CN111326304B - 一种稀土永磁材料及其制备方法和应用 - Google Patents

一种稀土永磁材料及其制备方法和应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。该稀土永磁材料的原料组合物包括如下质量含量的组分：R：28.5～33.0％；Ga：0.5～1.8％但不为0.5wt％；B：0.84～0.94％；Al：0.05～0.07％；Co：≤2.5％但不为0；Fe：62～69％；N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；当N包含Ti时，Ti的含量为0.15～0.25％；当N包含Zr时，Zr的含量为0.2～0.35％；当N包含Nb时，Nb的含量为0.2～0.5％；百分比为各组分质量占原料组合物总质量的质量百分比。本发明的稀土永磁材料磁性能(剩磁、矫顽力、方形度、温度稳定性)较佳，且同一批次产品的磁性能均一。

Description

一种稀土永磁材料及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。
背景技术
R-T-B系烧结磁铁(R指稀土元素，T指过渡金属元素及第三主族金属元素，B指硼元素)由于其优异的磁特性而被广泛应用于电子产品、汽车、风电、家电、电梯及工业机器人等领域，例如硬盘、手机、耳机、和电梯曳引机、发电机等永磁电机中作为能量源等，其需求日益扩大，且各产商对于磁铁性能例如剩磁、矫顽力性能、温度稳定性、磁体方形度等的要求也逐步提升。
为了提升R-T-B系烧结磁铁的剩磁，通常需要降低B含量。但是当B的含量在较低水平时，会形成R2T17相。而R2T17不具有室温单轴各向异性，进而使得磁体的性能劣化。
现有技术中，一般通过添加重稀土元素例如Dy、Tb、Gd等，以提高材料的矫顽力以及改善温度系数，但重稀土价格高昂，采用这种方法提高R-T-B系烧结磁体产品的矫顽力，会增加原材料成本，不利于R-T-B系烧结磁体的应用。
因此，在不添加或少量添加重稀土的情况下，如何采用低B体系(B＜5.88at％)制备得到高矫顽力、高剩磁的R-T-B系磁铁是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中低B体系(B＜5.88at％)带来的磁体性能变差的缺陷，而提供了一种稀土永磁材料及其制备方法和应用。
本发明首次发现，现有技术中低B体系的稀土永磁材料，虽然在小试中表现出矫顽力有所提高，但是在工业化生产中磁体仍然存在性能不均一的缺陷，如现有中国专利CN110619984 A。为了使稀土永磁材料适用于大规模的工业化生产，发明人经过大量研究和实验，发现通过控制Al的含量，同时将一定范围含量内的Ga与其他元素合适的配伍，能够制得本发明中磁体性能优异且性能均一的稀土永磁材料。
为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供的技术方案之一为：
一种稀土永磁材料的原料组合物，其包括如下质量含量的组分：
R：28.5～33.0wt％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Ga：0.5～1.8wt％但不为0.5wt％；
B：0.84～0.94wt％；
Al：0.05～0.07wt％；
Co：≤2.5wt％但不为0；
Fe：62～69wt％；
N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；
当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.15～0.25wt％；
当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.2～0.35wt％；
当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2～0.5wt％；
所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，所述原料组合物中，所述R的含量较佳地为28.5～32.5wt％，例如29.5wt％、30wt％、30.5wt％、31wt％、31.5wt％、32wt％或32.5wt％，更佳地为30～31.5wt％，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
其中，所述原料组合物中，所述Nd的含量较佳地为20～23wt％，例如20.47wt％、21.5wt％、21.8wt％、22.2wt％、22.5wt％、22.9wt％、23wt％；或者，所述Nd的含量较佳地为28～32.5wt％，例如28.07wt％、28.1wt％、28.55wt％、29.06wt％、29.55wt％、29.57wt％、30.26wt％、30.53wt％、30.75wt％、31wt％，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，所述原料组合物中较佳地不含Cu。
本发明中，所述原料组合物中所述R中还可包括Pr。
其中，所述Pr的含量可为＜0.2at％或者＞8at％；at％为在所述原料组合物中的原子百分比。
其中，所述Pr的含量较佳地在1.0wt％以下且不为0，更佳地为0.1～0.5wt％，例如0.24wt％、0.25wt％、0.4wt％、0.43wt％、0.44wt％、0.45wt％、0.47wt％；或者所述Pr的含量较佳地为8～15wt％，更佳地为9～12wt％，例如9.2wt％、9.3wt％、9.5wt％、9.6wt％、10.2wt％、10.5wt％、11.03wt％；百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，所述原料组合物中可不含重稀土元素，也可达到与现有技术的磁体材料的磁性能相当甚至更佳的水平。或者，所述原料组合物中还可包括RH，所述RH为重稀土元素。
其中，当所述原料组合物中包含RH时，所述RH的含量较佳地为1.5～6wt％，更佳地为1～2.5wt％，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
其中，所述RH的种类较佳地包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种。
当所述RH包含Dy时，所述Dy的含量较佳地为1～2.5wt％，例如2wt％，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
当所述RH包含Tb时，所述Tb的含量较佳地为1～2.5wt％，例如2wt％，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，所述原料组合物中，所述B的含量较佳地为0.85～0.94wt％，例如0.85wt％、0.87wt％、0.88wt％、0.89wt％、0.9wt％、0.91wt％、0.92wt％、0.93wt％、0.94wt％，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，所述原料组合物中的所述R的原子百分比和所述B的原子百分比较佳地满足如下关系式：B/R≥0.38，式中，所述B为B在所述原料组合物中的原子百分比，所述R为R在所述原料组合物中的原子百分比。
本发明中，当所述R中还包括Pr时，优选地，所述B、所述Nd满足如下关系式：B/(Pr+Nd)≥0.405，式中，B指的是所述B在原料组合物中的原子百分比，Pr指的是所述Pr在原料组合物中的原子百分比，Nd指的是所述Nd在原料组合物中的原子百分比。
本发明中，所述原料组合物中，所述Ga的含量可为0.55～1.8wt％，优选为0.55wt％≤Ga＜0.85wt％，例如0.55wt％、0.72wt％、0.75wt％、0.9wt％、0.95wt％；或者，优选为≥1.05wt％，例如1.05wt％、1.15wt％、1.2wt％、1.25wt％、1.3wt％、1.45wt％、1.55wt％、1.65wt％、1.8wt％，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，所述原料组合物中，所述Ga和所述B的原子比优选满足下列条件Ga＞7.2941-1.24B(at％)，并且，0.55wt％≤Ga＜1.05wt％。
本发明中，所述原料组合物中，所述Al的含量较佳地为0.06～0.07wt％，例如0.06wt％、0.07wt％，更佳地为0.06wt％，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，所述原料组合物中，所述Co的含量较佳地为0.5～2.5wt％，例如0.5wt％、0.75wt％、0.8wt％、0.9wt％、1.00wt％、1.2wt％、1.5wt％、2wt％、2.5wt％，更佳地为1.00～2wt％，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，所述原料组合物中，所述Fe的含量较佳地为64～69wt％，例如64wt％、64.07wt％、64.23wt％、64.64wt％、64.82wt％、65.23wt％、65.3wt％、65.97wt％、66.11wt％、66.33wt％、66.77wt％、66.88wt％、68.4wt％、68.97wt％，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，当所述N包含Ti时，所述Ti的含量较佳地为0.2～0.25wt％，例如0.2wt％、0.25wt％，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，当所述N包含Zr时，所述Zr的含量较佳地为0.25～0.35wt％，例如0.25wt％、0.28wt％、0.30wt％、0.33wt％、0.35wt％，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，当所述稀土永磁材料的原料组合物中包含Zr时，所述Zr的质量含量优选为0.26wt％≤Zr＜(3.48B-2.67)wt％，式中，B指的是所述B占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，当所述稀土永磁材料的原料组合物中包含Nb时，所述Nb的含量较佳地为0.2～0.3wt％，例如0.2wt％、0.25wt％、0.30wt％，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，所述原料组合物中，当所述N包含Ti和Nb时，优选地，所述Ti或所述Nb的原子百分比≥0.55at％。
本发明中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：
R：28.5～32.5wt％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Ga：0.55～1.8wt％；
B：0.85～0.94wt％；
Al：0.06～0.07wt％；
Co：0.5～2.5wt％；
Fe：64～69wt％；
N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；
当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.2～0.25wt％；
当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.25～0.35wt％；
当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2～0.3wt％；
所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：
R：28.5～32.5wt％；所述R为包括Nd和Pr的稀土元素；
Pr：0.1～0.5％或者8～15％；
Ga：0.55～1.8wt％；
B：0.85～0.94wt％；
Al：0.06～0.07wt％；
Co：0.5～2.5wt％；
Fe：64～69wt％；
N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；
当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.2～0.25wt％；
当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.25～0.35wt％；
当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2～0.3wt％；
所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：
R：28.5～32.5wt％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Ga：0.55～1.8wt％；
B：0.85～0.94wt％；
Al：0.06～0.07wt％；
Co：0.5～2.5wt％；
Fe：64～69wt％；
Ti：0.2～0.25wt％；
所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：
R：28.5～32.5wt％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Ga：0.55～1.8wt％；
B：0.85～0.94wt％；
Al：0.06～0.07wt％；
Co：0.5～2.5wt％；
Fe：64～69wt％；
Zr：0.25～0.35wt％；
所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：
R：28.5～32.5wt％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Ga：0.55～1.8wt％；
B：0.85～0.94wt％；
Al：0.06～0.07wt％；
Co：0.5～2.5wt％；
Fe：64～69wt％；
Nb：0.2～0.3wt％；
所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 28.1wt％；Pr 0.4wt％；Ga 1.55wt％；Al 0.06wt％；Co 0.5wt％；Ti0.15wt％；B 0.84wt％；Fe 68.4wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 29.06wt％；Pr 0.44wt％；Ga 1.45wt％；Al 0.07wt％；Co 1wt％；Ti0.2wt％；B 0.9wt％；Fe 66.88wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 29.55wt％；Pr 0.45wt％；Ga 1.3wt％；Al 0.07wt％；Co 1.5wt％；Ti0.25wt％；B 0.91wt％；Fe 65.97wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 30.26wt％；Pr 0.24wt％；Ga 1.05wt％；Al 0.06wt％；Co 2wt％；Ti0.15wt％；B 0.94wt％；Fe 65.3wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 30.75wt％；Pr 0.25wt％；Ga 1.2wt％；Al 0.06wt％；Co 2.5wt％；Ti0.25wt％；B 0.92wt％；Fe 64.07wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 20.47wt％；Pr 11.03wt％；Ga 1.65wt％；Al 0.06wt％；Co 0.5wt％；Ti0.15wt％；B 0.91wt％；Fe 65.23wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 21.8wt％；Pr 10.2wt％；Ga 1.8wt％；Al 0.07wt％；Co 1wt％；Ti0.2wt％；B 0.93wt％；Fe 64wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 23wt％；Pr 9.5wt％；Ga 0.55wt％；Al 0.05wt％；Co 1.5wt％；Ti0.25wt％；B 0.92wt％；Fe 64.23wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 22.5wt％；Pr 10.5wt％；Ga 0.75wt％；Al 0.07wt％；Co 2wt％；Ti0.15wt％；B 0.84wt％；Fe 63.19wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 22.2wt％；Pr 9.3wt％；Ga 0.95wt％；Al 0.07wt％；Co 2.5wt％；Ti0.25wt％；B 0.88wt％；Fe 63.85wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 28.07wt％；Pr 0.43wt％；Ga 0.55wt％；Al 0.06wt％；Co 0.8wt％；Zr0.2wt％；B 0.92wt％；Fe 68.97wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 30.53wt％；Pr 0.47wt％；Ga 0.72wt％；Al 0.07wt％；Co 0.75wt％；Zr0.22wt％；B 0.91wt％；Fe 66.33wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 29.55wt％；Pr 0.45wt％；Ga 1.15wt％；Al 0.05wt％；Co 0.9wt％；Zr0.28wt％；B 0.85wt％；Fe 66.77wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 22.9wt％；Pr 9.6wt％；Ga 1.25wt％；Al 0.07wt％；Co 1.2wt％；Zr0.3wt％；B 0.87wt％；Fe 63.81wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 21.8wt％；Pr 9.2wt％；Ga 1.55wt％；Al 0.05wt％；Co 1.5wt％；Zr0.33wt％；B 0.93wt％；Fe 64.64wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 21.5wt％；Pr 10.5wt％；Ga 1.8wt％；Al 0.07wt％；Co 2wt％；Zr0.35wt％；B 0.89wt％；Fe 62.89wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 28.55wt％；Pr 0.45wt％；Tb 2wt％；Ga 0.9wt％；Al 0.06wt％；Co2wt％；Nb 0.3wt％；B 0.92wt％；Fe 64.82wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 29.57wt％；Pr 0.43wt％；Dy 2wt％；Ga 1.3wt％；Al 0.07wt％；Co2.5wt％；Nb 0.25wt％；B 0.9wt％；Fe 62.98wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料的原料组合物，较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 31wt％；Ga 0.72wt％；Al 0.06wt％；Co 0.75wt％；Zr 0.25wt％；Nb0.2wt％；B 0.91wt％；Fe 66.11wt％；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
本发明提供的技术方案之二为：一种稀土永磁材料的制备方法，其包括下述步骤：
将所述稀土永磁材料的原料组合物的熔融液经铸造、制粉、成形、烧结和时效处理，即可。
其中，所述稀土永磁材料的原料组合物的熔融液可按本领域常规方法制得，例如：在高频真空感应熔炼炉中熔炼，即可。所述熔炼炉的真空度可为5×10-2Pa。所述熔炼的温度可为1500℃以下。
其中，所述铸造的工艺可为本领域常规的铸造工艺，例如：在Ar气氛中(例如5.5×104Pa的Ar气氛下)，将所述稀土永磁材料的原料组合物的熔融液通过旋转的辊轮，以102℃/秒-104℃/秒的速度冷却，即可。
其中，所述冷却可通过辊轮中通入冷却水实现。优选地，所述辊轮的进水温度≤25℃，例如22.5℃、22.8℃、23.1℃、23.2℃、23.5℃、23.6℃或24.2℃。
其中，所述辊轮可为本领域常规的辊轮，例如铜辊。
其中，所述制粉的操作和条件可为本领域常规的操作和条件。所述制粉通常包括氢破工艺和气流磨工艺。
其中，所述氢破的工艺可为本领域常规的氢破工艺，例如经吸氢、脱氢、冷却处理，即可。
所述吸氢可在氢气压力0.15MPa的条件下进行。
所述脱氢可在边抽真空边升温的条件下进行。
其中，所述氢破后还可按本领域常规手段进行粉碎。所述粉碎的工艺可为本领域常规的粉碎工艺，例如气流磨粉碎。
所述气流磨粉碎可在氧化气体含量120ppm以下的氮气气氛下进行。所述氧化气体指的是氧气或水分含量。
所述气流磨粉碎的粉碎室压力可为0.38MPa。
所述气流磨粉碎的时间可为3h。
所述粉碎后，可按本领域常规手段在粉体中添加润滑剂，例如硬脂酸锌。所述润滑剂的添加量可为混合后粉末重量的0.10～0.15％，例如0.12％。
其中，所述成形的工艺可为本领域常规的成形工艺，例如磁场成形法或热压热变形法。
其中，所述烧结的工艺可为本领域常规的烧结工艺，例如，在真空条件下(例如在5×10-3Pa的真空下)，经预热、烧结、冷却，即可。
所述预热的温度可为300～600℃。所述预热的时间可为1～2h。优选地，所述预热为在300℃和600℃的温度下各预热1h。
所述烧结的温度可为本领域常规的烧结温度，优选为1050～1090℃，例如1058～1088℃；更优选为1060～1078℃。
所述烧结的时间可为本领域常规的烧结时间，例如5～10h，再例如8h。
所述冷却前可通入Ar气体使气压达到0.1MPa。
其中，所述时效处理包括一级时效处理和二级时效处理。
其中，所述一级时效处理优选为在高纯度Ar条件下进行。
所述一级时效处理温度的可为本领域常规的一级时效处理温度，优选为850～950℃，更优选为900℃。
所述一级时效的处理时间可为2～4h，优选为3h。
其中，所述二级时效处理的温度可为本领域常规的二级时效处理温度，优选为430～470℃，更优选为450～460℃，例如450℃、455℃、460℃。
所述二级时效的处理时间可为2～4h，优选为3h。
其中，升温至所述一级时效处理或二级时效处理的温度的速率较佳地为3～5℃/min。所述升温的起点可为室温，例如20℃。
本发明的技术方案之三为：一种由上述方法制得的稀土永磁材料。
本发明的技术方案之四为：一种稀土永磁材料，其包括如下质量含量的组分：
R：28.5～33.0wt％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Ga：0.5～1.8wt％但不为0.5wt％；
B：0.84～0.94wt％；
Al：0.08～0.12wt％；
Co：≤2.5wt％但不为0；
Fe：62～69wt％；
N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；
当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.15～0.25wt％；
当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.2～0.35wt％；
当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2～0.5wt％；
所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料包含R2T14B主相、晶界相和富稀土相。
其中，所述晶界相指的是两个或两个以上的R2T14B晶粒间的晶界相的总称。
其中，所述R2T14B相中，R是指稀土元素、T是指Fe和/或Co。
其中，优选地，所述晶界相中包含R6T13M相，所述R6T13M相的体积分数为3～12％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
本发明中，所述R6T13M相中，R是指稀土元素、T是指Fe和/或Co、M是指Ga。
本发明中，所述晶界相中包含R6T13M相，所述R6T13M相的体积分数为4～11％，例如5.2％、5.4％、5.7％、6.3％、6.5％、7.5％、7.6％、7.7％、9.8％，更佳地为5～10％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料中，所述R的含量较佳地为28.5～32.5wt％，例如29.999wt％、30.009wt％、30.496wt％、30.995wt％、30.993wt％、30.998wt％、31.011wt％、31.021wt％、31.503wt％、31.504wt％、32.002wt％、32.041wt％，更佳地为30～31.5wt％，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
其中，所述稀土永磁材料中，所述Nd的含量较佳地为20～23wt％，例如20.475wt％、21.504wt％、21.802wt％、21.809wt％、22.203wt％、22.502wt％、22.905wt％；或者，所述Nd的含量较佳地为28～32.5wt％，例如28.072wt％、28.074wt％、28.552wt％、29.051wt％、29.541wt％、29.554wt％、29.579wt％、30.252wt％、30.534wt％、30.751wt％、31.011wt％，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料中较佳地不含Cu。
本发明中，所述R中还可包括Pr。
其中，所述Pr的含量可为＜0.2at％或者＞8at％；at％为在所述稀土永磁材料中的原子百分比。
其中，所述Pr的含量较佳地在1.0wt％以下且不为0，更佳地为0.1～0.5wt％，例如0.244wt％、0.426wt％、0.428wt％、0.432wt％、0.441wt％、0.455wt％、0.458wt％、0.464wt％；或者所述Pr的含量较佳地为8～15wt％，更佳地为9～12wt％，例如9.212wt％、9.3wt％、9.504wt％、9.605wt％、10.2wt％、10.5wt％、10.502wt％、11.029wt％；百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料中可不含重稀土元素，也可达到与现有技术的磁体材料的磁性能相当甚至更佳的水平。或者，所述稀土永磁材料中还可包括RH，所述RH为重稀土元素。
其中，当所述稀土永磁材料中包含RH时，所述RH的含量较佳地为1.5～6wt％，更佳地为1～2.5wt％，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
其中，所述RH的种类较佳地包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种。
当所述RH包含Dy时，所述Dy的含量较佳地为1～2.5wt％，例如2.012wt％，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
当所述RH包含Tb时，所述Tb的含量较佳地为1～2.5wt％，例如1.986wt％，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料中，所述B的含量较佳地为0.85～0.94wt％，例如0.851wt％、0.879wt％、0.881wt％、0.887wt％、0.892wt％、0.902wt％、0.912wt％、0.913wt％、0.914wt％、0.921wt％、0.923wt％、0.932wt％、0.934wt％，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料中的所述R的原子百分比和所述B的原子百分比较佳地满足如下关系式：B/R≥0.38，式中，所述B为B在所述稀土永磁材料中的原子百分比，所述R为R在所述稀土永磁材料中的原子百分比。
本发明中，当所述R中还包括Pr时，优选地，所述B、所述Nd满足如下关系式：B/(Pr+Nd)≥0.405，式中，B指的是所述B在稀土永磁材料中的原子百分比，Pr指的是所述Pr在稀土永磁材料中的原子百分比，Nd指的是所述Nd在稀土永磁材料中的原子百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料中，所述Ga的含量可为0.55～1.8wt％，优选为0.55wt％≤Ga＜0.85wt％，例如0.552wt％、0.719wt％、0.723wt％、0.757wt％、0.902wt％、0.956wt％、1.049wt％；或者，优选为≥1.05wt％，例如1.146wt％、1.205wt％、1.255wt％、1.302wt％、1.453wt％、1.552wt％、1.554wt％、1.652wt％、1.802wt％，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料中，所述Ga和所述B的原子比优选满足下列条件Ga＞7.2941-1.24B(at％)，并且，0.55wt％≤Ga＜1.05wt％。
本发明中，所述稀土永磁材料中，所述Al的含量较佳地为0.09～0.11wt％，例如0.091wt％、0.092wt％、0.098wt％、0.102wt％、0.106wt％、0.108wt％、0.112wt％、0.113wt％、0.115wt％，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料中，所述Co的含量较佳地为0.5～2.5wt％，例如0.502wt％、0.752wt％、0.757wt％、0.81wt％、0.902wt％、0.987wt％、1.002wt％、1.203wt％、1.497wt％、1.502wt％、1.508wt％、1.987wt％、2.002wt％、2.005wt％、2.08wt％、2.487wt％，更佳地为1.0～2.0wt％，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料中，所述Fe的含量较佳地为64～69wt％，例如64.046wt％、64.174wt％、64.559wt％、64.703wt％、65.182wt％、65.258wt％、65.902wt％、66.037wt％、66.29wt％、66.736wt％、66.872wt％、68.371wt％、68.931wt％，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，当所述稀土永磁材料中包含Ti时，所述Ti的含量较佳地为0.2～0.25wt％，例如0.203wt％，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，当所述稀土永磁材料中包含Zr时，所述Zr的含量较佳地为0.25～0.35wt％，例如0.255wt％、0.282wt％、0.302wt％、0.332wt％，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，当所述稀土永磁材料中包含Zr时，所述Zr的质量含量优选为0.26wt％≤Zr＜(3.48B-2.67)wt％。
本发明中，当所述稀土永磁材料中包含Nb时，所述Nb的含量较佳地为0.2～0.3wt％，例如0.202wt％、0.252wt％，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料中，当所述N包含Ti和Nb时，优选地，所述Ti或所述Nb的原子百分比≥0.55at％。
本发明中，所述稀土永磁材料，较佳地包括如下质量含量的组分：
R：28.5～32.5wt％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Ga：0.55～1.8wt％；
B：0.85～0.94wt％；
Al：0.06～0.07wt％；
Co：0.5～2.5wt％；
Fe：64～69wt％；
N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；
当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.2～0.25wt％；
当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.25～0.35wt％；
当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2～0.3wt％；
所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
所述稀土永磁材料的晶界相中还包括R6T13M相，所述R6T13M相的体积分数为4～11％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料，较佳地包括如下质量含量的组分：
R：28.5～32.5wt％；所述R为包括Nd和Pr的稀土元素；
Pr：0.1～0.5％或者8～15％；
Ga：0.55～1.8wt％；
B：0.85～0.94wt％；
Al：0.06～0.07wt％；
Co：0.5～2.5wt％；
Fe：64～69wt％；
N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；
当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.2～0.25wt％；
当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.25～0.35wt％；
当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2～0.3wt％；
所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
所述稀土永磁材料的晶界相中还包括R6T13M相，所述R6T13M相的体积分数为4～11％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料，较佳地包括如下质量含量的组分：
R：28.5～32.5wt％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Ga：0.55～1.8wt％；
B：0.85～0.94wt％；
Al：0.09～0.11wt％；
Co：0.5～2.5wt％；
Fe：64～69wt％；
Ti：0.2～0.25wt％；
所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
所述稀土永磁材料的晶界相中还包括R6T13M相，所述R6T13M相的体积分数为5～10％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料，较佳地包括如下质量含量的组分：
R：28.5～32.5wt％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Ga：0.55～1.8wt％；
B：0.85～0.94wt％；
Al：0.09～0.11wt％；
Co：0.5～2.5wt％；
Fe：64～69wt％；
Zr：0.25～0.35wt％；
所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
所述稀土永磁材料的晶界相中还包括R6T13M相，所述R6T13M相的体积分数为5～10％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
本发明中，所述稀土永磁材料，较佳地包括如下质量含量的组分：
R：28.5～32.5wt％；所述R为至少含有Nd的稀土元素；
Ga：0.55～1.8wt％；
B：0.85～0.94wt％；
Al：0.09～0.11wt％；
Co：0.5～2.5wt％；
Fe：64～69wt％；
Nb：0.2～0.3wt％；
所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
所述稀土永磁材料的晶界相中还包括R6T13M相，所述R6T13M相的体积分数为5～10％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 28.074wt％；Pr 0.426wt％；Ga 1.552wt％；Al 0.092wt％；Co 0.502wt％；Ti0.152wt％；B 0.831wt％；Fe 68.371wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为5.2％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 29.051wt％；Pr 0.441wt％；Ga 1.453wt％；Al 0.106wt％；Co 0.987wt％；Ti0.203wt％；B 0.887wt％；Fe 66.872wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为5.4％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 29.554wt％；Pr 0.455wt％；Ga 1.302wt％；Al 0.121wt％；Co 1.497wt％；Ti0.255wt％；B 0.914wt％；Fe 65.902wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为9.8％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 30.252wt％；Pr 0.244wt％；Ga 1.049wt％；Al 0.112wt％；Co 1.987wt％；Ti0.156wt％；B 0.942wt％；Fe 65.258wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为6.3％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 30.751wt％；Pr 0.244wt％；Ga 1.205wt％；Al 0.091wt％；Co 2.487wt％；Ti0.255wt％；B 0.921wt％；Fe 64.046wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为7.5％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 20.475wt％；Pr 11.029wt％；Ga 1.652wt％；Al 0.102wt％；Co 0.496wt％；Ti0.152wt％；B 0.912wt％；Fe 65.182wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为6.5％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 21.802wt％；Pr 10.200wt％；Ga 1.802wt％；Al 0.113wt％；Co 1.002wt％；Ti0.203wt％；B 0.932wt％；Fe 63.946wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为7.6％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 23.014wt％；Pr 9.504wt％；Ga 0.552wt％；Al 0.082wt％；Co 1.502wt％；Ti0.251wt％；B 0.921wt％；Fe 64.174wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为5.7％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 22.502wt％；Pr 10.500wt％；Ga 0.757wt％；Al 0.106wt％；Co 2.002wt％；Ti0.152wt％；B 0.842wt％；Fe 63.139wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为7.7％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 22.203wt％；Pr 9.300wt％；Ga 0.956wt％；Al 0.112wt％；Co 2.506wt％；Ti0.252wt％；B 0.881wt％；Fe 63.790wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为5.2％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 28.072wt％；Pr 0.428wt％；Ga 0.548wt％；Al 0.085wt％；Co 0.810wt％；Zr0.203wt％；B 0.923wt％；Fe 68.931wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为5.4％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 30.534wt％；Pr 0.464wt％；Ga 0.719wt％；Al 0.108wt％；Co 0.752wt％；Zr0.220wt％；B 0.913wt％；Fe 66.290wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为9.8％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 30.534wt％；Pr 0.464wt％；Ga 0.719wt％；Al 0.108wt％；Co 0.752wt％；Zr0.220wt％；B 0.913wt％；Fe 66.290wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为9.8％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 29.541wt％；Pr 0.458wt％；Ga 1.146wt％；Al 0.084wt％；Co 0.902wt％；Zr0.282wt％；B 0.851wt％；Fe 66.736wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为6.3％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 22.905wt％；Pr 9.605wt％；Ga 1.255wt％；Al 0.121wt％；Co 1.203wt％；Zr0.302wt％；B 0.879wt％；Fe 63.730wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为7.5％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 21.809wt％；Pr 9.212wt％；Ga 1.554wt％；Al 0.092wt％；Co 1.508wt％；Zr0.332wt％；B 0.934wt％；Fe 64.559wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为7.6％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 21.504wt％；Pr 10.502wt％；Ga 1.802wt％；Al 0.108wt％；Co 2.005wt％；Zr0.358wt％；B 0.892wt％；Fe 62.829wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为7.6％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 28.552wt％；Pr 0.455wt％；Tb 1.986wt％；Ga 0.902wt％；Al 0.098wt％；Co2.080wt％；Nb 0.303wt％；B 0.921wt％；Fe 64.703wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为9.8％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 29.579wt％；Pr 0.432wt％；Dy 2.012wt％；Ga 1.302wt％；Al 0.115wt％；Co2.503wt％；Nb 0.252wt％；B 0.902wt％；Fe 62.903wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为7.6％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
在本发明一较佳实施例中，所述稀土永磁材料较佳地包括如下质量含量的组分：Nd 31.011wt％；Ga 0.723wt％；Al 0.102wt％；Co 0.757wt％；Zr 0.255wt％；Nb0.202wt％；B 0.913wt％；Fe 66.037wt％；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为7.6％，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
本发明的技术方案之五为：一种所述稀土永磁材料作为电子元器件的应用。
其中，所述应用的领域可为汽车驱动领域、风电领域、伺服电机和家电领域(例如空调)。
本发明中，所述室温是指25℃±5℃。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：
(1)本发明的稀土永磁材料中特定含量的各元素之间相互配合，制得的稀土永磁材料含有特定含量的R6T13Ga。本发明的稀土永磁材料含有少量的硼元素，可在不添加重稀土元素下，剩磁、矫顽力、方形度、温度稳定性均较佳。
(2)本发明的稀土永磁材料，不仅磁性能较佳，且提升了稀土永磁材料的一致性，即同一批次产品的磁性能均一。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
实施例1～19和对比例1～6
实施例1～19和对比例1～6中制备稀土永磁材料所用的原料如表1所示，其制备的工艺如下：
(1)熔炼过程：按表1所示配方，取配制好的原料放入氧化铝制的坩埚中，在高频真空感应熔炼炉中在5×10-2Pa的真空中以1500℃以下的温度进行真空熔炼得熔融液。
(2)铸造过程：在真空熔炼后的熔炼炉中通入Ar气体使气压达到5.5万Pa后，进行铸造，将熔融液通过29转/分转速的铜辊制得0.12-0.35mm厚度的速凝合金片，浇铸过程中，铜辊需通入冷冻水，其进水温度≤25℃。
(3)氢破粉碎过程：在室温下将放置急冷合金的氢破用炉抽真空，而后向氢破用炉内通入纯度为99.9％的氢气，维持氢气压力0.15MPa，充分吸氢后，边抽真空边升温，充分脱氢，之后进行冷却，取出氢破粉碎后的粉末。
(4)微粉碎工序：在氧化气体含量120ppm以下的氮气气氛下，在粉碎室压力为0.38MPa的条件下对氢破粉碎后的粉末进行3小时的气流磨粉碎，得到细粉。氧化气体指的是氧或水分。
(5)在气流磨粉碎后的粉末中添加硬脂酸锌，硬脂酸锌的添加量为混合后粉末重量的0.12％，再用V型混料机充分混合。
(6)磁场成型过程：使用直角取向型的磁场成型机，在1.6T的取向磁场中，在0.35ton/cm2的成型压力下，将上述添加了硬脂酸锌的粉末一次成形成边长为25mm的立方体，一次成形后在0.2T的磁场中退磁。为使一次成形后的成形体不接触到空气，将其进行密封，再使用二次成形机(等静压成形机)在1.3ton/cm2的压力下进行二次成形。
(7)烧结过程：将各成形体搬至烧结炉进行烧结，烧结在5×10-3Pa的真空下，在300℃和600℃的温度下各保持1小时后，以1050～1090℃的温度烧结8小时，之后通入Ar气体使气压达到0.1MPa后，冷却至室温。
(8)时效处理过程：烧结体在高纯度Ar气中，以3-5℃/min的升温速率从20℃升温至至900℃，以900℃温度进行3小时一级时效处理后，冷却至室温后取出。之后，进行二级时效处理3h，由室温升温至二级时效温度的升温速率为3～5℃/min；
其中，步骤(2)中铸造工艺铜辊进水温度，步骤(7)中烧结温度和步骤(8)中二级时效温度参见表2。
表1实施例1～19、对比例1～6中原料质量百分比
编号/wt％ TRE Nd Pr Tb Dy Ga Al Co Ti Zr Nb B Fe
实施例1 28.5 28.1 0.4 / / 1.55 0.06 0.5 0.15 0 0 0.84 68.4
实施例2 29.5 29.06 0.44 / / 1.45 0.07 1 0.2 0 0 0.9 66.88
实施例3 30 29.55 0.45 / / 1.3 0.07 1.5 0.25 0 0 0.91 65.97
实施例4 30.5 30.26 0.24 / / 1.05 0.06 2 0.15 0 0 0.94 65.3
实施例5 31 30.75 0.25 / / 1.2 0.06 2.5 0.25 0 0 0.92 64.07
实施例6 31.5 20.47 11.03 / / 1.65 0.06 0.5 0.15 0 0 0.91 65.23
实施例7 32 21.8 10.2 / / 1.8 0.07 1 0.2 0 0 0.93 64
实施例8 32.5 23 9.5 / / 0.55 0.05 1.5 0.25 0 0 0.92 64.23
实施例9 33 22.5 10.5 / / 0.75 0.07 2 0.15 0 0 0.84 63.19
实施例10 31.5 22.2 9.3 / / 0.95 0.07 2.5 0.25 0 0 0.88 63.85
实施例11 28.5 28.07 0.43 / / 0.55 0.06 0.8 0 0.2 0 0.92 68.97
实施例12 31 30.53 0.47 / / 0.72 0.07 0.75 0 0.22 0 0.91 66.33
实施例13 30 29.55 0.45 / / 1.15 0.05 0.9 0 0.28 0 0.85 66.77
实施例14 32.5 22.9 9.6 / / 1.25 0.07 1.2 0 0.3 0 0.87 63.81
实施例15 31 21.8 9.2 / / 1.55 0.05 1.5 0 0.33 0 0.93 64.64
实施例16 33 21.5 10.5 / / 1.8 0.07 2 0 0.35 0 0.89 62.89
实施例17 31 28.55 0.45 2 / 0.9 0.06 2 0 0 0.3 0.92 64.82
实施例18 32 29.57 0.43 / 2 1.3 0.07 2.5 0 0 0.25 0.9 62.98
实施例19 31 31 0 / / 0.72 0.06 0.75 0 0.25 0.2 0.91 66.11
对比例1 29.5 29.06 0.44 / / 0.4 0.06 1 0.2 0 0 0.9 67.94
对比例2 31 30.53 0.47 / / 1.9 0.06 0.75 0 0.22 0.2 0.91 64.96
对比例3 29.5 29.06 0.44 / / 1.45 0.07 1 0.1 0 0 0.9 66.98
对比例4 29.5 29.06 0.44 / / 1.45 0.07 1 0.3 0 0 0.9 66.78
对比例5 31 30.53 0.47 / / 0.72 0.07 0.75 0 0.1 0.1 0.91 66.35
对比例6 31 30.53 0.47 / / 0.72 0.16 0.75 0 0.22 0.2 0.91 66.04
注：TRE是指总稀土量，包括Nd、Pr和重稀土(Tb、Dy)；“/”是指不含有该元素。
按表1所示配方配制原料，除表2所示条件外，其他工艺条件均相同，制得稀土永磁材料。
表2
Figure BDA0002396104590000211
效果实施例1成分测定
实施例1～19、对比例1～6的烧结磁体使用高频电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)测定具体成分。表3所示为成分检测结果。
表3
Figure BDA0002396104590000221
Figure BDA0002396104590000231
注：TRE是指总稀土量，包括Nd、Pr和重稀土(Tb、Dy)；实施例1～19、对比例1～6的烧结磁体中Al的含量是原料中的Al以及在其他原料和工艺(例如熔炼过程中氧化铝制的坩埚)中引入的Al的含量之和。
效果实施例2磁性能和磁性能一致性检测
烧结磁铁使用中国计量院的NIM-10000H型BH大块稀土永磁无损测量系统进行磁性能检测。表4所示为磁性能检测结果。其中，
(1)6-13-1相的检测方法：
微观结构：采用FE-EPMA检测，对稀土永磁材料的垂直取向面进行抛光，采用场发射电子探针显微分析仪(FE-EPMA)(日本电子株式会社(JEOL)，8530F)检测。检测晶界中的R6T13M相，T指Fe和/或Co，M指Ga。
(2)Br、Hcj、20-80℃Br温度系数、20-80℃Hcj温度系数、20-150℃Hcj温度系数、方形度和相对磁导率均是指均值：通过测试同一批次中5份稀土永磁材料样品的剩磁、矫顽力、20-80℃Br温度系数、20-80℃Hcj温度系数、20-150℃Hcj温度系数、方形度或相对磁导率，计算得出平均值。本发明每一实施例和对比例中制备出的是若干个稀土永磁材料，同一批次指的就是每一实施例和对比例中所获得的若干个稀土永磁材料，其中用于测试的稀土永磁材料为10×10mm的圆柱体。
表4
Figure BDA0002396104590000232
Figure BDA0002396104590000241
注：对比例1-6中稀土永磁材料的磁性能为对比例1-6的配方经工艺优化(进水温度、烧结温度、时效温度)后所能够获得的最佳性能。
表5所示为磁性能一致性检测结果。其中，
(1)方形度SQ＝Hk/Hcj；其中，Hk为当B为90％Br时，所对应的外磁场H的值；Hcj为矫顽力。
(2)相对磁导率为Br/Hcb；其中，Br为剩磁，Hcb为磁感矫顽力，当B-H曲线存在拐点时，磁导率在拐点之前取值。
(3)Max(Hcj)-Min(Hcj)：同一批次产品中矫顽力最大值减去矫顽力最小值，若大于1.5kOe，则是磁性能一致性差。
表5
Figure BDA0002396104590000242
Figure BDA0002396104590000251
由表5可知，对比例2和6中的磁钢产品同批次矫顽力差值大于1.5kOe，即Max(Hcj)-Min(Hcj)＞1.5kOe，能够判断其磁体性能一致性较差。
而根据表4和表5中的数据可知，实施例1～19中的磁钢产品Br≥12.3kGs，Hcj≥16.69kOe，磁体温度稳定性好，20-80℃Br温度系数α％/℃的绝对值小于0.108，相对磁导率低于1.05，方形度较高，且磁钢产品同批次矫顽力差值较低，磁体性能一致性好。

Claims (49)

1.一种稀土永磁材料，其特征在于，其包括如下质量含量的组分：
R：28.5~33.0 wt %；所述R为至少含有Nd和Pr的稀土元素；所述Pr的含量为0.1~0.5 wt%；百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
Ga：0.5~1.8 wt %但不为0.5wt%；
B：0.84~0.94 wt %；
Al：0.08~0.12 wt %；
Co：≤2.5 wt %但不为0；
Fe：62~69 wt %；
N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；
当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.15~0.25 wt %；
当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.2~0.35 wt %；
当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2~0.5 wt %；
所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
所述稀土永磁材料包含R2T14B主相、晶界相和富稀土相；所述晶界相中包含R6T13M相，所述R6T13M相中，M指Ga；所述R6T13M相的体积分数为3~12%，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
2.如权利要求1所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述R6T13M相的体积分数为4~11%，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比；
和/或，所述R的含量为28.5~32.5 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
和/或，所述Nd的含量为20~23 wt %，或者28~32.5 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
和/或，所述稀土永磁材料中还包括RH，所述RH为重稀土元素；
其中，当所述稀土永磁材料中包含RH时，所述RH的含量为1.5~6 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
其中，所述RH的种类包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种；
和/或，所述B的含量为0.85~0.94 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
和/或，所述稀土永磁材料中的所述R的原子百分比和所述B的原子百分比满足如下关系式：B/R≥0.38，式中，所述B为B在所述稀土永磁材料中的原子百分比，所述R为R在所述稀土永磁材料中的原子百分比；
和/或，所述B、所述Nd和所述Pr满足如下关系式：B/（Pr+Nd）≥0.405，式中，所述B为B在所述稀土永磁材料中的原子百分比，所述Pr为Pr在所述稀土永磁材料中的原子百分比，所述Nd为Nd在所述稀土永磁材料中的原子百分比；
和/或，所述Ga的含量为0.55~1.8 wt %或者为≥1.05 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；或者，所述Ga＞7.2941-1.24B（at %）且0.55wt%≤Ga＜1.05 wt%；
和/或，所述Al的含量为0.09~0.11 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
和/或，所述Co的含量为0.5~2.5 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
和/或，所述Fe的含量为64~69 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
和/或，当所述稀土永磁材料中包含Ti时，所述Ti的含量为0.2~0.25 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
和/或，当所述稀土永磁材料中包含Zr时，所述Zr的含量为0.25~0.35 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
和/或，当所述稀土永磁材料中包含Nb时，所述Nb的含量为0.2~0.3 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
和/或，当所述N包含Ti和/或Nb时，所述Ti或所述Nb的原子百分比≥0.55 at %。
3.如权利要求2所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述R6T13M相的体积分数为5~10%，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
4.如权利要求2所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述R的含量为30~31.5 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
5.如权利要求2所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述稀土永磁材料中不含Cu。
6.如权利要求2所述的稀土永磁材料，其特征在于，当所述稀土永磁材料中包含RH时，所述RH的含量为1~2.5 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
7.如权利要求2所述的稀土永磁材料，其特征在于，当所述RH包含Dy时，所述Dy的含量为1~2.5 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
8.如权利要求2所述的稀土永磁材料，其特征在于，当所述RH包含Tb时，所述Tb的含量为1~2.5 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
9.如权利要求2所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述Ga的含量为0.55 wt %≤Ga＜0.85 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
10.如权利要求2所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述Co的含量为1.0~2.0 wt %，百分比为占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
11.如权利要求2所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述Zr的质量含量为0.26 wt %≤Zr＜（3.48B-2.67）wt %，式中，所述B为B占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比。
12.如权利要求1~11中任一项所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述稀土永磁材料，包括如下质量含量的组分：R：28.5~32.5 wt %；所述R为至少含有Nd的稀土元素；Ga：0.55~1.8 wt %；B：0.85~0.94 wt %；Al：0.06~0.07 wt %；Co：0.5~2.5 wt %；Fe：64~69 wt %；N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.2~0.25 wt %；当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.25~0.35 wt %；当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2~0.3 wt %；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述稀土永磁材料的晶界相中还包括R6T13M相，所述R6T13M相的体积分数为4~11%，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
13.如权利要求1~11中任一项所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述稀土永磁材料包括如下质量含量的组分：R：28.5~32.5 wt %；所述R为包括Nd和Pr的稀土元素；Pr：0.1~0.5wt%；Ga：0.55~1.8 wt %；B：0.85~0.94 wt %；Al：0.06~0.07 wt %；Co：0.5~2.5 wt %；Fe：64~69 wt %；N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.2~0.25 wt %；当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.25~0.35 wt %；当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2~0.3 wt%；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；
所述稀土永磁材料的晶界相中还包括R6T13M相，所述R6T13M相的体积分数为4~11%，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
14.如权利要求1~11中任一项所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述稀土永磁材料包括如下质量含量的组分：R：28.5~32.5 wt %；所述R为至少含有Nd的稀土元素；Ga：0.55~1.8wt %；B：0.85~0.94 wt %；Al：0.09~0.11 wt %；Co：0.5~2.5 wt %；Fe：64~69 wt %；Ti：0.2~0.25 wt %；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述稀土永磁材料的晶界相中还包括R6T13M相，所述R6T13M相的体积分数为5~10%，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
15.如权利要求1~11中任一项所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述稀土永磁材料包括如下质量含量的组分：R：28.5~32.5 wt %；所述R为至少含有Nd的稀土元素；Ga：0.55~1.8wt %；B：0.85~0.94 wt %；Al：0.09~0.11 wt %；Co：0.5~2.5 wt %；Fe：64~69 wt %；Zr：0.25~0.35 wt %；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述稀土永磁材料的晶界相中还包括R6T13M相，所述R6T13M相的体积分数为5~10%，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
16.如权利要求1~11中任一项所述的稀土永磁材料，其特征在于，所述稀土永磁材料包括如下质量含量的组分：R：28.5~32.5 wt %；所述R为至少含有Nd的稀土元素；Ga：0.55~1.8wt %；B：0.85~0.94 wt %；Al：0.09~0.11 wt %；Co：0.5~2.5 wt %；Fe：64~69 wt %；Nb：0.2~0.3 wt %；所述百分比为各组分质量占所述稀土永磁材料总质量的质量百分比；所述R6T13M相的体积分数为5~10%，百分比是指在所述晶界相、所述R2T14B主相和所述富稀土相的体积之和中所占百分比。
17.一种用于制备权利要求1~16中任一项所述的稀土永磁材料的原料组合物，其特征在于，其包括如下质量含量的组分：
R：28.5~33.0 wt %；所述R为至少含有Nd和Pr的稀土元素；所述Pr的含量为0.1~0.5 wt%；
Ga：0.5~1.8 wt %但不为0.5wt%；
B：0.84~0.94 wt %；
Al：0.05~0.07 wt %；
Co：≤2.5 wt %但不为0；
Fe：62~69 wt %；
N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；
当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.15~0.25 wt %；
当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.2~0.35 wt %；
当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2~0.5 wt %；
所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
18.如权利要求17所述的稀土永磁材料的原料组合物，其特征在于，所述原料组合物中，所述R的含量为28.5~32.5 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Nd的含量为20~23 wt %，或者为28~32.5 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述原料组合物中不含Cu；
和/或，所述原料组合物中包括RH，所述RH为重稀土元素；
和/或，所述B的含量为0.85~0.94 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述原料组合物中，所述R的原子百分比和所述B的原子百分比满足如下关系式：B/R≥0.38，式中，所述B为B在所述原料组合物中的原子百分比，所述R为R在所述原料组合物中的原子百分比；
和/或，所述B、所述Nd和所述Pr满足如下关系式：B/（Pr+Nd）≥0.405，式中，所述B为B在原料组合物中的原子百分比，所述Pr为Pr在原料组合物中的原子百分比，所述Nd为Nd在原料组合物中的原子百分比；
和/或，所述Ga的含量为0.55~1.8 wt %或者为≥1.05 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比；或者，所述Ga＞7.2941-1.24B（at %）且0.55wt%≤Ga＜1.05 wt %；
和/或，所述Al的含量为0.06~0.07 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Co的含量为0.5~2.5 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，所述Fe的含量为64~69 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，当所述N包含Ti时，所述Ti的含量为0.2~0.25 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，当所述N包含Zr时，所述Zr的含量为0.25~0.35 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比；或者，所述Zr的质量含量为0.26 wt %≤Zr＜（3.48B-2.67）wt %，式中，所述B为B占所述原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，当所述N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2~0.3 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比；
和/或，当所述N包含Ti和/或Nb时，所述Ti或所述Nb的原子百分比≥0.55 at %。
19.如权利要求18所述的稀土永磁材料的原料组合物，其特征在于，所述原料组合物中，所述R的含量为30~31.5 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
20.如权利要求18所述的稀土永磁材料的原料组合物，其特征在于，当所述原料组合物中包含RH时，所述RH的含量为1.5~6 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
21.如权利要求18所述的稀土永磁材料的原料组合物，其特征在于，当所述原料组合物中包含RH时，所述RH的含量为1~2.5 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
22.如权利要求18所述的稀土永磁材料的原料组合物，其特征在于，所述RH的种类包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种。
23.如权利要求22所述的稀土永磁材料的原料组合物，其特征在于，当所述RH包含Dy时，所述Dy的含量为1~2.5 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
24.如权利要求22所述的稀土永磁材料的原料组合物，其特征在于，当所述RH包含Tb时，所述Tb的含量为1~2.5 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
25.如权利要求18所述的稀土永磁材料的原料组合物，其特征在于，所述Ga的含量为0.55 wt %≤Ga＜0.85 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
26.如权利要求18所述的稀土永磁材料的原料组合物，其特征在于，所述Al的含量为0.06 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
27.如权利要求18所述的稀土永磁材料的原料组合物，其特征在于，所述Co的含量为1.00~2 wt %，百分比为占所述原料组合物总质量的质量百分比。
28.如权利要求17-27中任一项所述的稀土永磁材料的原料组合物，其特征在于，所述稀土永磁材料的原料组合物，包括如下质量含量的组分：R：28.5~32.5 wt %；所述R为至少含有Nd的稀土元素；Ga：0.55~1.8 wt %；B：0.85~0.94 wt %；Al：0.06~0.07 wt %；Co：0.5~2.5 wt %；Fe：64~69 wt %；N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.2~0.25 wt %；当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.25~0.35 wt %；当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2~0.3 wt %；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比；
或者，所述稀土永磁材料的原料组合物，包括如下质量含量的组分：R：28.5~32.5 wt%；所述R为包括Nd和Pr的稀土元素；Pr：0.1~0.5 wt%；Ga：0.55~1.8 wt %；B：0.85~0.94 wt%；Al：0.06~0.07 wt %；Co：0.5~2.5 wt %；Fe：64~69 wt %；N：Ti、Zr和Nb中的一种或多种；当N包含Ti时，所述Ti的含量为0.2~0.25 wt %；当N包含Zr时，所述Zr的含量为0.25~0.35wt %；当N包含Nb时，所述Nb的含量为0.2~0.3 wt %；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比；
或者，所述稀土永磁材料的原料组合物，包括如下质量含量的组分：R：28.5~32.5 wt%；所述R为至少含有Nd的稀土元素；Ga：0.55~1.8 wt %；B：0.85~0.94 wt %；Al：0.06~0.07wt %；Co：0.5~2.5 wt %；Fe：64~69 wt %；Ti：0.2~0.25 wt %；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比；
或者，所述稀土永磁材料的原料组合物，包括如下质量含量的组分：R：28.5~32.5 wt%；所述R为至少含有Nd的稀土元素；Ga：0.55~1.8 wt %；B：0.85~0.94 wt %；Al：0.06~0.07wt %；Co：0.5~2.5 wt %；Fe：64~69 wt %；Zr：0.25~0.35 wt %；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比；
或者，所述稀土永磁材料的原料组合物，包括如下质量含量的组分：R：28.5~32.5 wt%；所述R为至少含有Nd的稀土元素；Ga：0.55~1.8 wt %；B：0.85~0.94 wt %；Al：0.06~0.07wt %；Co：0.5~2.5 wt %；Fe：64~69 wt %；Nb：0.2~0.3 wt %；所述百分比为各组分质量占所述原料组合物总质量的质量百分比。
29.一种稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，其包括下述步骤：将如权利要求17~28中任一项所述稀土永磁材料的原料组合物经铸造、制粉、成型、烧结和时效处理即可。
30.如权利要求29所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述铸造之前还包括熔炼；
和/或，所述铸造是以102℃/秒~104℃/秒的速度冷却；
和/或，所述铸造的工艺中辊轮进水温度≤25℃；
和/或，所述制粉包括氢破工艺和气流磨工艺；
其中，所述氢破工艺包括吸氢、脱氢和冷却处理；
其中，所述吸氢在氢气压力0.15MPa的条件下进行；
其中，所述氢破后还包括粉碎；所述粉碎的工艺为气流磨粉碎；
其中，所述气流磨粉碎在氧化气体含量120ppm以下的氮气气氛下进行；
其中，所述气流磨粉碎的粉碎室压力为0.38MPa；
其中，所述气流磨粉碎的时间为3h；
其中，所述气流磨粉碎后，在粉体中添加润滑剂；
和/或，所述成型的工艺为磁场成形法或热压热变形法；
和/或，所述烧结之前还包括预热；
和/或，所述烧结的温度为1050~1090℃；
和/或，所述烧结的时间为5~10h；
和/或，所述时效处理包括一级时效处理和二级时效处理；
其中，所述二级时效处理的温度为430~470℃。
31.如权利要求30所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述熔炼的温度在1500℃以下。
32.如权利要求30所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述润滑剂为硬脂酸锌。
33.如权利要求32所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述润滑剂的添加量为混合后粉末重量的0.10~0.15%。
34.如权利要求30所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述预热的温度为300~600℃。
35.如权利要求30所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述预热的时间为1~2h。
36.如权利要求30所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述预热为在300℃和600℃的温度下分别预热1h。
37.如权利要求30所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为1060~1078℃。
38.如权利要求30所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述烧结的时间为8h。
39.如权利要求30所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述一级时效处理为在高纯度Ar条件下进行。
40.如权利要求30所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述一级时效处理温度为850~950℃。
41.如权利要求40所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述一级时效处理温度为900℃。
42.如权利要求30所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述一级时效的处理时间为2~4h。
43.如权利要求42所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述一级时效的处理时间为3h。
44.如权利要求30所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述二级时效处理的温度为450~460℃。
45.如权利要求30所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述二级时效的处理时间为2~4h。
46.如权利要求45所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，所述二级时效的处理时间为3h。
47.如权利要求30所述的稀土永磁材料的制备方法，其特征在于，升温至所述一级时效处理或二级时效处理的温度的速率为3~5℃/min。
48.一种由如权利要求29~47中任一项所述的稀土永磁材料的制备方法制得的稀土永磁材料。
49.一种如权利要求1~16和48中任一项所述的稀土永磁材料作为电子元器件的应用。
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