CN110828515A - 显示器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

在本申请所提供的显示器件及其制备方法中，通过形成基板，所述基板包括非显示区和围绕所述非显示区设置的显示区，所述基板在位于所述非显示区处设置成聚光结构；以及功能层，所述功能层设置在所述基板上，所述功能层在对应所述非显示区处设置有过孔，所述过孔贯穿所述功能层的结构，从而降低光线在传输到摄像头的过程中的损失，大大增加了摄像头接收到的光，提高了摄像头的成像质量。

Description

显示器件及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示器件及其制备方法。
背景技术
目前，屏下摄像头显示器件作为一种新兴的有机发光二极管显示器件，发展迅速。屏下摄像头显示器件的摄像头放置在显示屏下方，且摄像头上方的显示部件保留，基板的像素区域正常发光。
近年来，屏下摄像头显示器件的飞速发展也暴露出不少问题，由于摄像头上方有膜层阻挡，而且不同膜层间的折射率不同，所以外界照射到该区域的光在膜层间会发生折射和反射的现象，从而损失掉大量的光，使摄像头最终接收到的光大大减少，影响摄像头成像质量。
因此，如何在保证摄像头成像质量的前提下增加摄像头接收到的光是全世界面板厂家正在努力攻克的难关。
发明内容
本申请提供一种显示器件及其制备方法，可以解决现有的显示器件因摄像头接收到的光在传播路径中产生较大损失从而影响摄像头成像质量的技术问题。
本申请提供一种显示器件，包括：
基板，所述基板包括非显示区和围绕所述非显示区设置的显示区，所述基板在位于所述非显示区处设置成聚光结构；以及
功能层，所述功能层设置在所述基板上，所述功能层在对应所述非显示区处设置有过孔，所述过孔贯穿所述功能层。
在本申请所提供的显示器件中，所述聚光结构为凸透镜结构。
在本申请所提供的显示器件中，所述凸透镜结构凸起的高度小于所述过孔的半径。
在本申请所提供的显示器件中，在位于所述非显示区处的基板包括第一主体部分、设置在所述第一主体部分一侧的第一凸起部分以及设置在所述第一主体部分另一侧的第二凸起部分。
在本申请所提供的显示器件中，所述第一主体部分的厚度小于等于所述基板在所述显示区处的厚度。
在本申请所提供的显示器件中，在位于所述非显示区处的基板包括第二主体部分以及设置在所述第二主体部分远离所述功能层一侧的第三凸起部分；所述第二主体部分朝向所述功能层一侧的表面与所述基板在位于所述显示区处、且朝向所述功能层一侧的表面平齐。
在本申请所提供的显示器件中，所述第二主体部分的厚度小于等于所述基板在所述显示区处的厚度。
在本申请所提供的显示器件中，所述功能层包括依次设置在所述基板上的阵列层、发光层以及封装层，所述过孔贯穿所述阵列层、所述发光层以及所述封装层。
在本申请所提供的显示器件中，所述基板的材质为聚酰亚胺。
本申请还提供一种显示器件的制备方法，所述制备方法包括：
提供一基板，所述基板包括非显示区和围绕非显示区设置的显示区；
通过纳米压印工艺把所述基板位于所述非显示区处设置成聚光结构；
在所述基板上形成功能层，所述功能层包括依次设置在所述基板上的阵列层、发光层以及封装层；
在所述功能层对应所述非显示区处开设过孔，且所述过孔贯穿所述功能层。
在本申请提供的显示器件及其制备方法中，通过在功能层设置贯穿功能层的过孔，从而降低了摄像头上方的膜层厚度，从而保证了垂直入射的光可以几乎无损失的到达摄像头，还通过把所述基板在位于所述非显示区处设置成聚光结构，从而使光线在从基板射出时被汇聚起来，更容易地被摄像头吸收，从而降低光线在传输到摄像头的过程中的损失，大大增加了摄像头接收到的光，提高了摄像头的成像质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示器件的第一结构示意图；
图2为本申请实施例提供的显示器件的第二结构示意图；
图3为本申请实施例提供的基板的第一结构示意图；
图4为本申请实施例提供的基板的第二结构示意图；
图5为本申请实施例提供的基板的第三结构示意图；
图6为本申请实施例提供的基板的第四结构示意图；
图7为本申请实施例提供的基板的第五结构示意图；
图8为本申请实施例提供的基板的第六结构示意图；
图9为本申请实施例提供的显示器件的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的显示器件的第一结构示意图。如图1所示，本申请实施例提供的显示器件，包括基板101、设置在所述基板101上的功能层102、设置在所述功能层102上的过孔103、所述基板101包括非显示区1011和围绕所述非显示区1011设置的显示区1012，所述基板101在位于所述非显示区1012处设置成聚光结构，所述过孔103设置在所述功能层102在对应所述非显示区1011处，且所述过孔103贯穿所述功能层102。
可以理解的，通过在功能层102的对应所述非显示区1011处设置能贯穿功能层102的过孔，可以降低了摄像头上方的膜层厚度，从而保证了垂直入射的光可以几乎无损失的到达摄像头，但是光从基板101穿出到空气中再被摄像头吸收的过程中，光线会发生折射现象，使光线沿远离法线的方向射出，从而导致部分光从摄像头与基板101缝隙间漏出，无法被摄像头吸收，而在本申请实施例中，把所述基板101在位于所述非显示区1012处设置成聚光结构，这样光线在从所述基板101射出时，会沿靠近法线的方向射出，从而使光线汇聚起来，更容易地被摄像头吸收，从而降低光线在传输到摄像头的过程中的损失，大大增加了摄像头接收到的光，提高了摄像头的成像质量。
其中，在一种实施方式中，所述聚光结构为凸透镜结构。凸透镜是根据光的折射原理制成的，且拥有一定的聚光作用。凸透镜是中央较厚，边缘较薄的透镜，主要分为双凸，平凸和凹凸三种形状；凸透镜包括入射面和出射面，双凸透镜就是指凸透镜的入射面和出射面均为凸面状；平凸透镜就是指凸透镜的入射面和出射面一个为平面状，一个为凸面状；凹凸透镜就是指凸透镜的入射面和出射面一个为凹面状，一个为凸面状，且凹凸透镜的形状类似于月牙。
其中，可以理解的，把聚光结构设置为凸透镜结构是为了起到汇聚光线的作用，从而使摄像头能够接收到更多的光线，所以不论凸透镜结构是采用双凸透镜、平凸透镜还是凹凸透镜都能够达成目前，但是需要满足凸透镜结构凸起的高度小于所述过孔103的半径，因为只有这样才能够使所述凸透镜结构的焦距大于所述过孔103的半径，从而凸透镜结构才能够对光线起到足够的汇聚作用，使摄像头接收到更多的光线，进而提高摄像头的成像质量。
其中，在一种实施方式中，所述基板101的材料为聚酰亚胺，聚酰亚胺为一种综合性能最佳的有机高分子材料，因其具有优良的机械性能和介电性能、耐高温、耐低温以及耐辐射的特性，已在柔性基板领域得到广泛应用。
具体地，请参阅图1、图2，图2为本申请实施例提供的显示器件的第二结构示意图，其中，图2所示的显示器件与图1所示的显示器件的区别在于，图2所示的显示器件中的所述功能层102包括依次设置在所述基板101上的阵列层1021、发光层1022以及封装层1023，且所述过孔103贯穿所述阵列层1021、所述发光层1022以及所述封装层1023。
具体地，请参阅图3、图4和图5，图3为本申请实施例提供的基板的第一结构示意图，图4为本申请实施例提供的基板的第二结构示意图，图5为本申请实施例提供的基板的第三结构示意图。在图3、图4和图5所示的基板结构中示意图中，可以看出，位于所述非显示区1011处的所述基板101都是分为三个部分，具体为第一主体部分10111、设置在所述第一主体部分10111一侧的第一凸起部分10112以及设置在所述第一主体部分10111另一侧的第二凸起部分10113，不同的在于，所述第一主体部分10111的厚度不一致。
其中，可以理解的，所述第一主体部分10111的厚度小于或等于所述基板101在所述显示区1012处的厚度。如图3所示，所述第一主体部分10111的厚度等于所述基板101在所述显示区1012处的厚度；如图4所示，所述第一主体部分10111的厚度小于所述基板101在所述显示区1012处的厚度；如图5所示，此时所述第一主体部分10111的厚度为零，即所述基板101此时只包括第一凸起部分10112和第二凸起部分10113。其中不论所述第一主体部分10111的厚度如何变化，只要能够满足所述凸透镜结构的焦距大于所述凸透镜结构到摄像头的距离，就能够使摄像头接收到足够的光线，从而提高摄像头成像质量，因为如果所述凸透镜结构的焦距小于所述凸透镜结构到摄像头的距离，那么所有的光线都会汇聚在凸透镜结构的焦点上，而此时摄像头的某些部位就不会接收到光，从而也不利于摄像头的成像质量。
其中，可以理解的，此时所述凸透镜结构为双凸透镜结构。
具体地，请参阅图6、图7和图8，图6为本申请实施例提供的基板的第四结构示意图，图7为本申请实施例提供的基板的第五结构示意图，图8为本申请实施例提供的基板的第六结构示意图，在图6、图7和图8所示的基板结构中示意图中，可以看出，位于所述非显示区1011处的所述基板101都是分为第二主体部分10114和第三凸起部分10115，所述第三凸起部分10115设置在所述第二主体部分10114远离所述功能层102的一侧，且所述第二主体部分10114朝向所述功能层102一侧的表面与所述基板101在位于所述显示区1012处、且朝向所述功能层102一侧的表面平齐，不同的在于，所述第二主体部分10114的厚度不一致。
其中，可以理解的，所述第二主体部分10114的厚度小于或等于所述基板101在所述显示区1012处的厚度。如图6所示，所述第二主体部分10114的厚度等于所述基板101在所述显示区1012处的厚度；如图7所示，所述第二主体部分10114的厚度小于所述基板101在所述显示区1012处的厚度；如图8所示，此时所述第二主体部分10114的厚度为零，即所述基板101此时只包括第三凸起部分10115。不论所述第二主体部分10114的厚度如何变化，只要能够满足所述凸透镜结构的焦距大于所述凸透镜结构到摄像头的距离，就能够使摄像头接收到足够的光线，从而提高摄像头成像质量，因为如果所述凸透镜结构的焦距小于所述凸透镜结构到摄像头的距离，那么所有的光线都会汇聚在凸透镜结构的焦点上，而此时摄像头的某些部位就不会接收到光，从而也不利于摄像头的成像质量。
其中，可以理解的，此时所述凸透镜结构为平凸透镜结构，且凸面状位于所述凸透镜结构远离所述功能层102的一侧。
其中，在一种实施方式中，所述凸透镜结构为平凸透镜结构，且凸面状位于所述凸透镜结构靠近所述功能层102的一侧，此时也能对光线起到汇聚作用，从而使摄像头接收到更多的光，进而提升摄像头成像质量。
其中，在一种实施方式中，所述凸透镜结构为凹凸镜结构，且凸面状位于所述凸透镜结构远离所述功能层102的一侧，凹凸镜结构也具有汇聚光线的作用，能使摄像头接收到更多的光，从而提升摄像头成像质量。
在本申请提供的显示器件中，通过在功能层102设置贯穿功能层102的过孔103，从而降低了摄像头上方的膜层厚度，从而保证了垂直入射的光可以几乎无损失的到达摄像头，还通过把所述基板101在位于所述非显示区1011处设置成聚光结构，从而使光线在从基板101射出时被汇聚起来，更容易地被摄像头吸收，从而降低光线在传输到摄像头的过程中的损失，大大增加了摄像头接收到的光，提高了摄像头的成像质量。
参阅图9，图9为本申请实施例提供的显示器件的制备方法流程图，如图9所示，所述制备方法，包括以下步骤：201、提供一基板，所述基板包括非显示区和围绕非显示区设置的显示区；202、通过纳米压印工艺把所述基板位于所述非显示区处设置成聚光结构；203、在所述基板上形成功能层，所述功能层包括依次设置在所述基板上的阵列层、发光层以及封装层；204、在所述功能层对应所述非显示区处开设过孔，且所述过孔贯穿所述功能层。
其中，可以理解的，纳米压印技术是一种新型的微纳加工技术，是通过光刻胶辅助，将模板上的微纳米结构转移到待加工材料上的技术。其中，形成图3、图4和图5中所示的基板的结构，均是通过双面压印的方法来形成的，且采用的是同一个纳米压印模具，只不过压印的深度不同，从而形成了不同的基板结构。其中，形成图6、图7和图8中所示的基板的结构，均是通过单面压印的方法来形成的且，采用的是同一个纳米压印模具，只不过压印的深度不同，从而形成了不同的基板结构。
其中，可以理解的，在通过纳米压印把位于非显示区处的所述基板设置成凸透镜结构的过程中，压印深度不能过深，因为压印深度过深的时候，如果达到光聚合的深度，那么所有的光线在从基板射出后都会聚集到一点，这样摄像头就只有在这一点的位置才能接收到光，摄像头的其他部位就不会接收到光，从而会影响摄像头的成像质量。
其中，可以理解的，所述过孔是通过激光剥离的方法形成的，在封装完成后直接通过激光挖空对应所述非显示区处的功能层，从而形成贯穿功能层的过孔。
其中，本申请所提供的显示器件的具体结构可参见前面的实施例，在此不再一一赘述。
可以理解的，通过本申请实施例提供的显示器件的制备方法制备的显示器件，在功能层设置贯穿功能层的过孔，从而降低了摄像头上方的膜层厚度，从而保证了垂直入射的光可以几乎无损失的到达摄像头，还把所述基板在位于所述非显示区处设置成聚光结构，从而使光线在从基板射出时被汇聚起来，更容易地被摄像头吸收，从而降低光线在传输到摄像头的过程中的损失，大大增加了摄像头接收到的光，提高了摄像头的成像质量。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示器件，其特征在于，包括：
基板，所述基板包括非显示区和围绕所述非显示区设置的显示区，所述基板在位于所述非显示区处设置成聚光结构；以及
功能层，所述功能层设置在所述基板上，所述功能层在对应所述非显示区处设置有过孔，所述过孔贯穿所述功能层。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述聚光结构为凸透镜结构。
3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述凸透镜结构凸起的高度小于所述过孔的半径。
4.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，在位于所述非显示区处的基板包括第一主体部分、设置在所述第一主体部分一侧的第一凸起部分以及设置在所述第一主体部分另一侧的第二凸起部分。
5.根据权利要求4所述的显示器件，其特征在于，所述第一主体部分的厚度小于等于所述基板在所述显示区处的厚度。
6.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，在位于所述非显示区处的基板包括第二主体部分以及设置在所述第二主体部分远离所述功能层一侧的第三凸起部分；
所述第二主体部分朝向所述功能层一侧的表面与所述基板在位于所述显示区处、且朝向所述功能层一侧的表面平齐。
7.根据权利要求6所述的显示器件，其特征在于，所述第二主体部分的厚度小于等于所述基板在所述显示区处的厚度。
8.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述功能层包括依次设置在所述基板上的阵列层、发光层以及封装层，所述过孔贯穿所述阵列层、所述发光层以及所述封装层。
9.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述基板的材质为聚酰亚胺。
10.一种显示器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一基板，所述基板包括非显示区和围绕非显示区设置的显示区；
通过纳米压印工艺把所述基板位于所述非显示区处设置成聚光结构；
在所述基板上形成功能层，所述功能层包括依次设置在所述基板上的阵列层、发光层以及封装层；
在所述功能层对应所述非显示区处开设过孔，且所述过孔贯穿所述功能层。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111584566A (zh) * 2020-05-11 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、掩模版组
CN111897159A (zh) * 2020-08-11 2020-11-06 联想(北京)有限公司 一种显示装置和显示设备
WO2021155630A1 (zh) * 2020-02-07 2021-08-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011054424A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Toppan Printing Co Ltd トップエミッション型有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法並びにそれに用いる色フィルター
CN109920822A (zh) * 2019-02-28 2019-06-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN110491912A (zh) * 2019-07-31 2019-11-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102166502B1 (ko) * 2014-09-16 2020-10-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US20170026553A1 (en) * 2015-07-24 2017-01-26 Apple Inc. Displays With Camera Window Openings
CN109164648B (zh) * 2018-09-30 2021-11-19 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20200073544A (ko) * 2018-12-14 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN209356799U (zh) * 2019-03-19 2019-09-06 北京京东方显示技术有限公司 一种显示装置和电子设备
KR20200113957A (ko) * 2019-03-27 2020-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110047878B (zh) * 2019-03-27 2021-07-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
KR20210008238A (ko) * 2019-07-11 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011054424A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Toppan Printing Co Ltd トップエミッション型有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法並びにそれに用いる色フィルター
CN109920822A (zh) * 2019-02-28 2019-06-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN110491912A (zh) * 2019-07-31 2019-11-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021155630A1 (zh) * 2020-02-07 2021-08-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
US11937464B2 (en) 2020-02-07 2024-03-19 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel
CN111584566A (zh) * 2020-05-11 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、掩模版组
CN111897159A (zh) * 2020-08-11 2020-11-06 联想(北京)有限公司 一种显示装置和显示设备

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