1-10任一所述的显示面板，所述方法包括：
提供一基板；
在所述基板上形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层、金属层和减反层，所述减反层至少位于所述金属层靠近所述有源层的一侧，所述减反层的反射率小于所述金属层的反射率。
12.如权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述金属层包括遮光层，所述减反层包括第一减反层，所述在所述基板上形成薄膜晶体管层的步骤包括：
在所述基板上形成所述遮光层；
在所述遮光层上形成所述第一减反层，所述第一减反层的反射率小于所述遮光层的反射率；
在所述第一减反层上形成所述有源层。
13.如权利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述金属层还包括栅极层，所述减反层还包括第二减反层，所述在所述第一减反层上形成所述有源层的步骤之后，包括：
在所述有源层上形成所述第二减反层；
在所述第二减反层上形成所述栅极层，所述第二减反层的反射率小于所述栅极层的反射率。
14.如权利要求11所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述金属层包括栅极层，所述减反层包括第二减反层，所述在所述基板上形成薄膜晶体管层的步骤包括：
在所述基板上形成所述有源层；
在所述有源层上形成所述第二减反层；
在所述第二减反层上形成所述栅极层，所述第二减反层的反射率小于所述栅极层的反射率。
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-10任一所述的显示面板或包括根据权利要求11-14任一项所述的制作方法制作的显示面板。
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