CN110896045A - 一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置 - Google Patents

一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN110896045A
CN110896045A CN201811064424.9A CN201811064424A CN110896045A CN 110896045 A CN110896045 A CN 110896045A CN 201811064424 A CN201811064424 A CN 201811064424A CN 110896045 A CN110896045 A CN 110896045A
Authority
CN
China
Prior art keywords
channel
electrostatic chuck
substrate
cooling gas
lifting thimble
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811064424.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110896045B (zh
Inventor
倪图强
叶如彬
黄国民
梁洁
涂乐义
吴紫阳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Micro Fabrication Equipment Inc
Original Assignee
Advanced Micro Fabrication Equipment Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Micro Fabrication Equipment Inc filed Critical Advanced Micro Fabrication Equipment Inc
Priority to CN201811064424.9A priority Critical patent/CN110896045B/zh
Priority to TW108108341A priority patent/TWI692837B/zh
Priority to US16/538,695 priority patent/US11626314B2/en
Priority to KR1020190099335A priority patent/KR102289162B1/ko
Publication of CN110896045A publication Critical patent/CN110896045A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110896045B publication Critical patent/CN110896045B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明公开了一种升举顶针组件，一种设有该升举顶针组件的静电夹盘，及其所在的处理装置。所述升举顶针组件包括：升举顶针；容纳升举顶针的通道，所述容纳升举顶针的通道连接一压力控制装置，所述容纳升举顶针的通道在靠近基片的一端设置一密封环，所述密封环的上表面在工艺制程过程中与基片背面相接触，避免基片背面的气体进入所述容纳升举顶针的通道，实现所述压力控制装置对所述容纳升举顶针的通道内的压力独立控制。

Description

一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置
技术领域
本发明涉及等离子体刻蚀技术领域，尤其涉及一种在高射频功率下防止静电夹盘内产生电弧的等离子体处理技术领域。
背景技术
对半导体基片或衬底的微加工是一种众所周知的技术，可以用来制造例如，半导体、平板显示器、发光二极管(LED)、太阳能电池等。微加工制造的一个重要步骤为等离子体处理工艺步骤，该工艺步骤在一反应室内部进行，工艺气体被输入至该反应室内。射频源被电感和/或电容耦合至反应室内部来激励工艺气体，以形成和保持等离子体。在反应室内部，暴露的基片被静电夹盘支撑，并通过某种夹持力被固定在一固定的位置，以保证工艺制程中基片的安全性及加工的高合格率。
为了满足工艺要求，不仅需要对工序处理过程进行严格地控制，还会涉及到半导体基片的装载和去夹持。半导体基片的装载和去夹持是半导体基片处理的关键步骤，通过在静电夹盘内部设置若干升举顶针组件，当工艺制成结束后，利用升举顶针的支撑力实现基片与静电夹盘的分离和托举，位于反应腔外部的机械手探入基片和静电夹盘之间，实现对基片的卸载。
在对基片进行制程工艺过程中，静电夹盘除了用于支撑固定基片，还用于对基片的温度进行控制，随着基片的加工精度越来越高，对静电夹盘的温度均匀性控制要求也越来越高。静电夹盘的温度控制包括加热和冷却两部分，目前常用的冷却技术是在基片和静电夹盘之间通入冷却气体，例如氦气，通过在容纳升举顶针的通道内通入氦气，利用氦气在基片和静电夹盘之间的均匀扩散实现对基片的均匀冷却。
随着施加到反应腔内的射频功率的提高，这种冷却技术容易导致冷却气体在容纳升举顶针的通道内发生放电现象，严重威胁静电夹盘的工作稳定性和安全性，因此，亟需一种解决方案以适应不断提高的射频施加功率和基片的处理均匀性要求。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种升举顶针组件，设置于静电夹盘内部，用于在工艺制程结束后实现基片与静电夹盘表面的分离和基片的托举，所述升举顶针组件包括：升举顶针；容纳升举顶针的通道，所述容纳升举顶针的通道靠近基片的一端设置一密封环，所述密封环的上表面在工艺制程过程中与基片背面相接触，避免基片背面的气体进入所述容纳升举顶针的通道；一压力控制装置，连接所述容纳升举顶针的通道，用于独立控制所述容纳升举顶针的通道内的气体压力。
进一步的，所述密封环为设置在所述静电夹盘上表面的一凸出部，所述凸出部的上表面高于所述静电夹盘的上表面。
进一步的，所述密封环与所述静电夹盘一体制成。
进一步的，所述压力控制装置包括一进气阀，一排气阀及一压力测量装置
进一步的，所述容纳升举顶针的通道连接一冷却气体源，所述冷却气体源通过所述进气阀控制进入所述容纳升举顶针的通道内的冷却气体流量。
进一步的，所述容纳升举顶针的通道通过所述排气阀与排气区域相连。
进一步的，所述压力测量装置可以测量并显示容纳升举顶针的通道内的气体压力。
进一步的，所述压力测量装置为流量压力控制计(UPC)。
进一步的，，本发明还公开了一种静电夹盘，用于在工艺制程中实现对基片的支撑和固定，所述静电夹盘包括：冷却气体输送通道，通过第一压力控制装置连接第一冷却气体源；升举顶针组件，包括升举顶针和容纳升举顶针的通道，所述升举顶针包括一靠近基片的支撑端；第二压力控制装置，连接所述容纳升举顶针的通道，用于独立控制所述容纳升举顶针的通道内的气体压力。
如权利要求9所述的静电夹盘，其特征在于：所述容纳升举顶针的通道包括一密封环，所述密封环靠近基片背面设置，在工艺制程中密封环的上表面与基片背面相接触，避免基片背面的气体进入所述容纳升举顶针的通道。
进一步的，所述密封环为设置在所述静电夹盘上表面的一凸出部，所述凸出部的上表面高于所述静电夹盘的上表面。
进一步的，所述密封环与所述静电夹盘一体制成。
进一步的，所述第二压力控制装置包括一进气阀，一排气阀及一压力测量装置。
进一步的，所述容纳升举顶针的通道连接一第二冷却气体源，所述第二冷却气体源通过所述进气阀控制进入所述容纳升举顶针的通道内的冷却气体流量。
进一步的，所述容纳升举顶针的通道通过所述排气阀与排气区域相连。
进一步的，一限流装置与所述排气阀并联设置，所述限流装置包括限流阀和/或限流孔。
进一步的，所述压力测量装置可以测量并显示容纳升举顶针的通道内的气体压力。
进一步的，所述压力测量装置为流量压力控制计(UPC)。
进一步的，所述第一压力控制装置包括一进气阀，一排气阀及一压力测量装置。
进一步的，所述升举顶针的支撑端直径大于所述容纳升举顶针的通道的开口直径，使得工艺制程中所述支撑端覆盖所述容纳升举顶针的通道的开口，避免基片背面的冷却气体进入容纳升举顶针的通道。
进一步的，本发明还公开了一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置包括一反应腔，所述反应腔内设置如上文所述的静电夹盘。
进一步的，本发明还公开了一种处理基片的方法，所述方法在一等离子体处理装置的反应腔内进行，所述方法包括如下步骤：将一待处理基片传输至所述反应腔内，并固定在一静电夹盘上方；向反应腔内施加射频功率，同时向反应腔内供应反应气体，所述反应气体在射频功率的作用下解离为等离子体，对基片进行等离子体处理；在等离子体对基片处理的同时，向静电夹盘内部的冷却气体输送通道和容纳升举顶针的通道分别输送冷却气体；设置第一压力控制装置用于独立控制冷却气体输送通道内的冷却气体压力；设置第二压力控制装置用于独立控制容纳升举顶针的通道内冷却气体的压力；根据施加到反应腔上的射频功率的大小计算或测量得到容纳升举顶针的通道内冷却气体被点燃的临界值作为安全压力值，所述第二压力控制装置控制所述容纳升举顶针的通道内冷却气体的压力始终小于安全压力值。
进一步的，所述容纳升举顶针的通道与所述基片之间设置一密封部件，所述压力控制装置控制所述容纳升举顶针的通道内冷却气体压力大于等于0。
进一步的，基片处理完成后，移出基片，所述第二压力控制装置向所述容纳升举顶针的通道内持续输送冷却气体，实现对所述容纳升举顶针的通道的侧壁清洁。
本发明的优点在于：提供一种向基片背面供应冷却气体的技术方案，通过在静电夹盘内部设置专门输送冷却气体的通道以及利用升举顶针组件输送冷却气体两种分别可独立控气体流量的设计，既可以保证冷却气体供应充足，又能降低容纳升举顶针的通道内部冷却气体压力，同时不影响容纳升举顶针的通道开口对应区域的基片冷却效果。通过实现容纳升举顶针的通道内的压力独立可调，使得反应腔可以容忍更高功率的射频电源，而不在静电夹盘部件内发生电弧放电。此外，通过在容纳升举顶针的通道靠近基片的一端设置密封部件，如设置密封环或者增大升举顶针的支撑端面积，可以避免基片背面的冷却气体进入容纳升举顶针的通道，提高容纳升举顶针的通道内压力的可调节性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1公开了一种等离子体处理装置；
图2公开了一种冷却气体供应系统的结构示意图；
图3公开了一种升举顶针组件的结构示意图；
图4示出另一种升举顶针组件的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1示出一种等离子体处理装置，包括一由外壁155围成的可抽真空的反应腔150。反应腔150用于对基片进行处理。一静电夹盘100设置在所述反应腔的底部，用于支撑并固定基片130。一气体注入装置120将反应气体注入反应腔150，反应气体在射频功率源160的激励下解离为等离子体并保持，实现对基片的等离子体处理。真空泵170可以对反应腔抽真空，以保证等离子体在真空环境中对基片进行处理。
在对基片的处理工艺过程中，等离子体对基片的轰击会造成基片发热，温度上升，为了保证基片不同区域温度的均匀性和工艺处理的稳定性，需要在静电夹盘上设置对基片温度进行均匀冷却的设计，目前业内常规的做法为向基片背面输送冷却气体，例如为氦气，利用该冷却气体在基片背面的均匀扩散，实现对基片的均匀降温。
一种输送冷却气体的方法利用静电夹盘内升举顶针组件进行。升举顶针组件包括升举顶针115和容纳升举顶针的通道，升举顶针的作用是在完成基片的制程工艺后，利用升举顶针的托举实现基片130与静电夹盘100的分离，并将基片130托举到一定高度后，由反应腔外部的机械手臂接管基片，实现基片自反应腔的卸载。容纳升举顶针的通道用于容纳升举顶针，为了实现对基片的温度控制，一冷却气体源联通容纳升举顶针的通道，根据工艺需要将一定流量的冷却气体通过容纳升举顶针的通道输送到基片130与静电夹盘100之间。
随着集成电路行业的不断发展，半导体基片处理的精度要求越来越高，为了提高处理精度，施加到反应腔内的射频功率源的功率不断增大。为了保证对基片的冷却效果，容纳升举顶针的通道要输送一定压力的冷却气体，随着施加到反应腔内的射频功率的增大，容纳升举顶针的通道内冷却气体被点燃成为等离子体的危险性也会变大，冷却气体被点燃成为等离子体的现象又成为电弧放电现象。冷却气体在容纳升举顶针的通道内电弧放电会损坏反应腔内部件，引发一系列危险后果，因此需要绝对避免。
图2所示公开了本发明的冷却气体供应系统示意图，由于容纳升举顶针的通道105内需要容纳升举顶针115，而升举顶针为了能实现对基片的托举需要有一定的机械强度和稳定性能，因此升举顶针不能过于纤细，且与容纳升举顶针的通道105侧壁之间要保证一定的间隙，这导致容纳升举顶针的通道105尺寸不能过小。研究发现，冷却气体发生电弧放电现象与冷却气体所处容器的尺寸以及容器内的气体压力有关，容器尺寸越大，或者容器内气体压力越大，气体越容易发生电弧放电现象。本发明在容器尺寸无法减小的情况下，可以通过降低气体压力以适应不断增加的射频功率。
然而，贸然降低通过容纳升举顶针的通道105内的冷却气体压力会导致对基片的冷却效果的降低，因此，为解决上述问题，本发明在静电夹盘100内部设置一组专门输送冷却气体的冷却气体输送通道101，该冷却气体输送通道101通过一第一压力控制装置10与一冷却气体源142相连通，第一压力控制装置10可以控制，测量并显示冷却气体输送通道101内的压力，包括进气阀102，排气阀103以及压力测量装置104，并且可以根据控制器(图中未示出)的控制指令，向冷却气体输送通道101输送一定压力的冷却气体。优选的，所述压力测量装置104为一流量压力控制计(UPC1)。由于冷却气体输送通道101内部不设托举顶针，因此，冷却气体输送通道101可以设置较小尺寸的开口，如小于1毫米。由于气体被射频功率点燃成等离子体的因素与气体压力和气体所处的容器尺寸相关，因此，即便冷却气体输送通道101内输送较高气压的冷却气体，由于冷却气体输送通道101尺寸较小，也不易发生电弧放电的现象。因此可以按照工艺需要安全的输送足够的冷却气体至基片背面。
为了实现对冷却气体输送通道101内的压力调节，冷却气体输送通道101与冷却气体源140之间设置进气阀102，与排气区域之间设置排气阀103，当需要向基片背面输送冷却气体时，打开进气阀102，关闭排气阀103，流量压力控制计104根据控制器的指令将所需的冷却气体输送到基片背面。当工艺制程结束时，关闭进气阀102，打开排气阀103，实现对冷却气体输送通道101内的冷却气体的排放。
尽管静电夹盘100内部已经设置专门输送冷却气体的通道101，但在容纳升举顶针的通道105内通入冷却气体仍然是必要的，首先，容纳升举顶针的通道105内通入冷却气体可以补偿该通道上方对应区域的基片的温度冷却，对基片处理均匀度要求较高的工艺而言，需要保证基片所有区域的温度均匀。其次，容纳升举顶针的通道105内通入冷却气体可以实现对该通道的清洗，避免反应副产物在该通道内聚集。同时，为了避免容纳升举顶针的通道105内的冷却气体被高射频功率点燃成为等离子体，必须要对容纳升举顶针的通道105内的气压进行有效的独立控制。
本发明的容纳升举顶针的通道105通过第二压力控制装置20与第二冷却气体源144相连，第一冷却气体源142与第二冷却气体源144可以为相同的冷却气体源，也可以为不同的冷却气体源。第二压力控制装置包括进气阀106，排气阀107以及压力测量装置109。容纳升举顶针的通道105与第二冷却气体源144之间连接一进气阀106，与排气区域之间连接一排气阀107，为了保证对容纳升举顶针的通道105内的气体进行精密控制，与排气阀107并联设置一限流装置。一压力测量装置109与容纳升举顶针的通道105相连通，压力控制装置113可以测量并显示容纳升举顶针的通道105内的压力，并且可以接收控制器(图中未示出)的控制指令，向容纳升举顶针的通道105输送一定压力的冷却气体。优选的，所述压力测量装置109可以为流量压力控制计(UPC2)。在制程工艺开始前，可以根据施加的射频功率大小及容纳升举顶针的通道105尺寸计算或者经过测试确定一个安全压力值，该安全压力值能够保证在该射频功率下冷却气体不会在容纳升举顶针的通道内发生电弧放电现象。由于流量压力控制计可以测量并显示容纳升举顶针的通道105内的压力，当容纳升举顶针的通道105内压力小于该安全压力值时，为了保证基片的冷却效果，可以打开进气阀106，关闭排气阀107，提高容纳升举顶针的通道105内的冷却气体压力。当流量压力控制计显示容纳升举顶针的通道105内的冷却气体压力达到或超过安全压力值时，关闭进气阀106，打开排气阀107，对容纳升举顶针的通道105内的冷却气体压力进行降压。为了保证容纳升举顶针的通道105内的冷却气体压力不超过安全压力值，可以在排气路径设置一限流装置，该限流装置包括一限流阀118及一限流孔108，当进气阀106打开，向容纳升举顶针的通道105内通入冷却气体时，为了避免通道内的压力超过安全压力值，可以打开限流阀118，使冷却气体可以经由限流孔108持续向外排放，实现对通道105内压力的动态微调。
本发明的技术方案可以分别控制冷却气体输送通道101的气体压力和容纳升举顶针的通道105内的气体压力，既保证了制程工艺所需的冷却气体足量供应，又降低了容纳升举顶针的通道105内的冷却气体压力，并使得容纳升举顶针的通道105内的冷却气体压力可以根据施加到反应腔上的射频功率大小进行调节，保证容纳升举顶针的通道105内的冷却气体处于不发生电弧放电的安全范围。
为了保证冷却气体的自由扩散，基片背面和静电夹盘100之间需要设置一定间隙。因此容纳升举顶针的通道105内的冷却气体既可能包括通过进气阀106直接自冷却气体源140输入的，也可能包括来自冷却气体输送通道101提供经基片背面的间隙流入的冷却气体，这会导致容纳升举顶针的通道105内的冷却气体压力不好控制，气体压力容易超过安全压力值，导致冷却气体在容纳升举顶针的通道105内发生被电离的危险。为了避免上述问题，本发明优选在容纳升举顶针的通道105靠近基片背面的一端设置一密封部件110。
图3示出一种静电夹盘100内部的升举顶针组件的结构示意图。在该实施例中，容纳升举顶针的通道105靠近基片背面的一端设置一密封部件110，该密封部件为略高于静电夹盘100上表面的凸起部。在对基片进行制程工艺中，密封部件的上表面与基片背面接触，使得容纳升举顶针的通道105靠近基片背面的一端进气口被密封，从而保证容纳升举顶针的通道105内的冷却气体全部经由进气阀106输入，以提高通道内气压的可控性。
密封部件可以与静电夹盘100一体制作，也可以分别制作后将密封部件固定到静电夹盘100上表面。图3示出一种设有密封部件的静电夹盘示意图，为了明显起见，修改了密封部件110的高度和静电夹盘100的厚度比例。在本实施例中，静电夹盘夹持层112设置在基座114上方，升举顶针组件贯穿静电夹盘和基座设置。为了防止冷却气体从密封环的侧壁流入容纳升举顶针的通道105,密封部件需为连续密闭的结构，当然，除圆环形外，密封部件还可以为椭圆形，方形或者其他连续的形状，优选的为密封环。静电夹盘100通常设置若干组升举顶针组件，例如，可以设置3组或3组以上的升举顶针组件，为了保证基片的稳定，若干组升举顶针组件上的密封部件高度需完全一致。
为了防止基片背面的冷却气体流入容纳升举顶针的通道，影响通道内气体压力的调节控制，在图4所示的实施例中，还可以在升举顶针上设置密封部件。升举顶针靠近基片的一端称为支撑端，制程结束后驱动升举顶针升高，使得支撑端接触基片并进行托举，实现基片与静电夹盘的去夹持。升举顶针的支撑端与基片的接触面通常为点状或圆形，在本实施例中，设置升举顶针215的支撑端216上端面直径大于等于容纳升举顶针的通道的开口直径，当制程工艺过程中，升举顶针下落，支撑端216覆盖容纳升举顶针的通道的开口，实现容纳升举顶针的通道的开口的密封。避免了基片背面的冷却气体流入容纳升举顶针的通道，保证容纳升举顶针的通道内部气体压力可控。同时，增大升举顶针的支撑端面尺寸有利于提高升举顶针的托举稳定性。
在其他实施例中，为了彻底杜绝容纳升举顶针的通道105内发生电弧放电现象，在制程工艺过程中，可以停止向容纳升举顶针的通道105内输送冷却气体。由于容纳升举顶针的通道105开口设置密封部件，基片背面的冷却气体无法进入容纳升举顶针的通道105，因此容纳升举顶针的通道105内气压可维持在较低状态，完全不会发生电弧放电现象。当制程工艺结束后，移出基片130，打开进气阀106，利用冷却气体实现对容纳升举顶针的通道105的侧壁清洁。
本发明提供了一种向基片背面供应冷却气体的技术方案，通过在静电夹盘内部设置专门输送冷却气体的通道以及利用升举顶针组件输送冷却气体两种分别可独立控气体流量的设计，既可以保证冷却气体供应充足，又能降低容纳升举顶针的通道内部冷却气体压力，同时不影响容纳升举顶针的通道开口对应区域的基片冷却效果。通过实现容纳升举顶针的通道内的压力可调，使得反应腔可以容忍更高功率的射频电源，而不在静电夹盘部件内发生电弧放电。此外，通过在容纳升举顶针的通道靠近基片的一端设置密封部件，如设置密封环或者增大升举顶针的支撑端面积，可以避免基片背面的冷却气体进入容纳升举顶针的通道，影响容纳升举顶针的通道内压力的控制调节。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (24)

1.一种升举顶针组件，设置于静电夹盘内部，用于在工艺制程结束后实现基片与静电夹盘表面的分离和基片的托举，其特征在于：所述升举顶针组件包括：
升举顶针；
容纳升举顶针的通道，所述容纳升举顶针的通道靠近基片的一端设置一密封环，所述密封环的上表面在工艺制程过程中与基片背面相接触，避免基片背面的气体进入所述容纳升举顶针的通道；
一压力控制装置，连接所述容纳升举顶针的通道，用于独立控制所述容纳升举顶针的通道内的气体压力。
2.如权利要求1所述的升举顶针组件，其特征在于：所述密封环为设置在所述静电夹盘上表面的一凸出部，所述凸出部的上表面高于所述静电夹盘的上表面。
3.如权利要求1所述的升举顶针组件，其特征在于：所述密封环与所述静电夹盘一体制成。
4.如权利要求1所述的升举顶针组件，其特征在于：所述压力控制装置包括一进气阀，一排气阀及一压力测量装置。
5.如权利要求4所述的升举顶针组件，其特征在于：所述容纳升举顶针的通道连接一冷却气体源，所述冷却气体源通过所述进气阀控制进入所述容纳升举顶针的通道内的冷却气体流量。
6.如权利要求4所述的升举顶针组件，其特征在于：所述容纳升举顶针的通道通过所述排气阀与排气区域相连。
7.如权利要求4所述的升举顶针组件，其特征在于：所述压力测量装置可以测量并显示容纳升举顶针的通道内的气体压力。
8.如权利要求4所述的升举顶针组件，其特征在于：所述压力测量装置为流量压力控制计(UPC)。
9.一种静电夹盘，用于在工艺制程中实现对基片的支撑和固定，其特征在于：所述静电夹盘包括：
冷却气体输送通道，通过第一压力控制装置连接第一冷却气体源；
升举顶针组件，包括升举顶针和容纳升举顶针的通道，所述升举顶针包括一靠近基片的支撑端；
第二压力控制装置，连接所述容纳升举顶针的通道，用于独立控制所述容纳升举顶针的通道内的气体压力。
10.如权利要求9所述的静电夹盘，其特征在于：所述容纳升举顶针的通道包括一密封环，所述密封环靠近基片背面设置，在工艺制程中密封环的上表面与基片背面相接触，避免基片背面的气体进入所述容纳升举顶针的通道。
11.如权利要求10所述的静电夹盘，其特征在于：所述密封环为设置在所述静电夹盘上表面的一凸出部，所述凸出部的上表面高于所述静电夹盘的上表面。
12.如权利要求11所述的静电夹盘，其特征在于：所述密封环与所述静电夹盘一体制成。
13.如权利要求9所述的静电夹盘，其特征在于：所述第二压力控制装置包括一进气阀，一排气阀及一压力测量装置。
14.如权利要求13所述的静电夹盘，其特征在于：所述容纳升举顶针的通道连接一第二冷却气体源，所述第二冷却气体源通过所述进气阀控制进入所述容纳升举顶针的通道内的冷却气体流量。
15.如权利要求13所述的静电夹盘，其特征在于：所述容纳升举顶针的通道通过所述排气阀与排气区域相连。
16.如权利要求15所述的静电夹盘，其特征在于：一限流装置与所述排气阀并联设置，所述限流装置包括限流阀和/或限流孔。
17.如权利要求13所述的静电夹盘，其特征在于：所述压力测量装置可以测量并显示容纳升举顶针的通道内的气体压力。
18.如权利要求17所述的静电夹盘，其特征在于：所述压力测量装置为流量压力控制计(UPC)。
19.如权利要求9所述的静电夹盘，其特征在于：所述第一压力控制装置包括一进气阀，一排气阀及一压力测量装置。
20.如权利要求9所述的静电夹盘，其特征在于：所述升举顶针的支撑端直径大于所述容纳升举顶针的通道的开口直径，使得工艺制程中所述支撑端覆盖所述容纳升举顶针的通道的开口，避免基片背面的冷却气体进入容纳升举顶针的通道。
21.一种等离子体处理装置，其特征在于：所述等离子体处理装置包括一反应腔，所述反应腔内设置一如权利要求8-20任一项权利要求所限定的静电夹盘。
22.一种处理基片的方法，所述方法在一等离子体处理装置的反应腔内进行，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
将一待处理基片传输至所述反应腔内，并固定在一静电夹盘上方；
向反应腔内施加射频功率，同时向反应腔内供应反应气体，所述反应气体在射频功率的作用下解离为等离子体，对基片进行等离子体处理；
在等离子体对基片处理的同时，向静电夹盘内部的冷却气体输送通道和容纳升举顶针的通道分别输送冷却气体；
设置第一压力控制装置用于独立控制冷却气体输送通道内的冷却气体压力；
设置第二压力控制装置用于独立控制容纳升举顶针的通道内冷却气体的压力；
根据施加到反应腔上的射频功率的大小计算或测量得到容纳升举顶针的通道内冷却气体被点燃的临界值作为安全压力值，所述第二压力控制装置控制所述容纳升举顶针的通道内冷却气体的压力始终小于安全压力值。
23.如权利要求22所述的方法，其特征在于：在所述容纳升举顶针的通道与所述基片之间设置一密封部件，所述压力控制装置控制所述容纳升举顶针的通道内冷却气体压力大于等于0。
24.如权利要求22所述的方法，其特征在于：基片处理完成后，移出基片，所述第二压力控制装置向所述容纳升举顶针的通道内持续输送冷却气体，实现对所述容纳升举顶针的通道的侧壁清洁。
CN201811064424.9A 2018-09-12 2018-09-12 一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置 Active CN110896045B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811064424.9A CN110896045B (zh) 2018-09-12 2018-09-12 一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置
TW108108341A TWI692837B (zh) 2018-09-12 2019-03-13 升舉頂針元件、靜電夾盤及其所在的處理裝置
US16/538,695 US11626314B2 (en) 2018-09-12 2019-08-12 Lift pin assembly, an electrostatic chuck and a processing apparatus where the electrostatic chuck is located
KR1020190099335A KR102289162B1 (ko) 2018-09-12 2019-08-14 리프팅 핀 조립체, 정전 척 및 이를 구비한 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811064424.9A CN110896045B (zh) 2018-09-12 2018-09-12 一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110896045A true CN110896045A (zh) 2020-03-20
CN110896045B CN110896045B (zh) 2022-12-30

Family

ID=69720998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811064424.9A Active CN110896045B (zh) 2018-09-12 2018-09-12 一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11626314B2 (zh)
KR (1) KR102289162B1 (zh)
CN (1) CN110896045B (zh)
TW (1) TWI692837B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112216648A (zh) * 2020-09-28 2021-01-12 长江存储科技有限责任公司 晶圆处理装置
CN114141691A (zh) * 2021-12-14 2022-03-04 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备
WO2022188385A1 (zh) * 2021-03-08 2022-09-15 杭州众硅电子科技有限公司 一种晶圆位置检测装置
CN117051367A (zh) * 2023-08-18 2023-11-14 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 磁控溅射设备
CN117438370A (zh) * 2023-12-21 2024-01-23 无锡星微科技有限公司杭州分公司 自动晶圆分选机精密顶出机构
CN117577575A (zh) * 2024-01-16 2024-02-20 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置及半导体工艺设备

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10971352B2 (en) * 2018-07-16 2021-04-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Cleaning method and apparatus
WO2020189984A1 (ko) 2019-03-15 2020-09-24 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
CN111968901B (zh) * 2020-08-25 2022-08-16 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体反应腔室及半导体加工设备
CN114121579B (zh) * 2021-11-03 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 一种卡盘及半导体设备
US11837464B2 (en) 2022-01-06 2023-12-05 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for tape-frame substrate cleaning and drying

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040003898A1 (en) * 2002-05-24 2004-01-08 Joung-Sik Kim Apparatus for manufacturing semiconductor device
CN101205606A (zh) * 2006-12-22 2008-06-25 细美事有限公司 升降销、用于加工基板的装置以及加工基板的方法
CN101719480A (zh) * 2008-10-09 2010-06-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 静电卡盘及等离子体装置
CN102148180A (zh) * 2010-02-09 2011-08-10 中微半导体设备(上海)有限公司 一种工艺件的去夹持装置和方法
CN104037113A (zh) * 2013-03-04 2014-09-10 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理腔室的供气装置以及去夹持方法
JP2015023041A (ja) * 2013-07-16 2015-02-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
WO2017126534A1 (ja) * 2016-01-19 2017-07-27 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US20190267218A1 (en) * 2018-02-23 2019-08-29 Lam Research Corporation Multi-plate electrostatic chucks with ceramic baseplates

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5539609A (en) * 1992-12-02 1996-07-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck usable in high density plasma
US5761023A (en) * 1996-04-25 1998-06-02 Applied Materials, Inc. Substrate support with pressure zones having reduced contact area and temperature feedback
US6083344A (en) * 1997-05-29 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-zone RF inductively coupled source configuration
US6628503B2 (en) * 2001-03-13 2003-09-30 Nikon Corporation Gas cooled electrostatic pin chuck for vacuum applications
KR100720422B1 (ko) * 2002-11-15 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법
US7221553B2 (en) * 2003-04-22 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Substrate support having heat transfer system
KR100842739B1 (ko) * 2006-05-02 2008-07-01 주식회사 하이닉스반도체 고밀도 플라즈마 증착 장치의 정전척
US7972444B2 (en) 2007-11-07 2011-07-05 Mattson Technology, Inc. Workpiece support with fluid zones for temperature control
KR20090005409U (ko) 2007-11-30 2009-06-03 주식회사 케이씨텍 기판 진공건조장치의 리프트 핀 및 이를 구비한 기판진공건조장치
CN101872733B (zh) * 2009-04-24 2012-06-27 中微半导体设备(上海)有限公司 感测和移除被加工半导体工艺件的残余电荷的系统和方法
JP6017328B2 (ja) 2013-01-22 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
US10391526B2 (en) * 2013-12-12 2019-08-27 Lam Research Corporation Electrostatic chuck cleaning fixture
KR102233925B1 (ko) * 2014-11-20 2021-03-30 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치
US10020218B2 (en) * 2015-11-17 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with deposited surface features
US20170352565A1 (en) * 2016-06-07 2017-12-07 Chunlei Zhang Workpiece carrier with gas pressure in inner cavities
US20190088518A1 (en) * 2017-09-20 2019-03-21 Applied Materials, Inc. Substrate support with cooled and conducting pins
CN109994355B (zh) * 2017-12-29 2021-11-02 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种具有低频射频功率分布调节功能的等离子反应器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040003898A1 (en) * 2002-05-24 2004-01-08 Joung-Sik Kim Apparatus for manufacturing semiconductor device
CN101205606A (zh) * 2006-12-22 2008-06-25 细美事有限公司 升降销、用于加工基板的装置以及加工基板的方法
CN101719480A (zh) * 2008-10-09 2010-06-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 静电卡盘及等离子体装置
CN102148180A (zh) * 2010-02-09 2011-08-10 中微半导体设备(上海)有限公司 一种工艺件的去夹持装置和方法
CN104037113A (zh) * 2013-03-04 2014-09-10 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理腔室的供气装置以及去夹持方法
JP2015023041A (ja) * 2013-07-16 2015-02-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
WO2017126534A1 (ja) * 2016-01-19 2017-07-27 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US20190267218A1 (en) * 2018-02-23 2019-08-29 Lam Research Corporation Multi-plate electrostatic chucks with ceramic baseplates

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112216648A (zh) * 2020-09-28 2021-01-12 长江存储科技有限责任公司 晶圆处理装置
CN112216648B (zh) * 2020-09-28 2021-09-28 长江存储科技有限责任公司 晶圆处理装置
WO2022188385A1 (zh) * 2021-03-08 2022-09-15 杭州众硅电子科技有限公司 一种晶圆位置检测装置
CN114141691A (zh) * 2021-12-14 2022-03-04 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备
CN114141691B (zh) * 2021-12-14 2022-06-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备
CN117051367A (zh) * 2023-08-18 2023-11-14 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 磁控溅射设备
CN117051367B (zh) * 2023-08-18 2024-05-31 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 磁控溅射设备
CN117438370A (zh) * 2023-12-21 2024-01-23 无锡星微科技有限公司杭州分公司 自动晶圆分选机精密顶出机构
CN117438370B (zh) * 2023-12-21 2024-03-19 无锡星微科技有限公司杭州分公司 自动晶圆分选机精密顶出机构
CN117577575A (zh) * 2024-01-16 2024-02-20 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置及半导体工艺设备
CN117577575B (zh) * 2024-01-16 2024-05-17 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置及半导体工艺设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN110896045B (zh) 2022-12-30
TWI692837B (zh) 2020-05-01
US20200083087A1 (en) 2020-03-12
TW202011513A (zh) 2020-03-16
US11626314B2 (en) 2023-04-11
KR102289162B1 (ko) 2021-08-17
KR20200031032A (ko) 2020-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110896045B (zh) 一种升举顶针组件，静电夹盘及其所在的处理装置
CN108183058B (zh) 载置台和等离子体处理装置
CN106148916B (zh) 高温衬底基座模块及其组件
KR102641003B1 (ko) 백사이드 가스 전달 튜브를 포함하는 기판 페데스탈 모듈 및 제작 방법
KR101645053B1 (ko) 웨이퍼를 냉각시키기 위한 로드록 및 웨이퍼 냉각 방법
KR100429581B1 (ko) 플라즈마 생성원, 진공 펌핑 장치 및/또는 외팔보형기판지지체와같은장비모듈을구비하는만능진공챔버
TW201608599A (zh) 電漿處理裝置
JP2015010281A (ja) ガスシールを有する化学蒸着チャンバ
KR102396430B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN113223914B (zh) 基板处理设备及基板处理方法
KR101760982B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
GB2368723A (en) Electro-static chucking (ESC) mechanism
KR20200022681A (ko) 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
JP2869384B2 (ja) プラズマ処理方法
CN113871280B (zh) 等离子体处理装置及其边缘气体组件
US11538665B2 (en) Gas supply system, substrate processing apparatus, and control method for gas supply system
JP2020132942A (ja) 成膜装置および成膜方法
KR20190059226A (ko) 기판 적재대
TW202101540A (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法
KR20200051505A (ko) 배치대 및 기판 처리 장치
KR102334531B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100686285B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 배기 판
KR20030030161A (ko) 반도체 제조용 챔버의 배기시스템
KR102203551B1 (ko) 기판 적재 구조체 및 플라스마 처리 장치
KR100734016B1 (ko) 기판 재치대 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant