CN104987101A - 一种提高相控阵雷达t/r组件质量的工艺方法 - Google Patents
一种提高相控阵雷达t/r组件质量的工艺方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104987101A CN104987101A CN201510446745.5A CN201510446745A CN104987101A CN 104987101 A CN104987101 A CN 104987101A CN 201510446745 A CN201510446745 A CN 201510446745A CN 104987101 A CN104987101 A CN 104987101A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature
- ceramic substrate
- low
- fired ceramic
- assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
本发明提供一种应用于相控阵雷达零部件技术领域的提高相控阵雷达T/R组件质量的工艺方法，所述的T/R组件生产时，1)在低温共烧陶瓷基板(1)表面涂抹锡材作为焊膏层(5)，对涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)进行加热；2)在涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)表面的凹坑部位放置补充锡材(3)；3)用烙铁对补充锡材(3)进行加热，完成凹坑部位填补；4)将上述处理后的低温共烧陶瓷基板(1)安装到组件壳体(2)内，本发明所述的工艺方法，能够有效提高温共陶瓷基板的平整度，提高了组件壳体与LTCC基板焊接的焊透率，最终有效提高了最终提高整个T/R组件的接地性能以及整体质量可靠性。
Description
技术领域
本发明属于相控阵雷达零部件技术领域，更具体地说，是涉及一种能够提高相控阵雷达T/R组件质量的工艺方法。
背景技术
有源相控阵雷达是近年来发展迅速的雷达技术，T/R组件是构成有源相控阵雷达天线的基础，接地问题、匹配问题、隔离问题，腔体问题等，都大大影响其微波性能，因此对组装技术提出了很高的要求。在整个T/R组件中，微波和控制元器件高密度、高一致性、高可靠地组装起来，实现高密度电气互连，是研制高密度、高频率、高可靠性、超小型化都是有源相控阵雷达的核心部件，T/R组件的体积、重量、性能、可靠性等指标直接影响了雷达的整机指标。对驻波和移相精度等参数的要求也非常高，这就要求基板与壳体之间必须有可靠的接地。即对基板与壳体焊接的焊透率要求很高。但是目前低温共烧陶瓷基板与硅铝壳体采用传统的回流焊工艺后，仍会出现空洞，致使焊透率达不到要求，直接影响产品的接地性能以及可靠性。通过分析造成空洞的主要原因是低温共烧陶瓷基板背面的平整度不达标，表面存在部分的凹坑，导致焊接时焊膏随着助焊剂的流淌填充不了凹坑，导致凹坑内产生气泡，出现空洞，焊透率不合格。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种简单实用，能够有效提高低温共烧陶瓷基板表面平整度，提高T/R组件焊接的焊透率，最终提高整个T/R组件的接地性能以及质量可靠性的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法。
要解决以上所述的技术问题，本发明采取的技术方案为：
本发明为一种提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，所述的T/R组件包括低温共烧陶瓷基板(LTCC基板)、组件壳体，所述的T/R组件生产时，1)在低温共烧陶瓷基板表面涂抹锡材作为焊膏层，对涂抹焊膏层的低温共烧陶瓷基板进行加热；2)在涂抹焊膏层的低温共烧陶瓷基板表面的凹坑部位放置补充锡材；3)用烙铁对补充锡材进行加热，完成凹坑部位填补；4)将上述处理后的低温共烧陶瓷基板安装到组件壳体内。
在所述的低温共烧陶瓷基板表面涂抹锡材作为焊膏层前，将低温共烧陶瓷基板放置到乙醇溶液中进行浸泡，浸泡完成后刷洗干净。
将低温共烧陶瓷基板安装到组件壳体前，将组件壳体放入烘箱中进行烘烤。
对涂抹焊膏层的低温共烧陶瓷基板进行加热处理时，将所述的低温共烧陶瓷基板放置到温度设置在140℃—160℃之间的加热平台Ⅰ上进行预热，预热时间持续5min—10min后，再放置到温度设置在190℃—220℃之间的加热平台Ⅱ上进行加热，在加热平台Ⅱ上的加热时间持续3min—6min。
用烙铁对补充锡材进行加热时，烙铁的温度设置在300℃—450℃之间，烙铁对补充锡材进行加热的加热时间持续10s—30s。
在低温共烧陶瓷基板表面涂抹焊膏层后，在焊膏层表面涂抹助焊剂，再在低温共烧陶瓷基板表面的凹坑部位放置补充锡材。
将组件壳体放入烘箱中进行烘烤时，组件壳体烘烤温度设置在80℃—100℃之间，组件壳体的烘烤时间持续15min—35min。
将低温共烧陶瓷基板放置到乙醇溶液中进行浸泡时，乙醇溶液的温度设置在40℃—60℃之间，低温共烧陶瓷基板的浸泡时间持续20min—35min。
将处理后的低温共烧陶瓷基板安装到组件壳体后，通过回流炉焊接或加热平台焊接方式对低温共烧陶瓷基板和组件壳体进行焊接。将预涂覆好锡的低温共烧陶瓷基板，并放入的硅铝壳体中，可根据壳体结构的大小、形状选择回流炉焊接或者加热平台焊接，并借助焊接工装对基板施加适当压力，完成焊接；
采用本发明的技术方案，能得到以下的有益效果：
本发明所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，从提高低温共烧陶瓷基板的平整度入手，由于LTCC基板为不规则形状，背面平整度较差，通过在低温共烧陶瓷基板上先预涂一层薄薄的焊膏层，并将凹坑部件处填满补充磁材，使组件壳体与低温共烧陶瓷基板进行焊接时能够充分接触，排出组件壳体与低温共烧陶瓷基板之间的气泡，从而提高了基板的平整度，提高了组件壳体与低温共烧陶瓷基板焊接的焊透率，最终有效提高了最终提高整个T/R组件的接地性能以及整体质量可靠性。
附图说明
下面对本说明书各附图所表达的内容及图中的标记作出简要的说明：
图1为本发明所述的相控阵雷达T/R组件的低温共烧陶瓷基板与组件壳体的结构示意图；
图2为本发明所述的相控阵雷达T/R组件的低温共烧陶瓷基板的结构示意图；
附图中标记分别为：1、低温共烧陶瓷基板；2、组件壳体；3、补充锡材；4、凹坑部位；5、焊膏层。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理等作进一步的详细说明：
如附图1、附图2所示，本发明为一种提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，所述的T/R组件包括低温共烧陶瓷基板1、组件壳体2，所述的T/R组件生产时，1)在低温共烧陶瓷基板1表面涂抹锡材作为焊膏层5，对涂抹焊膏层5的低温共烧陶瓷基板1进行加热；2)在涂抹焊膏层5的低温共烧陶瓷基板1表面的凹坑部位4放置补充锡材3；3)用烙铁对补充锡材3进行加热，完成凹坑部位4填补；4)将上述处理后的低温共烧陶瓷基板1安装到组件壳体2内。上述工艺，从提高低温共烧陶瓷基板的平整度入手，由于低温共烧陶瓷基板为不规则形状，背面平整度较差，通过在低温共烧陶瓷基板上先预涂一层薄薄的焊膏层，并将凹坑部件处填满补充磁材，使组件壳体与LTCC基板进行焊接时能够充分接触，排出组件壳体与LTCC基板之间的气泡，从而提高了基板的平整度，提高了组件壳体与LTCC基板焊接的焊透率，最终有效提高了最终提高整个T/R组件的接地性能以及整体质量可靠性。
在所述的低温共烧陶瓷基板1表面涂抹锡材作为焊膏层5前，将低温共烧陶瓷基板1放置到乙醇溶液中进行浸泡，浸泡完成后刷洗干净。这样的步骤是为了去除低温共烧陶瓷基板1表面的杂质及污染物，从而确保低温共烧陶瓷基板1表面平整度。
低温共烧陶瓷基板1安装到组件壳体2前，将组件壳体2放入烘箱中进行烘烤。
对涂抹焊膏层5的低温共烧陶瓷基板1进行加热处理时，将所述的低温共烧陶瓷基板1放置到温度设置在140℃—160℃之间的加热平台Ⅰ上进行预热，预热时间持续5min—10min后，再放置到温度设置在190℃—220℃之间的加热平台Ⅱ上进行加热，在加热平台Ⅱ上的加热时间持续3min—6min。加热是为了确保作为焊膏层5的锡材和补充锡材充分融化，有效布置在低温共烧陶瓷基板1表面。
用烙铁对补充锡材3进行加热时，烙铁的温度设置在300℃—450℃之间，烙铁对补充锡材3进行加热的加热时间持续10s—30s。通过加热的烙铁的使用，能够对涂抹在低温共烧陶瓷基板1上的凹坑部位的补充锡材进行加热，确保补充锡材迅速填补凹坑部位，提高整个温共陶瓷基板1表面的平整度。烙铁头选用马蹄型900M-T-4C型，确保电烙铁头与低温共烧陶瓷基板表面能够充分的接触，同时保证了操作人员上锡过程快速、平滑，提高涂抹在低温共烧陶瓷基板表面的补充锡材覆锡效果良好。
在低温共烧陶瓷基板1表面涂抹焊膏层5后，在焊膏层5表面涂抹助焊剂，再在温共陶瓷基板1表面的凹坑部位放置补充锡材3。助焊剂的凸模，确保补充锡材迅速沿着一个方向借助助焊剂的活化作用，快速完成凹坑部件的填充过程。
将组件壳体2放入烘箱中进行烘烤时，组件壳体2烘烤温度设置在80℃—100℃之间，组件壳体2的烘烤时间持续15min—35min。
将低温共烧陶瓷基板1放置到乙醇溶液中进行浸泡时，乙醇溶液的温度设置在40℃—60℃之间，低温共烧陶瓷基板1的浸泡时间持续20min—35min。
将处理后的低温共烧陶瓷基板1安装到组件壳体2后，通过回流炉焊接或加热平台焊接方式对低温共烧陶瓷基板1和组件壳体2进行焊接。
本发明所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，从提高低温共烧陶瓷基板的平整度入手，由于低温共烧陶瓷基板为不规则形状，背面平整度较差，通过在低温共烧陶瓷基板上先预涂一层薄薄的焊膏层，并将凹坑部件处填满补充磁材，使组件壳体与LTCC基板进行焊接时能够充分接触，排出组件壳体与低温共烧陶瓷基板之间的气泡，从而提高了基板的平整度，提高了组件壳体与低温共烧陶瓷基板焊接的焊透率，最终有效提高了最终提高整个T/R组件的接地性能以及整体质量可靠性。
上面结合附图对本发明进行了示例性的描述，显然本发明具体的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其他场合的，均在本发明的保护范围内。
Claims (9)
1.一种提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，所述的T/R组件包括低温共烧陶瓷基板(1)、组件壳体(2)，其特征在于：所述的T/R组件生产时，1)在低温共烧陶瓷基板(1)表面涂抹锡材作为焊膏层(5)，对涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)进行加热；2)在涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)表面的凹坑部位放置补充锡材(3)；3)用烙铁对补充锡材(3)进行加热，完成凹坑部位填补；4)将上述处理后的低温共烧陶瓷基板(1)安装到组件壳体(2)内。
2.根据权利要求1所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，其特征在于：在所述的低温共烧陶瓷基板(1)表面涂抹锡材作为焊膏层(5)前，将低温共烧陶瓷基板(1)放置到乙酸溶液中进行浸泡，浸泡完成后刷洗干净。
3.根据权利要求1所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，其特征在于：将低温共烧陶瓷基板(1)安装到组件壳体(2)前，将组件壳体(2)放入烘箱中进行烘烤。
4.根据权利要求1所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，其特征在于：对涂抹焊膏层(5)的低温共烧陶瓷基板(1)进行加热处理时，将所述的低温共烧陶瓷基板(1)放置到温度设置在140℃—160℃之间的加热平台Ⅰ上进行预热，预热时间持续5min—10min后，再放置到温度设置在190℃—220℃之间的加热平台Ⅱ上进行加热，在加热平台Ⅱ上的加热时间持续3min—6min。
5.根据权利要求1所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，其特征在于：用烙铁对补充锡材(3)进行加热时，烙铁的温度设置在300℃—450℃之间，烙铁对补充锡材(3)进行加热的加热时间持续10s—30s。
6.根据权利要求1所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，其特征在于：在低温共烧陶瓷基板(1)表面涂抹焊膏层(5)后，在焊膏层(5)表面涂抹助焊剂，再在低温共烧陶瓷基板(1)表面的凹坑部位放置补充锡材(3)。
7.根据权利要求3所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，其特征在于：将组件壳体(2)放入烘箱中进行烘烤时，组件壳体(2)烘烤温度设置在80℃—100℃之间，组件壳体(2)的烘烤时间持续15min—35min。
8.根据权利要求2所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，其特征在于：将低温共烧陶瓷基板(1)放置到乙醇溶液中进行浸泡时，乙醇溶液的温度设置在40℃—60℃之间，低温共烧陶瓷基板(1)的浸泡时间持续20min—35min。
9.根据权利要求1所述的提高相控阵雷达T/R组件加工质量的工艺方法，其特征在于：将处理后的低温共烧陶瓷基板(1)安装到组件壳体(2)后，通过回流炉焊接或加热平台焊接方式对低温共烧陶瓷基板(1)和组件壳体(2)进行焊接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510446745.5A CN104987101B (zh) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | 一种提高相控阵雷达t/r组件质量的工艺方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510446745.5A CN104987101B (zh) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | 一种提高相控阵雷达t/r组件质量的工艺方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104987101A true CN104987101A (zh) | 2015-10-21 |
| CN104987101B CN104987101B (zh) | 2017-08-15 |
Family
ID=54299026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510446745.5A Active CN104987101B (zh) | 2015-07-23 | 2015-07-23 | 一种提高相控阵雷达t/r组件质量的工艺方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104987101B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105562863A (zh) * | 2016-02-02 | 2016-05-11 | 青岛歌尔声学科技有限公司 | 一种器件焊接方法 |
| CN110256096A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-09-20 | 安徽华东光电技术研究所有限公司 | 多个陶瓷基板与壳体回流焊接的工艺方法 |
| CN110961741A (zh) * | 2019-12-19 | 2020-04-07 | 中国科学院电子学研究所 | 一种ltcc基板钎焊方法 |
| CN110961740A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-04-07 | 中国科学院电子学研究所 | 带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05262577A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-12 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスと金属との複合体 |
| CN103489847A (zh) * | 2013-10-11 | 2014-01-01 | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 | 一种用于元器件组装的pga/bga三维结构及其制作方法 |
| CN104125722A (zh) * | 2014-08-12 | 2014-10-29 | 上海航天电子通讯设备研究所 | 微波基板与壳体的焊接工艺及其焊接机构 |
-
2015
- 2015-07-23 CN CN201510446745.5A patent/CN104987101B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05262577A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-12 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスと金属との複合体 |
| CN103489847A (zh) * | 2013-10-11 | 2014-01-01 | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 | 一种用于元器件组装的pga/bga三维结构及其制作方法 |
| CN104125722A (zh) * | 2014-08-12 | 2014-10-29 | 上海航天电子通讯设备研究所 | 微波基板与壳体的焊接工艺及其焊接机构 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 罗庆生: "用于制作蓝牙模块的LTCC集成基板", 《第十四届全国混合集成电路学术会议论文集》 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105562863A (zh) * | 2016-02-02 | 2016-05-11 | 青岛歌尔声学科技有限公司 | 一种器件焊接方法 |
| CN105562863B (zh) * | 2016-02-02 | 2019-02-26 | 青岛歌尔声学科技有限公司 | 一种器件焊接方法 |
| CN110256096A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-09-20 | 安徽华东光电技术研究所有限公司 | 多个陶瓷基板与壳体回流焊接的工艺方法 |
| CN110961740A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-04-07 | 中国科学院电子学研究所 | 带有深腔结构的Au基LTCC基板的焊接方法 |
| CN110961741A (zh) * | 2019-12-19 | 2020-04-07 | 中国科学院电子学研究所 | 一种ltcc基板钎焊方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104987101B (zh) | 2017-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104987101A (zh) | 一种提高相控阵雷达t/r组件质量的工艺方法 | |
| CN103551690B (zh) | 一种限幅器的制作方法 | |
| CN105530017B (zh) | 一种宽带收发系统接收前端的制作方法 | |
| CN106714471A (zh) | S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺 | |
| CN106658983B (zh) | L波段4瓦高增益宽带功率放大器的制作工艺 | |
| CN105099370B (zh) | 前置混频器的加工方法 | |
| CN105965120A (zh) | 一种GaAs微波功放芯片的半自动共晶焊接方法及产品 | |
| CN107367713A (zh) | K2波段接收机前端模块的制作加工方法 | |
| CN106686905A (zh) | 一种片状元器件的贴片工艺 | |
| CN102083281A (zh) | 一种提升高频qfn器件焊装可靠性的方法 | |
| CN102784742B (zh) | 一种轮胎压力监测传感器的灌胶工艺 | |
| CN103317203A (zh) | 微波基片焊结工艺 | |
| CN102881599A (zh) | Bga植球工艺 | |
| CN107612509A (zh) | L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法 | |
| CN105307419A (zh) | 一种有效降低pcba制造成本的制造方法 | |
| CN104271299B (zh) | 用于技术上优化地实施钎焊连接的方法 | |
| CN105405601A (zh) | 一种金属化铁氧体磁芯及其制备方法 | |
| CN116673561A (zh) | 一种激光焊接工艺 | |
| CN102509990A (zh) | 电连接器的成型方法 | |
| CN203120303U (zh) | 用于制造印刷电路板散热结构的装置 | |
| CN102076178B (zh) | 印刷锡膏夹具及使用该夹具修理集成电路板的方法 | |
| CN201667341U (zh) | 采用贴装方式的太阳能电池组件 | |
| CN108620702A (zh) | 一种表面贴装焊接方法及设备 | |
| CN106299582B (zh) | 移相器的制作方法 | |
| CN201985082U (zh) | 芯片上锡装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 241000 0 Eshan Road, high tech Development Zone, Yijiang District, Wuhu City, Anhui Province Patentee after: ANHUI HUADONG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY INSTITUTE Co.,Ltd. Address before: 241000 Anhui Province, Wuhu city Yijiang District South high tech Development Zone Technology Park mansion Patentee before: Anhui Huadong Polytechnic Institute |
|
| CP03 | Change of name, title or address |