JPS61278598A - 共通イオンを含有する過マンガン酸ナトリウムのアルカリ性水性溶液及びプリント回路基板の処理方法 - Google Patents
共通イオンを含有する過マンガン酸ナトリウムのアルカリ性水性溶液及びプリント回路基板の処理方法Info
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- JPS61278598A JPS61278598A JP61113845A JP11384586A JPS61278598A JP S61278598 A JPS61278598 A JP S61278598A JP 61113845 A JP61113845 A JP 61113845A JP 11384586 A JP11384586 A JP 11384586A JP S61278598 A JPS61278598 A JP S61278598A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｍｎ Ｏ４−についてＫ”、 Ｃ武ａｂ＋
＆びそれらの混合物からなる群よ）選択された共通イオ
ンを含有する過マンガン酸ナトリウム（ＮａＭｎＯ４
）のアルカリ性水性溶液に関する。本発明は、この発明
のＮａＭｎＯ４のアルカリ性水性溶液を使用して、絶縁
物質（例えばプリント基板）に形成された孔内壁の樹脂
のスミア（ａｍ＠ａｒ）を取除く方法、及Ｉ又はそのよ
うな孔の内壁をエツチングする方法にも関する。
＆びそれらの混合物からなる群よ）選択された共通イオ
ンを含有する過マンガン酸ナトリウム（ＮａＭｎＯ４
）のアルカリ性水性溶液に関する。本発明は、この発明
のＮａＭｎＯ４のアルカリ性水性溶液を使用して、絶縁
物質（例えばプリント基板）に形成された孔内壁の樹脂
のスミア（ａｍ＠ａｒ）を取除く方法、及Ｉ又はそのよ
うな孔の内壁をエツチングする方法にも関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題点〕樹脂
を含んだ材料に孔を形成する操作では、結果として孔の
内壁又は横壁（ｂａｒｒｓｌ）の至る所にしばしば樹脂
のスミアの付着が生ずる。この樹脂のスミアは、主とし
て孔形成処理中に材料の樹脂成分の融点を超える温度を
発生又は利用するせいである。
を含んだ材料に孔を形成する操作では、結果として孔の
内壁又は横壁（ｂａｒｒｓｌ）の至る所にしばしば樹脂
のスミアの付着が生ずる。この樹脂のスミアは、主とし
て孔形成処理中に材料の樹脂成分の融点を超える温度を
発生又は利用するせいである。
ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた積層材料（プリ
ント基板の製作に使用されるもののような）に孔ヲアけ
ると、材料に対するドリルビットの摩擦によυビットの
温度が上昇する。往々にして、ドリルビットの温度は、
多くの系統の樹脂の融点を超える温度に至る。従って、
溶融した樹脂がドリルで孔をあけられている材料からド
リルビットによシその方向に抜取られ、この溶融付着物
は孔の横壁になす９付けられる。有機絶縁基板の内部導
体と接触するレーザードリルの場合、同様の樹脂の付着
物又はスミアが、露出された導体表面に生ずることがあ
る。
ント基板の製作に使用されるもののような）に孔ヲアけ
ると、材料に対するドリルビットの摩擦によυビットの
温度が上昇する。往々にして、ドリルビットの温度は、
多くの系統の樹脂の融点を超える温度に至る。従って、
溶融した樹脂がドリルで孔をあけられている材料からド
リルビットによシその方向に抜取られ、この溶融付着物
は孔の横壁になす９付けられる。有機絶縁基板の内部導
体と接触するレーザードリルの場合、同様の樹脂の付着
物又はスミアが、露出された導体表面に生ずることがあ
る。
孔壁上の樹脂のスミアの問題は適用によっては無視する
こともできるが、時としてそれは除去するのが肝要でろ
る。例えは、多層回路基板を作る場合、複数の平行なル
−ナ金属導体を含む樹脂含有材料に孔を形成し、その孔
は２以上の平行金属導体に垂直でロシ且つそれらに通じ
ている。２層又はそれ以上の金属導体間の導電路を形成
するために孔壁をメタライゼーションすることがしばし
ば望ましいので、メタライゼーションされた孔壁と金属
導体との間の導電接続を達成すべき場合には、樹脂のス
ミアは金属導体を貫通する孔の縁から取除かなければな
らない。従って、銅クラツドペースのグラスチック積層
板又は多層回路基板におけるような内部導体層を含有す
るプラスチック積層板を貫通して回路基板の孔をあける
ときに、孔壁に露出した金属表面の樹脂のスきアは、め
っき貫通孔の本来の機能を果すように取除かなければな
らない。
こともできるが、時としてそれは除去するのが肝要でろ
る。例えは、多層回路基板を作る場合、複数の平行なル
−ナ金属導体を含む樹脂含有材料に孔を形成し、その孔
は２以上の平行金属導体に垂直でロシ且つそれらに通じ
ている。２層又はそれ以上の金属導体間の導電路を形成
するために孔壁をメタライゼーションすることがしばし
ば望ましいので、メタライゼーションされた孔壁と金属
導体との間の導電接続を達成すべき場合には、樹脂のス
ミアは金属導体を貫通する孔の縁から取除かなければな
らない。従って、銅クラツドペースのグラスチック積層
板又は多層回路基板におけるような内部導体層を含有す
るプラスチック積層板を貫通して回路基板の孔をあける
ときに、孔壁に露出した金属表面の樹脂のスきアは、め
っき貫通孔の本来の機能を果すように取除かなければな
らない。
上述のめっき貫通孔は、ゲラステック積層板の両側の金
属導体を有するプリント回路間、又は多層回路基板の多
数の導体層及び表面導体層の２層又はそれ以上の層の間
の電気的接続をするのに有用でおる。この機能のために
必要とされる電気的並びに機械的結合性は、もっばら孔
によシ露出された金属導体部分の内側の周辺全体から樹
脂材料を完全に除去するのを保証することによって達成
できる。
属導体を有するプリント回路間、又は多層回路基板の多
数の導体層及び表面導体層の２層又はそれ以上の層の間
の電気的接続をするのに有用でおる。この機能のために
必要とされる電気的並びに機械的結合性は、もっばら孔
によシ露出された金属導体部分の内側の周辺全体から樹
脂材料を完全に除去するのを保証することによって達成
できる。
樹脂のスミアを除去することについては多数の方法が知
られている。一つのアプローチは機械的なものでアリ、
そのような孔の中に乾燥又は湿式研磨粒子の流れを通ず
ることを含む。同様の方法として、液圧を利用して孔の
中に研磨材の濃厚スラリーを押し通すものがある。しか
しながら、これらの機械的方法は、一般的に時間がかか
り、且つ制御が困難である。その上、所定の回路基板の
全ての孔のスミアを取除くのは完全には達成し難い。
られている。一つのアプローチは機械的なものでアリ、
そのような孔の中に乾燥又は湿式研磨粒子の流れを通ず
ることを含む。同様の方法として、液圧を利用して孔の
中に研磨材の濃厚スラリーを押し通すものがある。しか
しながら、これらの機械的方法は、一般的に時間がかか
り、且つ制御が困難である。その上、所定の回路基板の
全ての孔のスミアを取除くのは完全には達成し難い。
孔からスミアを取除くのに化学的方法も用いられている
。一般的に、使用される化学薬品は、スミアとして付着
した樹脂コーティングを侵食する。
。一般的に、使用される化学薬品は、スミアとして付着
した樹脂コーティングを侵食する。
化学薬品には、例えば濃硫酸（濃度約９０％以上）が含
まれる。スミアとして付着したエポキシ樹脂は、通常約
０．０２５■（０，００１インチ）以下の厚さであるが
、Ｉ１１硫酸を用いて約１分の処理により取除くことが
できる。あいにくなことに、必要とされる高濃度の硫酸
は非常に危険であシ、作業者は異常なほど用心する必要
がめる。その上、好ましくなく粗い孔が生ずる。更に、
濃硫酸は急速に水分を吸収してその有効使用期間を制限
し、また孔からスミアを取除くのに必要とする浸漬時間
の変化をもたらすことがおる。
まれる。スミアとして付着したエポキシ樹脂は、通常約
０．０２５■（０，００１インチ）以下の厚さであるが
、Ｉ１１硫酸を用いて約１分の処理により取除くことが
できる。あいにくなことに、必要とされる高濃度の硫酸
は非常に危険であシ、作業者は異常なほど用心する必要
がめる。その上、好ましくなく粗い孔が生ずる。更に、
濃硫酸は急速に水分を吸収してその有効使用期間を制限
し、また孔からスミアを取除くのに必要とする浸漬時間
の変化をもたらすことがおる。
これまで用いられてきたもう一つのスミア除去用化学薬
剤は、クロム酸である。めいにくながら、それは濃硫酸
よシ遅く、且つなお作業者の用心と特殊な設備とを必要
とする。クロム酸にも、毒性及び廃棄物処理の問題があ
る。
剤は、クロム酸である。めいにくながら、それは濃硫酸
よシ遅く、且つなお作業者の用心と特殊な設備とを必要
とする。クロム酸にも、毒性及び廃棄物処理の問題があ
る。
過マンガン酸塩も、スミアの除去及び種々の材料のエツ
チングに使用されている。例えは、１９３４年８月７日
発行のホワイ）（ｗｈｔｔｅ）等の米国特許第１９６９
６７８号は、塩化第二鉄と第一鉄イオンを第二鉄イオン
に変える酸化剤とを含有する、金属例えば銅層のエツチ
ング溶液を開示する。この酸化剤はＫＭＬｎ Ｏ４でよ
い。もちろんのことながら、回路基板は塩化第二鉄によ
って取除かれる銅層をしばしば含んでいるので、これら
のエツチング溶液は、回路基板の調製に関する用途を結
局は制限されている。
チングに使用されている。例えは、１９３４年８月７日
発行のホワイ）（ｗｈｔｔｅ）等の米国特許第１９６９
６７８号は、塩化第二鉄と第一鉄イオンを第二鉄イオン
に変える酸化剤とを含有する、金属例えば銅層のエツチ
ング溶液を開示する。この酸化剤はＫＭＬｎ Ｏ４でよ
い。もちろんのことながら、回路基板は塩化第二鉄によ
って取除かれる銅層をしばしば含んでいるので、これら
のエツチング溶液は、回路基板の調製に関する用途を結
局は制限されている。
１９６６年１２月２０日発行のデル（Ｄｏ １１ ）等
の米国特許第３２９３１４８号は、酸化剤、アルカリ金
属水酸化物、グルコン酸、及びポリエチレングリコール
を含有する＼金属用洗浄溶液を開示する。開示された酸
化剤は好ましいものテハナく、またそれらの使用９１Ｊ
は記載されていないけれトモ、開示された多くの酸化剤
の中には過マンガン酸塩がある。
の米国特許第３２９３１４８号は、酸化剤、アルカリ金
属水酸化物、グルコン酸、及びポリエチレングリコール
を含有する＼金属用洗浄溶液を開示する。開示された酸
化剤は好ましいものテハナく、またそれらの使用９１Ｊ
は記載されていないけれトモ、開示された多くの酸化剤
の中には過マンガン酸塩がある。
１９６９年２月４日発行のローフ、 （Ｒａｕｓｃｈ）
等の米国特許第３４２５９４７号は、金属表面から有機
物を除去するだめの処理浴を調製するのに有用な固形濃
縮物に関する。その濃縮物は、約５０〜９０％のアルカ
リ金属水酸化物、１０〜物により！！ｌｌ製てれた典型
的溶液は、約１０５の９０ＫＭｉｎ０４及び約２５０９
／ｌのＮａＯＨ’に含有する。
等の米国特許第３４２５９４７号は、金属表面から有機
物を除去するだめの処理浴を調製するのに有用な固形濃
縮物に関する。その濃縮物は、約５０〜９０％のアルカ
リ金属水酸化物、１０〜物により！！ｌｌ製てれた典型
的溶液は、約１０５の９０ＫＭｉｎ０４及び約２５０９
／ｌのＮａＯＨ’に含有する。
１９６９年７月２２日発行のミケルソン（Ｍｌｃｋｅｌ
ｓｏｎ）等の米国特許第３４５７１０７号は、ステンレ
ス鋼を化学的に研磨するための組成物を開示する。これ
らの組成物は、アルカリ金属水酸化物、例えばＮａ０Ｈ
）及び過マンガン酸のアルカリ金属塩、例えばＫＭｎｏ
４を含有する水性溶液である。典型的溶液は、約３９
９／ｌのＮａＯＨ，１６纒のＫＭｎＯ４％及び４．８ｔ
ｌ／ｌのＮａ２ＣＯ３を含有するか、又は７８９／ｌの
ＮａＯＨ，３２９／ｌのＫＭｎＯ４、及び９、６ Ｅ／
ｌのＮａ ２ Ｃｏ ５を含有する。
ｓｏｎ）等の米国特許第３４５７１０７号は、ステンレ
ス鋼を化学的に研磨するための組成物を開示する。これ
らの組成物は、アルカリ金属水酸化物、例えばＮａ０Ｈ
）及び過マンガン酸のアルカリ金属塩、例えばＫＭｎｏ
４を含有する水性溶液である。典型的溶液は、約３９
９／ｌのＮａＯＨ，１６纒のＫＭｎＯ４％及び４．８ｔ
ｌ／ｌのＮａ２ＣＯ３を含有するか、又は７８９／ｌの
ＮａＯＨ，３２９／ｌのＫＭｎＯ４、及び９、６ Ｅ／
ｌのＮａ ２ Ｃｏ ５を含有する。
！９７０年１月１３日発行のデル等の米国特許第３４８
９６２５号は、炭素鋼の酸洗いと、その後の過マンガン
酸塩のアルカリ性溶液による処理とを開示する。過マン
ガン酸塩のアルカリ性溶液は、約５〜５０９／ｌのＫＭ
ｎＯ４と約１０〜２００１／ｌのアルカリ金属水酸化物
とを含有する。
９６２５号は、炭素鋼の酸洗いと、その後の過マンガン
酸塩のアルカリ性溶液による処理とを開示する。過マン
ガン酸塩のアルカリ性溶液は、約５〜５０９／ｌのＫＭ
ｎＯ４と約１０〜２００１／ｌのアルカリ金属水酸化物
とを含有する。
１９７０年４月１４日発行のビンセント（Ｖｉｎｃｅｎ
ｔ）等の米国特許第３５０６３９７号は、燐酸と過マン
ガン酸カリウムとを含有する組成物によるＡＢＳ樹脂の
処理に関する。
ｔ）等の米国特許第３５０６３９７号は、燐酸と過マン
ガン酸カリウムとを含有する組成物によるＡＢＳ樹脂の
処理に関する。
１９７１年８月１０日及び１９７２年３月７日にそれぞ
れ発行されたトチイー（ｏｏｔｙ）等の米国特許第３５
９８６３０号及び第３６４７６９９号も、ＡＢＳポリマ
ーを処理するための燐酸／過マンガン酸カリウム溶液に
関する。
れ発行されたトチイー（ｏｏｔｙ）等の米国特許第３５
９８６３０号及び第３６４７６９９号も、ＡＢＳポリマ
ーを処理するための燐酸／過マンガン酸カリウム溶液に
関する。
１９７１年１２月７日発行のストール（Ｓｔａｈｌ）等
の米国特許第３６２５７５８号は、グリント基板の製造
を扱う。製造工程ので段階として、過マンガン酸塩溶液
でもよい酸化及び分解剤によシ基板を処理する。しかし
ながら、過マンガン酸塩溶液組成物に関する詳細あるい
は特別な例は提示されていない。
の米国特許第３６２５７５８号は、グリント基板の製造
を扱う。製造工程ので段階として、過マンガン酸塩溶液
でもよい酸化及び分解剤によシ基板を処理する。しかし
ながら、過マンガン酸塩溶液組成物に関する詳細あるい
は特別な例は提示されていない。
１９７２年３月２８日発行のギステ４ （Ｇｕｉｓｔｉ
）の米国特許第３６５２３５１号は、合成ポリマーをエ
ツチングするための組成物を開示する。これらのエツチ
ング剤組成物は、２．５〜８．５チのマンガン酸カリウ
ム及び／又はマンガン酸ナトリウム、３０〜７０％の水
酸化ナトリウム及び／又は水酸化カリウム、並びに２１
．５〜６７．５％の水を含有する。これらの組成物は、
対応する過マンガン酸塩から、それらを高温で大量の水
酸化ナトリウム及び／又は水酸化カリウムと反応させて
過マンガン酸塩をマンガン酸塩に還元して調製される。
）の米国特許第３６５２３５１号は、合成ポリマーをエ
ツチングするための組成物を開示する。これらのエツチ
ング剤組成物は、２．５〜８．５チのマンガン酸カリウ
ム及び／又はマンガン酸ナトリウム、３０〜７０％の水
酸化ナトリウム及び／又は水酸化カリウム、並びに２１
．５〜６７．５％の水を含有する。これらの組成物は、
対応する過マンガン酸塩から、それらを高温で大量の水
酸化ナトリウム及び／又は水酸化カリウムと反応させて
過マンガン酸塩をマンガン酸塩に還元して調製される。
例えば、ギスティの特許の例１では、５０１１０ＫＯＨ
。
。
５ＩのＫＭｎＯい及び２０．９の水を組合せ、その結果
として得られた混合物を還元反応が完了するまで８０〜
９０℃で加熱する。同様に、例２の反応混合物は４５．
９のＮａＯＨ，６１のＮａＭｎＯ４、及び２０１１の水
を含有し、例３では２５１１ （７） ＮａＯＨ％２５
ＩのＫＭｎＯａ、２．５．９ＯＮａＭｎＯ４．及び２０
．９の水を使用する。
として得られた混合物を還元反応が完了するまで８０〜
９０℃で加熱する。同様に、例２の反応混合物は４５．
９のＮａＯＨ，６１のＮａＭｎＯ４、及び２０１１の水
を含有し、例３では２５１１ （７） ＮａＯＨ％２５
ＩのＫＭｎＯａ、２．５．９ＯＮａＭｎＯ４．及び２０
．９の水を使用する。
ギスティの例を再現することを試みたところ、過マンガ
ン酸塩を含有する反応混合物は溶液ではなく、むしろ沸
点においてきえも結晶化し九に一スト状物質であること
が分った。とは言うものの、反応混合物は大量のアルカ
リ金属水酸化物を含有するので、これは多分意外ではな
い。より詳しく述べるならば、各側の反応混合物は１ｇ
当シのグラム数に基づいて次のものを含有する、すなわ
ち、例１では１０００１／ｌ ＯＫＯＨ及び１０５１／
ｌのＫＭｎＯ４、例２では９９０ｊ’／１ＯＮａＯＨ及
び１３２１／ｌのＮ轟０４、例３では５７５１１／ｌの
ＮａＯＨ，５７５１／ｌのＫＯＨ，１０８１／ｌのＮａ
ＭｎＯ４、及び１０８１１／ｌのＫＭｎ Ｏ４；Ｃある
。結局のところ、ギスティの例を再現することにより作
られたマンガン酸塩組成物は、満足なエツチング剤では
ないことが分った。
ン酸塩を含有する反応混合物は溶液ではなく、むしろ沸
点においてきえも結晶化し九に一スト状物質であること
が分った。とは言うものの、反応混合物は大量のアルカ
リ金属水酸化物を含有するので、これは多分意外ではな
い。より詳しく述べるならば、各側の反応混合物は１ｇ
当シのグラム数に基づいて次のものを含有する、すなわ
ち、例１では１０００１／ｌ ＯＫＯＨ及び１０５１／
ｌのＫＭｎＯ４、例２では９９０ｊ’／１ＯＮａＯＨ及
び１３２１／ｌのＮ轟０４、例３では５７５１１／ｌの
ＮａＯＨ，５７５１／ｌのＫＯＨ，１０８１／ｌのＮａ
ＭｎＯ４、及び１０８１１／ｌのＫＭｎ Ｏ４；Ｃある
。結局のところ、ギスティの例を再現することにより作
られたマンガン酸塩組成物は、満足なエツチング剤では
ないことが分った。
１９７４年９月３日発行のブリシフ（Ｇｒｌｓｌｋ）等
の米国特許第３８３３４１４号は、金属を混酸浴液で処
理し、続いて過マンガン酸塩のアルカリ性水溶液で処理
し、最後に混酸による２回目の処理をすることによって
金属がらアルミニド（ａｌｕｍｌｎｉｄ＊）コーティン
グを取除く方法を開示スル。過マンガン酸塩のアルカリ
性水溶液は、８〜１１％のＮａＯＨ，８〜１１ ＳのＮ
ｔｈ２ＣＯ５、及び４〜６％のＫＭｎＯ４を含有する。
の米国特許第３８３３４１４号は、金属を混酸浴液で処
理し、続いて過マンガン酸塩のアルカリ性水溶液で処理
し、最後に混酸による２回目の処理をすることによって
金属がらアルミニド（ａｌｕｍｌｎｉｄ＊）コーティン
グを取除く方法を開示スル。過マンガン酸塩のアルカリ
性水溶液は、８〜１１％のＮａＯＨ，８〜１１ ＳのＮ
ｔｈ２ＣＯ５、及び４〜６％のＫＭｎＯ４を含有する。
１９７７年８月１６日、１９７７年１０月１８日、及び
１９７８年２月１４日にそれぞれ発行されたポリチェッ
） （Ｐｏｌｉｃｈｅｔｔａ）等の米国特許第４０４２
７２９号、第４０５４６９３号、及び第４０７３７４０
号は、ｆｆ／ガン酸塩（ＭｎＯ４２−）及び過マンガン
酸塩（ＭｎＯ４−）の溶液でもって、マンガン酸塩と過
マンガン酸塩とのモル比を１．２まで、且つ溶液のＰＩ
″１ｆ：１１〜１３として、樹脂表面を処理することに
関する。ポリチェット等は、−が大きくなるとＭｎＯ４
２−／ＭｎＯ４−比が大きくなり、好ましくないことを
教示する。
１９７８年２月１４日にそれぞれ発行されたポリチェッ
） （Ｐｏｌｉｃｈｅｔｔａ）等の米国特許第４０４２
７２９号、第４０５４６９３号、及び第４０７３７４０
号は、ｆｆ／ガン酸塩（ＭｎＯ４２−）及び過マンガン
酸塩（ＭｎＯ４−）の溶液でもって、マンガン酸塩と過
マンガン酸塩とのモル比を１．２まで、且つ溶液のＰＩ
″１ｆ：１１〜１３として、樹脂表面を処理することに
関する。ポリチェット等は、−が大きくなるとＭｎＯ４
２−／ＭｎＯ４−比が大きくなり、好ましくないことを
教示する。
１９８１年１０月１３日発行のオームラ（Ｏｈｍｕｒａ
）の米国特許第４２９４６５１号は、弗素化合物（７〜
３８９６ ） 、ＫＭｎＯ４のような酸化剤（２，５〜
７％）、及びＫＯＨ又はＮａＯＨのようなアルカＩＪ
（１〜１０％）を含有する組成物で半導体基板をエツチ
ングすることを開示する。
）の米国特許第４２９４６５１号は、弗素化合物（７〜
３８９６ ） 、ＫＭｎＯ４のような酸化剤（２，５〜
７％）、及びＫＯＨ又はＮａＯＨのようなアルカＩＪ
（１〜１０％）を含有する組成物で半導体基板をエツチ
ングすることを開示する。
１９８４年１月１０日発行のダツツ４−（Ｄｕｆｆｙ）
等の米国特許第４４２５３８０号は、樹脂基板の孔の内
壁から樹脂のスミアを取除く（スミア除去）方法を開示
する。その方法は、基板を−が１１〜１３でめる過マン
ガン酸塩のアルカリ性溶液に高温で接触させることを含
む。過マンガン酸塩に関しては、それは、安定且つ少く
とも１０１／ｌの範囲までは水に可溶であるいかなる過
マンガン酸の金属塩も使用することができるが、過マン
ガン酸ナトリウム及び過マンガン酸カリウムが好ましい
、と述べている。約１０９／ｌから溶解度の限界に至る
までの量の過マンガン酸塩を使用できることが開示され
てはいるが、１０〜６０９７１の範囲のＮａＭｎＯ４又
はＫＭｎ ０４を用いて特に良好な結果力；得られるこ
とが強調されている。更に、約６０１１７１に至るまで
は♂ンディング部位の形成速度が増加するが〜このレベ
ル以上においてはそれ以上の速度増加は認められないこ
とが教示される０従って１ダツフイー等は、彼らのスミ
ア除去溶液に関する過マンガン酸塩の実用上の上限を６
０９７１に設定する。
等の米国特許第４４２５３８０号は、樹脂基板の孔の内
壁から樹脂のスミアを取除く（スミア除去）方法を開示
する。その方法は、基板を−が１１〜１３でめる過マン
ガン酸塩のアルカリ性溶液に高温で接触させることを含
む。過マンガン酸塩に関しては、それは、安定且つ少く
とも１０１／ｌの範囲までは水に可溶であるいかなる過
マンガン酸の金属塩も使用することができるが、過マン
ガン酸ナトリウム及び過マンガン酸カリウムが好ましい
、と述べている。約１０９／ｌから溶解度の限界に至る
までの量の過マンガン酸塩を使用できることが開示され
てはいるが、１０〜６０９７１の範囲のＮａＭｎＯ４又
はＫＭｎ ０４を用いて特に良好な結果力；得られるこ
とが強調されている。更に、約６０１１７１に至るまで
は♂ンディング部位の形成速度が増加するが〜このレベ
ル以上においてはそれ以上の速度増加は認められないこ
とが教示される０従って１ダツフイー等は、彼らのスミ
ア除去溶液に関する過マンガン酸塩の実用上の上限を６
０９７１に設定する。
ダッフィー等によシ開示されたスミア除去溶液の一範囲
も狭く、１１〜１３である。ダッフィー等は、よシ大き
い−が各種の深刻な問題を引起すことをくり返し述べて
いる。例えば、第３欄第２〜５行には、−の大きい過マ
ンガン酸塩溶液は、エポキシ樹脂をスミア除去し且つ回
路基板のポリミド（ｐｏｌｙｍｉｄ・）をエッチバック
するのに使用された場合、結果として局部的な不活性領
域を生ずると述べられている。これらの不活性領域は、
後に基板を金属によシ無電解的にめっきするときに、ピ
ンホール又は無めっき部を形成するに至る。−の大きい
過マンガン酸塩溶液による洗浄後のピンホール及び無め
っき部に関するこの問題は、第３欄第３７〜４０行で再
び言及されている。
も狭く、１１〜１３である。ダッフィー等は、よシ大き
い−が各種の深刻な問題を引起すことをくり返し述べて
いる。例えば、第３欄第２〜５行には、−の大きい過マ
ンガン酸塩溶液は、エポキシ樹脂をスミア除去し且つ回
路基板のポリミド（ｐｏｌｙｍｉｄ・）をエッチバック
するのに使用された場合、結果として局部的な不活性領
域を生ずると述べられている。これらの不活性領域は、
後に基板を金属によシ無電解的にめっきするときに、ピ
ンホール又は無めっき部を形成するに至る。−の大きい
過マンガン酸塩溶液による洗浄後のピンホール及び無め
っき部に関するこの問題は、第３欄第３７〜４０行で再
び言及されている。
ダッフィー等は、大きい−すなわち１３以上の−により
引起される他の問題に言及する。第４欄第２７〜２９行
には、声が１３以上でろる過マンガン酸塩のアルカリ性
処理溶液を使用する場合、大量の残留マンガンが見いだ
されると述べられている。第４欄第３１〜３８行には、
基板上に付着したこれら−の大きい過マンガン酸塩溶液
を中和しなかった場合、次の無電解めっきによる金属の
付着は迅速であるが、無電解めっき金属浴は自然に分解
すると述べられている。これに反して、−の大きい過マ
ンガン酸塩処理溶液を中和した場合、基板上には残留物
が取残され、その結果として、その後金属をその上に無
電解めっきの方法によシ付着するとき、孔に無めっき部
を生じた。従って、−の大きい過マンガン酸塩溶液は、
主として満足に無電解めっきすることができた基板を供
給できないために、スミア除去処理においては処理を行
なったとしても不十分でるると予想される、というのが
ダッフィー等の教示からの明瞭なる結論である。
引起される他の問題に言及する。第４欄第２７〜２９行
には、声が１３以上でろる過マンガン酸塩のアルカリ性
処理溶液を使用する場合、大量の残留マンガンが見いだ
されると述べられている。第４欄第３１〜３８行には、
基板上に付着したこれら−の大きい過マンガン酸塩溶液
を中和しなかった場合、次の無電解めっきによる金属の
付着は迅速であるが、無電解めっき金属浴は自然に分解
すると述べられている。これに反して、−の大きい過マ
ンガン酸塩処理溶液を中和した場合、基板上には残留物
が取残され、その結果として、その後金属をその上に無
電解めっきの方法によシ付着するとき、孔に無めっき部
を生じた。従って、−の大きい過マンガン酸塩溶液は、
主として満足に無電解めっきすることができた基板を供
給できないために、スミア除去処理においては処理を行
なったとしても不十分でるると予想される、というのが
ダッフィー等の教示からの明瞭なる結論である。
−の大きい過マンガン酸塩溶液を使用したときに基板上
に付着したマンガン残留物の問題は、ダッフィー等によ
り彼らの例の中に特別に提出てれている。そこには、−
の大きいＫＭｎＯ４溶液を使用する場合、比較的大量の
マンガン残留物が基板上に残ることが説明されている。
に付着したマンガン残留物の問題は、ダッフィー等によ
り彼らの例の中に特別に提出てれている。そこには、−
の大きいＫＭｎＯ４溶液を使用する場合、比較的大量の
マンガン残留物が基板上に残ることが説明されている。
ダツフィー等によれば、これらのマンガン残留物は、酸
による中和工程によって簡単に取除くことはできない。
による中和工程によって簡単に取除くことはできない。
マンガン残留物の実質的に全てを取除くには、アルカリ
性溶液に浸漬することを含む別の工程が必要である。
性溶液に浸漬することを含む別の工程が必要である。
１９８４年２月７日発行のストール等の米国特許第４４
３０１５４号は、過マンガン酸塩又はクロム酸のアルカ
リ性溶液を使用する処理によシベース材料又は基板上の
銅導体を腐食することなしに、プリント基板から付着物
を除去する方法に関する。開示された過マンガン酸塩の
アルカリ性溶液は、５０１１／ｌのＫＭｎ Ｏ４と５０
９／ｌのＮａＯＨとを含有する。
３０１５４号は、過マンガン酸塩又はクロム酸のアルカ
リ性溶液を使用する処理によシベース材料又は基板上の
銅導体を腐食することなしに、プリント基板から付着物
を除去する方法に関する。開示された過マンガン酸塩の
アルカリ性溶液は、５０１１／ｌのＫＭｎ Ｏ４と５０
９／ｌのＮａＯＨとを含有する。
１９７７年７月１３日公告のコルモーグン社（Ｋｏｌｌ
ｍｏｒｇｅｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）の英国特許第
１４７９５５８号も、過マンガン酸カリウム、強塩基（
例えばＮａ０Ｈ）、及び弗素化炭化水素の湿潤剤を含有
する過マンガン酸塩のアルカリ性溶液を使用する処理に
よりプリント基板及び線状導体をスミア除去及びエッチ
バックすることに関する。
ｍｏｒｇｅｎ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）の英国特許第
１４７９５５８号も、過マンガン酸カリウム、強塩基（
例えばＮａ０Ｈ）、及び弗素化炭化水素の湿潤剤を含有
する過マンガン酸塩のアルカリ性溶液を使用する処理に
よりプリント基板及び線状導体をスミア除去及びエッチ
バックすることに関する。
その溶液は、約１０〜７５１／ｌ ＯＫＭｎＯ４と、Ｐ
［（を１３〜１４にするのに十分なＮａＯＨ、！：を含
有する。
［（を１３〜１４にするのに十分なＮａＯＨ、！：を含
有する。
典型的には約４ ｏ１／ｌのＮ５ＯＨｆ使用する。スミ
ア除去処理は約３５〜５０℃の温度で行なわれるが、７
０℃以上の温度では、過マンガン酸塩の必要量は明らか
なる利益を生ずることなく、浴の組成を維持するために
増加する結果となること、すなわち、全体としてその処
理が過マンガン酸塩の消費量に関して効率がよシ悪くな
ることが開示されている。
ア除去処理は約３５〜５０℃の温度で行なわれるが、７
０℃以上の温度では、過マンガン酸塩の必要量は明らか
なる利益を生ずることなく、浴の組成を維持するために
増加する結果となること、すなわち、全体としてその処
理が過マンガン酸塩の消費量に関して効率がよシ悪くな
ることが開示されている。
このように、過マンガン酸塩の水性溶液の様々な用途が
公知であることを、前記のものから見ることができる。
公知であることを、前記のものから見ることができる。
ところが、その技術は、はとんど過マンガン酸カリウム
−を含有する溶液にのみ集中していた。しかしながら残
念なことに、ＫＭｎＯ４の水に対する溶解度は非常に限
られたもので６０て、２０Ｃでは最大で約６３．８ｆｉ
／ｌが水に溶解するに過ぎない。その上に、その飽和点
においてさえも、ＫＭｎＯ４は比較的穏やかなエツチン
グ剤である。
−を含有する溶液にのみ集中していた。しかしながら残
念なことに、ＫＭｎＯ４の水に対する溶解度は非常に限
られたもので６０て、２０Ｃでは最大で約６３．８ｆｉ
／ｌが水に溶解するに過ぎない。その上に、その飽和点
においてさえも、ＫＭｎＯ４は比較的穏やかなエツチン
グ剤である。
ＫＭｎＯ４のエツチング効力を改善するための努力によ
って、技術は近年強アルカリ性のＫＭｎ ０４ 浴液に
変ってきた。特に、上記にて検討した米国特許第４４２
５３８０号及び英国特許第１４７９５５３号は、声がそ
れぞれ１１〜１３及び１３〜１４であるＫＭｎＯ４溶液
を取扱う。この強いアルカリ仕度は、ＩＱ’１ｎ０４溶
液に何らかの利益をもたらすと思われたとは言うものの
、取除くのが困難であるマンガン残留物が付着すること
のような他の問題を引起す。この理由から、−がおよそ
１３以上であるＫＭｎＯ４溶液が満足なエツチングの成
果を生ずることはないと信じられた（米国特許第４４２
５３８０号に関する上記検討を参照）。
って、技術は近年強アルカリ性のＫＭｎ ０４ 浴液に
変ってきた。特に、上記にて検討した米国特許第４４２
５３８０号及び英国特許第１４７９５５３号は、声がそ
れぞれ１１〜１３及び１３〜１４であるＫＭｎＯ４溶液
を取扱う。この強いアルカリ仕度は、ＩＱ’１ｎ０４溶
液に何らかの利益をもたらすと思われたとは言うものの
、取除くのが困難であるマンガン残留物が付着すること
のような他の問題を引起す。この理由から、−がおよそ
１３以上であるＫＭｎＯ４溶液が満足なエツチングの成
果を生ずることはないと信じられた（米国特許第４４２
５３８０号に関する上記検討を参照）。
〔問題点を解決するための手段及び作用効果〕先行技術
のＫＭｎｏ ４溶液にありて遭遇する問題の多くが、今
やに九Ｒｂ”、 Ｃｓ＋及びそれらの混合物からなる群
より選択されたＭｎＯ４″の共通イオンを含有する、過
マンガン酸ナトリウムのアルカリ性水性溶液によって完
全に克服できることが発見された。この発明の溶液を用
いて得られるスミア除去及びエツチング速度は、 ＫＭ
ｎＯ４１Ｗ液によるよシも余程大きい。マンガンの付着
物は、この発明の溶液を用いてもなお現われるが、その
付着物は、ＫＭｎＯ４溶液にあっては会費とされる、よ
シはるかに複雑な処理に対立する、酸による簡単な中和
でたやすく取除かれる。
のＫＭｎｏ ４溶液にありて遭遇する問題の多くが、今
やに九Ｒｂ”、 Ｃｓ＋及びそれらの混合物からなる群
より選択されたＭｎＯ４″の共通イオンを含有する、過
マンガン酸ナトリウムのアルカリ性水性溶液によって完
全に克服できることが発見された。この発明の溶液を用
いて得られるスミア除去及びエツチング速度は、 ＫＭ
ｎＯ４１Ｗ液によるよシも余程大きい。マンガンの付着
物は、この発明の溶液を用いてもなお現われるが、その
付着物は、ＫＭｎＯ４溶液にあっては会費とされる、よ
シはるかに複雑な処理に対立する、酸による簡単な中和
でたやすく取除かれる。
本発明は、水、アルカリ金属水酸化物、ＮａＭｎＯ４、
並びに、１ｍｏｌのＭｎＯ４につき約０．１〜約３．
Ｑｍｏｌの、ｆ’、Ｃｔ”、 Ｒｂ＋及びそれらの混合
物からなる群より選択されたＭｎＯ４″についての共通
イオンを含んでなるアルカリ性のＮａＭｎＯ４水性溶液
を提供する。
並びに、１ｍｏｌのＭｎＯ４につき約０．１〜約３．
Ｑｍｏｌの、ｆ’、Ｃｔ”、 Ｒｂ＋及びそれらの混合
物からなる群より選択されたＭｎＯ４″についての共通
イオンを含んでなるアルカリ性のＮａＭｎＯ４水性溶液
を提供する。
本発明は、その後のメタライゼーシ嘗ンのために樹脂基
板を調整する方法であって、前記基板を水、アルカリ金
属水酸化物、ＮａＭｎＯ４、並びに１１ｒｎｏｌのＭｎ
０４−につき約０．１〜約３．Ｑｍｏｌの１に１Ｃａ
＋、Ｒｂ＋及びそれらの混合物からなる群より選択され
たＭｎ Ｏ４−についての共通イオンを含んでなるアル
カリ性のＮａＭｎＯ４溶液と接触でせることを含む方法
も提供する。
板を調整する方法であって、前記基板を水、アルカリ金
属水酸化物、ＮａＭｎＯ４、並びに１１ｒｎｏｌのＭｎ
０４−につき約０．１〜約３．Ｑｍｏｌの１に１Ｃａ
＋、Ｒｂ＋及びそれらの混合物からなる群より選択され
たＭｎ Ｏ４−についての共通イオンを含んでなるアル
カリ性のＮａＭｎＯ４溶液と接触でせることを含む方法
も提供する。
この発明はまた、樹脂基板に形成された孔の内壁から樹
脂のスミアを取除く改良された方法であって、基板を水
、アルカリ金属水酸化物、ＮａＭｎＯ４、並びに、１ｍ
ｏｌのＭｎ ０４−につき約０．１〜約３． Ｑｍｏｌ
の、？、Ｃ１１＋、Ｒｂ＋及びそれらの混合物からなる
群より選択されたＭｎ Ｏ４−についての共通イオンを
含んでなるアルカリ性の水性溶液と接触させることを含
む方法も提供する。
脂のスミアを取除く改良された方法であって、基板を水
、アルカリ金属水酸化物、ＮａＭｎＯ４、並びに、１ｍ
ｏｌのＭｎ ０４−につき約０．１〜約３． Ｑｍｏｌ
の、？、Ｃ１１＋、Ｒｂ＋及びそれらの混合物からなる
群より選択されたＭｎ Ｏ４−についての共通イオンを
含んでなるアルカリ性の水性溶液と接触させることを含
む方法も提供する。
その上に、この発明は、多層回路基板のだめの改良され
た孔洗浄方法でろって、多層回路基板を水、アルカリ金
属水酸化物、ＮａＭｎＯ４、並びに、１ｍｏｌのＭｎ
Ｏ４−につき約０．１〜約３．Ｑｍｏｌの、Ｋ１Ｃ５ｖ
Ｒｂ 及びそれらの混合物からなる群より選択された
Ｍｎ ０４−についての共通イオンを含んでなるアルカ
リ性の水性溶液と接触させることを含む方法も提供する
。
た孔洗浄方法でろって、多層回路基板を水、アルカリ金
属水酸化物、ＮａＭｎＯ４、並びに、１ｍｏｌのＭｎ
Ｏ４−につき約０．１〜約３．Ｑｍｏｌの、Ｋ１Ｃ５ｖ
Ｒｂ 及びそれらの混合物からなる群より選択された
Ｍｎ ０４−についての共通イオンを含んでなるアルカ
リ性の水性溶液と接触させることを含む方法も提供する
。
更にこの発明は、回路基板の表面、特にそれの孔壁をエ
ッチバックする方法でおって、回路基板を水、アルカリ
金属水酸化物、ＮａＭｎＯ４、並びに、１ｍｏ１のＭｎ
Ｏ４″につき約０．１〜約３．Ｑｍｏｌの、Ｋ九〇ｓ
、Ｒｈ及びそれらの混合物からなる群より選択されたＭ
ｎＯ４−についての共通イオンを含んでなるアルカリ性
の水性溶液と接触させることを含む方法を提供する。
ッチバックする方法でおって、回路基板を水、アルカリ
金属水酸化物、ＮａＭｎＯ４、並びに、１ｍｏ１のＭｎ
Ｏ４″につき約０．１〜約３．Ｑｍｏｌの、Ｋ九〇ｓ
、Ｒｈ及びそれらの混合物からなる群より選択されたＭ
ｎＯ４−についての共通イオンを含んでなるアルカリ性
の水性溶液と接触させることを含む方法を提供する。
本発明に従って提供てれるのは、溶液中に過剰のＭｎＯ
４−をなお存在させたまま人為的にカリウム、セシウム
、又はルビジウムの過マンガン酸塩の飽和点に維持てれ
た過マンガン酸塩溶液である。これは、ＮａＭｎＯ４の
水性溶液にＫ 、 Ｏｓ 、 Ｒｂ イオン（又はそれ
らの混合物）を、１ｍｏｌのＭｎ ０４″につきに’、
Ｃｓｌ” 、及び／又はＲｈ イオンを約０．１〜約
３、Ｑｍｏｌの緻で加えることによシ達成される。
４−をなお存在させたまま人為的にカリウム、セシウム
、又はルビジウムの過マンガン酸塩の飽和点に維持てれ
た過マンガン酸塩溶液である。これは、ＮａＭｎＯ４の
水性溶液にＫ 、 Ｏｓ 、 Ｒｂ イオン（又はそれ
らの混合物）を、１ｍｏｌのＭｎ ０４″につきに’、
Ｃｓｌ” 、及び／又はＲｈ イオンを約０．１〜約
３、Ｑｍｏｌの緻で加えることによシ達成される。
全く驚くべきことに、この発明の溶液は、樹脂基板をエ
ツチングするのに使用した場合、純粋なＮａＭｎＯ４を
よシ高濃度で含有する溶液に匹敵するエツチング速度を
提供することが見いだされた。換言すれば、この発明は
、純粋なＮａＭｎＯ４溶液のエツチング速度より良くは
ないとしても少くともそれと同様に良好なエツチング速
度を維持しながら、「純粋なＪ ＮａＭｎＯ４を使用す
る（すなわち溶液中に共通イオンが存在しない）エツチ
ング剤溶液よシ低い全過マンガン酸塩濃度を用いる過マ
ンガン酸塩エツチング剤溶液を使用するのを許容する。
ツチングするのに使用した場合、純粋なＮａＭｎＯ４を
よシ高濃度で含有する溶液に匹敵するエツチング速度を
提供することが見いだされた。換言すれば、この発明は
、純粋なＮａＭｎＯ４溶液のエツチング速度より良くは
ないとしても少くともそれと同様に良好なエツチング速
度を維持しながら、「純粋なＪ ＮａＭｎＯ４を使用す
る（すなわち溶液中に共通イオンが存在しない）エツチ
ング剤溶液よシ低い全過マンガン酸塩濃度を用いる過マ
ンガン酸塩エツチング剤溶液を使用するのを許容する。
本発明の溶液は、水、アルカリ金属水酸化物、ＮａＭｎ
Ｏ４，並びに、Ｋ、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋ｚ又はそれらの混合
物よシ選択されたＭｎ Ｏ４−についての共通イオンを
含んでなる。溶液用に使用する特定成分とそれらの量は
、かな９変えることができる。
Ｏ４，並びに、Ｋ、Ｃｓ＋、Ｒｂ＋ｚ又はそれらの混合
物よシ選択されたＭｎ Ｏ４−についての共通イオンを
含んでなる。溶液用に使用する特定成分とそれらの量は
、かな９変えることができる。
この発明の溶液に使用するアルカリ金属水酸化物は、Ｎ
ａ０Ｉ（ＫＯＨ，ＣｓＯＨ，ＲｂＯＨ、又はそれらの混
合物を包含するアルカリ金属水酸化物のいずれであって
もよい。アルカリ金属水酸化物が、溶液中に存在しなけ
ればならないに九Ｃｍ＋％及び／又は＋ Ｒｈ共通イオンの都合のよい源であることは、強調され
るべきである。従って、例えば、ＫＯＨをアルカリ金属
水酸化物として（単独であるいはＮａＯＨと組合わせて
いずれかで）使用する場合、それはに２オンを供給する
のと同時に、必要とされるアルカリ仕度に対して寄与す
る。アルカリ金属水酸化物に関しては、ＮａＯＨを選択
するのが、溶液中に過剰の共通イオンをもたらす恐れな
しにどのような所望の量ででも使用できるので好ましい
。
ａ０Ｉ（ＫＯＨ，ＣｓＯＨ，ＲｂＯＨ、又はそれらの混
合物を包含するアルカリ金属水酸化物のいずれであって
もよい。アルカリ金属水酸化物が、溶液中に存在しなけ
ればならないに九Ｃｍ＋％及び／又は＋ Ｒｈ共通イオンの都合のよい源であることは、強調され
るべきである。従って、例えば、ＫＯＨをアルカリ金属
水酸化物として（単独であるいはＮａＯＨと組合わせて
いずれかで）使用する場合、それはに２オンを供給する
のと同時に、必要とされるアルカリ仕度に対して寄与す
る。アルカリ金属水酸化物に関しては、ＮａＯＨを選択
するのが、溶液中に過剰の共通イオンをもたらす恐れな
しにどのような所望の量ででも使用できるので好ましい
。
本発明の溶液に使用てれるアルカリ金属水酸化物の量は
、大きく変えることができる。一般には、溶液は、この
発明の溶液でエツチングされた材料の表面からマンガン
残留物を取除くことが、例えば酸で中和することのみに
よりてたやすく達成できる、十分なアルカリ金属水酸化
物を含有する、ということだけが必要である。標準的に
は、使用されるアルカリ金属水酸化物の量は、ＩＪの溶
液について少くとも約１ ｍｏｌのＯＨ−を供給するの
に十分な緻でめる。アルカリ金属水酸化物の最大量は、
溶液に対する溶解度の限界によりてのみ決められる。し
かしながら、アルカリ金属水酸化物又はそれのいずれか
一部がＮａＯＨ以外である場合、ナトリウム以外のアル
カリ金属イオン（Ｋ＋ＳＣｍ＋及び／又はＲｂ ）は、
ｍ液中の１ｍｏｌのＭｎ Ｏ４について約３、Ｑｍｏｌ
を超えるべきでないことを心に留めなければならない。
、大きく変えることができる。一般には、溶液は、この
発明の溶液でエツチングされた材料の表面からマンガン
残留物を取除くことが、例えば酸で中和することのみに
よりてたやすく達成できる、十分なアルカリ金属水酸化
物を含有する、ということだけが必要である。標準的に
は、使用されるアルカリ金属水酸化物の量は、ＩＪの溶
液について少くとも約１ ｍｏｌのＯＨ−を供給するの
に十分な緻でめる。アルカリ金属水酸化物の最大量は、
溶液に対する溶解度の限界によりてのみ決められる。し
かしながら、アルカリ金属水酸化物又はそれのいずれか
一部がＮａＯＨ以外である場合、ナトリウム以外のアル
カリ金属イオン（Ｋ＋ＳＣｍ＋及び／又はＲｂ ）は、
ｍ液中の１ｍｏｌのＭｎ Ｏ４について約３、Ｑｍｏｌ
を超えるべきでないことを心に留めなければならない。
アルカリ金属水酸化物で飽和された溶液は、この発明を
実施するのに有用であるとは言うものの、実用性を考慮
すれば、アルカリ金属水酸化物の最大量は、１１ｏ溶液
について約１０ｍｏｌのＯＨ−を含有する溶液を生ずる
量でなければならない。アルカリ金属水酸化物の好まし
い量は、１ｇの溶液について約１〜４ｍｏｌのＯＨ−を
生ずる量である。エツチング嘔れるべき材料がエポキシ
樹脂でめる場合、１１の浴液について約４ｍｏｌのＯＨ
−が特に好ましい。
実施するのに有用であるとは言うものの、実用性を考慮
すれば、アルカリ金属水酸化物の最大量は、１１ｏ溶液
について約１０ｍｏｌのＯＨ−を含有する溶液を生ずる
量でなければならない。アルカリ金属水酸化物の好まし
い量は、１ｇの溶液について約１〜４ｍｏｌのＯＨ−を
生ずる量である。エツチング嘔れるべき材料がエポキシ
樹脂でめる場合、１１の浴液について約４ｍｏｌのＯＨ
−が特に好ましい。
この発明の溶液中のＮａＭｎＯ４の量は、同様に広範囲
に変えることができるが、溶液が所望のエツチング速度
を与えるのに十分なＮａＭｎＯ４を含有することだけは
必要とされる。一般的には、回路基板に関しては１１の
溶液につき約７０．９又はそれ以上のＮａＭｎＯ４が、
満足なエツチング速度を与える。溶液中のＮａＭｎＯ４
の最大量は、その溶解度の限界によってのみ決定される
が、今就は溶液中に存在する共通イオンの量にょシ決定
される。共通イオンはＮａＭｎＯ４の溶解度を低下させ
るのに役立つので、溶液は、決してＮａＭｎＯ４につい
ての理論的飽和点にはない。アルカリ金属水酸化物と同
じように、溶液に使用すべきＮ５ＭｎＯ４の最大量は、
実用性を考慮して決められる。一般に、この最大量は約
４００１１／ｌであシ、この量以上を官有する溶液は、
エツチングされた材料に望ましくない粗い面を生ずるこ
とがらる非常に腐食性のエツチング剤である。好ましく
は、ＮａＭｎＯ４の量は、可溶性過マンガン酸塩として
約１４０９７１である。この好ましい量を含有する溶液
は、優良なエツチング速度をもたらし、経済上からみて
実用的である。
に変えることができるが、溶液が所望のエツチング速度
を与えるのに十分なＮａＭｎＯ４を含有することだけは
必要とされる。一般的には、回路基板に関しては１１の
溶液につき約７０．９又はそれ以上のＮａＭｎＯ４が、
満足なエツチング速度を与える。溶液中のＮａＭｎＯ４
の最大量は、その溶解度の限界によってのみ決定される
が、今就は溶液中に存在する共通イオンの量にょシ決定
される。共通イオンはＮａＭｎＯ４の溶解度を低下させ
るのに役立つので、溶液は、決してＮａＭｎＯ４につい
ての理論的飽和点にはない。アルカリ金属水酸化物と同
じように、溶液に使用すべきＮ５ＭｎＯ４の最大量は、
実用性を考慮して決められる。一般に、この最大量は約
４００１１／ｌであシ、この量以上を官有する溶液は、
エツチングされた材料に望ましくない粗い面を生ずるこ
とがらる非常に腐食性のエツチング剤である。好ましく
は、ＮａＭｎＯ４の量は、可溶性過マンガン酸塩として
約１４０９７１である。この好ましい量を含有する溶液
は、優良なエツチング速度をもたらし、経済上からみて
実用的である。
エツチングされるべき材料がエポキシ樹脂である場合、
プリント基板において普通に見られるように、ＮａＭｎ
Ｏ４の址は約１４０１／ｌが特に好ましい。
プリント基板において普通に見られるように、ＮａＭｎ
Ｏ４の址は約１４０１／ｌが特に好ましい。
この発明の溶液に関してｒ ｊｉ／ｌ Ｊなる用語を使
用する場合、それは、室温すなわち約２５℃で溶液中に
存在する特定成分の量に関する。
用する場合、それは、室温すなわち約２５℃で溶液中に
存在する特定成分の量に関する。
この発明の溶液中に存在する共通イオンは、様々な源か
ら供給することができる。実際に、共通イオンは、溶液
の性能に不利には影響しないいかなるアルカリ金属化合
物によりても供給することができる。好都合なことに、
共通イオンは、ＫＭｎＯ４％又は、ＫＯＨ％Ｃａ０Ｈ、
もしくはＲｂＯＨｉ包含するＮａＯＨ以外のアルカリ金
属水酸化物により供給することができる。共通イオンは
、その源にかかわらず溶液中の１ｍｏ１のＭｎＯ４−に
ついて約０．１ｍｏ１〜約３．０ｍｏｌの共通イオン量
で溶液中に存在する。共通イオンの好ましい量は、１ｍ
ｏｌのＭｎ Ｏ４−につき約０．１ｍｏ１〜約１．５ｍ
ｏｌである。確かにこの発明の全く予期せざる一つの利
点は、非常（こ小量の共通イオン、例えは０．１〜１．
５ ｍｏ ｌ／ｍｏ １−ＭｎＯ４−が、より大量の共
通イオン、例えば１．５〜３．０ ｍｏｌ／ｍｏ １−
ＭｎＯ４−の共通イオンを含有する溶液と比較して、こ
の発明の溶液のエツチング効力を現実に向上させるとい
うことである。
ら供給することができる。実際に、共通イオンは、溶液
の性能に不利には影響しないいかなるアルカリ金属化合
物によりても供給することができる。好都合なことに、
共通イオンは、ＫＭｎＯ４％又は、ＫＯＨ％Ｃａ０Ｈ、
もしくはＲｂＯＨｉ包含するＮａＯＨ以外のアルカリ金
属水酸化物により供給することができる。共通イオンは
、その源にかかわらず溶液中の１ｍｏ１のＭｎＯ４−に
ついて約０．１ｍｏ１〜約３．０ｍｏｌの共通イオン量
で溶液中に存在する。共通イオンの好ましい量は、１ｍ
ｏｌのＭｎ Ｏ４−につき約０．１ｍｏ１〜約１．５ｍ
ｏｌである。確かにこの発明の全く予期せざる一つの利
点は、非常（こ小量の共通イオン、例えは０．１〜１．
５ ｍｏ ｌ／ｍｏ １−ＭｎＯ４−が、より大量の共
通イオン、例えば１．５〜３．０ ｍｏｌ／ｍｏ １−
ＭｎＯ４−の共通イオンを含有する溶液と比較して、こ
の発明の溶液のエツチング効力を現実に向上させるとい
うことである。
０Ｈ−、ＭｎＯ４、及び共通イオンの上記の量は、この
発明による所定のアルカリ性水性溶液について溶液中に
存在する量（１７１で表わされようがｒｎｏｌ／１３で
表わされようが）に関する、ということは注目すべきで
ろる。現実の実施に際しては、溶液はＭｎＯ４− Ｋつ
いては飽和点にあるので、（使用した共通イオンかに１
であるとすれは）いくらかのＫＲ（ｎｏ４が沈殿物とし
て存在する。しかしながら、この沈殿物の存在は、溶液
の性能にとって有害ではなく、むしろ最初の溶液中のＭ
ｎ ０４−を使い来しこの発明の溶液中の可溶性ＭｎＯ
４−の所望濃度は、いくつかの方法で得ることができる
ということは、更に注目すべきである。基本的には、溶
液は、単にそれぞれの成分の所望ｔｔ必要量の水に溶解
することによシミ４製する。それらの成分は、固型又は
高濃縮溶液の形態で水に加えることができる。
発明による所定のアルカリ性水性溶液について溶液中に
存在する量（１７１で表わされようがｒｎｏｌ／１３で
表わされようが）に関する、ということは注目すべきで
ろる。現実の実施に際しては、溶液はＭｎＯ４− Ｋつ
いては飽和点にあるので、（使用した共通イオンかに１
であるとすれは）いくらかのＫＲ（ｎｏ４が沈殿物とし
て存在する。しかしながら、この沈殿物の存在は、溶液
の性能にとって有害ではなく、むしろ最初の溶液中のＭ
ｎ ０４−を使い来しこの発明の溶液中の可溶性ＭｎＯ
４−の所望濃度は、いくつかの方法で得ることができる
ということは、更に注目すべきである。基本的には、溶
液は、単にそれぞれの成分の所望ｔｔ必要量の水に溶解
することによシミ４製する。それらの成分は、固型又は
高濃縮溶液の形態で水に加えることができる。
後者の溶液を用いると、この発明の溶液を調製するとき
それが過熱するのを避けるのに役立つことができるので
、それら後者の溶液が時として好まし−。ＭｎＯ４″の
所望量は、溶液中に存在するＮａＭｎＯ４及び共通イオ
ンの量を調節して得ることができる。従って、例えば、
高濃度のＮａＭｎＯ４溶来（例えば４００１１／Ｊ）は
、ＭｎＯ４−の溶解度を所望の水準（例えば１４０９／
ｌ）に低下させるのに使用する共通イオンを大量に必要
とするであろう。
それが過熱するのを避けるのに役立つことができるので
、それら後者の溶液が時として好まし−。ＭｎＯ４″の
所望量は、溶液中に存在するＮａＭｎＯ４及び共通イオ
ンの量を調節して得ることができる。従って、例えば、
高濃度のＮａＭｎＯ４溶来（例えば４００１１／Ｊ）は
、ＭｎＯ４−の溶解度を所望の水準（例えば１４０９／
ｌ）に低下させるのに使用する共通イオンを大量に必要
とするであろう。
しかしながら、低濃度のＮａＭｎＯ４溶液（例えば１５
０Ｉｌ／ｌ）では、同じＭｎＯ４−濃度（例えば１４０
１／ｌ ）に達するのにわずかに小量の共通イオンのみ
を必要とするであろう。
０Ｉｌ／ｌ）では、同じＭｎＯ４−濃度（例えば１４０
１／ｌ ）に達するのにわずかに小量の共通イオンのみ
を必要とするであろう。
本発明の溶液は、メタライゼータ１ン、樹脂基板に形成
され九孔の内壁から樹脂のスミアを除去する工程、多層
回路基板のための孔洗浄工程、及び回路基板のためのエ
ッチバック工程の九めに樹脂基板を調整する処理におい
て特に有用である。
され九孔の内壁から樹脂のスミアを除去する工程、多層
回路基板のための孔洗浄工程、及び回路基板のためのエ
ッチバック工程の九めに樹脂基板を調整する処理におい
て特に有用である。
本発明は、この発明のアルカリ性水性溶液を使用するこ
のような方法を包含する。
のような方法を包含する。
この発明の方法は、この発明のエツチング剤溶液を用い
てスミア除去、エッチバック、又はその両方を行なう技
術において公知のや９方（これによって参照してここに
組み入れられる米国特許第４４２５３８０号及び英国特
許第１４７９５５８号に開示嘔れたもののような）で実
行することができる。従って゛、この発明の方法は、プ
リント基板（ＰＣＢ ）の加工処理に関して記述され九
人の典温的なやシ方で実行することができる。
てスミア除去、エッチバック、又はその両方を行なう技
術において公知のや９方（これによって参照してここに
組み入れられる米国特許第４４２５３８０号及び英国特
許第１４７９５５８号に開示嘔れたもののような）で実
行することができる。従って゛、この発明の方法は、プ
リント基板（ＰＣＢ ）の加工処理に関して記述され九
人の典温的なやシ方で実行することができる。
１、 この発明の溶液でエツチングする前にＰＣＢを予
め洗浄する。これは、余分な油分又はほこりを取除き、
樹脂及び／又は金属の表面を均一に澹らし、そして任意
に、過マンガン酸塩の腐食を軽減するための有機溶剤で
樹脂をわずかに軟化させることである。
め洗浄する。これは、余分な油分又はほこりを取除き、
樹脂及び／又は金属の表面を均一に澹らし、そして任意
に、過マンガン酸塩の腐食を軽減するための有機溶剤で
樹脂をわずかに軟化させることである。
２、洗浄したＰＣＢは、すすぎを行ない、工程１の洗浄
溶液を取除く。
溶液を取除く。
３、 ＰＣＢは、その後、所望する樹脂の除去を果た
すのに十分な時間及び温度で、この発明による溶液に入
れる。使用嘔れる実際の条件は、所望するエツチングの
タイプ（例えば、スミア除去ではわずかに１〜５分を必
要とするであろうし、エッチ／？ツクでは典型的な浴温
度である約７７℃（１７０？）で５〜６０分又はそれ以
上を必要とするであろう）と樹脂のタイプとによって変
わる。
すのに十分な時間及び温度で、この発明による溶液に入
れる。使用嘔れる実際の条件は、所望するエツチングの
タイプ（例えば、スミア除去ではわずかに１〜５分を必
要とするであろうし、エッチ／？ツクでは典型的な浴温
度である約７７℃（１７０？）で５〜６０分又はそれ以
上を必要とするであろう）と樹脂のタイプとによって変
わる。
４、 ＰＣＢを十二分にすすぐ。
５、その後ＰＣＢを酸中和溶液（例えば希硫酸と還元剤
）と接触させ、 ＰＣＢから過マンガン酸塩及びマンガ
ン残留物（主として二酸化マンガン）の本質的に全てを
取除く。
）と接触させ、 ＰＣＢから過マンガン酸塩及びマンガ
ン残留物（主として二酸化マンガン）の本質的に全てを
取除く。
６、 ＰＣＢを再び十二分にすすぐ。
例１
色々な溶液ｔ−調製し、溶液中のＭｎ ０４−のｊｌｌ
ｃ対する共通イオン濃度の効果を測定した。種々の？濃
度（Ｋ＋＠はＫＯＨであった）におけるＭｎ Ｏ４−濃
度−を、室温と７７℃（１７０？）とで溶液を滴定しし
て第１図のグラフに示す。
ｃ対する共通イオン濃度の効果を測定した。種々の？濃
度（Ｋ＋＠はＫＯＨであった）におけるＭｎ Ｏ４−濃
度−を、室温と７７℃（１７０？）とで溶液を滴定しし
て第１図のグラフに示す。
以下余白
なお、第１表に示した溶液中のに／ＭｎＯ４モル比は次
のように計算した。
のように計算した。
（溶液中のに＋／ＭｎＯ４モル比）
＝（Ｋ全添加量−（１，３９−（溶液中のＲＩＩｎ０４
ｔ）） ）／（溶液中のＭｎＯ４量） 第１表のデータは、溶液中のＭｎ ０４−の量が共通イ
オン（Ｋ＋）濃度の増加とともに減少することを説明す
る。
ｔ）） ）／（溶液中のＭｎＯ４量） 第１表のデータは、溶液中のＭｎ ０４−の量が共通イ
オン（Ｋ＋）濃度の増加とともに減少することを説明す
る。
次の例では櫨々の過マンガン酸塩含有溶液を試験し、ス
ミア除去又はエッチバック浴としての有用性を測定する
。それぞれの試験は、次の平頭に従って行なった。
ミア除去又はエッチバック浴としての有用性を測定する
。それぞれの試験は、次の平頭に従って行なった。
１、ニブキシ樹脂／ガラス繊維基板の両側に銅クラツド
を有する回路基板を７６ ｍ Ｘ ７６ ｍ （３イン
チ×３インチ）の寸法に切取る。
を有する回路基板を７６ ｍ Ｘ ７６ ｍ （３イン
チ×３インチ）の寸法に切取る。
２、標準的な銅エツチング浴、例えばＨ２Ｏ２／Ｈ２Ｓ
Ｏ４溶液を用いて基板の両側から銅を完全にエツチング
する。
Ｏ４溶液を用いて基板の両側から銅を完全にエツチング
する。
３、その結果得られる基板を完全に乾くまで１００℃で
焼き、それから重量を測定する。
焼き、それから重量を測定する。
４、その後基板を下記の例にて示嘔れる溶液に、これま
たそれらの例に示される温度で、それらに示される期間
の量大れる。
たそれらの例に示される温度で、それらに示される期間
の量大れる。
５、基板を溶液から取出し、酸性中和液、例えば５チの
Ｉ（２Ｓｏ４と５０１１／ｌの還元剤とを含有する酸性
の水性溶液に入れる。
Ｉ（２Ｓｏ４と５０１１／ｌの還元剤とを含有する酸性
の水性溶液に入れる。
６、基板を中和剤から取出し、完全に乾くまで１００℃
で焼き、再び重量を測定する。
で焼き、再び重量を測定する。
７、工程３と工程６とにおける基板の重量を比較して全
体の重置減少（又は増加）を測定する。
体の重置減少（又は増加）を測定する。
重量変化は、下記の例において「ΔＷｔｊで示され、こ
れは、過マンガン酸塩溶液によシ基板からエツチングて
れた材料の址（又は基板に付加された重量）を示す。
れは、過マンガン酸塩溶液によシ基板からエツチングて
れた材料の址（又は基板に付加された重量）を示す。
例２〜１０
この発明によるいくつかの溶液を上述の方法で試験した
。第２表に結果を示す。このデータもグラフＫＬ、て第
２図に示す。
。第２表に結果を示す。このデータもグラフＫＬ、て第
２図に示す。
以下余白
例１１〜１８
に２ＣＯ３を溶液中の共通イオン源として上舊己試験手
順に従って更に別の試験を行なった。第３表に結果を示
す。第３表のデータもグラフにして第２図及び第３図に
示す。
順に従って更に別の試験を行なった。第３表に結果を示
す。第３表のデータもグラフにして第２図及び第３図に
示す。
以下余白
例１９〜２５
第４表に要約した次の例は、ＮａＭｎＯ７Ｎ ａＯＨエ
ツチング剤溶液に対して？の量を増加させて添加するこ
とがエツチング効力に与える効果を説明する。第４表に
示した例の全てにおいて種々の溶液中のＯＨ−の量が一
定のままでらるということは、注目すべきでおる。第４
表のデータも、例１９を除いて（これは比較のためにＫ
ＯＨを使用しない）、グラフにして第２図及び第３図に
示す。なお、第４表に示した７７℃（１７０７）（７）
溶液中のＭｎ Ｏ４−量は、Ｈ２Ｏ２で滴定して測定し
た。
ツチング剤溶液に対して？の量を増加させて添加するこ
とがエツチング効力に与える効果を説明する。第４表に
示した例の全てにおいて種々の溶液中のＯＨ−の量が一
定のままでらるということは、注目すべきでおる。第４
表のデータも、例１９を除いて（これは比較のためにＫ
ＯＨを使用しない）、グラフにして第２図及び第３図に
示す。なお、第４表に示した７７℃（１７０７）（７）
溶液中のＭｎ Ｏ４−量は、Ｈ２Ｏ２で滴定して測定し
た。
以下余白
比較例Ａ−Ｃ
比較のために、ＫＭｎＯ４を過マンガン酸塩の源として
含有するエツチング剤溶液を試験して、次の結果を得た
。
含有するエツチング剤溶液を試験して、次の結果を得た
。
第５表
第５表のデータもグラフにして第２図に示す。
第２〜４表のデータは、特に第１表を考慮に入れて、全
く驚くべきである。第１表（及び第１図）は、明らかに
、ＭｎＯ４−濃度は共通イオン濃度が増加するにつれて
急速（減少することを説明する。
く驚くべきである。第１表（及び第１図）は、明らかに
、ＭｎＯ４−濃度は共通イオン濃度が増加するにつれて
急速（減少することを説明する。
そこで、エツチング性能（ΔＷｔ）が同様に急速に低下
することが仮定されよう。しかしながら、まさに反対の
事が起こる。例えば、第３図は、溶液にＫＯＨを添加し
たときにΔＷｔが実際に増加することを示す。ＫＯＨ濃
度が高くなるにつれて、ΔＷｔは減少し出し、その後再
び低水準となる（ΔＷｔの値は最初の降下に続いて上昇
する傾向を示すけれども）。それにもかかわらず、性能
が低水準となった溶液のΔＷｔの値は、標準的なＫＭｎ
Ｏ４’／Ｂ液によって得ることができるΔＷｔよシも
なお劇的に大きいということは、強調されねはならない
（第２図の例Ａ−Ｃと例１９〜２４とを対照させて参照
のこと）。この効果はに２Ｃｏ、を使用したときには発
揮されないが、エツチング速反はＫ）度の上昇とともに
低下するだろうとの予想にもかかわらず、なお良好なエ
ツチング速度が得られる。
することが仮定されよう。しかしながら、まさに反対の
事が起こる。例えば、第３図は、溶液にＫＯＨを添加し
たときにΔＷｔが実際に増加することを示す。ＫＯＨ濃
度が高くなるにつれて、ΔＷｔは減少し出し、その後再
び低水準となる（ΔＷｔの値は最初の降下に続いて上昇
する傾向を示すけれども）。それにもかかわらず、性能
が低水準となった溶液のΔＷｔの値は、標準的なＫＭｎ
Ｏ４’／Ｂ液によって得ることができるΔＷｔよシも
なお劇的に大きいということは、強調されねはならない
（第２図の例Ａ−Ｃと例１９〜２４とを対照させて参照
のこと）。この効果はに２Ｃｏ、を使用したときには発
揮されないが、エツチング速反はＫ）度の上昇とともに
低下するだろうとの予想にもかかわらず、なお良好なエ
ツチング速度が得られる。
第１図は、例１で示てれたデータを表わし、２００９／
ｌのＮａＭｎＯ４溶液について室温及び７７Ｃ（１７０
？）におけるＭｎＯ４−濃度（ＩＴＩＯＩＡ）対Ｋ”
（ＫＯＨに由来する）濃度（ｍｏｌ／ｌ）をグロｙトし
たグラフである。 第２図は、比較例Ａ、Ｂ及びＣ１並びに、例２〜１８及
び例２０〜２５で示されたデータを表わし、それぞれの
例について１５分のエツチング後の１ｗｔ （ｍ＃）
を示す棒グラフである。 第３図は、例１１〜１８及び例２０〜２５で示されたデ
ータを表わし、２００９／ｌのＮａＭｎＯ４Ｉｌｌ液に
ついてＫＯＨとに２Ｃ０３の両者から得られた結果を示
すΔＷｔ（ｍｊｌ）対に濃度Ｃｍ０Ｖｌ）をグ０７トし
たグラフでるる。
ｌのＮａＭｎＯ４溶液について室温及び７７Ｃ（１７０
？）におけるＭｎＯ４−濃度（ＩＴＩＯＩＡ）対Ｋ”
（ＫＯＨに由来する）濃度（ｍｏｌ／ｌ）をグロｙトし
たグラフである。 第２図は、比較例Ａ、Ｂ及びＣ１並びに、例２〜１８及
び例２０〜２５で示されたデータを表わし、それぞれの
例について１５分のエツチング後の１ｗｔ （ｍ＃）
を示す棒グラフである。 第３図は、例１１〜１８及び例２０〜２５で示されたデ
ータを表わし、２００９／ｌのＮａＭｎＯ４Ｉｌｌ液に
ついてＫＯＨとに２Ｃ０３の両者から得られた結果を示
すΔＷｔ（ｍｊｌ）対に濃度Ｃｍ０Ｖｌ）をグ０７トし
たグラフでるる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、水、アルカリ金属水酸化物、ＮａＭｎＯ＿４、並び
に、１ｍｏｌのＭｎＯ＿４＾−につき０．１〜３．０ｍ
ｏｌの、Ｋ＾＋、Ｃｓ＾＋、Ｒｂ＾＋及びそれらの混合
物からなる群より選択されたＭｎＯ＿４＾−についての
共通イオンを含んでなるＮａＭｎＯ＿４のアルカリ性水
性溶液。 ２、共通イオンが、１ｍｏｌのＭｎＯ＿４＾−につき０
．１〜１．５ｍｏｌの量で存在する特許請求の範囲第１
項記載の溶液。 ３、共通イオンがＫ＾＋である特許請求の範囲第１項記
載の溶液。 ４、アルカリ金属水酸化物がＮａＯＨである特許請求の
範囲第１項記載の溶液。 ５、アルカリ金属水酸化物が、溶液の１ｌにつき少くと
も１ｍｏｌのＯＨ＾−を供給する量で存在する特許請求
の範囲第１項記載の溶液。 ６、アルカリ金属水酸化物が、溶液の１ｌにつき１〜４
ｍｏｌのＯＨ＾−を供給する量で存在する特許請求の範
囲第５項記載の溶液。 ７、少くとも７０ｇ／ｌのＮａＭｎＯ＿４を含有する特
許請求の範囲第１項記載の溶液。 ８、７０ｇ／ｌ〜４００ｇ／ｌのＮａＭｎＯ＿４を含有
する特許請求の範囲第７項記載の溶液。 ９、１４０ｇ／ｌのＮａＭｎＯ＿４、４ｍｏｌ／ｌのＯ
Ｈ＾−、及び１ｍｏｌのＭｎＯ＿４＾−につき０．１〜
１．５ｍｏｌのＫ＾＋を含有する特許請求の範囲第１項
記載の溶液。 １０、その後のメタライゼーションのために樹脂基板を
調整する方法であって、前記基板を水、アルカリ金属水
酸化物、ＮａＭｎＯ＿４、並びに、１ｍｏｌのＭｎＯ＿
４＾−につき０．１〜３．０ｍｏｌの、Ｋ＾＋、Ｃｓ＾
＋、Ｒｂ＾＋及びそれらの混合物から選択されたＭｎＯ
＿４＾−についての共通イオンを含んでなるＮａＭｎＯ
＿４のアルカリ性水性溶液と接触させることを含む方法
。 １１、樹脂基板に形成された孔の内壁から樹脂のスミア
（ｓｍｅａｒ）を取除く方法であって、その基板を水、
アルカリ金属水酸化物、ＮａＭｎＯ＿４、並びに、１ｍ
ｏｌのＭｎＯ＿４＾−につき０．１〜３．０ｍｏｌの、
Ｋ＾＋、Ｃｓ＾＋、Ｒｂ＾＋及びそれらの混合物から選
択されたＭｎＯ＿４＾−についての共通イオンを含んで
なるＮａＭｎＯ＿４のアルカリ性水性溶液と接触させる
ことを含む方法。 １２、多層回路基板のための孔洗浄方法であって、その
多層回路基板を水、アルカリ金属水酸化物、ＮａＭｎＯ
＿４、並びに、１ｍｏｌのＭｎＯ＿４＾−につき０．１
〜３．０ｍｏｌの、Ｋ＾＋、Ｃｓ＾＋、Ｒｂ＾＋及びそ
れらの混合物からなる群より選択されたＭｎＯ＿４＾−
についての共通イオン含んでなるＮａＭｎＯ＿４のアル
カリ性水性溶液と接触させることを含む方法。 １３、回路基板の表面をエッチバックする方法であって
、その回路基板を水、アルカリ金属水酸化物、ＮａＭｎ
Ｏ＿４、並びに、１ｍｏｌのＭｎＯ＿４＾−につき０．
１〜３．０ｍｏｌの、Ｋ＾＋、Ｃｓ＾＋、Ｒｂ＾＋及び
それらの混合物からなる群より選択されたＭｎＯ＿４＾
−についての共通イオンを含んでなるＮａＭｎＯ＿４の
アルカリ性水性溶液と接触させることを含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/739,726 US4601784A (en) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | Sodium permanganate etch baths containing a co-ion for permanganate and their use in desmearing and/or etching printed circuit boards |
| US739726 | 1985-05-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61278598A true JPS61278598A (ja) | 1986-12-09 |
| JP2562811B2 JP2562811B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=24973524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61113845A Expired - Fee Related JP2562811B2 (ja) | 1985-05-31 | 1986-05-20 | 共通イオンを含有する過マンガン酸ナトリウムのアルカリ性水性溶液及び樹脂基板の処理方法 |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4601784A (ja) |
| EP (1) | EP0207586B2 (ja) |
| JP (1) | JP2562811B2 (ja) |
| KR (1) | KR900001827B1 (ja) |
| AT (1) | ATE58560T1 (ja) |
| AU (1) | AU580146B2 (ja) |
| BR (1) | BR8602231A (ja) |
| CA (1) | CA1274456A (ja) |
| DE (2) | DE207586T1 (ja) |
| DK (1) | DK255386A (ja) |
| ES (1) | ES8801696A1 (ja) |
| IL (1) | IL78268A (ja) |
| NO (1) | NO861344L (ja) |
| NZ (1) | NZ215545A (ja) |
| ZA (1) | ZA862434B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010114358A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Kaneka Corp | デスミア処理する方法 |
Families Citing this family (24)
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- 1986-03-20 NZ NZ215545A patent/NZ215545A/xx unknown
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- 1986-03-26 AU AU55268/86A patent/AU580146B2/en not_active Ceased
- 1986-03-27 DE DE198686302336T patent/DE207586T1/de active Pending
- 1986-03-27 DE DE8686302336T patent/DE3675700D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-03-27 AT AT86302336T patent/ATE58560T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-03-27 EP EP86302336A patent/EP0207586B2/en not_active Expired - Lifetime
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- 1986-05-30 DK DK255386A patent/DK255386A/da unknown
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |