CN109660222A - 一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其加工步骤如下：S1：将电路板、芯片载体，绝缘子烧结到变频器腔体上；S2：将裸芯片放大器、芯片电容共晶到芯片载体上；S3：将相关器件烧结到到电路板上；S4：将MEMS滤波器粘接到芯片载体上；S5：金丝键合；S6：对装配完成的腔体贴片组件进行封盖、测试。经过此工艺生产的Ku频段上变频器腔体滤波器经过测试、高低温实验以及整机调试，各项性能指标都能达到整机要求；且生产此滤波器的工艺流程科学、简单、方便，生产的产品合格率也有很大的提高，大大降低了生产成本、提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明主要涉及变频器模块制作的技术领域，具体涉及一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法。
背景技术
现代通讯中，由于有线、移动、通讯业务的迅速发展，微波低频段存在频率拥堵现象，已不能满足通讯业务的发展，开发高频段使之成为必要， Ku频段作为高频段的一个重要波段，由于其传输容量大、受外界影响小、天线增益高及方向性好等特点，常常用作地面通信站的通信，而变频器是收发系统的核心部件，主要利用非线性器件的频谱搬移作用将频率改变，上变频器是将低频信号变成高频信号，再通过功放将信号发射出去，从而实现信号的空间转播。本发明涉及到的就是将混频的信号放大后再进行滤波的滤波器部分。针对该部分的制作方法仍存在不足之处，合格率和生产效率方面仍有待提高。
发明内容
本发明主要提供了一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，用以解决上述背景技术中提出的技术问题。
本发明解决上述技术问题采用的技术方案为：
一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，包括电路板、芯片载体、绝缘子、芯片放大器、芯片电容和MEMS滤波器，所述变频器的加工步骤如下：
S1：将电路板、芯片载体，绝缘子烧结到变频器腔体上；
S2：将裸芯片放大器、芯片电容共晶到芯片载体上；
S3：将相关器件烧结到到电路板上；
S4：将MEMS滤波器粘接到芯片载体上；
S5：金丝键合；
S6：对装配完成的腔体贴片组件进行封盖、测试。
一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，所述变频器加工步骤S1的具体操作过程如下：
S11：用50℃的酒精清洗所述变频器腔体，再将清洗完成后的变频器腔体放置在腔体周转盒内，一段时间后，待其自然冷却并且干燥；
S12：用点胶机将电路板的底面和芯片载体Mo80Cu20的焊盘处均匀的涂上一层焊锡膏SN63CR32，在滤波器腔体内，在电路板与芯片载体Mo80Cu20对应的位置上均匀涂上183℃的焊锡膏SN63CR32，然后再将电路板与芯片载体Mo80Cu20放置在滤波器腔体内对应的位置上；
S13：再用点胶机将绝缘子142-1000-002的外侧与绝缘子在腔体的过孔位置涂上一圈焊锡膏，最后将绝缘子142-1000-002安装在腔体的过孔位置，将点胶机设置为连续点胶模式；
S14：打开加热台，将加热台的温度调节到190℃-200℃之间，将准备好的烧结组件放在加热台上烧结，烧结完成后再将烧结组件移到散热平台上，等待其自然冷却，最后再用酒精棉清理烧结组件。
一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，所述变频器加工步骤S2的具体操作过程如下：
S21：选取合适的芯片载体，清洗后再晾干，再利用50℃的酒精对其清洗，清洗完成后放在芯片载体周转盒内，一段时间后等其自然冷却并干燥；
S22：打开加热台，将温度调节到300℃，然后将共晶台放到热台上加热，一段时间后再将芯片载体放到共晶台上加热，粘取少量熔点为280℃的金焊锡膏放在芯片载体上，待一段时间锡膏熔化后，将裸芯片放大器、芯片电容放到芯片载体上；
S23：共晶完成后，将裸芯片放大器、芯片电容与芯片载体结合的共晶组件放入对应的周转盒内，依次将共晶台也取下，关闭加热台。
一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，所述变频器加工步骤S3的具体操作过程如下：
S31：将腔体滤波器烧结组件用50℃的酒精清洗，清洗完成后放在烧结组件周转盒内，一段时间后等其自然冷却并干燥；
S32：用点胶机在电路板焊盘处涂上140℃的焊锡膏Sn43Pb43Bi14，再将电容、电阻、混频器依次放在涂有焊锡膏Sn43Pb43Bi14的焊盘处，将点胶机设置为连续点胶模式；
S33：用点胶机将裸芯片放大器共晶组件下方的焊盘处均匀的涂上一层140℃的焊锡膏Sn43Pb43Bi14，同时相应的腔体位置也涂上均匀适量的140℃的焊锡膏Sn43Pb43Bi14，再将裸芯片放大器共晶组件小心且正确的放在腔体的相应位置，将点胶机设置为连续点胶模式；
S34：打开加热台，将温度调节到160℃，将烧结组件放在加热台上加热烧结，一段时间后将完成的整个贴片组件取下至散热平台，等待其冷却；
S35：在滤波器腔体烧结组件的芯片载体上均匀的涂上H20E Kit PartA PB143375与H20E Kit PartB PB143374混合搅拌制得的导电胶，再将MEMS滤波器取出，并且在其正反面上涂上适量的导电胶，再将MEMS滤波器粘接在芯片载体对应的位置上；
S36：在清洗机的清洗槽内放置适量的清洗剂ABZOL CEG CLEANER，再将清洗机的温度打到50℃，再将上述腔体贴片组件放到汽相清洗机中，使贴片组件在清洗槽内热煮泡30分钟后，将贴片组件取出至贴片组件周转盒内，一段时间后等其自然冷却并干燥。
一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，所述变频器加工步骤S5的具体操作过程如下：
S51：打开键合加热台，安装球焊瓷嘴，将键合加热台的温度调节到90℃，预热15分钟；
S52：将腔体贴片组件固定在键合加热台上，再将安装有贴片组件的键合加热台移至显微镜下；
S53：金丝键合。
一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，所述变频器加工步骤S6的具体操作过程如下：
S61：金丝键合完成后，将腔体贴片组件盖上盖板，使用5根M2×4不锈钢十字圆头螺钉将盖板拧紧；
S62：将封盖的腔体贴片组件两端加上两个SMA-KFD113射频接头，再将两个SMA-KFD113射频接头分别用两个M2×5不锈钢十字圆头螺钉拧紧即可。
优选的，所述芯片放大器包括变频器放大器HMC516和变频器放大器HMC903。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
经过此工艺生产的Ku频段上变频器腔体滤波器经过测试、高低温实验以及整机调试，各项性能指标都能达到整机要求；且生产此滤波器的工艺流程科学、简单、方便，生产的产品合格率也有很大的提高，大大降低了生产成本、提高了生产效率。
以下将结合附图与具体的实施例对本发明进行详细的解释说明。
附图说明
图1为Ku频段上变频器腔体烧结组件示意图；
图2为Ku频段上变频器放大器HMC516的共晶组件示意图；
图3为Ku频段上变频器放大器HMC903的共晶组件示意图；
图4为Ku频段上变频器腔体贴片组件示意图；
图5为变频器放大器HMC5163金丝键合示意图；
图6为MEMS滤波器金丝键合示意图；
图7为变频器放大器HMC903金丝键合示意图；
图8为Ku频段上变频器腔体滤波器装配示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更加全面的描述，附图中给出了本发明的若干实施例，但是本发明可以通过不同的形式来实现，并不限于文本所描述的实施例，相反的，提供这些实施例是为了使对本发明公开的内容更加透彻全面。
一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，具体加工步骤如下：
请参照附图1，S1：将电路板、芯片载体，绝缘子烧结到变频器腔体上；
S11：用50℃的酒精清洗所述变频器腔体，再将清洗完成后的变频器腔体放置在腔体周转盒内，一段时间后，待其自然冷却并且干燥；
S12：用点胶机将电路板的底面和芯片载体Mo80Cu20的焊盘处均匀的涂上一层焊锡膏SN63CR32，在滤波器腔体内，在电路板与芯片载体Mo80Cu20对应的位置上均匀涂上183℃的焊锡膏SN63CR32，然后再将电路板与芯片载体Mo80Cu20放置在滤波器腔体内对应的位置上；
S13：再用点胶机将绝缘子142-1000-002的外侧与绝缘子在腔体的过孔位置涂上一圈焊锡膏，最后将绝缘子142-1000-002安装在腔体的过孔位置，将点胶机设置为连续点胶模式；
S14：打开加热台，将加热台的温度调节到190℃-200℃之间，将准备好的烧结组件放在加热台上烧结，烧结完成后再将烧结组件移到散热平台上，等待其自然冷却，最后再用酒精棉清理烧结组件。
请继续参照附图2和附图3，S2：将裸芯片放大器、芯片电容共晶到芯片载体上；
S21：选取合适的芯片载体，清洗后再晾干，再利用50℃的酒精对其清洗，清洗完成后放在芯片载体周转盒内，一段时间后等其自然冷却并干燥；
S22：打开加热台，将温度调节到300℃，然后将共晶台放到热台上加热，一段时间后再将芯片载体放到共晶台上加热，粘取少量熔点为280℃的金焊锡膏放在芯片载体上，待一段时间锡膏熔化后，将裸芯片放大器、芯片电容放到芯片载体上；
S23：共晶完成后，将裸芯片放大器、芯片电容与芯片载体结合的共晶组件放入对应的周转盒内，依次将共晶台也取下，关闭加热台。
请继续参照附图1，S3：将相关器件烧结到到电路板上；
S31：将腔体滤波器烧结组件用50℃的酒精清洗，清洗完成后放在烧结组件周转盒内，一段时间后等其自然冷却并干燥；
S32：用点胶机在电路板焊盘处涂上140℃的焊锡膏Sn43Pb43Bi14，再将电容、电阻、混频器依次放在涂有焊锡膏Sn43Pb43Bi14的焊盘处，将点胶机设置为连续点胶模式；
S33：用点胶机将裸芯片放大器共晶组件下方的焊盘处均匀的涂上一层140℃的焊锡膏Sn43Pb43Bi14，同时相应的腔体位置也涂上均匀适量的140℃的焊锡膏Sn43Pb43Bi14，再将裸芯片放大器共晶组件小心且正确的放在腔体的相应位置，将点胶机设置为连续点胶模式；
S34：打开加热台，将温度调节到160℃，将烧结组件放在加热台上加热烧结，一段时间后将完成的整个贴片组件取下至散热平台，等待其冷却；
S35：在滤波器腔体烧结组件的芯片载体上均匀的涂上H20E Kit PartA PB143375与H20E Kit PartB PB143374混合搅拌制得的导电胶，再将MEMS滤波器取出，并且在其正反面上涂上适量的导电胶，再将MEMS滤波器粘接在芯片载体对应的位置上；
S36：在清洗机的清洗槽内放置适量的清洗剂ABZOL CEG CLEANER，再将清洗机的温度打到50℃，再将上述腔体贴片组件放到汽相清洗机中，使贴片组件在清洗槽内热煮泡30分钟后，将贴片组件取出至贴片组件周转盒内，一段时间后等其自然冷却并干燥。
请参照附图4，S4：将MEMS滤波器粘接到芯片载体上；
请参照附图5-7，S5：金丝键合；
S51：打开键合加热台，安装球焊瓷嘴，将键合加热台的温度调节到90℃，预热15分钟；
S52：将腔体贴片组件固定在键合加热台上，再将安装有贴片组件的键合加热台移至显微镜下；
S53：金丝键合。
请参照附图8，S6：对装配完成的腔体贴片组件进行封盖、测试；
S61：金丝键合完成后，将腔体贴片组件盖上盖板，使用5根M2×4不锈钢十字圆头螺钉将盖板拧紧；
S62：将封盖的腔体贴片组件两端加上两个SMA-KFD113射频接头，再将两个SMA-KFD113射频接头分别用两个M2×5不锈钢十字圆头螺钉拧紧即可。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，包括电路板、芯片载体、绝缘子、芯片放大器、芯片电容和MEMS滤波器，其特征在于，所述变频器的加工步骤如下：
S1：将电路板、芯片载体，绝缘子烧结到变频器腔体上；
S2：将裸芯片放大器、芯片电容共晶到芯片载体上；
S3：将相关器件烧结到到电路板上；
S4：将MEMS滤波器粘接到芯片载体上；
S5：金丝键合；
S6：对装配完成的腔体贴片组件进行封盖、测试。
2.根据权利要求1所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，所述变频器加工步骤S1的具体操作过程如下：
S11：用50℃的酒精清洗所述变频器腔体，再将清洗完成后的变频器腔体放置在腔体周转盒内，一段时间后，待其自然冷却并且干燥；
S12：用点胶机将电路板的底面和芯片载体的焊盘处均匀的涂上一层焊锡膏，在滤波器腔体内，在电路板与芯片载体对应的位置上均匀涂上适量的焊锡膏，然后再将电路板与芯片载体放置在滤波器腔体内对应的位置上；
S13：再用点胶机将绝缘子的外侧与绝缘子在腔体的过孔位置涂上一圈焊锡膏，最后将绝缘子安装在腔体的过孔位置，将点胶机设置为连续点胶模式；
S14：打开加热台，在加热台的温度调节至190℃-200℃之间，将准备好的烧结组件放在加热台上烧结，烧结完成后再将烧结组件移到散热平台上，等待其自然冷却，最后再用酒精棉清理烧结组件。
3.根据权利要求2所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，在上述步骤S12和步骤S13中，所述芯片载体的型号为（Mo80Cu20），所述绝缘子的型号为（142-1000-002），所述焊锡膏的型号为SN63CR32，且所述焊锡膏的的温度为183℃。
4.根据权利要求1所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，所述变频器加工步骤S2的具体操作过程如下：
S21：选取合适的芯片载体，清洗后再晾干，再利用50℃的酒精对其清洗，清洗完成后放在芯片载体周转盒内，一段时间后等其自然冷却并干燥；
S22：打开加热台，将温度调节到300℃，然后将共晶台放到热台上加热，一段时间后再将芯片载体放到共晶台上加热，粘取少量熔点为280℃的金焊锡膏放在芯片载体上，待一段时间锡膏熔化后，将裸芯片放大器、芯片电容放到芯片载体上；
S23：共晶完成后，将裸芯片放大器、芯片电容与芯片载体结合的共晶组件放入对应的周转盒内，依次将共晶台也取下，关闭加热台。
5.根据权利要求1所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，所述变频器加工步骤S3的具体操作过程如下：
S31：将腔体滤波器烧结组件用50℃的酒精清洗，清洗完成后放在烧结组件周转盒内，一段时间后等其自然冷却并干燥；
S32：用点胶机在电路板焊盘处涂上焊锡膏，再将电容、电阻、混频器依次放在涂有焊锡膏的焊盘处，将点胶机设置为连续点胶模式；
S33：用点胶机将裸芯片放大器共晶组件下方的焊盘处均匀的涂上一层焊锡膏，同时相应的腔体位置也涂上均匀适量的焊锡膏，再将裸芯片放大器共晶组件放在腔体的相应位置，将点胶机设置为连续点胶模式；
S34：打开加热台，将温度调节到160℃，将烧结组件放在热台上加热烧结，一段时间后将完成的整个贴片组件取下至散热平台，等待其冷却；
S35：在滤波器腔体烧结组件的芯片载体上均匀的涂上导电胶，将MEMS滤波器取出，并且在其正反面上涂上适量的导电胶，再将MEMS滤波器粘接在芯片载体对应的位置上；
S36：在清洗机的清洗槽内放置适量的清洗剂，再将清洗机的温度打到50℃，再将上述腔体贴片组件放到汽相清洗机中，使贴片组件在清洗槽内热煮泡30分钟后，将贴片组件取出至贴片组件周转盒内，一段时间后等其自然冷却并干燥。
6.根据权利要求5所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，在上述步骤S22和步骤S23中，所述焊锡膏的型号为Sn43Pb43Bi14，且温度在140℃。
7.根据权利要求5所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，在上述步骤S24中，所述导电胶通过H20E Kit PartA PB143375与H20E Kit PartB PB143374的混合搅拌制得。
8.根据权利要求1所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，所述变频器加工步骤S5的具体操作过程如下：
S51：打开键合加热台，安装球焊瓷嘴，将键合加热台的温度调节到90℃，预热15分钟；
S52：将腔体贴片组件固定在键合加热台上，再将安装有贴片组件的键合加热台移至显微镜下；
S53：金丝键合。
9.根据权利要求1所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，所述变频器加工步骤S6的具体操作过程如下：
S61：金丝键合完成后，将腔体贴片组件盖上盖板，使用5根M2×4不锈钢十字圆头螺钉将盖板拧紧；
S62：将封盖的腔体贴片组件两端加上两个SMA-KFD113射频接头，再将两个SMA-KFD113射频接头分别用两个M2×5不锈钢十字圆头螺钉拧紧即可。
10.根据权利要求1所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，所述芯片放大器包括变频器放大器HMC516和变频器放大器HMC903。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20190419 |
|
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |