KR20190059226A - 기판 적재대 - Google Patents

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KR20190059226A
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히데아키 야마사키
모토코 나카고미
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 아킹 및 파티클의 발생을 억제하는 것이 가능한 기판 적재대를 제공하는 것이다. 일 실시 형태의 기판 적재대는, 처리 용기 내에서 기판에 플라스마 처리를 실시하는 플라스마 처리 장치에 사용되는 기판 적재대이며, 경면으로 가공되어, 상기 기판을 적재하는 기판 적재부와, 상기 기판 적재부의 주위에 위치하고, 요철 형상으로 가공된 에지부를 갖는다.

Description

기판 적재대{SUBSTRATE MOUNTING TABLE}
본 발명은 기판 적재대에 관한 것이다.
반도체 장치를 제조할 때, 기판에 대하여 플라스마를 사용해서 성막 처리, 에칭 처리 등의 플라스마 처리를 행하는 경우가 있다. 플라스마 처리는, 예를 들어 한 쌍의 평행 평판 전극(상부 전극 및 하부 전극)을 배치한 처리 용기 내에서, 하부 전극으로서 기능하는 스테이지에 기판을 적재하고, 한쪽의 전극에 고주파 전력을 인가해서 전극간에 고주파 전계를 형성함으로써, 처리 가스의 플라스마를 생성한다.
스테이지로서는, 기판을 적재하는 면에 표면 조도(Ra)가 2㎛ 이상 6㎛ 이하인 조면화부를 형성한 구성(예를 들어, 특허문헌 1 참조)이나, 표면을 평활하게 형성한 구성이 알려져 있다.
일본 특허 공개 제2011-119326호 공보
그러나, 기판을 적재하는 면에 조면화부를 형성한 구성에서는, 기판이 스테이지에 대하여 전기적으로 부유한 상태로 되어, 기판과 스테이지의 사이에 전위차가 발생하기 때문에, 상부 전극과 하부 전극의 사이에 고전압이 인가되면, 아크 방전(아킹)이 발생할 우려가 있다. 한편, 표면을 평활하게 형성한 구성에서는, 플라스마 처리를 반복해서 행하면, 스테이지의 표면 중 기판이 적재되지 않는 부분에 반응 생성물이 부착되어 축적되고, 축적된 반응 생성물이 박리해서 파티클이 발생할 우려가 있다.
그래서, 본 발명의 일 형태에서는, 아킹 및 파티클의 발생을 억제하는 것이 가능한 기판 적재대를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 관한 기판 적재대는, 처리 용기 내에서 기판에 플라스마 처리를 실시하는 플라스마 처리 장치에 사용되는 기판 적재대이며, 경면으로 가공되어, 상기 기판을 적재하는 기판 적재부와, 상기 기판 적재부의 주위에 위치하고, 요철 형상으로 가공된 에지부를 갖는다.
개시의 기판 적재대에 의하면, 아킹 및 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 플라스마 처리 장치의 전체 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 따른 스테이지의 개략 단면도이다.
도 3은 스테이지 형상과 아킹 발생수의 관계를 설명하는 도면이다.
도 4는 스테이지 형상과 파티클의 관계를 설명하는 도면이다.
도 5는 스테이지 형상과 웨이퍼 위치 어긋남양의 관계를 설명하는 도면이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복된 설명을 생략한다.
〔플라스마 처리 장치〕
본 발명의 실시 형태에 따른 스테이지가 적용 가능한 플라스마 처리 장치의 일례에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 플라스마 처리 장치의 전체 구성도이다.
도 1에 도시되는 바와 같이, 플라스마 처리 장치(1)는, 플라스마 CVD법에 의해, 예를 들어 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼(W)」라고 함)에 티타늄(Ti)막을 성막하는 처리를 행하는 장치이다. 플라스마 처리 장치(1)는, 대략 원통형의 기밀한 처리 용기(2)를 구비한다. 처리 용기(2)의 저벽의 중앙부에는, 배기실(21)이 설치되어 있다.
배기실(21)은, 하방을 향해서 돌출되는, 예를 들어 대략 원통 형상의 형상을 구비한다. 배기실(21)에는, 예를 들어 배기실(21)의 측면에 있어서, 배기로(22)가 접속되어 있다.
배기로(22)에는, 압력 조정부(23)를 거쳐서 배기부(24)가 접속되어 있다. 압력 조정부(23)는, 예를 들어 버터플라이 밸브 등의 압력 조정 밸브를 구비한다. 배기로(22)는, 배기부(24)에 의해 처리 용기(2) 내를 감압할 수 있도록 구성되어 있다. 처리 용기(2)의 측면에는, 반송구(25)가 설치되어 있다. 반송구(25)는, 게이트 밸브(26)에 의해 개폐 가능하게 구성되어 있다. 처리 용기(2) 내와 반송실(도시하지 않음)의 사이에서의 웨이퍼(W)의 반출입은, 반송구(25)를 통해서 행하여진다.
처리 용기(2) 내에는, 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 보유 지지하기 위한 기판 적재대인 스테이지(3)가 설치되어 있다. 스테이지(3)는, 평면에서 보아 대략 원 형상으로 형성되어 있고, 지지 부재(31)에 의해 지지되어 있다. 스테이지(3)의 표면에는, 예를 들어 직경이 300mm인 웨이퍼(W)를 적재하기 위한 원 형상의 오목부(32)가 형성되어 있다. 오목부(32)는, 웨이퍼(W)의 직경보다도 약간(예를 들어 1mm 내지 4mm 정도) 큰 내경을 갖는다. 오목부(32)의 깊이는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 두께와 대략 동일하게 구성된다. 스테이지(3)는, 예를 들어 질화알루미늄(AlN) 등의 세라믹스 재료에 의해 형성되어 있다. 또한, 스테이지(3)는, 니켈(Ni) 등의 금속재료에 의해 형성되어 있어도 된다. 또한, 오목부(32) 대신에 스테이지(3)의 표면의 주연부에 웨이퍼(W)를 가이드하는 가이드 링을 설치해도 된다.
스테이지(3)에는, 예를 들어 접지된 하부 전극(33)이 매설된다. 하부 전극(33)의 하방에는, 가열 기구(34)가 매설된다. 가열 기구(34)는, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초하여 전원부(도시하지 않음)로부터 급전됨으로써, 스테이지(3)에 적재된 웨이퍼(W)를 설정 온도(예를 들어 350 내지 700℃의 온도)로 가열한다. 스테이지(3)의 전체가 금속에 의해 구성되어 있는 경우에는, 스테이지(3)의 전체가 하부 전극으로서 기능하므로, 하부 전극(33)을 스테이지(3)에 매설하지 않아도 된다. 스테이지(3)에는, 스테이지(3)에 적재된 웨이퍼(W)를 보유 지지해서 승강하기 위한 복수개(예를 들어 3개)의 승강 핀(41)이 설치되어 있다. 승강 핀(41)의 재료는, 예를 들어 알루미나(Al2O3) 등의 세라믹스나 석영 등이면 된다. 승강 핀(41)의 하단은, 지지판(42)에 설치되어 있다. 지지판(42)은, 승강 축(43)을 통해서 처리 용기(2)의 외부에 설치된 승강 기구(44)에 접속되어 있다.
승강 기구(44)는, 예를 들어 배기실(21)의 하부에 설치되어 있다. 벨로우즈(45)는, 배기실(21)의 하면에 형성된 승강 축(43)용의 개구부(211)와 승강 기구(44)의 사이에 설치되어 있다. 지지판(42)의 형상은, 스테이지(3)의 지지 부재(31)와 간섭하지 않고 승강할 수 있는 형상이어도 된다. 승강 핀(41)은, 승강 기구(44)에 의해, 스테이지(3)의 표면의 상방측과, 스테이지(3)의 표면의 하방측의 사이에서, 승강 가능하게 구성된다.
처리 용기(2)의 천장벽(27)에는, 절연 부재(28)를 통해서 가스 공급부(5)가 설치되어 있다. 가스 공급부(5)는, 상부 전극을 이루고 있어, 하부 전극(33)에 대향하고 있다. 가스 공급부(5)에는, 정합기(511)를 거쳐서 고주파 전원(51)이 접속되어 있다. 고주파 전원(51)으로부터 상부 전극(가스 공급부(5))에 고주파 전력을 공급함으로써, 상부 전극(가스 공급부(5))과 하부 전극(33)의 사이에 고주파 전계가 발생하도록 구성되어 있다. 가스 공급부(5)는, 중공 형상의 가스 공급실(52)을 구비한다. 가스 공급실(52)의 하면에는, 처리 용기(2) 내에 처리 가스를 분산 공급하기 위한 다수의 구멍(53)이 예를 들어 균등하게 배치되어 있다. 가스 공급부(5)에서의 예를 들어 가스 공급실(52)의 상방측에는, 가열 기구(54)가 매설되어 있다. 가열 기구(54)는, 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초해서 도시하지 않은 전원부로부터 급전됨으로써, 설정 온도로 가열된다.
가스 공급실(52)에는, 가스 공급로(6)가 설치되어 있다. 가스 공급로(6)는, 가스 공급실(52)에 연통하고 있다. 가스 공급로(6)의 상류측에는, 가스 라인(L61)을 통해서 가스원(61)이 접속되고, 가스 라인(L62)을 통해서 가스원(62)이 접속되고, 가스 라인(L63)을 통해서 가스원(63)이 접속되어 있다. 일 실시 형태에서는, 가스원(61)은, 불활성 가스의 가스원이며, 예를 들어 Ar 가스, N2 가스 등의 가스원이면 된다. 가스원(62)은, 반응성 가스의 가스원이며, 예를 들어 H2 가스, NH3 가스 등의 가스원이면 되며, 또한 퍼지를 위해서 불활성 가스(Ar 가스, N2 가스 등)의 가스원으로서 사용할 수도 있다. 가스원(63)은, 반응성 가스의 가스원이며, 예를 들어 TiCl4 가스 등의 가스원이면 되며, 또한 퍼지를 위해서 불활성 가스(Ar 가스, N2 가스 등)의 가스원으로서 사용할 수도 있다. 가스 라인(L61)과 가스 라인(L62)은, 가스 라인(L61)에서의 밸브(V1)와 가스 공급로(6)의 사이, 가스 라인(L62)에서의 밸브(V2)와 가스 공급로(6)의 사이에서, 서로 접속되어 있다.
가스원(61)은, 가스 라인(L61)을 통해서, 가스 공급로(6)에 접속되어 있다. 가스 라인(L61)에는, 압력 조정 밸브(V5), 밸브(V4), 승압부(TK) 및 밸브(V1)가, 가스원(61)의 측에서부터 이 순서로 개재 설치되어 있다. 승압부(TK)는, 가스 라인(L61)에 있어서, 밸브(V1)와 밸브(V4)의 사이에 배치되어 있다. 밸브(V4)는, 압력 조정 밸브(V5)와 승압부(TK)의 사이에 배치되어 있다. 승압부(TK)는, 가스 저류 탱크(TKT)를 구비한다. 승압부(TK)의 가스 저류 탱크(TKT)는, 밸브(V1)가 폐쇄되고 또한 밸브(V4)가 개방된 상태에서, 가스 라인(L61) 및 밸브(V4)를 통해서 가스원(61)으로부터 공급되는 가스를 저류하여 가스 저류 탱크(TKT) 내에서의 당해 가스의 압력을 승압할 수 있다. 승압부(TK)는, 압력계(TKP)를 구비한다. 압력계(TKP)는, 승압부(TK)가 구비하는 가스 저류 탱크(TKT)의 내부의 가스의 압력을 계측하고, 계측 결과를 제어부(100)에 송신한다. 밸브(V1)는, 승압부(TK)와 가스 공급로(6)의 사이에 배치되어 있다.
가스원(62)은, 가스 라인(L62)을 통해서, 가스 공급로(6)에 접속되어 있다. 가스 라인(L62)에는, 밸브(V6), 매스 플로우 컨트롤러(MF1) 및 밸브(V2)가, 가스원(62)의 측에서부터 이 순서로 개재 설치되어 있다.
가스원(63)은, 가스 라인(L63)을 통해서, 가스 공급로(6)에 접속되어 있다. 가스 라인(L63)에는, 밸브(V7), 매스 플로우 컨트롤러(MF2) 및 밸브(V3)가, 가스원(63)의 측에서부터 이 순서로 개재 설치되어 있다.
플라스마 처리 장치(1)는, 제어부(100)와, 기억부(101)를 구비한다. 제어부(100)는, 도시하지 않은 CPU, RAM, ROM 등을 구비하고 있고, 예를 들어 ROM이나 기억부(101)에 저장된 컴퓨터 프로그램을 CPU에 실행시킴으로써, 플라스마 처리 장치(1)를 통괄적으로 제어한다. 구체적으로는, 제어부(100)는, 기억부(101)에 저장된 제어 프로그램을 CPU에 실행시켜 플라스마 처리 장치(1)의 각 구성부의 동작을 제어함으로써, 웨이퍼(W)에 대한 플라스마 처리 등을 실행한다.
〔스테이지〕
본 발명의 실시 형태에 따른 스테이지(3)에 대해서 설명한다. 본 발명의 실시 형태에 따른 스테이지(3)는, 예를 들어 상술한 플라스마 처리 장치(1)의 처리 용기(2) 내에서 웨이퍼(W)에 소정의 플라스마 처리를 실시할 때 웨이퍼(W)를 적재하는 적재대로서 기능한다. 도 2는, 본 발명의 실시 형태에 따른 스테이지(3)의 개략 단면도이다.
스테이지(3)는, 기판 적재부(35)와, 에지부(36)와, 테이퍼부(37)와, 제방부(38)를 갖는다. 기판 적재부(35), 에지부(36), 테이퍼부(37) 및 제방부(38)는, 스테이지(3)의 중앙부로부터 외주부를 향해서 이 순서로 형성되어 있다.
기판 적재부(35)는, 오목부(32)의 저면의 중앙부에 형성되어 있다. 기판 적재부(35)의 형상은, 웨이퍼(W)의 형상과 대략 동일하면 되며, 예를 들어 직경이 298mm 내지 300mm인 대략 원 형상으로 할 수 있다. 기판 적재부(35)의 표면은, 경면으로 가공되어 있다. 경면이란, JISB0601:2013에 규정되는 산술 평균 조도(이하, 「표면 조도(Ra)」라고 함)가 0.4㎛ 이하인 것을 의미한다. 기판 적재부(35)가 경면으로 가공되어 있으므로, 스테이지(3)의 표면과 웨이퍼(W)의 이면의 간격이 좁아진다. 그 결과, 스테이지(3)의 표면과 웨이퍼(W)의 이면의 사이에서 아크 방전(아킹)이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
에지부(36)는, 기판 적재부(35)의 주위에, 기판 적재부(35)를 둘러싸도록 형성되어 있다. 에지부(36)의 형상은, 예를 들어 대략 원환 형상으로 할 수 있다. 에지부(36)의 내경은, 웨이퍼(W)의 직경과 대략 동일하면 되며, 예를 들어 298mm 내지 300mm로 할 수 있다. 에지부(36)의 외경은, 웨이퍼(W)의 직경보다도 약간 크면 되며, 예를 들어 301mm 내지 303mm로 할 수 있다. 에지부(36)는, 기판 적재부(35)보다도 표면 조도(Ra)가 큰 요철 형상으로 가공되어 있다. 에지부(36)가 요철 형상으로 가공되어 있으므로, 에지부(36)의 표면과 웨이퍼(W)의 이면의 사이에 발생하는 마찰력이, 기판 적재부(35)의 표면과 웨이퍼(W)의 이면의 사이에 발생하는 마찰력보다도 커진다. 그 때문에, 기판 적재부(35)로부터 에지부(36)로의 웨이퍼(W)의 이동이 제한되므로, 스테이지(3)에 대한 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 억제할 수 있다. 또한, 에지부(36)가 요철 형상으로 가공되어 있으므로, 플라스마 처리에 의해 에지부(36)에 성막되는 막의 스테이지(3)에 대한 밀착성이 향상된다. 그 때문에, 에지부(36)에 성막되는 막의 박리가 억제된다. 그 결과, 막의 박리에 기인하는 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 에지부(36)의 표면 조도(Ra)는, 에지부(36)에 성막되는 막의 박리를 특히 억제할 수 있다는 관점에서, 1㎛ 내지 10㎛인 것이 바람직하다.
테이퍼부(37)는, 오목부(32)의 내측면에 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 테이퍼부(37)는, 에지부(36)의 주위에, 에지부(36)를 둘러싸도록 형성되어 있다. 테이퍼부(37)에 의해, 오목부(32)로부터의 웨이퍼(W)의 튀어나옴이 방지된다. 테이퍼부(37)는, 오목부(32)의 저면과 제방부(38)의 사이에 형성되어 있다. 테이퍼부(37)는, 기판 적재부(35)보다도 표면 조도(Ra)가 큰 요철 형상으로 가공되어 있다. 테이퍼부(37)가 요철 형상으로 가공되어 있으므로, 플라스마 처리에 의해 테이퍼부(37)에 성막되는 막의 스테이지(3)에 대한 밀착성이 향상된다. 그 때문에, 테이퍼부(37)에 성막되는 막의 박리가 억제된다. 그 결과, 막의 박리에 기인하는 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 테이퍼부(37)의 표면 조도(Ra)는, 표면 가공이 용이하다는 관점에서, 에지부(36)의 표면 조도(Ra)보다도 작은 것이 바람직하고, 예를 들어 2㎛로 할 수 있다.
제방부(38)는, 테이퍼부(37)의 주위에, 테이퍼부(37)를 둘러싸도록 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 제방부(38)는, 오목부(32)의 주위에 형성되어 있다. 제방부(38)의 높이는, 예를 들어 기판 적재부(35)에 적재되는 웨이퍼(W)의 표면과 대략 동일하게 구성된다. 제방부(38)는, 기판 적재부(35)보다도 표면 조도(Ra)가 큰 요철 형상으로 가공되어 있다. 제방부(38)가 요철 형상으로 가공되어 있으므로, 플라스마 처리에 의해 제방부(38)에 성막되는 막의 스테이지(3)에 대한 밀착성이 향상된다. 그 때문에, 제방부(38)에 성막되는 막의 박리가 억제된다. 그 결과, 막의 박리에 기인하는 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 제방부(38)의 표면 조도(Ra)는, 표면 가공이 용이하다는 관점에서, 에지부(36)의 표면 조도(Ra)와 동일한 것이 바람직하고, 예를 들어 1㎛ 내지 10㎛로 할 수 있다.
〔효과〕
본 발명의 실시 형태에 따른 스테이지(3)를 사용했을 때의 효과에 대해서 설명한다. 이하에서는, 모두 Ni에 의해 형성된 스테이지(3)를 사용하였다.
최초로, 기판 적재부(35), 에지부(36), 테이퍼부(37) 및 제방부(38)의 표면 조도(Ra)가, 각각 0.02㎛(경면), 10㎛, 2㎛ 및 10㎛인 실시예에 관한 스테이지(3)를 구비하는 플라스마 처리 장치(1)를 사용해서 웨이퍼(W)에 플라스마 처리를 행하였다. 또한, 기판 적재부(35), 에지부(36), 테이퍼부(37) 및 제방부(38)의 표면 조도(Ra)가, 각각 10㎛, 10㎛, 0.4㎛ 및 10㎛인 비교예에 관한 스테이지를 구비하는 플라스마 처리 장치를 사용해서 웨이퍼(W)에 플라스마 처리를 행하였다. 실시예 및 비교예에 관한 플라스마 처리 조건은 이하와 같다.
(플라스마 처리 조건)
TiCl4 가스의 유량: 1 내지 200mL/min(sccm)
Ar 가스 유량: 100 내지 10000mL/min(sccm)
H2 가스 유량: 1 내지 10000mL/min(sccm)
압력: 13.3 내지 1333Pa(0.1 내지 10Torr)
성막 온도: 350 내지 700℃
고주파 전력: 10 내지 3000W, 100kHz 내지 100MHz
도 3은, 스테이지 형상과 아킹 발생수의 관계를 설명하는 도면이다. 도 3의 좌상측 도면은 실시예에 관한 스테이지(3)의 개략 형상을 도시하고, 도 3의 좌하측 도면은 실시예에 관한 스테이지(3) 상에 웨이퍼(W)를 적재해서 플라스마 처리를 행한 후의 스테이지(3)의 표면과 웨이퍼(W)의 이면의 사이의 아킹의 발생수를 도시한다. 도 3의 우상측 도면은 비교예에 관한 스테이지의 개략 형상을 도시하고, 도 3의 우하측 도면은 비교예에 관한 스테이지 상에 웨이퍼(W)를 적재해서 플라스마 처리를 행한 후의 스테이지의 표면과 웨이퍼(W)의 이면의 사이의 아킹의 발생 위치 및 발생수를 도시한다. 도 3의 좌하측 도면 및 우하측 도면의 「No.1」, 「No.6」, 「No.13」, 「No.18」 및 「No.24」는, 각각 플라스마 처리를 실시한 25Run분의 웨이퍼(W) 중 1Run째, 6Run째, 13Run째, 18Run째 및 24Run째의 결과를 나타낸다. 도 3의 우하측 도면에서, 각 플롯은 아킹의 발생 위치를 나타낸다.
도 3의 좌하측 도면에 도시된 바와 같이, 실시예에 관한 스테이지(3)를 사용한 경우, 모든 웨이퍼(W)에 있어서 스테이지(3)의 표면과 웨이퍼(W)의 이면의 사이에서 아킹이 발생하지 않았다. 한편, 도 3의 우하측 도면에 도시된 바와 같이, 비교예에 관한 스테이지를 사용한 경우, 대부분의 웨이퍼(W)에 있어서 스테이지의 표면과 웨이퍼(W)의 이면의 사이에서 아킹이 발생하였다. 구체적으로는, 「No.1」, 「No.6」, 「No.13」, 「No.18」 및 「No.24」의 웨이퍼(W)에서는, 각각 6군데, 24군데, 1군데, 0군데 및 11군데에 아킹이 발생하였다.
이상에 의해, 실시예에 관한 스테이지(3)를 사용함으로써, 비교예에 관한 스테이지를 사용하는 경우와 비교하여, 스테이지(3)의 상면과 웨이퍼(W)의 이면의 사이의 아킹의 발생을 억제할 수 있음을 확인할 수 있었다.
이어서, 기판 적재부(35), 에지부(36), 테이퍼부(37) 및 제방부(38)의 표면 조도(Ra)가, 각각 0.02㎛, 10㎛, 2㎛ 및 10㎛인 실시예에 관한 스테이지(3)를 구비하는 플라스마 처리 장치(1)를 사용해서 웨이퍼(W)에 플라스마 처리를 행하였다. 또한, 기판 적재부(35), 에지부(36), 테이퍼부(37) 및 제방부(38)의 표면 조도(Ra)가, 각각 10㎛, 10㎛, 0.4㎛ 및 10㎛인 비교예에 관한 스테이지를 구비하는 플라스마 처리 장치를 사용해서 웨이퍼(W)에 플라스마 처리를 행하였다. 실시예 및 비교예에 관한 플라스마 처리 조건은 상술한 조건과 마찬가지이다.
도 4는, 스테이지 형상과 파티클의 관계를 설명하는 도면이다. 도 4의 좌상측 도면은 실시예에 관한 스테이지(3)의 개략 형상을 도시하고, 도 4의 좌하측 도면은 실시예에 관한 스테이지(3) 상에 웨이퍼(W)를 적재해서 플라스마 처리를 행한 후의 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 파티클의 분포를 도시한다. 도 4의 우상측 도면은 비교예에 관한 스테이지의 개략 형상을 도시하고, 도 4의 우하측 도면은 비교예에 관한 스테이지 상에 웨이퍼(W)를 적재해서 플라스마 처리를 행한 후의 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 파티클의 분포를 도시한다. 도 4의 좌하측 도면 및 우하측 도면에서, 각 플롯은 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 파티클을 나타낸다.
도 4의 좌하측 도면에 도시된 바와 같이, 실시예에 관한 스테이지(3)를 사용한 경우, 웨이퍼(W)의 표면에 5개의 파티클이 부착되어 있었다. 한편, 도 4의 우하측 도면에 도시된 바와 같이, 비교예에 관한 스테이지를 사용한 경우, 웨이퍼(W)의 표면에 다수의 파티클이 부착되어 있었다.
이상에 의해, 실시예에 관한 스테이지(3)를 사용함으로써, 비교예에 관한 스테이지를 사용하는 경우와 비교하여, 플라스마 처리 후의 웨이퍼(W)의 표면에 부착되는 파티클을 저감할 수 있음을 확인할 수 있었다.
이어서, 기판 적재부(35), 에지부(36), 테이퍼부(37) 및 제방부(38)의 표면 조도(Ra)가, 각각 0.02㎛, 10㎛, 2㎛ 및 10㎛인 실시예에 관한 스테이지(3)를 구비하는 플라스마 처리 장치(1)를 사용해서 웨이퍼(W)에 플라스마 처리를 행하였다. 또한, 기판 적재부(35), 에지부(36), 테이퍼부(37) 및 제방부(38)의 표면 조도(Ra)가, 각각 0.02㎛, 0.02㎛, 0.4㎛ 및 10㎛인 비교예에 관한 스테이지를 구비하는 플라스마 처리 장치를 사용해서 웨이퍼(W)에 플라스마 처리를 행하였다. 실시예 및 비교예에 관한 플라스마 처리 조건은, 상술한 조건과 마찬가지이다.
도 5는, 스테이지 형상과 웨이퍼 위치 어긋남양의 관계를 설명하는 도면이다. 도 5의 좌상측 도면은 실시예에 관한 스테이지(3)의 개략 형상을 도시하고, 도 5의 좌하측 도면은 실시예에 관한 스테이지(3)에 대한 웨이퍼(W)의 위치 어긋남양을 도시한다. 도 5의 우상측 도면은 비교예에 관한 스테이지의 개략 형상을 도시하고, 도 5의 우하측 도면은 비교예에 관한 스테이지에 대한 웨이퍼(W)의 위치 어긋남양을 도시한다. 도 5의 좌하측 도면 및 우하측 도면에서, 횡축 및 종축은 각각 스테이지의 면내에서의 스테이지 중심으로부터의 X 방향의 어긋남양(㎛) 및 Y 방향의 어긋남양(㎛)을 나타낸다. 또한, 도 5의 좌하측 도면 및 우하측 도면에서, 각 플롯은 복수의 웨이퍼(W)의 각각의 플라스마 처리 전의 위치에 대한 플라스마 처리 후의 위치의 이동량(어긋남양)을 나타낸다.
도 5에 도시되는 바와 같이, 실시예의 스테이지(3)를 사용함으로써, 비교예의 스테이지를 사용한 경우와 비교하여, 스테이지(3)에 대한 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 억제할 수 있음을 확인할 수 있었다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시 형태에 따른 스테이지(3)는, 경면으로 가공되어, 웨이퍼(W)를 적재하는 기판 적재부(35)를 갖는다. 이에 의해, 스테이지(3)의 표면과 웨이퍼(W)의 이면의 간격이 좁아지므로, 스테이지(3)의 표면과 웨이퍼(W)의 이면의 사이에서 아킹이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 기판 적재부(35)의 주위에 위치하고, 요철 형상으로 가공된 에지부(36)를 갖는다. 이에 의해, 플라스마 처리에 의해 에지부(36)에 성막되는 막의 스테이지(3)에 대한 밀착성이 향상된다. 그 때문에, 에지부(36)에 성막되는 막이 박리해서 파티클로 되어 웨이퍼(W)의 표면에 부착되는 것을 억제할 수 있다.
이상, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 설명했지만, 상기 내용은, 발명의 내용을 한정하는 것이 아니며, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형 및 개량이 가능하다.
1 : 플라스마 처리 장치 2 : 처리 용기
3 : 스테이지 32 : 오목부
35 : 기판 적재부 36 : 에지부
37 : 테이퍼부 38 : 제방부
W : 웨이퍼

Claims (7)

  1. 처리 용기 내에서 기판에 플라스마 처리를 실시하는 플라스마 처리 장치에 사용되는 기판 적재대이며,
    경면으로 가공되어, 상기 기판을 적재하는 기판 적재부와,
    상기 기판 적재부의 주위에 위치하고, 요철 형상으로 가공된 에지부,
    를 포함하는 기판 적재대.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판 적재부 및 상기 에지부는, 상기 기판 적재대의 표면에 형성된 오목부의 저면에 형성되는, 기판 적재대.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 오목부의 주위에 형성되고, 상기 에지부의 표면 조도와 대략 동일한 표면 조도를 갖는 제방부를 포함하는 기판 적재대.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 오목부의 내측면에 형성되고, 상기 기판 적재부의 표면 조도보다도 크고, 상기 에지부의 표면 조도보다도 작은 표면 조도를 갖는 테이퍼부를 포함하는 기판 적재대.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판 적재부의 표면 조도는, 0.4㎛ 이하인, 기판 적재대.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 에지부의 표면 조도는, 1㎛ 내지 10㎛인, 기판 적재대.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 적재부의 직경은, 상기 기판의 직경과 대략 동일한, 기판 적재대.
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JP6991043B2 (ja) * 2017-11-22 2022-02-03 東京エレクトロン株式会社 基板載置台
CN114318272A (zh) * 2022-02-28 2022-04-12 广州粤芯半导体技术有限公司 减少磁控溅射工艺中基板电弧放电的方法
JP7358576B1 (ja) 2022-07-21 2023-10-10 積水化学工業株式会社 成膜装置及び膜付きウェハの製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060054137A (ko) * 2004-11-15 2006-05-22 동경 엘렉트론 주식회사 포커스링, 플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법
KR20060132466A (ko) * 2005-06-17 2006-12-21 동경 엘렉트론 주식회사 기판 탑재대, 기판 처리 장치 및 기판 탑재대의 제조 방법
KR20090010625A (ko) * 2007-07-24 2009-01-30 주식회사 에스에프에이 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치
KR20090086343A (ko) * 2008-02-08 2009-08-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치용 기판 재치대, 플라즈마 처리 장치 및절연 피막의 성막 방법
JP2011119326A (ja) 2009-12-01 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 基板載置台、その製造方法及び基板処理装置
KR20130058312A (ko) * 2011-11-25 2013-06-04 (주)위지트 서셉터와 섀도우 프레임 간의 아크 발생 방지 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0686662B2 (ja) * 1989-11-02 1994-11-02 イビデン株式会社 Ｃｖｄ用サセプター
JP2002043397A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Hitachi Chem Co Ltd サセプター
DE10139762A1 (de) * 2001-08-13 2003-02-27 Hilti Ag Schleifscheibe
JP2004128019A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Applied Materials Inc プラズマ処理方法及び装置
JP4216055B2 (ja) * 2002-11-28 2009-01-28 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置
JP4542485B2 (ja) * 2004-12-14 2010-09-15 日本碍子株式会社 アルミナ部材及びその製造方法
DE102005021099A1 (de) * 2005-05-06 2006-12-07 Universität Ulm GaN-Schichten
US8398466B2 (en) * 2006-11-16 2013-03-19 Chien-Min Sung CMP pad conditioners with mosaic abrasive segments and associated methods
US20110275288A1 (en) * 2010-05-10 2011-11-10 Chien-Min Sung Cmp pad dressers with hybridized conditioning and related methods
TW201624551A (zh) * 2011-09-30 2016-07-01 荏原製作所股份有限公司 研磨裝置
JP5776491B2 (ja) * 2011-10-24 2015-09-09 信越化学工業株式会社 フォトマスク用、レチクル用又はナノインプリント用のガラス基板及びその製造方法
JP5798140B2 (ja) * 2013-02-15 2015-10-21 株式会社東芝 プラズマ処理装置
JP6424563B2 (ja) * 2014-10-27 2018-11-21 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置およびその製造方法
JP2016213475A (ja) * 2015-05-13 2016-12-15 東京エレクトロン株式会社 シュリンク及び成長方法を使用する極端紫外線感度低下
JP6991043B2 (ja) * 2017-11-22 2022-02-03 東京エレクトロン株式会社 基板載置台

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060054137A (ko) * 2004-11-15 2006-05-22 동경 엘렉트론 주식회사 포커스링, 플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법
KR20060132466A (ko) * 2005-06-17 2006-12-21 동경 엘렉트론 주식회사 기판 탑재대, 기판 처리 장치 및 기판 탑재대의 제조 방법
KR20090010625A (ko) * 2007-07-24 2009-01-30 주식회사 에스에프에이 유리기판 지지용 서셉터 및 그 제조 방법, 그리고 그유리기판 지지용 서셉터를 구비한 화학 기상 증착장치
KR20090086343A (ko) * 2008-02-08 2009-08-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치용 기판 재치대, 플라즈마 처리 장치 및절연 피막의 성막 방법
JP2011119326A (ja) 2009-12-01 2011-06-16 Tokyo Electron Ltd 基板載置台、その製造方法及び基板処理装置
KR20130058312A (ko) * 2011-11-25 2013-06-04 (주)위지트 서셉터와 섀도우 프레임 간의 아크 발생 방지 장치

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