JPH0935614A - チップ型フューズおよびその製造法 - Google Patents
チップ型フューズおよびその製造法Info
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- JPH0935614A JPH0935614A JP18260095A JP18260095A JPH0935614A JP H0935614 A JPH0935614 A JP H0935614A JP 18260095 A JP18260095 A JP 18260095A JP 18260095 A JP18260095 A JP 18260095A JP H0935614 A JPH0935614 A JP H0935614A
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- etching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】素子の溶断特性と成形精度に優れたチップヒュ
ーズと、そのようなチップ型ヒューズを効率的に製造す
る方法を提供すること。 【解決手段】電流制限素子の上下を囲む空隙を有するチ
ップフューズと、このようなチップ型フューズを製造す
るために、貫通孔を設けた絶縁基板に銅箔を貼り、回路
加工して、貫通孔を設けた絶縁基板を貼り、絶縁保護を
行なう方法。
ーズと、そのようなチップ型ヒューズを効率的に製造す
る方法を提供すること。 【解決手段】電流制限素子の上下を囲む空隙を有するチ
ップフューズと、このようなチップ型フューズを製造す
るために、貫通孔を設けた絶縁基板に銅箔を貼り、回路
加工して、貫通孔を設けた絶縁基板を貼り、絶縁保護を
行なう方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型フューズ
とその製造法に関する。
とその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ヒューズは、電子機器の過電流保護素子
として、従来から、電源回路等に多く使用されている。
この過電流保護装置には、ヒューズに限らず、サイリス
タやトランジスタを用いた電子スイッチを使用すること
もあるが、回路部品が増加し、あるいは、その保護回路
によって消費される電力も、機器が小型化され、電池で
動作されるものについては、大変な負担となるものであ
る。したがって、基板上に、ヒューズをはんだ付けした
り、あるいは、ヒューズ止め具をはんだ付けしたりして
使用していたが、どんなに小型化されても、ヒューズの
搭載に占める面積が大きく、小型化のネックとなってい
た。
として、従来から、電源回路等に多く使用されている。
この過電流保護装置には、ヒューズに限らず、サイリス
タやトランジスタを用いた電子スイッチを使用すること
もあるが、回路部品が増加し、あるいは、その保護回路
によって消費される電力も、機器が小型化され、電池で
動作されるものについては、大変な負担となるものであ
る。したがって、基板上に、ヒューズをはんだ付けした
り、あるいは、ヒューズ止め具をはんだ付けしたりして
使用していたが、どんなに小型化されても、ヒューズの
搭載に占める面積が大きく、小型化のネックとなってい
た。
【０００３】そこで、特開昭６０−１４３５４４号公報
にも開示されているように、セラミック基体に、第１層
に銀または銀−パラジウム、第２層にニッケル層、第３
層にはんだまたは錫の３層の導電層を形成し、はんだ付
け時の溶断特性を向上したものが知られている。また、
この公報には、導電層表面をシリコン樹脂等の不燃性樹
脂で被覆することも開示されている。
にも開示されているように、セラミック基体に、第１層
に銀または銀−パラジウム、第２層にニッケル層、第３
層にはんだまたは錫の３層の導電層を形成し、はんだ付
け時の溶断特性を向上したものが知られている。また、
この公報には、導電層表面をシリコン樹脂等の不燃性樹
脂で被覆することも開示されている。
【０００４】絶縁基板の端面において、ほぼ半円筒形状
に窪みを有する構造は、実公昭５５−２５６５号公報
に、チップ状抵抗素子の電極を構成するために用いるこ
とが知られている。
に窪みを有する構造は、実公昭５５−２５６５号公報
に、チップ状抵抗素子の電極を構成するために用いるこ
とが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、セラミック
基体に、ヒューズ素子を設けたものは、セラミック基体
の熱抵抗が小さく、例え、前記特開昭６０−１４３５４
４号公報に開示されているように、不燃性の樹脂で、ヒ
ューズ素子を覆ったとしても、放熱性が高く、周囲の温
度によって、溶断する電流値がばらつくことが多いとい
う課題がある。
基体に、ヒューズ素子を設けたものは、セラミック基体
の熱抵抗が小さく、例え、前記特開昭６０−１４３５４
４号公報に開示されているように、不燃性の樹脂で、ヒ
ューズ素子を覆ったとしても、放熱性が高く、周囲の温
度によって、溶断する電流値がばらつくことが多いとい
う課題がある。
【０００６】また、ヒューズ素子の形状は、特開昭６３
−１４１２３３号公報に開示されているように、印刷ま
たはめっきによって行われていたが、このヒューズ素子
の成形精度、特に、厚さの制御を行うことが、困難であ
り、ヒューズ素子の抵抗値のばらつきを３０％以内に納
めることは困難であった。
−１４１２３３号公報に開示されているように、印刷ま
たはめっきによって行われていたが、このヒューズ素子
の成形精度、特に、厚さの制御を行うことが、困難であ
り、ヒューズ素子の抵抗値のばらつきを３０％以内に納
めることは困難であった。
【０００７】次に、実公昭５５−２５６５号公報に、チ
ップ状抵抗素子の電極を構成する方法が知られている
が、セラミック基体上にヒューズ素子を設け、その上部
に凹部を設けたものは、ヒューズ素子底面部に位置した
セラミック基体の熱抵抗が低く、溶断時の発熱によりヒ
ューズ素子外表面の温度が過剰に上昇すること、溶断時
に溶断残査がセラミック基体上に残り、絶縁劣化を起す
等の課題がある。また、抵抗値が一定なら溶断する電流
値が高くなり、溶断電流が一定ならヒューズ抵抗が高く
なるという課題がある。
ップ状抵抗素子の電極を構成する方法が知られている
が、セラミック基体上にヒューズ素子を設け、その上部
に凹部を設けたものは、ヒューズ素子底面部に位置した
セラミック基体の熱抵抗が低く、溶断時の発熱によりヒ
ューズ素子外表面の温度が過剰に上昇すること、溶断時
に溶断残査がセラミック基体上に残り、絶縁劣化を起す
等の課題がある。また、抵抗値が一定なら溶断する電流
値が高くなり、溶断電流が一定ならヒューズ抵抗が高く
なるという課題がある。
【０００８】本発明は、素子の溶断特性と成形精度に優
れたチップヒューズと、そのようなチップ型ヒューズを
効率的に製造する方法を提供することを目的とするもの
である。
れたチップヒューズと、そのようなチップ型ヒューズを
効率的に製造する方法を提供することを目的とするもの
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型ヒュー
ズは、電流制限回路と、電流制限回路に接続された端子
部と、電流制限素子の上下を囲む空隙と、空隙を有する
絶縁材料と、その空隙を有する絶縁材料を囲む保護皮膜
とからなり、前記電流制限回路、空隙を有する絶縁材
料、および保護皮膜が層状に形成され、端子部が全体の
端部に設けられたことを特徴とする。
ズは、電流制限回路と、電流制限回路に接続された端子
部と、電流制限素子の上下を囲む空隙と、空隙を有する
絶縁材料と、その空隙を有する絶縁材料を囲む保護皮膜
とからなり、前記電流制限回路、空隙を有する絶縁材
料、および保護皮膜が層状に形成され、端子部が全体の
端部に設けられたことを特徴とする。
【００１０】このようなチップ型フューズを製造するに
は、図３（ａ）に示すように、絶縁板１１の片面に熱硬
化性樹脂の接着層１２を設けた後、一定間隔で複数の貫
通孔１３を設けた絶縁基板１の熱硬化性樹脂の接着層１
２の上に、銅箔６を加熱加圧して凹部を有する成形体７
を作成した後、図３（ｂ）及び（ｂ１）に示すように、
この成形体７の凹部を含む全面にエッチングレジスト１
８を設け、エッチングレジスト１８から露出した銅をエ
ッチング除去して所望のパターン６１を形成し、別途、
絶縁板２１の片面に熱硬化性樹脂の接着層２２を設けた
後、図３（ｃ）に示すように、前記貫通孔１３と同じ間
隔で複数の貫通孔２３を設けた絶縁基板２の熱硬化性樹
脂の接着層２２が、前記パターン６１と接するように、
かつ、前記貫通孔１３と貫通孔２３とがほぼ重なるよう
に重ねた後、図３（ｄ）に示すように、保護皮膜となる
絶縁板３１の片面に熱硬化性樹脂の接着層３２を設け他
方の面に銅箔３６を設けた絶縁基板３を２枚、接着層３
２が内側となるように前記絶縁板１１および２１の上に
重ね、加熱加圧して積層一体化し、図３（ｅ）及び（ｅ
１）に示すように、前記貫通孔１３、２３とは異なる箇
所で、端子部を形成する箇所に複数の貫通孔４３を設
け、その銅箔３６の表面および貫通孔４３の内壁を金属
化し、さらにエッチングレジスト２８を設け、図３
（ｆ）に示すように、エッチングレジスト２８から露出
した銅をエッチング除去して所望のパターン６２を形成
した後、その貫通孔４３のほぼ中心から切断することに
よって可能である。
は、図３（ａ）に示すように、絶縁板１１の片面に熱硬
化性樹脂の接着層１２を設けた後、一定間隔で複数の貫
通孔１３を設けた絶縁基板１の熱硬化性樹脂の接着層１
２の上に、銅箔６を加熱加圧して凹部を有する成形体７
を作成した後、図３（ｂ）及び（ｂ１）に示すように、
この成形体７の凹部を含む全面にエッチングレジスト１
８を設け、エッチングレジスト１８から露出した銅をエ
ッチング除去して所望のパターン６１を形成し、別途、
絶縁板２１の片面に熱硬化性樹脂の接着層２２を設けた
後、図３（ｃ）に示すように、前記貫通孔１３と同じ間
隔で複数の貫通孔２３を設けた絶縁基板２の熱硬化性樹
脂の接着層２２が、前記パターン６１と接するように、
かつ、前記貫通孔１３と貫通孔２３とがほぼ重なるよう
に重ねた後、図３（ｄ）に示すように、保護皮膜となる
絶縁板３１の片面に熱硬化性樹脂の接着層３２を設け他
方の面に銅箔３６を設けた絶縁基板３を２枚、接着層３
２が内側となるように前記絶縁板１１および２１の上に
重ね、加熱加圧して積層一体化し、図３（ｅ）及び（ｅ
１）に示すように、前記貫通孔１３、２３とは異なる箇
所で、端子部を形成する箇所に複数の貫通孔４３を設
け、その銅箔３６の表面および貫通孔４３の内壁を金属
化し、さらにエッチングレジスト２８を設け、図３
（ｆ）に示すように、エッチングレジスト２８から露出
した銅をエッチング除去して所望のパターン６２を形成
した後、その貫通孔４３のほぼ中心から切断することに
よって可能である。
【００１１】また、一定間隔で複数の貫通孔１３を設け
た半硬化状の熱硬化性樹脂層１０２の上に、銅箔６を加
熱加圧して凹部を有する成形体７を作成した後、この成
形体７の凹部を含む全面にエッチングレジスト１８を設
け、エッチングレジスト１８から露出した銅をエッチン
グ除去して所望のパターン６１を形成し、別途、前記貫
通孔１３と同じ間隔で複数の貫通孔２３を設けた半硬化
状の熱硬化性樹脂層１０２が、前記パターン６１と接す
るように、かつ、前記貫通孔１３と貫通孔２３とがほぼ
重なるように重ねた後、保護皮膜となる半硬化状の熱硬
化性樹脂１０２の一方の面に銅箔３６を設けた絶縁基板
３を２枚、半硬化状の熱硬化性樹脂１０２が内側となる
ように前記半硬化状の熱硬化性樹脂１１および２１の上
に重ね、加熱加圧して積層一体化し、前記貫通孔１３、
２３とは異なる箇所で、端子部を形成する箇所に複数の
貫通孔４３を設け、その銅箔３６の表面および貫通孔４
３の内壁を金属化し、さらにエッチングレジスト２８を
設け、エッチングレジスト２８から露出した銅をエッチ
ング除去して所望のパターン６２を形成した後、その貫
通孔４３のほぼ中心から切断することによっても製造す
ることができる。
た半硬化状の熱硬化性樹脂層１０２の上に、銅箔６を加
熱加圧して凹部を有する成形体７を作成した後、この成
形体７の凹部を含む全面にエッチングレジスト１８を設
け、エッチングレジスト１８から露出した銅をエッチン
グ除去して所望のパターン６１を形成し、別途、前記貫
通孔１３と同じ間隔で複数の貫通孔２３を設けた半硬化
状の熱硬化性樹脂層１０２が、前記パターン６１と接す
るように、かつ、前記貫通孔１３と貫通孔２３とがほぼ
重なるように重ねた後、保護皮膜となる半硬化状の熱硬
化性樹脂１０２の一方の面に銅箔３６を設けた絶縁基板
３を２枚、半硬化状の熱硬化性樹脂１０２が内側となる
ように前記半硬化状の熱硬化性樹脂１１および２１の上
に重ね、加熱加圧して積層一体化し、前記貫通孔１３、
２３とは異なる箇所で、端子部を形成する箇所に複数の
貫通孔４３を設け、その銅箔３６の表面および貫通孔４
３の内壁を金属化し、さらにエッチングレジスト２８を
設け、エッチングレジスト２８から露出した銅をエッチ
ング除去して所望のパターン６２を形成した後、その貫
通孔４３のほぼ中心から切断することによっても製造す
ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に用いる、有機系絶縁基板
は、樹脂と強化繊維からなるベースと、その表面に設け
た熱硬化性樹脂層とからなるものを用いることが好まし
く、このベースに用いる樹脂は、エポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂から選
択されたものであり、強化繊維は、ガラス布、ガラス
紙、アミド布、アミド紙、から選択されたものであるこ
とが好ましい。
は、樹脂と強化繊維からなるベースと、その表面に設け
た熱硬化性樹脂層とからなるものを用いることが好まし
く、このベースに用いる樹脂は、エポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂から選
択されたものであり、強化繊維は、ガラス布、ガラス
紙、アミド布、アミド紙、から選択されたものであるこ
とが好ましい。
【００１３】また、熱硬化性樹脂は、シリコン樹脂、エ
ポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、あるいはポリイミド
系樹脂を用いることが好ましい。
ポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、あるいはポリイミド
系樹脂を用いることが好ましい。
【００１４】
実施例１ エポキシ樹脂ガラス布基材積層板（日立化成工業株式会
社製、商品名ＭＣＬ−Ｅ６７９）の片面に、熱硬化性樹
脂（日立化成工業株式会社製、商品名ＧＦ−３５００）
をラミネーターで仮圧着し、さらにＮ／Ｃマシン（日立
精工株式会社製、商品名ＭＡＲＫ−１００）を用いて貫
通孔明けを行い、次いでその上面に銅箔（日本電解株式
会社製、商品名ＹＧＲ−１２）を重ね、真空プレスを使
用して、圧力２９４×１０４Ｐａ（３０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2）、温度１７５℃、保持時間６０分の条件で、加熱
加圧して積層一体化し、次いで化学研磨を行い、また、
その銅箔表面に厚さ２５μｍの紫外線硬化型レジストフ
ィルム（日立化成工業株式会社製、商品名Ｈ−Ｋ４２
５）をラミネーターで圧着し、さらにその上面にポジ型
マスクを置き、紫外線露光装置で配線パターンを焼き付
けた。次いで、炭酸ナトリウム水溶液で現像し、さらに
硫酸電気銅めっきを施した後、水酸化ナトリウム水溶液
を用いてレジストを剥離した後、電着レジストを用い
て、紫外線硬化型レジストを電着形成し、さらにその上
面にネガ型マスクを置き、紫外線露光装置で感光した
後、炭酸ナトリウム水溶液で現像し、次いで、塩化第二
鉄エッチング装置にて、パターン形成を行った。
社製、商品名ＭＣＬ−Ｅ６７９）の片面に、熱硬化性樹
脂（日立化成工業株式会社製、商品名ＧＦ−３５００）
をラミネーターで仮圧着し、さらにＮ／Ｃマシン（日立
精工株式会社製、商品名ＭＡＲＫ−１００）を用いて貫
通孔明けを行い、次いでその上面に銅箔（日本電解株式
会社製、商品名ＹＧＲ−１２）を重ね、真空プレスを使
用して、圧力２９４×１０４Ｐａ（３０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2）、温度１７５℃、保持時間６０分の条件で、加熱
加圧して積層一体化し、次いで化学研磨を行い、また、
その銅箔表面に厚さ２５μｍの紫外線硬化型レジストフ
ィルム（日立化成工業株式会社製、商品名Ｈ−Ｋ４２
５）をラミネーターで圧着し、さらにその上面にポジ型
マスクを置き、紫外線露光装置で配線パターンを焼き付
けた。次いで、炭酸ナトリウム水溶液で現像し、さらに
硫酸電気銅めっきを施した後、水酸化ナトリウム水溶液
を用いてレジストを剥離した後、電着レジストを用い
て、紫外線硬化型レジストを電着形成し、さらにその上
面にネガ型マスクを置き、紫外線露光装置で感光した
後、炭酸ナトリウム水溶液で現像し、次いで、塩化第二
鉄エッチング装置にて、パターン形成を行った。
【００１５】エポキシ樹脂ガラス布基材積層板（日立化
成工業株式会社製、商品名ＭＣＬ−Ｅ６７９）の片面
に、熱硬化性樹脂（日立化成工業株式会社製、商品名Ｇ
Ｆ−３５００）をラミネーターで仮圧着し、さらにＮ／
Ｃドリルマシンを用いて貫通孔明けを行った。
成工業株式会社製、商品名ＭＣＬ−Ｅ６７９）の片面
に、熱硬化性樹脂（日立化成工業株式会社製、商品名Ｇ
Ｆ−３５００）をラミネーターで仮圧着し、さらにＮ／
Ｃドリルマシンを用いて貫通孔明けを行った。
【００１６】エポキシ樹脂ガラス布基材片面銅張積層板
（日立化成工業株式会社製、商品名ＭＣＬ−Ｅ６７９）
の片面に、熱硬化性樹脂（日立化成工業株式会社製、商
品名ＧＦ−３５００）をラミネーターで仮圧着し、さら
にＮ／Ｃドリルマシンを用いて貫通孔明けを行った。
（日立化成工業株式会社製、商品名ＭＣＬ−Ｅ６７９）
の片面に、熱硬化性樹脂（日立化成工業株式会社製、商
品名ＧＦ−３５００）をラミネーターで仮圧着し、さら
にＮ／Ｃドリルマシンを用いて貫通孔明けを行った。
【００１７】次いで、上記で得た材料に予め設けたピン
ラミネーション用ガイド孔を、ピンラミ治具によって位
置合わせし、重ねて、次いで真空プレスを用いて、圧力
２９４×１０４Ｐａ（３０ｋｇｆ／ｃｍ2）、温度１７
５℃、保持時間６０分の条件で加圧、加熱して積層し
た。
ラミネーション用ガイド孔を、ピンラミ治具によって位
置合わせし、重ねて、次いで真空プレスを用いて、圧力
２９４×１０４Ｐａ（３０ｋｇｆ／ｃｍ2）、温度１７
５℃、保持時間６０分の条件で加圧、加熱して積層し
た。
【００１８】次に、上記で得た積層板に、予め設けたパ
ターンガイドをＸ線単軸孔明け機により基準ガイド孔明
けを行い、次いでガイドを基準にＮ／Ｃドリルマシンを
用いて貫通孔明けを行った後、さらに、貫通孔及び銅箔
表面に硫酸銅電気めっきを施し、次いで化学研磨を行
い、さらに紫外線硬化型レジストフィルム（日立化成工
業株式会社製、商品名Ｈ−Ｋ４２５）を用いて、ラミネ
ーターにて加熱、加圧、さらにその上面にポジ型マスク
を置き、紫外線露光装置で配線パターンを焼き付けた。
次いで、炭酸ナトリウム水溶液で現像し、さらに電気は
んだめっきを施した後、水酸化ナトリウム水溶液を用い
てレジスト剥離した後、アルカリエッチングにてパター
ン形成を行った。
ターンガイドをＸ線単軸孔明け機により基準ガイド孔明
けを行い、次いでガイドを基準にＮ／Ｃドリルマシンを
用いて貫通孔明けを行った後、さらに、貫通孔及び銅箔
表面に硫酸銅電気めっきを施し、次いで化学研磨を行
い、さらに紫外線硬化型レジストフィルム（日立化成工
業株式会社製、商品名Ｈ−Ｋ４２５）を用いて、ラミネ
ーターにて加熱、加圧、さらにその上面にポジ型マスク
を置き、紫外線露光装置で配線パターンを焼き付けた。
次いで、炭酸ナトリウム水溶液で現像し、さらに電気は
んだめっきを施した後、水酸化ナトリウム水溶液を用い
てレジスト剥離した後、アルカリエッチングにてパター
ン形成を行った。
【００１９】このようにして作成した、チップ型ヒュー
ズ基板を、孔の個所及びヒューズ素子単位となるよう
に、ダイアモンドカッターで切断し、図６に示すような
チップ型フューズを得た。このチップ型ヒューズは、ヒ
ューズ素子の導体巾が約０．０８ｍｍで、抵抗値が約１
００ｍΩであった。また、その抵抗値のばらつきは、１
０％以内であり溶断時間も、２Ａで、２０秒であり、同
じ電流値での溶断時間は、いずれも５秒から３０秒以内
であった。
ズ基板を、孔の個所及びヒューズ素子単位となるよう
に、ダイアモンドカッターで切断し、図６に示すような
チップ型フューズを得た。このチップ型ヒューズは、ヒ
ューズ素子の導体巾が約０．０８ｍｍで、抵抗値が約１
００ｍΩであった。また、その抵抗値のばらつきは、１
０％以内であり溶断時間も、２Ａで、２０秒であり、同
じ電流値での溶断時間は、いずれも５秒から３０秒以内
であった。
【００２０】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によっ
て、溶断特性及びヒューズ素子の成形精度に優れたチッ
プ型ヒューズと、そのようなチップ型ヒューズを効率的
に製造する方法を提供することができた。
て、溶断特性及びヒューズ素子の成形精度に優れたチッ
プ型ヒューズと、そのようなチップ型ヒューズを効率的
に製造する方法を提供することができた。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例を説明するための分
解断面図であり、（ｂ）は断面図である。
解断面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の他の実施例を説明するための
分解断面図であり、（ｂ）は断面図である。
分解断面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例を説明す
るための各工程における断面図であり、（ｂ１）は
（ｂ）の上面図であり、（ｅ１）は（ｅ）の上面図であ
る。
るための各工程における断面図であり、（ｂ１）は
（ｂ）の上面図であり、（ｅ１）は（ｅ）の上面図であ
る。
１．絶縁基板 １１．絶縁板 １２．熱硬化性樹脂の接着層 １３．貫通孔１３ １８．エッチングレジスト １０２．半硬化状
の熱硬化性樹脂 ２１．絶縁板 ２２．熱硬化性樹
脂の接着層 ２３．貫通孔 ２８．エッチング
レジスト ３．絶縁基板 ３１．絶縁板 ３２．接着層 ３６．銅箔 ４３．貫通孔 ６．銅箔 ６１．パターン ６２．パターン ７．凹部を有する成形体
の熱硬化性樹脂 ２１．絶縁板 ２２．熱硬化性樹
脂の接着層 ２３．貫通孔 ２８．エッチング
レジスト ３．絶縁基板 ３１．絶縁板 ３２．接着層 ３６．銅箔 ４３．貫通孔 ６．銅箔 ６１．パターン ６２．パターン ７．凹部を有する成形体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 文夫 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内
Claims (3)
- 【請求項１】電流制限回路と、電流制限回路に接続され
た端子部と、電流制限素子の上下を囲む空隙と、空隙を
有する絶縁材料と、その空隙を有する絶縁材料を囲む保
護皮膜とからなり、前記電流制限回路、空隙を有する絶
縁材料、および保護皮膜が層状に形成され、端子部が全
体の端部に設けられたことを特徴とするチップ型フュー
ズ。 - 【請求項２】絶縁板(11)の片面に熱硬化性樹脂の接着層
(12)を設けた後、一定間隔で複数の貫通孔(13)を設けた
絶縁基板(1)の熱硬化性樹脂の接着層(12)の上に、銅箔
(6)を加熱加圧して凹部を有する成形体(7)を作成した
後、この成形体(7)の凹部を含む全面にエッチングレジ
スト(18)を設け、エッチングレジスト(18)から露出した
銅をエッチング除去して所望のパターン(61)を形成し、
別途、絶縁板(21)の片面に熱硬化性樹脂の接着層(22)を
設けた後、前記貫通孔(13)と同じ間隔で複数の貫通孔(2
3)を設けた絶縁基板(2)の熱硬化性樹脂の接着層(22)
が、前記パターン(61)と接するように、かつ、前記貫通
孔(13)と貫通孔(23)とがほぼ重なるように重ねた後、保
護皮膜となる絶縁板(31)の片面に熱硬化性樹脂の接着層
(32)を設け他方の面に銅箔(36)を設けた絶縁基板(3)を
２枚、接着層(32)が内側となるように前記絶縁板(11)お
よび(21)の上に重ね、加熱加圧して積層一体化し、前記
貫通孔(13)、(23)とは異なる箇所で、端子部を形成する
箇所に複数の貫通孔(43)を設け、その銅箔(36)の表面お
よび貫通孔(43)の内壁を金属化し、さらにエッチングレ
ジスト(28)を設け、エッチングレジスト(28)から露出し
た銅をエッチング除去して所望のパターン(62)を形成し
た後、その貫通孔(43)のほぼ中心から切断することを特
徴とするチップ型フューズの製造法。 - 【請求項３】一定間隔で複数の貫通孔(13)を設けた半硬
化状の熱硬化性樹脂層(102)の上に、銅箔(6)を加熱加圧
して凹部を有する成形体(7)を作成した後、この成形体
（７）の凹部を含む全面にエッチングレジスト（１８）
を設け、エッチングレジスト(18)から露出した銅をエッ
チング除去して所望のパターン(61)を形成し、別途、前
記貫通孔(13)と同じ間隔で複数の貫通孔(23)を設けた半
硬化状の熱硬化性樹脂層(102)が、前記パターン(61)と
接するように、かつ、前記貫通孔(13)と貫通孔(23)とが
ほぼ重なるように重ねた後、保護皮膜となる半硬化状の
熱硬化性樹脂(102)の一方の面に銅箔(36)を設けた絶縁
基板(3)を２枚、半硬化状の熱硬化性樹脂(102)が内側と
なるように前記半硬化状の熱硬化性樹脂(11)および(21)
の上に重ね、加熱加圧して積層一体化し、前記貫通孔(1
3)、(23)とは異なる箇所で、端子部を形成する箇所に複
数の貫通孔(43)を設け、その銅箔(36)の表面および貫通
孔(43)の内壁を金属化し、さらにエッチングレジスト(2
8)を設け、エッチングレジスト(28)から露出した銅をエ
ッチング除去して所望のパターン(62)を形成した後、そ
の貫通孔(43)のほぼ中心から切断することを特徴とする
チップ型フューズの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18260095A JPH0935614A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | チップ型フューズおよびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18260095A JPH0935614A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | チップ型フューズおよびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0935614A true JPH0935614A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16121129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18260095A Pending JPH0935614A (ja) | 1995-07-19 | 1995-07-19 | チップ型フューズおよびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0935614A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11120853A (ja) * | 1997-10-16 | 1999-04-30 | Nippon Technica Kk | 電源用サーマルプロテクタ |
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| KR100893500B1 (ko) * | 2008-03-21 | 2009-04-15 | 오리셀 주식회사 | 다공성 물질 구조를 가지는 마이크로 칩 퓨즈 및 그의 제조 방법 |
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| DE102010026091A1 (de) * | 2010-07-05 | 2012-01-05 | Hung-Chih Chiu | Überstromsicherung |
| JP2012018945A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | hong-zhi Qiu | 過電流保護素子 |
| WO2020136261A1 (de) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | Schurter Ag | Verfahren zur herstellung einer schmelzsicherung |
-
1995
- 1995-07-19 JP JP18260095A patent/JPH0935614A/ja active Pending
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| US11410826B2 (en) | 2018-12-27 | 2022-08-09 | Schurter Ag | Method for the production of a fuse |
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|---|---|---|---|
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