CN110832759B - 检测器以及电力转换装置 - Google Patents

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Abstract

本发明具备：1个以上的检测用二极管，其对检测对象的环境的变化进行检测；Y电容器，其具有分别分开配置于检测用二极管的一端与GND之间以及检测用二极管的另一端与GND之间的多个电容器；以及整流电路，其至少配置于检测用二极管的一端与GND之间或者检测用二极管的另一端与GND之间并与Y电容器串联连接，将与被检测用二极管感应出的噪声相伴的共模电流传递到GND，并且切断在多个电容器与检测用二极管之间流动的正常模式环路电流。

Description

检测器以及电力转换装置
技术领域
本发明涉及检测器以及使用该检测器的电力转换装置。
背景技术
作为本技术领域的背景技术，有日本特开2010－249687号公报(专利文献1)。该公报记载有“为了提供能够抑制由共模噪声引起的检测元件的电压变动，并准确地检测物理量的物理量检测装置，温度检测装置1具备感温二极管10～12、电容器13、电阻14、15、基准电源16、以及比较器18。感温二极管10～12的一端经由电阻14连接到与车辆框体绝缘的电路GND，另一端经由电阻15与比较器18连接。另外，电容器13与感温二极管10～12并联连接。并且，基准电源16的一端与电路GND连接，另一端与比较器18连接。能够通过电容器13以及电阻14、15抑制共模噪声。因此，能够抑制由共模噪声引起的感温二极管10～12的电压变动，并准确地检测温度。”。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010－249687号公报
在上述专利文献1记载有能够抑制由共模噪声引起的检测元件的电压变动，并准确地检测物理量的物理量检测装置。但是，专利文献1的物理量检测装置存在了如下的课题：在模拟了电力转换装置的针对高压电缆的电磁噪声叠加的BCI(Bulk CurrentInjection：大电流)实验中，在由感温二极管10～12和电容器13以及寄生电感形成的环路中，以特定的频率产生共振，由于该共振噪声，无论温度如何，感温二极管的正向电压都变小，温度传感器检测值大幅度地上升，从而电力转换装置的动作停止。
发明内容
因此，本发明提供能够除去叠加于由电磁干扰引起的噪声的共模噪声，并且切断正常模式环路电流的检测器以及使用该检测器的电力转换装置。
为了解决上述课题，本发明的特征在于，具备：1个以上的检测用二极管，其对检测对象的环境的变化进行检测；Y电容器，其具有分别分开配置于上述检测用二极管的一端与GND之间以及上述检测用二极管的另一端与上述GND之间的多个电容器；以及整流电路，其至少配置于上述检测用二极管的一端与上述GND之间或者上述检测用二极管的另一端与上述GND之间并与上述Y电容器串联连接，将与被上述检测用二极管感应出的噪声相伴的共模电流传递到上述GND，并且切断在上述多个电容器与上述检测用二极管之间流动的正常模式环路电流。
发明效果
根据本发明，能够除去叠加于由电磁干扰引起的噪声的共模噪声，并且切断正常模式环路电流。
通过以下的实施方式的说明，阐明了上述以外的课题、结构以及效果。
附图说明
图1是表示实施例1中的检测器的结构的框图。
图2是表示实施例1所涉及的电力转换装置的结构的框图。
图3是表示BCI实验的概要的框图。
图4是表示实施例2中的检测器的结构的框图。
图5是表示实施例3中的检测器的结构的框图。
图6是表示实施例4中的检测器的结构的框图。
图7是表示实施例5中的检测器的结构的框图。
图8是表示实施例6中的检测器的主要部分的结构的框图。
具体实施方式
以下，使用附图对实施例进行说明。此外，在附图中，相同的附图标记表示相同或者相当的部分。另外，本发明并不局限于图示例。
实施例1
在本实施例中，使用图1到图3对将属于本发明所涉及的检测器的检测传感器应用于检测半导体模块的温度的温度传感器的例子进行说明，上述半导体模块具备用于驱动电动汽车、混合动力汽车等的马达的驱动用逆变器等电力转换装置中内置的IGBT(InsulatedGate Bipolor Transistor：绝缘栅双极晶体管)、MOSFET(Metal Oxide SemiconductorField effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、SiC等半导体元件。
首先，参照图1对搭载于半导体模块30的检测传感器的结构进行说明。这里，图1是表示实施例1中的检测器的结构的框图。
在图1中，搭载有本实施例中的检测器的电力转换装置具备半导体模块30、半导体模块温度检测电路32、以及控制部35。属于半导体模块30的半导体模块30a构成为收纳IGBT、MOSFET、SiC等半导体元件301a以及302a的金属制模块，半导体元件301a以及302a被插入高压电源的正极端子303a与高压电源的负极端子304a之间，并相互串联连接。半导体元件301a与半导体元件302a的连接点作为开关输出305a从半导体模块30a输出。
属于半导体模块30的半导体模块30b也与半导体模块30a相同地，具有相互串联连接的半导体元件301b和半导体元件302b(未图示)，具有高压电源的正极端子303b、高压电源的负极端子304b、开关输出305b。另外，属于半导体模块30的半导体模块30c也与半导体模块30a相同地，具有相互串联连接的半导体元件301c和半导体元件302c(未图示)，具有高压电源的正极端子303c、高压电源的负极端子304c、开关输出305c。
这里，作为检测传感器，半导体模块30a具备检测半导体元件301a以及302a的周围的环境的变化，例如，半导体元件301a以及302a的周围温度或者半导体模块30a的温度的温度传感器31a。此外，温度传感器31a一般使用串联连接一个或者多个二极管而成的电路，在本实施例中，示出4个二极管(检测用二极管)311～314串联连接的结构作为例子。这些二极管311～314是正向电压根据周边温度而发生变化的元件，由温度传感器31a检测到的检测信息(温度信息)作为这些二极管311～314的正向电压的合计进行输出。此外，在本实施例中，为了方便，将二极管311的阳极端子称为温度传感器31a的阳极端子，将二极管314的阴极端子称为温度传感器31a的阴极端子。
这里，温度传感器31a的阳极端子和阴极端子分别与半导体模块温度检测电路32连接。半导体模块温度检测电路32具备向温度传感器31a的阳极端子供给电流的电流供给部322、检测温度传感器31a的阳极端子与阴极端子间的正向电压的电压检测部(电压检测器)321、至少2个电容器323a以及323b、以及至少2个整流二极管324a以及324b。此时，电容器323a以及323b和整流二极管324a以及324b与4个二极管(检测用二极管)311～314一起构成检测器，整流二极管324a以及324b被构成为整流电路。
这里，温度传感器31a的阳极端子与电容器323a的一侧端子(一方的端子)连接，电容器323a的另一方的端子与整流二极管324a的阳极端子连接。整流二极管324a的阴极端子与半导体模块温度检测电路32的GND(电路接地)连接。作为基准电压，半导体模块温度检测电路32的GND(电路接地)例如被设定为零电压值。
另外，温度传感器31a的阴极端子与电容器323b的一侧端子(一方的端子)连接，电容器323b的另一方的端子与整流二极管324b的阳极端子连接。而且，整流二极管324b的阴极端子与半导体模块温度检测电路32的GND(电路接地)连接。
而且，由电压检测部321检测到的电压(温度传感器31a的阳极端子与阴极端子间的电压)被供给到控制部35。控制部35具有预先规定了由电压检测部321检测到的电压值与半导体模块30a的温度的相关关系的相关表格，基于由电压检测部321检测到的电压值参照相关表格，由此能够得到半导体模块30a的温度信息。
接下来，参照图2对搭载有上述的半导体模块30a～30c以及温度传感器31a、半导体模块温度检测电路32的电力转换装置的一个例子进行说明。这里，图2是表示实施例1所涉及的电力转换装置的结构的框图。这里，如上所述，将从直流电压(直流电力)生成交流电压(交流电力)的逆变器作为例子。此外，也能够代替逆变器而使用转换器。
逆变器(电力转换装置)3具备：半导体模块30a～30c，其具备IGBT、MOSFET、SiC等半导体元件；半导体模块温度检测电路32；控制部35；以及平滑电容器34，平滑电容器34经由电缆2与电源1连接，各半导体模块30a～30c经由电缆4与负载5连接，通过对各半导体模块30a～30c内的半导体元件301a～302c进行开关(导通和截止的切换)来生成所希望的电压、电流。电源1使用蓄电池、通过转换器将交流电源转换成直流电压的部件。例如混合动力汽车的驱动用逆变器使用数百伏的高压蓄电池作为电源。另外，由于例如X射线诊断装置等医疗装置使用工业的交流电源，所以使用整流电路或者转换器将交流电源转换成直流电源。
在通过来自控制部35的控制信号进行开关时，从各半导体模块30a～30c内的半导体元件301a～302c产生高频的切换电流以及电压，所以一般使用平滑化电容器34来将其平滑化。从平滑电容器34输出的高压电源的正极侧与半导体模块30a～30c各个的正极端子303a～303c连接。另外，从平滑电容器34输出的高压电源的负极侧与半导体模块30a～30c各个的负极端子304a～304c连接。并且，半导体模块30a～30c的开关输出305a～305c分别经由电缆4与负载5连接。这里，例如电动汽车、混合动力汽车用逆变器的负载5是马达，生成三相电流，并通过将生成的三相电流施加给负载5来驱动马达。此外，半导体模块30a～30c内的各半导体元件的开关动作被控制部35控制。
另外，半导体模块30a～30c中的至少一个具备用于检测半导体模块内的温度的温度传感器31a。温度传感器31a检测开关动作中的半导体模块30a内的温度，利用半导体模块温度检测电路(检测电路)32检测温度传感器31a的输出，并将检测输出供给至控制部35。控制部35例如在半导体模块30a内的温度比预先决定的温度上升的情况(通过温度传感器31a的检测得到的正向电压的合计(二极管311～314的正向电压的合计)超过了设定值的情况)下，停止各半导体模块内的半导体元件301a～302c的开关动作，以防止半导体模块30a的破损。
此时，温度传感器31a被构成为将半导体模块30a或者多个半导体元件301a～302a作为检测对象，输出与检测对象的周围温度对应的电压的检测器的一个要素。多个半导体元件301a～302c作为通过开关动作将直流电力转换成交流电力的电力转换器而发挥作用，控制部35作为控制器来发挥作用，该控制部控制多个半导体元件301a～302c的开关动作，并且对温度传感器31a的输出电压与设定值进行比较，以温度传感器31a的输出电压超过了设定值为条件，停止多个半导体元件301a～302c的开关动作。
接下来，使用图3对作为逆变器中的抗扰性实验之一的BCI(BulkCurrentInjection)实验的概要进行说明。图3是表示BCI实验的概要的框图。DUT6(DeviceUnder Test：测试设备)是成为评价抗扰性的对象的测定对象物，经由电缆7与负载8连接。另外，以使电流注入探测器11贯通电缆7并对电缆7注入电流的方式进行安装。而且，信号发生器9以规定的频率产生规定的振幅的正弦波或者AM调制后的信号，并供给至放大器10。放大器10放大被供给的信号，并供给至电流注入探测器11。电流注入探测器11通过磁耦合对电缆7注入电流。
BCI实验是如上述那样通过电流注入探测器11对在DUT6与负载8之间连接的电缆7以规定的频率注入规定的振幅的正弦波或者AM调制后的电流，并在此时确认DUT6不妨碍所希望的动作并正常地进行动作的实验。这里，所希望的动作例如是指逆变器3的开关不进行误动作、半导体模块内的温度传感器或电流传感器等的监视值的变动不超过预先规定的值。
接下来，对将本实施例中的逆变器(电力转换装置)3作为实验对象的BCI实验时的动作的概要进行说明。这里，对将从半导体模块30a输出并与负载5连接的电缆4中的1个作为BCI实验对象的情况进行说明。即，表示图3的BCI实验的概要的框图中的DUT6是图2中的逆变器(电力转换装置)3，图3中的负载8是图2中的负载5。
这里，若通过电流注入探测器11对电缆4注入电流，则该电流传递到半导体模块30a以及负载5。传递到半导体模块30a的电流在半导体模块30a内从开关输出305a传递到半导体元件301a以及302a，并且被安装于同一模块内的温度传感器31a也感应为共模噪声。一般来说，共模噪声能够通过Y电容器接地而被除去。在本实施例中的半导体模块温度检测电路32中，电容器323a以及323b能够发挥Y电容器的作用，除去共模噪声。即，在温度传感器31a感应出共模噪声的情况下，温度传感器31a中流动的共模电流经由电容器323a以及323b传递到半导体模块温度检测电路32的GND(电路接地)。
另一方面，在假设整流二极管324a以及整流324b未被安装而短路的情况下，由温度传感器31a和电容器323a以及323b形成的环路中流动有正常模式环路电流，通过该正常模式环路电流以特定的频率产生共振。但是，通过将整流二极管324a以及324b插入由温度传感器31a和电容器323a以及323b形成的环路中，由此能够切断正常模式环路电流，结果是，能够防止特定的频率下的共振。
如上所述，在实施例1中，在半导体模块温度检测电路32中，通过由电容器323a和电容器323b形成的Y电容器，能够除去叠加于温度传感器31a的共模噪声，并且通过整流二极管324a以及整流二极管324b切断电流环路(正常模式环路电流)，能够抑制特定的频率下的共振产生。
因此，根据实施例1，在模拟了针对高压电缆的电磁噪声叠加的BCI实验中，能够抑制由电磁干扰引起的温度传感器31a输出的电压变动，结果是，能够除去由BCI实验中注入的电流引起的共模噪声，并且抑制由电流环路(正常模式环路电流)引起的共振，抑制由共振噪声产生的温度传感器31a的正向电压的变动。另外，在BCI实验以外的环境下，即使由电磁干扰引起的噪声被温度传感器31a感应，也能够抑制温度传感器31a输出的电压变动，结果是，能够除去由温度传感器31a感应出的电流引起的共模噪声，并且切断电流环路(正常模式环路电流)。通过该效果，也能够抑制温度传感器31a的检测值的变动，并且能够防止控制部35和逆变器3的误动作。
另外，根据实施例1，电容器323a以及323b、整流二极管324a以及324b能够使用廉价的芯片元件，可以供给能够仅通过廉价的追加电路来抑制BCI实验时的温度传感器31a的检测值变动的逆变器(电力转换装置)3。
此外，虽然示出了实施例1中的温度传感器31a安装于半导体模块30a内的例子，但显然即使安装于其他的半导体模块30b或者30c内，也能得到相同的效果。另外，对在逆变器(电力转换装置)3内，温度传感器31a仅位于半导体模块30a内的结构进行了说明，但存在仅安装于半导体模块30b内、仅安装于半导体模块30c内、或者安装于所有半导体模块30a～30c等多个组合，在任意的组合中也能得到相同的效果。
实施例2
在本实施例中，使用图4对在半导体模块温度检测电路32中进一步追加RC滤波器作为滤波电路来提高噪声除去性能的结构例进行说明。
图4是表示实施例2中的检测器的结构的框图。针对图4的检测器的结构中标注了图1已经示出的相同的附图标记的结构、具有相同的功能的部分省略说明。
图1的半导体模块温度检测电路32与图4的半导体模块温度检测电路32的不同点在于：在温度传感器31a的阳极端子与电压检测部321之间插入电阻325a，在温度传感器31a的阴极端子与电压检测部321之间插入电阻325b，在电压检测部321的输入端子间插入电容器327，追加RC滤波器作为滤波电路；以及作为半导体模块温度检测电路32的GND(电路接地)将高压电源的负极端子304a作为基准。该情况下，作为基准电压，半导体模块温度检测电路32的GND(电路接地)被设定为负电压值。
接下来，对将本实施例中的逆变器(电力转换装置)3作为实验对象的BCI实验时的动作的概要进行说明。这里，BCI实验的连接条件与实施例1相同，通过电流注入探测器11注入电缆4的电流被温度传感器31a感应为共模噪声。该共模噪声与实施例1相同地被电容器323a以及323b、整流二极管324a以及324b除去，但一部分作为正常模式噪声传递到电压检测部321。因此，能够通过电阻325a以及325b和电容器327形成RC滤波器，除去传导到电压检测部321的正常模式噪声。此外，因为存在电阻325a以及325b，所以不产生由电容器327和温度传感器31a引起的共振。
根据实施例2，可以得到与实施例1中的半导体模块温度检测电路32相同的效果，并且减少传导到电压检测部321的正常模式噪声，可以供给能够得到更准确的温度检测值的逆变器(电力转换装置)3。
实施例3
在本实施例中，使用图5对在半导体模块温度检测电路32中变更了除去共模噪声的电路结构的结构例进行说明。
图5是表示实施例3中的检测器的结构的框图。针对图5的检测器的结构中标注了图4已经示出的相同的附图标记结构、具有相同功能的部分省略说明。
图4的半导体模块温度检测电路32与图5的半导体模块温度检测电路32的不同点在于：图4中的整流二极管324a与整流二极管324b的连接方向反转，在图5中，整流二极管327a的阳极端子连接到GND(电路接地)，阴极端子与电容器323a连接，整流二极管327b的阳极端子连接到GND(电路接地)，阴极端子与电容器323b连接。
根据实施例3，显然，通过整流二极管327a、327b切断电流环路的功能没有变化，能够得到与实施例2相同的效果。
实施例4
在本实施例中，使用图6对在半导体模块温度检测电路32中变更了除去共模噪声的电路结构的结构例进行说明。
图6是表示实施例4中的检测器的结构的框图。针对图6的检测器的结构中标注了图4已经示出的相同的附图标记的结构、具有相同的功能的部分省略说明。
图4的半导体模块温度检测电路32与图6的半导体模块温度检测电路32的不同点在于：图4中的整流二极管324a与电容器323a的连接顺序被更换，另外，整流二极管324b与电容器323b的连接顺序被更换。即，整流二极管324a的阳极端子与温度传感器31a的阳极端子连接，阴极端子与电容器323a连接。另外，电容器323a的另一方的端子与GND(电路接地)连接。相同地，整流二极管324b的阳极端子与温度传感器31a的阴极端子连接，另一方阴极端子与电容器323b连接。另外，电容器323b的另一方的端子与GND(电路接地)连接。
在该结构中，也与实施例2相同地，能够通过由电容器323a和电容器323b形成的Y电容器，除去叠加于温度传感器31a的共模噪声，并且通过整流二极管324a以及整流二极管324b切断电流环路，抑制特定的频率下的共振产生。
根据实施例4，能够除去由在BCI实验中注入的电流所引起的共模噪声，并且抑制由电流环路引起的共振，抑制通过共振噪声产生的温度传感器31a的正向电压的变动。另外，通过该效果，也能够抑制温度传感器31a的检测值的变动。
实施例5
在本实施例中，使用图7对在半导体模块温度检测电路32中变更了除去共模噪声的电路结构的结构例进行说明。
图7是表示实施例5中的检测器的结构的框图。针对图7的检测器的结构中标注了图6已经示出的相同的附图标记的结构、具有相同的功能的部分省略说明。
图6的半导体模块温度检测电路32与图7的半导体模块温度检测电路32的不同点在于：图6中的整流二极管324a与整流二极管324b的连接方向反转，在图7中，整流二极管327a的阴极端子连接到温度传感器31a的阳极端子，阳极端子与电容器323a连接，整流二极管327b的阴极端子连接到温度传感器31a的阴极端子，阳极端子与电容器323b连接。
根据实施例5，显然，通过整流二极管327a、327b切断电流环路的功能没有变化，能够得到与实施例4相同的效果。
实施例6
在本实施例中，使用图8对变更了安装除去共模噪声的电路的位置的结构例进行说明。
图8是表示实施例6中的检测器的结构的框图。针对图8的检测器的结构中标注了图4已经示出的相同的附图标记的结构、具有相同的功能的部分省略说明。
本实施例是作为半导体模块温度检测电路32的结构要素的电容器323a以及323b、整流二极管324a以及324b安装于半导体模块30a内的结构，各要素的连接构成与图4相同。
根据实施例6，显然，通过整流二极管324a、324b切断电流环路的功能没有变化，能够得到与实施例2相同的效果。另外，根据本实施例6，能够在半导体模块30a内实施除去共模噪声的对策和切断电流环路(正常模式环路电流)的对策。
此外，本发明并不局限于上述的实施例，包含有各种变形例。例如，即使在由温度传感器31a和电容器323a以及323b(或者整流二极管327a、327b)形成的环路(流向相互不同的方向的2个电流环路)中，仅插入整流二极管324a以及324b(或者整流二极管327a、327b)中的一方，也能够切断2个电流环路的一方。上述的实施例是为了容易理解地说明本发明而详细说明的内容，不必局限于具备所说明的全部的结构。另外，能够将某实施例的结构的一部分置换为其他的实施例的结构，另外，也能够对某实施例的结构添加其他实施例的结构。另外，对于各实施例的结构的一部分而言，能够进行其他结构的追加、删除、置换。
另外，上述的各结构、功能、处理部、处理手段等也可以通过例如在集成电路中设计它们的一部分或者全部等而利用硬件来实现。另外，上述的各结构、功能等也可以通过处理器解释并执行实现各个功能的程序而利用软件实现。实现各功能的程序、表格、文件等信息能够放置在存储器、硬盘、SSD(Solid State Drive)等记录装置、或者IC卡、SD卡、DVD等记录介质。
另外，示出了在说明上被认为必要的控制线或信息线，而不一定示出产品上全部的控制线、信息线。实际上也可以认为几乎全部的结构都相互连接。
附图标记说明
1电源；2、4、7电缆；3逆变器(电力转换装置)；5、8负载；6DUT；9信号发生器；10放大器；11电流注入探测器；30a、30b、30c半导体模块；301a～301c半导体元件；302a～302c半导体元件；303a～303c高压电源的正极端子；304a～304c高压电源的负极端子；304a～304c开关输出；31a温度传感器；311～314二极管；32半导体模块温度检测电路；321电压检测部；322电流供给部；323a、323b、327电容器(capacitor)；324a、324b、327a、327b整流二极管；34平滑电容器；35控制部。

Claims (15)

1.一种检测器，其特征在于，具备：
1个以上的检测用二极管，其对检测对象的环境的变化进行检测；
Y电容器，其具有分别分开配置于上述检测用二极管的一端与GND之间以及上述检测用二极管的另一端与上述GND之间的多个电容器；以及
整流电路，其由多个整流二极管构成，至少配置于上述检测用二极管的一端与上述GND之间或者上述检测用二极管的另一端与上述GND之间，上述多个整流二极管与上述Y电容器的多个电容器分别串联连接，上述多个整流二极管将与被上述检测用二极管感应出的噪声相伴的共模电流传递到上述GND，并且切断在上述多个电容器与上述检测用二极管之间流动的正常模式环路电流。
2.根据权利要求1所述的检测器，其特征在于，
上述多个整流二极管的各阴极端子与上述GND连接，上述多个整流二极管中的一方的阳极端子经由上述多个电容器中的一个电容器与上述检测用二极管的一端连接，上述多个整流二极管中的另一方的阳极端子经由上述多个电容器中的另一个电容器与上述检测用二极管的另一端连接。
3.根据权利要求1所述的检测器，其特征在于，
上述多个整流二极管的各阳极端子与上述GND连接，上述多个整流二极管中的一方的阴极端子经由上述多个电容器中的一个电容器与上述检测用二极管的一端连接，上述多个整流二极管中的另一方的阴极端子经由上述多个电容器中的另一个电容器与上述检测用二极管的另一端连接。
4.根据权利要求1所述的检测器，其特征在于，
上述多个整流二极管中的一方的阳极端子与上述检测用二极管的一端连接，上述多个整流二极管中的一方的阴极端子经由上述多个电容器中的一方与上述GND连接，上述多个整流二极管中的另一方的阳极端子与上述检测用二极管的另一端连接，上述多个整流二极管中的另一方的阴极端子经由上述多个电容器中的另一方与上述GND连接。
5.根据权利要求1所述的检测器，其特征在于，
上述多个整流二极管中的一方的阴极端子与上述检测用二极管的一端连接，上述多个整流二极管中的一方的阳极端子经由上述多个电容器中的一方与上述GND连接，上述多个整流二极管中的另一方的阴极端子与上述检测用二极管的另一端连接，上述多个整流二极管中的另一方的阳极端子经由上述多个电容器中的另一方与上述GND连接。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的检测器，其特征在于，
在上述检测用二极管的两端连接有除去上述检测用二极管感应出的正常模式噪声的滤波电路。
7.根据权利要求1～5中的任一项所述的检测器，其特征在于，
作为基准电压，上述GND被设定为零电压值或者负电压值。
8.根据权利要求1～5中的任一项所述的检测器，其特征在于，
上述检测用二极管与上述Y电容器以及上述整流电路被配置于收纳上述检测用二极管的上述检测对象的模块中。
9.一种电力转换装置，其特征在于，具备：
电力转换器，其通过多个半导体元件的开关动作将直流电力转换为交流电力或者将上述交流电力转换为上述直流电力；
检测器，其将上述多个半导体元件作为检测对象，输出与上述检测对象的周围温度对应的电压；以及
控制器，其控制上述多个半导体元件的开关动作，并且比较上述检测器的输出电压和设定值，以上述检测器的输出电压超过设定值为条件，停止上述多个半导体元件的开关动作，
上述检测器由1个以上的检测用二极管、Y电容器、以及整流电路构成，
上述检测用二极管对上述多个半导体元件的周围温度的变化进行检测，
上述Y电容器具有分别分开配置于上述检测用二极管的一端与GND之间以及上述检测用二极管的另一端与上述GND之间的多个电容器，
上述整流电路由多个整流二极管构成，至少配置于上述检测用二极管的一端与上述GND之间或者上述检测用二极管的另一端与上述GND之间，上述多个整流二极管与上述Y电容器的多个电容器分别串联连接，上述多个整流二极管将与被上述检测用二极管感应出的噪声相伴的共模电流传递到上述GND，并且切断在上述多个电容器与上述检测用二极管之间流动的正常模式环路电流。
10.根据权利要求9所述的电力转换装置，其特征在于，
上述多个整流二极管的各阴极端子与上述GND连接，上述多个整流二极管中的一方的阳极端子经由上述多个电容器中的一个电容器与上述检测用二极管的一端连接，上述多个整流二极管的另一方的阳极端子经由上述多个电容器中的另一个电容器与上述检测用二极管的另一端连接。
11.根据权利要求9所述的电力转换装置，其特征在于，
上述多个整流二极管中的各阳极端子与上述GND连接，上述多个整流二极管中的一方的阴极端子经由上述多个电容器中的一个电容器与上述检测用二极管的一端连接，上述多个整流二极管中的另一方的阴极端子经由上述多个电容器中的另一个电容器与上述检测用二极管的另一端连接。
12.根据权利要求9所述的电力转换装置，其特征在于，
上述多个整流二极管中的一方的阳极端子与上述检测用二极管的一端连接，上述多个整流二极管中的一方的阴极端子经由上述多个电容器中的一方与上述GND连接，上述多个整流二极管中的另一方的阳极端子与上述检测用二极管的另一端连接，上述多个整流二极管中的另一方的阴极端子经由上述多个电容器的另一方与上述GND连接。
13.根据权利要求9所述的电力转换装置，其特征在于，
上述多个整流二极管中的一方的阴极端子与上述检测用二极管的一端连接，上述多个整流二极管中的一方的阳极端子经由上述多个电容器中的一方与上述GND连接，上述多个整流二极管中的另一方的阴极端子与上述检测用二极管的另一端连接，上述多个整流二极管中的另一方的阳极端子经由上述多个电容器中的另一方与上述GND连接。
14.根据权利要求9～13中的任一项所述的电力转换装置，其特征在于，
在上述检测用二极管的两端连接有除去上述检测用二极管感应出的正常模式噪声的滤波电路。
15.根据权利要求9～13中的任一项所述的电力转换装置，其特征在于，
作为基准电压，上述GND被设定为零电压值或者负电压值。
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