CN107645848A - 微波功率放大器模块的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种微波功率放大器模块的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：步骤1，制作射频电路板组件(8)；步骤2，制作电源电路板组件(9)：将电源电路板组件需要的元器件烧结到电源电路板上；步骤3，电装；步骤4，焊接导线；步骤5，测试并封盖，封盖是将盖板安装固定到腔体(1)上。该微波功率放大器模块的加工方法克服现有技术中的微波功率放大器模块的生产工艺流程复杂，产品合格率低，可能不适合批量生产的问题。

Description

微波功率放大器模块的加工方法
技术领域
本发明涉及微波模块的加工方法领域，具体地，涉及一种微波功率放大器模块的加工方法。
背景技术
在现代微波无线通信系统中，信息传输正朝着多载波、大容量、高速度方向迅猛发展。微波功率放大器近年来已广泛应用于雷达、电子对抗、广播电视等领域，它具有体积小、重量轻、耗电少、可靠性高等特点。微波功率放大器是微波通信设备的重要部件，它的性能在很大程度上影响通信的质量。性能优良的功率放大器，除了精确合理的电路和结构设计作保证外，还要有良好的生产工艺。但是现有技术中的微波功率放大器模块的生产工艺流程复杂，产品合格率低，可能不适合批量生产。
因此，提供一种在使用过程中可以有效地提高产品合格率，更加科学实用，为批量化生产提供了有力保障，制作工艺流程简单，设备投资小，适用大批量生产的微波功率放大器模块的加工方法是本发明亟需解决的问题。
发明内容
针对上述技术问题，本发明的目的是克服现有技术中的微波功率放大器模块的生产工艺流程复杂，产品合格率低，可能不适合批量生产的问题，从而提供一种在使用过程中可以有效地提高产品合格率，更加科学实用，为批量化生产提供了有力保障，制作工艺流程简单，设备投资小，适用大批量生产的微波功率放大器模块的加工方法。
为了实现上述目的，本发明提供了一种微波功率放大器模块的加工方法，所述加工方法包括：步骤1，制作射频电路板组件：首先分别制作一块与射频电路板形状相同的黄铜垫块以及金锡焊片，再将金锡焊片和射频电路板依次叠放在黄铜垫块上一起烧结，再将射频电路板组件需要的元器件烧结到射频电路板；最后制作放大器共晶组件并且将其烧结到射频电路板上；步骤2，制作电源电路板组件：将电源电路板组件需要的元器件烧结到电源电路板上；步骤3，电装：即将射频电路板组件和电源电路板组件、稳压器以及隔板分别安装固定到腔体上，再将4个M3穿心电容安装到隔板上，分别将2个M4穿心电容、M4接地柱以及SMA-KFD50射频连接器安装到腔体上；步骤4，焊接导线：用焊锡丝将SMA-KFD50射频连接器与射频电路板组件连接起来、将稳压器的引脚与电源电路板组件的焊盘搭接处连接起来、将M3穿心电容的一端与射频电路板组件焊接起来，另一端与电源电路板组件焊接起来，所述电源电路板组件还与所述M4穿心电容相连；步骤5，测试并封盖，封盖是将盖板安装固定到腔体上。
优选地，所述步骤1中所述黄铜垫块表面要镀金，且烧结前，所述黄铜垫块和所述金锡焊片上都喷洒免清洗助焊剂，在放入真空共晶炉内进行烧结。
优选地，所述步骤1中元器件的烧结温度为235-245℃。
优选地，放大器共晶组件的制作包括：将放大器芯片WFD027035-P41用金锡焊料共晶到钼铜载体上；再将6个芯片电容用导电胶H2OE粘接所述钼铜载体上，从而得到放大器共晶组件。
优选地，所述步骤1中放大器组件的烧结温度为205-215℃，且在烧结过程中待焊片熔化时，采用摩擦焊接的方式，用镊子夹取放大器共晶组件来回摩擦2-3次后使用。
优选地，所述射频电路板组件和所述电源电路板组件制作完成后都需要进行清洗和晾干。
优选地，所述清洗步骤为：首先放置在盛有清洗剂的清洗槽中热煮泡9-11min，然后再放置在盛有无水乙醇的培养皿中使用毛刷子进行刷洗。
根据上述技术方案，本发明提供的微波功率放大器模块的加工方法在使用过程中，先制作射频电路板组件，具体操作为：首先分别制作一块与射频电路板形状相同的黄铜垫块以及金锡焊片，再将金锡焊片和射频电路板依次叠放在黄铜垫块上一起烧结，再将射频电路板组件需要的元器件烧结到射频电路板；最后制作放大器共晶组件并且将其烧结到射频电路板上；再制作电源电路板组件，然后进行电装，就是将元器件和组件分别安装到腔体中，再将需要连接的元器件之间通过焊锡丝连接起来，实现电路功能，最后测试并封盖。本发明提供的微波功率放大器模块的加工方法克服现有技术中的微波功率放大器模块的生产工艺流程复杂，产品合格率低，可能不适合批量生产的问题。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明的一种优选的实施方式中提供的微波功率放大器模块的加工方法的流程框图；
图2是本发明的一种优选的实施方式中提供的微波功率放大器模块的加工方法中微波功率放大器模块装配图；
附图标记说明
1腔体 2放大器共晶组件
3M3穿心电容 4M4穿心电容
5SMA-KFD50射频连接器 6M4接地柱
7隔板 8射频电路板组件
9电源电路板组件 10稳压器
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
在本发明中，在未作相反说明的情况下，“正、反、内、外”等包含在术语中的方位词仅代表该术语在常规使用状态下的方位，或为本领域技术人员理解的俗称，而不应视为对该术语的限制。
如图1和图2所示，本发明提供了、一种微波功率放大器模块的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：步骤1，制作射频电路板组件8：首先分别制作一块与射频电路板形状相同的黄铜垫块以及金锡焊片，再将金锡焊片和射频电路板依次叠放在黄铜垫块上一起烧结，再将射频电路板组件8需要的元器件烧结到射频电路板；最后制作放大器共晶组件2并且将其烧结到射频电路板上；步骤2，制作电源电路板组件9：将电源电路板组件需要的元器件烧结到电源电路板上；步骤3，电装：即将射频电路板组件8和电源电路板组件9、稳压器10以及隔板7分别安装固定到腔体1上，再将4个M3穿心电容3安装到隔板7上，分别将2个M4穿心电容4、M4接地柱6以及SMA-KFD50射频连接器5安装到腔体1上；步骤4，焊接导线：用焊锡丝将SMA-KFD50射频连接器5与射频电路板组件8连接起来、将稳压器10的引脚与电源电路板组件9的焊盘搭接处连接起来、将M3穿心电容3的一端与射频电路板组件8焊接起来，另一端与电源电路板组件9焊接起来，所述电源电路板组件9还与所述M4穿心电容4相连；步骤5，测试并封盖，封盖是将盖板安装固定到腔体1上。
根据上述技术方案，本发明提供的微波功率放大器模块的加工方法在使用过程中，先制作射频电路板组件8，具体操作为：首先分别制作一块与射频电路板形状相同的黄铜垫块以及金锡焊片，再将金锡焊片和射频电路板依次叠放在黄铜垫块上一起烧结，再将射频电路板组件8需要的元器件烧结到射频电路板；最后制作放大器共晶组件2并且将其烧结到射频电路板上；再制作电源电路板组件9，然后进行电装，就是将元器件和组件分别安装到腔体中，再将需要连接的元器件之间通过焊锡丝连接起来，实现电路功能，最后测试并封盖。本发明提供的微波功率放大器模块的加工方法克服现有技术中的微波功率放大器模块的生产工艺流程复杂，产品合格率低，可能不适合批量生产的问题。
在本发明的一种优选的实施方式中，所述步骤1中所述黄铜垫块表面要镀金，且烧结前，所述黄铜垫块和所述金锡焊片上都喷洒免清洗助焊剂，在放入真空共晶炉内进行烧结。
本发明中为了使得元器件能够牢固地烧结到所述射频电路板焊盘上，也使得焊接的质量更好，在本发明的一种优选的实施方式中，所述步骤1中元器件的烧结温度为235-245℃，当然本发明对于烧结的具体温度不作限定。
在本发明的一种优选的实施方式中，放大器共晶组件2的制作包括：将放大器芯片WFD027035-P41用金锡焊料共晶到钼铜载体上；再将6个芯片电容用导电胶H2OE粘接所述钼铜载体上，从而得到放大器共晶组件2，其中，放大器芯片和芯片电容共用同一钼铜载体。
在本发明的一种优选的实施方式中，所述步骤1中放大器组件2的烧结温度为205-215℃，且在烧结过程中待焊片熔化时，采用摩擦焊接的方式，用镊子夹取放大器共晶组件2来回摩擦2-3次后使用，以去除芯片背面氧化物，减少气孔，而且相比较于用导电胶粘接，摩擦焊接的方式不仅增强焊接强度，而且散热效果更优。
在本发明的一种优选的实施方式中，所述射频电路板组件8和所述电源电路板组件9制作完成后都需要进行清洗和晾干，将所述射频电路板组件8和所述电源电路板组件9上多余的焊料和杂物去除干净，防止影响正常使用。
本发明中为了更加有效地将所述射频电路板组件8和所述电源电路板组件9清洗干净，在本发明的一种优选的实施方式中，所述清洗步骤为：首先放置在盛有清洗剂的清洗槽中热煮泡9-11min，然后再放置在盛有无水乙醇的培养皿中使用毛刷子进行刷洗。
以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (7)

1.一种微波功率放大器模块的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：
步骤1，制作射频电路板组件(8)：首先分别制作一块与射频电路板形状相同的黄铜垫块以及金锡焊片，再将金锡焊片和射频电路板依次叠放在黄铜垫块上一起烧结，再将射频电路板组件(8)需要的元器件烧结到射频电路板；最后制作放大器共晶组件(2)并且将其烧结到射频电路板上；
步骤2，制作电源电路板组件(9)：将电源电路板组件需要的元器件烧结到电源电路板上；
步骤3，电装：即将射频电路板组件(8)和电源电路板组件(9)、稳压器(10)以及隔板(7)分别安装固定到腔体(1)上，再将4个M3穿心电容(3)安装到隔板(7)上，分别将2个M4穿心电容(4)、M4接地柱(6)以及SMA-KFD50射频连接器(5)安装到腔体(1)上；
步骤4，焊接导线，实现电路功能：用焊锡丝将SMA-KFD50射频连接器(5)与射频电路板组件(8)连接起来、将稳压器(10)的引脚与电源电路板组件(9)的焊盘搭接处连接起来、将M3穿心电容(3)的一端与射频电路板组件(8)焊接起来，另一端与电源电路板组件(9)焊接起来，所述电源电路板组件(9)还与所述M4穿心电容(4)相连；
步骤5，测试并封盖，封盖是将盖板安装固定到腔体(1)上。
2.根据权利要求1所述的微波功率放大器模块的加工方法，其特征在于，所述步骤1中所述黄铜垫块表面要镀金，且烧结前，所述黄铜垫块和所述金锡焊片上都喷洒免清洗助焊剂，在放入真空共晶炉内进行烧结。
3.根据权利要求2所述的微波功率放大器模块的加工方法，其特征在于，所述步骤1中元器件的烧结温度为235-245℃。
4.根据权利要求3所述的微波功率放大器模块的加工方法，其特征在于，放大器共晶组件(2)的制作包括：将放大器芯片WFD027035-P41用金锡焊料共晶到钼铜载体上；再将6个芯片电容用导电胶H2OE粘接所述钼铜载体上，从而得到放大器共晶组件(2)。
5.根据权利要求4所述的微波功率放大器模块的加工方法，其特征在于，所述步骤1中放大器组件(2)的烧结温度为205-215℃，且在烧结过程中待焊片熔化时，采用摩擦焊接的方式，用镊子夹取放大器共晶组件(2)来回摩擦2-3次后使用。
6.根据权利要求1所述的微波功率放大器模块的加工方法，其特征在于，所述射频电路板组件(8)和所述电源电路板组件(9)制作完成后都需要进行清洗和晾干。
7.根据权利要求6所述的微波功率放大器模块的加工方法，其特征在于，所述清洗步骤为：首先放置在盛有清洗剂的清洗槽中热煮泡9-11min，然后再放置在盛有无水乙醇的培养皿中使用毛刷子进行刷洗。
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