CN106714471B - S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺,包括:步骤1:将绝缘子和Rogers电路板烧结到腔体上;步骤2:将多个元器件烧接或螺丝固定至Rogers电路板上;步骤3:将步骤2中通过螺丝固定的元器件焊接在Rogers电路板上;步骤4:对步骤3中组装好的器件进行调试和测试;步骤5:将步骤4中测试合格的组件封盖、打标。该制作工艺流程科学、精简,生产的产品合格率高,并且容易掌握。
Description
技术领域
本发明涉及微波模块制作加工工艺,具体地,涉及S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺。
背景技术
S波段广泛应用于信号中继、卫星通信、雷达通信等领域。
然而,S波段信号在传播过程中因其自身特性会产生阴影区问题,为解决S波段卫星信号阴影区问题而建立了S波段地面增补网络。在S波段地面增补转发过程中,根据阴影遮挡范围和实际覆盖环境,采用移频和同频两种转发方式。而不管是采用移频转发方式还是采用同频转发方式,地面接收到的信号最终都需要经过变频放大后以S波段频率重新发射,使覆盖范围内的S波段信号达到接收要求。
因此,急需要提供一种工艺流程科学、精简,生产的产品合格率高,易掌握的S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺。
发明内容
本发明的目的是提供一种S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺,该制作工艺流程科学、精简,生产的产品合格率高,并且容易掌握。
为了实现上述目的,本发明提供了一种S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺,包括:
步骤1:将绝缘子和Rogers电路板烧结到腔体上;
步骤2:将多个元器件烧接或螺丝固定至Rogers电路板上;
步骤3:将步骤2中通过螺丝固定的元器件焊接在Rogers电路板上;
步骤4:对步骤3中组装好的器件进行调试和测试;
步骤5:将步骤4中测试合格的组件封盖、打标。
优选地,步骤1包括:
首先,分别将S波段脉冲3瓦放大器的绝缘子、腔体、压块和Rogers电路板放在盛有60℃无水乙醇的培养皿中,并用刷子进行刷洗;将清洗干净后的绝缘子、腔体、压块和Rogers电路板放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃;
其次,开启点胶机,启用连续点胶模式并设置点胶机压力为45-60psi,分别在腔体上安装绝缘子的过孔内壁、过孔靠近腔体外面一端以及绝缘子外侧点涂一圈熔点为217℃的ALPHA OM338焊膏;在Rogers电路板背面印刷上熔点为217℃的ALPHA OM338焊膏,随后将刷有焊膏的Rogers电路板安装在腔体底部,再将多个微波绝缘子分别插入相对应的过孔内;在压块底部粘贴一层3M白色胶带,将压块底部放置在Rogers电路板上;
然后,将待焊接组件放在245-255℃的加热平台上进行焊接,待焊接完成后将焊好的组件放置在滤纸上自然冷却;
最后,将压块从冷却的组件上取下并使用气相清洗机清洗,将焊接好绝缘子和Rogers电路板的组件放置在盛有60℃ABZOL CEG CLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡18-22分钟后取出,取出后在盛有60℃无水乙醇的培养皿中刷洗4-6min,再将清洗后的组件放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃。
优选地,步骤2包括:
首先,用气动点胶机在清洗后的电路板焊盘处点上熔点为183℃的SN63CR32焊膏,并将元器件放置在对应安装位置的焊膏处;
然后,将放置好元器件的组件放在185-195℃的加热平台上进行烧结,待焊接完成后将焊好的组件放置在滤纸上自然冷却。
优选地,步骤3包括:
首先,使用183℃的、的63Sn37Pb焊锡丝在115-125℃的加热平台上将螺丝固定的元器件的引脚焊接至焊盘上,待焊接完成后将焊好的组件放置在滤纸上自然冷却;
然后,使用气相清洗机清洗并将焊好的组件放置在盛有60℃ABZOL CEG CLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡18-22分钟后取出,在盛有60℃无水乙醇的培养皿中刷洗4-6min,再将清洗后的组件放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃。
优选地,步骤5还包括:在清洗打标前,将加热平台温度设置为95-105℃,然后把盖板放置在调试好的组件腔体上并用120℃的焊锡丝将腔体和盖板密封焊接。
优选地,腔体为LY12硬铝材料制成且表面镀有一层镀银层。
优选地,压块为LY12硬铝材料制成。
优选地,Rogers电路板为RO4350板材,并且Rogers电路板的介电常数为3.48,厚度为0.254mm,铜厚为0.035mm。
优选地,在步骤1之前还包括:
首先,对Rogers电路板的表面做双面沉金处理;
然后,在Rogers电路板的顶层做阻焊绿油,Rogers电路板的底层不做处理;
最后,在Rogers电路板上制作金属化过孔。
根据上述技术方案,经过此工艺生产的S波段脉冲3瓦放大器经过测试、环境实验以及整机现场调试,各项性能指标完全达到整机要求。该工艺流程科学、精简,生产的产品合格率较高,对生产员工的要求不高,容易掌握。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是根据本发明提供的S波段脉冲3瓦放大器的腔体结构示意图;
图2是根据本发明提供的S波段脉冲3瓦放大器的腔体侧视图;
图3是根据本发明提供的S波段脉冲3瓦放大器的盖板结构示意图;
图4是根据本发明提供的S波段脉冲3瓦放大器的盖板侧视图;
图5是根据本发明提供的S波段脉冲3瓦放大器的压块结构示意图;
图6是根据本发明提供的S波段脉冲3瓦放大器的Rogers电路板示意图;
图7是本发明提供的S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺中绝缘子与Rogers电路板安装示意图;
图8是本发明提供的S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺中直接焊接的元器件的装配图;以及
图9是本发明提供的S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺中螺丝固定的元器件的装配图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
本发明提供一种S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺,包括:
步骤1:将绝缘子和Rogers电路板烧结到腔体上;
步骤2:将多个元器件烧接或螺丝固定至Rogers电路板上;
步骤3:将步骤2中通过螺丝固定的元器件焊接在Rogers电路板上;
步骤4:对步骤3中组装好的器件进行调试和测试;
步骤5:将步骤4中测试合格的组件封盖、打标。
具体的,步骤1包括:首先,分别将S波段脉冲3瓦放大器的绝缘子(如图7所示)、腔体(如图1和图2所示)、压块(如图5所示)和Rogers电路板(如图6所示)放在盛有60℃无水乙醇的培养皿中,并用刷子进行刷洗;将清洗干净后的绝缘子、腔体、压块和Rogers电路板放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃;其次,开启点胶机,启用连续点胶模式并设置点胶机压力为45-60psi,分别在腔体上安装绝缘子的过孔内壁、过孔靠近腔体外面一端以及绝缘子外侧点涂一圈熔点为217℃的ALPHA OM338焊膏;在Rogers电路板背面印刷上熔点为217℃的ALPHA OM338焊膏,随后将刷有焊膏的Rogers电路板安装在腔体底部,再将多个微波绝缘子分别插入相对应的过孔内;在压块底部粘贴一层3M白色胶带,将压块底部放置在Rogers电路板上;然后,将待焊接组件放在245-255℃的加热平台上进行焊接,待焊接完成后将焊好的组件放置在滤纸上自然冷却;最后,将压块从冷却的组件上取下并使用气相清洗机清洗,将焊接好绝缘子和Rogers电路板的组件放置在盛有60℃ABZOL CEGCLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡18-22分钟后取出,取出后在盛有60℃无水乙醇的培养皿中刷洗4-6min,再将清洗后的组件放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃。
步骤2包括:首先,用气动点胶机在清洗后的电路板焊盘处点上熔点为183℃的SN63CR32焊膏,并将元器件放置在对应安装位置的焊膏处;然后,将放置好元器件的组件放在185-195℃的加热平台上进行烧结,待焊接完成后将焊好的组件放置在滤纸上自然冷却。
步骤3包括:首先,使用183℃的、的63Sn37Pb焊锡丝在115-125℃的加热平台上将螺丝固定的元器件(如图9所示)的引脚焊接至焊盘上,待焊接完成后将焊好的组件放置在滤纸上自然冷却;然后,使用气相清洗机清洗并将焊好的组件放置在盛有60℃ABZOLCEG CLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡18-22分钟后取出,在盛有60℃无水乙醇的培养皿中刷洗4-6min,再将清洗后的组件放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃。
步骤5还包括:在清洗打标前,将加热平台温度设置为95-105℃,然后把盖板(如图3和图4所示)放置在调试好的组件腔体上并用120℃的焊锡丝将腔体和盖板密封焊接。
在一种实施方式中,上述步骤2中的元器件焊接如图8所示,其中,
R1、R2、R12、R13、R6为0Ω的电阻,R3为200Ω的电阻,R4为110Ω的电阻,R30、R11、R5、R7为6.8KΩ的电阻,R8为2.2KΩ的电阻,R9为3KΩ的电阻,R10为560Ω的电阻,R18为62Ω的电阻,R22为200Ω,R23为1.1KΩ,R24、R25、R27为51Ω,R26为5.1Ω,R28、R29为10Ω;L1为15nH的电感;C1、C8、C12为100pF的电容,C2、C7、C19为1uF的电容,C3为10uF的电容,C4、C5、C6为1uF的电容,C9、C10为68pF的点容,C11、C13、C15、C16、C18、C21、C22、C25为1nF的电容,C17、C23、C24为22pF的电容;IC6为隔离器DG012A-3.1-3.4,D1为二极管NZ9F5V1ST5G,Q2为三极管9013(SOT-23),Q1为晶体管IRFML9301TRBF,IC5为功率放大器AM324036-FM-R,IC4为射频放大器NBB 310,IC3为电源芯片TPS60403DBV,IC2为稳压芯片LM1963A,IC1为驱动器UCC27511DBV。
此外,为了便于焊锡的粘接,提高焊接效果,优选腔体为LY12硬铝材料制成且表面镀有一层镀银层。
为了在保证压块的高强度的同时使得其仍然具有良好的耐热性,优选地,压块为LY12硬铝材料制成。
同样的,为了使得Rogers电路板具有良好的机械性能和尺寸稳定性,提高其抗冲击性和耐湿性能,优选地,Rogers电路板为RO4350板材,并且Rogers电路板的介电常数为3.48,厚度为0.254mm,铜厚为0.035mm。
在使用Rogers电路板前,为了使得Rogers电路板上印刷线路表面上沉积颜色稳定、光亮度好,同时镀层平整且具有良好的可焊性,优选地,在步骤1之前还包括:
首先,对Rogers电路板的表面做双面沉金处理;
然后,在Rogers电路板的顶层做阻焊绿油,Rogers电路板的底层不做处理;
最后,在Rogers电路板上制作金属化过孔。
以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外,本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本发明的思想,其同样应当视为本发明所公开的内容。
Claims (8)
1.一种S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺,其特征在于,包括:
步骤1:将绝缘子和Rogers电路板烧接到腔体上;
步骤2:将多个元器件烧接或螺丝固定至Rogers电路板上;
步骤3:将步骤2中通过螺丝固定的元器件焊接在Rogers电路板上;
步骤4:对步骤3中组装好的器件进行调试和测试;
步骤5:将步骤4中测试合格的组件封盖、打标;
其中,步骤1包括:
首先,分别将S波段脉冲3瓦放大器的绝缘子、腔体、压块和Rogers电路板放在盛有60℃无水乙醇的培养皿中,并用刷子进行刷洗;将清洗干净后的绝缘子、腔体、压块和Rogers电路板放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃;
其次,开启点胶机,启用连续点胶模式并设置点胶机压力为45-60psi,分别在腔体上安装绝缘子的过孔内壁、过孔靠近腔体外面一端以及绝缘子外侧点涂一圈熔点为217℃的ALPHAOM338焊膏;在Rogers电路板背面印刷上熔点为217℃的ALPHAOM338焊膏,随后将刷有焊膏的Rogers电路板安装在腔体底部,再将多个绝缘子分别插入相对应的过孔内;在压块底部粘贴一层3M白色胶带,将压块底部放置在Rogers电路板上;
然后,将待焊接组件放在245-255℃的加热平台上进行焊接,待焊接完成后将焊好的组件放置在滤纸上自然冷却;
最后,将压块从冷却的组件上取下并使用气相清洗机清洗,将焊接好绝缘子和Rogers电路板的组件放置在盛有60℃ABZOL CEG CLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡18-22分钟后取出,取出后在盛有60℃无水乙醇的培养皿中刷洗4-6min,再将清洗后的组件放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃。
2.根据权利要求1所述的制作工艺,其特征在于,步骤2包括:
首先,用气动点胶机在清洗后的电路板焊盘处点上熔点为183℃的SN63CR32焊膏,并将元器件放置在对应安装位置的焊膏处;
然后,将放置好元器件的组件放在185-195℃的加热平台上进行烧结,待焊接完成后将焊好的组件放置在滤纸上自然冷却。
3.根据权利要求2所述的制作工艺,其特征在于,步骤3包括:
首先,使用183℃的、的63Sn37Pb焊锡丝在115-125℃的加热平台上将螺丝固定的元器件的引脚焊接至焊盘上,待焊接完成后将焊好的组件放置在滤纸上自然冷却;
然后,使用气相清洗机清洗并将焊好的组件放置在盛有60℃ABZOL CEG CLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡18-22分钟后取出,在盛有60℃无水乙醇的培养皿中刷洗4-6min,再将清洗后的组件放置在50℃的烘箱内烘烤4-6min后自然冷却至22-25℃。
4.根据权利要求3所述的制作工艺,其特征在于,步骤5还包括:在清洗打标前,将加热平台温度设置为95-105℃,然后把盖板放置在调试好的组件腔体上并用120℃的焊锡丝将腔体和盖板密封焊接。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的制作工艺,其特征在于,腔体为LY12硬铝材料制成且表面镀有一层镀银层。
6.根据权利要求5所述的制作工艺,其特征在于,压块为LY12硬铝材料制成。
7.根据权利要求6所述的制作工艺,其特征在于,Rogers电路板为RO4350板材,并且Rogers电路板的介电常数为3.48,厚度为0.254mm,铜厚为0.035mm。
8.根据权利要求7所述的制作工艺,其特征在于,在步骤1之前还包括:
首先,对Rogers电路板的表面做双面沉金处理;
然后,在Rogers电路板的顶层做阻焊绿油,Rogers电路板的底层不做处理;
最后,在Rogers电路板上制作金属化过孔。
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Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 241000 Emshan Road, Yijiang District, Wuhu City, Anhui Province Patentee after: ANHUI HUADONG PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY INSTITUTE Co.,Ltd. Address before: 241000 Huaxia science and Technology Park, Wuhu high tech Industrial Development Zone, Anhui Patentee before: Anhui Huadong Polytechnic Institute |
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