CN111009369B - 一种稀土永磁材料及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。该稀土永磁材料包含下述组分：R：26‑33wt％；M：0‑3wt％，但不为0；N：0.2‑1.0wt％；B：0.85‑0.96wt％；余量为Fe；其中：R为稀土元素，所述R中包括Pr和/或Nd；M为Co、Al、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta、W、O、C、N、S和P中的一种或多种；N为Cu和/或Ga。本发明中的稀土永磁材料可通过单合金工艺或双合金工艺制得，能够在不含重稀土的条件下，实现磁体矫顽力的提升，且该工艺方法简单、利于量产。

Description

一种稀土永磁材料及其制备方法和应用
本申请要求申请日为2019年10月29日的中国专利申请CN 201911037090.0的优先权。本申请引用上述中国专利申请的全文。
技术领域
本发明涉及一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。
背景技术
烧结Nd-Fe-B磁体自20世纪80年代发明以来，由于其具有高磁能积和高剩磁等优势，目前已在电机、电声器件、计算机硬盘驱动器(HDD)、军工设备、人体核磁共振成像仪(MRI)、微波通讯技术、控制器、仪表等方面受到了广泛应用。
对于重稀土元素如Dy或Tb的引入，极大提高了钕铁硼永磁材料的矫顽力及高温稳定性等指标。但由于重稀土元素较为昂贵，同时重稀土元素在地壳中较为稀有，因此在烧结永磁体的发展过程中不断的进行工艺优化，其中晶界优化作为较为有效的方法之一。
在工业化量产中，通过晶粒细化或改善烧结温度的方法可以提高磁钢的性能，但由于过程难以控制，工业中操作难度较大。因此，常需要用另一种物相和主相结合，来提高磁体的性能。然而，对于不同的稀土含量的永磁材料而言，所适用的物相种类并不相同，针对不同稀土含量的永磁材料，如何引入能够提升磁体性能的另一种物相是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中稀土永磁材料的Hcj提升依赖于重稀土元素含量的缺陷，而提供了一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。本发明中的稀土永磁材料通过引入第二相R6T13N，并控制主相和第二相的比例，提高了磁体的矫顽力，保持了磁体的高温稳定性，能够减少重稀土的用量，降低生产成本。
本发明中高矫顽力、高剩磁的稀土永磁材料可通过单合金工艺或双合金工艺制得。其中，单合金工艺：通过优化熔炼工艺、烧结后时效处理工艺，能够从主相中直接析出优化晶界的物相，实现了提高矫顽力的效果；双合金工艺：通过制备出能够优化晶界的物相，采用双主相的方式进行混合、烧结，最终制得高性能的磁钢。本发明中所采用的两种方法，能够在不含重稀土的条件下，实现磁体矫顽力的提升，较常规工艺可提高3kOe，通过该方法可满足高牌号无重稀土的需求，且该工艺方法简单利于量产。
本发明提供了一种稀土永磁材料，以重量百分比计，其包含下述组分：
R：26-33wt％；
M：0-3wt％，但不为0；
N：0.2-1.0wt％；
B：0.85-0.96wt％；
余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比；其中：
所述R为稀土元素，所述R中包括Pr和/或Nd；
所述M为Co、Al、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta、W、O、C、N、S和P中的一种或多种；
所述N为Cu和/或Ga；
所述稀土永磁材料包含R2T14B主相结晶颗粒、邻接两个R2T14B主相结晶颗粒间的二颗粒晶界相和富稀土相，所述二颗粒晶界相的组成为R6T13N，所述二颗粒晶界相的体积分数为2-9％，百分比是指在所述二颗粒晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比；所述T为所述M和Fe。
本发明中，优选地，所述稀土永磁材料中，以重量百分比计，其包含下述组分：
R：26-33wt％；
M：0-3wt％，但不为0；
N：0.2-1.0wt％；
B：0.85-0.93wt％；
余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比；其中：
所述R为稀土元素，所述R中包括Pr和/或Nd；
所述M为Co、Al、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta、W、O、C、N、S和P中的一种或多种；
所述N为Cu和/或Ga；
所述稀土永磁材料包含R2T14B主相结晶颗粒、邻接两个R2T14B主相结晶颗粒间的二颗粒晶界相和富稀土相，所述二颗粒晶界相的组成为R6T13N；所述二颗粒晶界相的体积分数为2-9％，百分比是指在所述二颗粒晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占体积百分比；所述T为所述M和Fe。
其中，所述R的含量优选为29-33wt％，更优选为30-32wt％，例如30.42wt％、31.33wt％、31.74wt％、30.34wt％、30.46wt％或30.36wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，所述R的种类优选为Pr和Nd。
其中，当所述R中包括Nd时，所述Nd的含量优选为20-25wt％，例如22.89wt％、23.5wt％、20.2wt％、22.83wt％、22.88wt％或22.84wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述R中包括Pr时，所述Pr的含量优选为5-10wt％，例如7.53wt％、7.83wt％、6.72wt％、7.51wt％、7.58wt％或7.52wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，所述R中还可包括重稀土RH。
所述RH的种类可为本领域常规的重稀土种类，例如Dy和/或Tb。
所述RH的含量可为0-7.0wt％，但不为0；例如4-6wt％，再例如4.82wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，优选地，所述R为Pr、Nd和Dy。
其中，所述M的种类优选为Co、Al和Ti中的一种或多种，例如Co、Al和Ti。
其中，所述M的用量优选为0.5-2.0wt％，例如0.76wt％、1.03wt％、1.57wt％、0.77wt％、0.78wt％或0.79wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述M的种类包括Co时，所述Co的含量优选为0.5-1.5wt％，例如0.48wt％、1.1wt％、0.47wt％或0.49wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述M的种类包括Al时，所述Al的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.05wt％、0.31wt％或0.24wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述M的种类包括Ti时，所述Ti的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.24wt％、0.23wt％或0.25wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述M的种类为Co、Al和Ti时：
所述Co的含量优选为0.5-1.5wt％，例如0.48wt％、1.1wt％、0.47wt％或0.49wt％；
所述Al的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.05wt％、0.31wt％或0.24wt％；
所述Ti的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.24wt％、0.23wt％或0.25wt％；
百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，所述N的用量优选为0.2-0.85wt％，例如0.63wt％、0.81wt％、0.65wt％、0.67wt％或0.64wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述N的种类包括Cu时，所述Cu的含量优选为0.3-0.5wt％，例如0.31wt％、0.41wt％、0.32wt％或0.3wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述N的种类包括Ga时，所述Ga的含量优选为0.3-0.5wt％，例如0.32wt％、0.4wt％、0.34wt％或0.35wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述N的种类为Cu和Ga时：
所述Cu的含量优选为0.3-0.5wt％，例如0.31wt％、0.41wt％、0.32wt％或0.3wt％；
所述Ga的含量优选为0.3-0.5wt％，例如0.32wt％、0.4wt％、0.34wt％或0.35wt％；
百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，所述B的含量优选为0.85-0.90wt％，例如0.9wt％或0.89wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，所述R2T14B主相的组成可为(PrNd)2(CoAlTiFe)14B。
其中，所述R6T13N晶界相的组成可为(PrNd)6(CoAlTiFe)13(CuGa)。
其中，所述富稀土相一般是指稀土含量高的相，例如含有Nd2O3、NdO、α-Nd、Pr2O3、PrO和α-Pr的相。
其中，优选地，所述二颗粒晶界相的体积分数为4-8％，例如5.5％或6.3％，体积分数是指在所述稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和的百分比。
其中，优选地，所述二颗粒晶界相的体积、和、所述R2T14B主相和所述富稀土相体积之和的比例为(5.5-6.3):(93.7-94.5)，例如5.5:94.5或6.3:93.7。
其中，优选地，所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相的体积比为(85-90)：(2-9)：(5-10)，例如87.3:5.5:7.2或86.3:6.3:7.4。
其中，优选地，所述主相的体积分数为85-90％，例如87.3％或86.3％，体积分数是指在所述稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和中的体积百分比。
其中，优选地，所述富稀土相的体积分数为5-10％，例如7.2％或7.4％，体积分数是指在所述稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和中的体积百分比。
其中，优选地，所述稀土永磁材料的氧含量为800ppm以下。
其中，优选地，所述稀土永磁材料中，包含下述组分：Nd 20-25wt％，Pr 5-10wt％，Dy 0-7.0wt％，M 0.5-2.0wt％，N 0.2-0.85wt％，B 0.85-0.90wt％，余量为Fe，所述M为Co、Al和Ti，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，优选地，所述稀土永磁材料中，包含下述组分：Nd 20-25wt％，Pr 5-10wt％，Dy 0-7.0wt％，Co 0.5-1.5wt％，Al 0-0.5wt％、但不为0，Ti 0-0.5wt％、但不为0，Cu 0.3-0.5wt％，Ga 0.3-0.5wt％，B 0.85-0.90wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 22.89wt％，Pr 7.53wt％，Co 0.48wt％，Al 0.05wt％，Ti 0.23wt％，Cu 0.31wt％，Ga 0.32wt％，B0.90wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 23.5wt％，Pr 7.83wt％，Co 0.48wt％，Al 0.31wt％，Ti 0.24wt％，Cu 0.41wt％，Ga 0.40wt％，B0.89wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 20.20wt％，Pr 6.72wt％，Dy 4.82wt％，Co 1.1wt％，Al 0.24wt％，Ti 0.23wt％，Cu 0.31wt％，Ga0.34wt％，B 0.89wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 22.83wt％，Pr 7.51wt％，Co 0.47wt％，Al 0.05wt％，Ti 0.25wt％，Cu 0.31wt％，Ga 0.32wt％，B0.9wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 22.88wt％，Pr 7.58wt％，Co 0.49wt％，Al 0.05wt％，Ti 0.24wt％，Cu 0.32wt％，Ga 0.35wt％，B0.9wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 22.84wt％，Pr 7.52wt％，Co 0.49wt％，Al 0.05wt％，Ti 0.25wt％，Cu 0.30wt％，Ga 0.34wt％，B0.9wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述稀土永磁材料中，以重量百分比计，其包含下述组分：
R：26-33wt％；
M：0-3wt％，但不为0；
N：0.2-1.0wt％；
B：0.90-0.96wt％；
余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比；其中：
所述R为稀土元素，所述R中包括Pr和/或Nd；
所述M为Co、Al、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta、W、O、C、N、S和P中的一种或多种；
所述N为Cu和/或Ga；
所述稀土永磁材料包含R2T14B主相结晶颗粒、邻接两个R2T14B主相结晶颗粒间的二颗粒晶界相和富稀土相，所述二颗粒晶界相的组成为R6T13N，所述二颗粒晶界相的体积分数为2-9％，百分比是指在所述二颗粒晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比；所述T为所述M和Fe。
其中，所述R的含量优选为29-33wt％，更优选为30-32wt％，例如30.49wt％、30.21wt％、30.27wt％、30.53wt％、30.06wt％或30.26wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，所述R的种类优选为Pr和Nd。
其中，当所述R中包括Nd时，所述Nd的含量优选为20-25wt％，例如22.92wt％、20.66wt％、20.63wt％、22.95wt％、20.69wt％或20.59wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述R中包括Pr时，所述Pr的含量优选为5-10wt％，例如7.57wt％、6.72wt％、6.79wt％、7.58wt％、6.63wt％或6.89wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述R中包括Pr和Nd时：
所述Nd的含量优选为20-25wt％，例如22.92wt％、20.66wt％、20.63wt％、22.95wt％、20.69wt％或20.59wt％；
所述Pr的含量优选为5-10wt％，例如7.57wt％、6.72wt％、6.79wt％、7.58wt％、6.63wt％或6.89wt％；
百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，所述R中还可包括重稀土RH。
所述RH的种类可为本领域常规的重稀土种类，例如Dy和/或Tb。
所述RH的含量可为0-7.0wt％，但不为0；例如2-4wt％，再例如2.85wt％、2.83wt％、2.74wt％或2.78wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，所述M的种类优选为Co、Al和Ti中的一种或多种，例如Co、Al和Ti。
其中，所述M的用量优选为0.5-2.0wt％，例如1.807wt％、1.823wt％、1.834wt％、1.83wt％、1.839wt％或1.838wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述M的种类包括Co时，所述Co的含量优选为0.5-1.5wt％，例如1.45wt％、1.47wt％、1.49wt％或1.48wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述M的种类包括Al时，所述Al的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.149wt％、0.152wt％、0.144wt％、0.15wt％或0.155wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述M的种类包括Ti时，所述Ti的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.208wt％、0.201wt％、0.212wt％、0.206wt％、0.199wt％或0.203wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述M的种类为Co、Al和Ti时：
所述Co的含量优选为0.5-1.5wt％，例如1.45wt％、1.47wt％、1.49wt％或1.48wt％；
所述Al的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.149wt％、0.152wt％、0.144wt％、0.15wt％或0.155wt％；
所述Ti的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.208wt％、0.201wt％、0.212wt％、0.206wt％、0.199wt％或0.203wt％；
百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，所述N的用量优选为0.5-1.0wt％，例如0.963wt％、0.727wt％、0.73wt％、0.936wt％、0.677wt％或0.71wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述N的种类包括Cu，所述Cu的含量优选为0.3-0.5wt％，例如0.451wt％、0.334wt％、0.335wt％、0.441wt％、0.324wt％或0.325wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述N的种类包括Ga时，所述Ga的含量优选为0.3-0.6wt％，例如0.512wt％、0.393wt％、0.395wt％、0.495wt％、0.353wt％或0.385wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，当所述N的种类为Cu和Ga时：
所述Cu的含量优选为0.3-0.5wt％，例如0.451wt％、0.334wt％、0.335wt％、0.441wt％、0.324wt％或0.325wt％；
所述Ga的含量优选为0.3-0.6wt％，例如0.512wt％、0.393wt％、0.395wt％、0.495wt％、0.353wt％或0.385wt％；
百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，所述B的含量优选为0.95-0.96wt％，例如0.951wt％、0.952wt％、0.953wt％、0.956wt％或0.955wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，所述R2T14B主相的组成可为(PrNd)2(CoAlTiFe)14B。
其中，所述R6T13N晶界相的组成可为(PrNd)6(CoAlTiFe)13(CuGa)。
其中，优选地，所述二颗粒晶界相的体积分数为4-8％，例如4.4％、4.6％、4.8％、5.1％、6.8％或7.2％，体积分数是指在所述稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和的百分比。
其中，优选地，所述二颗粒晶界相的体积、和、所述R2T14B主相和所述富稀土相体积之和的比例为(4-8):(92-96)，例如4.4:95.6、4.6:95.4、4.8:95.2、5.1:94.9、6.8:93.2或7.2:92.8。
其中，优选地，所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相的体积比为(85-90)：(2-9)：(3-10)，例如89.2:7.2:3.6、86.3:4.6:9.1、86.8:4.4:8.8、89.2:6.8:4.0、86.8:4.8:8.4或87.5:5.1:7.4。
其中，优选地，所述主相的体积分数为85-90％，例如89.2％、86.3％、86.8％、89.2％或87.5％，体积分数是指在所述稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和中的体积百分比。
其中，优选地，所述富稀土相的体积分数为3-10％，例如3.6％、9.1％、8.8％、4.0％、8.4％或7.4％，体积分数是指在所述稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和中的体积百分比。
其中，优选地，所述稀土永磁材料的氧含量为800ppm以下。
其中，优选地，所述稀土永磁材料中，包含下述组分：Nd 20-25wt％，Pr 5-10wt％，RH 0-7.0wt％，M 0.5-2.0wt％，N 0.5-1.0wt％，B 0.90-0.96wt％，余量为Fe，所述M为Co、Al和Ti，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
其中，优选地，所述稀土永磁材料中，包含下述组分：Nd 20-25wt％，Pr 5-10wt％，RH 0-7.0wt％，Co 0.5-1.5wt％，Al 0-0.5wt％、但不为0，Ti 0-0.5wt％、但不为0，Cu 0.3-0.5wt％，Ga 0.3-0.5wt％，B 0.90-0.96wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 22.92wt％，Pr 7.57wt％，Co 1.45wt％，Al 0.149wt％，Ti 0.208wt％，Cu 0.451wt％，Ga 0.512wt％，B0.951wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 20.66wt％，Pr 6.72wt％，Dy 2.83wt％，Co 1.47wt％，Al 0.152wt％，Ti 0.201wt％，Cu 0.334wt％，Ga0.393wt％，B 0.951wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 20.63wt％，Pr 6.79wt％，Tb 2.85wt％，Co 1.47wt％，Al 0.152wt％，Ti 0.212wt％，Cu 0.335wt％，Ga0.395wt％，B 0.952wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 22.95wt％，Pr 7.58wt％，Co 1.48wt％，Al 0.144wt％，Ti 0.206wt％，Cu 0.441wt％，Ga 0.495wt％，B0.953wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 20.69wt％，Pr 6.63wt％，Dy 2.74wt％，Co 1.49wt％，Al 0.150wt％，Ti 0.199wt％，Cu 0.324wt％，Ga0.353wt％，B 0.956wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 20.59wt％，Pr 6.89wt％，Tb 2.78wt％，Co 1.48wt％，Al 0.155wt％，Ti 0.203wt％，Cu 0.325wt％，Ga0.385wt％，B 0.955wt％，余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比。
本发明还提供了一种稀土永磁材料的制备方法，其包括下述步骤：
将稀土永磁材料的原料组合物经熔铸工艺得速凝片，将所述速凝片经吸氢破碎、粉碎、成型、烧结处理和时效处理，即可；其中：
(1)所述原料组合物中包括R、Fe、B、M和N；其中：
所述R的含量为26-33wt％，所述R为稀土元素，所述R中包括Pr和/或Nd；
所述M的含量为0-3wt％、但不为0，所述M为Co、Al、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta、W、O、C、N、S和P中的一种或多种；
所述N的含量为0.2-1.0wt％，所述N为Cu和/或Ga；所述B的含量为0.85-0.93wt％；
余量为Fe；百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
(2)所述熔铸工艺中，浇注温度为1380-1460℃；
(3)所述时效处理中，二级时效处理的温度为430℃-620℃。
本发明中，所述R的含量优选为29-33wt％，更优选为30-33wt％，例如30.48wt％、31.45wt％或31.8wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述R的种类优选为Pr和Nd。
本发明中，当所述R中包括Nd时，所述Nd的含量优选为20-25wt％，例如22.9wt％、23.6wt％或20.25wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，当所述R中包括Pr时，所述Pr的含量优选为5-10wt％，例如7.58wt％、7.85wt％或6.75wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，当所述R中包括Pr和Nd时：
所述Nd的含量优选为20-25wt％，例如22.9wt％、23.6wt％或20.25wt％；
所述Pr的含量优选为5-10wt％，例如7.58wt％、7.85wt％或6.75wt％；
百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述R中还可包括重稀土RH。
其中，所述RH的种类可为本领域常规的重稀土种类，例如Dy和/或Tb。
其中，所述RH的含量可为0-7.0wt％，但不为0；例如4-6wt％，再例如4.8wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述M的种类优选为Co、Al和Ti中的一种或多种，例如Co、Al和Ti。
本发明中，所述M的用量优选为0.5-2.0wt％，例如0.81wt％、1.05wt％或1.5wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，当所述M的种类包括Co时，所述Co的含量优选为0.5-1.5wt％，例如0.5wt％或1.0wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，当所述M的种类包括Al时，所述Al的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.06wt％、0.3wt％或0.25wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，当所述M的种类包括Ti时，所述Ti的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.25wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，当所述M的种类为Co、Al和Ti时：
所述Co的含量优选为0.5-1.5wt％，例如0.5wt％或1.0wt％；
所述Al的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.06wt％、0.3wt％或0.25wt％；
所述Ti的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.25wt％；
百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述N的用量优选为0.2-0.85wt％，例如0.65wt％或0.80wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，当所述N的种类包括Cu时，所述Cu的含量优选为0.3-0.5wt％，例如0.3wt％或0.4wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，当所述N的种类包括Ga时，所述Ga的含量优选为0.3-0.5wt％，例如0.35wt％或0.4wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述B的含量优选为0.85-0.90wt％，例如0.9wt％或0.89wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述原料组合物中，包含下述组分：Nd 20-25wt％，Pr 5-10wt％，Dy 0-7.0wt％，M 0.5-2.0wt％，N 0.2-0.85wt％，B 0.85-0.90wt％，余量为Fe，所述M为Co、Al和Ti，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，优选地，所述原料组合物中，包含下述组分：Nd 20-25wt％，Pr 5-10wt％，Dy 0-7.0wt％，Co 0.5-1.5wt％，Al 0-0.5wt％、但不为0，Ti 0-0.5wt％、但不为0，Cu 0.3-0.5wt％，Ga 0.3-0.5wt％，B 0.85-0.90wt％，余量为Fe，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述原料组合物中中包含下述组分：Nd 22.9wt％，Pr 7.58wt％，Co 0.5wt％，Al 0.06wt％，Ti 0.25wt％，Cu 0.3wt％，Ga 0.35wt％，B0.9wt％，余量为Fe，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述原料组合物中中包含下述组分：Nd 23.6wt％，Pr 7.85wt％，Co 0.5wt％，Al 0.3wt％，Ti 0.25wt％，Cu 0.4wt％，Ga 0.4wt％，B0.89wt％，余量为Fe，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述原料组合物中中包含下述组分：Nd 20.25wt％，Pr 6.75wt％，Dy 4.8wt％，Co 1wt％，Al 0.25wt％，Ti 0.25wt％，Cu 0.3wt％，Ga0.35wt％，B 0.88wt％，余量为Fe，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
本发明中，所述浇注前一般还应进行熔炼。所述熔炼的温度可为1480-1540℃。
本发明中，所述浇注的温度优选为1400-1440℃，例如1400℃、1420℃、1425℃或1430℃。
本发明中，所述浇注过程中，为保证浇注温度在1380-1460℃范围内，可在铜辊中通入冷冻水，出水温度≤35℃，即可。
其中，所述出水温度可为31℃。
其中，所述铜辊的转速可为29-31转/分，例如29转/分。
本发明中，所述速凝片的厚度可为0.12-0.35mm。
本发明中，所述吸氢破碎可按本领域常规的工艺进行吸氢破碎，例如破碎至D50粒径为1-4mm。
本发明中，所述粉碎可采用气流磨进行。
本发明中，所述粉碎可粉碎至D50粒径为3.3-4.3μm。
本发明中，所述成型的工艺可为本领域常规的成型工艺，例如在0.8-1T的磁场下进行取向成型。
本发明中，所述烧结处理一般在真空或惰性气体气氛中进行。所述惰性气体可为Ar。
本发明中，优选地，所述烧结处理之前还包括热处理和预烧结处理。
其中，所述热处理可包括下述步骤：在300℃-450℃条件下(例如400℃)处理1-3小时(例如2小时)，600℃-650℃(例如600℃)或800℃-900℃条件下处理1-3小时(例如2小时)。
其中，所述热处理中，升温速率优选为5℃/min-7℃/min，例如6℃/min。
其中，所述预烧结的温度优选为低于烧结温度10-15℃，例如烧结温度为1080℃时，所述预烧结温度可为1065～1070℃。
其中，所述预烧结的时间可为1-3小时，例如2小时。
本发明中，所述烧结处理的温度可为本领域常规的烧结温度，例如1000℃-1085℃，例如1085℃。
本发明中，所述烧结处理的保温时间可为本领域常规的保温时间，一般≥8小时，例如8-13小时，再例如10小时。
本发明中，所述二级时效处理前，一般还包括一级时效处理。
其中，所述一级时效处理为温度优选为820℃-950℃，例如900℃。
其中，所述一级时效处理的时间可为3-6小时，例如4小时。
本发明中，所述二级时效处理的温度优选为450℃-600℃，例如470℃、480℃或490℃。
本发明中，所述二级时效处理的时间可为5-8小时，例如5小时或6小时。
本发明中，所述二级时效处理的升温速度优选为2℃/min-5℃/min，例如3℃/min。
本发明还提供了一种采用上述方法制得的稀土永磁材料。
本发明中，优选地，所述稀土永磁材料的氧含量为800ppm以下。
本发明还提供了一种辅合金，所述辅合金的组成为(LR)jFekBlPmQn，其中：
LR为Nd和/或Pr；
P为Co、Al、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta和W中的一种或多种；
Q为Cu和/或Ga；
j为32-38wt％，l为0.5-0.85wt％，m为0-3wt％，n为2-12wt％，k为(100-j-l-m-n)wt％；百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
其中，所述LR优选为Nd和Pr。
其中，所述j优选为34-36wt％，例如35wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
当所述LR中包括Nd时，所述Nd的含量优选为25-28wt％，例如27.5wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
当所述LR中包括Pr时，所述Pr的含量优选为5-10wt％，例如7.5wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
其中，所述P的种类优选为Co、Al和Ti中的一种或多种，例如Co、Al和Ti。
其中，所述m优选为0.5-2.0wt％，例如1.2wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
当所述P的种类中包括Co时，所述Co的含量优选为0.5-1.5wt％，例如1wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
当所述P的种类中包括Ti时，所述Ti的含量优选为0.1-0.3wt％，例如0.2wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
当所述P的种类中包括Al时，所述Al的含量优选为0-0.2wt％、但不为0，例如0.15wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
其中，当所述P的种类为Co、Al和Ti时：
所述Co的含量优选为0.5-1.5wt％，例如1.0wt％；
所述Ti的含量优选为0.1-0.3wt％，例如0.2wt％；
所述Al的含量优选为0-0.2wt％、但不为0，例如0.15wt％；
百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
其中，所述Q的种类优选为Cu和Ga。
其中，所述n优选为9-12wt％，例如9.65wt％或10.95wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
当所述Q的种类中包括Cu时，所述Cu的含量优选为4-6wt％，例如4.5wt％或4.8wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
当所述Q的种类中包括Ga时，所述Ga的含量优选为5-6wt％，例如5wt％或6wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
其中，当所述Q的种类为Cu和Ga时：
所述Cu的含量优选为4-6wt％，例如4.5wt％或4.8wt％；
所述Ga的含量优选为5-6wt％，例如5wt％或6wt％；
百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
其中，所述l优选为0.80-0.85wt％，例如0.82wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
其中，优选地，所述辅合金的组成如下：Nd 25-28wt％，Pr 5-10wt％，Co 0.5-1.5wt％，Al 0-0.2wt％、但不为0，Ti 0.1-0.3wt％，Cu 4-6wt％，Ga 5-6wt％，B 0.80-0.85wt％，余量为Fe，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 27.5wt％，Pr 7.5wt％，Co 1wt％，Al 0.15wt％，Ti 0.2wt％，Cu 4.5wt％，Ga 5wt％，B 0.82wt％，余量为Fe，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
在本发明一优选实施方式中，所述稀土永磁材料中包含下述组分：Nd 27.5wt％，Pr 7.5wt％，Co 1wt％，Al 0.15wt％，Ti 0.2wt％，Cu 4.8wt％，Ga 6wt％，B 0.82wt％，余量为Fe，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
本发明还提供了一种所述辅合金的制备方法，其包括下述步骤，将所述LR、所述Fe、所述B、所述P和所述Q的原材料按配比混合，经熔铸得速凝片，将所述速凝片经热处理A、预破碎、吸氢破碎和气流磨粉碎，即可；其中：
所述熔铸过程中，所述浇注温度为1320-1400℃。
其中，所述熔铸工艺一般包括熔炼、浇注步骤。
所述熔炼的温度可为1420-1480℃。
其中，所述浇铸的温度优选为1330-1360℃，例如1330℃、1350℃或1360℃。
其中，所述浇铸过程中，为保证浇铸温度在1320-1400℃范围内，可在铜辊中通入冷冻水，出水温度≤35℃，即可。
所述出水温度可为27℃或27.5℃。
所述铜辊的转速可为32-34转/分，例如33转/分。
其中，所述速凝片的厚度可为0.12-0.25mm。
其中，所述热处理A可在真空烧结炉中进行。
其中，所述热处理A的温度优选为780-900℃，例如820℃。
其中，所述热处理A的时间优选为1-3小时，例如2小时。
其中，所述热处理A中，升温速率优选为9℃/min-11℃/min，例如10℃/min。
其中，所述预破碎可按本领域常规的工艺进行，例如将所述速凝片平铺于钢筛中，用撵滚将所述速凝片进行破碎，即可。所述预破碎的工艺便于后序的氢破工艺吸氢。
其中，优选地，所述预破碎为破碎至D50≤10mm。
其中，所述吸氢破碎可按本领域常规的工艺进行，例如，在530℃±20℃脱氢，获得D50粒径为1-4mm的粉体，即可。
其中，所述吸氢破碎后的氢破粉可和磁粉保护剂混合。
所述磁粉保护剂的种类可为购自广州卓厚环保公司5#型号的磁粉保护剂。
所述氢破粉和所述磁粉保护剂可在三维混料机中进行混合。所述混合的时间可为2h。
其中，所述气流磨粉碎可粉碎至D50粒径为3.2-3.5μm。
本发明还提供了一种稀土永磁材料的制备方法，其包括下述步骤：
将主合金的粉末和所述辅合金的粉末混合，经成型、热处理B、烧结处理和时效处理，即可；
所述主合金和所述辅合金的质量比为(90-99):(10-1)；
所述热处理B中，升温速率为5℃/min-7℃/min；
所述时效处理中，二级时效处理的温度为430℃-620℃；
所述主合金的组成为ReFefBgXh，其中：
R为稀土元素，所述R中包括Nd和/或Pr；
X为Co、Al、Cu、Zn、In、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Pd、Ag、Cd、Sn、Sb、Ta、W、O、C、N、S和P中的一种或多种；
e为28-33wt％，g为0.93-1.15wt％，h为0-3wt％、但不为0，f为(100-e-g-h)wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
其中，所述e优选为29-31％，例如30.0％或30.4％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
其中，所述R的种类优选为Pr和Nd。
其中，当所述R中包括Pr时，所述Nd的含量优选为20-25wt％，例如22.8wt％或20.25wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
其中，当所述R中包括Nd时，所述Pr的含量优选为5-10wt％，例如6.75wt％或7.6wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
其中，当所述R中包括Pr和Nd时：
所述Nd的含量优选为20-25wt％，例如22.8wt％或20.25wt％；
所述Pr的含量优选为5-10wt％，例如6.75wt％或7.6wt％；
百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
其中，所述R中还可包括重稀土RH。
所述RH的种类可为本领域常规的重稀土种类，例如Dy和/或Tb。
所述RH的含量可为0-5.0wt％，但不为0；例如2-4wt％，再例如3wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
其中，所述h优选为1.5-2.5％，例如2.06％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
其中，所述X的种类优选为Co、Al、Ti、Cu和Ga中的一种或多种，例如Co、Al、Ti、Cu和Ga。
其中，当所述X的种类中包括为Co时，所述Co的含量优选为2-3wt％，例如1.5wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
其中，当所述X的种类中包括Al时，所述Al的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.15wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
其中，当所述X的种类中包括Ti时，所述Ti的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.21wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
其中，当所述X的种类中包括Cu时，所述Cu的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.1wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
其中，当所述X的种类中包括Ga时，所述Ga的含量优选为0-0.5wt％、但不为0，例如0.1wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
其中，所述g优选为0.95-1.0wt％，例如0.96wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
其中，所述主合金可采用本领域常规的方法制得，例如将所述R、所述Fe、所述B和所述X按配比混合，经熔铸得速凝片，将所述速凝片经吸氢破碎及气流磨粉碎，即可。
所述主合金的制备中，所述气流磨粉碎可粉碎至D50粒径为3.6-4.5μm。
其中，所述成型的工艺可为本领域常规的工艺，例如磁场成型。
其中，所述热处理B可包括下述步骤：在300℃-450℃(例如400℃)条件下处理1-3小时(例如2小时)，在600℃-650℃(例如600℃)或800℃-900℃条件下处理1-3小时(例如2小时)。
其中，所述热处理B中，所述升温速率优选为5℃/min-6℃/min，例如5.5℃/min或6℃/min。
其中，所述热处理B的升温速率一般是指从当前温度升温至目标温度的速率，例如从室温升温至400℃的速率，再例如从400℃升温至600℃的速率。
其中，所述烧结处理一般在真空或惰性气体气氛中进行。所述惰性气体可为Ar。
其中，优选地，所述烧结处理之前还包括预烧结处理。
所述预烧结的温度优选为低于烧结温度10-15℃，例如烧结温度为1080℃时，所述预烧结温度可为1065～1070℃。
所述预烧结的时间优选为1-3小时，例如2小时。
其中，所述烧结处理的温度可为本领域常规的烧结温度，例如1000℃-1085℃，再例如1080℃。
其中，所述烧结处理的保温时间可为本领域常规的保温时间，一般≥5小时，例如8-13小时，再例如10小时。
其中，所述二级时效处理前，一般还包括一级时效处理。
所述一级时效处理为温度优选为820℃-950℃，例如880℃。
所述一级时效处理的时间可为3-5小时，例如4小时。
其中，所述二级时效处理的温度优选为450℃-600℃，例如520℃、530℃、550℃、560℃或570℃。
其中，所述二级时效处理的时间可为5-7小时，例如6小时。
其中，所述二级时效处理的升温速度优选为2℃/min-5℃/min，例如4℃/min。
其中，所述主合金和所述辅合金的质量比优选为(92-95):(5-8)，例如92:8或95:5。
本发明还提供了一种采用上述方法制得的稀土永磁材料。
本发明中，优选地，所述稀土永磁材料的氧含量为800ppm以下。
本发明还提供了一种上述稀土永磁材料在电机中作为电子元件的应用。
本发明中，所述室温是指25℃±5℃。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：
(1)本发明中高矫顽力、高剩磁的稀土永磁材料可通过单合金工艺或双合金工艺制得。其中，单合金工艺：通过优化熔炼工艺、烧结后时效处理工艺，能够从主相中直接析出优化晶界的物相，实现了提高矫顽力的效果；双合金工艺：通过制备出能够优化晶界的物相，采用双主相的方式进行混合、烧结，最终制得高性能的磁钢。
(2)本发明中所采用的单合金工艺和双合金工艺，能够在不含重稀土的条件下，实现磁体矫顽力的提升，较常规工艺可提高3kOe，通过该方法可满足高牌号无重稀土的需求，且该工艺方法简单利于量产。
附图说明
图1为实施例1制得的烧结磁铁由FE-EPMA面扫描形成的RE、Fe、Cu、Ga等元素的分布，其中：深灰色为主相，灰白色为晶界富Fe相，白色为富稀土相。
图2为实施例7制得的烧结磁体由FE-EPMA面扫描形成的RE、Fe、Cu、Ga等元素的分布，其中：深灰色为主相，灰白色为晶界富Fe相，白色为富稀土相。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
实施例1
表1
Figure BDA0002360186100000181
注：Bal指余量。
单合金工艺：
(1)按表1中所示原料，在1480-1540℃条件下精炼，在1420℃条件下浇铸，浇铸过程中，铜辊需通入冷冻水，其出水温度≤35℃，按29转/分的转速达到0.12-0.35mm厚度的速凝合金片；
(2)将步骤(1)中的速凝合金片经吸氢破碎至D50粒径为1-4mm，获得氢破粉；
(3)将步骤(2)中的氢破粉经气流磨微粉碎制成D50粒径为3.3-4.3μm的细粉；
(4)将步骤(3)中的细粉经磁场成型法或热压热变形获得成型体，将该成型体依次进行下述热处理：
从室温以6℃/min的升温速度升温到400℃，在400℃条件下保温处理2小时；
从400℃以6℃/min的升温速度升温到600℃，在600℃条件下保温处理2小时；
(5)将步骤(4)中热处理后的成型体在真空或惰性气体中、1070℃的条件下进行预烧结2小时，之后，在真空或惰性气体中以1085℃的温度对成型体进行烧结，保温10小时，冷却后得烧结体毛坯；
(6)将步骤(5)中的烧结体毛坯由室温升温至900℃，在900℃条件下进行4小时一级时效处理；由室温升温至490℃，在490℃条件下进行5小时二级时效处理，二级时效处理的升温速度为3℃/min。
实施例2-3
单合金工艺：
按表1中所示原料，实施例2浇铸温度为1400℃、实施例3浇铸温度为1425℃，其他工艺条件同实施例1，制得稀土永磁材料。
对比例1-3
单合金工艺：
按表1中所示原料，工艺条件同实施例1，分别制得稀土永磁材料。
实施例4-6、对比例4-5
表2
Figure BDA0002360186100000191
单合金工艺：
取表1中所示实施例1的原料，按表2中所示工艺，制得稀土永磁材料。
效果实施例1
(1)磁性能评价：烧结磁铁使用中国计量院的NIM-10000H型BH大块稀土永磁无损测量系统进行磁性能检测。
下表3所示为磁性能检测结果。
表3
Figure BDA0002360186100000192
Figure BDA0002360186100000201
根据表3可知：
①在不含重稀土元素的条件下，本申请中的钕铁硼永磁材料Br≥13.5kGs、Hcj≥19.8kOe、80℃Hcj温度系数绝对值≤0.641％；
②在含有重稀土元素的条件下，本申请中的钕铁硼永磁材料Hcj提升更为明显，例如在Dy 4.8wt％的条件下(实施例3)，Hcj比Dy 6.7wt％的配方(对比例3)Hcj更高、180℃Hcj温度系数绝对值更小，可见，本申请中的钕铁硼永磁材料性能更为优异。
(2)成分测定：各成分使用高频电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)进行测定。下表4所示为成分检测结果。
表4
Figure BDA0002360186100000202
注：Bal指余量。
(3)磁体的晶界结构
取实施例1、实施例4，对比例4、对比例5制得的R-T-B系烧结磁铁，FE-EPMA检测观察其磁体的晶界结构。
FE-EPMA检测：对烧结磁铁的垂直取向面进行抛光，采用场发射电子探针显微分析仪(FE-EPMA)(日本电子株式会社(JEOL)，8530F)检测。首先通过FE-EPMA面扫描确定磁铁中RE、Fe、Cu、Ga等元素的分布，然后通过FE-EPMA单点定量确定关键相中RE、Fe、Cu、Ga等元素的含量，测试条件为加速电压15kv，探针束流50nA。
FE-EPMA检测结果如图1、表5所示。
表5
Figure BDA0002360186100000211
注：wt％是指在各相中的质量百分比。
根据表5可知，本申请单合金工艺制得的钕铁硼永磁材料中存在(PrNd)6(CoAlTiFe)13(CuGa)的晶界相，其在永磁材料中的体积分数为2-9％。
实施例7
表6主合金成分配比
Figure BDA0002360186100000212
注：Bal指余量。
表7辅合金成分配比
Figure BDA0002360186100000221
注：Bal指余量。
表8主合金、辅合金成配比
编号 主合金编号(表6) 辅合金编号(表7) 主合金：辅合金(质量比例)
实施例7 主合金1 辅合金1 92:8
实施例8 主合金2 辅合金2 95:5
实施例9 主合金3 辅合金2 95:5
对比例6 主合金1 辅合金1 88:12
对比例7 主合金1 辅合金3 92:8
双合金工艺：
(1)按表6中所示主合金原料比例，制得速凝薄片；将主合金的速凝薄片经吸氢破碎和微粉碎制成D50粒径为3.6-4.5μm的细粉；
(2)按表7中所示辅合金原料比例，在1420-1480℃条件下精炼，在1330℃条件下浇铸，浇铸过程中，铜辊需通入冷冻水，其出水温度≤29℃，按33转/分的转速，制得0.12-0.25mm厚度的速凝合金片；将所得的速凝片置于真空烧结炉中，在820℃条件下热处理2小时，从室温升温至820℃的升温速率10℃/min；将退火合金片平铺于钢筛中，用撵滚将合金片进行粗破碎至D50粒径≤10mm；将粗破碎的颗粒进行吸氢破碎，并在530℃±20℃脱氢，获得D50粒径为1-4mm的粉体，在所得氢破粉中加入磁粉保护剂(广州卓厚环保公司5#)，在三维混料机中混合2小时；将所得的氢破粉进行气流磨粉碎进一步得到微小颗粒，破碎粒度D50为3.2-3.5μm；
(3)将步骤(1)中的主合金粉末、步骤(2)中的辅合金粉末，按表8中所示主合金和辅合金的比例混合，用磁场成型法或热压热变形获得成型体，将该成型体依次进行下述热处理：
从室温以6℃/min的升温速度升温到400℃，在400℃条件下保温处理2小时；
从400℃以6℃/min的升温速度升温到600℃，在600℃条件下保温处理2小时；
(5)将步骤(4)中热处理后的成型体在真空或惰性气体中、1070℃的条件下进行预烧结2小时，之后，在真空或惰性气体中以1080℃的温度对成型体进行烧结，保温10小时，得烧结体毛坯；
(6)将步骤(5)中的烧结体毛坯在880℃条件下进行4小时一级时效处理，在520℃条件下进行6小时二级时效处理，二级时效处理的升温速度为4℃/min。
实施例8-9
双合金工艺：
按表6中所示主合金原料比例、按表7中所示辅合金原料比例、按表8中所示主合金和辅合金的比例，工艺条件同实施例7，分别制得稀土永磁材料。
对比例6-7
双合金工艺：
按表6中所示主合金原料比例、按表7中所示辅合金原料比例、按表8中所示主合金和辅合金的比例，工艺条件同实施例7，分别制得稀土永磁材料。
实施例10-12、对比例8-11
表9
Figure BDA0002360186100000231
效果实施例2
(1)磁性能评价：烧结磁铁使用中国计量院的NIM-10000H型BH大块稀土永磁无损测量系统进行磁性能检测。
下表10所示为磁性能检测结果。
表10
Figure BDA0002360186100000241
根据表10可知：
①在不含重稀土元素的条件下，本申请中的钕铁硼永磁材料Br≥13.82kGs、Hcj≥23.2kOe、80℃Hcj温度系数绝对值≤0.581％；
②在含有重稀土元素的条件下，本申请中的钕铁硼永磁材料Hcj提升更为明显，例如在Dy 2.83wt％的条件下(实施例8)，Hcj比Dy 2.82wt％的配方(对比例9)Hcj更高、150℃Hcj温度系数绝对值更小，可见，本申请中的钕铁硼永磁材料性能更为优异。
(2)成分测定：各成分使用高频电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)进行测定。下表11所示为成分检测结果。
表11
Figure BDA0002360186100000242
Figure BDA0002360186100000251
(3)磁体的晶界结构
取实施例7-12、对比例6-11制得的R-T-B系烧结磁铁，FE-EPMA检测观察其磁体的晶界结构。
FE-EPMA检测：对烧结磁铁的垂直取向面进行抛光，采用场发射电子探针显微分析仪(FE-EPMA)(日本电子株式会社(JEOL)，8530F)检测。首先通过FE-EPMA面扫描确定磁铁中RE(稀土元素)、Fe、Cu、Ga等元素的分布，然后通过FE-EPMA单点定量确定关键相中RE、Fe、Cu、Ga等元素的含量，测试条件为加速电压15kv，探针束流50nA。
FE-EPMA检测结果如图2、表12所示。
表12
Figure BDA0002360186100000252
Figure BDA0002360186100000261
注：wt％是指在各相中的质量百分比。

Claims (46)

1.一种稀土永磁材料，其特征在于，以重量百分比计，其由下述组分1或组分2组成：
(1)组分1：
R：26-33wt％；所述R为稀土元素，所述R中包括Pr和/或Nd；
M：0.5-2.0wt％；M的种类为Co、Al和Ti，其中：Co：0.5-1.5wt％；Al：0-0.5wt％、但不为0；Ti：0-0.5wt％、但不为0；
N：0.2-1.0wt％；N为Cu和Ga，其中：Cu：0.3-0.5wt％，Ga：0.3-0.5wt％；
B：0.85-0.93wt％；
余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中组分1的重量百分比；
由所述组分1组成的稀土永磁材料中，所述稀土永磁材料包含R2T14B主相结晶颗粒、邻接两个R2T14B主相结晶颗粒间的二颗粒晶界相和富稀土相，所述二颗粒晶界相的组成为R6T13N，所述二颗粒晶界相的体积分数为4-8％，百分比是指在所述二颗粒晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比；所述T为所述M和Fe；
(2)组分2：
R：26-33wt％；所述R为稀土元素，所述R中包括Pr和/或Nd；
M：0.5-2.0wt％；M的种类为Co、Al和Ti，其中：Co：0.5-1.5wt％；Al：0-0.5wt％、但不为0；Ti：0-0.5wt％、但不为0；
N：0.2-1.0wt％；N为Cu和Ga，其中：Cu：0.3-0.5wt％，Ga：0.3-0.6wt％；
B：0.90-0.96wt％；
余量为Fe，百分比是指在所述稀土永磁材料中组分2的重量百分比；
由所述组分2组成的稀土永磁材料中，所述稀土永磁材料包含R2T14B主相结晶颗粒、邻接两个R2T14B主相结晶颗粒间的二颗粒晶界相和富稀土相，所述二颗粒晶界相的组成为R6T13N，所述二颗粒晶界相的体积分数为4-8％，百分比是指在所述二颗粒晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比；所述T为所述M和Fe。
2.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述R的含量为29-33wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述组分1中，所述R中还包括重稀土RH；
和/或，所述Co的含量为0.48wt％、1.1wt％、0.47wt％或0.49wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量为0.05wt％、0.31wt％或0.24wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Ti的含量为0.24wt％、0.23wt％或0.25wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量为0.31wt％、0.41wt％、0.32wt％或0.3wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Ga的含量为0.32wt％、0.4wt％、0.34wt％或0.35wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述N的含量为0.2-0.85wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述B的含量为0.85-0.90wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述二颗粒晶界相的体积分数为5.5％或6.3％，体积分数是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和的百分比。
3.如权利要求2所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述R的含量为30-32wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述组分1中，所述RH的种类为Dy和/或Tb；
和/或，所述组分1中，所述RH的含量为0-7.0wt％、但不为0，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述M的含量为0.76wt％、1.03wt％、1.57wt％、0.77wt％、0.78wt％或0.79wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述N的含量为0.63wt％、0.81wt％、0.65wt％、0.67wt％或0.64wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述B的含量为0.9wt％或0.89wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比。
4.如权利要求2或3所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述R的含量为30.42wt％、31.33wt％、31.74wt％、30.34wt％、30.46wt％或30.36wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述组分1中，所述RH的含量为4-6wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，由所述组分1组成的稀土永磁材料中，所述二颗粒晶界相的体积、和、所述R2T14B主相和所述富稀土相体积之和的比例为(5.5-6.3):(93.7-94.5)。
5.如权利要求4所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述RH的含量为4.82wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，由所述组分1组成的稀土永磁材料中，所述二颗粒晶界相的体积、和、所述R2T14B主相和所述富稀土相体积之和的比例为5.5:94.5或6.3:93.7。
6.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述主相的体积分数为85-90％，体积分数是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和中的体积百分比；
和/或，所述富稀土相的体积分数为5-10％，体积分数是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和中的体积百分比。
7.如权利要求6所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述主相的体积分数为87.3％或86.3％，体积分数是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和中的体积百分比；
和/或，所述富稀土相的体积分数为7.2％或7.4％，体积分数是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和中的体积百分比。
8.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，当所述组分1的R中包括Nd时，所述Nd的含量为20-25wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，当所述组分1的R中包括Pr时，所述Pr的含量为5-10wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，由所述组分1组成的稀土永磁材料中，所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相的体积比为(85-90)：(2-9)：(5-10)。
9.如权利要求8所述的稀土永磁材料，其特征在于，当所述组分1的R中包括Nd时，所述Nd的含量为22.89wt％、23.5wt％、20.2wt％、22.83wt％、22.88wt％或22.84wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，当所述组分1的R中包括Pr时，所述Pr的含量为7.53wt％、7.83wt％、6.72wt％、7.51wt％、7.58wt％或7.52wt％，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，由所述组分1组成的稀土永磁材料中，所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相的体积比为87.3:5.5:7.2或86.3:6.3:7.4。
10.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，由所述组分1组成的稀土永磁材料中，包含下述组分：Nd 20-25wt％，Pr 5-10wt％，Dy 0-7.0wt％，M 0.5-2.0wt％，N 0.2-0.85wt％，B 0.85-0.90wt％，余量为Fe，所述M为Co、Al和Ti，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比。
11.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，由所述组分1组成的稀土永磁材料中，包含下述组分：Nd 20-25wt％，Pr 5-10wt％，Dy 0-7.0wt％，Co 0.5-1.5wt％，Al 0-0.5wt％、但不为0，Ti 0-0.5wt％、但不为0，Cu 0.3-0.5wt％，Ga 0.3-0.5wt％，B 0.85-0.90wt％，余量为Fe，百分比是指在由所述组分1组成的稀土永磁材料中的重量百分比。
12.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述R的含量为29-33wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述组分2中，所述R中还包括重稀土RH；
和/或，所述N的含量为0.5-1.0wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述B的含量为0.95-0.96wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量为1.45wt％、1.47wt％、1.49wt％或1.48wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量为0.149wt％、0.152wt％、0.144wt％、0.15wt％或0.155wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Ti的含量为0.208wt％、0.201wt％、0.212wt％、0.206wt％、0.199wt％或0.203wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量为0.451wt％、0.334wt％、0.335wt％、0.441wt％、0.324wt％或0.325wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述Ga的含量为0.512wt％、0.393wt％、0.395wt％、0.495wt％、0.353wt％或0.385wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述二颗粒晶界相的体积分数为4.4％、4.6％、4.8％、5.1％、6.8％或7.2％，体积分数是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和的百分比。
13.如权利要求12所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述R的含量为30-32wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述组分2中，所述RH的种类为Dy和/或Tb；
和/或，所述组分2中，所述RH的含量为0-7.0wt％、但不为0，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述M的含量为1.807wt％、1.823wt％、1.834wt％、1.83wt％、1.839wt％或1.838wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述N的含量为0.963wt％、0.727wt％、0.73wt％、0.936wt％、0.677wt％或0.71wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述B的含量为0.951wt％、0.952wt％、0.953wt％、0.956wt％或0.955wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，由所述组分2组成的稀土永磁材料中，所述二颗粒晶界相的体积、和、所述R2T14B主相和所述富稀土相体积之和的比例为(4-8):(92-96)。
14.如权利要求12或13所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述R的含量为30.49wt％、30.21wt％、30.27wt％、30.53wt％、30.06wt％或30.26wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量为2-4wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比。
15.如权利要求14所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述RH的含量为2.85wt％、2.83wt％、2.74wt％或2.78wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，由所述组分2组成的稀土永磁材料中，所述二颗粒晶界相的体积、和、所述R2T14B主相和所述富稀土相体积之和的比例为4.4:95.6、4.6:95.4、4.8:95.2、5.1:94.9、6.8:93.2或7.2:92.8。
16.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述主相的体积分数为85-90％，体积分数是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和中的体积百分比；
和/或，所述富稀土相的体积分数为3-10％，体积分数是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和中的体积百分比。
17.如权利要求16所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述主相的体积分数为89.2％、86.3％、86.8％、89.2％或87.5％，体积分数是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和中的体积百分比；
和/或，所述富稀土相的体积分数为3.6％、9.1％、8.8％、4.0％、8.4％或7.4％，体积分数是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中占所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相体积之和中的体积百分比。
18.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，当所述组分2的R中包括Nd时，所述Nd的含量为20-25wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，当所述组分2的R中包括Pr时，所述Pr的含量为5-10wt％，百分比是指在所述稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，由所述组分2组成的稀土永磁材料中，所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相的体积比为(85-90)：(2-9)：(3-10)。
19.如权利要求18所述的稀土永磁材料，其特征在于，当所述组分2的R中包括Nd时，所述Nd的含量为22.92wt％、20.66wt％、20.63wt％、22.95wt％、20.69wt％或20.59wt％，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比；
和/或，当所述组分2的R中包括Pr时，所述Pr的含量为7.57wt％、6.72wt％、6.79wt％、7.58wt％、6.63wt％或6.89wt％，百分比是指在所述由所述组分2组成的永磁材料中的重量百分比；
和/或，由所述组分2组成的稀土永磁材料中，所述主相、所述二颗粒晶界相和所述富稀土相的体积比为89.2:7.2:3.6、86.3:4.6:9.1、86.8:4.4:8.8、89.2:6.8:4.0、86.8:4.8:8.4或87.5:5.1:7.4。
20.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，由所述组分2组成的稀土永磁材料中，包含下述组分：Nd 20-25wt％，Pr 5-10wt％，RH 0-7.0wt％，M 0.5-2.0wt％，N 0.5-1.0wt％，B 0.90-0.96wt％，余量为Fe，所述M为Co、Al和Ti，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比。
21.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，由所述组分2组成的稀土永磁材料中，包含下述组分：Nd 20-25wt％，Pr 5-10wt％，RH 0-7.0wt％，Co 0.5-1.5wt％，Al 0-0.5wt％、但不为0，Ti 0-0.5wt％、但不为0，Cu 0.3-0.5wt％，Ga 0.3-0.5wt％，B 0.90-0.96wt％，余量为Fe，百分比是指在由所述组分2组成的稀土永磁材料中的重量百分比。
22.一种如权利要求1-21中任一项所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，其包括下述步骤：
将稀土永磁材料的原料组合物经熔铸工艺得速凝片，将所述速凝片经吸氢破碎、粉碎、成型、烧结处理和时效处理，即可；其中：
(1)所述原料组合物中由R、Fe、B、M和N组成；其中：
所述R的含量为26-33wt％，所述R为稀土元素，所述R中包括Pr和/或Nd；
所述M的含量为0.5-2.0wt％，所述M的种类为Co、Al和Ti，其中：Co：0.5-1.5wt％，Al：0-0.5wt％、但不为0，Ti：0-0.5wt％、但不为0；
所述N的含量为0.2-1.0wt％，所述N为Cu和Ga，其中：Cu：0.3-0.5wt％，Ga：0.3-0.5wt％；所述B的含量为0.85-0.93wt％；
余量为Fe；百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
(2)所述熔铸工艺中，浇注温度为1380-1460℃；
(3)所述时效处理中，二级时效处理的温度为430℃-620℃。
23.如权利要求22所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述R的含量为29-33wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述R中还包括重稀土RH；
和/或，所述Co的含量为0.5wt％或1.0wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量为0.06wt％、0.3wt％或0.25wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Ti的含量为0.25wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量为0.3wt％或0.4wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述Ga的含量为0.35wt％或0.4wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述N的含量为0.2-0.85wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述B的含量为0.85-0.90wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述浇注前还进行熔炼，所述熔炼的温度为1480-1540℃；
和/或，所述浇注的温度为1400-1440℃；
和/或，所述浇注过程中，在铜辊中通入冷冻水，出水温度≤35℃；
和/或，所述烧结处理在真空或惰性气体气氛中进行，所述惰性气体为Ar；
和/或，所述烧结处理之前还包括热处理和预烧结处理；
和/或，所述烧结处理的温度为1000℃-1085℃；
和/或，所述烧结处理的保温时间≥8小时；
和/或，所述二级时效处理前，还包括一级时效处理；所述一级时效处理为温度为820℃-950℃；所述一级时效处理的时间为3-6小时；
和/或，所述二级时效处理的温度为450℃-600℃；
和/或，所述二级时效处理的时间为5-8小时；
和/或，所述二级时效处理的升温速度为2℃/min-5℃/min。
24.如权利要求23所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述R的含量为30-33wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述RH的种类为Dy和/或Tb；
和/或，所述RH的含量为0-7.0wt％、但不为0，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述M的含量为0.81wt％、1.05wt％或1.5wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述N的含量为0.65wt％或0.80wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述B的含量为0.9wt％或0.89wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述浇注的温度为1400℃、1420℃、1425℃或1430℃；
和/或，所述烧结处理之前的热处理包括下述步骤：在300℃-450℃条件下处理1-3小时，600℃-650℃或800℃-900℃条件下处理1-3小时；
和/或，所述热处理中，升温速率为5℃/min-7℃/min；
和/或，所述预烧结的温度为低于烧结温度10-15℃；
和/或，所述预烧结的时间为1-3小时；
和/或，所述烧结处理的保温时间为8-13小时；
和/或，所述一级时效处理为温度为900℃；所述一级时效处理的时间为4小时；
和/或，所述二级时效处理的温度为470℃、480℃或490℃；
和/或，所述二级时效处理的时间为5小时或6小时；
和/或，所述二级时效处理的升温速度为3℃/min。
25.如权利要求24所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述R的含量为30.48wt％、31.45wt％或31.8wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述RH的含量为4-6wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，所述热处理中，升温速率为6℃/min；
和/或，所述烧结处理的保温时间为10小时。
26.如权利要求25所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述RH的含量为4.8wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
27.如权利要求22所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，当所述R中包括Nd时，所述Nd的含量为20-25wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述R中包括Pr时，所述Pr的含量为5-10wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
28.如权利要求27所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，当所述R中包括Nd时，所述Nd的含量为22.9wt％、23.6wt％或20.25wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比；
和/或，当所述R中包括Pr时，所述Pr的含量为7.58wt％、7.85wt％或6.75wt％，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
29.如权利要求22所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述原料组合物中，包含下述组分：Nd 20-25wt％，Pr 5-10wt％，Dy 0-7.0wt％，M 0.5-2.0wt％，N 0.2-0.85wt％，B 0.85-0.90wt％，余量为Fe，所述M为Co、Al和Ti，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
30.如权利要求22所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述原料组合物中，包含下述组分：Nd 20-25wt％，Pr 5-10wt％，Dy 0-7.0wt％，Co 0.5-1.5wt％，Al 0-0.5wt％、但不为0，Ti 0-0.5wt％、但不为0，Cu 0.3-0.5wt％，Ga 0.3-0.5wt％，B 0.85-0.90wt％，余量为Fe，百分比是指在所述原料组合物中的重量百分比。
31.一种采用如权利要求22-30中任一项所述的稀土永磁材料的制备方法制得的稀土永磁材料。
32.一种用于制备如权利要求1-21中任一项所述的稀土永磁材料的辅合金，其特征在于，所述辅合金的组成为(LR)jFekBlPmQn，其中：
LR为Nd和/或Pr；
P为Co、Al和Ti；其中：Co的含量为0.5-1.5wt％，Ti的含量为0.1-0.3wt％，Al的含量为0-0.2wt％、但不为0；
Q为Cu和Ga，其中：Cu的含量为4-6wt％，Ga的含量为5-6wt％；
j为32-38wt％，l为0.5-0.85wt％，m为0.5-2.0wt％，n为9-12wt％，k为(100-j-l-m-n)wt％；百分比是指在所述辅合金中的重量百分比；
所述辅合金在熔铸过程中，浇注温度为1320-1400℃；熔铸后获得的速凝片经热处理A，所述热处理A的温度为780-900℃。
33.如权利要求32所述的稀土永磁材料的辅合金，其特征在于，所述LR为Nd和Pr；
和/或，所述j为34-36wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比；
和/或，所述l为0.80-0.85wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量为1wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比；
和/或，所述Ti的含量为0.2wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量为0.15wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量为4.5wt％或4.8wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比；
和/或，所述Ga的含量为5wt％或6wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
34.如权利要求33所述的稀土永磁材料的辅合金，其特征在于，所述LR中，所述Nd的含量为25-28wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比；
和/或，所述LR中，所述Pr的含量为5-10wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比；
和/或，所述m为1.2wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比；
和/或，所述n为9.65wt％或10.95wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比；
和/或，所述j为35wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比；
和/或，所述l为0.82wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
35.如权利要求33所述的稀土永磁材料的辅合金，其特征在于，所述LR中，所述Nd的含量为27.5wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比；
和/或，所述LR中，所述Pr的含量为7.5wt％，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
36.如权利要求32所述的稀土永磁材料的辅合金，其特征在于，所述辅合金的组成如下：Nd 25-28wt％，Pr 5-10wt％，Co 0.5-1.5wt％，Al 0-0.2wt％、但不为0，Ti 0.1-0.3wt％，Cu 4-6wt％，Ga 5-6wt％，B 0.80-0.85wt％，余量为Fe，百分比是指在所述辅合金中的重量百分比。
37.一种如权利要求32-36中任一项所述的稀土永磁材料的辅合金的制备方法，其特征在于，其包括下述步骤，将所述LR、所述Fe、所述B、所述P和所述Q的原材料按配比混合，经所述熔铸得速凝片，将所述速凝片经所述热处理A、预破碎、吸氢破碎和气流磨粉碎，即可。
38.如权利要求37所述的稀土永磁材料的辅合金的制备方法，其特征在于，所述熔铸过程中，所述浇注温度为1320-1400℃；
和/或，所述热处理A的温度为820℃；
和/或，所述热处理A的时间为1-3小时；
和/或，所述热处理A中，升温速率为9℃/min-11℃/min；
和/或，所述预破碎按下述步骤进行：将所述速凝片平铺于钢筛中，用撵滚将所述速凝片进行破碎，即可；
和/或，所述预破碎为破碎至D50≤10mm。
39.如权利要求38所述的稀土永磁材料的辅合金的制备方法，其特征在于，所述熔铸过程中，所述浇注温度为1330℃、1350℃或1360℃；
和/或，所述热处理A中，升温速率为10℃/min。
40.一种如权利要求1-21中任一项所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，其包括下述步骤：
将主合金的粉末和如权利要求32-36中任一项所述的稀土永磁材料的辅合金的粉末混合，经成型、热处理B、烧结处理和时效处理，即可；
所述主合金和所述辅合金的质量比为(90-99):(10-1)；
所述热处理B中，升温速率为5℃/min-7℃/min；
所述时效处理中，二级时效处理的温度为430℃-620℃；
所述主合金的组成为ReFefBgXh，其中：
R为稀土元素，所述R中包括Nd和/或Pr；
X为Co、Al、Ti、Cu和Ga，其中：Co的含量为2-3wt％，Al的含量为0-0.5wt％、但不为0，Ti的含量为0-0.5wt％、但不为0，Cu的含量为0-0.5wt％、但不为0，Ga的含量为0-0.5wt％、但不为0；
e为28-33wt％，g为0.93-1.15wt％，h为1.5-2.5％，f为(100-e-g-h)wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
41.如权利要求40所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述e为29-31％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，所述R中包括Pr时，所述Nd的含量为20-25wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，当所述R中包括Nd时，所述Pr的含量为5-10wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；和/或，所述R中还包括重稀土RH；
和/或，所述h为2.06％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，所述g为0.95-1.0wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，所述Co的含量为1.5wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，所述Al的含量为0.15wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，所述Ti的含量为0.21wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，所述Cu的含量为0.1wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，所述Ga的含量为0.1wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，所述热处理B包括下述步骤：在300℃-450℃条件下处理1-3小时，在600℃-650℃或800℃-900℃条件下处理1-3小时；
和/或，所述热处理B中，所述升温速率为5℃/min-6℃/min；
和/或，所述烧结处理在真空或惰性气体气氛中进行，所述惰性气体为Ar；
和/或，所述烧结处理之前还包括预烧结处理；
和/或，所述烧结处理的温度为1000℃-1085℃；
和/或，所述烧结处理的保温时间为≥5小时；
和/或，所述二级时效处理前，还包括一级时效处理；
和/或，所述二级时效处理的温度为450℃-600℃；
和/或，所述二级时效处理的时间为5-7小时；
和/或，所述二级时效处理的升温速度为2℃/min-5℃/min；
和/或，所述主合金和所述辅合金的质量比为(92-95):(5-8)。
42.如权利要求41所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述e为30.0％或30.4％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，当所述R中包括Pr时，所述Nd的含量为22.8wt％或20.25wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，当所述R中包括Nd时，所述Pr的含量为6.75wt％或7.6wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，所述RH的种类为Dy和/或Tb；
和/或，所述RH的含量为0-5.0wt％、但不为0；百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，所述g为0.96wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，所述热处理B中，所述升温速率为5.5℃/min或6℃/min；
和/或，所述烧结处理的保温时间为8-13小时；
和/或，所述一级时效处理为温度为820℃-950℃；
和/或，所述一级时效处理的时间为3-5小时；
和/或，所述二级时效处理的温度为520℃、530℃、550℃、560℃或570℃；
和/或，所述二级时效处理的时间为6小时；
和/或，所述二级时效处理的升温速度为4℃/min；
和/或，所述主合金和所述辅合金的质量比为92:8或95:5。
43.如权利要求42所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述RH的含量为2-4wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比；
和/或，所述烧结处理的保温时间为10小时；
和/或，所述一级时效处理为温度为880℃；
和/或，所述一级时效处理的时间为4小时；
和/或，所述二级时效处理的温度为520℃、530℃、550℃、560℃或570℃。
44.如权利要求43所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述RH的含量为3wt％，百分比是指在所述主合金中的重量百分比。
45.一种如权利要求40-44中任一项所述的稀土永磁材料的制备方法制得的稀土永磁材料。
46.一种如权利要求1-21、31和45中任一项所述的稀土永磁材料在电机中作为电子元件的应用。
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