CN110961741A - 一种ltcc基板钎焊方法 - Google Patents

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陈萍
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    • B23K1/008—Soldering within a furnace

Abstract

本发明提供了本发明提供了一种LTCC基板钎焊方法，所述LTCC基板包括腔体，所述方法包括：在LTCC基板的待焊接面上进行预焊接，所述预焊接包括通过回流焊接的方式将第一焊片焊接在与所述腔体位置对应的待焊接面上；将已完成预焊接的LTCC基板、第二焊片和壳体进行钎焊。提高了LTCC基板整体钎透率以及腔体部位的钎透率。

Description

一种LTCC基板钎焊方法
技术领域
本发明涉及领域，具体涉及一种LTCC基板钎焊方法。
背景技术
微波组件作为有源相控阵天线的核心部组件，近些年得到了快速的发展。为了进一步提高微波组件的集成密度和可靠性，以低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-firedCeramic，LTCC)为代表的多层陶瓷基板在微波组件上的应用越来越广泛。LTCC基板技术的一大优势是可实现空腔结构，即将裸芯片放置在空腔内，通过基板内层布线实现电路的互联，从而有效提高了组装密度，并将传统的平面2D封装扩展到2.5D封装，已经在微波电路领域取得了广泛地应用。
通常情况下，LTCC基板的典型工艺技术路线为：经印制导体的多层生瓷片，通过叠片层压成为生坯，然后通过共烧得到最终基板。对于带有腔体结构的LTCC基板，腔体部位存在以下几个特点：1、腔体部位相比于未开腔部位更薄，从而带来不一致的收缩率；2、为了保证腔内射频芯片的散热，往往过孔间距很小，通孔密度大，导致烧结应力大；3、腔内金属化的面积大，且金属的收缩率和生瓷片的收缩率存在较大的差异性。以上三个特点导致腔体部位在共烧后往往略微向上凸起，且向上凸起程度与开腔面积正比，即面积越大，凸起越严重。
LTCC基板在装配时通常需要与盒体进行大面积钎焊。一方面，在传输高频微波电路时，通常需要基板背面通过大面积钎焊以实现更好的接地性能，因此需要基板与盒体底部的焊接钎透率尽可能高。另一方面，对于安装于LTCC基板的有功耗的微波器件，其主要的散热手段是通过腔体中的阵列接地通孔来实现传热，因而也需要基板背面与盒体贴合面积大以提供更多的传热通道。对于带腔体的LTCC基板，由于腔体部位的略微凸起，不仅焊料难以填满，而且还容易成为助焊剂和气体的聚集区域，因此采用传统的基板焊接工艺得到的腔体部位的钎透率往往很差，难以满足接地和散热的需求。
发明内容
(一)要解决的技术问题
采用传统的基板焊接工艺得到的腔体部位的钎透率往往很差，难以满足接地和散热的需求。
(二)技术方案
为了解决上述问题，本发明提供了一种LTCC基板钎焊方法，所述LTCC基板包括腔体，所述方法包括：在LTCC基板的待焊接面上进行预焊接，所述预焊接包括通过回流焊接的方式将第一焊片焊接在与所述腔体位置对应的待焊接面上；将已完成预焊接的LTCC基板、第二焊片和壳体进行钎焊。
可选地，所述第一焊片和所述第二焊片的材料为Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2或Sn96.5Ag3Cu0.5。
可选地，所述第一焊片的面积为所述腔体的面积的80～90％。
可选地，所述第一焊片的厚度与所述腔体的面积成正比。
可选地，所述第一焊片的厚度根据下列公式确定：
Tc＝25μm(10mm2≤Sq≤20mm2)
Tc＝50μm(20mm2≤Sq≤40mm2)
Tc＝75μm(40mm2≤Sq≤80mm2)
其中，Tc为第一焊片的厚度，Sq为腔体的面积。
可选地，所述第一焊片的材料为Sn63Pb37或Sn62Pb36Ag2时，所述预焊接包括：采用回流焊炉进行预焊接，所述预焊接的升温速率为3～5℃/s，预热温度为140～160℃，预热保温时间为1～2min，焊接温度为220～240℃，焊接保温时间为30～60s，降温速率为1～2℃/s。
可选地，所述第一焊片的材料为Sn96.5Ag3Cu0.5时，所述预焊接包括：采用回流焊炉进行预焊接，所述预焊接的升温速率为3～5℃/s，预热温度为150～180℃，预热保温时间为1～2min，焊接温度为240～260℃，焊接保温时间为30～60s，降温速率为1～2℃/s。
可选地，所述第二焊片厚度为50～75μm。
可选地，所述第二焊片的材料为Sn63Pb37或Sn62Pb36Ag2时，所述将已完成预焊接的LTCC基板、第二焊片和壳体进行钎焊包括：采用真空钎焊炉进行钎焊，焊接压力为0.1～0.3g/mm2，真空度≤50Pa，焊接的升温速率为1～2℃/s，预热温度为140～180℃，预热保温时间为1～2min，焊接温度为220～230℃，焊接保温时间为30～60s，降温速率为1～2℃/s。
可选地，所述第二焊片的材料为Sn96.5Ag3Cu0.5时，所述将已完成预焊接的LTCC基板、第二焊片和壳体进行钎焊包括：采用真空钎焊炉进行钎焊，焊接压力为0.1～0.3g/mm2，真空度≤50Pa，焊接的升温速率为1～2℃/s，预热温度为150～180℃，预热保温时间为1～2min，焊接温度为240～260℃，焊接保温时间为30～60s，降温速率为1～2℃/s。
(三)有益效果
本发明至少具有以下有益效果：
1、能够实现LTCC基板整体钎透率在90％以上；
2、对于面积范围在10～80mm2的腔体部位钎透率从现有技术中不到50％提升到95％以上；
3、工艺方法简单，无需设计复杂的焊接工装，也无需采用设备成本昂贵的的焊接设备(例如真空汽相焊、真空回流焊接等设备)，本发明采用传统的真空钎焊炉即可实现。
附图说明
图1是本发明实施例提供LTCC基板钎焊方法中预焊接时基板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供LTCC基板钎焊方法中钎焊焊接时的结构示意图；
图3A是采用现有技术的LTCC基板钎焊方法得到的焊接腔体X射线照片；
图3B是本发明的LTCC基板钎焊方法得到的焊接腔体X射线照片。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本发明的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本发明实施例的全面理解。然而，明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例，而并非意在限制本发明。在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。
在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的含义，除非另外定义。应注意，这里使用的术语应解释为具有与本说明书的上下文相一致的含义，而不应以理想化或过于刻板的方式来解释。
本发明实施例提供了一种LTCC基板钎焊方法，所述LTCC基板包括腔体101，在LTCC基板1的待焊接面上进行预焊接，所述预焊接包括通过回流焊接的方式将第一焊片2焊接在与所述腔体101位置对应的待焊接面上；将已完成预焊接的LTCC基板1、第二焊片3和壳体4进行钎焊。
可以看出，对于带腔体的LTCC基板，由于腔体部位的略微凸起，不仅焊料难以填满，而且还容易成为助焊剂和气体的聚集区域。该腔体部位的略微凸起是指LTCC基板的待焊接面不平整，在腔体的正背面处形成略微凸起。因此本发明通过预焊接，将第一焊片焊接在与所述腔体位置对应的待焊接面上，将该凸起通过第一焊片进行填平，以保证下一步LTCC基板、第二焊片和壳体进行钎焊时，LTCC基板的待焊接面为平整的，第二焊片与已完成预焊接的LTCC基板之间是可以贴合的。
由此，本发明通过上述LTCC基板钎焊方法提高了腔体部位的钎透率，实现了满足接地和散热的需求。
需要说明的是，上文中所述的与所述腔体位置对应的待焊接面上，是如图1所示的视角，LTCC基板1的底部的整个平面为待焊接面，腔体101的正背面即为与腔体位置对应的待焊接面。
优选地，第一焊片2和第二焊片3的材料为Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2或5n96.5Ag3Cu0.5。
所述第一焊片2的面积为所述腔体的面积的80～90％。即第一焊片2可覆盖腔体的80～90％的面积，该第一焊片2的面积小于腔体的面积是为了得到整个LTCC基板的待焊接面平整，不会由于第一焊片2的面积过大而引入新的不平整处。
所述第一焊片2的厚度与所述腔体的面积成正比。具体地，所述第一焊片2的厚度根据下列公式确定：
Tc＝25μm(10mm2≤Sq≤20mm2)
Tc＝50μm(20mm2≤Sq≤40mm2)
Tc＝75μm(40mm2≤Sq≤≤80mm2)
其中，Tc为第一焊片2的厚度，Sq为腔体1的面积。由于腔体部位在共烧后往往略微向上凸起，且向上凸起程度与开腔面积正比，即面积越大，凸起越严重。本发明采用第一焊片的厚度与所述腔体的面积成正比的方式，以满足不同面积的腔体，通过第一焊片的预焊接得到整个LTCC基板的待焊接面平整。
下面，介绍本发明实施例中根据第一焊片2和第二焊片3的材料不同，采用不同的工艺参数进行焊接，以实现提高钎透率。
当所述第一焊片2的材料为Sn63Pb37或Sn62Pb36Ag2时，所述预焊接包括：采用回流焊炉进行预焊接，所述预焊接的升温速率为3～5℃/s，预热温度为140～160℃，预热保温时间为1～2min，焊接温度为220～240℃，焊接保温时间为30～60s，降温速率为1～2℃/s。
当所述第一焊片2的材料为Sn96.5Ag3Cu0.5时，所述预焊接包括：采用回流焊炉进行预焊接，所述预焊接的升温速率为3～5℃/s，预热温度为150～180℃，预热保温时间为1～2min，焊接温度为240～260℃，焊接保温时间为30～60s，降温速率为1～2℃/s。
需要说明的是，参见图2，LTCC基板在装配时通常需要与盒体进行大面积钎焊，即，将LTCC基板1的整个背面(待焊接面)和盒体进行大面积钎焊，通过在LTCC基板1与盒体4之间增加第二焊片3，利用第二焊片3将二者进行焊接。通常情况下，采用焊片对LTCC基板与盒体进行大面积钎焊，由于焊接时焊片与被焊接面存在空隙，同时助焊剂中溶剂反应与蒸发产生气泡，为了减少焊接时的空洞率，需要在焊接过程中加入压块，通过重力增加向下的压力(即下文中所述的焊接压力)，然后在真空环境中进行焊接，有助于焊料内部气泡排出。因此本发明实施例采用真空钎焊炉进行钎焊。
具体地，当第二焊片3的材料为Sn63Pb37或Sn62Pb36Ag2时，所述将已完成预焊接的LTCC基板1、第二焊片3和壳体4进行钎焊包括：采用真空钎焊炉进行钎焊，焊接压力为0.1～0.3g/mm2，真空度≤50Pa，焊接的升温速率为1～2℃/s，预热温度为140～180℃，预热保温时间为1～2min，焊接温度为220～230℃，焊接保温时间为30～60s，降温速率为1～2℃/s。
当第二焊片3的材料为Sn96.5Ag3Cu0.5时，所述将已完成预焊接的LTCC基板1、第二焊片3和壳体4进行钎焊包括：采用真空钎焊炉进行钎焊，焊接压力为0.1～0.3g/mm2，真空度≤50Pa，焊接的升温速率为1～2℃/s，预热温度为150～180℃，预热保温时间为1～2min，焊接温度为240～260℃，焊接保温时间为30～60s，降温速率为1～2℃/s。
另外，所述第二焊片3厚度为50～75μm。
参见图3A，其示出了采用现有技术的LTCC基板钎焊方法得到的焊接腔体X射线照片，以及图3B，其示出了采用本发明的LTCC基板钎焊方法得到的焊接腔体X射线照片，对比可以发现，现有技术焊接后腔体部位空洞多且大，而本发明接后腔体部位空洞明显减少。
综上所述，通过上述LTCC基板钎焊方法，以及采用的焊接参数(焊片材料、焊片厚度、焊接压力、焊接温度和焊接时间等)，本发明至少具备以下有益效果：
1、能够实现LTCC基板整体钎透率在90％以上；
2、对于面积范围在10～80mm2的腔体部位钎透率从现有技术中不到50％提升到95％以上；
3、工艺方法简单，无需设计复杂的焊接工装，也无需采用设备成本昂贵的的焊接设备(例如真空汽相焊、真空回流焊接等设备)，本发明采用传统的真空钎焊炉即可实现。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种LTCC基板钎焊方法，所述LTCC基板包括腔体(101)，其特征在于，所述方法包括：
在LTCC基板(1)的待焊接面上进行预焊接，所述预焊接包括通过回流焊接的方式将第一焊片(2)焊接在与所述腔体(101)位置对应的待焊接面上；
将已完成预焊接的LTCC基板(1)、第二焊片(3)和壳体(4)进行钎焊。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一焊片(2)和所述第二焊片(3)的材料为Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2或Sn96.5Ag3Cu0.5。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一焊片(2)的面积为所述腔体的面积的80～90％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一焊片(2)的厚度与所述腔体的面积成正比。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一焊片(2)的厚度根据下列公式确定：
Tc＝25μm(10mm2≤Sq≤20mm2)
Tc＝50μm(20mm2≤Sq≤40mm2)
Tc＝75μm(40mm2≤Sq≤80mm2)
其中，Tc为第一焊片(2)的厚度，Sq为腔体(101)的面积。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一焊片(2)的材料为Sn63Pb37或Sn62Pb36Ag2时，所述预焊接包括：
采用回流焊炉进行预焊接，所述预焊接的升温速率为3～5℃/s，预热温度为140～160℃，预热保温时间为1～2min，焊接温度为220～240℃，焊接保温时间为30～60s，降温速率为1～2℃/s。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一焊片(2)的材料为Sn96.5Ag3Cu0.5时，所述预焊接包括：
采用回流焊炉进行预焊接，所述预焊接的升温速率为3～5℃/s，预热温度为150～180℃，预热保温时间为1～2min，焊接温度为240～260℃，焊接保温时间为30～60s，降温速率为1～2℃/s。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二焊片(3)厚度为50～75μm。
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二焊片(3)的材料为Sn63Pb37或Sn62Pb36Ag2时，所述将已完成预焊接的LTCC基板(1)、第二焊片(3)和壳体(4)进行钎焊包括：
采用真空钎焊炉进行钎焊，焊接压力为0.1～0.3g/mm2，真空度≤50Pa，焊接的升温速率为1～2℃/s，预热温度为140～180℃，预热保温时间为1～2min，焊接温度为220～230℃，焊接保温时间为30～60s，降温速率为1～2℃/s。
10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二焊片(3)的材料为Sn96.5Ag3Cu0.5时，所述将已完成预焊接的LTCC基板(1)、第二焊片(3)和壳体(4)进行钎焊包括：
采用真空钎焊炉进行钎焊，焊接压力为0.1～0.3g/mm2，真空度≤50Pa，焊接的升温速率为1～2℃/s，预热温度为150～180℃，预热保温时间为1～2min，焊接温度为240～260℃，焊接保温时间为30～60s，降温速率为1～2℃/s。
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