JPS61278598A - 共通イオンを含有する過マンガン酸ナトリウムのアルカリ性水性溶液及びプリント回路基板の処理方法 - Google Patents

共通イオンを含有する過マンガン酸ナトリウムのアルカリ性水性溶液及びプリント回路基板の処理方法

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JPS61278598A
JPS61278598A JP61113845A JP11384586A JPS61278598A JP S61278598 A JPS61278598 A JP S61278598A JP 61113845 A JP61113845 A JP 61113845A JP 11384586 A JP11384586 A JP 11384586A JP S61278598 A JPS61278598 A JP S61278598A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、Mn O4−についてK”、 C武ab+
&びそれらの混合物からなる群よ)選択された共通イオ
ンを含有する過マンガン酸ナトリウム(NaMnO4 
)のアルカリ性水性溶液に関する。本発明は、この発明
のNaMnO4のアルカリ性水性溶液を使用して、絶縁
物質(例えばプリント基板)に形成された孔内壁の樹脂
のスミア(am@ar)を取除く方法、及I又はそのよ
うな孔の内壁をエツチングする方法にも関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕樹脂
を含んだ材料に孔を形成する操作では、結果として孔の
内壁又は横壁(barrsl)の至る所にしばしば樹脂
のスミアの付着が生ずる。この樹脂のスミアは、主とし
て孔形成処理中に材料の樹脂成分の融点を超える温度を
発生又は利用するせいである。
ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた積層材料(プリ
ント基板の製作に使用されるもののような)に孔ヲアけ
ると、材料に対するドリルビットの摩擦によυビットの
温度が上昇する。往々にして、ドリルビットの温度は、
多くの系統の樹脂の融点を超える温度に至る。従って、
溶融した樹脂がドリルで孔をあけられている材料からド
リルビットによシその方向に抜取られ、この溶融付着物
は孔の横壁になす9付けられる。有機絶縁基板の内部導
体と接触するレーザードリルの場合、同様の樹脂の付着
物又はスミアが、露出された導体表面に生ずることがあ
る。
孔壁上の樹脂のスミアの問題は適用によっては無視する
こともできるが、時としてそれは除去するのが肝要でろ
る。例えは、多層回路基板を作る場合、複数の平行なル
−ナ金属導体を含む樹脂含有材料に孔を形成し、その孔
は2以上の平行金属導体に垂直でロシ且つそれらに通じ
ている。2層又はそれ以上の金属導体間の導電路を形成
するために孔壁をメタライゼーションすることがしばし
ば望ましいので、メタライゼーションされた孔壁と金属
導体との間の導電接続を達成すべき場合には、樹脂のス
ミアは金属導体を貫通する孔の縁から取除かなければな
らない。従って、銅クラツドペースのグラスチック積層
板又は多層回路基板におけるような内部導体層を含有す
るプラスチック積層板を貫通して回路基板の孔をあける
ときに、孔壁に露出した金属表面の樹脂のスきアは、め
っき貫通孔の本来の機能を果すように取除かなければな
らない。
上述のめっき貫通孔は、ゲラステック積層板の両側の金
属導体を有するプリント回路間、又は多層回路基板の多
数の導体層及び表面導体層の2層又はそれ以上の層の間
の電気的接続をするのに有用でおる。この機能のために
必要とされる電気的並びに機械的結合性は、もっばら孔
によシ露出された金属導体部分の内側の周辺全体から樹
脂材料を完全に除去するのを保証することによって達成
できる。
樹脂のスミアを除去することについては多数の方法が知
られている。一つのアプローチは機械的なものでアリ、
そのような孔の中に乾燥又は湿式研磨粒子の流れを通ず
ることを含む。同様の方法として、液圧を利用して孔の
中に研磨材の濃厚スラリーを押し通すものがある。しか
しながら、これらの機械的方法は、一般的に時間がかか
り、且つ制御が困難である。その上、所定の回路基板の
全ての孔のスミアを取除くのは完全には達成し難い。
孔からスミアを取除くのに化学的方法も用いられている
。一般的に、使用される化学薬品は、スミアとして付着
した樹脂コーティングを侵食する。
化学薬品には、例えば濃硫酸(濃度約90%以上)が含
まれる。スミアとして付着したエポキシ樹脂は、通常約
0.025■(0,001インチ)以下の厚さであるが
、I11硫酸を用いて約1分の処理により取除くことが
できる。あいにくなことに、必要とされる高濃度の硫酸
は非常に危険であシ、作業者は異常なほど用心する必要
がめる。その上、好ましくなく粗い孔が生ずる。更に、
濃硫酸は急速に水分を吸収してその有効使用期間を制限
し、また孔からスミアを取除くのに必要とする浸漬時間
の変化をもたらすことがおる。
これまで用いられてきたもう一つのスミア除去用化学薬
剤は、クロム酸である。めいにくながら、それは濃硫酸
よシ遅く、且つなお作業者の用心と特殊な設備とを必要
とする。クロム酸にも、毒性及び廃棄物処理の問題があ
る。
過マンガン酸塩も、スミアの除去及び種々の材料のエツ
チングに使用されている。例えは、1934年8月7日
発行のホワイ)(whtte)等の米国特許第1969
678号は、塩化第二鉄と第一鉄イオンを第二鉄イオン
に変える酸化剤とを含有する、金属例えば銅層のエツチ
ング溶液を開示する。この酸化剤はKMLn O4でよ
い。もちろんのことながら、回路基板は塩化第二鉄によ
って取除かれる銅層をしばしば含んでいるので、これら
のエツチング溶液は、回路基板の調製に関する用途を結
局は制限されている。
1966年12月20日発行のデル(Do 11 )等
の米国特許第3293148号は、酸化剤、アルカリ金
属水酸化物、グルコン酸、及びポリエチレングリコール
を含有する\金属用洗浄溶液を開示する。開示された酸
化剤は好ましいものテハナく、またそれらの使用91J
は記載されていないけれトモ、開示された多くの酸化剤
の中には過マンガン酸塩がある。
1969年2月4日発行のローフ、 (Rausch)
等の米国特許第3425947号は、金属表面から有機
物を除去するだめの処理浴を調製するのに有用な固形濃
縮物に関する。その濃縮物は、約50〜90%のアルカ
リ金属水酸化物、10〜物により!!ll製てれた典型
的溶液は、約105の90KMin04及び約2509
/lのNaOH’に含有する。
1969年7月22日発行のミケルソン(Mlckel
son)等の米国特許第3457107号は、ステンレ
ス鋼を化学的に研磨するための組成物を開示する。これ
らの組成物は、アルカリ金属水酸化物、例えばNa0H
)及び過マンガン酸のアルカリ金属塩、例えばKMno
 4を含有する水性溶液である。典型的溶液は、約39
9/lのNaOH,16纒のKMnO4%及び4.8t
l/lのNa2CO3を含有するか、又は789/lの
NaOH,329/lのKMnO4、及び9、6 E/
lのNa 2 Co 5を含有する。
!970年1月13日発行のデル等の米国特許第348
9625号は、炭素鋼の酸洗いと、その後の過マンガン
酸塩のアルカリ性溶液による処理とを開示する。過マン
ガン酸塩のアルカリ性溶液は、約5〜509/lのKM
nO4と約10〜2001/lのアルカリ金属水酸化物
とを含有する。
1970年4月14日発行のビンセント(Vincen
t)等の米国特許第3506397号は、燐酸と過マン
ガン酸カリウムとを含有する組成物によるABS樹脂の
処理に関する。
1971年8月10日及び1972年3月7日にそれぞ
れ発行されたトチイー(ooty)等の米国特許第35
98630号及び第3647699号も、ABSポリマ
ーを処理するための燐酸/過マンガン酸カリウム溶液に
関する。
1971年12月7日発行のストール(Stahl)等
の米国特許第3625758号は、グリント基板の製造
を扱う。製造工程ので段階として、過マンガン酸塩溶液
でもよい酸化及び分解剤によシ基板を処理する。しかし
ながら、過マンガン酸塩溶液組成物に関する詳細あるい
は特別な例は提示されていない。
1972年3月28日発行のギステ4 (Guisti
)の米国特許第3652351号は、合成ポリマーをエ
ツチングするための組成物を開示する。これらのエツチ
ング剤組成物は、2.5〜8.5チのマンガン酸カリウ
ム及び/又はマンガン酸ナトリウム、30〜70%の水
酸化ナトリウム及び/又は水酸化カリウム、並びに21
.5〜67.5%の水を含有する。これらの組成物は、
対応する過マンガン酸塩から、それらを高温で大量の水
酸化ナトリウム及び/又は水酸化カリウムと反応させて
過マンガン酸塩をマンガン酸塩に還元して調製される。
例えば、ギスティの特許の例1では、50110KOH
5IのKMnOい及び20.9の水を組合せ、その結果
として得られた混合物を還元反応が完了するまで80〜
90℃で加熱する。同様に、例2の反応混合物は45.
9のNaOH,61のNaMnO4、及び2011の水
を含有し、例3では2511 (7) NaOH%25
IのKMnOa、2.5.9ONaMnO4.及び20
.9の水を使用する。
ギスティの例を再現することを試みたところ、過マンガ
ン酸塩を含有する反応混合物は溶液ではなく、むしろ沸
点においてきえも結晶化し九に一スト状物質であること
が分った。とは言うものの、反応混合物は大量のアルカ
リ金属水酸化物を含有するので、これは多分意外ではな
い。より詳しく述べるならば、各側の反応混合物は1g
当シのグラム数に基づいて次のものを含有する、すなわ
ち、例1では10001/l OKOH及び1051/
lのKMnO4、例2では990j’/1ONaOH及
び1321/lのN轟04、例3では57511/lの
NaOH,5751/lのKOH,1081/lのNa
MnO4、及び10811/lのKMn O4;Cある
。結局のところ、ギスティの例を再現することにより作
られたマンガン酸塩組成物は、満足なエツチング剤では
ないことが分った。
1974年9月3日発行のブリシフ(Grlslk)等
の米国特許第3833414号は、金属を混酸浴液で処
理し、続いて過マンガン酸塩のアルカリ性水溶液で処理
し、最後に混酸による2回目の処理をすることによって
金属がらアルミニド(alumlnid*)コーティン
グを取除く方法を開示スル。過マンガン酸塩のアルカリ
性水溶液は、8〜11%のNaOH,8〜11 SのN
th2CO5、及び4〜6%のKMnO4を含有する。
1977年8月16日、1977年10月18日、及び
1978年2月14日にそれぞれ発行されたポリチェッ
) (Polichetta)等の米国特許第4042
729号、第4054693号、及び第4073740
号は、ff/ガン酸塩(MnO42−)及び過マンガン
酸塩(MnO4−)の溶液でもって、マンガン酸塩と過
マンガン酸塩とのモル比を1.2まで、且つ溶液のPI
″1f:11〜13として、樹脂表面を処理することに
関する。ポリチェット等は、−が大きくなるとMnO4
2−/MnO4−比が大きくなり、好ましくないことを
教示する。
1981年10月13日発行のオームラ(Ohmura
)の米国特許第4294651号は、弗素化合物(7〜
3896 ) 、KMnO4のような酸化剤(2,5〜
7%)、及びKOH又はNaOHのようなアルカIJ 
(1〜10%)を含有する組成物で半導体基板をエツチ
ングすることを開示する。
1984年1月10日発行のダツツ4−(Duffy)
等の米国特許第4425380号は、樹脂基板の孔の内
壁から樹脂のスミアを取除く(スミア除去)方法を開示
する。その方法は、基板を−が11〜13でめる過マン
ガン酸塩のアルカリ性溶液に高温で接触させることを含
む。過マンガン酸塩に関しては、それは、安定且つ少く
とも101/lの範囲までは水に可溶であるいかなる過
マンガン酸の金属塩も使用することができるが、過マン
ガン酸ナトリウム及び過マンガン酸カリウムが好ましい
、と述べている。約109/lから溶解度の限界に至る
までの量の過マンガン酸塩を使用できることが開示され
てはいるが、10〜60971の範囲のNaMnO4又
はKMn 04を用いて特に良好な結果力;得られるこ
とが強調されている。更に、約601171に至るまで
は♂ンディング部位の形成速度が増加するが〜このレベ
ル以上においてはそれ以上の速度増加は認められないこ
とが教示される0従って1ダツフイー等は、彼らのスミ
ア除去溶液に関する過マンガン酸塩の実用上の上限を6
0971に設定する。
ダッフィー等によシ開示されたスミア除去溶液の一範囲
も狭く、11〜13である。ダッフィー等は、よシ大き
い−が各種の深刻な問題を引起すことをくり返し述べて
いる。例えば、第3欄第2〜5行には、−の大きい過マ
ンガン酸塩溶液は、エポキシ樹脂をスミア除去し且つ回
路基板のポリミド(polymid・)をエッチバック
するのに使用された場合、結果として局部的な不活性領
域を生ずると述べられている。これらの不活性領域は、
後に基板を金属によシ無電解的にめっきするときに、ピ
ンホール又は無めっき部を形成するに至る。−の大きい
過マンガン酸塩溶液による洗浄後のピンホール及び無め
っき部に関するこの問題は、第3欄第37〜40行で再
び言及されている。
ダッフィー等は、大きい−すなわち13以上の−により
引起される他の問題に言及する。第4欄第27〜29行
には、声が13以上でろる過マンガン酸塩のアルカリ性
処理溶液を使用する場合、大量の残留マンガンが見いだ
されると述べられている。第4欄第31〜38行には、
基板上に付着したこれら−の大きい過マンガン酸塩溶液
を中和しなかった場合、次の無電解めっきによる金属の
付着は迅速であるが、無電解めっき金属浴は自然に分解
すると述べられている。これに反して、−の大きい過マ
ンガン酸塩処理溶液を中和した場合、基板上には残留物
が取残され、その結果として、その後金属をその上に無
電解めっきの方法によシ付着するとき、孔に無めっき部
を生じた。従って、−の大きい過マンガン酸塩溶液は、
主として満足に無電解めっきすることができた基板を供
給できないために、スミア除去処理においては処理を行
なったとしても不十分でるると予想される、というのが
ダッフィー等の教示からの明瞭なる結論である。
−の大きい過マンガン酸塩溶液を使用したときに基板上
に付着したマンガン残留物の問題は、ダッフィー等によ
り彼らの例の中に特別に提出てれている。そこには、−
の大きいKMnO4溶液を使用する場合、比較的大量の
マンガン残留物が基板上に残ることが説明されている。
ダツフィー等によれば、これらのマンガン残留物は、酸
による中和工程によって簡単に取除くことはできない。
マンガン残留物の実質的に全てを取除くには、アルカリ
性溶液に浸漬することを含む別の工程が必要である。
1984年2月7日発行のストール等の米国特許第44
30154号は、過マンガン酸塩又はクロム酸のアルカ
リ性溶液を使用する処理によシベース材料又は基板上の
銅導体を腐食することなしに、プリント基板から付着物
を除去する方法に関する。開示された過マンガン酸塩の
アルカリ性溶液は、5011/lのKMn O4と50
9/lのNaOHとを含有する。
1977年7月13日公告のコルモーグン社(Koll
morgen Corporation)の英国特許第
1479558号も、過マンガン酸カリウム、強塩基(
例えばNa0H)、及び弗素化炭化水素の湿潤剤を含有
する過マンガン酸塩のアルカリ性溶液を使用する処理に
よりプリント基板及び線状導体をスミア除去及びエッチ
バックすることに関する。
その溶液は、約10〜751/l OKMnO4と、P
[(を13〜14にするのに十分なNaOH、!:を含
有する。
典型的には約4 o1/lのN5OHf使用する。スミ
ア除去処理は約35〜50℃の温度で行なわれるが、7
0℃以上の温度では、過マンガン酸塩の必要量は明らか
なる利益を生ずることなく、浴の組成を維持するために
増加する結果となること、すなわち、全体としてその処
理が過マンガン酸塩の消費量に関して効率がよシ悪くな
ることが開示されている。
このように、過マンガン酸塩の水性溶液の様々な用途が
公知であることを、前記のものから見ることができる。
ところが、その技術は、はとんど過マンガン酸カリウム
−を含有する溶液にのみ集中していた。しかしながら残
念なことに、KMnO4の水に対する溶解度は非常に限
られたもので60て、20Cでは最大で約63.8fi
/lが水に溶解するに過ぎない。その上に、その飽和点
においてさえも、KMnO4は比較的穏やかなエツチン
グ剤である。
KMnO4のエツチング効力を改善するための努力によ
って、技術は近年強アルカリ性のKMn 04 浴液に
変ってきた。特に、上記にて検討した米国特許第442
5380号及び英国特許第1479553号は、声がそ
れぞれ11〜13及び13〜14であるKMnO4溶液
を取扱う。この強いアルカリ仕度は、IQ’1n04溶
液に何らかの利益をもたらすと思われたとは言うものの
、取除くのが困難であるマンガン残留物が付着すること
のような他の問題を引起す。この理由から、−がおよそ
13以上であるKMnO4溶液が満足なエツチングの成
果を生ずることはないと信じられた(米国特許第442
5380号に関する上記検討を参照)。
〔問題点を解決するための手段及び作用効果〕先行技術
のKMno 4溶液にありて遭遇する問題の多くが、今
やに九Rb”、 Cs+及びそれらの混合物からなる群
より選択されたMnO4″の共通イオンを含有する、過
マンガン酸ナトリウムのアルカリ性水性溶液によって完
全に克服できることが発見された。この発明の溶液を用
いて得られるスミア除去及びエツチング速度は、 KM
nO41W液によるよシも余程大きい。マンガンの付着
物は、この発明の溶液を用いてもなお現われるが、その
付着物は、KMnO4溶液にあっては会費とされる、よ
シはるかに複雑な処理に対立する、酸による簡単な中和
でたやすく取除かれる。
本発明は、水、アルカリ金属水酸化物、NaMnO4、
並びに、1molのMnO4につき約0.1〜約3. 
Qmolの、f’、Ct”、 Rb+及びそれらの混合
物からなる群より選択されたMnO4″についての共通
イオンを含んでなるアルカリ性のNaMnO4水性溶液
を提供する。
本発明は、その後のメタライゼーシ嘗ンのために樹脂基
板を調整する方法であって、前記基板を水、アルカリ金
属水酸化物、NaMnO4、並びに11rnolのMn
 04−につき約0.1〜約3.Qmolの1に1Ca
+、Rb+及びそれらの混合物からなる群より選択され
たMn O4−についての共通イオンを含んでなるアル
カリ性のNaMnO4溶液と接触でせることを含む方法
も提供する。
この発明はまた、樹脂基板に形成された孔の内壁から樹
脂のスミアを取除く改良された方法であって、基板を水
、アルカリ金属水酸化物、NaMnO4、並びに、1m
olのMn 04−につき約0.1〜約3. Qmol
の、?、C11+、Rb+及びそれらの混合物からなる
群より選択されたMn O4−についての共通イオンを
含んでなるアルカリ性の水性溶液と接触させることを含
む方法も提供する。
その上に、この発明は、多層回路基板のだめの改良され
た孔洗浄方法でろって、多層回路基板を水、アルカリ金
属水酸化物、NaMnO4、並びに、1molのMn 
O4−につき約0.1〜約3.Qmolの、K1C5v
Rb  及びそれらの混合物からなる群より選択された
Mn 04−についての共通イオンを含んでなるアルカ
リ性の水性溶液と接触させることを含む方法も提供する
更にこの発明は、回路基板の表面、特にそれの孔壁をエ
ッチバックする方法でおって、回路基板を水、アルカリ
金属水酸化物、NaMnO4、並びに、1mo1のMn
O4″につき約0.1〜約3.Qmolの、K九〇s 
、Rh及びそれらの混合物からなる群より選択されたM
nO4−についての共通イオンを含んでなるアルカリ性
の水性溶液と接触させることを含む方法を提供する。
本発明に従って提供てれるのは、溶液中に過剰のMnO
4−をなお存在させたまま人為的にカリウム、セシウム
、又はルビジウムの過マンガン酸塩の飽和点に維持てれ
た過マンガン酸塩溶液である。これは、NaMnO4の
水性溶液にK 、 Os 、 Rb イオン(又はそれ
らの混合物)を、1molのMn 04″につきに’、
 Csl” 、及び/又はRh イオンを約0.1〜約
3、Qmolの緻で加えることによシ達成される。
全く驚くべきことに、この発明の溶液は、樹脂基板をエ
ツチングするのに使用した場合、純粋なNaMnO4を
よシ高濃度で含有する溶液に匹敵するエツチング速度を
提供することが見いだされた。換言すれば、この発明は
、純粋なNaMnO4溶液のエツチング速度より良くは
ないとしても少くともそれと同様に良好なエツチング速
度を維持しながら、「純粋なJ NaMnO4を使用す
る(すなわち溶液中に共通イオンが存在しない)エツチ
ング剤溶液よシ低い全過マンガン酸塩濃度を用いる過マ
ンガン酸塩エツチング剤溶液を使用するのを許容する。
本発明の溶液は、水、アルカリ金属水酸化物、NaMn
O4,並びに、K、Cs+、Rb+z又はそれらの混合
物よシ選択されたMn O4−についての共通イオンを
含んでなる。溶液用に使用する特定成分とそれらの量は
、かな9変えることができる。
この発明の溶液に使用するアルカリ金属水酸化物は、N
a0I(KOH,CsOH,RbOH、又はそれらの混
合物を包含するアルカリ金属水酸化物のいずれであって
もよい。アルカリ金属水酸化物が、溶液中に存在しなけ
ればならないに九Cm+%及び/又は+ Rh共通イオンの都合のよい源であることは、強調され
るべきである。従って、例えば、KOHをアルカリ金属
水酸化物として(単独であるいはNaOHと組合わせて
いずれかで)使用する場合、それはに2オンを供給する
のと同時に、必要とされるアルカリ仕度に対して寄与す
る。アルカリ金属水酸化物に関しては、NaOHを選択
するのが、溶液中に過剰の共通イオンをもたらす恐れな
しにどのような所望の量ででも使用できるので好ましい
本発明の溶液に使用てれるアルカリ金属水酸化物の量は
、大きく変えることができる。一般には、溶液は、この
発明の溶液でエツチングされた材料の表面からマンガン
残留物を取除くことが、例えば酸で中和することのみに
よりてたやすく達成できる、十分なアルカリ金属水酸化
物を含有する、ということだけが必要である。標準的に
は、使用されるアルカリ金属水酸化物の量は、IJの溶
液について少くとも約1 molのOH−を供給するの
に十分な緻でめる。アルカリ金属水酸化物の最大量は、
溶液に対する溶解度の限界によりてのみ決められる。し
かしながら、アルカリ金属水酸化物又はそれのいずれか
一部がNaOH以外である場合、ナトリウム以外のアル
カリ金属イオン(K+SCm+及び/又はRb )は、
m液中の1molのMn O4について約3、Qmol
を超えるべきでないことを心に留めなければならない。
アルカリ金属水酸化物で飽和された溶液は、この発明を
実施するのに有用であるとは言うものの、実用性を考慮
すれば、アルカリ金属水酸化物の最大量は、11o溶液
について約10molのOH−を含有する溶液を生ずる
量でなければならない。アルカリ金属水酸化物の好まし
い量は、1gの溶液について約1〜4molのOH−を
生ずる量である。エツチング嘔れるべき材料がエポキシ
樹脂でめる場合、11の浴液について約4molのOH
−が特に好ましい。
この発明の溶液中のNaMnO4の量は、同様に広範囲
に変えることができるが、溶液が所望のエツチング速度
を与えるのに十分なNaMnO4を含有することだけは
必要とされる。一般的には、回路基板に関しては11の
溶液につき約70.9又はそれ以上のNaMnO4が、
満足なエツチング速度を与える。溶液中のNaMnO4
の最大量は、その溶解度の限界によってのみ決定される
が、今就は溶液中に存在する共通イオンの量にょシ決定
される。共通イオンはNaMnO4の溶解度を低下させ
るのに役立つので、溶液は、決してNaMnO4につい
ての理論的飽和点にはない。アルカリ金属水酸化物と同
じように、溶液に使用すべきN5MnO4の最大量は、
実用性を考慮して決められる。一般に、この最大量は約
40011/lであシ、この量以上を官有する溶液は、
エツチングされた材料に望ましくない粗い面を生ずるこ
とがらる非常に腐食性のエツチング剤である。好ましく
は、NaMnO4の量は、可溶性過マンガン酸塩として
約140971である。この好ましい量を含有する溶液
は、優良なエツチング速度をもたらし、経済上からみて
実用的である。
エツチングされるべき材料がエポキシ樹脂である場合、
プリント基板において普通に見られるように、NaMn
O4の址は約1401/lが特に好ましい。
この発明の溶液に関してr ji/l Jなる用語を使
用する場合、それは、室温すなわち約25℃で溶液中に
存在する特定成分の量に関する。
この発明の溶液中に存在する共通イオンは、様々な源か
ら供給することができる。実際に、共通イオンは、溶液
の性能に不利には影響しないいかなるアルカリ金属化合
物によりても供給することができる。好都合なことに、
共通イオンは、KMnO4%又は、KOH%Ca0H、
もしくはRbOHi包含するNaOH以外のアルカリ金
属水酸化物により供給することができる。共通イオンは
、その源にかかわらず溶液中の1mo1のMnO4−に
ついて約0.1mo1〜約3.0molの共通イオン量
で溶液中に存在する。共通イオンの好ましい量は、1m
olのMn O4−につき約0.1mo1〜約1.5m
olである。確かにこの発明の全く予期せざる一つの利
点は、非常(こ小量の共通イオン、例えは0.1〜1.
5 mo l/mo 1−MnO4−が、より大量の共
通イオン、例えば1.5〜3.0 mol/mo 1−
MnO4−の共通イオンを含有する溶液と比較して、こ
の発明の溶液のエツチング効力を現実に向上させるとい
うことである。
0H−、MnO4、及び共通イオンの上記の量は、この
発明による所定のアルカリ性水性溶液について溶液中に
存在する量(171で表わされようがrnol/13で
表わされようが)に関する、ということは注目すべきで
ろる。現実の実施に際しては、溶液はMnO4− Kつ
いては飽和点にあるので、(使用した共通イオンかに1
であるとすれは)いくらかのKR(no4が沈殿物とし
て存在する。しかしながら、この沈殿物の存在は、溶液
の性能にとって有害ではなく、むしろ最初の溶液中のM
n 04−を使い来しこの発明の溶液中の可溶性MnO
4−の所望濃度は、いくつかの方法で得ることができる
ということは、更に注目すべきである。基本的には、溶
液は、単にそれぞれの成分の所望tt必要量の水に溶解
することによシミ4製する。それらの成分は、固型又は
高濃縮溶液の形態で水に加えることができる。
後者の溶液を用いると、この発明の溶液を調製するとき
それが過熱するのを避けるのに役立つことができるので
、それら後者の溶液が時として好まし−。MnO4″の
所望量は、溶液中に存在するNaMnO4及び共通イオ
ンの量を調節して得ることができる。従って、例えば、
高濃度のNaMnO4溶来(例えば40011/J)は
、MnO4−の溶解度を所望の水準(例えば1409/
l)に低下させるのに使用する共通イオンを大量に必要
とするであろう。
しかしながら、低濃度のNaMnO4溶液(例えば15
0Il/l)では、同じMnO4−濃度(例えば140
1/l )に達するのにわずかに小量の共通イオンのみ
を必要とするであろう。
本発明の溶液は、メタライゼータ1ン、樹脂基板に形成
され九孔の内壁から樹脂のスミアを除去する工程、多層
回路基板のための孔洗浄工程、及び回路基板のためのエ
ッチバック工程の九めに樹脂基板を調整する処理におい
て特に有用である。
本発明は、この発明のアルカリ性水性溶液を使用するこ
のような方法を包含する。
この発明の方法は、この発明のエツチング剤溶液を用い
てスミア除去、エッチバック、又はその両方を行なう技
術において公知のや9方(これによって参照してここに
組み入れられる米国特許第4425380号及び英国特
許第1479558号に開示嘔れたもののような)で実
行することができる。従って゛、この発明の方法は、プ
リント基板(PCB )の加工処理に関して記述され九
人の典温的なやシ方で実行することができる。
1、 この発明の溶液でエツチングする前にPCBを予
め洗浄する。これは、余分な油分又はほこりを取除き、
樹脂及び/又は金属の表面を均一に澹らし、そして任意
に、過マンガン酸塩の腐食を軽減するための有機溶剤で
樹脂をわずかに軟化させることである。
2、洗浄したPCBは、すすぎを行ない、工程1の洗浄
溶液を取除く。
3、  PCBは、その後、所望する樹脂の除去を果た
すのに十分な時間及び温度で、この発明による溶液に入
れる。使用嘔れる実際の条件は、所望するエツチングの
タイプ(例えば、スミア除去ではわずかに1〜5分を必
要とするであろうし、エッチ/?ツクでは典型的な浴温
度である約77℃(170?)で5〜60分又はそれ以
上を必要とするであろう)と樹脂のタイプとによって変
わる。
4、  PCBを十二分にすすぐ。
5、その後PCBを酸中和溶液(例えば希硫酸と還元剤
)と接触させ、 PCBから過マンガン酸塩及びマンガ
ン残留物(主として二酸化マンガン)の本質的に全てを
取除く。
6、  PCBを再び十二分にすすぐ。
〔実施例〕
例1 色々な溶液t−調製し、溶液中のMn 04−のjll
c対する共通イオン濃度の効果を測定した。種々の?濃
度(K+@はKOHであった)におけるMn O4−濃
度−を、室温と77℃(170?)とで溶液を滴定しし
て第1図のグラフに示す。
以下余白 なお、第1表に示した溶液中のに/MnO4モル比は次
のように計算した。
(溶液中のに+/MnO4モル比) =(K全添加量−(1,39−(溶液中のRIIn04
 t)) )/(溶液中のMnO4量) 第1表のデータは、溶液中のMn 04−の量が共通イ
オン(K+)濃度の増加とともに減少することを説明す
る。
次の例では櫨々の過マンガン酸塩含有溶液を試験し、ス
ミア除去又はエッチバック浴としての有用性を測定する
。それぞれの試験は、次の平頭に従って行なった。
1、ニブキシ樹脂/ガラス繊維基板の両側に銅クラツド
を有する回路基板を76 m X 76 m (3イン
チ×3インチ)の寸法に切取る。
2、標準的な銅エツチング浴、例えばH2O2/H2S
O4溶液を用いて基板の両側から銅を完全にエツチング
する。
3、その結果得られる基板を完全に乾くまで100℃で
焼き、それから重量を測定する。
4、その後基板を下記の例にて示嘔れる溶液に、これま
たそれらの例に示される温度で、それらに示される期間
の量大れる。
5、基板を溶液から取出し、酸性中和液、例えば5チの
I(2So4と5011/lの還元剤とを含有する酸性
の水性溶液に入れる。
6、基板を中和剤から取出し、完全に乾くまで100℃
で焼き、再び重量を測定する。
7、工程3と工程6とにおける基板の重量を比較して全
体の重置減少(又は増加)を測定する。
重量変化は、下記の例において「ΔWtjで示され、こ
れは、過マンガン酸塩溶液によシ基板からエツチングて
れた材料の址(又は基板に付加された重量)を示す。
例2〜10 この発明によるいくつかの溶液を上述の方法で試験した
。第2表に結果を示す。このデータもグラフKL、て第
2図に示す。
以下余白 例11〜18 に2CO3を溶液中の共通イオン源として上舊己試験手
順に従って更に別の試験を行なった。第3表に結果を示
す。第3表のデータもグラフにして第2図及び第3図に
示す。
以下余白 例19〜25 第4表に要約した次の例は、NaMnO7N aOHエ
ツチング剤溶液に対して?の量を増加させて添加するこ
とがエツチング効力に与える効果を説明する。第4表に
示した例の全てにおいて種々の溶液中のOH−の量が一
定のままでらるということは、注目すべきでおる。第4
表のデータも、例19を除いて(これは比較のためにK
OHを使用しない)、グラフにして第2図及び第3図に
示す。なお、第4表に示した77℃(1707)(7)
溶液中のMn O4−量は、H2O2で滴定して測定し
た。
以下余白 比較例A−C 比較のために、KMnO4を過マンガン酸塩の源として
含有するエツチング剤溶液を試験して、次の結果を得た
第5表 第5表のデータもグラフにして第2図に示す。
第2〜4表のデータは、特に第1表を考慮に入れて、全
く驚くべきである。第1表(及び第1図)は、明らかに
、MnO4−濃度は共通イオン濃度が増加するにつれて
急速(減少することを説明する。
そこで、エツチング性能(ΔWt)が同様に急速に低下
することが仮定されよう。しかしながら、まさに反対の
事が起こる。例えば、第3図は、溶液にKOHを添加し
たときにΔWtが実際に増加することを示す。KOH濃
度が高くなるにつれて、ΔWtは減少し出し、その後再
び低水準となる(ΔWtの値は最初の降下に続いて上昇
する傾向を示すけれども)。それにもかかわらず、性能
が低水準となった溶液のΔWtの値は、標準的なKMn
 O4’/B液によって得ることができるΔWtよシも
なお劇的に大きいということは、強調されねはならない
(第2図の例A−Cと例19〜24とを対照させて参照
のこと)。この効果はに2Co、を使用したときには発
揮されないが、エツチング速反はK)度の上昇とともに
低下するだろうとの予想にもかかわらず、なお良好なエ
ツチング速度が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、例1で示てれたデータを表わし、2009/
lのNaMnO4溶液について室温及び77C(170
?)におけるMnO4−濃度(ITIOIA)対K” 
(KOHに由来する)濃度(mol/l)をグロyトし
たグラフである。 第2図は、比較例A、B及びC1並びに、例2〜18及
び例20〜25で示されたデータを表わし、それぞれの
例について15分のエツチング後の1wt (m#) 
を示す棒グラフである。 第3図は、例11〜18及び例20〜25で示されたデ
ータを表わし、2009/lのNaMnO4Ill液に
ついてKOHとに2C03の両者から得られた結果を示
すΔWt(mjl)対に濃度Cm0Vl)をグ07トし
たグラフでるる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、水、アルカリ金属水酸化物、NaMnO_4、並び
    に、1molのMnO_4^−につき0.1〜3.0m
    olの、K^+、Cs^+、Rb^+及びそれらの混合
    物からなる群より選択されたMnO_4^−についての
    共通イオンを含んでなるNaMnO_4のアルカリ性水
    性溶液。 2、共通イオンが、1molのMnO_4^−につき0
    .1〜1.5molの量で存在する特許請求の範囲第1
    項記載の溶液。 3、共通イオンがK^+である特許請求の範囲第1項記
    載の溶液。 4、アルカリ金属水酸化物がNaOHである特許請求の
    範囲第1項記載の溶液。 5、アルカリ金属水酸化物が、溶液の1lにつき少くと
    も1molのOH^−を供給する量で存在する特許請求
    の範囲第1項記載の溶液。 6、アルカリ金属水酸化物が、溶液の1lにつき1〜4
    molのOH^−を供給する量で存在する特許請求の範
    囲第5項記載の溶液。 7、少くとも70g/lのNaMnO_4を含有する特
    許請求の範囲第1項記載の溶液。 8、70g/l〜400g/lのNaMnO_4を含有
    する特許請求の範囲第7項記載の溶液。 9、140g/lのNaMnO_4、4mol/lのO
    H^−、及び1molのMnO_4^−につき0.1〜
    1.5molのK^+を含有する特許請求の範囲第1項
    記載の溶液。 10、その後のメタライゼーションのために樹脂基板を
    調整する方法であって、前記基板を水、アルカリ金属水
    酸化物、NaMnO_4、並びに、1molのMnO_
    4^−につき0.1〜3.0molの、K^+、Cs^
    +、Rb^+及びそれらの混合物から選択されたMnO
    _4^−についての共通イオンを含んでなるNaMnO
    _4のアルカリ性水性溶液と接触させることを含む方法
    。 11、樹脂基板に形成された孔の内壁から樹脂のスミア
    (smear)を取除く方法であって、その基板を水、
    アルカリ金属水酸化物、NaMnO_4、並びに、1m
    olのMnO_4^−につき0.1〜3.0molの、
    K^+、Cs^+、Rb^+及びそれらの混合物から選
    択されたMnO_4^−についての共通イオンを含んで
    なるNaMnO_4のアルカリ性水性溶液と接触させる
    ことを含む方法。 12、多層回路基板のための孔洗浄方法であって、その
    多層回路基板を水、アルカリ金属水酸化物、NaMnO
    _4、並びに、1molのMnO_4^−につき0.1
    〜3.0molの、K^+、Cs^+、Rb^+及びそ
    れらの混合物からなる群より選択されたMnO_4^−
    についての共通イオン含んでなるNaMnO_4のアル
    カリ性水性溶液と接触させることを含む方法。 13、回路基板の表面をエッチバックする方法であって
    、その回路基板を水、アルカリ金属水酸化物、NaMn
    O_4、並びに、1molのMnO_4^−につき0.
    1〜3.0molの、K^+、Cs^+、Rb^+及び
    それらの混合物からなる群より選択されたMnO_4^
    −についての共通イオンを含んでなるNaMnO_4の
    アルカリ性水性溶液と接触させることを含む方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010114358A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Kaneka Corp デスミア処理する方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4781853A (en) * 1986-12-01 1988-11-01 Harris Corp. Method of enhancing silicon etching capability of alkali hydroxide through the addition of positive valence impurity ions
US4781788A (en) * 1986-12-29 1988-11-01 Delco Electronics Corporation Process for preparing printed circuit boards
US4940510A (en) * 1987-06-01 1990-07-10 Digital Equipment Corporation Method of etching in the presence of positive photoresist
US5032427A (en) * 1988-04-25 1991-07-16 Macdermid, Incorporated Process for preparation printed circuit through-holes for metallization
DE3816494A1 (de) * 1988-05-10 1989-11-16 Schering Ag Loesung und verfahren zum aetzen und aktivieren von isolierenden oberflaechen
US4978422A (en) * 1990-03-20 1990-12-18 Macdermid, Incorporated Method for improving insulation resistance of printed circuits
US5015339A (en) * 1990-03-26 1991-05-14 Olin Hunt Sub Iii Corp. Process for preparing nonconductive substrates
US5143592A (en) * 1990-06-01 1992-09-01 Olin Corporation Process for preparing nonconductive substrates
US5221418A (en) * 1992-02-11 1993-06-22 Macdermid, Incorporated Method for improving the surface insulation resistance of printed circuits
DE4221948C1 (de) * 1992-07-02 1993-10-21 Schering Ag Verfahren zur Metallisierung von Kunststoffen und Verwendung
JP3400049B2 (ja) * 1993-11-26 2003-04-28 住友ベークライト株式会社 プリント配線板用接着剤及びこの接着剤を用いたプリント配線板の製造方法
JP2974786B2 (ja) 1996-05-03 1999-11-10 ザ、プロクター、エンド、ギャンブル、カンパニー 改善された汚れ分散性を有するポリアミン重合体を含む洗剤組成物
US6454954B1 (en) 2000-05-22 2002-09-24 Shipley Company, L.L.C. Desmear etchant and use thereof
GB0225012D0 (en) * 2002-10-28 2002-12-04 Shipley Co Llc Desmear and texturing method
US8741392B2 (en) * 2009-06-02 2014-06-03 Integran Technologies, Inc. Anodically assisted chemical etching of conductive polymers and polymer composites
US8394507B2 (en) * 2009-06-02 2013-03-12 Integran Technologies, Inc. Metal-clad polymer article
US8906515B2 (en) * 2009-06-02 2014-12-09 Integran Technologies, Inc. Metal-clad polymer article
US8247050B2 (en) 2009-06-02 2012-08-21 Integran Technologies, Inc. Metal-coated polymer article of high durability and vacuum and/or pressure integrity
KR101154409B1 (ko) * 2010-07-30 2012-06-15 현대자동차주식회사 차량용 연료 전지 장치 및 그 제어 방법
DE102011111294B4 (de) * 2011-08-26 2018-12-20 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur Behandlung von Kunststoffsubstraten und Vorrichtung zur Regeneration einer Behandlungslösung
JP5330474B2 (ja) * 2011-09-22 2013-10-30 上村工業株式会社 デスミア液及びデスミア処理方法
US9004240B2 (en) 2013-02-27 2015-04-14 Integran Technologies Inc. Friction liner
JP2015064337A (ja) * 2013-08-30 2015-04-09 キヤノン株式会社 微細構造体の製造方法
CN109321921A (zh) * 2018-09-28 2019-02-12 东莞优诺电子焊接材料有限公司 一种汽车模具pvd用的退镀液及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3652351A (en) * 1970-05-13 1972-03-28 Carus Corp Processes for etching synthetic polymer resins with alkaline alkali metal manganate solutions

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1969678A (en) * 1931-09-25 1934-08-07 Dow Chemical Co Ferric chloride etching solutions
US2908557A (en) * 1957-01-07 1959-10-13 Rca Corp Method of etching copper
US3095380A (en) * 1958-07-14 1963-06-25 Purex Corp Ltd Composition for removal of heat scale and carbon deposits
US3080323A (en) * 1959-04-07 1963-03-05 Purex Corp Ltd Composition for radioactive decontamination and descaling of cobalt alloys
US3293148A (en) * 1964-02-27 1966-12-20 Hooker Chemical Corp Method of cleaning steel surfaces
NL6606730A (ja) * 1965-05-17 1966-11-18
US3457107A (en) * 1965-07-20 1969-07-22 Diversey Corp Method and composition for chemically polishing metals
AT310285B (de) * 1966-02-22 1973-09-25 Photocircuits Corp Verfahren zur Herstellung eines Schichtkörpers für gedruckte Schaltungen
US3425947A (en) * 1966-05-02 1969-02-04 Hooker Chemical Corp Method of treating metal surfaces
US3528924A (en) * 1967-01-24 1970-09-15 Purex Corp Ltd Plastic case desoiling process
US3647699A (en) * 1967-12-22 1972-03-07 Gen Motors Corp Surface conditioner composition for abs resin
US3506397A (en) * 1967-12-22 1970-04-14 Gen Motors Corp Phosphoric acid recovery from spent plastic conditioner solution
US3598630A (en) * 1967-12-22 1971-08-10 Gen Motors Corp Method of conditioning the surface of acrylonitrile-butadiene-styrene
US3652417A (en) * 1968-03-01 1972-03-28 Carus Corp Stabilization of alkali metal permanganate in alkaline solution
US3689303A (en) * 1970-12-21 1972-09-05 Crown City Plating Co Process for electroless plating of abs resins
US3833414A (en) * 1972-09-05 1974-09-03 Gen Electric Aluminide coating removal method
US4042729A (en) * 1972-12-13 1977-08-16 Kollmorgen Technologies Corporation Process for the activation of resinous bodies for adherent metallization
DK154600C (da) * 1974-11-07 1989-04-17 Kollmorgen Tech Corp Fremgangsmaade til forbehandling af kredsloebspladerpaa formstofbasis.
US4054693A (en) * 1974-11-07 1977-10-18 Kollmorgen Technologies Corporation Processes for the preparation of resinous bodies for adherent metallization comprising treatment with manganate/permanganate composition
US4073740A (en) * 1975-06-18 1978-02-14 Kollmorgen Technologies Corporation Composition for the activation of resinous bodies for adherent metallization
JPS55153338A (en) * 1979-05-18 1980-11-29 Fujitsu Ltd Surface treatment of semiconductor substrate
DE3110415C2 (de) * 1981-03-18 1983-08-18 Ruwel-Werke Spezialfabrik für Leiterplatten GmbH, 4170 Geldern Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten
US4425380A (en) * 1982-11-19 1984-01-10 Kollmorgen Technologies Corporation Hole cleaning process for printed circuit boards using permanganate and caustic treating solutions

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3652351A (en) * 1970-05-13 1972-03-28 Carus Corp Processes for etching synthetic polymer resins with alkaline alkali metal manganate solutions

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010114358A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Kaneka Corp デスミア処理する方法

Also Published As

Publication number Publication date
IL78268A (en) 1989-01-31
DK255386A (da) 1986-12-01
ATE58560T1 (de) 1990-12-15
AU5526886A (en) 1987-01-15
EP0207586A1 (en) 1987-01-07
DE207586T1 (de) 1988-03-17
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ES555511A0 (es) 1988-02-16
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DK255386D0 (da) 1986-05-30
US4601784A (en) 1986-07-22
EP0207586B2 (en) 1999-03-17
IL78268A0 (en) 1986-07-31
KR860009098A (ko) 1986-12-20
CA1274456A (en) 1990-09-25
AU580146B2 (en) 1989-01-05

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