CN110951458A - 一种纳米稀土研磨剂制备装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种纳米稀土研磨剂制备装置及其制备方法，本发明用氮气等离子体轰击盛放在制备容器中的微米级稀土研磨粉末，并通过被降至零度以下的冷气流吹走被轰击出来的纳米级的研磨粉末，可以有效的制备纳米级稀土研磨剂。

Description

一种纳米稀土研磨剂制备装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种纳米稀土研磨剂制备装置及其制备方法。
背景技术
被用作研磨剂的主要有二氧化硅、二氧化锆和三氧化二铁等,但其研磨效果都没有稀土抛光粉的研磨效果好,所以逐渐被稀土抛光粉所取代。国外于60年前便开始生产各类品级稀土抛光粉,至今已形成标准化、系列化,产品牌号已达30多种,完全可以满足各工业部门的需要。我国起步较晚,从60年代中期到70年代末期虽然已经初步完成三大类品级稀土抛光粉的生产,但尚未形成标准化系列化,还不能完全满足工业的需要。用稀土抛光粉取代会显示出如下一些优点:(l)抛光效率高,抛光能力可提高3倍以上；(2)可使被抛光的工件合格率提高30%以上；(3)可使被抛光制品获得较高的光洁度；(4)使用寿命可提高9倍且不污染环境； (5)粒度细而均匀,化学活性好,可使抛光模具有较好的吻合。纳米稀土抛光粉目前已被广泛应用于各种平板玻璃、光学玻璃、精密金属制品、显像管、示波管、眼镜片、半导体晶片等产品的抛光。
如何高效提高纳米稀土研磨剂的产量，更好地满足国内及出口市场的需要,提高产品质量,提高生产工艺及装备水平,从而促进我国稀土抛光粉工业的发展是亟待解决的问题。
发明内容
针对上述现有技术的不足之处，本发明解决的问题为：提供一种可高效生产纳米稀土研磨剂的装置和方法。
为解决上述问题，本发明采取的技术方案如下：
一种纳米稀土研磨剂制备装置，包括制备容器和等离子体发射装置；所述的制备容器的内部设有真空腔体；所述的制备容器的一侧设有气流入口；所述的制备容器的另一侧设有气流出料口；所述的等离子体发射装置安装在制备容器的内部上端。
进一步，所述的制备容器为铝制品；所述的真空腔体内层镀有防护层。
进一步，所述的等离子体发射装置为氮气等离子体发射装置。
进一步，所述的制备容器的另一侧上端设有气流出料口。
一种纳米稀土研磨剂制备方法，步骤如下：
S1、在制备容器内填入稀土研磨粉末；
S2、开启等离子体发射装置，通过等离子体发射装置喷出等离子体轰击盛放在制备容器中的微米级稀土研磨粉末；
S3、在等离子体轰击微米级稀土研磨粉末的同时通过气流入口输入气流，通过气流吹走被轰击出来的纳米级稀土研磨剂，并且从气流出料口排出。
进一步，所述的步骤S1中，在制备容器内填入微米级稀土研磨粉末。
进一步，所述的步骤S2中等离子体轰击电流为100～130mA。
进一步，所述的步骤S3中气流的温度为零下100K～150K。
进一步，所述的步骤S3中气流从气流入口输入制备容器之前进行干燥。
进一步，所述的步骤S3中气流的流速为5～10 m/s。
本发明的有益效果
本发明用氮气等离子体轰击盛放在制备容器中的微米级稀土研磨粉末，并通过被降至零度以下的冷气流吹走被轰击出来的纳米级的研磨粉末，可以有效的制备纳米级稀土研磨剂，提高了纳米稀土研磨剂的制备效率和规模。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明内容作进一步详细说明。
如图1所示，一种纳米稀土研磨剂制备装置，包括制备容器1和等离子体发射装置2；所述的制备容器1的内部设有真空腔体13；所述的制备容器1的一侧设有气流入口11；所述的制备容器1的另一侧设有气流出料口12；所述的等离子体发射装置2安装在制备容器1的内部上端。进一步优选，所述的制备容器1可呈矩形立体结构，为铝制品；所述的真空腔体13内层镀有防护层。进一步优选，所述的等离子体发射装置2为氮气等离子体发射装置。进一步，所述的制备容器1的另一侧上端设有气流出料口12。
下面对纳米稀土研磨剂制备方法实施如下。
实施例1
一种纳米稀土研磨剂制备方法，步骤如下：
S1、在制备容器内填入稀土研磨粉末；在制备容器内填入微米级稀土研磨粉末。
S2、开启等离子体发射装置，通过等离子体发射装置喷出等离子体轰击盛放在制备容器中的微米级稀土研磨粉末；所述的步骤S2中等离子体轰击电流为100mA。
S3、在等离子体轰击微米级稀土研磨粉末的同时通过气流入口输入气流，通过气流吹走被轰击出来的纳米级稀土研磨剂，并且从气流出料口排出；气流的温度为零下100K；气流从气流入口输入制备容器之前进行干燥；气流的流速为5 m/s。
实施例2
一种纳米稀土研磨剂制备方法，步骤如下：
S1、在制备容器内填入稀土研磨粉末；在制备容器内填入微米级稀土研磨粉末。
S2、开启等离子体发射装置，通过等离子体发射装置喷出等离子体轰击盛放在制备容器中的微米级稀土研磨粉末；所述的步骤S2中等离子体轰击电流为115mA。
S3、在等离子体轰击微米级稀土研磨粉末的同时通过气流入口输入气流，通过气流吹走被轰击出来的纳米级稀土研磨剂，并且从气流出料口排出；气流的温度为零下130K；气流从气流入口输入制备容器之前进行干燥；气流的流速为8 m/s。
实施例3
一种纳米稀土研磨剂制备方法，步骤如下：
S1、在制备容器内填入稀土研磨粉末；在制备容器内填入微米级稀土研磨粉末。
S2、开启等离子体发射装置，通过等离子体发射装置喷出等离子体轰击盛放在制备容器中的微米级稀土研磨粉末；所述的步骤S2中等离子体轰击电流为130mA。
S3、在等离子体轰击微米级稀土研磨粉末的同时通过气流入口输入气流，通过气流吹走被轰击出来的纳米级稀土研磨剂，并且从气流出料口排出；气流的温度为零下150K；气流从气流入口输入制备容器之前进行干燥；气流的流速为10 m/s。
本发明用氮气等离子体轰击盛放在制备容器中的微米级稀土研磨粉末，并通过被降至零度以下的冷气流吹走被轰击出来的纳米级的研磨粉末，可以有效的制备纳米级稀土研磨剂。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种纳米稀土研磨剂制备装置，其特征在于，包括制备容器和等离子体发射装置；所述的制备容器的内部设有真空腔体；所述的制备容器的一侧设有气流入口；所述的制备容器的另一侧设有气流出料口；所述的等离子体发射装置安装在制备容器的内部上端。
2.根据权利要求1所述的纳米稀土研磨剂制备装置，其特征在于，所述的制备容器为铝制品；所述的真空腔体内层镀有防护层。
3.根据权利要求1所述的纳米稀土研磨剂制备装置，其特征在于，所述的等离子体发射装置为氮气等离子体发射装置。
4.根据权利要求1所述的纳米稀土研磨剂制备装置，其特征在于，所述的制备容器的另一侧上端设有气流出料口。
5.一种根据权利要求1所述的纳米稀土研磨剂制备方法，其特征在于，步骤如下：
S1、在制备容器内填入稀土研磨粉末；
S2、开启等离子体发射装置，通过等离子体发射装置喷出等离子体轰击盛放在制备容器中的微米级稀土研磨粉末；
S3、在等离子体轰击微米级稀土研磨粉末的同时通过气流入口输入气流，通过气流吹走被轰击出来的纳米级稀土研磨剂，并且从气流出料口排出。
6.根据权利要求5所述的纳米稀土研磨剂制备方法，其特征在于，所述的步骤S1中，在制备容器内填入微米级稀土研磨粉末。
7.根据权利要求5所述的纳米稀土研磨剂制备方法，其特征在于，所述的步骤S2中等离子体轰击电流为100～130mA。
8.根据权利要求5所述的纳米稀土研磨剂制备方法，其特征在于，所述的步骤S3中气流的温度为零下100K～150K。
9.根据权利要求5所述的纳米稀土研磨剂制备方法，其特征在于，所述的步骤S3中气流从气流入口输入制备容器之前进行干燥。
10.根据权利要求5所述的纳米稀土研磨剂制备方法，其特征在于，所述的步骤S3中气流的流速为5～10 m/s。
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