CN117051367A - 磁控溅射设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种磁控溅射设备，通过将传统的适配器、内衬和盖板构成一体式结构，从而可以增加热量在这三者之间的传递，同时一体式的工艺套件在腔室内的位置固定可以避免部件在运动过程中颗粒缺陷的产生，提高工艺产品的良率，结构更为简单。由于工艺套件内部设置的冷却通道从适配部延伸至盖板部，如此可以在冷却通道内通入的冷却介质(例如水、气等)来带走工艺套件的热量，增加工艺套件的热传导效率，降低腔室内等离子轰击引起工艺套件温升现象，冷却效果更佳，即使在大功率下等离子连续轰击工艺套件，工艺套件的温度也不会升高，从而降低工艺套件辐射到晶圆的热量，降低晶圆温升现象，保证工艺的稳定进行，进而保证薄膜质量。

Description

磁控溅射设备

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其是涉及一种磁控溅射设备。

背景技术

物理气相沉积是半导体集成电路制造中的一道重要的工艺步骤，主要应用于芯片中的金属互连线、阻挡层、硬掩膜等的形成。为了防止从靶材溅射逸出的离子和原子沉积到反应腔室的内壁上，一般在腔室内设置有适配器、内衬、盖板、沉积环等工艺套件来实现等离子的遮挡作用。

采用磁控溅射工艺进行厚膜沉积时，为了提高沉积速率，一般采用高功率溅射来实现。随着等离子能量密度的提高，这些高能离子和金属原子轰击到工艺套件(内衬、盖板等)和晶圆表面时，会引起反应腔室内壁、工艺套件和晶圆温度显著升高，从而导致晶圆的实际温度高于设定的工艺温度，薄膜性能偏离规格。

发明内容

本发明的目的在于提供一种磁控溅射设备，增加工艺套件的热传导效率，降低腔室内等离子轰击引起工艺套件温升现象，冷却效果更佳，即使在大功率下等离子连续轰击工艺套件，工艺套件的温度也不会升高，从而降低工艺套件辐射到晶圆的热量，降低晶圆温升现象，保证工艺的稳定进行，进而保证薄膜质量。

第一方面，本发明提供一种磁控溅射设备，包括腔室、上盖、靶材背板、磁控装置、沉积环、加热基座和工艺套件；

述工艺套件位于所述腔室内，所述工艺套件呈环状，其包括由外朝内依次环绕式一体连接的适配部、内衬部和盖板部，所述适配部位于所述内衬部的顶端外侧，且搁置在所述腔室的顶端，所述盖板部位于所述内衬部的底端内侧，其中，所述工艺套件内部设置有冷却通道，所述冷却通道从所述适配部延伸至所述盖板部；

所述靶材背板位于所述适配部的顶端；

所述上盖与所述适配部连接，并与所述适配部共同压住所述靶材背板；

所述磁控装置位于所述上盖和所述靶材背板之间；

所述加热基座位于所述腔室内的底部；

所述沉积环位于所述加热基座和所述盖板部之间。

在可选的实施方式中，所述冷却通道绕着所述工艺套件的中轴线呈螺旋状环绕。

在可选的实施方式中，所述冷却通道的数量为两道以上，且由内朝外依次环绕设置，内外相邻的两道所述冷却通道相互连通。

在可选的实施方式中，内外相邻的两道所述冷却通道的连通处在所述盖板部内。

在可选的实施方式中，所述冷却通道的数量为两道，分别为第一冷却通道和第二冷却通道，所述第一冷却通道相对于所述第二冷却通道更为远离所述内衬部的内壁以及所述盖板部的顶端；

和/或，

所述适配部设置有回水通道和出水通道，所述回水通道与一道所述冷却通道连通，所述出水通道与另一道所述冷却通道连通，且所述回水通道的回水口以及所述出水通道的出水口均位于所述适配部的外侧。

在可选的实施方式中，所述工艺套件的内表面经喷砂、熔射处理；

和/或，

所述加热基座内能够进行冷却介质的循环。

在可选的实施方式中，所述磁控溅射设备还包括顶针组件，所述顶针组件包括多个顶针，所述顶针穿设于所述加热基座，且所述加热基座和/或所述顶针能够做升降运动，以使所述加热基座上的晶圆被所述顶针托起。

在可选的实施方式中，所述顶针内能够进行冷却介质的循环；

和/或，

所述上盖与所述靶材背板围合形成的上腔室内和/或所述靶材背板内能够进行冷却介质的循环，所述顶针能够将晶圆举升至位于所述靶材背板和所述盖板部之间的位置。

在可选的实施方式中，所述顶针组件还包括冷却托架，全部所述顶针的顶端均与所述冷却托架连接；

其中，所述冷却托架的内部形成冷却流道，且所述顶针呈中空构造，以能够通过所述顶针的内腔向所述冷却流道通入冷却介质。

在可选的实施方式中，所述加热基座的顶面设置有容置槽，所述冷却托架收纳在所述容置槽内；

和/或，

所述冷却流道分为第一冷却流道和第二冷却流道，所述第一冷却流道和所述第二冷却流道均呈环形，且所述第一冷却流道环绕于所述第二冷却流道的外侧，所述第一冷却流道和第二冷却流道通过过渡通道相互连通。

本发明实施例的有益效果包括：

通过将传统的适配器、内衬和盖板构成一体式结构，从而可以增加热量在这三者之间的传递，同时一体式的工艺套件在腔室内的位置固定可以避免部件在运动过程中颗粒缺陷的产生，提高工艺产品的良率，结构更为简单，减少磁控溅射设备的总体零件和装配步骤，以减少磁控溅射设备的拆装难度。同时由于工艺套件内部设置有冷却通道，冷却通道从适配部延伸至盖板部，如此可以在冷却通道内通入的冷却介质(例如水、气等)来带走工艺套件的热量，增加工艺套件的热传导效率，降低腔室内等离子轰击引起工艺套件温升现象，冷却效果更佳，即使在大功率下等离子连续轰击工艺套件，工艺套件的温度也不会升高，从而降低工艺套件辐射到晶圆的热量，降低晶圆温升现象，保证工艺的稳定进行，进而保证薄膜质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为磁控溅射设备的示意图；

图2为工艺套件的示意图；

图3为工艺套件的剖视图；

图4为顶针组件的示意图；

图5为冷却托架的示意图。

图标：1-腔室；2-加热基座；3-沉积环；4-晶圆；5-工艺套件；6-靶材背板；7-上盖；8-磁控装置；9-回水通道；10-出水通道；11-第一冷却通道；12-第二冷却通道；13-上腔室；14-适配部；15-内衬部；16-盖板部；17-顶针；18-顶针环；19-连杆；20-冷却托架；21-第一冷却流道；22-第二冷却流道；23-过渡通道。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在半导体的加工过程中，PVD(Physical Vapour Deposition，物理气相沉积)工艺是一种常用的加工手段。在PVD工艺过程中，通常借助磁控装置8产生磁场，增大对电子的约束能力，同时，在腔室1内通入工艺气体，向靶材施加偏压，使工艺气体电离产生等离子体，等离子体撞击靶材，产生靶材材料的原子或离子等粒子，这些粒子沉积在晶圆4等被加工件上，即可在被加工件上成膜。

为了防止从靶材溅射逸出的离子和原子沉积到反应腔室1的内壁上，一般在腔室1内设置有适配器、内衬、盖板、沉积环3等工艺套件5来实现等离子的遮挡作用。

采用磁控溅射工艺进行厚膜沉积时，为了提高沉积速率，一般采用高功率溅射来实现。随着等离子能量密度的提高，这些高能离子和金属原子轰击到工艺套件5(内衬、盖板等)和晶圆4表面时，会引起反应腔室1内壁、工艺套件5和晶圆4温度显著升高，如果这些热量不及时带走的话会影响超温报警，同时颗粒表现较差，从而导致晶圆4的实际温度高于设定的工艺温度，薄膜性能偏离规格。

为了改善上述缺陷，因此很有必要增设特别的冷却装置，方便对腔室1的温度和晶圆4的温度进行合理地控制。

下面结合附图，对本发明的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

请参考图1，本发明实施例公开了一种磁控溅射设备，该磁控溅射设备包括腔室1、上盖7、靶材背板6、磁控装置8、沉积环3、加热基座2以及工艺套件5；

腔室1的形状和容积可以根据实际情况进行选择，例如可以为图1所示的中空无盖的圆柱形，工艺套件5位于腔室1内，且工艺套件5搁置在腔室1的顶端。靶材背板6则固定在工艺套件5的顶端，以将工艺套件5的内腔以及腔室1封盖，上盖7则罩设在靶材背板6外，且与工艺套件5相连，从而将靶材背板6的压紧固定。靶材背板6的下表面则绑定靶材，靶材可以通过铟金属绑定靶材，靶材暴露在腔室1中，以在受激发后产生的粒子全部位于腔室1中。上盖7和靶材背板6则共同围合形成上腔室13。磁控装置8则通过旋转轴可转动设置在上腔室13，即磁控装置8位于靶材背板6和上盖7之间，旋转轴则可转动穿设于上盖7，以与外部的驱动电机连接，这样就可以通过驱动电机带动旋转轴来驱使磁控装置8在上腔室13内转动，磁控装置8的型号和功率等具体参数可以根据靶材的材质和厚度等实际情况进行选择。

加热基座2位于腔室1内的底部，该加热基座2用于承载并加热晶圆4，从而在溅射工艺中使晶圆4的温度能够满足预设温度，进而保证工艺过程高效可靠的进行。其中，预设温度可以根据溅射工艺的实际情况进行选择。

工艺套件5为一体式的结构，工艺套件5呈环状，其主要分为由外朝内依次环绕式一体连接的适配部14、内衬部15和盖板部16，适配部14位于内衬部15的顶端外侧，且适配部14搁置在腔室1的顶端，以径向朝外伸出，盖板部16位于内衬部15的底端内侧，这样通过将传统的适配器、内衬和盖板构成一体式结构，从而可以增加热量在这三者之间的传递，同时一体式的工艺套件5在腔室1内的位置固定可以避免部件在运动过程中颗粒缺陷的产生，提高工艺产品的良率，结构更为简单，减少磁控溅射设备的总体零件和装配步骤，以减少磁控溅射设备的拆装难度。

沉积环3则位于加热基座2和盖板部16之间，并与盖板部16连接固定，这样通过沉积环3来将盖板部16和加热基座2之间的环状间隙遮盖，以在溅射工艺中，通过沉积环3来防止粒子落入腔室1的底部，同时通过盖板部16来防止粒子沉积在晶圆4侧面。

其中，工艺套件5内部设置有冷却通道，冷却通道从适配部14延伸至盖板部16，如此可以在冷却通道内通入的冷却介质(例如水、气等)来带走工艺套件5的热量，增加工艺套件5的热传导效率，降低腔室1内等离子轰击引起工艺套件5温升现象，冷却效果更佳，即使在大功率下等离子连续轰击工艺套件5，工艺套件5的温度也不会升高，从而降低工艺套件5辐射到晶圆4的热量，降低晶圆4温升现象，保证工艺的稳定进行，进而保证薄膜质量。

具体来说，结合图2和图3，冷却通道绕着工艺套件5的中轴线呈螺旋状环绕，这样可以使得冷却通道内的冷却介质能够在工艺套件5中分布的更为均匀，从而吸收更多的热量，控制工艺套件5温升的效果更佳。

冷却通道的数量为两道以上，且由内朝外依次环绕设置，内外相邻的两道冷却通道相互连通。

以冷却通道的数量为两道为例，两道冷却通道分别为第一冷却通道11和第二冷却通道12，第一冷却通道11相对于第二冷却通道12更为远离内衬部15的内壁以及盖板部16的顶端；

第一冷却通道11和第二冷却通道12在盖板部16内的部位相互连通，即内外相邻的两道冷却通道的连通处在盖板部16内，从而构成双层冷却构造，使得冷却介质能够从第一冷却通道11进入到第二冷却通道12，又或者是从第二冷却通道12进入到第一冷却通道11。

更为具体的，第一冷却通道11和第二冷却通道12在盖板部16内的部分的最内圈相互连通，即第一冷却通道11的最内圈从而保证冷却介质能够在工艺套件5中的流动路径更长。

当然，冷却通道的数量不做具体限制，还可以是一道、三道或四道以上，从而构成单层冷却、三层冷却或者四层冷却构造，具体可以根据实际溅射工艺中的发热量进行设置。

在本实施例中，适配部14设置有回水通道9和出水通道10，回水通道9与一道冷却通道连通，例如回水通道9与第一冷却通道11连通，出水通道10与另一道冷却通道连通，例如出水通道10与第二冷却通道12连通，且回水通道9的回水口以及出水通道10的出水口均位于适配部14的外侧，这样冷却介质经回水口进入到回水通道9然后通入第一冷却通道11，然后再经过第二冷却通道12以及出水通道10的出水口通向外界，以实现冷却介质在工艺套件5内的循环，通过流动的冷却介质来带走热量，从而保证工艺套件5的温度尽量保持恒定。

在回水通道9的回水口和出水通道10的出水口均设置有接头，该接头接位于适配部14外侧，从而可以供管路连接，以与冷源、驱动泵等部件连通，实现冷却介质的运输。

在工艺套件5的内表面经喷砂、熔射处理，从而可以提高工艺套件5内表面的表面粗糙度和比表面积，提高对溅射粒子吸附能力。其中，熔射材料可以是钛或者是其他金属材质。

在本实施例中，磁控溅射设备还包括顶针组件，顶针组件包括多个顶针17，顶针17穿设于加热基座2，且加热基座2和/或顶针17能够做升降运动，以使加热基座2上的晶圆4被顶针17托起，从而晶圆4与加热基座2分离，便于加热基座2和晶圆4通过伸入腔室1内的喷气装置进行冷却降温。

其中，加热基座2升起到最高位置时的位置如图1所示，此时加热基座2承载晶圆4以进行溅射工艺，当加热基座2下降时，顶针17保持静止，加热基座2上的晶圆4即会被顶针17托起。

驱动加热基座2进行升降的驱动部件可以是液压缸、电缸或者驱动电机，加热基座2则朝下伸出腔室1外，以与外界的驱动部件进行连接，从而在驱动部件的作用下进行升降移动。

在加热基座2内部可以设置冷却水道，该冷却水道延伸至加热基座2位于腔室1外的部分，从而可以与外界冷源连通，这样加热基座2内就可以进行冷却介质的循环，以带走加热基座2的热量，并对位于加热基座2上的晶圆4进行降温，降低至预设的温度后加热基座2内的加热丝工作以继续进行溅射工艺即可。

顶针组件还可以进行升降，以将晶圆4举升至位于靶材背板6和盖板部16之间的位置，从而使得晶圆4受到工艺套件5的辐射区域更大，这样可以通过工艺套件5自身较低的温度来通过热传导效应来带走晶圆4的部分热量，对晶圆4起到冷却降温的效果。

顶针17的升降可以通过顶针环18以及连杆19来实现，顶针环18位于腔室1内，且环绕在加热基座2的外周侧，顶针17的底端则固定连接于顶针环18，连杆19的顶端连接于顶针环18，连杆19的底端穿过腔室1底壁伸出到腔室1之外，这样连杆19与电机、液压缸等驱动源连接，通过连杆19来带动顶针环18进行升降移动，进而带动全部顶针17同步进行升降移动，从而实现对晶圆4高度调节，以托举晶圆4上升或者回到加热基座2上。

结合图4，顶针17、顶针环18和连杆19均呈中空构造，且三者的内腔依次连通以形成循环水道，循环水道分为相连通的第一水道和第二水道，第一水道作为冷却介质的进入方向以流入第二水道，然后从第二水道流出，这样在外界的冷源与连杆19内部的第一水道和第二水道连通后，冷却介质即可在从进入到顶针17内的第一水道，然后再从第二水道流出，从而实现循环水道和冷源之间的循环，以对顶针17进行降温，这样通过顶针17与晶圆4的接触来带走晶圆4的部分热量，同时由于顶针17是穿设于加热基座2，因此顶针17内部的冷却介质循环还可以带走加热基座2的部分热量，这样也可以降低晶圆4的温升现象。

此外，在本实施例中，结合图5，全部顶针17的顶端还共同连接有一个冷却托架20，该冷却托架20的形状不做具体限定，例如可以是环形，该冷却托架20呈中空结构，以在其内部形成冷却流道，冷却流道分为第一冷却流道21和第二冷却流道22，第一冷却流道21和第二冷却流道22均呈环形，第一冷却流道21环绕于第二冷却流道22外侧，且第一冷却流道21和第二冷却流道22通过过渡通道23相互连通，过渡通道23的数量为多个，且呈圆周阵列分布，每个顶针17内第一水道的出口与第一冷却流道21连通，每个顶针17内第二水道的入口与第二冷却流道22的出口连通，如此冷却托架20与晶圆4接触可以增大顶针17和晶圆4之间的接触面积，从而提高冷却效果。

当然，为了保证冷却托架20的顶面和加热基座2的顶面齐平，因此需要在加热基座2的顶面设置与冷却托架20形状相适配的容置槽，这样冷却托架20平常收纳在容置槽内，以在溅射工艺进行是晶圆4能够同时与冷却托架20和加热基座2接触，保证加热基座2对晶圆4的加热功效。

在一些实施例中，上腔室13内和/或靶材背板6内能够进行冷却介质的循环，顶针17能够将晶圆4举升至位于靶材背板6和盖板部16之间的位置，这样通过冷却介质对靶材以及靶材背板6进行降温，在顶针17将晶圆4托举至靠近靶材的高度之后，可以使得晶圆4热量传递至靶材上，从而对晶圆4降温。

其中，上盖7设置进入口和通出口，进入口和通出口与上腔室13连通，从而冷却介质从进入口进入到上腔室13内吸收靶材背板6的热量，并从通出口流出，实现冷却介质的循环。

靶材背板6的内部设置第三水道，第三水道可以是呈蛇形蜿蜒或者回型状，具体形状不做限制，第三水道的入口和出口均贯穿至靶材背板6的外圆周面，这样冷却介质从第三水道的入口进入，以带走靶材背板6的热量。

当然，可以理解的是，靶材背板6的上表面覆盖有导热绝缘层，以保证上腔室13内的冷却介质能够带走靶材背板6热量的同时，还能够起到避免冷却介质和靶材背板6之间发生电传导的绝缘作用。

而靶材背板6内设置的第三水道的内壁上同样有导热绝缘层，以起到将冷却介质和靶材背板6之间的绝缘作用。

综上，本实施例公开了一种工艺套件5和磁控溅射设备，通过将传统的适配器、内衬和盖板构成一体式结构，从而可以增加热量在这三者之间的传递，同时一体式的工艺套件5在腔室1内的位置固定可以避免部件在运动过程中颗粒缺陷的产生，提高工艺产品的良率，结构更为简单，减少磁控溅射设备的总体零件和装配步骤，以减少磁控溅射设备的拆装难度。同时由于工艺套件5内部设置有冷却通道，冷却通道从适配部14延伸至盖板部16，如此可以在冷却通道内通入的冷却介质(例如水、气等)来带走工艺套件5的热量，增加工艺套件5的热传导效率，降低腔室1内等离子轰击引起工艺套件5温升现象，冷却效果更佳，即使在大功率下等离子连续轰击工艺套件5，工艺套件5的温度也不会升高，从而降低工艺套件5辐射到晶圆4的热量，降低晶圆4温升现象，保证工艺的稳定进行，进而保证薄膜质量。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种磁控溅射设备，其特征在于，包括腔室、上盖、靶材背板、磁控装置、沉积环、加热基座和工艺套件；

所述工艺套件位于所述腔室内，所述工艺套件呈环状，其包括由外朝内依次环绕式一体连接的适配部、内衬部和盖板部，所述适配部位于所述内衬部的顶端外侧，且搁置在所述腔室的顶端，所述盖板部位于所述内衬部的底端内侧，其中，所述工艺套件内部设置有冷却通道，所述冷却通道从所述适配部延伸至所述盖板部；

所述靶材背板位于所述适配部的顶端；

所述上盖与所述适配部连接，并与所述适配部共同压住所述靶材背板；

所述磁控装置位于所述上盖和所述靶材背板之间；

所述加热基座位于所述腔室内的底部；

所述沉积环位于所述加热基座和所述盖板部之间。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述冷却通道绕着所述工艺套件的中轴线呈螺旋状环绕。

3.根据权利要求2所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述冷却通道的数量为两道以上，且由内朝外依次环绕设置，内外相邻的两道所述冷却通道相互连通。

4.根据权利要求3所述的磁控溅射设备，其特征在于，内外相邻的两道所述冷却通道的连通处在所述盖板部内。

5.根据权利要求3或4所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述冷却通道的数量为两道，分别为第一冷却通道和第二冷却通道，所述第一冷却通道相对于所述第二冷却通道更为远离所述内衬部的内壁以及所述盖板部的顶端；

和/或，

所述适配部设置有回水通道和出水通道，所述回水通道与一道所述冷却通道连通，所述出水通道与另一道所述冷却通道连通，且所述回水通道的回水口以及所述出水通道的出水口均位于所述适配部的外侧。

6.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述工艺套件的内表面经喷砂、熔射处理；

和/或，

所述加热基座内能够进行冷却介质的循环。

7.根据权利要求1所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述磁控溅射设备还包括顶针组件，所述顶针组件包括多个顶针，所述顶针穿设于所述加热基座，且所述加热基座和/或所述顶针能够做升降运动，以使所述加热基座上的晶圆被所述顶针托起。

8.根据权利要求7所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述顶针内能够进行冷却介质的循环；

和/或，

所述上盖与所述靶材背板围合形成的上腔室内和/或所述靶材背板内能够进行冷却介质的循环，所述顶针能够将晶圆举升至位于所述靶材背板和所述盖板部之间的位置。

9.根据权利要求7所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述顶针组件还包括冷却托架，全部所述顶针的顶端均与所述冷却托架连接；

其中，所述冷却托架的内部形成冷却流道，且所述顶针呈中空构造，以能够通过所述顶针的内腔向所述冷却流道通入冷却介质。

10.根据权利要求9所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述加热基座的顶面设置有容置槽，所述冷却托架收纳在所述容置槽内；

和/或，

所述冷却流道分为第一冷却流道和第二冷却流道，所述第一冷却流道和所述第二冷却流道均呈环形，且所述第一冷却流道环绕于所述第二冷却流道的外侧，所述第一冷却流道和第二冷却流道通过过渡通道相互连通。