CN110957249B - 设备前端模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种设备前端模块，包括：运送室；装载端口模块，安装有前开式晶片传送盒；晶片运送机器人，位于所述运送室内，并且将所述前开式晶片传送盒中的晶片运送至工艺设备侧，其中所述前开式晶片传送盒安装在所述装载端口模块以与所述运送室连通；缓冲模块，在对所述装载端口模块安装所述前开式晶片传送盒之前/之后保管所述前开式晶片传送盒，并且对所述前开式晶片传送盒注入惰性气体以吹扫所述晶片。

Description

设备前端模块
技术领域
本发明涉及为了在工艺设备与晶片容纳容器之间传递晶片使用的设备前端模块(EFEM)。
背景技术
在半导体的制造工艺中，在干净的洁净室中处理晶片以提高产量和质量。然而，随着元件的高集成度，电路精密化或者晶片的大型化，在技术以及费用方面难以保持整个洁净室的清洁。
为了解决这一问题，最近只对晶片周围的空间管理清洁度。具体地说，在称为前开式晶片传送盒(FOUP，Front-Opening Unified Pod)的密封储存盒内部储存晶片。为了在用于加工晶片的工艺设备和前开式晶片传送盒之间传送晶片，正在利用称为设备前端模块(EFEM，Equipment Front End Module)的设备。这种设备前端模块通过对安装在装载端口模块的前开式晶片传送盒进行氮填充，来管理晶片的清洁度。
但是，在这种氮填充作业在设备前端模块的装载端口模块进行的情况下，车辆无法将前开式晶片传送盒放在该装载端口模块。据此，若待机到车辆完成氮填充作业，则降低车辆运营效率性。
装载端口模块也是直到氮填充完成为止无法进行其他作业。据此，降低设备前端模块以及工艺设备的产量。
进一步地说，晶片运送机器人当然也无法在运送室内效率性地进行作业。例如，如果是晶片运送机器人每小时处理20个前开式晶片传送盒(一个前开式晶片传送盒容纳25张晶片)的情况，则应该每三分钟在装载端口模块安装新的前开式晶片传送盒，才能最大限度的发挥作业效率。但是，若应该在安装在装载端口模块安装新的前开式晶片传送盒的时间点现有的前开式晶片传送盒在该装载端口模块正在进行氮填充作业，则无法达成上述作业效率。
发明内容
(要解决的问题)
本发明的目的在于提供如下的设备前端模块，在对前开式晶片传送盒充分进行填充惰性气体的作业的同时也可提高诸如车辆以及工艺设备的协同设备以及其自身的运用效率。
(解决问题的手段)
为了实现上述目的，根据本发明一方面的设备前端模块可包括：运送室；装载端口模块，安装有前开式晶片传送盒；晶片运送机器人，位于所述运送室内，并且将所述前开式晶片传送盒中的晶片运送至工艺设备侧，其中所述前开式晶片传送盒安装在所述装载端口模块以与所述运送室连通；以及缓冲模块，在对所述装载端口模块安装所述前开式晶片传送盒之前/之后保管所述前开式晶片传送盒，并且对所述前开式晶片传送盒注入惰性气体以吹扫所述晶片。
在此，所述缓冲模块包括：多个供应喷嘴，与所述前开式晶片传送盒的注入口连接，以向所述前开式晶片传送盒内供应所述惰性气体；以及缓冲控制单元，对各个所述多个供应喷嘴控制所述惰性气体的供应。
在此，所述缓冲模块还包括安装感应传感器，所述安装感应传感器感应所述前开式晶片传送盒的安装，且所述缓冲控制单元基于所述安装感应传感器的感应结果，可选择性管制对各个所述多个供应喷嘴的所述惰性气体的供应。
在此，所述缓冲模块还包括比例压力控制阀单元，所述比例压力控制阀单元调节供应于所述供应喷嘴的所述气体的流量，且所述缓冲控制单元控制所述比例压力控制阀单元的开关，以管制所述惰性气体的供应。
在此，所述缓冲模块包括：信息管理单元，获取记录于所述前开式晶片传送盒的信息储存单元的关于所述晶片的晶片信息；以及缓冲控制单元，控制所述信息管理单元，其中，所述缓冲控制单元可控制所述信息管理单元向所述信息储单元发送所述吹扫信息，以使所述晶片信息反映更新关于所述晶片吹扫的吹扫信息。
在此，所述缓冲模块还可包括：保管外壳；以及缓冲端口，支撑所述前开式晶片传送盒，并且移动于所述保管外壳的内侧以及外侧之间。
在此，所述缓冲端口可包括搁架，所述搁架以具有所述安装感应传感器以及所述供应喷嘴的状态下支撑所述前开式晶片传送盒。
在此，所述缓冲模块还包括升降单元，所述升降单元在所述缓冲端口与所述装载端口模块之间运送所述前开式晶片传送盒，其中，所述缓冲端口包括：对应缓冲端口，对应于所述装载端口模块；以及非对应缓冲端口，设置在所述对应搁架的侧方，且所述升降单元可移动于对应于所述对应缓冲端口以及所述非对应缓冲端口的位置之间。
在此，所述缓冲模块还可包括夹紧单元，所述夹紧单元设置在所述缓冲端口，并且根据在插入于所述前开式晶片传送盒的卡槽之后的姿势变化，卡在所述卡槽内的卡块。
在此，所述夹紧单元可包括：钩，对应于所述卡槽；以及旋转驱动部，旋转所述钩，以使所述钩卡在所述卡块。
在此，所述夹紧单元还可包括升降驱动部，所述升降驱动部在所述旋转驱动部运行之前上升所述钩，从而使所述钩上升至所述卡槽内。
在此，所述夹紧单元还可包括介入部，所述介入部具有多个紧固元件，并且结合于所述旋转驱动部的旋转轴，且所述钩可通过与所述多个紧固元件的紧固而沿着设定方向排列。
在此，所述缓冲模块还可包括：供应喷嘴，与所述前开式晶片传送盒的注入口连接，以向所述前开式晶片传送盒内供应所述惰性气体；以及比例压力控制阀单元，以面积控制方式调节供应于所述供应喷嘴的所述气体的流量。
在此，所述比例压力控制阀单元可包括：阀外壳，具有输入端口；以及压电阀座，设置在所述阀外壳内，并且根据输入电压调节通过所述输入端口的所述惰性气体的流入面积。
(发明的效果)
通过上述结构的本发明一实施例的设备前端模块，为了在运送室中运行的晶片运送机器人将前开式晶片传送盒中的晶片运送至工艺设备侧，在该前开式晶片传送盒安装在装载端口模块的步骤之前，或晶片运送机器人将晶片从工艺设备侧投入至安装在装载端口模块的前开式晶片传送盒中的步骤之后，保管前开式晶片传送盒并对前开式晶片传送盒注入惰性气体，通过吹扫晶片的吹扫模块，可充分执行对前开式晶片传送盒填充惰性气体的作业。
进一步的，对前开式晶片传送盒的吹扫作业是在缓冲模块而不是在装载端口执行，如此执行吹扫作业的前开式晶片传送盒安装在装载端口模块，由晶片运送机器人处理，因此车辆在任何时候都都可以在空着的缓冲模块卸载前开式晶片传送盒。
另外，晶片运送机器人在安装在装载端口模块的前开式晶片传送盒中无需待机时间地运出晶片，因此可达到高作业效率性。
再则，通过快速运送晶片，工艺设备可无需待机时间地进行作业，因此能够达到高作业效率性。
附图说明
图1是示出根据本发明一实施例的设备前端模块100的立体图。
图2是示出图1的缓冲模块200中缓冲端口220相关结构的组装立体图。
图3是图2的缓冲端口220相关结构的主要部分的分解立体图。
图4是说明设置在图3的缓冲模块200的气体供应线260的框图。
图5是示出图4的比例压力控制阀单元300的结构的概念图。
图6是示出图5的比例压力控制阀单元300的实验结果的图表。
图7是示出通过图5的比例压力控制阀单元300供应于前开式晶片传送盒C的惰性气体流量的理想变化图表。
图8是图2的夹紧单元250的组装立体图。
图9是图8的夹紧单元250的纵截面图。
图10是示出图8的夹紧单元250的钩251的动作模样的概念图。
图11是图1的设备前端模块100的控制框图。
(附图标记说明)
100：设备前端模块 110：运送室
130：装载端口模块 150：晶片运送机器人
170、200：缓冲模块 171：保管外壳
173、220：缓冲端口 175：升降单元
190：设备前端模块控制单元 210：固定件
221：搁架 230：搁架设置物
240:信息管理单元 250：夹紧单元
260：气体供应线 270：缓冲控制单元
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施例的设备前端模块进行详细说明。在本说明书中，即使是相互不同的实施例，对于相同或者类似的结构赋予相同或者类似的附图标记，而且由最初的说明解释。
图1是示出根据本发明一实施例的设备前端模块100的立体图。
参照本附图，设备前端模块100可选择性包括：运送室110、装载端口模块130、晶片运送机器人150(参照图11)以及缓冲模块170。
运送室110占据设备前端模块100后侧部分，并且形成晶片运送机器人250运行的内部空间。这种运送室110与工艺设备面对面设置，例如，沉积设备、蚀刻设备等。
装载端口模块130占据设备前端模块100的前侧部分。装载端口模块130可与运送室110面对面设置。装载端口模块130具有安装有晶片容纳容器，例如前开式晶片传送盒(FOUP,Front-Opening Unified Pod)C的支撑架131。在本实施例中，装载端口模块130设置有3个支撑架131，可在装载端口模块130一次性安装3个前开式晶片传送盒C。为了允许晶片运送机器人150接近前开式晶片传送盒C，在装载端口模块130形成门135以对应于各个支撑架131。
晶片运送机器人150在运送室110中工作，并且向工艺设备侧运送前开式晶片传送盒中C的加工前晶片。再则，也从工艺设备侧向装载端口模块130侧运送加工之后的晶片，并投入于前开式晶片传送盒C。
缓冲模块170位于装载端口模块130与运送室110的上侧，提供保管前开式晶片传送盒C的空间。为此，缓冲模块170可具有保管外壳171、缓冲端口173以及升降单元175。保管外壳171大致作为直角六面体形状的盒子，可具有前方开口的形状。缓冲端口173通过保管外壳171前方的开口的空间移动于保管外壳171的内侧以及外侧之间。升降单元175向装载端口模块130运送安装在缓冲端口173的前开式晶片传送盒C，或者也与此相反地运送前开式晶片传送盒C。前开式晶片传送盒C安装在装载端口模块130之前或者之后，保管于这种缓冲模块170，而且以安装在缓冲端口173的状态下接收惰性气体的注入。例如，惰性气体可以是氮，由此吹扫前开式晶片传送盒C中的晶片以防止被氧化。在本实施例中，具有4个缓冲端口173，比3个的装载端口模块130的支撑架131多1个。在此，缓冲端口173中对应于3个支撑架131的是对应缓冲端口，而剩余一个可称为非对应缓冲端口。升降单元175移动于与对应缓冲端口以及非对应缓冲端口都对应的位置之间。
通过这种结构，构成高空提升运输(Overhead Hoist Transport,OHT)系统的车辆V在沿着轨道R移动的过程中，到达对应于设备前端模块100的位置。车辆V可将正在运送的前开式晶片传送盒C卸载于缓冲模块170的缓冲端口173。为此，缓冲端口173在处于移动至保管外壳171的状态进行待机，从而可接收前开式晶片传送盒C。接收前开式晶片传送盒C的缓冲端口173可向保管外壳171内侧移动。再则，前开式晶片传送盒C在保管在缓冲模块170的途中接收惰性气体的注入，从而可吹扫前开式晶片传送盒C中的晶片。
升降单元175可将已执行吹扫的前开式晶片传送盒C放置于装载端口模块130。对于放置于装载端口模块130的前开式晶片传送盒C，运送室110内的晶片运送机器人150可将被吹扫的晶片运送至工艺设备侧。若在工艺设备侧完成对晶片的作业，则晶片运送机器人150可投入于将该晶片安装在装载端口模块130的前开式晶片传送盒C。容纳已加工的晶片的前开式晶片传送盒C通过升降单元175移动至缓冲端口173。如果是容纳已加工的晶片的前开式晶片传送盒C需长时间待机的情况，则缓冲模块170追加地将惰性气体注入于该前开式晶片传送盒C内。然后，车辆V吹扫该前开式晶片传送盒C并沿着轨道R向其他工艺设备移动。
在这种过程中，对前开式晶片传送盒C的惰性气体注入以及由此的晶片吹扫是在前开式晶片传送盒C安装在装载端口模块130的步骤之前或者之后执行，并不是在该步骤中执行。也就是说，对前开式晶片传送盒C注入惰性气体是与装载端口模块130分开的缓冲模块170执行。即使，在装载端口模块130执行对前开式晶片传送盒的惰性气体注入，这只是停留在加强缓冲模块170功能的水准，由此并不能达到在装载端口模块130拉长前开式晶片传送盒C的待机时间的水准。
对于以上的缓冲模块170，参照图2等进行详细说明。为了便于说明，对缓冲模块170赋予附图标记200。
图2是示出图1的缓冲模块200中缓冲端口220相关结构的组装立体图。图3是图2的缓冲端口220相关结构的主要部分的分解立体图。图4是说明设置在图3的缓冲模块200的气体供应线260的框图。
参照本附图，缓冲模块200可选择性地包括：固定件210、缓冲端口220、搁架设置物230、信息管理单元240、夹紧单元250以及气体供应线260。
固定件210是在保管外壳171(参照图1)中设置在框架171a的部件。固定件210大致可具有四边形板材形状。在固定件210的上面可设置沿着外侧方向F以及内侧方向R延伸的导件211。导件211支撑向外侧方向F以及内侧方向R移动的缓冲端口220，并引导该移动。另外，可与导件211平行地设置缓冲端口驱动部215。缓冲端口驱动部215作为用于向外侧方向F以及内侧方向R驱动缓冲端口220的制动器，例如，可以是无杆(rodless)气缸。
缓冲端口220支撑前开式晶片传送盒C(参照图1)，并且是有助于对前开式晶片传送盒C的惰性气体填充的结构。缓冲端口220在结构上可由搁架221、盖223、基座225构成。搁架221是暴露在上部以接触支撑前开式晶片传送盒C的结构。盖223包围搁架221的周围。基座225设置在搁架221的下侧可大致平行于搁架221。在由搁架221、盖223以及基座225限定的空间可设置夹紧单元250等。基座225可滑动地结合于导件211，而且连接于缓冲端口驱动部215可向外侧方向F以及内侧方向R滑动。
搁架设置物230可包括设置在搁架221并与前开式晶片传送盒C相互作用的各种结构物。具体地说，搁架设置物230可具有基准销231、供应喷嘴233、排气喷嘴234以及安装感应传感器235。基准销231插入于前开式晶片传送盒C的基准槽(未示出)以诱导前开式晶片传送盒C位于搁架221中的准确的位置。供应喷嘴233是与压缩在搁架221的前开式晶片传送盒C的注入口连接，向前开式晶片传送盒C内注入惰性气体的结构。例如，供应喷嘴233作为多个可由分别位于搁架221的角落区域的三个构成。再则，与供应喷嘴233类似，也可设置一个排气喷嘴234。排气喷嘴234成为供应于前开式晶片传送盒C内的惰性气体通过排气线(未示出)向前开式晶片传送盒C的外部排放的通道。安装感应传感器235为了感应前开式晶片传送盒C的安定，设置在搁架221。再则，通过设置多个安装感应传感器235，获得根据前开式晶片传送盒C的形状的不同感应结果。据此，通过安装感应传感器235的感应结果，可掌握前开式晶片传送盒C的形状是哪一种。
信息管理单元240设置在搁架221并与前开式晶片传送盒C的信息储存单元(未示出)通信。具体地说，前开式晶片传送盒C的信息储存单元存储容纳于前开式晶片传送盒C内的关于晶片的晶片信息。信息管理单元240与所述信息储存单元通信获取所述晶片信息，进一步地为了添加于所述晶片信息，可将新的信息发送到所述信息储存单元。在此，所述新的信息可以是关于晶片吹扫的信息的吹扫信息。所述吹扫信息可包括吹扫时间，为了吹扫而注入的其他气体的流量等相关信息。为此，信息管理单元240可以是RFID读取器/写入器，所述信息储存单元可以是RFID标签。
夹紧单元250是位于搁架221中央并夹紧(chucking)放置于搁架221的前开式晶片传送盒C的结构。参照之后的图8至图10说明夹紧单元250的具体结构。
气体供应线260是为了将惰性气体填充于前开式晶片传送盒C内而与半导体生产工厂的气体供应设备连通的结构。具体地说，气体供应线260可包括：搁架专用调节器261、比例压力控制阀单元263、流量传感器265和过滤器267。
搁架专用调节器261是通过管道与工厂的气体供应设备连通并且减压从气体供应设备供应的惰性气体，以一定的压力保持的结构。由于按照各个搁架221设置搁架专用调节器261，因此只专用于设置在相应搁架221的气体供应线260。通过这种搁架专用调节器261供应于位于该气体供应线260下流上的比例压力控制阀单元263的惰性气体始终保持设定压力，并且不受震荡(hunting)现象影响。
比例压力控制阀单元263是为了以必要的水准将通过搁架专用调节器261输入的预定压力的惰性气体供应于前开式晶片传送盒C，控制惰性气体的流动的结构。比例压力控制阀单元263是在阀内调节惰性气体通过的部分的面积，进而调节惰性气体的压力、流量的结构。据此，惰性气体的流量可由模拟性进行调节，因此可显著提高流量调节的精确度。通过发明人的实验，流量调节的误差仅是0.4％水准。比例压力控制阀单元263对应于3个供应喷嘴233可具有3个。通过搁架专用调节器261的惰性气体分支成3条线输入到各比例压力控制阀单元263。
流量传感器265是设置在比例压力控制阀单元263的下游并显示通过比例压力控制阀单元263调节的流量的结构。流量传感器265通过盖223的开口部暴露在外部，因此工作人员能够从视觉上掌握流量。
过滤器267是设置在流量传感器265与供应喷嘴233之间并去除惰性气体中的杂质的结构。
以上，举例说明构成气体供应线260的搁架专用调节器261、比例压力控制阀单元263等安装在基座225，但是如果是没有基座225的情况下，也可安装在搁架221的底面。
参照图5以及图6，说明比例压力控制阀单元263。为了便于说明，对于比例压力控制阀单元263的附图标记可赋予300。
图5是示出图4的比例压力控制阀单元300的结构的概念图。
参照本附图，比例压力控制阀单元300可包括：阀外壳310、压电阀座330、回位弹簧350以及压力传感器370。
阀外壳310可以是具有内部空间的中空体。在阀外壳310可开口多个端口。作为所述多个端口，在本实施例中示例了输入端口311、输出端口313以及放气端口315。在输入端口311流入经过搁架专用调节器261(参照图4)具有一定压力的惰性气体。通过输出端口313输出由压电阀座330调节流量的惰性气体，以向流量传感器265(参照图4)流动。放气端口315在从所述内部空间排放惰性气体的一部分时使用。
压电阀座330设置在所述内部空间，开关输入端口311与放气端口315。压电阀座330包括压电(piezo)物质，因施加的电压而变形的同时可使开关输入端口311等的程度不同。具体地说，根据堵住输入端口311的压电阀座330离输入端口311多远的弯曲，通过输入端口311向输出端口313输出的惰性气体的压力以及流量不同。这是因为根据压电阀座330的弯曲程度，惰性气体通过输入端口311与压电阀座330之间的空间的面积有所不同。
回位弹簧350连接压电阀座330与阀外壳310。据此，根据施加电压而弯曲的同时远离输入端口311等的压电阀座330起到在降低/解除电压施加时向输入端口311等回位的作用。
压力传感器370是测量经过阀外壳310的输出端口313调节流量而输出的惰性气体的压力的结构。如此，通过压力传感器370内装在比例压力控制阀单元300，无需在外部另外设置压力传感器。另外，在压力传感器370在气体供应线260(参照图4)测量通过供应喷嘴233输入到前开式晶片传送盒C的惰性气体的压力，可提供能够掌握惰性气体是否正常流入于前开式晶片传送盒C或者惰性气体泄漏而未流入前开式晶片传送盒C的压力信息。具体地说，在前开式晶片传送盒C正常注入惰性气体的情况，比泄漏惰性气体的情况压力高。这是因为通过设置在前开式晶片传送盒C的注入口的过滤器反作用力，惰性气体的压力变高。利用这一点，无需另外的压力传感器或者流量传感器，用于确认在从前开式晶片传送盒C排放的气体流动的排气线是否出现供应喷嘴233与前开式晶片传送盒C之间的气体泄漏。
参照图6说明，在这种比例压力控制阀单元300中搁架专用调节器261的压力变化以及施加于压电阀座330的电压变化导致的惰性气体的输出流量的变化。
图6是示出图5的比例压力控制阀单元300的实验结果的图表。图7是示出通过图5的比例压力控制阀单元300供应于前开式晶片传送盒C的惰性气体流量的理想变化图表。
参照图6，由搁架专用调节器261(参照图4)调节的惰性气体的输入压力分别被调节至2Bar、3Bar、4Bar。尽管有这种压力变化，若在施加于压电阀座330的电压在0.80V以下，则通过比例压力控制阀单元300的流量视为相同的值。例如，电压在0.80V的情况下，无关于惰性气体的输入压力，流量是13.0l/mim；压力在0.30V的情况下，流量是7.9l/mi m。
在由搁架专用调节器261调节的惰性气体的压力是2Bar的情况下，若施加电压在0.94V以上，则流量是13.6l/min，显示相同的值。也就是说，即使施加电压高于0.94V达到3.00V，流量也不超出13.6l/min。
与上述不同，由搁架专用调节器261调节的惰性气体的压力是3Bar的情况下，若施加电压在1.76以上，则流量是19.7l/min，显示相同的值。
在由搁架专用调节器261调节的惰性气体的输入压力是4Bar的情况下，在施加电压增加至3.00V的期间，流量持续增加达到26.3l/min。若如此提高流量，则能够对前开式晶片传送盒C急速填充惰性气体。据此，在前开式晶片传送盒C刚放置于搁架221的情况下，可对该前开式晶片传送盒C执行急速填充。
具体地说，参照图7，对于在放在搁架221的前开式晶片传送盒C无需始终以相同的流量供应惰性气体。最初，供应流量应该大，但是经过一定时间之后在前开式晶片传送盒C内充分填充惰性气体形成惰性气体环境之后则无需如上所述的大供应流量。据此，惰性气体的适当供应量是在经过一定时间的同时急剧减少供应量，之后保持最少量即可。与此不同，若以相同的流量向前开式晶片传送盒C供应惰性气体，这只会导致浪费大量的惰性气体。
从这种结果可以知道通过在比例压力控制阀单元300只以提高对压电阀座330施加的施加电压，提高由压力控制阀单元300输出的惰性气体的流量是有局限性的。为了克服这种局限性，应该提高供应于比例压力控制阀单元300的惰性气体的输入压力。在这一过程中，若出现供应于比例压力控制阀单元300的惰性气体的压力不均匀并出现震荡现象，则比例压力控制阀单元300不能输出设定的流量。从而，在比例压力控制阀单元300的前流设置对该比例压力控制阀单元300供应一定压力的惰性气体的搁架专用调节器261非常重要。
进一步地，在各个搁架221设置前开式晶片传送盒C的时间点分别不同。据此，按照各个搁架221有所不同，是否是急速填充时间区间T1、减速填充时间区间T2、低速填充时间区间T3。如此，为了按照各个搁架221分别稳定且可靠性地达到相互不同的填充形式，按照各个搁架221分别设置搁架专用调节器261非常重要。
以下，参照图8至图10说明上述的夹紧单元250。
首先，图8是图2的夹紧单元250的组装立体图；图9是图8的夹紧单元250的纵截面图。
参照本图面，夹紧单元250是插入到位于前开式晶片传送盒C的底面的卡槽(未示出)之后，根据姿势变化而卡在卡槽中的卡块(未示出)的结构。具体地说，夹紧单元250可具有：钩251、旋转驱动部253、升降驱动部255以及介入部257。
钩251大致可具有长条的形状。钩251具有插入于前开式晶片传送盒C的卡槽的尺寸。
旋转驱动部253旋转钩251。为此，在旋转驱动部253的旋转轴可设置钩251。
升降驱动部255是连接于旋转驱动部253从而升降驱动旋转驱动部253进一步地升降驱动钩251的结构。
介入部257结合于旋转驱动部253的旋转轴253a并结合旋转轴253a与钩251的结构。介入部257可具有第一介入元件257a、第二介入元件257b以及紧固元件257c。第一介入元件257a包围旋转轴253a，第二介入元件257b包围第一介入元件257a的同时与第一介入元件257a一同结合于旋转轴253a。紧固元件257c由2个以上具备，并对第二介入元件257b结合钩251。在此，由于紧固元件257c为2个以上，因此始终以特定的方向排列钩251。
参照图10，说明对于以上的夹紧单元250的运行方式。
以下，图10是示出图8的夹紧单元250的钩251的动作模样的概念图。
参照附图，通过搁架221的中央开口部向外部暴露钩251。这种钩251对应于前开式晶片传送盒C的卡槽。
若前开式晶片传送盒C安装在搁架221，则钩251通过升降驱动部255的运行而上升。据此，钩251插入至前开式晶片传送盒C的卡槽内。
通过旋转驱动部253的运行，钩251在卡槽内旋转。之后，通过升降驱动部255的运行，钩251下降的同时加压前开式晶片传送盒C的卡块。
通过这种运行，前开式晶片传送盒C以安装在搁架221的状态下被固定在夹紧单元250。结果，缓冲端口220(参照图2)向保管外壳171(参照图1)的外侧方向F以及内侧方向R(以上，参照图2)的移动的过程中，可稳定地保持安装于缓冲端口220的状态。
以下，参照图11说明对以上的设备前端模块100的控制方式进行说明。
图11是图1的设备前端模块100的控制框图。
参照本附图(以及上述附图)，设备前端模块100还可具有设备前端模块控制单元190。设备前端模块控制单元190的结构是在设备前端模块100的结构中控制除了缓冲模块170以外的大部分结构。例如，设备前端模块控制单元190可控制晶片运送机器人150。
与上述不同，缓冲模块170可被缓冲控制单元270控制。缓冲控制单元270可从安装感应传感器235、使用者输入部271接收感应结果或者控制命令。在此，使用者输入部271可以是诸如键盘、触摸屏等的输入工具。
缓冲控制单元270以这种感应结果等为基础，可控制升降单元175、缓冲端口驱动部215、信息管理单元240、夹紧单元250以及比例压力控制阀单元263。
例如，缓冲控制单元270基于安装感应传感器235的感应结果可判断前开式晶片传送盒C的形状。根据判断的前开式晶片传送盒C的形状，缓冲控制单元270可对各个多个供应喷嘴233选择性地管制惰性气体的供应。这是可通过缓冲控制单元270关闭或者开放比例压力控制阀单元263达成。据此，在使用相互不同形态的前开式晶片传送盒C的现场也可按照相应的前开式晶片传送盒C的结构供应惰性气体。
另外，缓冲控制单元270对于前开式晶片传送盒C控制气体供应线260填充惰性气体吹扫晶片之后，关于吹扫作业的吹扫信息记录于前开式晶片传送盒C的信息储存单元。具体地说，缓冲控制单元270控制信息管理单元240，向信息储存单元发送所述吹扫信息。据此，所述晶片信息可反映所述吹扫信息并被更新。如此，半导体工厂的中央控制系统读取所述信息储存单元，可掌握该前开式晶片传送盒C的当前状态。
另外，缓冲控制单元270根据应填充于前开式晶片传送盒C的惰性气体的流量，可调节从比例压力控制阀单元263待施加于压电阀座330的电压。通过这种电压调节，可调节经过比例压力控制阀单元263填充于前开式晶片传送盒C的惰性气体的流量。
如上所述的设备前端模块不限于上述实施例的结构与运行方式。各个实施例也可以是选择性组合各个实施例的全部或者一部分以进行各种变形。

Claims (13)

1.一种设备前端模块，其特征在于，包括：
运送室；
装载端口模块，安装有晶片容纳容器；
晶片运送机器人，位于所述运送室内，并且将所述晶片容纳容器中的晶片运送至工艺设备侧，其中所述晶片容纳容器安装在所述装载端口模块；以及
缓冲模块，在对所述装载端口模块安装所述晶片容纳容器之前/之后，保管所述晶片容纳容器，并且对所述晶片容纳容器注入惰性气体以吹扫所述晶片，
所述缓冲模块包括：
多个供应喷嘴，与所述晶片容纳容器的注入口连接，以向所述晶片容纳容器内供应所述惰性气体；
保管外壳，具有保管晶片容纳容器的空间，装载端口模块位于所述空间外部；以及
缓冲端口，安装有多个供应喷嘴且支撑晶片容纳容器，并且以将晶片容纳容器沿着不同于第二路径的第一路径在空间的内侧方向和外侧方向移动的方式构成，所述第二路径是构成高空提升运输系统的车辆从装载端口模块卸载晶片接收容器的方向上的路径，其中，当缓冲端口移动至空间的外侧时，将缓冲端口放置在第二路径中，以使缓冲端口能够从所述车辆中接收晶片接收容器。
2.根据权利要求1所述的设备前端模块，其特征在于，
所述缓冲模块还包括：
缓冲控制单元，对各个所述多个供应喷嘴控制所述惰性气体的供应。
3.根据权利要求2所述的设备前端模块，其特征在于，
所述缓冲模块还包括：
安装感应传感器，感应所述晶片容纳容器的安装，且
所述缓冲控制单元基于所述安装感应传感器的感应结果，选择性管制对各个所述多个供应喷嘴的所述惰性气体的供应。
4.根据权利要求3所述的设备前端模块，其特征在于，
所述缓冲模块还包括：
比例压力控制阀单元，调节供应于所述供应喷嘴的所述气体的流量，且所述缓冲控制单元控制所述比例压力控制阀单元的开关，以管制所述惰性气体的供应。
5.根据权利要求1所述的设备前端模块，其特征在于，
所述缓冲模块包括：
信息管理单元，获取记录于所述晶片容纳容器的信息储存单元的关于所述晶片的晶片信息；以及
缓冲控制单元，控制所述信息管理单元，
其中，所述缓冲控制单元，控制所述信息管理单元向所述信息储单元发送吹扫信息，以使所述晶片信息反映更新关于所述晶片吹扫的吹扫信息。
6.根据权利要求3所述的设备前端模块，其特征在于，
所述缓冲端口包括：
搁架，以具有所述安装感应传感器以及所述供应喷嘴的状态下支撑所述晶片容纳容器。
7.根据权利要求3所述的设备前端模块，其特征在于，
所述缓冲模块还包括：
升降单元，在所述缓冲端口与所述装载端口模块之间运送所述晶片容纳容器，
其中，所述缓冲端口包括：
对应缓冲端口，对应于所述装载端口模块；以及
非对应缓冲端口，设置在所述对应缓冲端口的侧方，且
所述升降单元能够在所述对应缓冲端口以及所述非对应缓冲端口对应的位置之间移动。
8.根据权利要求3所述的设备前端模块，其特征在于，
所述缓冲模块还包括：
夹紧单元，设置在所述缓冲端口，并且根据插入于所述晶片容纳容器的卡槽之后的姿势变化，卡在所述卡槽内的卡块。
9.根据权利要求8所述的设备前端模块，其特征在于，
所述夹紧单元包括：
钩，对应于所述卡槽；以及
旋转驱动部，旋转所述钩，以使所述钩卡在所述卡块。
10.根据权利要求9所述的设备前端模块，其特征在于，
所述夹紧单元还包括：
升降驱动部，在所述旋转驱动部运行之前上升所述钩，从而使所述钩上升至所述卡槽内。
11.根据权利要求9所述的设备前端模块，其特征在于，
所述夹紧单元还包括：
介入部，具有多个紧固元件，并且结合于所述旋转驱动部的旋转轴，且所述钩，通过与所述多个紧固元件的紧固而沿着设定方向排列。
12.根据权利要求1所述的设备前端模块，其特征在于，
所述缓冲模块还包括：
比例压力控制阀单元，以面积控制方式调节供应于所述供应喷嘴的所述气体的流量。
13.根据权利要求12所述的设备前端模块，其特征在于，
所述比例压力控制阀单元包括：
阀外壳，具有输入端口；以及
压电阀座，设置在所述阀外壳内，并且根据输入电压调节通过所述输入端口的所述惰性气体的流入面积。
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