CN110969940B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了显示装置。所述显示装置包括：基底；发光元件，位于基底上；封装层，覆盖发光元件；感测电极，位于封装层上；第一感测线，包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分；以及第二感测线，从感测电极延伸。第二感测线与第一感测线的第一部分接触。第一厚度和第二厚度基本相同。第一部分被定位为比第二部分距基底更高。

Description

显示装置
本申请要求于2018年10月1日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0117098号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置；更具体地，涉及一种具有彼此直接连接的感测线的显示装置。
背景技术
随着信息技术的发展，作为用户与信息之间的连接媒介的显示装置的重要性增加。因此，越来越多地使用诸如液晶显示装置、有机发光显示装置和等离子体显示装置的显示装置。
当显示装置的至少一部分弯曲时，可以改善空间的利用率，或者可以更容易地实现窄边框。
然而，应力作用在显示装置的弯曲区域中，因此需要简单的构造。因此，需要在弯曲区域与显示区域之间的非显示区域中可靠地对准各种类型的线。此外，使非显示区域最小化以实现上述效果。
发明内容
根据本发明构思的示例性实施例，显示装置包括：基底；发光元件，位于基底上；封装层，覆盖发光元件；感测电极，位于封装层上；第一感测线，包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分；以及第二感测线，从感测电极延伸。第二感测线与第一感测线的第一部分接触。第一厚度和第二厚度基本相同。第一部分被定位为比第二部分距基底更高。
附图说明
现在，将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式来实施，而不应该被解释为局限于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达示例实施例的范围。
在附图中，为了示出的清楚，可以夸大尺寸。将理解的是，当元件被称为“在”两个元件“之间”时，该元件可以是所述两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。同样的附图标记始终表示同样的元件。
图1和图2是示出根据本公开的实施例的显示装置的视图。
图3是示出根据本公开的第一实施例的第一区域的视图。
图4是示出根据本公开的第一实施例的第二区域的视图。
图5是根据本公开的第一实施例的沿线I-I’、线II-II’和线III-III’截取的剖视图。
图6是示出根据本公开的第二实施例的第一区域的视图。
图7是示出根据本公开的第二实施例的第二区域的视图。
图8是根据本公开的第二实施例的沿线I-I’、线IV-IV’和线V-V’截取的剖视图。
图9至图11是示出根据本公开的实施例的像素的视图。
图12至图14是示出根据本公开的另一实施例的像素的视图。
具体实施方式
在下文中，参照附图详细描述示例性实施例，使得本领域技术人员可以容易地实践本公开。本公开可以以各种不同的形式来实施，而不局限于本说明书中描述的示例性实施例。
将省略与描述无关的部分，以清楚地描述本公开，并且在整个说明书中，相同或相似的组成元件将由相同的附图标记标示。因此，相同的附图标记可以用在不同的附图中以标识相同或相似的元件。
此外，为了更好地理解和易于描述，任意地示出了附图中示出的每个组件的尺寸和厚度，但本公开不限于此。为了清楚的表达，夸大了若干部分和区域的厚度。
图1和图2是示出根据本公开的实施例的显示装置的视图。
参照图1和图2，根据本公开的实施例的显示装置DP可以包括基底SUB、封装层TFE、感测电极SC1和SC2、感测线SL和显示线DL。
基底SUB可以包括显示区域DA、非显示区域NDA和附加区域ADA。非显示区域NDA可以是围绕显示区域DA的外围区域，附加区域ADA可以是远离非显示区域NDA的一侧延伸的区域。
基底SUB可以具有大致矩形形状。在一些实施例中，基底SUB可以包括在第一方向DR1上彼此平行的一对短边和在第二方向DR2上彼此平行的一对长边。
然而，基底SUB的形状不限于此，并且基底SUB可以具有各种形状。例如，基底SUB可以设置为各种形状，诸如包括线性边的闭合多边形、包括弯曲边的圆形、椭圆形等以及包括线性边和弯曲边的半圆形、半椭圆形等。在一些实施例中，当基底SUB具有线性边时，每个形状的至少一些拐角可以形成为曲线。例如，当基底SUB具有矩形形状时，在相邻的线性边彼此交汇处的部分可以采用具有预定曲率的曲线代替。可以根据曲线的位置不同地设定曲率。例如，可以根据曲线开始的位置、曲线的长度等来改变曲率。
显示区域DA是其中设置像素从而显示图像的区域。像素可以包括对应的发光元件。虽然每个像素的发光元件可以为包括有机层的有机发光元件，但本公开不限于此，并且发光元件可以以诸如无机发光元件、液晶器件、电泳器件和电润湿器件的各种形式来实施。由于在图2中像素和发光元件被封装层TFE覆盖，所以未示出像素和发光元件。
非显示区域NDA是其中未设置像素的区域，并且非显示区域NDA中不显示图像。连接到像素的显示线DL和连接到感测电极SC1和SC2的感测线SL可以在非显示区域NDA中延伸。
显示线DL可以包括扫描线、数据线、电源电压线等，并且提供信号使得像素响应于该信号而显示图像。可以从连接到显示线DL的驱动单元提供这些信号。
驱动单元可以包括：扫描驱动器，用于沿扫描线将扫描信号提供到每个像素；数据驱动器，用于沿数据线将数据电压提供到每个像素；时序控制器，用于控制扫描驱动器和数据驱动器等。将参照图9的附图描述驱动单元的电路配置。
扫描驱动器可以直接安装在基底SUB上。当扫描驱动器直接安装在基底SUB上时，扫描驱动器可以在形成像素的工艺中与像素一起形成。然而，设置扫描驱动器的位置或形成扫描驱动器的方法不限于此，并且扫描驱动器可以设置在单独的芯片或印刷电路板上以连接到基底SUB上的垫(pad，也可以称为“焊盘”或“焊垫”)电极。
数据驱动器可以直接安装在基底SUB上。然而，本公开不限于此，并且数据驱动器可以设置在单独的芯片或印刷电路板上以通过基底SUB上的垫电极连接到像素。例如，数据驱动器可以设置为玻璃上芯片、塑料上芯片、膜上芯片等形式，以连接到基底SUB上的垫电极。时序控制器可以与数据驱动器分开设置，或者与数据驱动器一体地设置。
附加区域ADA可以从构成非显示区域NDA的边突出。参照图2，附加区域ADA可以从与非显示区域NDA的一条短边对应的一侧突出。在另一实施例中，附加区域ADA可以从非显示区域NDA的一条长边突出或者从非显示区域NDA的四条边中的两条边或更多条边突出。在一些实施例中，垫电极可以设置在附加区域ADA中，使得驱动单元通过垫电极连接到显示装置DP，或者驱动单元可以直接连接到显示装置DP。然而，本公开不限于此，并且可以设置各种组件。
显示区域DA和非显示区域NDA可以对应于第一平坦区域FA1。也就是说，显示区域DA和非显示区域NDA不是弯曲的而可以是平坦的。
附加区域ADA的一部分可以对应于第一平坦区域FA1，附加区域ADA的另一部分可以对应于弯曲区域BA，附加区域ADA的又一部分可以对应于第二平坦区域FA2。也就是说，附加区域ADA在弯曲区域BA中可以是弯曲的，并且在第一平坦区域FA1和第二平坦区域FA2中可以是平坦的。例如，将连接外电路的垫电极可以定位在第二平坦区域FA2中。
弯曲区域BA可以位于第一平坦区域FA1与第二平坦区域FA2之间。在弯曲区域BA中，当显示装置DP沿其折叠或弯曲的线被称为弯曲轴B-AXIS时，弯曲轴B-AXIS可以与弯曲区域BA叠置。弯曲轴B-AXIS可以在与第二方向DR2正交的第一方向DR1上延伸，附加区域ADA沿第二方向DR2从非显示区域NDA突出。术语“折叠”或“弯曲”不意味着固定的形状，而是意味着从原始形状可变形为另一形状的形状，并且包括沿一个或更多个弯曲轴B-AXIS折叠、弯曲或像卷状物一样卷绕的形状。附加区域ADA可以沿弯曲轴B-AXIS弯曲。由于附加区域ADA是弯曲的，因此操作显示区域DA所需的诸如驱动集成芯片(IC)的各种电路可以定位在显示区域DA后面，因此可以减小边框的宽度。
封装层TFE可以覆盖整个显示区域DA，并且覆盖非显示区域NDA的一部分。封装层TFE覆盖显示区域DA的像素的发光元件和电路器件，从而可以防止显示装置DP由于外部湿气或冲击而被损坏。
感测电极SC1和SC2可以位于封装层TFE上。感测电极SC1和SC2可以感测通过用户的身体部分输入的触摸，并且将感测信号提供到感测线SL。感测电极SC1和SC2可以根据诸如电阻型、电容型、电磁(EM)型和光学型的各种类型而被配置为不同形状。例如，当感测电极SC1和SC2被配置为电容型时，感测电极SC1和SC2可以是自电容型、互电容型等。
当感测电极SC1和SC2被配置为自电容型时，可以独立地驱动感测电极SC1和SC2中的每个，并且可以将根据由各个感测电极SC1和SC2以及用户的身体部分形成的电容而引起的电压之间的差提供到对应的感测线SL。
当感测电极SC1和SC2被配置为互电容型时，可以将触摸驱动信号传输到与第一感测电极SC1对应的感测线，并且可以通过与第二感测电极SC2对应的感测线来接收感测信号，第二感测电极SC2与第一感测电极SC1形成互电容。当用户的身体部分靠近时，可以改变第一感测电极SC1与第二感测电极SC2之间的互电容，并且可以根据由互电容的变化引起的感测信号之间的差来检测用户是否已经触摸了显示装置DP。
感测线SL可以使感测电极SC1和SC2与垫电极连接。因此，当外部触摸驱动电路连接到位于膜上芯片(或柔性印刷电路上芯片)COF上的垫电极时，感测电极SC1和SC2可以执行用户触摸感测功能。例如，外部触摸驱动电路可以安装在膜上芯片COF上以连接到垫电极。垫电极可以被设置到附加区域ADA的第二平坦区域FA2。感测线SL可以延伸以与第一平坦区域FA1、弯曲区域BA和第二平坦区域FA2叠置。
图3是示出根据本公开的第一实施例的第一区域的视图。图4是示出根据本公开的第一实施例的第二区域的视图。图5是根据本公开的第一实施例的沿线I-I’、线II-II’和线III-III’截取的剖视图。
第一区域A1是其中第一感测线SL1连接到第二感测线SL2的区域，第二区域A2是其中第一感测线SL1连接到第三感测线SL3的区域。
在图3和图4中，强调并示出了平坦化层FLT、第一感测线SL1、第二感测线SL2、第三感测线SL3和封装层TFE的相对布置，并且省略了其它组件的示出。将参照图5描述每个组件的详细堆叠结构。为了便于描述，将在图5中描述处于其中显示装置DP未弯曲的状态的显示装置DP。
首先，将描述显示区域DA。
在本公开的实施例中，像素PXij设置在显示区域DA中。每个像素PXij可以包括：晶体管，连接到显示线DL之中的对应线；发光元件，连接到晶体管；以及电容器Cst。晶体管可以与用于控制发光元件的驱动晶体管、用于开关驱动晶体管的开关晶体管等对应。将参照图9的附图描述晶体管的电路连接结构。在图5中，为了便于描述，针对一个像素PXij示例性地示出了一个晶体管、一个发光元件和一个电容器。
基底SUB可以由诸如玻璃或树脂的绝缘材料制成。基底SUB可以由具有柔性的材料制成，从而可弯曲或可折叠。基底SUB可以具有单层结构或多层结构。
例如，基底SUB可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和醋酸丙酸纤维素中的至少一种。然而，可以各种改变构成基底SUB的材料，并且基底SUB可以由纤维增强塑料(FRP)等制成。
例如，当基底SUB具有多层结构时，诸如氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的无机材料可以以单层或多层置于多个层之间。
缓冲层BF可以覆盖基底SUB。缓冲层BF可以防止杂质扩散到晶体管的沟道CH中。缓冲层BF可以是由无机材料制成的无机绝缘层。例如，缓冲层BF可以由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等形成，并且可以根据基底SUB的材料和工艺条件而省略缓冲层BF。在一些实施例中，还可以设置有阻挡层。
有源层可以位于缓冲层BF上。有源层可以被掺杂并被图案化以形成晶体管的沟道、源区和漏区或形成线。有源层可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等制成的半导体图案。本发明构思不限于此。例如，沟道CH可以是未掺杂有杂质的半导体图案，并且可以是本征半导体。杂质可以包括诸如n型杂质、p型杂质和其它金属的杂质。
第一栅极绝缘层GI1可以覆盖沟道CH和其它有源层。第一栅极绝缘层GI1可以是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料可以包括诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料。
晶体管的栅电极GE和电容器下电极LE可以位于第一栅极绝缘层GI1上。栅电极GE可以与对应于沟道CH的区域叠置。
栅电极GE和电容器下电极LE可以由金属制成。例如，栅电极GE可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的至少一种或者这些金属的任何合金制成。此外，栅电极GE可以形成为单层。然而，本公开不限于此，并且栅电极GE可以形成为其中堆叠有金属和合金之中的两种或更多种材料的多层。
第二栅极绝缘层GI2可以覆盖栅电极GE和电容器下电极LE。第二栅极绝缘层GI2可以是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
电容器上电极UE可以位于第二栅极绝缘层GI2上。电容器上电极UE可以由金属制成。例如，电容器上电极UE可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的至少一种或者这些金属的任何合金制成。此外，电容器上电极UE可以形成为单层。然而，本公开不限于此，并且电容器上电极UE可以形成为其中堆叠有金属和合金之中的两种或更多种材料的多层。
电容器下电极LE和电容器上电极UE可以构成电容器Cst，且第二栅极绝缘层GI2置于电容器下电极LE与电容器上电极UE之间。在图5中，示出了其中电容器Cst具有电容器下电极LE和电容器上电极UE的两层电极结构的情况。然而，在另一实施例中，电容器Cst可以利用有源层被构造为三层电极结构，可以利用与源电极SE和漏电极DE在同一层中的电极被构造为三层电极结构，或者被构造为具有四层或更多层的电极结构。
层间绝缘层ILD可以覆盖电容器上电极UE。层间绝缘层ILD可以是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
在此实施例中，为了便于描述，第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2和层间绝缘层ILD可以共同地被称为第一绝缘层组ING1。第一绝缘层组ING1可以覆盖晶体管的一部分。在一些实施例中，第一绝缘层组ING1还可以包括缓冲层BF。
晶体管的源电极SE和漏电极DE可以位于层间绝缘层ILD上。源电极SE和漏电极DE可以分别穿过形成在层间绝缘层ILD、第二栅极绝缘层GI2和第一栅极绝缘层GI1中的接触孔与有源层的源区和漏区接触。
源电极SE和漏电极DE可以由金属制成。例如，源电极SE和漏电极DE可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的至少一种或者这些金属的任何合金制成。
钝化层PSV可以覆盖晶体管的源电极SE和漏电极DE。钝化层PSV可以是由无机材料制成的无机绝缘层。无机材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。
第一通孔层VIA1可以覆盖钝化层PSV或晶体管。第一通孔层VIA1可以是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可以包括诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类化合物(诸如特氟纶(Teflon))或苯并环丁烯类化合物的有机绝缘材料。可以使用诸如蒸发的方法沉积有机绝缘层。
连接图案CNP可以穿过第一通孔层VIA1的开口连接到晶体管的源电极SE或漏电极DE。连接图案CNP可以由诸如金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的金属中的至少一种或者这些金属的任何合金制成。
第二通孔层VIA2可以覆盖第一通孔层VIA1和连接图案CNP。第二通孔层VIA2可以是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可以包括诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类化合物(诸如特氟纶(Teflon))或苯并环丁烯类化合物的有机绝缘材料。
第一电极EL1可以穿过第二通孔层VIA2的开口连接到连接图案CNP。在一些实施例中，第一电极EL1可以是发光元件的阳极或阴极。
在一些实施例中，可以省略第二通孔层VIA2和连接图案CNP的构造，并且第一电极EL1可以穿过第一通孔层VIA1的开口直接连接到晶体管的源电极SE或漏电极DE。在一些实施例中，可以省略钝化层PSV。
第一电极EL1可以由包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、它们的任何合金等的金属层和/或包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等的透明导电层制成。第一电极EL1可以由一种金属制成。然而，本公开不限于此，并且第一电极EL1可以由两种金属(例如Ag和Mg)的合金制成。
当将在基底SUB的向下方向上提供图像时，第一电极EL1可以由透明导电层形成。当将在基底SUB的向上方向上提供图像时，第一电极EL1可以由金属反射层和/或透明导电层形成。
限定每个像素PXij的发光区域的像素限定层PDL设置在其上形成有第一电极EL1等的基底SUB上。像素限定层PDL可以是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可以包括诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类化合物(诸如特氟纶(Teflon))或苯并环丁烯类化合物的有机绝缘材料。
像素限定层PDL可以暴露第一电极EL1的上表面，并且沿像素PXij的周向从基底SUB突出。有机层OL可以设置在像素PXij的被像素限定层PDL暴露的区域中。
有机层OL可以包括低分子材料或高分子材料。在本公开的实施例中，低分子材料可以包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。可以使用诸如真空沉积的方法形成这些材料。高分子材料可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)类材料、聚(苯撑-乙烯)(PPV)类材料、聚(氟)类材料。
有机层OL可以被设置为单层，但可以被设置为包括各种功能的多层。当有机层OL被设置为多层时，有机层OL可以具有其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等堆叠为单一结构或复杂结构的结构。可以使用丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI)等形成有机层OL。
在一些实施例中，有机层OL的至少一部分可以遍及多个第一电极EL1一体地形成，或者可以单独地设置以分别与多个第一电极EL1中的每个对应。
第二电极EL2可以设置在有机层OL上。可以针对每个像素PXij设置第二电极EL2。然而，第二电极EL2可以被设置为覆盖显示区域DA的大部分，并且由多个像素PXij共用。
在一些实施例中，第二电极EL2可以用作阴极或阳极。当第一电极EL1是阳极时，第二电极EL2可以用作阴极。当第一电极EL1是阴极时，第二电极EL2可以用作阳极。
第二电极EL2可以由包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr等的金属层和/或包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等的透明导电层制成。在本公开的实施例中，第二电极EL2可以设置为具有包括金属薄膜的两层或更多层的多层。例如，第二电极EL2可以被设置为ITO/Ag/ITO的三层。
当将在基底SUB的向下方向上提供图像时，第二电极EL2可以由金属反射层和/或透明导电层形成。当将在基底SUB的向上方向上提供图像时，第二电极EL2可以由透明导电层形成。
第一电极EL1、有机层OL和第二电极EL2的组可以被称为发光元件。
封装层TFE可以设置在第二电极EL2之上。封装层TFE可以设置为单层，但可以设置为多层。在此实施例中，封装层TFE可以包括第一封装层ENC1、第二封装层ENC2和第三封装层ENC3。第一封装层ENC1、第二封装层ENC2和第三封装层ENC3可以由有机材料和/或无机材料制成。位于封装层TFE的最外侧处的第三封装层ENC3可以由无机材料制成。例如，第一封装层ENC1可以由无机材料制成，第二封装层ENC2可以由有机材料制成，第三封装层ENC3可以由无机材料制成。与有机材料相比，湿气或氧较少渗透到无机材料中，但无机材料由于其较小的弹性或柔性而容易破裂。第一封装层ENC1和第三封装层ENC3由无机材料形成，第二封装层ENC2由有机材料形成，从而可以防止裂纹的传播。由有机材料制成的层(即，第二封装层ENC2)可以被第三封装层ENC3完全覆盖，使得第二封装层ENC2的端部不暴露于外部。有机材料可以包括诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类化合物(诸如特氟纶(Teflon))或苯并环丁烯类化合物的有机绝缘材料。无机材料可以包括诸如聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料。
构成发光元件的有机层OL可能容易被来自外部的湿气或氧损坏。封装层TFE通过覆盖有机层OL来保护有机层OL。封装层TFE覆盖显示区域DA，并且可以延伸至作为显示区域DA的外部的非显示区域NDA。与由无机材料制成的绝缘层相比，由有机材料制成的绝缘层可以是柔性的、弹性的等，但湿气或氧容易渗透到由有机材料制成的绝缘层中。在本公开的实施例中，为了防止湿气或氧渗透到由有机材料制成的绝缘层中，由有机材料制成的绝缘层的端部可以被由无机材料制成的绝缘层覆盖，而不暴露于外部。例如，由有机材料制成的第一通孔层VIA1、第二通孔层VIA2和像素限定层PDL不连续地延伸至非显示区域NDA，并且可以被第一封装层ENC1覆盖。因此，像素限定层PDL的上表面以及第一通孔层VIA1、第二通孔层VIA2和像素限定层PDL的侧表面被包括无机材料的封装层TFE封装，从而可以防止它们暴露于外部。
然而，无论封装层TFE被设置为多层还是封装层TFE的材料都不限于此，可以进行各种修改。例如，封装层TFE可以包括交替堆叠的多个有机材料层和多个无机材料层。
感测电极SC可以位于封装层TFE上。在一些实施例中，可以在感测电极SC与封装层TFE之间定位有附加缓冲层。感测电极SC可以由包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr等的金属层和/或包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等的透明导电层制成。在一些实施例中，一个感测电极SC可以覆盖多个像素PXij。当感测电极SC被构造有不透明导电层时，感测电极SC可以包括使多个被覆盖的像素PXij暴露的多个开口。例如，感测电极SC可以被构造为网格形状。当感测电极SC被构造有透明导电层时，感测电极SC可以被构造为不包括开口的板形状。
接下来，将描述非显示区域NDA和附加区域ADA。在下文中，当描述非显示区域NDA和附加区域ADA时，将省略或简要描述已经描述的部分以避免冗余。
坝部DAM可以位于平坦化层FLT与第二封装层ENC2之间。坝部DAM可以是多层结构，并且包括例如第一坝部DAM1和第二坝部DAM2。例如，第一坝部DAM1和第二坝部DAM2可以由有机材料制成。第一坝部DAM1和第二坝部DAM2中的每个可以与第一通孔层VIA1、第二通孔层VIA2和像素限定层PDL中的任何一个对应。在示例中，当第一坝部DAM1与第一通孔层VIA1通过同一工艺由相同材料制成时，第二坝部DAM2可以与第二通孔层VIA2或像素限定层PDL通过同一工艺由相同材料制成。在另一示例中，当第一坝部DAM1与第二通孔层VIA2通过同一工艺由相同材料制成时，第二坝部DAM2可以与像素限定层PDL通过同一工艺由相同材料制成。
坝部DAM可以在形成第二封装层ENC2的工艺中防止第二封装层ENC2的具有强流动性的有机材料溢出到坝部DAM的外部。由无机材料制成的第一封装层ENC1和第三封装层ENC3可以延伸以覆盖坝部DAM，从而可以增强与基底SUB或位于基底SUB上的其它层的粘附。
垫电极PDE位于基底SUB上，并且可以与平坦化层FLT间隔开。垫电极PDE可以由第二绝缘层组ING2支撑。第二绝缘层组ING2的绝缘层可以分别与第一绝缘层组ING1的绝缘层对应。垫电极PDE可以包括第一垫电极PDE1和第二垫电极PDE2。第一垫电极PDE1可以与源电极SE和漏电极DE由相同的材料制成。第二垫电极PDE2可以与连接图案CNP由相同的材料制成。
平坦化层FLT位于基底SUB上，并且可以与被封装层TFE覆盖的区域间隔开。平坦化层FLT可以是由有机材料制成的有机绝缘层。有机材料可以包括诸如聚丙烯酸类化合物、聚酰亚胺类化合物、氟类化合物(诸如特氟纶(Teflon))或苯并环丁烯类化合物的有机绝缘材料。
在此实施例中，可以在形成层间绝缘层ILD之后且在形成源电极SE和漏电极DE之前形成平坦化层FLT。因此，平坦化层FLT和第一通孔层VIA1可以通过不同的工艺形成。在一些实施例中，平坦化层FLT和第一通孔层VIA1可以包括不同的有机材料。
平坦化层FLT的一端可以覆盖第一绝缘层组ING1。此外，平坦化层FLT的与弯曲区域BA对应的部分可以填充第一绝缘层组ING1与第二绝缘层组ING2之间的第一沟槽TCH1。平坦化层FLT的所述一端的上表面可以比平坦化层FLT的所述部分的上表面距基底SUB更高。
由于无机绝缘层与有机绝缘层相比具有高硬度和小柔性，因此将出现裂纹的可能性相对较高。当在无机绝缘层中出现裂纹时，裂纹可能传播到无机绝缘层上的线，结果，可能发生诸如线断开的故障。
因此，如图5中所示，在弯曲区域BA中去除无机绝缘层以形成第一沟槽TCH1，并且第一绝缘层组ING1和第二绝缘层组ING2可以通过第一沟槽TCH1而彼此分开。在此实施例中，示出了其中与第一沟槽TCH1的区域对应的所有无机绝缘层全部被去除的情况。在另一实施例中，可以保留一些无机绝缘层。剩余的无机绝缘层包括用于分散从弯曲区域BA产生的弯曲应力的狭缝。
第一感测线SL1可以在平坦化层FLT上延伸，并且可以电连接到垫电极PDE。第一感测线SL1可以包括第一部分SL1-1和第二部分SL1-2。第一部分SL1-1和第二部分SL1-2可以具有基本相同的厚度。第一部分SL1-1可以被定位为比第二部分SL1-2距基底SUB更高。在此实施例中，第一感测线SL1可以与晶体管的源电极SE或漏电极DE通过同一工艺由相同的材料形成。
钝化层PSV可以覆盖第一感测线SL1的一部分。此外，钝化层PSV可以包括暴露第一感测线SL1的第一开口OPN1。
第一线保护层LPL1可以覆盖平坦化层FLT和第一感测线SL1。此外，第二线保护层LPL2可以覆盖第一线保护层LPL1。在一些实施例中，可以省略第二线保护层LPL2的构造。第一线保护层LPL1和第二线保护层LPL2可以包括与第一开口OPN1对应的开口。在一些实施例中，封装层TFE的一端可以位于第一通孔层VIA1与第一线保护层LPL1之间。
第一线保护层LPL1和第二线保护层LPL2可以由有机材料形成。第一线保护层LPL1和第二线保护层LPL2中的每个可以对应于第一通孔层VIA1、第二通孔层VIA2和像素限定层PDL中的任何一个。在示例中，当第一线保护层LPL1与第一通孔层VIA1通过同一工艺由相同的材料形成时，第二线保护层LPL2可以与第二通孔层VIA2或像素限定层PDL通过同一工艺由相同的材料形成。在另一示例中，当第一线保护层LPL1与第二通孔层VIA2通过同一工艺由相同的材料形成时，第二线保护层LPL2可以与像素限定层PDL通过同一工艺由相同的材料形成。
从感测电极SC延伸的第二感测线SL2连接到位于平坦化层FLT上的第一感测线SL1。例如，第二感测线SL2可以穿过第一开口OPN1连接到第一感测线SL1。当第一感测线SL1和第二感测线SL2在第一开口OPN1中彼此连接时，第一感测线SL1与第二感测线SL2之间不存在中间层，因此，第一感测线SL1和第二感测线SL2彼此接触。例如，第二感测线SL2穿过第一开口OPN1与第一感测线SL1的第一部分SL1-1接触。第二感测线SL2可以与感测电极SC通过同一工艺由相同的材料形成。
根据此实施例，与第一感测线SL1的位于平坦化层FLT的由第一沟槽TCH1限定的部分上的第二部分SL1-2相比，第一感测线SL1的位于平坦化层FLT的一端和第一绝缘层组ING1上的第一部分SL1-1可以被定位为距基底SUB更高。
因此，第一感测线SL1和第二感测线SL2可以彼此直接连接，而不存在任何桥接线。例如，第二感测线SL2可以与第一感测线SL1的第一部分SL1-1接触。由于没有桥接线，所以改善了第一感测线SL1与第二感测线SL2之间的连接可靠性。
第三感测线SL3可以使垫电极PDE和第一感测线SL1连接。第三感测线SL3可以与晶体管的栅电极GE通过同一工艺由相同的材料形成。在一些实施例中，第三感测线SL3可以与电容器上电极UE通过同一工艺由相同的材料形成。在一些实施例中，奇数的第三感测线SL3可以与晶体管的栅电极GE通过同一工艺由相同的材料形成，偶数的第三感测线SL3可以与电容器上电极UE通过同一工艺由相同的材料形成。在此，多条第三感测线SL3可以在如图4中示出的方向上布置，并且为了便于描述，第三感测线SL3可以按其排列顺序编号。在这种情况下，奇数的第三感测线SL3和偶数的第三感测线SL3沿所述方向交替地布置。相反地，偶数的第三感测线SL3可以与晶体管的栅电极GE通过同一工艺由相同的材料形成，奇数的第三感测线SL3可以与电容器上电极UE通过同一工艺由相同的材料形成。因此，可以更有效地防止相邻线之间的短路。
第二绝缘层组ING2可以包括暴露第三感测线SL3的第二开口OPN2。此外，平坦化层FLT可以包括与第二开口OPN2对应的开口。第一感测线SL1可以穿过第二开口OPN2连接到第三感测线SL3。
图6是示出根据本公开的第二实施例的第一区域的视图。图7是示出根据本公开的第二实施例的第二区域的视图。图8是根据本公开的第二实施例的沿线I-I’、线IV-IV’和线V-V’截取的剖视图。
在图8的描述中，将省略与图5的内容重叠的内容。
不同于图5，在图8的实施例中，平坦化层FLT’可以与第一通孔层VIA1通过同一工艺由相同的材料形成。此外，可以省略钝化层PSV。
可以省略用于形成图5的平坦化层FLT的第一掩模和用于形成钝化层PSV的第二掩模。因此，可以降低工艺成本。
在图8的实施例中，第一感测线SL1可以与连接图案CNP通过同一工艺由相同的材料形成。
不同于图5，在图8的实施例中，还可以包括用于使第三感测线SL3和第一感测线SL1连接的第四感测线SL4。第二绝缘层组ING2的第二开口OPN2可以暴露第三感测线SL3，并且被第四感测线SL4覆盖。平坦化层FLT’可以包括使第四感测线SL4暴露且对应于第二开口OPN2的开口。第四感测线SL4可以与晶体管的源电极SE或漏电极DE由相同的材料形成。
图9至图11是示出根据本公开的实施例的像素的视图。
参照图9，根据本公开的实施例的显示装置DP可以包括时序控制器11、数据驱动器12、扫描驱动器13、发射驱动器14和像素阵列15。
时序控制器11可以将适合于数据驱动器12的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器12。此外，时序控制器11可以将适合于扫描驱动器13的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器13。此外，时序控制器11可以将适合于发射驱动器14的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发射驱动器14。
数据驱动器12可以利用从时序控制器11接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据驱动器12可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据线D1至Dn。这里，n可以是自然数。
扫描驱动器13可以通过从时序控制器11接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描驱动器13可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描线S1至Sm。例如，扫描驱动器13可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号。这里，m可以是自然数。
发射驱动器14可以通过从时序控制器11接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发射线E1、E2、E3、……和Eo的发射信号。例如，发射驱动器14可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发射线E1至Eo。例如，发射驱动器14可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号。这里，o可以是自然数。
像素阵列15包括多个像素PXij。每个像素PXij可以连接到对应的数据线、对应的扫描线和对应的发射线。这里，i和j可以是自然数。像素PXij可以指其中扫描晶体管连接到第i扫描线且连接到第j数据线的像素。
参照图10和图11，像素PXij可以包括晶体管M1、M2、M3、M4、M5、M6和M7、存储电容器Cst1和有机发光二极管OLED1。
在此实施例中，晶体管被实施为P型晶体管。本发明构思不限于此。例如，可以使用N型晶体管来实施具有相同功能的像素电路。
存储电容器Cst1的一个电极连接到第一电源电压线ELVDD，存储电容器Cst1的另一电极连接到晶体管M1的栅电极。
晶体管M1的一个电极连接到晶体管M5的另一电极，晶体管M1的另一电极连接到晶体管M6的一个电极，晶体管M1的栅电极连接到存储电容器Cst1的所述另一电极。晶体管M1可以被称为驱动晶体管。晶体管M1根据栅电极与源电极之间的电位差来确定在第一电源电压线ELVDD与第二电源电压线ELVSS之间流动的驱动电流的量。
晶体管M2的一个电极连接到数据线Dj，晶体管M2的另一电极连接到晶体管M1的所述一个电极，并且晶体管M2的栅电极连接到当前扫描线Si。晶体管M2可以被称为开关晶体管、扫描晶体管等。当导通电平扫描信号施加到当前扫描线Si时，晶体管M2使数据线Dj的数据电压输入到像素PXij。
晶体管M3的一个电极连接到晶体管M1的所述另一电极，晶体管M3的另一电极连接到晶体管M1的栅电极，并且晶体管M3的栅电极连接到当前扫描线Si。当导通电平扫描信号施加到当前扫描线Si时，晶体管M3使晶体管M1二极管连接。
晶体管M4的一个电极连接到晶体管M1的栅电极，晶体管M4的另一电极连接到初始化电压线VINT，并且晶体管M4的栅电极连接到前一扫描线S(i-1)。在另一实施例中，晶体管M4的栅电极可以连接到另一扫描线。当导通电平扫描信号施加到前一扫描线S(i-1)时，晶体管M4将初始化电压传输到晶体管M1的栅电极，以使晶体管M1的栅电极的电荷量初始化。
晶体管M5的一个电极连接到第一电源电压线ELVDD，晶体管M5的所述另一电极连接到晶体管M1的所述一个电极，并且晶体管M5的栅电极连接到发射线Ei。晶体管M6的所述一个电极连接到晶体管M1的所述另一电极，晶体管M6的另一电极连接到有机发光二极管OLED1的阳极电极，并且晶体管M6的栅电极连接到发射线Ei。晶体管M5和晶体管M6中的每个可以被称为发射晶体管。当导通电平发射信号施加到发射线Ei时，晶体管M5和晶体管M6中的每个通过在第一电源电压线ELVDD与第二电源电压线ELVSS之间形成驱动电流路径而使有机发光二极管OLED1发光。
晶体管M7的一个电极连接到有机发光二极管OLED1的阳极电极，晶体管M7的另一电极连接到初始化电压线VINT，并且晶体管M7的栅电极连接到当前扫描线Si。在另一实施例中，晶体管M7的栅电极可以连接到另一扫描线。例如，晶体管M7的栅电极可以连接到前一扫描线S(i-1)、前一扫描线S(i-1)之前的前一扫描线、下一扫描线(第(i+1)扫描线)或者第(i+1)扫描线之后的下一扫描线。当导通电平扫描信号施加到当前扫描线Si时，晶体管M7将初始化电压传输到有机发光二极管OLED1的阳极电极，以使有机发光二极管OLED1中累积的电荷量初始化或释放有机发光二极管OLED1中累积的电荷量。
有机发光二极管OLED1的阳极电极连接到晶体管M6的所述另一电极，有机发光二极管OLED1的阴极电极连接到第二电源电压线ELVSS。
首先，将前一像素行的数据电压DATA(i-1)j施加到数据线Dj，并将导通电平(低电平)扫描信号施加到前一扫描线S(i-1)。
由于截止电平(高电平)扫描信号施加到当前扫描线Si，所以晶体管M2处于截止状态，并且防止前一像素行的数据电压DATA(i-1)j输入到像素PXij。
由于晶体管M4处于导通状态，所以初始化电压施加到晶体管M1的栅电极，从而使晶体管M1的栅电极的电荷量初始化。由于截止电平发射信号施加到发射线Ei，所以晶体管M5和晶体管M6处于截止状态，并且防止有机发光二极管OLED1在施加初始化电压的过程中的不必要发射。
接下来，将当前像素行的数据电压DATAij施加到数据线Dj，并且将导通电平扫描信号施加到当前扫描线Si。因此，晶体管M2、晶体管M1和晶体管M3处于导通状态，并且数据线Dj和晶体管M1的栅电极电连接。因此，数据电压DATAij施加到存储电容器Cst1的所述另一电极，并且存储电容器Cst1累积与第一电源电压线ELVDD的电压与数据电压DATAij之间的差对应的电荷量。
由于晶体管M7处于导通状态，所以有机发光二极管OLED1的阳极电极和初始化电压线VINT彼此电连接，并且有机发光二极管OLED1被预充入与初始化电压和第二电源电压线ELVSS的电压之间的差对应的电荷量或者被初始化为与初始化电压和第二电源电压线ELVSS的电压之间的差对应的电荷量。
随后，当导通电平发射信号施加到发射线Ei时，晶体管M5和晶体管M6处于导通状态，并且根据存储电容器Cst1中累积的电荷量来调节流过晶体管M1的驱动电流的量，使得驱动电流流过有机发光二极管OLED1。在截止电平发射信号施加到发射线Ei之前，有机发光二极管OLED1发光。
图12至图14是示出根据本公开的另一实施例的像素的视图。
参照图12，根据本公开的实施例的显示装置DP’可以包括时序控制器11、数据驱动器12、扫描驱动器13和像素阵列15’。
图12的显示装置DP’包括与图9的显示装置DP的组件基本相同的组件，因此，将省略重叠的描述。
参照图13和图14，像素PXij’可以包括多个晶体管T1和T2、存储电容器Cst2以及有机发光二极管OLED2。
晶体管T2的栅电极连接到扫描线Si，晶体管T2的一个电极连接到数据线Dj，并且晶体管T2的另一电极连接到晶体管T1的栅电极。晶体管T2可以被称为开关晶体管、扫描晶体管等。
晶体管T1的栅电极连接到晶体管T2的所述另一电极，晶体管T1的一个电极连接到第一电源电压线ELVDD，并且晶体管T1的另一电极连接到有机发光二极管OLED2的阳极电极。晶体管T1可以被称为驱动晶体管。
存储电容器Cst2包括连接到晶体管T1的栅电极的一个电极。
有机发光二极管OLED2的阳极电极连接到晶体管T1的所述另一电极，并且有机发光二极管OLED2的阴极电极连接到第二电源电压线ELVSS。
当导通电平(低电平)扫描信号通过扫描线Si供应到晶体管T2的栅电极时，晶体管T2使数据线Dj和存储电容器Cst2的所述一个电极连接。因此，在存储电容器Cst2中写入或存储与施加到数据线Dj的数据电压DATAij和第一电源电压线ELVDD的电压之间的差对应的电压值。晶体管T1使根据写入或存储在存储电容器Cst2中的电压值确定的驱动电流从第一电源电压线ELVDD流到第二电源电压线ELVSS。有机发光二极管OLED2发射具有与驱动电流的量对应的亮度的光。
在根据本公开的显示装置中，可以在使弯曲区域与显示区域之间的非显示区域最小化的同时可靠地连接线。
在此已经公开了示例实施例，并且虽然采用了特定术语，但仅以一般性和描述性含义来使用和解释它们，而不是出于限制的目的。在某些情况下，如对于本领域普通技术人员而言将明显的是，自提交本申请之时起，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合起来使用，除非另外特别指出。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
发光元件，位于所述基底上；
封装层，覆盖所述发光元件；
感测电极，位于所述封装层上；
平坦化层，位于所述基底上，所述平坦化层与被所述封装层覆盖的区域间隔开；
第一感测线，包括在所述平坦化层上延伸的第一部分和第二部分，
其中，所述第一部分被定位为比所述第二部分距所述基底更高；以及
第二感测线，从所述感测电极延伸，所述第二感测线与所述第一感测线的所述第一部分接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
垫电极，位于所述基底上，所述垫电极与所述平坦化层间隔开；
晶体管，电连接到所述发光元件；以及
第一绝缘层组，覆盖所述晶体管的一部分，
其中，所述第一感测线的所述第二部分电连接到所述垫电极，
其中，所述平坦化层的一端覆盖所述第一绝缘层组，并且
其中，所述第一感测线的所述第一部分和所述第二感测线在所述平坦化层的所述一端上彼此接触。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二绝缘层组，支撑所述垫电极；以及
第一沟槽，位于所述第一绝缘层组与所述第二绝缘层组之间，
其中，所述平坦化层的一部分填充所述第一沟槽，并且其中，所述平坦化层的所述一端的上表面比所述平坦化层的所述一部分的上表面距所述基底更高。
4.根据权利要求3所述的显示装置，
其中，所述平坦化层的所述一端置于所述第一感测线的所述第一部分与所述第一绝缘层组之间，并且
其中，所述第一感测线的所述第二部分设置在所述平坦化层的填充所述第一沟槽的所述一部分上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，
其中，所述第一绝缘层组包括第一栅极绝缘层和层间绝缘层，
其中，所述第一栅极绝缘层覆盖所述晶体管的沟道，并且
所述层间绝缘层覆盖所述晶体管的栅电极。
6.根据权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括：
钝化层，覆盖所述晶体管的源电极和漏电极，
其中，所述钝化层部分地覆盖所述第一感测线。
7.根据权利要求6所述的显示装置，
其中，所述钝化层包括使所述第一感测线的所述第一部分暴露的第一开口，并且
其中，所述第二感测线穿过所述第一开口与所述第一感测线的所述第一部分接触。
8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一通孔层，覆盖所述钝化层和所述晶体管；以及
第一线保护层，覆盖所述平坦化层和所述第一感测线，
其中，所述封装层的一端位于所述第一通孔层与所述第一线保护层之间，
其中，所述第一线保护层包括连接到所述第一开口的开口，
所述显示装置还包括：
第三感测线，
其中，所述第二绝缘层组包括使所述第三感测线暴露的第二开口，
其中，所述第一感测线穿过所述第二开口与所述第三感测线接触，
其中，所述平坦化层包括连接到所述第二开口的开口，
其中，所述第一感测线与所述晶体管的所述源电极或所述漏电极由相同的材料形成，并且
其中，所述第三感测线与所述晶体管的所述栅电极由相同的材料形成。
9.根据权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第三感测线；以及
第四感测线，使所述第三感测线和所述第一感测线连接，
其中，所述第二绝缘层组还包括使所述第三感测线暴露并且被所述第四感测线覆盖的第二开口。
10.根据权利要求9所述的显示装置，
其中，所述平坦化层包括使所述第四感测线暴露并且连接到所述第二开口的开口，
所述显示装置还包括：
第一通孔层，覆盖所述晶体管；
连接图案，穿过所述第一通孔层的开口连接到所述晶体管的源电极或漏电极；
第二通孔层，覆盖所述第一通孔层和所述连接图案；以及
所述发光元件的第一电极，其中，所述发光元件的所述第一电极穿过所述第二通孔层的开口连接到所述连接图案，
其中，所述第一感测线与所述连接图案由相同的材料形成，
其中，所述第三感测线与所述晶体管的所述栅电极由相同的材料形成，并且
其中，所述第四感测线与所述晶体管的所述源电极或所述漏电极由相同的材料形成。
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