CN110828243B - 一种薄膜型熔断器及制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种薄膜型熔断器，包括基体、熔断体、电极；所述熔断体为金属片形并贴合在基体上，熔断体即便较为微型，基体也能够作为熔断体的支撑，使熔断体的形状加工易控制，可以精确控制熔体厚度和图形，从而实现更小电流规格的熔断器的制造。且制造该熔断器的制造方法简单可行，通过简单薄膜工艺即可完成。

Description

一种薄膜型熔断器及制造方法
技术领域
本发明属于过流过压保护元件领域，具体涉及一种用于过流过压保护的薄膜型表面贴装熔断器及该熔断器的制造方法。
背景技术
随着电动汽车等新兴产业的蓬勃发展，电池均衡系统控制要求越来越高，对高分能能力、能够快速反应的小电流熔断器的需求越多。
对于1206或更小的封装尺寸熔断体一般采用厚膜工艺印刷或PCB薄膜工艺蚀刻制造。但厚膜工艺熔丝印刷10微米以下熔断器已很困难，很难做到满足市场需求的1A以下额定电流规格；而PCB薄膜工艺很难符合车载应用的需求。
故，需要一种新的技术方案以解决上述问题。
发明内容
发明目的：本发明提供一种便于制造的薄膜型熔断器。
本发明还提供一种制造方法，能够制造满足市场需求的1A以下额定电流规格的薄膜型熔断器。
技术方案：为达到上述目的，本发明自动爬升行走小车可采用如下技术方案：
一种薄膜型熔断器，包括基体、熔断体、电极；所述基体的一个表面上覆盖绝缘层，绝缘层的一面与基体贴合而另一面与金属片形的熔断体贴合，熔断体背对绝缘层的表面两端分别覆盖有电极，且熔断体背对绝缘层的表面在两端电极之间的部分覆盖有保护层。
有益效果：
本发明中的熔断体为金属片形并贴合在基体上，熔断体即便较为微型，基体也能够作为熔断体的支撑，使熔断体的形状加工易控制，可以精确控制熔体厚度和图形，从而实现更小电流规格的熔断器的制造。
本发明提供的薄膜型熔断器的制造方法可采用以下技术方案，包括以下步骤：
(a)、熔断体成型：取一块双层金属片，其中一层作为熔断体层，另一层作为电极层，将熔断体层加工出所需的熔断体图形；
(b)、绝缘层成型：取上述已完成熔断体成型的双层金属片，采用印刷工艺在双层金属片银层的一面形成一层绝缘层；
(c)、基体贴合：取上述已完成绝缘层成型的双层金属片，在绝缘层一面贴合一层半固化片，半固化片上再贴合基体；
(d)、基体成型：将上述完成基体贴合的材料，在持续加压条件下，加热使得半固化片完成固化，并使得双层金属片与基体贴合；
(e)、电极层蚀刻；将上述完成基体成型的材料进行电极层面的加工，在电极层中间部分蚀出图形而将电极层分成两个电极，该两个电极相互独立并分别覆盖在熔断体层同一个表面的两端，通过电极层蚀出所需图形的操作将熔断体层的图形部分露出，
(f)、熔断点加工：将上述完成电极层蚀刻并露出熔断体层图形部分的材料贴合干膜，对位曝光出预设熔断点，经显影工艺露出预设熔断点，经镀锡工艺在预设熔断点位置镀一层锡，再退掉其他部分的干膜；
(g)、保护层成型：取上述已完成熔断点加工的半成品，在熔断体层表面印刷一层保护层，所述保护层完全覆盖熔断体图形和熔断点，所述保护层露出作为熔断体电极的铜层端面；
(h)、电极成型：上述半成品通过电镀的方式进行表面处理，最终在电极位置成型电极。。
有益效果：相对于现有技术，本发明提供的制造方法具有以下优点，
1、该制造方法简单可行，通过简单薄膜工艺即可完成。
2、熔断体加工易控制，可以精确控制熔体厚度和图形，从而实现更小电流规格的熔断器的制造，能够制造满足市场需求的1A以下额定电流规格的薄膜型熔断器。
3、该方法制造的熔断器可实现小的额定电流并能够快速反应，同时满足高分断能力的要求。
附图说明
图1是本发明中薄膜型熔断器的剖面示意图。
图2是本发明中双层金属片通过半固化片贴合在基体上后的示意图。
具体实施方式
请结合图1及图2所示，本实施例公开一种薄膜型熔断器，包括基体1(陶瓷基板)、金属片形的熔断体3、电极4。所述电极4为铜电极，该铜电极4的外层覆盖有镍电极5，镍电极5的外层再覆盖有锡电极6。该基体的一个表面上覆盖绝缘层2。绝缘层2的一面与基体1贴合而另一面与金属片形的熔断体3贴合。熔断体3背对绝缘层的表面两端分别覆盖有电极4，且熔断体3背对绝缘层2的表面在两端电极之间的部分覆盖有保护层7。其中，绝缘层2为玻璃或耐高温的玻璃树脂。由于在装配后熔断体3可以被基体1支撑，熔断体层可以采用激光工艺或者蚀刻工艺加工出所需的熔断体3的图形，从而能够实现更小电流规格(熔断体横截面更小)的熔断器的制造。
实施例二，本实施例公开上是实施例一种的薄膜型熔断器的制造方法。该制造方法包括以下步骤：
(a)、熔断体成型：取一块双层金属片，其中一层作为熔断体层(用以形成熔断体3)，另一层作为电极层，将熔断体层加工出所需的熔断体图形；其中，双层金属片为一层银层级一层铜层，银层作为熔断体层，铜层作为电极层；所述铜层优选1oz。该步骤中熔断体层采用激光工艺或者蚀刻工艺加工出所需的熔断体图形；
(b)、绝缘层成型：取上述已完成熔断体成型的双层金属片，采用印刷工艺在双层金属片银层的一面形成一层绝缘层2；绝缘层为玻璃或耐高温的玻璃树脂；
(c)、基体贴合：取上述已完成绝缘层成型的双层金属片，在绝缘层一面贴合一层半固化片，半固化片上再贴合基体1；
(d)、基体成型：将上述完成基体贴合的材料，在持续加压条件下，加热使得半固化片完成固化，并使得双层金属片与基体1贴合；
(e)、电极层蚀刻；将上述完成基体成型的材料进行电极层面的加工，在电极层中间部分蚀出图形而将电极层分成两个电极4，该两个电极4相互独立并分别覆盖在熔断体层同一个表面的两端，通过电极层蚀出所需图形的操作将熔断体层的图形部分露出，
(f)、熔断点加工：将上述完成电极层蚀刻并露出熔断体层图形部分的材料贴合干膜，对位曝光出预设熔断点，经显影工艺露出预设熔断点，经镀锡工艺在预设熔断点位置镀一层锡，再退掉其他部分的干膜；
(g)、保护层成型：取上述已完成熔断点加工的半成品，在熔断体层表面印刷一层保护层7，所述保护层完全覆盖熔断体图形和熔断点，所述保护层露出作为熔断体电极的铜层端面；
(h)、电极成型：上述半成品通过电镀的方式进行表面处理，最终在电极位置成型电极，即在电极位置成型电极为在铜电极4上覆盖镍电极5，镍电极5的外层再覆盖锡电极6。
进一步的，经步骤(a)至步骤(g)加工成阵列结构的半成品材料，再进行分割形成单颗熔断器半成品后，经过步骤(h)进行电极成型。
本发明具体实现该技术方案的方法和途径很多，以上所述仅是本发明的优选实施方式。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。

Claims (5)

1.一种薄膜型熔断器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
(a)、熔断体成型：取一块双层金属片，其中一层作为熔断体层，另一层作为电极层，将熔断体层加工出所需的熔断体图形；
(b)、绝缘层成型：取上述已完成熔断体成型的双层金属片，采用印刷工艺在双层金属片银层的一面形成一层绝缘层；
(c)、基体贴合：取上述已完成绝缘层成型的双层金属片，在绝缘层一面贴合一层半固化片，半固化片上再贴合基体；
(d)、基体成型：将上述完成基体贴合的材料，在持续加压条件下，加热使得半固化片完成固化，并使得双层金属片与基体贴合；
(e)、电极层蚀刻；将上述完成基体成型的材料进行电极层面的加工，在电极层中间部分蚀出图形而将电极层分成两个电极，该两个电极相互独立并分别覆盖在熔断体层同一个表面的两端，通过电极层蚀出所需图形的操作将熔断体层的图形部分露出，
(f)、熔断点加工：将上述完成电极层蚀刻并露出熔断体层图形部分的材料贴合干膜，对位曝光出预设熔断点，经显影工艺露出预设熔断点，经镀锡工艺在预设熔断点位置镀一层锡，再退掉其他部分的干膜；
(g)、保护层成型：取上述已完成熔断点加工的半成品，在熔断体层表面印刷一层保护层，所述保护层完全覆盖熔断体图形和熔断点，所述保护层露出作为熔断体电极的铜层端面；
(h)、电极成型：上述半成品通过电镀的方式进行表面处理，最终在电极位置成型电极。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤(a)中，双层金属片为一层银层及一层铜层，银层作为熔断体层，铜层作为电极层；步骤(b)中，绝缘层为玻璃或耐高温的玻璃树脂。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于：将熔断体层采用激光工艺或者蚀刻工艺加工出所需的熔断体图形。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于：步骤(h)中，在电极位置成型电极为在铜电极上覆盖镍电极，镍电极的外层再覆盖锡电极。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述双层金属片使用阵列结构，经步骤(a)至步骤(g)加工成阵列结构的半成品材料，再进行分割形成单颗熔断器半成品后，经过步骤(h)进行电极成型。
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