CN110856348A - 一种用于pcb除胶后处理中和还原剂 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种用于PCB除胶后处理中和还原剂,属于印制线路板领域,用在印制线路板除胶过程。PCB除胶后处理中和还原剂含硫酸20‑100g/L、双氧水5‑30g/L、双氧水稳定剂0.1‑1g/L、缓蚀剂0.01‑0.1g/L、表面活性剂0.1‑2g/L;本发明优点是该中和剂具有很强的中和还原能力,能有效去除盲孔以及通孔内的高锰酸盐、锰酸盐、二氧化锰等残留物,同时对孔壁电荷有预调整作用,可用于水平和垂直除胶线,蚀铜速率极低,废水氨氮含量低,污水容易处理。
Description
技术领域
本发明属于印制线路板领域,涉及一种用于除胶后处理的中和还原剂。
背景技术
在印制线路板钻孔过程中,由于钻针或激光与树脂摩擦产生高温使树脂融化,融化的树脂覆盖在通孔或盲孔的孔壁上,若不除去树脂将会阻断内层与孔壁铜的导通。除胶工艺是孔金属化的重要工艺,除胶质量的好坏直接影响孔金属化的质量,除胶也称为去钻污的方法主要有两种,等离子去钻污以及高锰酸盐去钻污。等离子去钻污是通过高能量和高活性等离子体,被连续冲撞以及受电场的作用而加速,使其与基材碰撞,破坏基材的分子键形成凹凸不平的表面,使融化的树脂变成含有气体成分的官能团而被除掉,它可处理多种材料,如金属、半导体、氧化物以及高分子材料,但等离子去钻污受限于设备价格昂贵及生产量小,故而难以大规模使用。目前线路板企业使用最多的方法为高锰酸盐去钻污,通过高锰酸盐的强氧化性,将膨松后的树脂去除,除胶缸有高锰酸根离子再生装置,能将还原后的锰酸根离子转换为高锰酸根,高锰酸盐的循环再利用既节约了成本又使药水保持稳定,同时也降低了废水处理周期和废水处理成本,所以高锰酸盐去钻污是目前线路板企业运用最广的方法。
去钻污工序包含,膨松、高锰酸盐除胶、中和三个步骤。膨松的作用原理是,由于树脂板材是高聚化合物,具有优良的耐蚀性,根据“相似相溶”的原则,膨松剂一般极性较弱,且有与环氧树脂有相似的分子结构,所以能改变树脂键价结构,膨松环氧树脂,以利于高猛酸盐氧化除去胶渣,不同类型的树脂可通过改变膨松剂的种类来达到膨松的目的。高锰酸盐除胶是通过高锰酸根的强氧化性,将已膨松软化的树脂要去除掉,从而达到除胶的目的。中和目的是还原高锰酸盐并有效去除二氧化锰残留物,虽然除胶后有水洗,但是锰酸盐、二氧化锰等物质会残留在板面及孔壁,因为锰离子是重金属离子,它的存在会引起“钯中毒”,使钯离子或原子失去活化活性,导致孔金属化的失败,所以孔金属化前需除锰。
中和还原剂用于除胶后处理,其作用是除锰,其性能的优劣直接影响到孔金属化质量,现有的中和还原剂,主要使用羟胺化合物或肼化合物,随着线路板的孔越来越小,普通的羟胺体系不能充分的把孔内的锰清除干净,中和还原效果容易受铜离子影响,废液中含有大量的氨氮化合物,废液难处理以及工作槽液温度高(需40℃以上)等缺点。专利 CN-101896039 B提到一种中和剂,该中和剂由羟胺盐、酸、表面活性剂以及有机金属螯合剂等物质组成,虽能够耐一定的铜离子干扰,但中和能力还是会受铜离子影响,控制温度高(大于40℃)能耗高,槽液中氨氮含量高,废液难处理等缺点。
发明内容
本发明为了解决以上问题,提供了一种用于PCB除胶后处理中和还原剂,该中和剂具有很强的中和还原能力,能有效去除盲孔以及通孔内的高锰酸盐、锰酸盐、二氧化锰等残留物,同时对孔壁电荷有预调整作用,可用于水平和垂直除胶线,蚀铜速率极低,控制温度低,废水氨氮含量低,污水容易处理。
本发明通过以下技术方案实现,一种用于PCB除胶后处理中和还原剂含硫酸20-100g/L、双氧水10-30g/L、双氧水稳定剂0.1-2g/L、缓蚀剂0.1-1g/L、表面活性剂0.1-2g/L余量为水。
本发明所述稳定剂是指含有两个或者两个以上羧基[-COOH],羟基 [-OH],磺酸基[-SO3H]等官能团化合物,包括环己胺、1,4-丁二醇、乙二醇、硝基苯磺酸、对羟基苯甲酸、对羟基苯磺酸、乙二胺四亚甲基膦酸、次氮基三亚甲基膦酸等化合物或其混合物。其作用为稳定双氧水,降低双氧水的自发分解。
本发明所述缓蚀剂是指含氮杂环类铜的有效缓蚀剂,包括咪唑、苯并咪唑、N-甲基咪唑、2-苯基咪唑、吡唑、苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑等化合物或其混合物。其作用为保护铜面,降低铜的咬蚀作用。
本发明所述表面活性剂包括聚乙烯亚胺、聚乙烯醇、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯与硫酸甲酯的聚合物,1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐及其衍生物等化合物或其混合物。其作用为降低表面张力,能除掉残留在孔壁死角处锰,同时对孔壁玻璃纤维进行预处理,改变孔壁电荷。
优选的,稳定剂为1,4丁二醇、对羟基苯甲酸,缓蚀剂为咪唑,表面活性剂为聚乙烯亚胺、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐;其中:硫酸80g/L、双氧水15g/L、1,4丁二醇1g/L、对羟基苯甲酸0.2g/L、咪唑0.1g/L、聚乙烯亚胺0.2g/L、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐1g/L,余量为水。
优选的,稳定剂为乙二醇1.5g/L、对羟基苯磺酸,所述缓蚀剂为苯并咪唑,表面活性剂为聚乙烯醇、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯与硫酸甲酯的聚合物;其中:硫酸60g/L、双氧水10g/L、乙二醇1.5g/L、对羟基苯磺酸0.1g/L、苯并咪唑0.1g/L、聚乙烯醇0.2g/L、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯与硫酸甲酯的聚合物1g/L;
优选的,稳定剂为1,4丁二醇1.5g/L、乙二胺四亚甲基膦酸,缓蚀剂为苯并三氮唑,表面活性剂为聚乙烯亚胺、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐;其中:硫酸20g/L、双氧水10g/L、1,4丁二醇1.5g/L、乙二胺四亚甲基膦酸0.1g/L、苯并三氮唑0.2g/L、聚乙烯亚胺0.2g/L、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐1g/L;
优选的,稳定剂为1,4丁二醇、对羟基苯磺酸,缓蚀剂为苯并三氮唑,表面活性剂为1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐;其中:硫酸100g/L、双氧水20g/L、1,4丁二醇1.5g/L、对羟基苯磺酸g/L、苯并三氮唑0.2g/L、1- 乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐1g/L;
优选的,稳定剂为1,4丁二醇、乙二胺四亚甲基膦酸,缓蚀剂为N- 甲基咪唑、甲基苯并三氮唑,表面活性剂为聚乙烯亚胺、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐;其中:硫酸50g/L、双氧水30g/L、1,4丁二醇1.5g/L、乙二胺四亚甲基膦酸0.1g/L、N-甲基咪唑0.2g/L、甲基苯并三氮唑0.1g/L、聚乙烯亚胺0.2g/L、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐1g/L。
有益效果:本发明以硫酸、双氧水为主要反应物,双氧水稳定剂、缓蚀剂、表面活性剂为添加剂,能有效的除去高锰酸盐、锰酸盐以及二氧化锰等物质,利用硫酸、双氧水与二氧化锰以及锰酸盐反应,线路板经中和还原后,残留在板表面和孔壁死角处的高锰酸盐、锰酸盐以及二氧化锰等物质被还原为可溶性的二价锰离子,然后被水洗掉;稳定剂稳定双氧水,降低双氧水的自发分解;缓蚀剂保护铜面,降低铜的咬蚀作用;表面活性剂降低表面张力,能除掉残留在孔壁死角处锰,同时对孔壁玻璃纤维进行预处理,改变孔壁电荷;本发明同时解决了双氧水稳定性问题,以及极低蚀铜速率,能使用在水平以及垂直除胶线中。
附图说明
附图1为本发明的背光等级划分图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
本发明的用于PCB除胶后处理中和还原剂,其包括硫酸、双氧水、稳定剂、缓蚀剂、表面活性剂和水组成的混合物,其中硫酸、双氧水可与二氧化锰以及锰酸盐反应,具体作用机理如下:
MnO4-:MnO4-+H2O2+H2SO4→MnSO4+H2O+O2
MnO42-:MnO42-+H2O2+H2SO4→MnSO4+H2O+O2
MnO2:MnO2+H2O2+H2SO4→MnSO4+H2O+O2
线路板经中和还原后,残留在板表面和孔壁死角处的高锰酸盐、锰酸盐以及二氧化锰等物质被还原为可溶性的二价锰离子,然后被水洗掉。
缓蚀剂是指含氮杂环类铜的有效缓蚀剂,包括咪唑、苯并咪唑、N- 甲基咪唑、2-苯基咪唑、吡唑、苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑等化合物或其混合物。其作用为保护铜面,降低铜的咬蚀作用。
稳定剂是指含有两个或者两个以上羧基[-COOH],羟基[-OH],磺酸基[-SO3H]等官能团化合物,包括环己胺、1,4-丁二醇、乙二醇、硝基苯磺酸、对羟基苯甲酸、对羟基苯磺酸、乙二胺四亚甲基膦酸、次氮基三亚甲基膦酸等化合物或其混合物。其作用为稳定双氧水,降低双氧水的自发分解。
表面活性剂包括聚乙烯亚胺、聚乙烯醇、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯与硫酸甲酯的聚合物,1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐及其衍生物等化合物或其混合物。其作用为降低表面张力,能除掉残留在孔壁死角处锰,同时对孔壁玻璃纤维进行预处理,改变孔壁电荷。
本发明工艺流程与传统的线路板除胶沉铜工艺一样,可用于水平线及垂直线,具体流程如下:
垂直线:膨松(5-9min)→水洗→除胶(10-15min)→水洗→中和 (4-6min)→除油(5-8min)→水洗→微蚀(1-2min)→预浸(1-2min) →活化(5-8min)→加速(3-5min)→化学镀铜(10-20min);
水平线:膨松(2-3min)→水洗→除胶(3-6min)→水洗→中和 (30-60S)→除油(50-90S)→水洗→微蚀(60-80S)→预浸(20-30S) →活化(40-60S)→加速(30-60S)→化学镀铜(4-6min)。
下面结合具体实施例对本发明的用于PCB除胶后处理中和还原剂作以阐释说明:
实施例一:
配制一种用于PCB除胶后处理中和还原剂,加1/2体积的水,边搅拌边加入硫酸80g/L、双氧水15g/L、1,4丁二醇1g/L、对羟基苯甲酸 0.2g/L、咪唑0.1g/L、聚乙烯亚胺0.2g/L、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐1g/L,最后用水稀释至刻度。
处理条件如下:使用垂直线工艺,采用浸泡方式,温度20℃,时间 5min,将微蚀速率测试片过中和缸,将钻有0.2-0.5mm孔径的多层线路板,经过整个垂直线工艺流程(其余缸条件均为广东利尔化学有限公司垂直线药水),化学镀铜后,打切片通过金相显微镜观察背光等级(背光等级分为1-10级,背光等级越高,孔金属化越好,背光等级图见图1)。
通过往中和缸内加入不同浓度铜离子,5g/L、10g/L、20g/L、30g/L、 40g/L,在相应铜离子浓度的中和剂中做微蚀速率测试,及孔金属化后背光等级测试,结果如下:
表一
实施例二:
配制一种用于PCB除胶后处理中和还原剂,加1/2体积的水,边搅拌边加入硫酸60g/L、双氧水10g/L、乙二醇1.5g/L、对羟基苯磺酸 0.1g/L、苯并咪唑0.1g/L、聚乙烯醇0.2g/L、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯与硫酸甲酯的聚合物1g/L,最后用水稀释至刻度。
处理条件如下:使用垂直线工艺参数,采用浸泡方式,温度25℃,时间5min,将微蚀速率测试片过中和缸,将钻有0.2-0.5mm孔径的多层线路板,经过整个垂直线工艺流程(其余缸条件均为广东利尔化学有限公司垂直线药水及工艺),化学镀铜后,打切片通过金相显微镜观察背光等级(背光等级分为1-10级,背光等级越高,孔金属化越好,背光等级图见图1)。
通过往中和缸内加入不同浓度铜离子,5g/L、10g/L、20g/L、 30g/L、40g/L,在相应铜离子浓度的中和剂中做微蚀速率测试,及孔金属化后背光等级测试,结果如下:
表二
实施例三:
配制一种用于PCB除胶后处理中和还原剂,加1/2体积的水,边搅拌边加入硫酸20g/L、双氧水10g/L、1,4丁二醇1.5g/L、乙二胺四亚甲基膦酸0.1g/L、苯并三氮唑0.2g/L、聚乙烯亚胺0.2g/L、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐1g/L,最后用水稀释至刻度。
处理条件如下:使用垂直线工艺参数,采用浸泡方式,温度30℃,时间5min,将微蚀速率测试片过中和缸,将钻有0.2-0.5mm孔径的多层线路板,经过整个垂直线工艺流程(其余缸条件均为广东利尔化学有限公司垂直线药水及工艺),化学镀铜后,打切片通过金相显微镜观察背光等级(背光等级分为1-10级,背光等级越高,孔金属化越好,背光等级图见图1)。
通过往中和缸内加入不同浓度铜离子,5g/L、10g/L、20g/L、30g/L、 40g/L,在相应铜离子浓度的中和剂中做微蚀速率测试,及孔金属化后背光等级测试,结果如下:
表三
实施例四:
配制一种用于PCB除胶后处理中和还原剂,加1/2体积的水,边搅拌边加入硫酸100g/L、双氧水20g/L、1,4丁二醇1.5g/L、对羟基苯磺酸g/L、苯并三氮唑0.2g/L、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐1g/L,最后用水稀释至刻度。
处理条件如下:使用水平线工艺参数,采用浸泡加搅拌及喷淋方式,温度30℃,时间45秒,将微蚀速率测试片过中和缸,将钻有0.2-0.5mm 孔径的多层线路板,经过整个水平线工艺流程(其余缸条件均为广东利尔化学有限公司水平线药水及工艺),化学镀铜后,打切片通过金相显微镜观察背光等级(背光等级分为1-10级,背光等级越高,孔金属化越好,背光等级图见图1)。
通过往中和缸内加入不同浓度铜离子,5g/L、10g/L、20g/L、30g/L、 40g/L,在相应铜离子浓度的中和剂中做微蚀速率测试,及孔金属化后背光等级测试,结果如下:
表四
实施例五:
配制一种用于PCB除胶后处理中和还原剂,加1/2体积的水,边搅拌边加入硫酸50g/L、双氧水30g/L、1,4丁二醇1.5g/L、乙二胺四亚甲基膦酸0.1g/L、N-甲基咪唑0.2g/L、甲基苯并三氮唑0.1g/L、聚乙烯亚胺0.2g/L、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐1g/L,最后用水稀释至刻度。
处理条件如下:使用水平线工艺参数,采用浸泡加搅拌及喷淋方式,温度35℃,时间45秒,将微蚀速率测试片过中和缸,将钻有0.2-0.5mm 孔径的多层线路板,经过整个水平线工艺流程(其余缸条件均为广东利尔化学有限公司水平线药水及工艺),化学镀铜后,打切片通过金相显微镜观察背光等级(背光等级分为1-10级,背光等级越高,孔金属化越好,背光等级图见图1)。
通过往中和缸内加入不同浓度铜离子,5g/L、10g/L、20g/L、30g/L、 40g/L,在相应铜离子浓度的中和剂中做微蚀速率测试,及孔金属化后背光等级测试,结果如下:
表五
对比例一:
配制一种用于PCB除胶后处理中和还原剂,加1/2体积的水,边搅拌边加入硫酸60g/L、双氧水15g/L最后用水稀释至刻度。
处理条件如下:使用垂直线工艺参数,采用浸泡方式,温度30℃,时间5min,将微蚀速率测试片过中和缸,将钻有0.2-0.5mm孔径的多层线路板,经过整个水平线工艺流程(其余缸条件均为广东利尔化学有限公司水平线药水及工艺),化学镀铜后,打切片通过金相显微镜观察背光等级(背光等级分为1-10级,背光等级越高,孔金属化越好,背光等级图见图1)。
通过往中和缸内加入不同浓度铜离子,5g/L、10g/L、20g/L、30g/L、 40g/L,在相应铜离子浓度的中和剂中做微蚀速率测试,及孔金属化后背光等级测试,结果如下:
表六
从以上实施例结果可知,本发明在温度20-30摄氏度,垂直除胶工艺中和还原5min,铜离子浓度在0-40g/L范围内时,背光等级均大于等于9.5级,且蚀铜速率小于0.2μm/5min,满足线路板生产要求。在温度 30-35摄氏度,水平除胶工艺中和还原45秒,铜离子浓度在0-40g/L范围内时,背光等级均大于等于9.5级,且蚀铜速率小于0.2μm/45S,满足线路板生产要求。从对比例可知当中和剂中只含有硫酸、双氧水,铜离子含量为0时,背光达到9级,当铜离子增大时,背光等级下降,小于9级,不能满足线路板工艺要求,且蚀铜速率随着铜离子浓度增大而增大,有内层铜蚀刻过度的风险。
本发明中和还原剂有很强的中和还原能力,能有效去除盲孔以及通孔内的高锰酸盐、锰酸盐、二氧化锰等残留物,对孔壁电荷有预调整作用,可用于水平和垂直除胶线,蚀铜速率极低,废水氨氮含量低,污水容易处理。
以上所述仅为本发明的较佳实施方式,本发明并不局限于上述实施方式,在实施过程中可能存在局部微小的结构改动,如果对本发明的各种改动或变型不脱离本发明的精神和范围,且属于本发明的权利要求和等同技术范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型。
Claims (10)
1.一种用于PCB除胶后处理中和还原剂,其特征在于所述中和还原剂由硫酸、双氧水、稳定剂、缓蚀剂、表面活性剂和水组成,其中硫酸20-100g/L、双氧水10-30g/L、稳定剂0.1-2g/L、缓蚀剂0.1-1g/L、表面活性剂0.1-2g/L、余量为水。
2.根据权利要求1所述中和剂,其特征在于,所述稳定剂为含有两个或者两个以上羧基[-COOH],羟基[-OH],磺酸基[-SO3H]的官能团化合物。
3.根据权利要求3所述稳定剂,其特征在于,含有两个或者两个以上羧基[-COOH],羟基[-OH],磺酸基[-SO3H]的官能团化合物,包括1,4-丁二醇、乙二醇、硝基苯磺酸、对羟基苯甲酸、对羟基苯磺酸、乙二胺四亚甲基膦酸、次氮基三亚甲基膦酸等一种或两种以上混合物。
4.根据权利要求1所述中和剂,其特征在于,缓蚀剂为含氮杂环类铜的有效缓蚀剂;含氮杂环类铜的有效缓蚀剂包括咪唑、苯并咪唑、N-甲基咪唑、2-苯基咪唑、吡唑、苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的一种或者两种以上混合物。
5.根据权利要求1所述中和剂,其特征在于,表面活性剂是聚乙烯亚胺、聚乙烯醇、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯与硫酸甲酯的聚合物,1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐及其衍生物中的一种或者两种以上混合物。
6.根据权利要求1所述的用于PCB除胶后处理中和还原剂,其特征在于,所述稳定剂为1,4丁二醇、对羟基苯甲酸,所述缓蚀剂为咪唑,所述表面活性剂为聚乙烯亚胺、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐;其中:硫酸80g/L、双氧水15g/L、1,4丁二醇1g/L、对羟基苯甲酸0.2g/L、咪唑0.1g/L、聚乙烯亚胺0.2g/L、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐1g/L,余量为水。
7.根据权利要求1所述的用于PCB除胶后处理中和还原剂,其特征在于,所述稳定剂为乙二醇1.5g/L、对羟基苯磺酸,所述缓蚀剂为苯并咪唑,所述表面活性剂为聚乙烯醇、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯与硫酸甲酯的聚合物;其中:硫酸60g/L、双氧水10g/L、乙二醇1.5g/L、对羟基苯磺酸0.1g/L、苯并咪唑0.1g/L、聚乙烯醇0.2g/L、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯与硫酸甲酯的聚合物1g/L;
8.根据权利要求1所述的用于PCB除胶后处理中和还原剂,其特征在于,所述稳定剂为1,4丁二醇1.5g/L、乙二胺四亚甲基膦酸,所述缓蚀剂为苯并三氮唑,所述表面活性剂为聚乙烯亚胺、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐;其中:硫酸20g/L、双氧水10g/L、1,4丁二醇1.5g/L、乙二胺四亚甲基膦酸0.1g/L、苯并三氮唑0.2g/L、聚乙烯亚胺0.2g/L、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐1g/L;
9.根据权利要求1所述的用于PCB除胶后处理中和还原剂,其特征在于,所述稳定剂为1,4丁二醇、对羟基苯磺酸,所述缓蚀剂为苯并三氮唑,所述表面活性剂为1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐;其中:硫酸100g/L、双氧水20g/L、1,4丁二醇1.5g/L、对羟基苯磺酸g/L、苯并三氮唑0.2g/L、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐1g/L;
10.根据权利要求1所述的用于PCB除胶后处理中和还原剂,其特征在于,所述稳定剂为1,4丁二醇、乙二胺四亚甲基膦酸,所述缓蚀剂为N-甲基咪唑、甲基苯并三氮唑,所述表面活性剂为聚乙烯亚胺、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐;其中:硫酸50g/L、双氧水30g/L、1,4丁二醇1.5g/L、乙二胺四亚甲基膦酸0.1g/L、N-甲基咪唑0.2g/L、甲基苯并三氮唑0.1g/L、聚乙烯亚胺0.2g/L、1-乙烯-3-甲基咪唑硫酸甲酯盐1g/L。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114457326A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-05-10 | 广东利尔化学有限公司 | 一种应用于线路板沉铜双微蚀工艺 |
CN115216772A (zh) * | 2022-09-21 | 2022-10-21 | 深圳市板明科技股份有限公司 | 一种适用于铜表面的环保型粗化处理液及其应用 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6383272B1 (en) * | 2000-06-08 | 2002-05-07 | Donald Ferrier | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
CN101040065A (zh) * | 2004-10-13 | 2007-09-19 | 麦克德米德有限公司 | 制备电镀用非导电基板的方法 |
CN101896039A (zh) * | 2010-07-28 | 2010-11-24 | 广东东硕科技有限公司 | 一种用于印制电路板制造中的碱性高锰酸盐去钻污的后处理中和剂 |
CN101962775A (zh) * | 2010-09-29 | 2011-02-02 | 深圳市洁驰科技有限公司 | 一种硫酸/双氧水微蚀液稳定剂及其制备方法 |
CN104519664A (zh) * | 2013-09-27 | 2015-04-15 | 北大方正集团有限公司 | 印制电路板的清洗方法和印制电路板 |
CN105682382A (zh) * | 2016-03-30 | 2016-06-15 | 高德(无锡)电子有限公司 | 一种含有无铜基板层的高玻璃化温度的软硬结合板及其除胶工艺 |
CN106269673A (zh) * | 2015-06-05 | 2017-01-04 | 大连崇达电路有限公司 | 印制线路板钻孔切片孔等加工中去除锰离子的方法 |
CN106572602A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-04-19 | 江门崇达电路技术有限公司 | 一种去除pcb阻焊层的方法 |
CN109652804A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-04-19 | 湖南互连微电子材料有限公司 | 一种新型pcb减铜蚀刻液以及制作工艺 |
US20190297732A1 (en) * | 2016-10-14 | 2019-09-26 | Atotech Deutschland Gmbh | Method for manufacturing a printed circuit board |
-
2019
- 2019-10-09 CN CN201910952317.8A patent/CN110856348A/zh active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6383272B1 (en) * | 2000-06-08 | 2002-05-07 | Donald Ferrier | Process for improving the adhesion of polymeric materials to metal surfaces |
CN101040065A (zh) * | 2004-10-13 | 2007-09-19 | 麦克德米德有限公司 | 制备电镀用非导电基板的方法 |
CN101896039A (zh) * | 2010-07-28 | 2010-11-24 | 广东东硕科技有限公司 | 一种用于印制电路板制造中的碱性高锰酸盐去钻污的后处理中和剂 |
CN101962775A (zh) * | 2010-09-29 | 2011-02-02 | 深圳市洁驰科技有限公司 | 一种硫酸/双氧水微蚀液稳定剂及其制备方法 |
CN104519664A (zh) * | 2013-09-27 | 2015-04-15 | 北大方正集团有限公司 | 印制电路板的清洗方法和印制电路板 |
CN106269673A (zh) * | 2015-06-05 | 2017-01-04 | 大连崇达电路有限公司 | 印制线路板钻孔切片孔等加工中去除锰离子的方法 |
CN105682382A (zh) * | 2016-03-30 | 2016-06-15 | 高德(无锡)电子有限公司 | 一种含有无铜基板层的高玻璃化温度的软硬结合板及其除胶工艺 |
US20190297732A1 (en) * | 2016-10-14 | 2019-09-26 | Atotech Deutschland Gmbh | Method for manufacturing a printed circuit board |
CN106572602A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-04-19 | 江门崇达电路技术有限公司 | 一种去除pcb阻焊层的方法 |
CN109652804A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-04-19 | 湖南互连微电子材料有限公司 | 一种新型pcb减铜蚀刻液以及制作工艺 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114457326A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-05-10 | 广东利尔化学有限公司 | 一种应用于线路板沉铜双微蚀工艺 |
CN115216772A (zh) * | 2022-09-21 | 2022-10-21 | 深圳市板明科技股份有限公司 | 一种适用于铜表面的环保型粗化处理液及其应用 |
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