CN111020528A - 采用mocvd工艺制备rebco高温超导带材的方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，包括：S1、将金属有机源送至雾化器，使其雾化；S2、雾化后的金属有机源送至蒸发器，使其蒸发成金属有机源气体；S3、将金属有机源气体送入MOCVD反应室，制得REBCO超导薄膜；雾化器包括：内管，外管，由内管的管腔形成的内流道，形成于内管和外管间的外流道；在步骤S1中，将金属有机源溶液通入内流道并从内流道的输出口喷出，将金属有机源溶剂通入外流道并从外流道的输出口喷出，并冲刷所述内流道的输出口。本申请可获得更高的沉积速率和更高的产能。

Description

采用MOCVD工艺制备REBCO高温超导带材的方法
技术领域
本申请涉及一种采用MOCVD工艺制备REBCO高温超导带材的方法。
背景技术
第二代高温超导带材REBCO用于替代铜材，由其制成的超导电缆的载流能力是现在铜电缆的5～10倍，由其绕制的大型电机体积重量可缩小为原来的1/4，其制作的强磁体可以无损耗地长期运行，利用其超导转变特性的超导限流器可突破现有电力技术的极限。美国能源部认为高温超导技术是21世纪电力工业唯一的高技术储备，有着广阔的应用前景和巨大的市场潜力。经过十几年的产品化开发，已经有国内外公司开始向市场提供商业带材。二代高温超导带材及其应用正在形成一个新兴的产业，将在本世纪在许多重要领域如智能电网、能源、军事工业、医疗、交通及科学研究，带来革命性的影响。
金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术，具有高沉积速率以及可大面积沉积薄膜的优点，是目前产业化制备REBCO超导层的主要技术途径之一。REBCO中的RE即Rare earth,代表Y、Sm、Gd等稀有金属元素，B指Ba，C指Cu，O为氧。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。
MOCVD制备REBCO超导层技术使用多种金属有机源，在MOCVD制备REBCO薄膜中，所用的金属有机化合物须满足以下要求：具有合适的蒸气压，化学性质稳定，较低的分解温度，反应所形成的副产物易排除且不阻碍薄膜的生长且毒性低。为了达到这些要求，选用β-二酮化物类金属有机物，所选用的配体是2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮(2,2,6,6-Tetramethyl-3,5-heptanedione)，别名tmhd。其分子式为M(TMHD)x(M＝RE、Ba、Cu，Zr等)。金属有机源常温下都是固态，气化温度在170-380度之间。
由于MOCVD法制备ReBCO薄膜需要使用多种金属有机源如Gd源,Y源,Ba源,Cu源，而这些金属有机源的起始蒸发或升华温度都不一样，通常的对每种化学源进行固态加热蒸发或升华的方法，很难保证在气相沉积的各个组分的稳定精确，因此采用单一溶液的方法，即将全部的M(TMHD)x有机源按精确比例溶于THF(四氢呋喃)一类的金属有机源有机溶剂中，再将混合溶液通过注入器，注入有机源蒸发器内，金属有机源混合溶液通过雾化器，雾化为微小液粒，当微小液滴接触到蒸发器内表面的高温的时候，液滴内的所有成分，就可以瞬间同时蒸发，以保证蒸发气体中金属元素比例和有机源溶液中比例一致。从雾化蒸发器中出来的化学源蒸，被保温管道传输到MOCVD的反应室，在高温(750-1000度)的加热基板上和氧气发生化学反应，通过外延生长，形成高温超导薄膜。
这样的技术，大幅度改善了MOCVD沉积ReBCO的气相成分的稳定性和可控性，但是带来了额外的问题，MOCVD系统运行的稳定性稳定不好，经常出现突然的大波动，研究发现雾化器是个影响稳定性的关键。自从MOCVD法用于沉积REBCO超导薄膜的几十年以来，研究人员投入了大量努力，设计了各种雾化器的结构，但是到现在一直没有一种完美的雾化器出现，雾化器也成为影响MOCVD沉积工艺可靠性的一个重要因素。
图1为现在使用MOCVD法制备REBCO高温超导带材金属有机源溶液雾化器的结构。该雾化器主要由内管和外管构成，外管套在内管的外面，内管通入有机化学源溶液，外管通入雾化气体，雾化气体要求不能污染或改变蒸发器和反应室里MOCVD的化学反应和薄膜生长沉积过程，所以必须使用惰性气体，一般业界使用最便宜的惰性气体氩气。雾化器的工作原理是内管有机化学源溶液的压力大大地大于蒸发器内部的压力，突然的压力变化使得液体扩散进而破裂成小的液粒，同时在外管通一定压力的雾化气体，对内管流出的有机源溶液进行高速冲刷，进一步把液粒打散。图2是另一种雾化器结构，与图1所不同的是，内管锥形尖端与外管锥形尖端所形成的锥形流道使高速流动的Ar气流对内管流出的溶液的冲刷，有斜切作用，使得雾化更容易、更充分、更发散。
但是，对于高温超导要用到的M(TMHD)x有机源，实践发现经常导致不稳定的运行，这样的装置需要对各种参数如有机化学源溶液流量，雾化气体流量，雾化器环境温度，蒸发器内部温度和内部表面情况，进行极其精确和稳定的控制，这通常是难以做到的。在实验室的小的流量(1-2ml/min)下和短时间下，控制的好的话，可以短时间稳定运行，但是在商业化生产的情况下，需要高沉积速率和高产能，因此，有机源的流量一般在十几到几十ml/min，同时需要几十小时的稳定工作，在这种情况下，不稳定造成REBCO高温超导带材生产的良率降低。
发明内容
本申请目的是：针对上述问题，提出一种采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，以获得更高的沉积速率和更高的产能。
我们认为对于高温超导用到的M(TMHD)x有机源，在实践经常导致不稳定的这个难题，可能与有机化学源的污染有关，在实验室的小的流量(1-2ml/min)下和短时间下，控制的好的话，可以短时间污染不至于很严重，长时间的污染积累就会造成稳定性问题。
本申请的技术方案是：
一种采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，包括以下步骤：
S1、将金属有机源送至雾化器，使所述金属有机源雾化；
S2、将雾化后的金属有机源送至蒸发器，使其蒸发成金属有机源气体；
S3、将所述金属有机源气体送至MOCVD反应室，制得REBCO超导薄膜；
所述雾化器包括：
内管，
套于所述内管外的外管，
由所述内管的管腔形成的内流道，以及
形成于所述内管和所述外管之间的外流道；
在所述步骤S1中，将金属有机源溶液通入所述内流道并从所述内流道的输出口喷出，将金属有机源溶剂通入所述外流道并从所述外流道的输出口喷出，并冲刷所述内流道的输出口。
本申请在上述技术方案的基础上，还包括以下优选方案：
在所述步骤S1中，将所述金属有机源溶液与惰性载气同时通入所述内流道并从所述内流道的输出口喷出。
在所述步骤S1中，将所述金属有机源溶剂与惰性载气同时通入所述内流道并从所述内流道的输出口喷出。
所述惰性载气为氩气。
所述金属有机源溶剂为四氢呋喃。
所述金属有机源溶液的浓度不小于0.1mol/L。
所述金属有机源溶液在所述内流道中的流量不小于10ml/min。
所述金属有机源溶剂在所述外流道中的流量不小于10ml/min。
所述内流道的输出口和所述外流道的输出口均伸入所述蒸发器内。
本申请的优点是：本申请这种方法可成功运用于商业化生产，获得高沉积速率和高产能，实现了在有机源的流量达十几至几十ml/min时、几十个小时的可靠运行，并且大幅度提高了REBCO高温超导带材生产的良率，可以稳定获得千米级的无掉点的REBCO高温超导带材。
附图说明
本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为传统REBCO高温超导带材制备方法采用雾化器对金属有机源进行雾化的演示图；
图2为传统REBCO高温超导带材制备方法采用另一种雾化器对金属有机源进行雾化的演示图；
图3为本申请实施例一中制备REBCO高温超导带材方法的流程图；
图4为本申请实施例二中制备REBCO高温超导带材方法采用雾化器对金属有机源进行雾化的演示图；
其中：100-雾化器，200-蒸发器，300-MOCVD反应室，101-内管，102-外管，103-内流道，104-外流道。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本申请的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本申请进行进一步的详细描述。应理解，这些实施例是用于说明本申请而不限于限制本申请的范围。实施例中采用的实施条件可以根据具体厂家的条件做进一步调整，未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是，本申请还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本申请的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
在本说明书的描述中，术语“连接”、“安装”、“固定”等均应做广义理解。例如，“连接”可以使固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以使直接相连，也可以是通过中介媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本申请的限制。
实施例一：
参照图3所示，本实施例这种采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，与传统方法相同的是，也主要包括以下三个步骤：
步骤一、将金属有机源送至雾化器100，使金属有机源雾化；
步骤二、将雾化后的金属有机源送至蒸发器200，使其蒸发(扇蒸)成金属有机源气体；
步骤三、将前述金属有机源气体送至MOCVD反应室300，制得REBCO超导薄膜。
前述雾化器100采用传统结构，其包括：内管101，套于内管外的外管102，由内管的管腔形成的内流道103，形成于内管和外管之间的外流道104。
本实施例的关键改进在于，在上述步骤一中，将金属有机源溶液和惰性载体同时通入上述内流道103并从内流道103的输出口喷出，将金属有机源溶剂和惰性载体通入上述外流道104并从外流道104的输出口喷出，而且从外流道104输出口喷出的金属有机源溶剂和惰性载体冲刷内流道103输出口。
上述金属有机源溶液从内流道103输出口喷出时，受压力变化作用大部分被雾化而形成金属有机源的雾化液滴。从外流道104输出口喷出的金属有机源溶剂，在压力变化作用下大部分被雾化而形成金属有机源溶剂的喷雾。前述喷雾以及未雾化的金属有机源溶剂冲刷内流道103输出口，一方面清理内流道103输出口处附着残留的金属有机源，另一方面对内流道103输出口喷出的金属有机源溶液进行冲刷撞击，提升金属有机源溶液的雾化效率。
为了让雾化后的金属有机源能够第一时间在蒸发器200中蒸发气化，防止金属有机源的雾化体在传入蒸发器200的过程中凝结，本实施例将上述内流道的输出口和外流道的输出口均伸入蒸发器200内，即雾化器100的出雾口直接伸入蒸发器200内。
参照本申请背景技术部分的介绍，前述金属有机源的分子式可以表达为M(TMHD)x，M＝RE、Ba、Cu，Zr等。
通入前述内流道103和外流道104中的惰性载气可以采用相同或者不同的气体，在本实施例二者均为氩气(Ar)。通入外流道的金属有机源溶剂具体为四氢呋喃，当然，其也可以是其他已知的次佳的金属有机源M(TMHD)x的溶剂，还可以是将来可能发现的更好的金属有机源溶剂。
为了获得高沉积速率和高产能，我们可以加大内流道中金属有机源溶液的流量和浓度，一般情况下，可将内流道中金属有机源溶液浓度设定在0.1mol/L以上，内流道中金属有机源溶液的流量可设定在10ml/min以上。对应地，为了提升雾化效果，外流道104中金属有机源溶剂的流量也最好设定在10ml/min以上。
需要说明的是，通入上述外流道和内流道中的惰性载气，其主要作用在于提升金属有机源的雾化效率。在有些情况下，比如：对沉积速率要求较低时，可以只在外流道中通入金属有机源溶剂而无需通入惰性载气，或者只在内流道中通入金属有机源溶液而无需通入惰性载气，甚至可以同时省去外流道的惰性载气和内流道中的惰性载气。
实施例二：
本实施例这种采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法与上述实施例一中的方法基本相同，二者区别仅在于所采用的雾化器100结构不同，如图4所示，本实施例中雾化器100出雾口为尖端结构。
当然，上述实施例只为说明本申请的技术构思及特点，其目的在于让人们能够了解本申请的内容并据以实施，并不能以此限制本申请的保护范围。凡根据本申请主要技术方案的精神实质所做的等效变换或修饰，都应涵盖在本申请的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，包括以下步骤：
S1、将金属有机源送至雾化器(100)，使所述金属有机源雾化；
S2、将雾化后的金属有机源送至蒸发器(200)，使其蒸发成金属有机源气体；
S3、将所述金属有机源气体送至MOCVD反应室(300)，制得REBCO超导薄膜；
所述雾化器(100)包括：
内管(101)，
套于所述内管外的外管(102)，
由所述内管的管腔形成的内流道(103)，以及
形成于所述内管和所述外管之间的外流道(104)；
其特征在于，
在所述步骤S1中，将金属有机源溶液通入所述内流道(103)并从所述内流道(103)的输出口喷出，将金属有机源溶剂通入所述外流道(104)并从所述外流道(104)的输出口喷出，并冲刷所述内流道(103)的输出口。
2.根据权利要求1所述的采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，将所述金属有机源溶液与惰性载气同时通入所述内流道(103)并从所述内流道(103)的输出口喷出。
3.根据权利要求1所述的采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，将所述金属有机源溶剂与惰性载气同时通入所述外流道(104)并从所述外流道(104)的输出口喷出。
4.根据权利要求2或3所述的采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，其特征在于，所述惰性载气为氩气。
5.根据权利要求1所述的采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，其特征在于，所述金属有机源溶剂为四氢呋喃。
6.根据权利要求1所述的采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，其特征在于，所述金属有机源溶液的浓度不小于0.1mol/L。
7.根据权利要求1所述的采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，其特征在于，所述金属有机源溶液在所述内流道(103)中的流量不小于10ml/min。
8.根据权利要求1所述的采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，其特征在于，所述金属有机源溶剂在所述外流道(104)中的流量不小于10ml/min。
9.根据权利要求1所述的采用MOCVD技术制备REBCO高温超导带材的方法，其特征在于，所述内流道(103)的输出口和所述外流道(104)的输出口均伸入所述蒸发器(200)内。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10330941A (ja) * 1997-06-04 1998-12-15 Fujikura Ltd Ｃｖｄ用液体原料供給装置
US20030139064A1 (en) * 2002-01-16 2003-07-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for forming dielectric thin film and dielectric thin film formed thereby
CN1542918A (zh) * 2003-05-01 2004-11-03 日本派欧尼株式会社 气化器
CN1305113C (zh) * 2002-05-13 2007-03-14 日本派欧尼株式会社 气化器和气化供给装置
JP2010003976A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Stanley Electric Co Ltd 成膜装置
JP2014207301A (ja) * 2013-04-12 2014-10-30 気相成長株式会社 成膜装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10330941A (ja) * 1997-06-04 1998-12-15 Fujikura Ltd Ｃｖｄ用液体原料供給装置
US20030139064A1 (en) * 2002-01-16 2003-07-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for forming dielectric thin film and dielectric thin film formed thereby
CN1305113C (zh) * 2002-05-13 2007-03-14 日本派欧尼株式会社 气化器和气化供给装置
CN1542918A (zh) * 2003-05-01 2004-11-03 日本派欧尼株式会社 气化器
JP2010003976A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Stanley Electric Co Ltd 成膜装置
JP2014207301A (ja) * 2013-04-12 2014-10-30 気相成長株式会社 成膜装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张飞: "YBCO带材超导层的MOCVD研究", 《中国博士学位论文全文数据库 工程科技II辑》 *

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