CN105099370B - 前置混频器的加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种前置混频器的加工方法，该方法包括：步骤1，将电路板烧结在垫板上；步骤2，将阻容器件、电感和型号为HMC482ST89的芯片焊接在电路板上；步骤3，将腔体和接头通过焊锡膏进行烧结得到烧结后腔体；步骤4，将功率芯片共晶在钨铜载体上得到共晶芯片；步骤5，将所述共晶芯片通过导电胶粘贴于所述电路板上；步骤6，将粘有共晶芯片的电路板进行金丝键合；步骤7，将金丝键合后的电路板安装入所述烧结后腔体中。该前置混频器的加工方法克服了现有技术中的制作工艺复杂，质量不稳定的情况，实现了简化工艺提高质量的作用。
Description
技术领域
本发明涉及微电子模块制作加工工艺的技术领域，具体地，涉及一种前置混频器的加工方法。
背景技术
前置混频放大器是射频系统的重要组成部分，它把接收到的射频信号下变频到频率较低的中频，再经过低噪声放大器放大微弱的信号。这种前置混频放大器现已广泛应用于微波通信、雷达、遥控、遥感，还是侦查与电子对抗，以及许多微波测量系统。
该产品的工作频率高，要求产品有高的隔离度和较高的增益等技术指标。而传统工艺繁琐，质量不稳定，并且也难以保证实现设计要求的高隔离度和较高增益的技术指标。
发明内容
本发明的目的是提供一种前置混频器的加工方法，该前置混频器的加工方法克服了现有技术中的制作工艺复杂，质量不稳定的情况，实现了简化工艺提高质量的作用。
为了实现上述目的，本发明提供了一种前置混频器的加工方法，该方法包括：
步骤1，将电路板烧结在垫板上；
步骤2，将阻容器件、电感和型号为HMC482ST89的芯片焊接在电路板上；
步骤3，将腔体和接头通过焊锡膏Cr37进行烧结得到烧结后腔体；
步骤4，将功率芯片共晶在钨铜载体上得到共晶芯片；
步骤5，将所述共晶芯片通过导电胶粘贴于所述电路板上；
步骤6，将粘有共晶芯片的电路板进行金丝键合；
步骤7，将金丝键合后的电路板安装入所述烧结后腔体中。
优选地，在步骤1中，将电路板烧结在垫板上的方法：
将电路板的底面朝上放置在滤纸上，并沿电路板的底面金层的边缘进行切割；将切好的电路板放置于所述垫板的凹槽内，擦拭所述电路板的底面与垫板表面；在电路板上的方形孔洞周围的三条微带线处涂上一层红胶；将电路板和滤纸放入干燥箱中烘烤30分钟；用刀片在垫板的凹槽处涂上一层均匀平整的熔点为183℃的焊锡膏Cr37，所述焊锡膏的厚度为凹槽深度的50-80％；当电路板的温度为10-25℃时，将所述电路板放置在所述垫板上并轻轻压平；将垫板和电路板放入回流板上的滤纸上并加热30-60秒，当所述焊锡膏融化后，将所述垫板和电路板移出回流板；在所述焊锡膏固化前压住电路板。
优选地，在步骤2中，将阻容器件、电感和型号为HMC482ST89的芯片焊接在电路板上的方法包括：
将烧结后的电路板在95-105℃的情况下，加热1-2分钟；在显微镜下用电烙铁对多个电阻、多个电容、电感和型号为HMC482ST89的芯片进行焊接，将电烙铁的接地端的温度设置为300-350℃，且非接地端的温度设置为250-300℃；将两根航空导线的第一端焊接在电路板的指定上；焊接完成后将电路板放置在滤纸上冷却至25℃。
优选地，在步骤3中，将腔体和接头通过焊锡膏进行烧结得到烧结后腔体的方法包括：用细针在波导转微带接头、型号为KS11-11的接头和两个绝缘子的焊接处涂上一层焊锡膏Cr37；将涂好焊锡膏的波导转微带接头、型号为KS11-11的接头和两个绝缘子安装在腔体上得到安装完成腔体，型号为KS11-11的接头在腔体内的一端需保持水平；将安装完成腔体放置于回流板上进行烧结，波导转微带接头的侧面竖直朝下放置；将电烙铁放置于焊接处以使得焊锡膏融化均匀；焊接完成后将烧结后的腔体冷却至25℃。
优选地，在步骤4中，将功率芯片共晶在钨铜载体上得到共晶芯片的方法包括：
将上表面放置有金锡焊片的钨铜载体夹在温度为300℃加热平台上；当焊片融化的时，将焊锡均匀的融化在钨铜载体的上表面；将型号为HMC553的芯片在钨铜载体上来回摩擦；取出型号为HMC553的芯片和钨铜载体，并冷却至25℃。
优选地，在步骤5中，将所述共晶芯片通过导电胶粘贴于所述电路板上的方法包括：
用细针在电路板粘接共晶芯片的位置处点上导电胶；在显微镜下用镊子将共晶后的共晶芯片压在导电胶上，将压有共晶芯片的电路板放入烘箱中烘烤1-1.5小时；将烘烤结束后的电路板放置于洁净的滤纸，并冷却至25℃。
优选地，在步骤6中，将粘有共晶芯片的电路板进行金丝键合的方法包括：
将粘有共晶芯片的电路板平整地固定在温度为95-105℃的加热平台上；调整工作台的高度，以使得劈刀尖处于最低时的高度低于所需键合的芯片的表面；对共晶芯片进行金丝球焊；对微带上的键合接合处进行补球；将电路板放置在滤纸上冷却至25℃。
优选地，在步骤7中，将金丝键合后的电路板安装入所述烧结后腔体中的方法包括：将键合后的电路板安装在烧结后的腔体内，并固定；将2个SMA接头装入腔体的对应位置，并固定；用电烙铁进行波导转微带接头、KS11-11接头和微带线的焊接；用电烙铁将两根航空导线的第二段焊在对应的绝缘子上。
优选地，该方法还包括：
步骤8，通过激光密封所述腔体。
通过上述实施方式，本发明提供的这种工艺制作方法可以通过降低寄生电感和噪声辐射的方法，使得产品能完全满足设计要求的高隔离度和较高增益的技术指标，同时工艺简单、易操作且质量稳定，使产品可靠性得到很大提高。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
具体实施方式
以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
本发明提供一种前置混频器的加工方法，该方法包括：
步骤1，将电路板烧结在垫板上；
步骤2，将阻容器件、电感和型号为HMC482ST89的芯片焊接在电路板上；
步骤3，将腔体和接头通过焊锡膏Cr37进行烧结得到烧结后腔体；
步骤4，将功率芯片共晶在钨铜载体上得到共晶芯片；
步骤5，将所述共晶芯片通过导电胶粘贴于所述电路板上；
步骤6，将粘有共晶芯片的电路板进行金丝键合；
步骤7，将金丝键合后的电路板安装入所述烧结后腔体中。
通过上述实施方式，本发明提供的这种工艺制作方法可以通过降低寄生电感和噪声辐射的方法，使得产品能完全满足设计要求的高隔离度和较高增益的技术指标，同时工艺简单、易操作且质量稳定，使产品可靠性得到很大提高。
以下对本发明进行进一步的说明，在每一个步骤中，本发明通过以下具体的方式，实现了前置混频器的制作。
在本发明的一种具体实施方式中，在步骤1中，将电路板烧结在垫板上的方法具体包括：
将电路板的底面朝上放置在滤纸上，并沿电路板的底面金层的边缘用锤子和刀片进行切割；将切好的电路板放置于所述垫板的凹槽内，擦拭所述电路板的底面与垫板表面；在电路板上的方形孔洞周围的三条微带线处涂上一层红胶(回天588)；将电路板和滤纸放入干燥箱中烘烤30分钟；用刀片在垫板的凹槽处涂上一层均匀平整的熔点为183℃的焊锡膏Cr37，其中所述焊锡膏的型号为MM01297，所述焊锡膏的厚度为凹槽深度的50-80％；当电路板的温度为10-25℃时，将所述电路板放置在所述垫板上并轻轻压平；将垫板和电路板放入回流板上的滤纸上并加热30-60秒，当所述焊锡膏融化后，将所述垫板和电路板移出回流板，加热过程中在电路板非金层处用镊子轻轻按压电路板以确保焊接面无空洞；在所述焊锡膏固化前用镊子的侧面压住电路板，以确保电路板的平整无翘曲。
在本发明的一种具体实施方式中，在步骤2中，将阻容器件、电感和型号为HMC482ST89的芯片焊接在电路板上的方法包括：
将烧结后的电路板在95-105℃的情况下，加热1-2分钟，在加热平台上对电路板进行加热；在显微镜下用电烙铁对多个电阻、多个电容、电感和型号为HMC482ST89的芯片进行焊接，将电烙铁的接地端的温度设置为300-350℃，且非接地端的温度设置为250-300℃；将两根航空导线的第一端焊接在电路板的指定上；焊接完成后将电路板放置在滤纸上自然冷却至常温，其中常温为25℃。
在该种实施方式中，在步骤3中，将腔体和接头通过焊锡膏Cr37进行烧结得到烧结后腔体的方法包括：用细针在波导转微带接头、型号为KS11-11的接头和两个绝缘子的焊接处涂上一层焊锡膏Cr37，其中焊锡膏的型号为MM01297；将涂好焊锡膏的波导转微带接头、型号为KS11-11的接头和两个绝缘子安装在腔体上得到安装完成腔体，型号为KS11-11的接头在腔体内的一端需保持水平；将安装完成腔体放置于回流板上进行烧结，波导转微带接头的侧面竖直朝下放置；将电烙铁放置于焊接处以使得焊锡膏融化均匀；焊接完成后将烧结后的腔体冷却至25℃。
在该种实施方式中，在步骤4中，将功率芯片共晶在钨铜载体上得到共晶芯片的方法包括：
打开加热平台，将上表面放置有金锡焊片的钨铜载体夹在温度为300℃加热平台上，将温度设为300℃代用，用刀片切一块1.1mm×0.8mm的钨铜载体；切一块与芯片类似大小的80Au20Sn金锡焊片待用，当焊片融化的时，将焊锡均匀的融化在钨铜载体的上表面；将型号为HMC553的芯片在钨铜载体上来回摩擦，这样可以确保芯片底面能与焊锡的充分接触；将芯片在载体上居中放置，取出型号为HMC553的芯片和钨铜载体，并冷却至常温，即为25℃。
在该种实施方式中，在步骤5中，将所述共晶芯片通过导电胶粘贴于所述电路板上的方法包括：
用细针在电路板粘接共晶芯片的位置处点上导电胶；在显微镜下用镊子将共晶后的共晶芯片压在导电胶上，确保载体四周至少三边有导电胶溢出且芯片表面无导电胶后，将压有共晶芯片的电路板放入烘箱中烘烤1-1.5小时；将烘烤结束后的电路板放置于洁净的滤纸，并冷却至常温，其中常温为25℃。
在该种实施方式中，在步骤6中，将粘有共晶芯片的电路板进行金丝键合的方法包括：
将粘有共晶芯片的电路板平整地固定在温度为95-105℃的加热平台上；调整工作台的高度，以使得劈刀尖处于最低时的高度低于所需键合的芯片的表面；对共晶芯片进行金丝球焊；对微带上的键合接合处进行补球；将电路板放置在滤纸上冷却至常温，其中常温为25℃。
在该种实施方式中，在步骤7中，将金丝键合后的电路板安装入所述烧结后腔体中的方法包括：将键合后的电路板安装在烧结后的腔体内，安装M2螺钉和垫片，用十字改刀拧紧螺钉固定；将2个SMA接头装入腔体的对应位置，安装M2.5螺钉和垫片，用十字改刀拧紧螺钉固定；用电烙铁进行波导转微带接头、KS11-11接头和微带线的焊接；用电烙铁将两根航空导线的第二段焊在对应的绝缘子上。
在该种实施方式中，该方法还包括：步骤8，通过激光密封所述腔体。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (7)
1.一种前置混频器的加工方法，其特征在于，该方法包括：
步骤1，将电路板烧结在垫板上；
步骤2，将阻容器件、电感和型号为HMC482ST89的芯片焊接在电路板上；
步骤3，将腔体和接头通过焊锡膏Cr37进行烧结得到烧结后腔体；
步骤4，将功率芯片共晶在钨铜载体上得到共晶芯片；
步骤5，将所述共晶芯片通过导电胶粘贴于所述电路板上；
步骤6，将粘有共晶芯片的电路板进行金丝键合；
步骤7，将金丝键合后的电路板安装入所述烧结后腔体中；
在步骤1中，将电路板烧结在垫板上的方法包括：
将电路板的底面朝上放置在滤纸上，并沿电路板的底面金层的边缘进行切割；将切好的电路板放置于所述垫板的凹槽内，擦拭所述电路板的底面与垫板表面；在电路板上的方形孔洞周围的三条微带线处涂上一层红胶；将电路板和滤纸放入干燥箱中烘烤30分钟；用刀片在垫板的凹槽处涂上一层均匀平整的熔点为183℃的焊锡膏Cr37，所述焊锡膏的厚度为凹槽深度的50-80％；当电路板的温度为10-25℃时，将所述电路板放置在所述垫板上并轻轻压平；将垫板和电路板放入回流板上的滤纸上并加热30-60秒，当所述焊锡膏融化后，将所述垫板和电路板移出回流板；在所述焊锡膏固化前压住电路板；
在步骤2中，将阻容器件、电感和型号为HMC482ST89的芯片焊接在电路板上的方法包括：
将烧结后的电路板在95-105℃的情况下，加热1-2分钟；在显微镜下用电烙铁对多个电阻、多个电容、电感和型号为HMC482ST89的芯片进行焊接，将电烙铁的接地端的温度设置为300-350℃，且非接地端的温度设置为250-300℃；将两根航空导线的第一端焊接在电路板的指定上；焊接完成后将电路板放置在滤纸上冷却至25℃。
2.根据权利要求1所述的前置混频器的加工方法，其特征在于，在步骤3中，将腔体和接头通过焊锡膏Cr37进行烧结得到烧结后腔体的方法包括：用细针在波导转微带接头、型号为KS11-11的接头和两个绝缘子的焊接处涂上一层焊锡膏；将涂好焊锡膏的波导转微带接头、型号为KS11-11的接头和两个绝缘子安装在腔体上得到安装完成腔体，型号为KS11-11的接头在腔体内的一端需保持水平；将安装完成腔体放置于回流板上进行烧结，波导转微带接头的侧面竖直朝下放置；将电烙铁放置于焊接处以使得焊锡膏融化均匀；焊接完成后将烧结后的腔体冷却至25℃。
3.根据权利要求1所述的前置混频器的加工方法，其特征在于，在步骤4中，将功率芯片共晶在钨铜载体上得到共晶芯片的方法包括：
将上表面放置有金锡焊片的钨铜载体夹在温度为300℃加热平台上；当焊片融化的时，将焊锡均匀的融化在钨铜载体的上表面；将型号为HMC553的芯片在钨铜载体上来回摩擦；取出型号为HMC553的芯片和钨铜载体，并冷却至25℃。
4.根据权利要求1所述的前置混频器的加工方法，其特征在于，在步骤5中，将所述共晶芯片通过导电胶粘贴于所述电路板上的方法包括：
用细针在电路板粘接共晶芯片的位置处点上导电胶；在显微镜下用镊子将共晶后的共晶芯片压在导电胶上，将压有共晶芯片的电路板放入烘箱中烘烤1-1.5小时；将烘烤结束后的电路板放置于洁净的滤纸，并冷却至25℃。
5.根据权利要求1所述的前置混频器的加工方法，其特征在于，在步骤6中，将粘有共晶芯片的电路板进行金丝键合的方法包括：
将粘有共晶芯片的电路板平整地固定在温度为95-105℃的加热平台上；调整工作台的高度，以使得劈刀尖处于最低时的高度低于所需键合的芯片的表面；对共晶芯片进行金丝球焊；对微带上的键合接合处进行补球；将电路板放置在滤纸上冷却至25℃。
6.根据权利要求1所述的前置混频器的加工方法，其特征在于，在步骤7中，将金丝键合后的电路板安装入所述烧结后腔体中的方法包括：将键合后的电路板安装在烧结后的腔体内，并固定；将2个SMA接头装入腔体的对应位置，并固定；用电烙铁进行波导转微带接头、KS11-11接头和微带线的焊接；用电烙铁将两根航空导线的第二端焊在对应的绝缘子上。
7.根据权利要求1所述的前置混频器的加工方法，其特征在于，该方法还包括：
步骤8，通过激光密封所述腔体。
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| Date | Code | Title | Description |
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| TR01 | Transfer of patent right |
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Effective date of registration: 20200327 Address after: 241000 Emshan Road, Wuhu High-tech Industrial Development Zone, Anhui Province, 01 Patentee after: ANHUI HUADONG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY INSTITUTE Co.,Ltd. Address before: 241000 No. 4 Building of Huaxia Science and Technology Park, Yijiang District, Wuhu City, Anhui Province Patentee before: SINO TEKCO MICROWAVE SYSTEM Co.,Ltd. |