CN111052520A - 半导体光器件 - Google Patents

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Abstract

半导体光器件具有：半导体衬底，其具有宽度及长度；激光器部，其设置于半导体衬底之上，包含有源层；以及光波导通路部，其设置于半导体衬底之上的激光器部的相邻处而与激光器部接合。光波导通路部包含与有源层的端部连接的芯层和将芯层夹在内侧的一对包层，该光波导通路部将从与激光器部之间的接合界面入射的光从出射端面射出。半导体光器件具有在光波导通路部的上表面设置的反射抑制层。反射抑制层叠放于光波导通路部的上表面中的长度方向上的光波导通路部的中央部，该反射抑制层设置得比光波导通路部的全长短。反射抑制层抑制朝向中央部而在包层之中行进的光在中央部被反射。

Description

半导体光器件
技术领域
本申请涉及半导体光器件。
背景技术
当前，例如，如日本特开平02-271583号公报所记载的那样，已知在包层之上设置了光吸收层的半导体光器件。半导体光器件具有：激光器部，其具有有源层；以及光波导通路部，其对由激光器部产生的激光进行导波。光波导通路部包含与有源层接合的芯层和夹着该芯层的上包层及下包层。就该现有的半导体光器件而言，在上包层或下包层的至少一者，与芯层平行地层叠有光吸收层。光吸收层具有与有源层同等的带隙、或者比有源层窄的带隙。
专利文献1：日本特开平2-271583号公报
发明内容
如果在有源层与芯层之间的接合界面处产生散射光，则该散射光在上包层及下包层传输。如果散射光由上包层的上表面或下包层的下表面反射而在光波导通路部进行导波，则散射光有可能从半导体光器件的出射端面传递至光纤。这样的散射光成为光噪声，光噪声导致信号品质变差。
对于这一点，就上述现有的半导体光集成器件而言，遍及光波导通路部的全长而在上包层或下包层设置有光吸收层。在光吸收层与上包层之间的界面处或光吸收层与下包层之间的界面处能够将散射光吸收。由此，能够抑制光噪声。此外，光波导通路部的一端是与激光器部之间的对接界面。光波导通路部的另一端是半导体光器件的出射端面。光波导通路部的全长是从对接界面到出射端面为止的长度。
如果光吸收层是遍及光波导通路部的全长而设置的，则光吸收层将向芯层之外泄漏的所需的信号光的一部分吸收。如果由于光吸收而使信号光强度减弱，则光功率下降或动作电流上升。其结果，存在半导体光器件的电光学特性变差这一问题。
本申请的目的在于提供以能够兼顾光噪声抑制和良好的电光学特性这两者的方式进行了改善的半导体光器件。
在本申请中公开的半导体光器件的一种方案具有：
半导体衬底，其具有宽度及长度；
激光器部，其设置于所述半导体衬底之上，包含有源层；
光波导通路部，其包含层叠于所述半导体衬底的下包层、层叠于所述下包层而与所述有源层的端部连接的芯层、以及层叠于所述芯层的上包层，该光波导通路部在所述半导体衬底之上设置于所述长度方向上的所述激光器部的相邻处；以及
反射抑制层，其设置于所述上包层的上表面和所述上包层的内部的所述芯层的上方中的任一处，该反射抑制层具有比所述光波导通路部的全长短的长度，配置于所述长度方向上的所述光波导通路部的中央。
发明的效果
根据上述半导体光器件，用于抑制光噪声的反射抑制层形成得比光波导通路部的全长短，因而能够抑制信号光强度减弱。由此，能够兼顾光噪声抑制和良好的电光学特性这两者。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1涉及的半导体光器件的剖面图。
图2是表示本发明的实施方式1涉及的半导体光器件的放大剖面图。
图3是表示本发明的实施方式1涉及的半导体光器件的剖面图。
图4是表示本发明的实施方式1涉及的半导体光器件的剖面图。
图5是表示本发明的实施方式1涉及的半导体光器件的动作的曲线图。
图6是表示本发明的实施方式1涉及的半导体光器件的动作的曲线图。
图7是表示本发明的实施方式2涉及的半导体光器件的剖面图。
图8是表示本发明的实施方式3涉及的半导体光器件的剖面图。
图9是表示本发明的实施方式1的变形例涉及的半导体光器件的剖面图。
具体实施方式
实施方式1.
图1～图4是表示本发明的实施方式1涉及的半导体光器件20的剖面图。图2是将图1的一部分放大后的图。图3是沿图1的A-A线的半导体光器件20的剖面。图4是沿图1的B-B线的半导体光器件20的剖面。图1是沿图3及图4的C-C线的半导体光器件20的剖面。在图1～图4示出规定出长度方向、宽度方向x及厚度方向y的xyz正交坐标轴。
如图1所示，半导体光器件20具有半导体衬底1、激光器部2、光波导通路部3以及第一反射抑制层13。在半导体衬底1之上，通过对接而集成有激光器部2和光波导通路部3。在半导体光器件20的后方端部设置有后端面10，在半导体光器件20的前方端部设置有出射端面12。
如图1所示，半导体衬底1具有长度L0。如图2及图3所示，半导体衬底1具有宽度W0。半导体衬底1是将(100)面设为主面的InP衬底。在实施方式1中，将[011]方向设为“长度方向”，将其设为z方向。将
Figure BDA0002397028970000031
方向设为“宽度方向”，将其设为x方向。将与z轴及x轴这两者垂直的方向，即图1的纸面的上方向设为“厚度方向”，将其设为y方向。“长度方向”与激光器部2的“谐振器方向”一致。半导体衬底1被掺杂为p型或者n型。
激光器部2设置于半导体衬底1之上。激光器部2是在半导体衬底1之上依次层叠下包层4、衍射光栅7、有源层5、上包层6而成的。下包层4及上包层6由InP构成。有源层5由InGaAsP类或AlGaInAs类半导体构成。衍射光栅7由InGaAsP类半导体构成。衍射光栅7可以设置于下包层4，也可以设置于上包层6。有源层5也可以包含量子阱构造。在对半导体衬底1进行p型掺杂的情况下，分别将下包层4掺杂为p型，将上包层6掺杂为n型。另一方面，在对半导体衬底1进行n型掺杂的情况下，分别将下包层4掺杂为n型，将上包层6掺杂为p型。
光波导通路部3设置于半导体衬底1之上的激光器部2的相邻处，与激光器部2对接。光波导通路部3具有：下包层4，其设置于半导体衬底1之上；芯层8，其设置于下包层4之上；以及上包层6，其设置于芯层8之上。来自激光器部2的激光入射至光波导通路部3。
图1示出对激光器部2和光波导通路部3进行划分的假想边界线Q。在实施方式1中，上包层6是层叠于有源层5和芯层8这两者的一个层，是跨过假想边界线Q而呈相同材料及相同厚度d1的InP层。但是，上包层6能够区分为激光器部2所包含的部分和光波导通路部3所包含的部分。在实施方式中，为了区分，将上包层6中的激光器部2所包含的部分也称为“第一上包层6a”，将上包层6中的光波导通路部3所包含的部分也称为“第二上包层6b”。第一上包层6a层叠于有源层5，与此相对，第二上包层6b层叠于芯层8。
芯层8被夹在下包层4与第二上包层6b之间。芯层8的端部与有源层5的端部连接。有源层5和芯层8在对接界面11处接合。光波导通路部3在其前方具有出射端面12。从出射端面12射出激光。
光波导通路部3在长度方向具有全长L1。全长L1是从假想边界线Q到出射端面12为止的长度。假想边界线Q是在图1的剖视观察时经过交点P且与半导体衬底1的表面垂直的线。在实施方式1中，将交点P用作测量光波导通路部3的全长L1的原点。在图1的剖视观察时，交点P是对接界面11的上端。在交点P处，对接界面11与上包层6相交。在实施方式1中，以对接界面11的上端为界，划分激光器部2和光波导通路部3。
芯层8由InGaAsP类半导体或AlGaInAs类半导体构成。芯层8也可以包含量子阱构造。在半导体衬底1的下表面和第一上包层6a的上表面分别设置有电极9。电极9由从由Au、Ge、Zn、Pt及Ti等构成的金属组选择出的一种金属材料或从该金属组将多种金属组合而成的金属材料形成。
对接界面11可以是通过各向异性湿蚀刻而形成的(111)面，也可以是干蚀刻面。
在实施方式1中，在图1的剖视观察时，对接界面11相对于半导体衬底1的表面而倾斜。根据半导体光器件20的规格，有时有源层5及芯层8的厚度与上包层6及下包层4的厚度相比充分小。在这种情况下，与半导体光器件20的外形相比，对接界面11充分短。只要对接界面11与光波导通路部3的全长L1相比充分小，则能够实质上将对接界面11视为单一的原点，因而不需要考虑对接界面11的倾斜。此外，通过使用干蚀刻来进行对接工艺等，从而有时对接界面11与半导体衬底1的表面垂直。在这种情况下，由于对接界面11与半导体衬底1的表面垂直，因而从对接界面11的位置到出射端面12为止的长度L1是唯一地决定下来的。
第一反射抑制层13设置于光波导通路部3的上表面的一部分，即第二上包层6b的上表面的一部分。第一反射抑制层13的长度L2比光波导通路部3的全长L1短。第一反射抑制层13配置于第二上包层6b的上表面中的中央部6c。中央部6c位于长度方向上的第二上包层6b的中央，即位于长度方向上的光波导通路部3的中央。中央部6c位于从假想边界线Q起向长度方向前进了L1/2的位置。能够通过第一反射抑制层13而抑制散射光在第二上包层6b的上表面的中央部6c处反射。
第一反射抑制层13在长度方向上具有在激光器部2侧设置的一端和在该一端的相反侧设置的另一端。第一反射抑制层13的长度L2是从该一端到另一端为止的长度。第一反射抑制层13的一端与假想边界线Q相距预先确定的规定距离d2。在规定距离d2的内侧未设置第一反射抑制层13。
第一反射抑制层13的另一端在第二上包层6b的中央部6c处终止。在图1及图2中还图示了中央位置L1/2。中央位置L1/2是长度方向上的光波导通路部3的全长L1的一半的位置。光波导通路部3和第二上包层6b在长度方向具有相同的长度，因而中央位置L1/2也是第二上包层6b的一半的位置。长度方向上的第一反射抑制层13的另一端正好存在于中央位置L1/2。其结果，在从中央位置L1/2到出射端面12为止的部位未设置第一反射抑制层13。
第一反射抑制层13是光吸收层。构成第一反射抑制层13的材料的带隙小于或等于有源层5的带隙。第一反射抑制层13能够吸收到达第二上包层6b与第一反射抑制层13之间的界面的散射光。第一反射抑制层13也可以通过在第二上包层6b的上表面使半导体层进行外延生长而形成。也可以由具有与构成有源层5的InGaAsP类半导体或AlGaInAs类半导体相比窄的带隙的半导体材料形成第一反射抑制层13。例如，第一反射抑制层13的材料也可以使用InGaAs等。第一反射抑制层13也可以通过增加半导体的载流子浓度而形成。第一反射抑制层13也可以通过使包含Zn等的金属扩散到半导体中而形成。
如图3及图4所示，半导体光器件20具有填埋层19。填埋层19设置于有源层5的两侧及芯层8的两侧。填埋层19由半绝缘体材料构成，具体地说，由掺杂了Fe或Ru等的InP构成。填埋层19形成填埋构造，由此能够进行电流限制。由此，电流被高效地注入至有源层5。
优选有源层5及芯层8的宽度W1为0.8μm～1.6μm，但也可以是该范围之外。如果从电极9注入电流，则由有源层5产生激光。后端面10及衍射光栅7形成激光器部2的谐振器。由激光器部2产生的激光穿过对接界面11而与芯层8耦合。然后，激光作为信号光而从出射端面12射出。
在对接界面11处，在有源层5与芯层8之间产生等效折射率及膜厚的偏差。在来自激光器部2的激光与光波导通路部3耦合时，产生散射光。散射光分别在从芯层8朝向第二上包层6b侧的方向和从芯层8朝向半导体衬底1的方向扩散。从芯层8朝向第二上包层6b侧而扩散的散射光的一部分由第二上包层6b的上表面反射。如果该反射光从出射端面12处的芯层8近旁射出，则该反射光与光纤(未图示)耦合。其结果，有可能产生光噪声。
半导体光器件20具有芯片厚度d0。芯片厚度d0是从上包层6的上表面到半导体衬底1的下表面为止的厚度。芯片厚度d0为80μm至110μm左右。图1～图4的剖面图是示意图，实际的有源层5及芯层8位于从上包层6的上表面朝向半导体衬底1的2μm～6μm左右的深度。即，有源层5及芯层8在半导体光器件20的芯片厚度之中，更靠近上包层6的上表面侧。从芯层8朝向半导体衬底1而扩散的散射光向远离芯层8的方向行进。这样的散射光难以与光纤(未图示)耦合，因而对信号光造成的影响小。
图5及图6是表示本发明的实施方式1涉及的半导体光器件20的动作的曲线图。在图5中，对通过计算而导出的FFP形状进行比较。在图5中，通过计算而求出从与对接界面11相距40μm的位置射出的远场像(FFP)。图5中实线所示的特性100示出与实施方式1相对应的构造的FFP形状。图5中虚线所示的对比例特性102示出从实施方式1去除了第一反射抑制层13后的构造的FFP形状。
在特性100的情况下，第一反射抑制层13的一端设置于与对接界面11相距2μm的位置。即，规定距离d2＝2μm。在特性100的情况下，第一反射抑制层13的另一端延伸至与对接界面11相距18μm的位置。在这种情况下，从第一反射抑制层13的一端到另一端为止的距离即长度L2为18μm-2μm＝16μm。振荡波长为1.31μm。上包层6的厚度为1.9μm。第一反射抑制层13的厚度为0.4μm。构成第一反射抑制层13的InP的折射率m如下所述。
m＝3.17-0.1i
在对比例特性102的情况下，未设置第一反射抑制层13，因而在散射光的影响下，在光束形状的拖尾处观察到少许振荡。与此相对，在与实施方式1相对应的特性100的情况下，散射光被吸收，因而FFP的振荡少。在特性100的情况下，成为接近高斯光束的形状。通过使第一反射抑制层13的长度L1/2增大、或者使第一反射抑制层13的吸收系数上升，从而也能够使特性100进一步接近高斯光束。
图6是示出表示长度方向的各位置的z位置与每个z位置的光功率之间的关系的曲线图。图示出与实施方式1相对应的特性曲线112。第一反射抑制层13的构造与图5的计算条件相同。并且，图示出第一对比例特性曲线110和第二对比例特性曲线114。第一对比例特性曲线110是未设置第一反射抑制层13的情况下的特性。第二对比例特性曲线114是遍及光波导通路部3的全长而设置了第一反射抑制层13的情况下的特性。在图6中，图示出隔着假想边界线Q的激光器部2及光波导通路部3各自的特性曲线。
如图6所示，由于对接界面11处的光的散射，无论在哪个特性曲线中光功率均下降。在第一对比例特性曲线110的情况下，未设置第一反射抑制层13，因而除了对接界面11处的散射以外没有光损耗。因此，第一对比例特性曲线110是在图6中具有最高光强度的特性曲线。但是，第一对比例特性曲线110如图5所示，FFP的振荡变大。在第二对比例特性曲线114的情况下，遍及光波导通路部3的全长而设置有第一反射抑制层13，因而所需的信号光的一部分也被第一反射抑制层13吸收。其结果，伴随z位置的增大，光波导通路部3的传输距离变长，光功率下降。因此，第一对比例特性曲线110成为在图6中具有最低光强度的特性曲线。与实施方式1相对应的特性曲线112示出第一对比例特性曲线110与第二对比例特性曲线114的中间的性能。通过使第一反射抑制层13的长度变短、或者使吸收系数下降，从而能够降低传输损耗。但是，需要考虑与FFP形状改善之间的折衷。
一边参照图2的第一光线30a～第三光线30c，一边对规定距离d2进行说明。在对接界面11的附近发出的散射光的一部分由第一光线30a～第三光线30c表示。就相对于第二上包层6b的上表面的入射角而言，第一光线30a最小，接着按照第二光线30b、第三光线30c的顺序而变大。第一光线30a～第三光线30c在第二上包层6b中行进，由第二上包层6b的上表面反射。由上表面反射后的第一光线30a～第三光线30c到达出射端面12。
如果散射光到达出射端面12处的芯层8的附近，则该散射光被传输至光纤(未图示)，由此成为光噪声。如果产生光噪声，则导致信号品质变差。例如，在对接界面11的正上方及其近旁到达至第二上包层6b的上表面的光的入射角比第一光线30a小。这样的光的入射角不会成为全反射临界角，因而在第二上包层6b的上表面不会发生全反射。因此，即使不在对接界面11的紧邻处设置第一反射抑制层13，对信号质量的影响也小。因此，在实施方式1中，在对接界面11与第一反射抑制层13的一端之间设置有规定距离d2。由此，能够仅在对光噪声对策贡献大的部位形成第一反射抑制层13，因而能够兼顾光噪声抑制和信号光强度的确保这两者。
一边参照图2，一边对规定距离d2的优选大小进行说明。将上包层6的厚度设为d1。厚度d1是在图1及图2的剖视观察时，从有源层5的上端及芯层8的上端到上包层6的上表面为止的距离。将上包层6的全反射临界角设为θC。θC是在对接界面11处产生的散射光由第二上包层6b的上表面全反射的临界角。此时，优选规定距离d2满足下述的不等式。
d2≤d1×tanθC
其中，在上包层6的材料为InP的情况下，θC＝18°。InP的折射率为3.17。
一边参照图2的第一光线30a，一边对优选满足上述不等式的理由进行说明。第一光线30a到达第二上包层6b的与对接界面11相隔“d1×tanθC”的距离的部位。第一光线30a的入射角与全反射临界角θC相等，因而第一光线30a由第二上包层6b的上表面全反射。如果将规定距离d2设定得比d1×tanθC大，则在对接界面11与中央部6c之间产生无法抑制散射光的全反射的区域。通过将规定距离d2设定为小于或等于d1×tanθC，从而能够在对接界面11与中央部6c之间的范围抑制散射光的全反射。由此，能够仅在对光噪声对策贡献大的部位形成第一反射抑制层13，因而能够兼顾光噪声抑制和信号光的过度吸收抑制这两者。
一边参照图2，一边对使第一反射抑制层13的另一端终止的优选位置进行说明。如果第二光线30b到达第二上包层6b的上表面的中央部6c，则全反射。由于入射角和反射角相等，因而第二光线30b到达出射端面12处的正好紧邻芯层8处。第三光线30c到达第二上包层6b的与中央部6c相比更靠出射端面12侧而全反射。由于入射角和反射角相等，因而第三光线30c到达出射端面12所包含的第二上包层6b的端面。为了确保光噪声抑制效果，只要采取涵盖至第二光线30b为止的对策即可，即使忽略第三光线30c，影响也小。因此，为了以第二光线30b为限而进行反射抑制，使第一反射抑制层13的另一端在中央位置L1/2处终止。由此，能够仅在对光噪声对策贡献大的部位形成第一反射抑制层13，因而能够兼顾光噪声抑制和信号光的过度抑制这两者。
根据实施方式1涉及的半导体光器件20，能够通过第一反射抑制层13而抑制散射光向出射端面12侧反射，因而能够减少从光波导通路部3输出的光噪声。第一反射抑制层13的长度L2比光波导通路部3的全长L1短，因而能够抑制信号光强度的减弱。由此，能够兼顾光噪声抑制和良好的电光学特性这两者。即，在实施方式1中，由有源层5产生的激光与光波导通路部3的芯层8耦合，从出射端面12射出。此时，在对接界面11处产生的散射光由第一反射抑制层13吸收。散射光被吸收，因而能够减少从出射端面12射出的散射光。由此，能够抑制光噪声与光纤(未图示)耦合。
对实施方式1的变形例进行说明。图9是表示本发明的实施方式1的变形例涉及的半导体光器件20的剖面图。在图1中，第一反射抑制层13设置于第二上包层6b的上表面，但作为第一变形例，第一反射抑制层13也可以设置于第二上包层6b的内部的芯层8的上方。作为该第一变形例，还能够揭示两个具体例。作为第一变形例的第一具体例，如图9所示，第一反射抑制层13也可以填埋于第二上包层6b的上表面部分。另外，作为第一变形例的第二具体例，也可以使图9的构造进一步变形而使第一反射抑制层13埋入第二上包层6b的内部。即，也可以是第一反射抑制层13完全地填埋在比第二上包层6b的上表面深一定距离的部位。
作为第二变形例，也可以将规定距离d2设为零。即使规定距离d2为零，也能够在出射端面12侧使第一反射抑制层13的另一端比光波导通路部3短。作为第三变形例，第一反射抑制层13的另一端也可以在长度方向上相比于中央位置L1/2而向出射端面12侧伸出。或者，第一反射抑制层13的另一端也可以延伸至出射端面12。即使在第一反射抑制层13的另一端到达出射端面12的情况下，也能够通过将规定距离d2设定得比零大，使第一反射抑制层13的长度L2比光波导通路部3的全长L1短。
在实施方式1中，作为电流限制构造而设置有填埋层19。作为第四变形例，也可以使用公知的电流阻挡填埋层、或使用公知的脊构造来代替填埋层19。电流阻挡填埋层是由p型InP和n型InP构成的晶闸管构造。脊构造是通过在有源层5的上方设置脊部而进行电流限制的构造。
实施方式2.
图7是表示本发明的实施方式2涉及的半导体光器件22的剖面图。实施方式2涉及的半导体光器件22是将实施方式1的第一反射抑制层13置换为第二反射抑制层15而得到的。实施方式2涉及的第二反射抑制层15是防反射膜。第二反射抑制层15防止散射光在第二上包层6b的上表面的中央部6c处被反射。构成第二反射抑制层15的防反射膜由电介质构成。防反射膜的电介质材料可以包含从由SiO2、Al2O3、TiO、Ta2O5以及SiN等构成的电介质材料组选择出的一种材料，或者也可以包含从该电介质材料组将多种材料组合而成的材料。
在对接界面11处产生的散射光穿过第二反射抑制层15而向第二上包层6b的上方辐射。穿过的散射光不会到达出射端面12，因而能够降低与光纤耦合的光噪声。通过对构成第二反射抑制层15的防反射膜的设计进行研究，能够使其具有角度依赖性、波长依赖性。例如，在使半导体光器件22变形为传输多个波长的信号的情况下，第二反射抑制层15也可以选择性地仅使特定的波长的光透过。
实施方式3.
图8是表示本发明的实施方式3涉及的半导体光器件24的剖面图。将实施方式1的第一反射抑制层13置换为第三反射抑制层16。实施方式3涉及的第三反射抑制层16为衍射光栅。第三反射抑制层16使到达第二上包层6b的上表面的中央部6c的附近的光进行衍射。
构成第三反射抑制层16的衍射光栅也可以由半导体构成。衍射光栅的半导体材料也可以是从由InP、InGaAsP及Si构成的组选择出的一种半导体。构成第三反射抑制层16的衍射光栅也可以由电介质构成。衍射光栅的电介质材料也可以是从由SiO2及SiN构成的组选择出的一种电介质。构成第三反射抑制层16的衍射光栅可以是在第二上包层6b之上形成的凹凸形状的衍射光栅，也可以是包含被填埋于第二上包层6b内部的多个光栅片的衍射光栅。
在对接界面11处产生的散射光由于第三反射抑制层16而向芯片外部辐射。因此，该散射光不会到达出射端面12，能够降低与光纤耦合的光噪声。根据第三反射抑制层16，除了与实施方式1相同的效果以外，还能够通过对衍射光栅的构造进行研究，使其具有波长选择性、角度选择性。由于第三反射抑制层16仅形成于光波导通路部3的一部分而非遍及光波导通路部3的全长，因而还能够缩短用于形成衍射光栅的电子束绘制时间。
标号的说明
1 半导体衬底
2 激光器部
3 光波导通路部
4 下包层
5 有源层
6 上包层
6a 第一上包层
6b 第二上包层
6c 中央部
7 衍射光栅
8 芯层
9 电极
10 后端面
11 对接界面
12 出射端面
13 第一反射抑制层
15 第二反射抑制层
16 第三反射抑制层
19 填埋层
20、22、24 半导体光器件
30a 第一光线
30b 第二光线
30c 第三光线
L1 光波导通路部的全长
L2 第一～第三反射抑制层的长度
Q 激光器部与光波导通路部之间的假想边界线
d1 上包层的厚度
d2 规定距离
θC 全反射临界角

Claims (7)

1.一种半导体光器件，其具有：
半导体衬底，其具有宽度及长度；
激光器部，其设置于所述半导体衬底之上，包含有源层；
光波导通路部，其包含层叠于所述半导体衬底的下包层、层叠于所述下包层而与所述有源层的端部连接的芯层、以及层叠于所述芯层的上包层，该光波导通路部在所述半导体衬底之上设置于所述长度方向上的所述激光器部的相邻处；以及
反射抑制层，其设置于所述上包层的上表面和所述上包层的内部的所述芯层的上方中的任一处，该反射抑制层具有比所述光波导通路部的全长短的长度，配置于所述长度方向上的所述光波导通路部的中央。
2.根据权利要求1所述的半导体光器件，其中，
所述反射抑制层具有在所述激光器部侧设置的一端和与所述一端相反侧的另一端，
所述反射抑制层的所述一端在所述长度方向上与所述激光器部和所述光波导通路部之间的边界相距预先确定的规定距离。
3.根据权利要求2所述的半导体光器件，其中，
在将所述上包层的厚度设为d1、将所述上包层的全反射临界角设为θC、将所述规定距离设为d2时，
d2≤d1×tanθC。
4.根据权利要求1所述的半导体光器件，其中，
所述光波导通路部具有射出信号光的出射端面，
所述反射抑制层在所述长度方向上从所述光波导通路部的所述中央向所述激光器部侧延伸，
所述反射抑制层在所述长度方向上未设置于与所述光波导通路部的所述中央相比更靠所述出射端面侧。
5.根据权利要求1所述的半导体光器件，其中，
所述反射抑制层是由带隙小于或等于所述有源层的带隙的材料构成的光吸收层。
6.根据权利要求1所述的半导体光器件，其中，
所述反射抑制层是叠放于所述上包层的所述上表面处的防反射膜。
7.根据权利要求1所述的半导体光器件，其中，
所述反射抑制层是叠放于所述上包层的所述上表面处的衍射光栅。
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