CN111063729A - 一种新型s栅soi抗总剂量辐照器件装置 - Google Patents
一种新型s栅soi抗总剂量辐照器件装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111063729A CN111063729A CN201911280891.XA CN201911280891A CN111063729A CN 111063729 A CN111063729 A CN 111063729A CN 201911280891 A CN201911280891 A CN 201911280891A CN 111063729 A CN111063729 A CN 111063729A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- oxide layer
- layer
- gate
- silicon
- shallow trench
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 31
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 24
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 11
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 9
- 230000003471 anti-radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42372—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out
- H01L29/42376—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate characterised by the conducting layer, e.g. the length, the sectional shape or the lay-out characterised by the length or the sectional shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
本发明涉一种新型S栅SOI抗总剂量辐照器件装置,所述装置包括：衬底层，绝缘氧化埋层，牺牲层，硅膜层，浅沟槽隔离氧化层，栅氧层，氮化硅Si3N4侧墙，源区，漏区，S栅区，所述衬底层上涂有绝缘氧化埋层，所述绝缘氧化埋层上涂有牺牲层，在牺牲层上由左至右依次设有浅沟槽隔离氧化层、硅膜层、源区、浅沟槽隔离氧化层，所述硅膜层上涂有栅氧层，在所述栅氧层上由左至右依次设有氮化硅侧墙、S栅区、氮化硅侧墙。该新型器件可抗总电离辐照剂量高达500krad(Si)，总电离剂量辐照对其泄露电流，阈值电压，跨导等敏感参数基本无影响。本发明和传统SOI工艺兼容，且相比现已有抗辐照栅型器件宽长比设计不受限，版图面积更小。
Description
技术领域
本发明涉及抗辐照半导体器件领域，尤其涉及一种新型S栅SOI抗总剂量辐照装置领域。
背景技术
半导体器件暴露在空间环境中，会受到多种辐照效应的影响，主要有中子辐照效应、总电离剂量效应、单粒子辐照效应等。而绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator，SOI)MOS器件由于采用了全介质隔离方式，避免了利用PN结隔离所引起的高温泄露漏电流和高隔离区域比例等问题；并且其可以完全消除体硅器件中的寄生闩锁效应，因而在抗空间辐照领域(抗单粒子效应和剂量率干扰)方面，具有很大的优势。也因此，SO器件相比体硅器件更多的应用于抗辐照领域,这就使得其在抗总电离剂量效应加固技术方面更需要广泛关注与深入研究。
总电离剂量(Total-Ionizing-Dose,TID)效应是指半导体器件在正常工作的条件下，所能承受的最大辐照剂量。TID效应对半导体器件产生损害，主要是会在半导体器件氧化层与半导体材料的界面相邻处形成界面固定正电荷，从而导致漏电流增大，阈值电压负漂和跨导退化等敏感参数问题，严重时会导致器件失效。SOI器件包含了栅氧、浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation，STI)和绝缘氧化埋层(Buried Oxide，BOX)等多个氧化层，这些氧化层在一定程度上都会受到TID辐照的影响。在0.25μm及以下工艺中，栅氧的厚度小于10nm，其不再产生辐照电荷，因此栅氧陷阱电荷对器件性能的影响可以忽略不计。因而，因其厚度随器件工艺进步而缩减的程度有限的STI和BOX层，成为了器件受TID辐照退化的主要原因。
图1为常规条栅SOI器件结构示意图，主要包括：第一衬底层(101)，第一绝缘氧化(BOX)埋层(102)，第一硅膜层(103)，第一浅沟槽隔离(STI)氧化层(104)，第一氮化硅(Si3N4)侧墙(105)，第一源区(106)，第一漏区(107)以及第一条型栅区(108)。图2为常规条栅SOI器件栅型版图示意图。受TID辐照后常规条栅SOI器件有源区间将会产生寄生漏电通道，从而导致泄露电流增大，阈值电压负漂和跨导退化等敏感参数问题。
根据常规条栅SOI器件受总剂量辐照后产生的问题，本发明提供了一种针对STI氧化层进行抗TID辐照加固的新型S栅SOI器件。本发明内容是在专利“一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法”的基础上进行的进一步研究，原专利中针对BOX层进行了抗TID辐照加固，本发明在此基础上对STI也进行了加固设计，最终达到了可抗TID辐照剂量为500krad(Si)。
发明内容
本发明的目的在于提供一种针对浅沟槽隔离氧化层进行抗TID辐照加固的SOI新型S栅器件装置。
本发明是这样实现的：
一种新型S栅SOI抗总剂量辐照器件装置，包括：第三衬底层(301)，第三绝缘氧化埋层(302)，第三牺牲层(303)，第三硅膜层(304)，第三浅沟槽隔离氧化层(305)，第三栅氧层(306)，第三氮化硅Si3N4侧墙(307)，第四源区(402)，第四漏区(403)，第四S栅区(404)，所述第三衬底层(301)上涂有第三绝缘氧化埋层(302)，所述第三绝缘氧化埋层(302)上涂有第三牺牲层(303)，在第三牺牲层(303)上由左至右依次设有第三浅沟槽隔离氧化层(305)、第三硅膜层(304)、第三源区(308)、第三浅沟槽隔离氧化层(305)，所述第三硅膜层(304)上涂有第三栅氧层(306)，在所述第三栅氧层(306)上由左至右依次设有第三氮化硅Si3N4侧墙(307)、第三S栅区(309)、第三氮化硅Si3N4侧墙(307)。
所述第三衬底层(301)材料为P型硅，所述第三浅沟槽隔离氧化层(305)材料为二氧化硅SiO2，所述第三栅氧层(306)的材料为二氧化硅SiO2，厚度不超过10nm，所述第三绝缘氧化埋层(302)的材料为二氧化硅SiO2，厚度不低于70nm且不高于80nm，所述第三牺牲层(303)的材料为氮化硅Si3N4，厚度不低于10nm且不高于20nm。
本发明的有益效果是：该新型器件可抗总电离辐照剂量高达500krad(Si)，总电离剂量辐照对其泄露电流，阈值电压，跨导等敏感参数基本无影响。本发明和传统SOI工艺兼容，且相比现已有抗辐照栅型器件宽长比设计不受限，版图面积更小。
附图说明
图1为常规条栅SOI器件装置结构示意图；
图2为常规条栅SOI器件栅型版图示意图；；
图3为本发明提出的新型S栅SOI器件延沟道方向左视图；
图4为本发明提出的新栅型SOI器件版图示意图；
图5为常规条栅SOI器件在不同TID辐照剂量下的Id-Vg曲线；
图6为本发明SOI器件在不同TID辐照剂量下的Id-Vg曲线；
图7为本发明与常规条栅SOI器件结构的阈值电压变化量对比图；
图8为本发明与常规条栅SOI器件结构的跨导退化量对比图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细描述。
本发明涉及抗辐照半导体器件领域，具体涉及一种针对浅沟槽隔离(STI)氧化层加固的新型S栅SOI抗总剂量辐照器件装置领域。本发明提供的是一种针对浅沟槽隔离氧化层进行抗总电离剂量辐照加固的新型S栅SOI器件装置，主要包括：第三衬底层(301)，第三绝缘氧化埋层(302)，第三牺牲层(303)，第三硅膜层(304)，第三浅沟槽隔离氧化层(305)，第三栅氧层(306)，第三氮化硅(Si3N4)侧墙(307)，第四源区(402)，第四漏区(403)，第四S栅区(404)，其特征在于：采用的场氧隔离工艺为第三浅沟槽隔离(STI)工艺(305)，引入两条短栅使栅区变为第四S型栅(404)，短栅下有超薄第三栅氧层(306)。
所述的新型S栅SOI器件，所述第三浅沟槽隔离氧化层(305)材料为二氧化硅(SiO2)，所述栅下的超薄第三栅氧层(306)材料为二氧化硅(SiO2)，所述第三衬底层(301)材料为P型硅，所述第三绝缘氧化埋层(302)材料为二氧化硅(SiO2)，所述第三牺牲层(303)材料为氮化硅(Si3N4)。
所述SOI器件工艺与传统SOI工艺兼容，栅下超薄第三栅氧层(306)厚度TGO满足TGO≤10nm，第三绝缘埋氧层(302)厚度TBOX满足70nm≤TBOX≤80nm，第三氮化硅(Si3N4)牺牲层(303)厚度TSiN满足10nm≤TSiN≤20nm。
本发明进一步描述如下：
对比图1中常规条栅SOI器件结构，提出一种可抗高剂量TID辐照容量，进一步改善浅沟槽隔离氧化层与源/漏有源区之间的屏蔽性的新型S栅SOI器件。
参考附图描述为结构示范性实施例。为了清楚地说明的目的，所示器件的尺寸数值仅为较佳情况。特点层或区域的位置可以表示相对位置，但实际情况不一定与示意图中比例相同。
图1为常规条栅SOI器件结构剖面图，主要包括：第一衬底层(101)，第一绝缘氧化(BOX)埋层(102)，第一硅膜层(103)，第一浅沟槽隔离(STI)氧化层(104)，第一栅氧层(105)，第一氮化硅(Si3N4)侧墙(106)，第一源区(107)，第一漏区(108)以及第一条型栅区(109)。图2为常规条栅SOI器件栅型版图示意图，主要包括：第二浅沟槽隔离(STI)氧化层(201)，第二源区(202)，第二漏区(203)以及第二条型栅区(204)。
图3是本发明提出的新型S栅SOI器件延沟道方向左视图。主要包括：第三衬底层(301)，第三绝缘氧化埋层(302)，第三牺牲层(303)，第三硅膜层(304)，第三浅沟槽隔离氧化层(305)，第三栅氧层(306)，第三氮化硅(Si3N4)侧墙(307)，第三源区(308)，第三S栅区(309)组成。图4为本发明提出的新栅型版图示意图，主要包括：第四浅沟槽隔离(STI)氧化层(401)，第四源区(402)，第四漏区(403)以及第四S型栅区(404)。
所述新型S栅SOI示范例结构为标准0.18μm SOI工艺的器件，栅氧材料为二氧化硅(SiO2)，厚度10nm；硅膜材料为P型硅，厚度160nm；BOX层材料为二氧化硅(SiO2)，厚度70nm；牺牲层材料为氮化硅(Si3N4)，厚度为10nm；选用SOI基片衬底为P型掺杂，衬底(201)掺杂剂量4x1017/cm3；源(206)/漏(207)有源区为N型掺杂，掺杂剂量1x1020/cm3。
所述新型S栅SOI器件在BOX层和硅膜层之间叠加一个氮化硅牺牲层。由于经受TID辐照后在氮化硅层内会产生大量负电荷，可以对BOX层中因TID辐照产生的固定正电荷产生相互抵消作用，达到BOX层加固的目的。栅区为S型栅，新引入两条短栅，利用短栅下的超薄栅氧的抗TID辐照特性来隔离STI和有源区，使其无法同时与有源区相邻，器件内无法形成完整的寄生漏电通路，从而实现STI加固的目的，同时又避免了传统环栅宽长比设计受限，H栅版图面积过大等缺点。
图5为常规条栅SOI器件在不同TID辐照剂量下的Id-Vg曲线。可以看到，随着TID辐照剂量的增大，条栅SOI器件的关态泄漏电流急剧增大，其开态泄漏电流也略有上升，且在为500krad(Si)等高剂量辐照时，其关态泄漏电流几乎等于开态泄漏电流。说明随着辐照剂量的增大，传统条栅SOI器件可能无法完全关闭，从而导致失效。
图6为本发明SOI器件在不同TID辐照剂量下的Id-Vg曲线。可以看到，辐照后的关态泄漏电流相较于未辐射前仅有些许上升，而其开态泄漏电流基本没有变化。说明TID效应对本发明器件的泄漏电流影响很小，本发明可抗500krad(Si)剂量的TID辐照。
图7为本发明与常规条栅SOI器件结构的阈值电压变化量对比图。图8为本发明与常规条栅SOI器件结构跨导退化对比图。可以看到，TID辐照对本发明器件的阈值电压和跨导等敏感参数并无太大影响，更全面证明本发明完全可抗500krad(Si)剂量的TID辐照。
综上所述，本发明提供了一种针对浅沟槽隔离(STI)加固的新型S栅绝缘体上硅(SOI)抗总电离剂量(TID)辐照器件，结构包括：第三衬底层(301)，第三绝缘氧化埋层(302)，第三牺牲层(303)，第三硅膜层(304)，第三浅沟槽隔离氧化层(305)，第三栅氧层(306)，第三氮化硅(Si3N4)侧墙(307)，第四源区(402)，第四漏区(403)，第四S栅区(404)。本发明是在专利“一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法”针对绝缘埋氧层加固的基础上，提出的进一步抗TID辐照加固方案，其特征在于，改变栅区为第四S型栅(404)，新引入两条短栅，利用短栅下的超薄栅氧的抗TID辐照特性来隔离STI和有源区，使其无法同时与有源区相邻，器件内无法形成完整的寄生漏电通路，从而实现STI加固的目的，同时又避免了传统环栅宽长比设计受限，H栅版图面积过大等缺点。在500krad(Si)TID辐照剂量下，新结构的仿真结果与传统结构相比，泄露电流基本无变化，阈值电压漂移量仅为9.423％，跨导退化误差也仅为7.453％，具有很好的抗TID辐照能力。
以上所述仅为本发明的较佳结构范例，并非用以限定本发明。在不脱离本发明的实质和范围内，可做些许的调整和优化，本发明的保护范围以权利要求为准。
Claims (2)
1.一种新型S栅SOI抗总剂量辐照器件装置，包括：第三衬底层(301)，第三绝缘氧化埋层(302)，第三牺牲层(303)，第三硅膜层(304)，第三浅沟槽隔离氧化层(305)，第三栅氧层(306)，第三氮化硅Si3N4侧墙(307)，第四源区(402)，第四漏区(403)，第四S栅区(404)，其特征是：所述第三衬底层(301)上涂有第三绝缘氧化埋层(302)，所述第三绝缘氧化埋层(302)上涂有第三牺牲层(303)，在第三牺牲层(303)上由左至右依次设有第三浅沟槽隔离氧化层(305)、第三硅膜层(304)、第三源区(308)、第三浅沟槽隔离氧化层(305)，所述第三硅膜层(304)上涂有第三栅氧层(306)，在所述第三栅氧层(306)上由左至右依次设有第三氮化硅Si3N4侧墙(307)、第三S栅区(309)、第三氮化硅Si3N4侧墙(307)。
2.根据权利要求1所述的一种新型S栅SOI抗总剂量辐照器件装置，其特征是：所述第三衬底层(301)材料为P型硅，所述第三浅沟槽隔离氧化层(305)材料为二氧化硅SiO2，所述第三栅氧层(306)的材料为二氧化硅SiO2，厚度不超过10nm，所述第三绝缘氧化埋层(302)的材料为二氧化硅SiO2，厚度不低于70nm且不高于80nm，所述第三牺牲层(303)的材料为氮化硅Si3N4，厚度不低于10nm且不高于20nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911280891.XA CN111063729A (zh) | 2019-12-13 | 2019-12-13 | 一种新型s栅soi抗总剂量辐照器件装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911280891.XA CN111063729A (zh) | 2019-12-13 | 2019-12-13 | 一种新型s栅soi抗总剂量辐照器件装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111063729A true CN111063729A (zh) | 2020-04-24 |
Family
ID=70300973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911280891.XA Pending CN111063729A (zh) | 2019-12-13 | 2019-12-13 | 一种新型s栅soi抗总剂量辐照器件装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111063729A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114613843A (zh) * | 2022-03-14 | 2022-06-10 | 杭州电子科技大学 | 一种抗总剂量辐射效应的soi ldmos器件加固结构 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101859781A (zh) * | 2010-04-30 | 2010-10-13 | 北京大学 | 抗总剂量辐照的soi器件及其制造方法 |
| US20120012931A1 (en) * | 2010-07-13 | 2012-01-19 | Shanghai Institute Of Microsystem And Information Technology, Chinese Academy | Soi mos device having bts structure and manufacturing method thereof |
| CN106601788A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-04-26 | 杭州电子科技大学 | 一种抗总剂量辐射加固的z栅mos晶体管 |
| CN109935626A (zh) * | 2017-12-17 | 2019-06-25 | 微龛（北京）半导体科技有限公司 | 一种绝缘层上硅总剂量效应版图加固技术 |
-
2019
- 2019-12-13 CN CN201911280891.XA patent/CN111063729A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101859781A (zh) * | 2010-04-30 | 2010-10-13 | 北京大学 | 抗总剂量辐照的soi器件及其制造方法 |
| US20120012931A1 (en) * | 2010-07-13 | 2012-01-19 | Shanghai Institute Of Microsystem And Information Technology, Chinese Academy | Soi mos device having bts structure and manufacturing method thereof |
| CN106601788A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-04-26 | 杭州电子科技大学 | 一种抗总剂量辐射加固的z栅mos晶体管 |
| CN109935626A (zh) * | 2017-12-17 | 2019-06-25 | 微龛（北京）半导体科技有限公司 | 一种绝缘层上硅总剂量效应版图加固技术 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114613843A (zh) * | 2022-03-14 | 2022-06-10 | 杭州电子科技大学 | 一种抗总剂量辐射效应的soi ldmos器件加固结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7981783B2 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
| CN102792444B (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
| TWI499033B (zh) | 充電保護裝置 | |
| US20050012173A1 (en) | Narrow width effect improvement with photoresist plug process and STI corner ion implantation | |
| US8809150B2 (en) | MOS with recessed lightly-doped drain | |
| JPH08250728A (ja) | 電界効果型半導体装置及びその製造方法 | |
| US8502326B2 (en) | Gate dielectric formation for high-voltage MOS devices | |
| US6509613B1 (en) | Self-aligned floating body control for SOI device through leakage enhanced buried oxide | |
| CN107731918B (zh) | 半导体结构及其制造方法 | |
| US20100019323A1 (en) | Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same | |
| CN105448916A (zh) | 晶体管及其形成方法 | |
| CN111029408A (zh) | 一种集成esd的vdmos器件及制备方法 | |
| US20110291191A1 (en) | MOS Structure with Suppressed SOI Floating Body Effect and Manufacturing Method thereof | |
| KR100248506B1 (ko) | 트랜지스터의 특성 개선을 위한 반도체 장치 제조 방법 | |
| US9312378B2 (en) | Transistor device | |
| CN111063729A (zh) | 一种新型s栅soi抗总剂量辐照器件装置 | |
| CN102412304B (zh) | 一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例nmos管版图结构 | |
| US20230261081A1 (en) | Method for Forming Sidewall in Forksheet Structure and Forksheet Semiconductor Device | |
| CN111653616A (zh) | 一种igbt器件结构及其制备方法 | |
| KR20060017985A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| US20190326415A1 (en) | Semiconductor structure and method for manufacturing the same | |
| CN113394087B (zh) | 后栅工艺中伪栅平坦化方法 | |
| CN105161524A (zh) | 一种抗单粒子辐射的场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN112466950B (zh) | 一种抗边缘漏电soi mos结构及其形成方法 | |
| CN211017088U (zh) | 一种集成esd的vdmos器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |