CN110809729A - 光学组件和光学组件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供能够实现可靠性的提高和成本降低的光学组件和光学组件的制造方法。光学组件(100)包括具有可动反射镜部(10)的反射镜单元(40)、产生作用于上述可动反射镜部的磁场的磁体部(50)和收纳上述磁体部的封装件(60)。上述磁体部具有包含力沿第1方向作用的第1磁体(51)和力沿第2方向作用的第2磁体(52、53)的海尔贝克结构。上述封装件(60)具有底壁部(61)、侧壁部(62)和限制上述第2磁体向上述第2方向的移动的限制部(63)。上述可动反射镜部配置在由磁体部的上表面(50a)和上述限制部(63)形成的空间中。

Description

光学组件和光学组件的制造方法

技术领域

本发明的一个方面涉及光学组件和光学组件的制造方法。

背景技术

在专利文献1中有记载反射镜装置。该反射镜装置包括反射镜结构体、下部磁性体和收纳它们的箱体。下部磁性体配置于在箱体的内侧设置的开口部的底面上。反射镜结构体配置在下部磁性体的上方。下部磁性体具有构成海尔贝克阵列的第1磁性部、第2磁性部和第3磁性部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2015/015664号

发明内容

发明所要解决的问题

在专利文献1中，也可以令构成下部磁性体的第1磁性部、第2磁性部和第3磁性部分别为不同的部件。在这种情况下，能够通过使用粘接树脂将对应第1磁性部、第2磁性部和第3磁性部的多个磁体相互粘接而构成下部磁性体。但是，仅这样用粘接树脂固定海尔贝克阵列的多个磁体时存在粘接界面剥离而磁体彼此分离的风险，在可靠性上存在改善的余地。此外，由于在使用粘接树脂的粘接工序中将海尔贝克阵列的多个磁体相互固定，可预见工时的增加以及成本的增大。

因此，本发明的一个方面的目的在于提供能够实现可靠性的提高和成本降低的光学组件和光学组件的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明的一个方面的光学组件包括：反射镜单元，其具有包含线圈的可动反射镜部；磁体部，其具有上表面和底面以及从上表面延伸至底面的侧面，产生作用于可动反射镜部的磁场；和收纳磁体部的封装件，磁体部具有包括第1磁体和第2磁体的海尔贝克结构，该第1磁体包含底面的第1区域且力沿从上表面向底面去的第1方向作用，该第2磁体包含上表面的第2区域且力沿从底面向上表面去的第2方向作用，封装件具有支承第1区域的底壁部、支承侧面的侧壁部、和通过覆盖第2区域的至少一部分而限制第2磁体向第2方向的移动的限制部，可动反射镜部配置在由上表面和限制部形成的空间中。

在该光学组件中，利用收纳于封装件的磁体部产生作用于反射镜单元的可动反射镜部的磁场。磁体部具有包含第1磁体和第2磁体的海尔贝克结构。在第1磁体，例如由于和第2磁体的磁场的相互作用，力在从磁体部的上表面向底面去的第1方向上作用。在第2磁体，力同样在从磁体部的底面向上表面去的第2方向上作用。与此相对，封装件通过底壁部至少支承构成磁体部的底面的第1磁体的第1区域，且利用限制部，通过覆盖构成磁体部的上表面的第2磁体的第2区域而限制其移动。此外，封装件通过侧壁部支承磁体部的侧面。即，在第1磁体和第2磁体，分别作用的力引起的相对移动被封装件限制。因此，维持第1磁体与第2磁体不分离，提高可靠性。此外，在将第1磁体与第2磁体进行组合时，能够避免必须使用粘接树脂的结构。因此，能够实现成本的降低。另外，通过将可动反射镜部配置在由磁体部的上表面和限制部形成的空间，能够使可动反射镜部接近磁体部的上表面，能够有效地利用磁体部的磁力。此外，通过使得可动反射镜部中含有的线圈配置在该空间内，能够更有效地利用磁体部的磁力。

在本发明的一个方面的光学组件中，也可以为如下结构：磁体部具有以夹着第1磁体的方式配置的一对第2磁体，一对第2磁体中的一个第2磁体包含第2区域的第1边部分和第2边部分，限制部覆盖第1边部分和第2边部分中的至少一部分。在这种情况下，能够通过必要最低限度的限制部的结构限制一对第2磁体中的一个磁体的移动，从而提高可靠性。

在本发明的一个方面的光学组件中，也可以为如下结构：一对第2磁体中的另一个第2磁体包含第2区域的第3边部分和第4边部分，限制部通过覆盖第3边部分中的至少一部分并且将第4边部分的至少一部分露出而形成配线的引出部。在这种情况下，能够通过必要最低限度的限制部的结构限制一对第2磁体中的另一个磁体的移动，从而提高可靠性。此外，能够使限制部作为配线的引出部发挥作用。

在本发明的一个方面的光学组件中，也可以为如下结构：限制部覆盖上表面的2个边部分各自的至少一部分。在这种情况下，能够通过简单的结构限制第2磁体的移动，提高可靠性。

在本发明的一个方面的光学组件中，也可以为如下结构：限制部覆盖上表面的4个边部分各自的至少一部分。在这种情况下，能够可靠地限制第2磁体的移动，提高可靠性。

在本发明的一个方面的光学组件中，也可以为如下结构：从与上表面交叉的方向看，在反射镜单元与限制部之间形成有间隙。在这种情况下，例如在封装件(限制部)产生的膨胀、收缩及冲击等的影响不易到达反射镜单元。此外，例如，在使用树脂将反射镜单元粘接于磁体部的上表面上时，能够将剩余的树脂放入该间隙。因此，能够高精度地控制处于反射镜单元与磁体部的上表面之间的树脂层的厚度。此外，能够与即使树脂的量多也能够通过将剩余的树脂放入间隙而将树脂形成得薄的量相应地，将可动反射镜部靠近磁体部，能够有效地利用磁体部的磁力。

在本发明的一个方面的光学组件中，也可以为如下结构：底壁部、侧壁部和限制部相互一体地形成。在这种情况下，能够可靠地提高可靠性并且降低成本。

在本发明的一个方面的光学组件中，也可以为如下结构：可动反射镜部包括可动部，沿着上表面的可动部的宽度小于第1区域的宽度。在这种情况下，能够使来自磁体部的比较平坦的强度分布的磁场作用于可动部。此外，因为来自磁体部的磁场为比较平坦的强度分布，容易将可动部与磁体部对位。

在本发明的一个方面的光学组件的制造方法中，包括：准备反射镜单元、封装件和磁体部的第1工序，该反射镜单元具有包含线圈的可动反射镜部，该磁体部收纳于封装件，具有上表面和底面以及从上表面延伸至底面的侧面；和在第1工序之后，在磁体部上配置上述反射镜单元的第2工序，磁体部具有包括第1磁体和第2磁体的海尔贝克结构，该第1磁体包含底面的第1区域且力沿从上表面向底面去的第1方向作用，该第2磁体包含上表面的第2区域且力沿从底面向上表面去的第2方向作用，封装件具有支承第1区域的底壁部、支承侧面的侧壁部、和通过覆盖第2区域的至少一部分而限制第2磁体向第2方向的移动的限制部，在第2工序中，在由上表面和限制部形成的空间中配置可动反射镜部。

在该制造方法中，在第1工序中，准备反射镜单元和收纳于封装件的磁体部，在第2工序中，在其磁体部上配置反射镜单元。磁体部具有包含第1磁体和第2磁体的海尔贝克结构。在第1磁体，例如由于第2磁体的磁场的相互作用，力在从磁体部的上表面向底面去的第1方向上作用。在第2磁体，力同样在从磁体部的底面向上表面去的第2方向上作用。与此相对，封装件通过底壁部至少支承构成磁体部的底面的第1磁体的第1区域，且利用限制部，通过覆盖构成磁体部的上表面的第2磁体的第2区域而限制其移动。此外，封装件通过侧壁部支承磁体部的侧面。即，在第1磁体和第2磁体，分别作用的力引起的相对移动被封装件限制。因此，维持第1磁体与第2磁体不分离，提高可靠性。此外，在将第1磁体与第2磁体进行组合时，能够避免必须使用粘接树脂的结构。因此，能够实现成本的降低。进一步，在第2工序中，将可动反射镜部配置在由磁体部的上表面与封装件的限制部形成的空间，因此能够提高可动反射镜部相对于磁体部的位置精度。另外，通过将可动反射镜部配置在由磁体部的上表面和限制部形成的空间，能够使可动反射镜部接近磁体部的上表面，能够有效地利用磁体部的磁力。此外，通过使得可动反射镜部中含有的线圈配置在该空间内，能够更有效地利用磁体部的磁力。

发明的效果

根据本发明的一个方面，能够提供能够实现可靠性的提高和成本降低的光学组件和光学组件的制造方法。

附图说明

图1是表示本实施方式的光学组件的立体图。

图2是图1所示的光学组件的俯视图。

图3是沿图2的III-III线的示意的截面图。

图4是图1所示的MEMS反射镜的俯视图。

图5是表示磁体部和封装件的图。

图6是表示变形例的封装件的图。

图7是表示变形例的封装件的图。

图8是表示变形例的封装件的图。

图9是表示变形例的封装件的图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的一个方面的一个实施方式进行详细说明。另外，在各图中，有时对相同的要素彼此或相当的要素彼此标注彼此相同的附图标记，省略重复的说明。

图1是表示本实施方式的光学组件的立体图。图2是图1所示的光学组件的俯视图。图3是沿图2的III-III线的示意的截面图。图5是表示磁体部和封装件的图。图1～3、5所示的光学组件100包括反射镜单元40、磁体部50和封装件60。反射镜单元40具有电磁驱动方式的MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微电子机械系统)反射镜1和收纳MEMS反射镜1的反射镜封装件41。反射镜封装件41具有基部42、侧壁43和窗部44。

基部42例如以氮化铝或氧化铝等非磁性材料呈矩形板状地形成。侧壁43例如以氮化铝或氧化铝等非磁性材料呈矩形筒状地形成。窗部44例如通过在由玻璃等透光性材料形成的矩形板状的基材的两个表面形成反射防止膜而构成。窗部44以将侧壁43的一边开口气密地密封的方式，例如利用低熔点玻璃与侧壁43接合。基部42以将侧壁43的另一边开口气密地密封的方式，例如利用低熔点玻璃与侧壁43接合。窗部44和侧壁43的一边开口(即，由窗部44密封的开口)与基部42相对。基部42与侧壁43也可以以非磁性材料一体地形成。

MEMS反射镜1具有的支承部2例如利用树脂安装在基部42的内侧表面42a(基部42的表面中构成反射镜封装件41的内表面的面)。磁体部50例如利用树脂安装在基部42的外侧表面42b(基部42的表面中构成反射镜封装件41的外表面的面)。磁体部50隔着基部42与MEMS反射镜1具有的第1可动部3相对。关于磁体部50，在之后详述。

图4是图1所示的MEMS反射镜的俯视图。如图4所示，MEMS反射镜1具有支承部2和可动反射镜部10，该可动反射镜部10包括第1可动部(可动部)3、第2可动部(可动部)4、一对第1连结部5、一对第2连结部6和反射镜7。支承部2、第1可动部3、第2可动部4、一对第1连结部5和一对第2连结部6例如由硅一体地形成。

第1可动部3例如呈矩形板状地形成。第2可动部4以在从光轴方向A看时隔着间隙包围第1可动部3的方式，例如呈矩形环状地形成。支承部2以从光轴方向A看时隔着间隙包围第2可动部4的方式，例如呈矩形框状地形成。即，支承部2以从光轴方向A看时包围第1可动部3和第2可动部4的方式呈框状地形成。

第1可动部3以能够绕第1轴线X1揺动的方式，借助一对第1连结部5与第2可动部4连结。即，第1可动部3在支承部2以能够绕第1轴线X1揺动的方式被支承。第1可动部3包括第1部分31和第2部分32。第1部分31从光轴方向A看时例如呈圆形形成。第2部分32从光轴方向A看时例如呈矩形环状地形成。第1部分31从光轴方向A看时被第2部分32包围，通过多个(此处为2个)的连接部分33与第2部分32连接。即，在第1部分31与第2部分32之间，除多个连接部分33以外形成有间隙。

连接部分33例如，位于矩形的第2部分32的内缘中与第2轴线X2交叉的2个边的中央部。即，连接部分33在此处位于第2轴线X2上。第1部分31至少在沿着第2轴线X2的方向上与第2部分32连接即可。第2可动部4以能够绕第2轴线X2揺动的方式，借助一对第2连结部6与支承部2连结。即，第2可动部4在支承部2以能够绕第2轴线X2揺动的方式被支承。第1轴线X1和第2轴线X2与光轴方向A垂直，相互交叉(此处为相互正交)。另外，第1部分31也可以在从光轴方向A看时呈矩形或多角形地形成。此外，第1部分31也可以在从光轴方向A看时呈圆形(例如椭圆形)地形成。第2部分32也可以在从光轴方向A看时呈五角形以上的多角形环状或圆环状地形成。

一对第1连结部5在第1可动部3的第2部分32与第2可动部4之间的间隙、以夹着第1可动部3的方式配置在第1轴线X1上。各第1连结部5作为扭力杆发挥作用。一对第2连结部6在第2可动部4与支承部2之间的间隙、以夹着第2可动部4的方式配置在第2轴线X2上。各第2连结部6作为扭力杆发挥作用。

反射镜7设置在第1可动部3的第1部分31。反射镜7以包含第1轴线X1与第2轴线X2的交点的方式，在第1部分31的一个表面(窗部44侧的表面)形成。反射镜7例如由铝、铝系合金、金或银等金属材料呈圆形、楕圆形或矩形的膜状形成，反射镜7的中心在从光轴方向A看时和第1轴线X1与第2轴线X2的交点一致。这样，由于在借助多个连接部分33与第2部分32连接的第1部分31设置有反射镜7，因此即使第1可动部3以共振频率水平在第1轴线X1周围揺动，也能够抑制发生反射镜7挠曲等变形。

进一步，MEMS反射镜1具有第1驱动用线圈(线圈)11、第2驱动用线圈(线圈)12、配线15a、15b、配线16a、16b、电极垫21a、21b和电极垫22a、22b。另外，在图2中，为了便于说明，将第1驱动用线圈11和第2驱动用线圈12以一点划线表示，将配线15a、15b和配线16a、6b以实线表示。

第1驱动用线圈11设置在第1可动部3的第2部分32。第1驱动用线圈11在从光轴方向A看时的反射镜7的外侧的区域(即，第2部分32)螺旋形(涡旋形)卷绕多次。由磁体部50产生的磁场作用于第1驱动用线圈11。

第1驱动用线圈11配置于在第1可动部3的表面形成的槽内。即，第1驱动用线圈11埋入第1可动部3。第1驱动用线圈11的一端经配线15a与电极垫21a连接。配线15a从第1可动部3经一个第1连结部5、第2可动部4和一个第2连结部6延伸至支承部2。配线15a和电极垫21a例如由钨、铝、金、银、铜或铝系合金等金属材料一体地形成。另外，第1驱动用线圈11与配线15a相互连接。

第1驱动用线圈11的另一端经配线15b与电极垫21b连接。配线15b从第1可动部3经另一个第1连结部5、第2可动部4和另一个第2连结部6延伸至支承部2。配线15b和电极垫21b例如由钨、铝、金、银、铜或铝系合金等金属材料一体地形成。另外，第1驱动用线圈11与配线15b相互连接。

第2驱动用线圈12设置在第2可动部4。第2驱动用线圈12在第2可动部4螺旋形(涡旋形)卷绕多次。通过磁体部50产生的磁场作用于第2驱动用线圈12。第2驱动用线圈12配置于在第2可动部4的表面形成的槽内。即，第2驱动用线圈12埋入第2可动部4。

第2驱动用线圈12的一端经配线16a与电极垫22a连接。配线16a从第2可动部4经一个第2连结部6延伸至支承部2。配线16a和电极垫22a例如由钨、铝、金、银、铜或铝系合金等金属材料一体地形成。另外，第2驱动用线圈12与配线16a相互连接。

第2驱动用线圈12的另一端经配线16b与电极垫22b连接。配线16b从第2可动部4经另一个第2连结部6延伸至支承部2。配线16b和电极垫22b例如由钨、铝、金、银、铜或铝系合金等金属材料一体地形成。另外，第2驱动用线圈12与配线16b相互连接。

列举以上的MEMS反射镜1的可动反射镜部10的动作的例子。作为第1例，向第1驱动用线圈11施加高频率的驱动电流。此时，通过磁体部50产生的磁场作用于第1驱动用线圈11，因此在第1驱动用线圈11产生洛伦兹力。由此，第1可动部3例如以共振频率水平在第1轴线X1周围揺动。

此外，向第2驱动用线圈12施加固定的大小的驱动电流。此时，通过磁体部50产生的磁场作用于第2驱动用线圈12，因此在第2驱动用线圈12产生洛伦兹力。由此，第2可动部4例如根据驱动电流的大小在第2轴线X2周围转动，并在该状态下停止。由此，根据MEMS反射镜1，能够使来自规定的光源的光被反射镜7反射而进行扫描。在该第1例中，第1可动部3以共振频率揺动并且第2可动部4静态使用。

作为第2例，与第1例的第1可动部3的动作一样，通过向第1驱动用线圈11施加高频率的驱动电流使得第1可动部3根据共振频率揺动，并且通过向第2驱动用线圈12施加高频率的驱动电流使得第2可动部4根据共振频率揺动。这样，在该第2例中，第1可动部3和第2可动部4双方均按共振频率揺动。

作为第3例，与第1例的第2可动部4的动作一样，通过对第1驱动用线圈11施加固定大小的驱动电流，使得第1可动部3根据驱动电流的大小在第1轴线X1周围转动、停止，并且通过对第2驱动用线圈12施加固定大小的驱动电流，使得第2可动部4根据驱动电流的大小在第2轴线X2周围转动、停止。这样，在该第3例中，第1可动部3和第2可动部4双方均静态使用。

作为第4例，例如为未设置第2可动部4的情况等，通过向第1驱动用线圈11施加高频率的驱动电流，仅第1可动部3根据共振频率揺动。进一步，作为第5例，为同样的情况，通过对第1驱动用线圈11施加固定大小的驱动电流，使得第1可动部3根据驱动电流的大小在第1轴线X1周围转动、停止。在该第4例和第5例中，仅第1可动部3揺动或静态使用。另外，如图3所示，在基部42的内侧表面42a，以与第1可动部3和第2可动部4相对的方式形成有凹部42c。通过该凹部42c，第1可动部3和第2可动部4能够不干涉基部42地揺动。

再次参照图1～3、5。磁体部50产生作用于反射镜单元40(MEMS反射镜1)的磁场。磁体部50具有上表面50a、上表面50a相反侧的底面50b和从上表面50a延至伸底面50b而将上表面50a与底面50b相互连接的侧面50s。磁体部50呈多角形柱状。此处，磁体部50为六角柱状。因此，上表面50a和底面50b为六角形，侧面50s为六角形环状。上表面50a与底面50b相互大致平行。

磁体部50组合多个磁体而构成。此处，磁体部50包括第1磁体51和以夹着第1磁体的方式配置的一对第2磁体52、53。第1磁体51为以从上表面50a到达底面50b的方式延伸的多角形柱状(此处为四角柱状)。因此，第1磁体51的端面构成上表面50a和底面50b的一部分区域。更具体而言，第1磁体51包括上表面50a的区域51a和底面50b的区域(第1区域)51b。

第2磁体52、53分别为以从上表面50a到达底面50b的方式延伸的多角形柱状(此处为三角柱状)。因此，第2磁体52、53的端面构成上表面50a和底面50b的一部分区域。更具体而言，第2磁体52包括上表面50a的区域(第2区域)52a和底面50b的区域52b。此外，第2磁体53包括上表面50a的区域(第2区域)53a和底面50b的区域53b。此处，上表面50a由区域51a、52a、53a构成，底面50b由区域51b、52b、53b构成。

第2磁体52、53的区域52a、53a此处分别呈三角形。因此，第2磁体52的区域52a包括面向磁体部50的外侧的第1边部分52p和第2边部分52r。此外，第2磁体53的区域53a包括面向磁体部50的外侧的第3边部分53p和第4边部分53r。

第1磁体51和第2磁体52、53以使得各个磁极成为海尔贝克阵列的方式排列(即，磁体部50具有海尔贝克结构)。此处，第2磁体52以使得其第1磁极(例如N极)位于底面50b侧且其第2磁极(例如S极)位于上表面50a侧的方式配置。第2磁体53与第2磁体52反向地配置。即，第2磁体53以使得其第1磁极位于上表面50a侧且其第2磁极位于底面50b侧的方式配置。另一方面，第1磁体51以第2磁体53侧位于第1磁极且第2磁体52侧位于第2磁极的方式配置。

第1磁体51、第2磁体52、53以成为以上那样的磁极的配列的方式配置并组合。因此，由于磁极彼此的引力和斥力，力沿从上表面50a向底面50b去的第1方向D1作用于第1磁体51。另一方面，力沿从底面50b向上表面50a去的第2方向D2作用于第2磁体52、53。因此，需要具有用于一体地保持磁体部50的结构。在本实施方式中，封装件60具有该功能。

封装件60收纳磁体部50。包括底壁部61、侧壁部62和限制部63。底壁部61、侧壁部62和限制部63相互一体地形成。封装件60作为整体呈长方体形。底壁部61呈矩形的平板状。底壁部61与磁体部50的底面50b接触，支承底面50b。即，底壁部61支承第1磁体51的区域51b、第2磁体52的区域52b和第2磁体53的区域53b。

侧壁部62沿底壁部61的外缘立设。因此，此处侧壁部62为矩形环状。侧壁部62与磁体部50的侧面50s接触，支承侧面50s。

限制部63设置在侧壁部62的与底壁部61相反侧的端部。限制部63设置在侧壁部62的端部的一部分，从沿着侧壁部62的方向看呈大致U字形的框状地形成。限制部63以从侧壁部62伸出至上表面50a上的方式延伸。由此，限制部63与上表面50a的至少一部分接触，支承上表面50a。更具体而言，限制部63覆盖六角形状的上表面50a的3个边部分。特别是限制部63覆盖第2磁体52的区域52a的第1边部分52p的大部分(例如全部(以下相同))地进行支承，并且覆盖第2边部分52r的大部分地进行支承。

进一步，限制部63覆盖第2磁体53的区域53a的第3边部分53p的大部分地进行支承。不过，限制部63将第2磁体53的区域53a的第4边部分53r放开(不覆盖)，使其露出。该限制部63的放开部分63p如后述那样形成配线部的引出部。另外，此处限制部63覆盖第1磁体51的区域51a的4个角部中的3个角部。

这样，在封装件60中，底壁部61、侧壁部62和限制部63支承磁体部50的各面，由此机械上一体地保持磁体部50。如上所述，力沿从上表面50a向底面50b去的第1方向D1作用于第1磁体51。与此相对，在封装件60中，通过侧壁部62限制第1磁体51和第2磁体52、53的与第1方向D1交叉(正交)的面内的移动，并且通过底壁部61限制第1磁体51的向第1方向D1的移动。

另一方面，力沿从底面50b向上表面50a去的第2方向D2作用于第2磁体52、53。与此相对，在封装件60中，通过限制部63支承第2磁体52、53的区域52a、53a的一部分(第1边部分52p，第2边部分52r，第3边部分53p)。由此，限制部63限制第2磁体52、53的向第2方向D2的移动。其结果是，构成磁体部50的第1磁体51和第2磁体52、53的分离受到抑制，从而一体地保持磁体部50。

另外，以上的封装件60例如通过嵌件成型、在收纳有磁体部50的状态下一体成型。具体而言，在本例中，封装件60通过在将磁体部50配置于模具后以使得第1磁体51和第2磁体52、53不相互分离的方式进行保持、并且向模具导入树脂而一体成型。因此，在本例中，产生用于保持第1磁体51和第2磁体52、53的多个切口C。

即，封装件60通过嵌件成型而具有多个切口或多个孔等贯通部。这样，在一体形成封装件60(底壁部61、侧壁部62和限制部63)的情况下，例如与将分别构成的部件通过螺旋夹连接等进行固定的情况相比，能够将磁体部50位置精度更高地固定于封装件60。另外，封装件60的材料例如优选为分类为超级工程塑料或工程塑料的树脂，例如PPS(聚苯硫醚)、LCP(液晶聚合物)、PEEK(聚醚醚酮)等。进一步，封装件60的材料也可以为了提高机械强度或耐热性而被填料强化。

此处，反射镜单元40(即可动反射镜部10)配置在由磁体部50的上表面50a和限制部63形成的空间SP。更具体而言，磁体部50的上表面50a从与上表面50a交叉(正交)的方向看时，与限制部63重复的部分以外露出。由此，由上表面50a的露出部分和限制部63形成空间SP，反射镜单元40配置在该空间SP。在该状态下，通过粘接树脂R，反射镜单元40的基部42的外侧表面42b粘接于上表面50a。此外，此处反射镜单元40不与限制部63接触。因此，从与上表面50a交叉的方向看，在反射镜单元40与限制部63之间形成有间隙G。

此外，在磁体部50上配置有反射镜单元40的状态下，从与上表面50a交叉(正交)的方向看，至少MEMS反射镜1的可动反射镜部10位于第1磁体51的区域51a上。此外，沿着上表面50a的可动反射镜部10(即可动部)的宽度小于沿着上表面50a的第1磁体51的宽度。更具体而言，此处，沿着上表面50a的可动反射镜部10(此处为第2可动部4(可动部))的尺寸的最大值小于区域51a的尺寸的最小值。因此，可动反射镜部10整个位于区域51a上。由此，能够使比较平坦的强度分布的磁场作用于第1驱动用线圈11和第2驱动用线圈12。此外，通过使得可动部(第1可动部3和第2可动部4)的宽度小于第1磁体51的宽度，成为比较平坦的强度分布的磁场，因此容易使可动部与磁体部50对位。进一步，通过使得可动反射镜部10的宽度小于第1磁体51的宽度，强度分布变得平坦的区域变宽，因此更加容易进行对位。

此外，光学组件100进一步包括连接器70和与连接器70连接的配线部71。连接器70埋设于封装件60的侧壁部62内。配线部71从连接器70延伸出来，通过限制部63的放开部分63p导入空间SP内，与光学组件100(例如基部42)连接。由此，在配线部71，例如通过线缆W与MEMS反射镜1电连接。这样，封装件60的放开部分63p形成配线部71的引出部。

接着，说明光学组件100的制造方法。在该制造方法中，首先，准备反射镜单元40、封装件60和收纳在封装件60中的磁体部50(第1工序)。然后，在磁体部50上配置反射镜单元40的(第2工序)。此时，在配置反射镜单元40的工序中，在由磁体部50的上表面50a和封装件60的限制部63形成的空间SP配置反射镜单元40。此外，此时使反射镜单元40不与限制部63接触(即，在反射镜单元40与限制部63之间形成间隙G)。然后，将反射镜单元40粘接至磁体部50，由此构成光学组件100。

如以上说明的那样，在光学组件100中，由收纳在封装件60中的磁体部50产生作用于可动反射镜部10(第1驱动用线圈11和第2驱动用线圈12)的磁场。磁体部50具有包括第1磁体51和第2磁体52、53的海尔贝克结构。在第1磁体51，例如通过与第2磁体52、53的磁场的相互作用，力在从磁体部50的上表面50a向底面50b去的第1方向D1上作用。在第2磁体52、53，力同样在从磁体部50的底面50b向上表面50a去的第2方向D2上作用。

与此相对，封装件60通过底壁部61，至少支承构成磁体部50的底面50b的第1磁体51的区域51b，且通过限制部63，通过覆盖构成磁体部50的上表面50a的第2磁体52、53的区域52a、53a而限制其移动。此外，封装件60通过侧壁部62支承磁体部50的侧面。即，在第1磁体51和第2磁体52、53，分别作用的力引起的相对移动被封装件60限制。因此，维持第1磁体51与第2磁体52、53不分离，提高可靠性。此外，在将第1磁体51与第2磁体52、53组合时，避免需要粘接树脂的结构。因此，能够降低成本。

另外，在光学组件100，通过将可动反射镜部10配置在由磁体部50的上表面50a与限制部63形成的空间SP，能够使可动反射镜部10接近磁体部50的上表面50a，能够有效地利用磁体部50的磁力效率。此外，通过在该空间SP内配置第1驱动用线圈11和第2驱动用线圈12，能够更有效地利用磁体部50的磁力。另外，第1驱动用线圈11和第2驱动用线圈12也可以不配置在空间SP内。此外，在空间SP内配置可动反射镜部10时，在可动部朝向磁体部50的上表面50a侧成为最大移位(摆角)时可动部的一部分处于空间SP内即可。

此外，在光学组件100中，磁体部50具有以夹着第1磁体51的方式配置的一对第2磁体52、53，一对第2磁体52、53中的一个第2磁体52包括区域52a的第1边部分52p和第2边部分52r。而且，限制部63覆盖第1边部分52p和第2边部分52r中的至少一部分。这样，能够以必要最低限度的限制部63的结构限制一对第2磁体52、53中的一个第2磁体的移动，提高可靠性。

此外，在光学组件100中，一对第2磁体52、53中的另一个第2磁体53包括区域53a的第3边部分53p和第4边部分53r。而且，限制部63覆盖第3边部分53p中的至少一部分并且将第4边部分53r的至少一部分露出，由此形成配线部71的引出部。这样，能够以必要最低限度的限制部63的结构限制一对第2磁体52、53中的另一个移动，提高可靠性。此外，能够将限制部63作为配线部71的引出部发挥作用。

此外，在光学组件100中，限制部63覆盖磁体部50的上表面50a的2个边部分(例如第1边部分52p和第3边部分53p)各自的至少一部分。因此，能够以简单的结构限制第2磁体52、53的移动，提高可靠性。

此外，在光学组件100中，从与上表面50a交叉的方向看，在反射镜单元40与限制部63之间形成有间隙G。因此，例如在封装件60(限制部63)产生膨胀、收缩及冲击等的影响不易到达反射镜单元40。此外，例如在使用树脂将反射镜单元40粘接于磁体部50的上表面50a上时，能够将剩余的树脂放入该间隙G。因此，能够高精度地控制处于反射镜单元40与磁体部50的上表面50a之间的树脂层的厚度。

进一步，在光学组件100中，底壁部61、侧壁部62和限制部63相互一体地形成。因此，能够可靠地提高可靠性而降低成本。

以上的实施方式是对本发明的一个方面的光学组件及其制造方法的一实施方式的说明。因此，本发明的一个方面的光学组件及其制造方法并不限定于上述内容，而能够任意地变更。

例如，封装件60能够为图6所示的封装件60A。在封装件60A中，限制部63覆盖第2磁体52的区域52a的第1边部分52p的大部分(此处为全部)地进行支承，并且将第2边部分52r放开、使其露出。此外，此处限制部63覆盖第2磁体53的区域53a的第3边部分53p的大部分(此处为全部)地对其进行支承，并且将第4边部分53r放开、使其露出。

此外，封装件60能够为图7所示的封装件60B。在封装件60B中，限制部63覆盖第2磁体52的区域52a的第1边部分52p和第2边部分52r的大部分(此处为全部)地进行支承，并且覆盖第2磁体53的区域53a的第3边部分53p和第4边部分53r的大部分(此处为全部)地进行支承。即，此处，限制部63支承区域52a、53a的面向外侧的所有边部分。由此，此处限制部63覆盖磁体部50的上表面50a的4个边部分。因此，能够可靠地限制第2磁体52、53的移动，提高可靠性。

此外，封装件60能够为图8的(a)所示的封装件60C。封装件60C进一步包括从底壁部61向外侧突出设置的板状的第1凸缘部64和从侧壁部62向外侧突出设置的板状的第2凸缘部65。在第1凸缘部64形成有多个贯通孔64h，在第2凸缘部65形成有多个贯通孔65h。在这种情况下，能够通过利用贯通孔64h、65h将光学组件100容易地安装在其它装置。

此外，封装件60能够为图8的(b)所示的封装件60D。该封装件60D具有与上述的封装件60B相同的限制部63的结构，且具有在侧壁部62埋设有多个配线部73的结构。配线部73向限制部63的顶面露出，成为垫74。

进一步，封装件60能够为图9所示的封装件60E、60F。这些封装件60E，60F并不通过一体成型，而分别构成底壁部61和侧壁部62的单元与限制部63。在封装件60E，矩形环状的限制部63通过螺钉等紧固部件66紧固于侧壁部62。在封装件60F，通过使得在矩形环状的限制部63设置的卡爪67卡止于侧壁部62，在侧壁部62固定限制部63。

在以上的封装件60～60F中，限制部63覆盖上表面50a的各边部分(例如第1边部分52p、第2边部分52r、第3边部分53p和第4边部分53r)的一部分即可。即，限制部63覆盖上表面50a的至少一部分即可，进一步，覆盖上表面50a中的各边部分的至少一部分即可。

另一方面，封装件60～60F的底壁部61也可以仅支承第1磁体51的区域51b，进一步，也可以仅支承区域51b的一部分。即，底壁部61可支承区域51b的至少一部分。此外，封装件60～60F的侧壁部62可支承磁体部50的侧面50s的至少一部分。

另外，在上述实施方式中，说明了利用粘接树脂R直接在磁体部50的上表面50a粘接反射镜单元40的情况。但是，在反射镜单元40与上表面50a之间，也可以设置有另外的层。例如，也可以为如下结构：封装件60包括覆盖整个上表面50a的被覆部，在上表面50a和被覆部上配置反射镜单元40。

此外，磁体部50的结构并不限定于上述的结构，既可以包含4个以上磁体，也可以由2个磁体构成。进一步，磁体彼此也可以在通过封装件60抑制机械分离的状态下，进一步通过粘接树脂相互粘接。

此外，在图1、3中，光学组件100的窗部44以随着从第2磁体52向第2磁体53去而靠近基部42的方式倾斜，不过窗部44的倾斜方向并不限定于此，而能够为任意的方向。

此外，在图1等中，在封装件60的底壁部61与侧壁部62相比处于下方的位置的状态下图示光学组件100。但是，光学组件100还能够令侧壁部62为下方地使用。即，上述实施方式的“底壁部”和“侧壁部”的表述并不限定相对于铅直方向的光学组件100的姿势。

此外，在上述实施方式中，作为可动反射镜部的一个例子说明了MEMS反射镜1的可动反射镜部10，不过该例示并不限定可动反射镜部的尺寸。

进一步，可动反射镜部并不限定于上述实施方式的可动反射镜部10的结构，1轴、2轴、利用扭力杆的单侧支承、双侧支承等只要是可动的结构就可以为任意的结构。

工业上的可利用性

能够提供能够实现可靠性的提高和成本降低的光学组件和光学组件的制造方法。

附图标记的说明

3 第1可动部(可动部)

4 第2可动部(可动部)

10 可动反射镜部

11 第1驱动用线圈(线圈)

12 第2驱动用线圈(线圈)

40 反射镜单元

50 磁体部

50a 上表面

50b 底面

50s 侧面

51 第1磁体

51b 区域(第1区域)

52、53 第2磁体

52a、53a 区域(第2区域)

52p 第1边部分

52r 第2边部分

53p 第3边部分

53r 第4边部分

60 封装件

61 底壁部

62 侧壁部

63 限制部

SP 空间

G 间隙

D1 第1方向

D2 第2方向。

Claims (9)

1.一种光学组件，其特征在于，包括：

反射镜单元，其具有包含线圈的可动反射镜部；

磁体部，其具有上表面和底面以及从所述上表面延伸至所述底面的侧面，产生作用于所述可动反射镜部的磁场；和

收纳所述磁体部的封装件，

所述磁体部具有包括第1磁体和第2磁体的海尔贝克结构，该第1磁体包含所述底面的第1区域且力沿从所述上表面向所述底面去的第1方向作用，该第2磁体包含所述上表面的第2区域且力沿从所述底面向所述上表面去的第2方向作用，

所述封装件具有支承所述第1区域的底壁部、支承所述侧面的侧壁部、和通过覆盖所述第2区域的至少一部分而限制所述第2磁体向所述第2方向的移动的限制部，

所述可动反射镜部配置在由所述上表面和所述限制部形成的空间中。

2.如权利要求1所述的光学组件，其特征在于：

所述磁体部具有以夹着所述第1磁体的方式配置的一对所述第2磁体，

所述一对第2磁体中的一个所述第2磁体包含所述第2区域的第1边部分和第2边部分，

所述限制部覆盖所述第1边部分和所述第2边部分中的至少一部分。

3.如权利要求2所述的光学组件，其特征在于：

所述一对第2磁体中的另一个所述第2磁体包含所述第2区域的第3边部分和第4边部分，

所述限制部通过覆盖所述第3边部分中的至少一部分并且将所述第4边部分的至少一部分露出而形成配线的引出部。

4.如权利要求1～3中的任一项所述的光学组件，其特征在于：

所述限制部覆盖所述上表面的2个边部分各自的至少一部分。

5.如权利要求1～4中的任一项所述的光学组件，其特征在于：

所述限制部覆盖所述上表面的4个边部分各自的至少一部分。

6.如权利要求1～5中的任一项所述的光学组件，其特征在于：

从与所述上表面交叉的方向看，在所述反射镜单元与所述限制部之间形成有间隙。

7.如权利要求1～6中的任一项所述的光学组件，其特征在于：

所述底壁部、所述侧壁部和所述限制部彼此一体地形成。

8.如权利要求1～7中的任一项所述的光学组件，其特征在于：

所述可动反射镜部具有可动部，

沿着所述上表面的可动部的宽度小于沿着所述上表面的所述第1磁体的宽度。

9.一种光学组件的制造方法，其特征在于，包括：

准备反射镜单元、封装件和磁体部的第1工序，该反射镜单元具有包含线圈的可动反射镜部，该磁体部收纳于所述封装件并具有上表面和底面以及从所述上表面延伸至所述底面的侧面；和

在第1工序之后在所述磁体部上配置所述反射镜单元的第2工序，

所述磁体部具有包括第1磁体和第2磁体的海尔贝克结构，该第1磁体包含所述底面的第1区域且力沿从所述上表面向所述底面去的第1方向作用，该第2磁体包含所述上表面的第2区域且力沿从所述底面向所述上表面去的第2方向作用，

所述封装件具有支承所述第1区域的底壁部、支承所述侧面的侧壁部、和通过覆盖所述第2区域的至少一部分而限制所述第2磁体向所述第2方向的移动的限制部，

在所述第2工序中，在由所述上表面和所述限制部形成的空间中配置所述可动反射镜部。

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