CN110849530B - 压力传感器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种以现实加工尺寸实现用于降低膜应力的结构，尽可能地减小传感器膜片的沉积膜引起的零点漂移的压力传感器。具备构成供被测量流体导入的压力室(44)的壁的一部分的传感器膜片(41)(膜片)。传感器膜片(41)的与被测量流体接触的一面包括相对于传感器膜片(41)的厚度方向倾斜且指向压力室(44)的内侧的多个倾斜面(53、54)。

Description

压力传感器

技术领域

本发明涉及具有与被测量流体接触的膜片的压力传感器。

背景技术

作为利用电容式隔膜真空计的代表性的装置，存在半导体制造装置。在半导体制造装置中使用隔膜真空计的主要原因在于：其与皮拉尼型真空计、电离真空计等热传导真空计不同，不依赖于气体种类，对腐蚀性的工艺气体具有耐腐蚀性，能够通过加热传感器来抑制原料气体的吸附或副产物等的沉积。

在通过半导体制造装置进行的各种工序中，隔膜真空计除了用于成膜工序，还用于蚀刻Si等晶片的工序。作为成膜工序中实施的成膜方法，存在溅射、CVD(chemical vapordeposition化学气相沉积)、ALD(atomic layer deposition原子层沉积)等。

若上述物质沉积到成膜工序中测量/控制工艺气体压力的隔膜真空计的传感器芯片上，则该沉积膜的收缩会导致传感器膜片不必要地变形，引起零点的漂移、压力灵敏度的变化，从而给成膜、蚀刻的品质带来较大影响。

为了防止如上所述副产物沉积在隔膜真空计上，设计并实施了如下方法：使传感器芯片保持在高温，或者在工艺气体到达传感器膜片的路径上设置挡板或将路径复杂地形成为迷宫状，尽量在途中捕获易于附着的气体(专利文献1～3)。另外，为了与这种挡板配合来控制气体的流入路径，提出了如下结构：使将工艺气体引导至传感器膜片的气体导入口的位置避开沉积影响较大的膜片中心附近，设置在稍远的外周部(专利文献1、2、4、5)。

进一步地，针对像ALD这样基于表面的物理/化学吸附形成均匀的膜的工艺，如专利文献6及专利文献7所述，提出了一种通过调整力矩抑制传感器膜片本身的挠性的膜片结构。

另一方面，作为试图通过隔膜真空计的膜片的结构来抑制沉积膜的影响的尝试，提出了专利文献8及专利文献9所示的结构。在这些专利文献8、9中记载了如下方法：通过在膜片上设置台型、倒锥型或者方波状结构或蜂窝形状的梁结构来分割沉积膜，从而抑制膜应力对膜片造成的影响。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2011-149946号公报

专利文献2：日本专利第6096380号公报

专利文献3：日本专利特开2015-34786号公报

专利文献4：日本专利特开2014-126504号公报

专利文献5：日本专利特开2014-109484号公报

专利文献6：日本专利特开2010-236949号公报

专利文献7：日本专利特开2009-265041号公报

专利文献8：日本专利特表2009-524024号公报

专利文献9：日本专利特开2008-107214号公报

发明内容

【发明要解决的问题】

专利文献8、专利文献9公开的通过分割传感器膜片上的沉积膜来消除其影响的技术存在效果大但难以实现的问题。作为该技术的具体验证例，以下示出了实施数值模拟的结果。

图18是计算膜分割的效果的模型之一。传感器膜片通常是周边被固定的圆板，但为了容易地实施数值模拟，使用两侧被固定的平板1的二维模型来实施计算。计算结果如图19和图20所示。

图18的(A)是表示整个平板的立体图，图18的(B)是放大平板的一部分而示出的立体图。平板1上形成有多个狭缝2。在由这些狭缝2分割的平板1的表面设有膜3。通过使该膜3收缩以产生膜应力从而进行数值模拟。在该实施方式中，在传感器膜片上沉积了的膜在成膜时收缩或膨胀而导致在膜中产生的应力被称为“膜应力”。

由于这种膜应力，平板1受到弯矩，例如在收缩的情况下会向下侧突出弯曲，这与使用圆形传感器膜片的隔膜真空计的情况下的膜沉积所引起的零点漂移对应。

图19表示计算结果的示意图。可知变形比例统一，平板1的分割数(狭缝2的数量)越多，其变形越小，因此效果越高。图19的(A)表示未设置狭缝2的情况，图19的(B)表示膜3被狭缝2分割成2个部分的情况。图19的(C)表示膜3被狭缝2分割成20个部分的情况，图19的(D)表示膜3被狭缝2分割成200个部分的情况。图19是出了点密度越高，位移越大的情况。

图20是标示了以膜的分割数为横轴，未分割的均匀膜为基准(100％)的情况下的平板中央部的位移的绝对值的图。由该结果可知，膜越被精细地分割，位移越小，传感器膜片上成膜时的效果越大。

但是，在想要实际采用专利文献8、专利文献9所公开的结构来分割膜时，面临着传感器制造困难的现实问题。图18-图20所示的计算模型的平板1的跨度(两端的固定部间的间隔)为5000μm，若要将位移减小至均匀膜的5％下面，必须将膜3的分割数减小至500～1000左右。

因此，用于膜分割的结构的横向尺寸为数μm。但是，通常，在用于MEMS传感器的制造的接触掩模调整器及干法蚀刻加工的技术中，以数μm以下的尺寸再现性良好地形成上述结构是极其困难的，并且需要诸如光刻机(ステッパー)等昂贵设备，并不现实。另外，容易想象的是：若用于膜分割的结构形成得过于精细，则形成的结构本身会被埋在沉积膜中，不能达到预期效果。因此，需要一种即使在现实加工尺寸即数十μm的情况下也能获得效果的结构。

本发明的目的在于，提供一种以现实加工尺寸实现用于降低膜应力的结构，尽可能地减小传感器膜片的沉积膜引起的零点漂移的压力传感器。

【解决问题的技术手段】

为了实现该目的，本发明的压力传感器的特征在于，具备构成供被测量流体导入的压力室的壁的一部分的膜片，所述膜片的与所述被测量流体接触的一面包括多个倾斜面，所述多个倾斜面相对于所述膜片的厚度方向倾斜且指向压力室的内侧。

在本发明的所述压力传感器中，所述倾斜面可以为凸设于所述一面的锥形凸出部的侧面。

在本发明的所述压力传感器中，所述倾斜面可以为凸设于所述一面的截面为梯形的凸出部的倾斜的侧面。

在本发明的所述压力传感器中，所述倾斜面可以为凸设于所述一面的半球形凸出部的球面。

在本发明的所述压力传感器中，所述凸出部的高度可以为所述膜片的整体厚度的25％～75％。

在本发明的所述压力传感器中，在包括所述凸出部的凸出端且与所述侧面交差的截面中，相当于一侧面的边和与所述膜片平行的面、及相当于另一侧面的边和与所述膜片平行的面所成的角度可以分别为20°～90°。

在本发明的所述压力传感器中，在包括所述凸出部的凸出端且与所述侧面交差的截面中，相当于一侧面的边和与所述膜片平行的面、及相当于另一侧面的边和与所述膜片平行的面所成的角度可以分别为45°～80°。

在本发明的所述压力传感器中，所述凸出部的顶部可以由凸曲面形成。

在本发明的所述压力传感器中，所述多个倾斜面中，以形成谷的方式在彼此相邻的两个倾斜面之间形成有截面为矩形的槽。

在本发明的所述压力传感器中，所述槽的槽宽为10～50μm，深度可以大于所述槽宽。

【发明的效果】

通过在副产物沉积的环境中使用本发明的压力传感器，在膜片的倾斜面形成沉积膜。该沉积膜相对于膜片收缩，由此膜片产生应力(膜应力)。其结果是，弯矩作用在膜片上，多个倾斜面分别弯曲。作用在各倾斜面上的弯矩的方向为沿着倾斜面的方向。即，与在平坦的膜片上形成沉积膜的情况不同，弯矩作用在相对于膜片的面方向倾斜的方向上，换言之，作用在接近垂直于膜片的方向上。

另外，作用在倾斜面上的弯矩与作用在相邻倾斜面上的弯矩相抵消，因此能够减小弯矩的大小。

其结果是，使膜片弯曲的力减小，膜片不易弯曲，因此能够抑制零点漂移。

与在膜片形成多个槽的情况不同，倾斜面能够以现实加工尺寸实现。

因此，根据本发明，能够提供一种以现实加工尺寸实现用于降低膜应力的结构，尽可能地减小传感器膜片的沉积膜引起的零点漂移的压力传感器。

附图说明

图1是具备本发明的压力传感器的隔膜真空计的剖面图。

图2是传感器芯片的剖面图。

图3是表示山形结构的模拟的计算模型的示意图。

图4是表示山形结构的模拟的结果的立体图。

图5是表示山形结构的模拟的结果的图表。

图6是表示山形结构的模拟的结果的图表。

图7是用于说明倾斜面的角度的示意图。

图8是表示山与山之间形成有狭缝的结构的剖面图。

图9是表示山形以外的形状的剖面图。

图10是用于说明膜产生的弯矩的剖面图。

图11是表示四棱锥形凸出部的立体图。

图12是表示圆锥形凸出部的立体图。

图13是表示截头棱锥形凸出部的立体图。

图14是表示截头圆锥形的凸出部的立体图。

图15是表示半球形凸出部的立体图。

图16是表示三维结构的模拟的计算模型的立体图。

图17是表示三维结构的模拟结果的示意图。

图18是表示膜分割模拟的计算模型的立体图。

图19是表示膜分割模拟的结果的立体图。

图20是表示膜分割模拟的结果的图表。

具体实施方式

下面，参照图1～图17详细说明本发明的压力传感器的一实施方式。

图1所示的电容式隔膜真空计11具备图1中位于最外侧的封装体12、收容于该封装体12中的传感器芯片13等。在该实施方式中，传感器芯片13相当于本发明中所说的“压力传感器”。

封装体12由多个构件相互焊接而成，呈有底圆筒状。构成封装体12的多个构件为图1中具有位于最下部的小直径部14的下封装体15、经由下述的支承膜片17与该下封装体15的大直径部16连接的圆筒状的上封装体18、以及封闭该上封装体18的开口端的圆板状的盖19。

支承膜片17由具有耐腐蚀性的金属材料形成，呈圆环板状，外缘部与下封装体15和上封装体18分别焊接并由这些构件支承。从支承膜片17的厚度方向观察，支承膜片17的开口部形成为圆形，在传感器芯片13经由第一底座板21与支承膜片17接合的状态下被传感器芯片13封闭。因此，支承膜片17与传感器芯片13配合将封装体12内部空间分为导入部22和基准真空室23。导入部22内设有挡板24。

基准真空室23被保持在规定的真空度。

第一底座板21与第二底座板25配合夹着支承膜片17。第一底座板21及第二25分别由蓝宝石形成，呈圆板状，分别与支承膜片17接合。第一底座板21及第二25穿设有用于供被测量流体通过的连通孔26～28。

多个电极引线部32经由气密密封件31而嵌入盖19。电极引线部32具备电极引脚33、及金属制的护罩34。电极引脚33经由气密密封件35而支承于护罩34中。电极引脚33的一端露在封装体12外，经由未图示的配线与外部信号处理部相连接。电极引脚33的另一端经由具有导电性的接触弹簧36与下述的传感器芯片13的接触垫37连接。

传感器芯片13基于电容来检测封装体12内的导入部22的压力，通过支承膜片17和第一底座板21及第二25而支承于封装体12内。如图2所示，传感器芯片13具备图2中位于下侧的传感器膜片41、及与该传感器膜片41接合的传感器底座42。传感器膜片41由蓝宝石形成，呈圆板状，如图1所示，经由垫片43安装于第一底座板21上。在该传感器膜片41与第一底座板21之间形成有供被测量流体导入的压力室44。因此，传感器膜片41构成压力室44的壁的一部分。在该实施方式中，该传感器膜片41相当于本发明中所说的“膜片”。

传感器底座42由蓝宝石形成，呈具有圆柱形凹部的方形。传感器底座42的凹部的开口部被传感器膜片41封闭。如图2所示，传感器底座42穿设有将传感器底座42内部的容量室45与传感器底座42外的基准真空室23连通的连通孔46。容量室45与基准真空室23保持为相同的真空度。

传感器底座42的内侧底面42a和传感器膜片41的与传感器底座42的内侧底面42a相对的一面41a分别设有两种电极47～50。传感器膜片41的中央部和传感器底座42的内侧底面42a的中央部设有一对压敏电极47、48。传感器膜片41的外周部和传感器底座42的内侧底面42a的外周部设有一对参考电极49、50。传感器芯片13基于由压敏电极47、48构成的压敏电容器的电容和由参考电极49、50构成的参考电容器的电容，来检测施加到传感器膜片41上的压力。

通过将成膜用的被测量流体导入压力室44，在传感器膜片41的位于传感器底座42的相反侧并与被测量流体接触的另一面41b(图1中的下侧面)上形成膜(未图示)。该实施方式的传感器膜片41采用使由于膜沉积而产生的膜应力所引起的弯矩小到能够无视的构成，关于这一点，将稍后详述。

若传感器膜片41存在平坦面，则无论如何精细地分割，由于膜应力引起的弯矩作用于每一个上，实际上也难以完全消除作为整个膜片的影响。

发明人认为：不分割传感器膜片41的膜沉积的面，而是使该面倾斜而使弯矩的作用方向接近与传感器膜片垂直的方向，从而使传感器膜片41难以变形。

即，采用倾斜面构成凹凸结构，以使传感器膜片41的表面上与传感器膜片41的厚度方向垂直的平坦部分尽量少，从而抑制膜应力引起的变形。

在此，首先，参照图3～图6，说明发明人想到本发明的压力传感器时进行的模拟。

图3的(A)是表示山形结构的模拟的计算模型的剖面图，图3的(B)是放大山形结构的一部分而示出的剖面图，图3的(C)是放大山形结构的一部分而示出的立体图。

在图3所示的平板51的一面排列形成有多个截面为山形的凸出部52。图3所示的凸出部52为沿着与平板51的厚度方向垂直的方向延伸的凸棱。因此，平板51的一面由凸出部52的侧面，换言之为相对于平板51的厚度方向(与平板51的平坦的另一面51a垂直的方向)倾斜的多个倾斜面53、54形成。在该实施方式中，平板51的平坦的另一面51a相当于权利要求6及权利要求7所记载的发明中所说的“与膜片平行的面”。

在图3中，这些倾斜面53、54指向上方，即平板51外。若将该平板51作为传感器膜片41，则倾斜面53、54指向压力室44的内侧。这种凸出部52可以通过例如干法蚀刻法形成。倾斜面53、54上形成有沉积膜55。

在实施该模拟时，与膜分割的计算相同，在跨度为5000μm的平板51配置山形结构，以整体厚度T为200μm的方式设置山(凸出部52)的高度H与宽度W，并进行计算。沉积膜55的厚度为10μm。

经过模拟，得到了图4及图5所示的结果。图4的(A)表示采用山形结构的膜片模型的结果，图4的(B)表示平坦的膜片模型的结果。图4的(A)和图4的(B)按照变形比例显示。图4中，用点密度表示位移程度。可知山形结构的山(凸出部52)的宽度为100μm，高度也为100μm，分割数为50，基本未变形。

图5是表示改变山的结构的宽度W、高度H而计算的传感器膜片的中心部的位移的图表。图5中，横轴表示分割数，纵轴表示将200μm的平坦平板的位移作为100％时的位移值。当结构变化时，不仅膜发生变化，受到压力时的弯曲也变化，因此，通过受到一定压力时的最大位移值来进行标准化。可知山的高度H越高，效果也越好，分割数为50时可以获得足够的效果。分割数50相当于100μm，在加工工序上是非常现实的。

为了确保山的高度在膜片厚度的25％(图5中为50μm)以下的斜面角度，必须减小图案，难以加工，且工艺过程中的沉积可能导致山形结构被埋没。当山的高度超过75％(图5中为150μm)，则在受到气压等过大压力时可能发生强度问题。因此，优选凸出部52的高度为膜片的整体厚度的25％～75％。

图6与图5的图表有关，是将横轴改为斜面角度绘制而成的的图。各线的％表示山相对于膜片的高度。根据图5，在斜面角度为45°以上时，位移值相对于平坦结构约为20％以下，在斜面角度为20°以上时，位移值相对于平坦结构为50％以下。角度越锋锐越有利，但是，若超过80°，则山的宽度过小，由接触曝光装置进行的光刻图案及干法蚀刻等的加工难以进行。因此，凸出部的斜面角度为20°～90°，即可得到期望效果。优选的是，斜面角度为45°～80°。

在此所说的“斜面角度”是指图7中用符号α表示的角度。图7是表示山形凸出部52的截面形状的示意图。该图7所示的截面是包括凸出部52的凸出端52a，且与凸出部52的倾斜面53、54交差的截面。在该截面中，相当于一个倾斜面53的边及相当于另一个倾斜面54的边和与传感器膜片41平行的平面(面51a)所成的角度α分别至少为20°～90°，优选为45°～80°。图7中，为了容易理解角度α，在与倾斜面53、54交差的位置用双点划线画出了虚拟的面51a。

在该计算过程中发现：在膜为一体的情况或在山的顶点设置狭缝的情况下，完全没有效果，只有在谷的部位设置狭缝的情况下才会显现效果。在山的顶点设置槽来分割膜的结构中，由于是被供应的原料气体最容易碰撞的位置，因此槽容易被膜掩埋，难以得到效果。与此相对，与顶点相比，原料气体本来就难以到达谷间，膜厚具有变薄的趋势，因此，能够得到较大的效果。

进一步地，如图8所示，在采用山形结构的情况下，可以在相邻的两个山(凸出部52)之间在成为谷的部分形成截面为矩形的狭缝(槽)56。狭缝56的宽度W在参与成膜的原料气体的平均自由程以下。通过这样形成狭缝56，可以使到达谷部分的原料气体的分子锐减，得到较大的效果。

在设置狭缝56的情况下，为了使彼此相邻的凸出部52之间不被沉积膜掩埋，优选狭缝56的槽宽W为10～50μm，优选狭缝深度D大于槽宽。

凸出部52可以如图9的(A)～图9的(C)所示构成。图9的(A)所示的凸出部52形成为顶部52b为凸曲面。即使像这样山的顶点带有圆而形成凸曲面的情况下，由于凸出部52的侧面为倾斜面53、54，也能够得到与山的顶点为尖顶的情况相同的效果。

图9的(B)所示的凸出部52形成为截面形状呈半球形。即使像这样截面为半球形的凸出部52，由于凸出部52的侧面为带有圆的倾斜面(截面为圆弧状的凸曲面57)，也能得到与凸出部52为山形的情况相同的效果。

图9的(C)所示的凸出部52形成为截面形状呈梯形。梯形是上边58包括在凸出部52的顶端面的形状。即使是这样截面为梯形的凸出部52，由于凸出部52的侧面为倾斜面53、54，也能够得到与凸出部52为山形的情况相同的效果。

然后，参照图10说明通过在传感器膜片上形成多个倾斜面来抑制传感器膜片的弯曲的原理。

图10的(A)表示现有结构的剖面图，图10的(B)表示本发明的结构的剖面图。

图10的(A)所示的传感器膜片61具有截面为矩形的多个凸出部62。沉积膜55由凸出部62的平坦的凸出端面63、及在凸出部62之间露出的传感器膜片61的平坦的膜片表面61a形成。

如上所述，当与传感器膜片61平行的部分(凸出端面63和膜片表面61a)形成于传感器膜片61时，作用于传感器膜片61的膜应力力矩M即使被分割成各个部分，但合成为整体后，值依然不会减小。

但是，当如图10的(B)所示的山形结构这样，采用多个倾斜面53、54形成传感器膜片41的表面时，各个膜应力力矩M的方向发生改变，不再是相对于传感器膜片41的水平方向。即，与在平坦的传感器膜片41上形成沉积膜的情况不同，弯矩M作用在相对于传感器膜片41的面方向倾斜的方向上，换言之作用在接近垂直于传感器膜片41的方向上。

另外，各个膜应力力矩M与在山(凸出部52)的相对侧的斜面产生的膜应力力矩M相抵消，因此传感器膜片41的整体膜应力力矩M降低。

其结果是，推测出使传感器膜片41弯曲的力减小，传感器膜片41不易弯曲。

在图3～图10所示的方式中，各个凸出部52由凸棱形成。但是，本发明并不仅限于此，如图11～图15所示，各个凸出部52可以形成为凸设于传感器膜片41的棱锥形、圆锥形、截头棱锥形、截头圆锥形、半球形等各种形状。这些棱锥、圆锥、截头棱锥及截头圆锥等相当于本发明所说的“锥形凸出部”。棱锥是将平面上的多边形的边上的各点与其平面外的一点连结而成的立体多边形。因此，包括三棱锥、四棱锥等众多锥体形状。

该凸出部52可以作出适当改变，例如呈格子状配置于传感器膜片41，或从压力室44内观察配置成六边形。

图11所示的凸出部52形成为四棱锥形。这种四棱锥的4个侧面64相当于本发明所说的“倾斜面”。

图12所示的凸出部52形成为圆锥形。作为圆锥的侧面的周面65相当于本发明所说的“倾斜面”。

图13所示的凸出部52形成为底面为四边形的截头棱锥形。该截头棱锥的4个侧面66相当于本发明所说的“倾斜面”。

图14所示的凸出部52形成为截头圆锥形。该截头圆锥的周面67相当于本发明所说的“倾斜面”。

图15所示的凸出部52形成为半球形。该半球形的球面68相当于本发明所说的“倾斜面”。

呈格子状配置四棱锥并进行模拟的情况的计算结果如下所示。

图16是表示三维计算模型的图，图16的(A)是表示设有由四棱锥构成的凸出部52的膜片模型71的一部分的立体图，图16的(B)是放大图16的(A)的一部分而示出的立体图。图16的(C)是表示平坦的膜片模型72的一部分的立体图，图16的(D)是放大图16的(C)的一部分而示出的立体图。

膜片模型71的整体厚度为100μm。作为凸出部52的四棱锥的底面宽度为50μm×50μm，高度为50μm。该四棱锥呈格子状配置。由于膜片模型71的直径为6.5mm，因此半径方向上的配置数(即分割数)为130。用于比较的平坦的膜片模型72为了使压力灵敏度相等，厚度设置为63.2μm。

该模拟的结果如图17所示。图17的(A)是用点密度表示具有四棱锥的膜片模型71的位移程度的立体图，图17的(B)是用点密度表示平坦的膜片模型72的位移程度的立体图。图17表示点密度越高，位移越大。经验证，膜片模型71的中心部的位移约为膜片模型72的位移的1/12，即使在三维的情况下也能够得到足够的效果。

这种凸出部52与将传感器膜片41的表面分割成约500～1000个部分的情况不同，能够以现实加工尺寸实现。

因此，根据该实施方式，能够提供一种以现实加工尺寸实现用于降低膜应力的结构，尽可能地减小传感器膜片41的沉积膜55引起的零点漂移的压力传感器。

即使是将凸出部52形成为棱锥形、圆锥形、截头棱锥形、截头圆锥形、半球形等形状的情况下，也优选高度为传感器膜片41的整体厚度的25％～75％。

另外，即使是将凸出部52形成为棱锥形、圆锥形、截头棱锥形、截头圆锥形的情况下，如图7所示，倾斜面53、54和与传感器膜片41平行的面所成的角度也分别至少为20°～90°，优选为45°～80°。

进一步地，即使是将凸出部52形成为棱锥形或圆锥形等形状的情况下，也可以在相邻的两个凸出部52之间形成截面为矩形的狭缝(槽)56。该狭缝56也如图8所示，优选槽宽W为10～50μm，深度D大于槽宽。

符号说明

1…电容式隔膜真空计；13…传感器芯片(压力传感器)；41…传感器膜片(膜片)；44…压力室；52…凸出部；53、54…倾斜面；56…狭缝(槽)；64…侧面；65、67…周面；68…球面。

Claims (7)

1.一种压力传感器，其特征在于，

具备构成供被测量流体导入的压力室的壁的一部分的膜片，

所述膜片的与所述被测量流体接触的一面包括多个倾斜面，所述多个倾斜面相对于所述膜片的厚度方向倾斜且指向压力室的内侧，

所述倾斜面为凸设于所述一面的锥形凸出部的侧面，或者所述倾斜面为凸设于所述一面的截面为梯形的凸出部的倾斜的侧面，

在包括所述凸出部的凸出端且与所述侧面交差的截面中，相当于一侧面的边和与所述膜片平行的面所成的角度、及相当于另一侧面的边和与所述膜片平行的面所成的角度分别为20°～90°。

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，

所述倾斜面为凸设于所述一面的半球形凸出部的球面。

3.根据权利要求1或2所述的压力传感器，其特征在于，

所述凸出部的高度为所述膜片的整体厚度的25％～75％。

4.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，

在包括所述凸出部的凸出端且与所述侧面交差的截面中，相当于一侧面的边和与所述膜片平行的面所成的角度、及相当于另一侧面的边和与所述膜片平行的面所成的角度分别为45°～80°。

5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，

所述凸出部的顶部由凸曲面形成。

6.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，

所述多个倾斜面中，以形成谷的方式在彼此相邻的两个倾斜面之间形成有截面为矩形的槽。

7.根据权利要求6所述的压力传感器，其特征在于，

所述槽的槽宽为10～50μm，深度大于所述槽宽。

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