CN110785940B - 开关模块 - Google Patents

开关模块 Download PDF

Info

Publication number
CN110785940B
CN110785940B CN201880041685.0A CN201880041685A CN110785940B CN 110785940 B CN110785940 B CN 110785940B CN 201880041685 A CN201880041685 A CN 201880041685A CN 110785940 B CN110785940 B CN 110785940B
Authority
CN
China
Prior art keywords
band
filter circuit
filter
terminal
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880041685.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110785940A (zh
Inventor
山田贵之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN110785940A publication Critical patent/CN110785940A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110785940B publication Critical patent/CN110785940B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0458—Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02559—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of lithium niobate or lithium-tantalate substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0067—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands
    • H04B1/0075—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands using different intermediate frequencied for the different bands
    • H04B1/0078—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands using different intermediate frequencied for the different bands with a common intermediate frequency amplifier for the different intermediate frequencies, e.g. when using switched intermediate frequency filters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00—Modulated-carrier systems
    • H04L27/26—Systems using multi-frequency codes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Transceivers (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

开关模块(1A)切换同时使用第1频带及第2频带的第1状态、仅使用第1频带的第2状态、不使用第1频带及第2频带的任意频带的第3状态，具备滤波器(13A、13B、14X)和天线开关(12)，在第1状态下，共用端子(12c)与滤波器(13A及13B)被连接，共用端子(12c)与滤波器(14X)不被连接，在第2状态下，共用端子(12c)与滤波器(13A及14X)被连接，共用端子(12c)与滤波器(13B)不被连接。

Description

开关模块
技术领域
本发明涉及用于无线通信的开关模块。
背景技术
对近年来的移动电话，要求以一个终端对应多个频带及无线方式(多频化及多模化)。在对应多频化及多模化的前端电路中，要求即使在应用所谓的载波聚合(CA)方式的情况下，也在不使多个收发信号品质恶化的情况下进行高速处理，在该载波聚合方式中，在相同的天线中将不同频带的多个发送信号或者多个接收信号同时用作为一个通信信号。
在专利文献1中，公开了一种电子电路，具备选择与天线连接的端口A～D的开关、与端口A～D之中的端口A～C对应连接的三个双工器、和一端与端口D连接且另一端被接地的电感器。在上述电子电路中，在三个双工器之中的两个双工器的发送及接收的至少一方被同时进行的情况下，选择开关的端口A～C之中的两个端口和端口D。换句话说，成为两个双工器与电感器被连接于共用端子的结构。通过该连接结构，能够设为以下结构：在两个双工器之中的一个双工器的通带，从开关观察的情况下，另一个双工器被断开，在另一个双工器的通带，从开关观察的情况下，一个双工器被断开。因此，能够提供能得到良好的频率特性的电子电路。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开2015-23557号公报
发明内容
-发明要解决的课题-
但是，在专利文献1所述的电子电路中，在两个双工器被同时使用的情况下，阻抗匹配用的电感器与开关连接。另一方面，在三个双工器分别被单独使用的情况下，上述电感器不与开关连接。换句话说，上述电感器是仅两个双工器被同时使用的情况下必须的匹配用电路元件，存在与该电感器被附加相应地使电子电路庞大化的问题。
因此，本发明为了解决上述课题而作出，其目的在于，提供一种在能够同时使用不同频带的多个高频信号的系统中，即使使用的频带的选择变化，也能够抑制高频信号的传播损耗的恶化的小型的开关模块。
-解决课题的手段-
为了实现上述目的，本发明的一方式所涉及的开关模块能够对以下状态进行切换：
(1)使第1频带的高频信号和频带与该第1频带不同的第2频带的高频信号同时传播的第1状态；
(2)仅使所述第1频带的高频信号及所述第2频带的高频信号之中的所述第1频带的高频信号传播的第2状态；及
(3)不使所述第1频带的高频信号及所述第2频带的高频信号传播而使频带与所述第1频带及所述第2频带不同的第3频带的高频信号传播的第3状态，
其中，所述开关模块具备：
第1滤波器电路，使所述第1频带的高频信号选择性地通过；
第2滤波器电路，使所述第2频带的高频信号选择性地通过；
第3滤波器电路，使所述第3频带的高频信号选择性地通过；和
开关电路，具有：共用端子、与所述第1滤波器电路的一端连接的第1选择端子、与所述第2滤波器电路的一端连接的第2选择端子、及与所述第3滤波器电路的一端连接的第3选择端子，对所述第1选择端子、所述第2选择端子及所述第3选择端子的至少一个与所述共用端子的连接进行切换，
在所述第1状态下，所述共用端子与所述第1选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第2选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第3选择端子不被连接，
在所述第2状态下，所述共用端子与所述第1选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第2选择端子不被连接，并且所述共用端子与所述第3选择端子被连接。
由此，在仅第1频带及第2频带之中的第1频带被使用的单方使用模式下，在共用端子不仅连接第1滤波器电路也连接第3滤波器电路。因此，能够使上述单方使用模式下的第1滤波器电路的第1频带中的阻抗与使用第1频带及第2频带的双方的双方使用模式下的阻抗大致相等(接近)。因此，即使将开关电路的连接状态变更，也能够抑制共用端子处的阻抗的变化，因此能够抑制第1滤波器电路的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
此外，在第2状态下，使用第3状态下使用的第3滤波器电路，因此不需要新追加第1状态及第2状态下用于取得阻抗匹配的电路元件。因此，能够实现省空间化(小型化)。
此外，也可以从所述第3滤波器电路的所述一端观察所述第3滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的阻抗与从所述第2滤波器电路的所述一端观察所述第2滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的阻抗大致相等。
由此，在第1状态及第2状态之间，能够使从共用端子观察的第1滤波器电路的第1频带中的阻抗相等。因此，能够不取决于第1状态及第2状态地减少第1滤波器电路的第1频带中的插入损耗。
此外，也可以还具备：阻抗匹配电路，被连接到将所述第3滤波器电路与所述第3选择端子连结的信号路径，所述阻抗匹配电路使从所述第3选择端子观察所述第3滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的阻抗与从所述第2滤波器电路的所述一端观察所述第2滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的阻抗匹配。
由此，能够使从第3选择端子观察的第3滤波器电路单体的第1频带中的阻抗偏移。因此，即使在第3滤波器电路单体的第1频带中的阻抗与第2滤波器电路单体的第1频带中的阻抗不一致的情况下，也能够高精度地抑制与第1状态及第2状态的变更相应的共用端子处的阻抗的变化，能够高精度地抑制第1滤波器电路的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
此外，所述阻抗匹配电路也可以具有被连接在所述信号路径与接地之间的电容器。
由此，能够使从第3选择端子观察的第3滤波器电路单体的第1频带中的阻抗在等电导圆上顺时针地偏移。因此，即使在第3滤波器电路单体的第1频带中的阻抗与第2滤波器电路单体的第1频带中的阻抗不一致的情况下，也能够高精度地抑制与第1状态及第2状态的变更相应的共用端子处的阻抗的变化，能够高精度地抑制第1滤波器电路的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
此外，所述阻抗匹配电路也可以具有：电感器，被连接在所述第3滤波器电路的所述一端与所述第3选择端子之间。
由此，能够使从第3选择端子观察的第3滤波器电路单体的第1频带中的阻抗在等电阻圆上顺时针地偏移。因此，即使在第3滤波器电路单体的第1频带中的阻抗与第2滤波器电路单体的第1频带中的阻抗不一致的情况下，也能够高精度地抑制与第1状态及第2状态的变更相应的共用端子处的阻抗的变化，能够高精度地抑制第1滤波器电路的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
此外，也可以所述第3滤波器电路由利用在包含LiTaO3的压电体层中传播的漏波的声表面波谐振器构成，所述第3频带位于比所述第1频带更靠高频率侧的位置。
利用在包含LiTaO3的压电体层中传播的漏波的第3滤波器电路具有相比于比通带更靠高频侧的区域而低频侧区域的反射系数更大的特性。因此，通过使第3滤波器电路的上述低频侧区域与第1频带一致，能够更加减少第2状态下的第1滤波器电路的第1频带中的插入损耗。
此外，也可以所述第3滤波器电路由利用在包含LiNbO3的压电体层中传播的瑞利波的声表面波谐振器、或者利用体波的弹性波谐振器(体声波谐振器，Bulk Acoustic WaveResonator)构成。
由利用包含LiNbO3的压电体层中传播的瑞利波的声表面波谐振器、或者利用体波的弹性波谐振器构成的第3滤波器电路具有：在比通带更高频侧区域及低频侧区域的双方，反射系数较大的特性。因此，通过使第3滤波器电路的衰减频带与第1频带一致，能够更加减少第2状态下的第1滤波器电路的第1频带中的插入损耗。
此外，也可以从所述第3滤波器电路的所述一端观察所述第3滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的电容与从所述第2滤波器电路的所述一端观察所述第2滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的电容大致相等。
利用包含LiTaO3的压电体层中传播的漏波的弹性波谐振器、利用包含LiNbO3的压电体层中传播的瑞利波的声表面波谐振器、及利用体波的弹性波谐振器，根据其构造而具有电容性阻抗。因此，通过使上述单方使用模式下的第1滤波器电路的第1频带中的电容与使用第1频带及第2频带的双方的双方使用模式下的电容大致相等(接近)，能够使阻抗大致相等(接近)。因此，能够不取决于第1状态及第2状态地减少第1滤波器电路的第1频带中的插入损耗。
此外，也可以还具备：开关控制部，接受被用作为无线通信用的频带的选择信息，向所述开关电路输出基于所述选择信息的控制信号，所述开关控制部通过向所述开关电路输出所述控制信号，在所述第1状态下，使所述共用端子与所述第1选择端子连接，并且使所述共用端子与所述第2选择端子连接，并且将所述共用端子与所述第3选择端子设为不连接，在所述第2状态下，将所述共用端子与所述第1选择端子连接，并且将所述共用端子与所述第2选择端子设为不连接，并且将所述共用端子与所述第3选择端子连接。
由此，开关模块所具有的开关控制部通过从外部接受被用作为无线通信用的频带的选择信息，从而进行开关电路的切换，因此能够实现开关模块的高功能化、及伴随着控制信号的传输布线的缩短化的高速切换。
此外，也可以所述第1状态是载波聚合(CA)模式，所述第2状态是非载波聚合(非CA)模式。
由此，即使在被传输的信号的功率较大的载波聚合的运转中，CA模式及非CA模式的任意模式被选择的情况下，也能够减少信号的传播损耗，能够减少阻抗的不匹配造成的信号的反射。
此外，也可以所述第1滤波器电路是具备发送所述第1频带的信号的第1发送滤波器及接收所述第1频带的信号的第1接收滤波器的第1双工器，所述第2滤波器电路是具备发送所述第2频带的信号的第2发送滤波器及接收所述第2频带的信号的第2接收滤波器的第2双工器，所述第3滤波器电路是具备发送所述第3频带的信号的第3发送滤波器及接收所述第3频带的信号的第3接收滤波器的第3双工器。
由此，即使变更开关电路的连接状态，也能够抑制共用端子处的阻抗的变化，因此能够抑制第1双工器的发送频带及接收频带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
此外，本发明的一方式所涉及的开关模块能够对以下状态进行切换：
(1)使第1频带的高频信号、频带与该第1频带不同的第2频带的高频信号、及频带与所述第1频带及所述第2频带不同的第3频带的高频信号同时传播的第1状态；
(2)仅使所述第1频带、所述第2频带及所述第3频带之中的所述第2频带及所述第3频带的高频信号同时传播的第2状态；
(3)仅使所述第1频带、所述第2频带及所述第3频带之中的所述第1频带及所述第3频带的高频信号同时传播的第3状态；
(4)仅使所述第1频带、所述第2频带及所述第3频带之中的所述第3频带的高频信号传播的第4状态；
(5)不使所述第1频带、所述第2频带及所述第3频带的高频信号传播而使频带与所述第1频带、所述第2频带及所述第3频带不同的第4频带的高频信号传播的第5状态；及
(6)不使所述第1频带、所述第2频带及所述第3频带的高频信号传播而使频带与所述第1频带、所述第2频带、所述第3频带及所述第4频带不同的第5频带的高频信号传播的第6状态，
其中，所述开关模块具备：
第1滤波器电路，使所述第1频带的高频信号选择性地通过；
第2滤波器电路，使所述第2频带的高频信号选择性地通过；
第3滤波器电路，使所述第3频带的高频信号选择性地通过；
第4滤波器电路，使所述第4频带的高频信号选择性地通过；
第5滤波器电路，使所述第5频带的高频信号选择性地通过；和
开关电路，具有：共用端子、与所述第1滤波器电路的一端连接的第1选择端子、与所述第2滤波器电路的一端连接的第2选择端子、与所述第3滤波器电路的一端连接的第3选择端子、与所述第4滤波器电路的一端连接的第4选择端子、及与所述第5滤波器电路的一端连接的第5选择端子，对所述第1选择端子、所述第2选择端子、所述第3选择端子、所述第4选择端子及所述第5选择端子的至少一个与所述共用端子的连接进行切换，
在所述第1状态下，所述共用端子与所述第1选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第2选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第3选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第4选择端子不被连接，并且所述共用端子与所述第5选择端子不被连接，
在所述第2状态下，所述共用端子与所述第1选择端子不被连接，所述共用端子与所述第2选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第3选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第4选择端子被连接，所述共用端子与所述第5选择端子不被连接，
在所述第3状态下，所述共用端子与所述第1选择端子被连接，所述共用端子与所述第2选择端子不被连接，并且所述共用端子与所述第3选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第4选择端子不被连接，所述共用端子与所述第5选择端子被连接，
在所述第4状态下，所述共用端子与所述第1选择端子不被连接，所述共用端子与所述第2选择端子不被连接，并且所述共用端子与所述第3选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第4选择端子被连接，所述共用端子与所述第5选择端子被连接。
由此，在第1状态～第4状态下，即使变更开关电路的连接状态，也能够抑制共用端子处的阻抗的变化，因此能够抑制第1滤波器电路～第3滤波器电路的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
此外，在第2状态～第4状态下，使用第5状态下使用的第4滤波器电路及第6状态下使用的第5滤波器电路，因此不需要新追加第1状态～第4状态下用于进行阻抗匹配的电路元件。因此，能够实现省空间化及小型化。
-发明效果-
根据本发明，能够提供一种在能够同时使用不同频带的多个高频信号的系统中，即使使用的频带的选择变化，也能够抑制高频信号的传播损耗的恶化的小型的开关模块。
附图说明
图1A是实施例1所涉及的开关模块的连接状态1下的电路结构图。
图1B是实施例1所涉及的开关模块的连接状态2下的电路结构图。
图2A是比较例所涉及的开关模块的连接状态1下的电路结构图。
图2B是比较例所涉及的开关模块的连接状态2下的电路结构图。
图3是对对实施例1及比较例所涉及的开关模块的通过特性及反射特性进行比较的图表。
图4A是实施例2所涉及的开关模块的连接状态1下的电路结构图。
图4B是实施例2所涉及的开关模块的连接状态2下的电路结构图。
图5是对实施例2及比较例所涉及的开关模块的通过特性及反射特性进行比较的图表。
图6A是实施例3所涉及的开关模块的连接状态1下的电路结构图。
图6B是实施例3所涉及的开关模块的连接状态2下的电路结构图。
图6C是实施例3所涉及的开关模块的连接状态3下的电路结构图。
图6D是实施例3所涉及的开关模块的连接状态4下的电路结构图。
图7A是实施例4所涉及的开关模块的连接状态1下的电路结构图。
图7B是实施例4所涉及的开关模块的连接状态2下的电路结构图。
图8A是实施例5所涉及的开关模块的连接状态1下的电路结构图。
图8B是实施例5所涉及的开关模块的连接状态2下的电路结构图。
图9A是实施例6所涉及的开关模块的连接状态1下的电路结构图。
图9B是实施例6所涉及的开关模块的连接状态2下的电路结构图。
图10是对实施例2所涉及的开关模块的连接状态1及2下的阻抗的差异进行说明的史密斯圆图。
图11A是实施例6a所涉及的开关模块的连接状态1下的电路结构图。
图11B是实施例6a所涉及的开关模块的连接状态2下的电路结构图。
图12是对实施例2及实施例6a所涉及的开关模块的连接状态1及2下的阻抗的差异进行说明的史密斯圆图。
图13A是实施例6b所涉及的开关模块的连接状态1下的电路结构图。
图13B是实施例6b所涉及的开关模块的连接状态2下的电路结构图。
图14是对实施例2及实施例6b所涉及的开关模块的连接状态1及2下的阻抗的差异进行说明的史密斯圆图。
具体实施方式
以下，使用实施例及其附图来对本发明的实施方式详细进行说明。另外，以下说明的实施例均表示概括性或者具体性的例子。以下的实施例中所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，不是限定本发明的主旨。针对以下的实施例中的结构要素之中独立权利要求中未记载的结构要素，被说明为任意的结构要素。此外，附图所示的结构要素的大小或者大小的比不必严密。
(实施方式)
[1.实施例1所涉及的开关模块1A的电路结构]
图1A是实施例1所涉及的开关模块的连接状态1下的电路结构图。此外，图1B是实施例1所涉及的开关模块的连接状态2下的电路结构图。图1A及图1B中，表示实施例1所涉及的开关模块1A、天线元件2、接收信号放大电路4A、4B及4X、RF信号处理电路(RFIC：RadioFrequency Integrated Circuit，射频集成电路)3。开关模块1A、天线元件2、接收信号放大电路4A、4B及4X例如被配置于对应多模/多频的移动电话的前端部。
开关模块1A在对应多频及多模的无线通信系统中，被配置于天线元件2与接收信号放大电路4A、4B及4X之间。开关模块1A是对传播从多个频带选择的一个以上频带的接收信号的信号路径与天线元件2的连接进行切换的高频开关模块。在开关模块1A，为了对应多模/多频，设置多个用于将多个频带作为载波来接收无线信号的信号路径。进一步地，开关模块1A是在通过载波聚合(CA：Carrier Aggregation)方式及非CA方式来接收无线信号的情况下，对用于得到高频接收信号的最佳通过特性的信号路径进行切换的电路。
开关模块1A具备：天线匹配电路11、天线开关12、滤波器13A、13B及14X。
滤波器13A是使第1频带(图1A及图1B中为BandA)的高频(RF)接收信号选择性地通过的第1滤波器电路。第1频带例如示例LTE(Long Term Evolution)的Band1(接收频带：2110-2170MHz)。
滤波器13B是使频带与第1频带不同的第2频带(图1A及图1B中为BandB)的RF接收信号选择性地通过的第2滤波器电路。第2频带例如示例LTE的Band3(接收频带：1805-1880MHz)。在本实施例中，第2频带位于比第1频带更靠低频侧的位置。
滤波器14X是使频带与第1频带及第2频带不同的第3频带(图1A及图1B中为BandX)的RF信号选择性地通过的第3滤波器电路。第3频带例如示例LTE的Band30(接收频带：2350-2360MHz)。在本实施例中，第3频带位于比第1频带及第2频带更靠高频侧的位置。
天线开关12是具有与天线元件2连接的共用端子12c、与滤波器13A的一端连接的选择端子12s1(第1选择端子)、与滤波器13B的一端连接的选择端子12s2(第2选择端子)、及与滤波器14X的一端连接的选择端子12s3(第3选择端子)的开关电路。天线开关12通过上述结构，对选择端子12s1、12s2及12s3的至少一个与共用端子12c的连接进行切换。
天线匹配电路11是获取天线元件2与天线开关12的阻抗匹配的电路，在本实施例中，由连接于天线元件2及天线开关12的连接路径和接地的电感器构成。另外，天线匹配电路11也可以不是由上述电感器构成的电路，是由电容器及电感器构成的电路即可。
接收信号放大电路4A是对第1频带(BandA)的高频接收信号进行功率放大的低噪声放大器。接收信号放大电路4B是对第2频带(BandB)的高频接收信号进行功率放大的低噪声放大器。接收信号放大电路4X是对第3频带(BandX)的高频接收信号进行功率放大的低噪声放大器。
RF信号处理电路3是对通过天线元件2收发的高频信号进行处理的电路。具体而言，RF信号处理电路3通过降频转换等来对从天线元件2输入的高频信号(这里为高频接收信号)进行信号处理，将该信号处理而生成的接收信号向基带信号处理电路(BBIC)输出。此外，RF信号处理电路3通过升频转换等来对从基带信号处理电路(BBIC)输入的发送信号进行信号处理，将该信号处理而生成的高频信号(这里为高频发送信号)向发送侧信号路径输出。
通过上述电路结构，本实施例所涉及的开关模块1A至少能够切换以下状态：
(1)使第1频带的高频信号与第2频带的高频信号同时传播的第1状态(CA模式)；
(2)仅使第1频带的高频信号及第2频带的高频信号之中的第1频带的高频信号传播的第2状态(非CA模式)；
(3)不使第1频带的高频信号及第2频带的高频信号传播而使第3频带的高频信号传播的第3状态。
图1A所示的开关模块1A的连接状态1是上述第2状态，相当于仅单一的频带被选择的非CA模式。更具体而言，连接状态1(第2状态：非CA模式)是共用端子12c与选择端子12s1被连接、并且共用端子12c与选择端子12s2不被连接、并且共用端子12c与选择端子12s3被连接的状态。
图1B所示的开关模块1A的连接状态2是上述第1状态，相当于将第1频带的RF接收信号与第2频带的RF接收信号同时传播的CA模式。更具体而言，连接状态2(第1状态：CA模式)是共用端子12c与选择端子12s1被连接、并且共用端子12c与选择端子12s2被连接、并且共用端子12c与选择端子12s3不被连接的状态。
这里，从滤波器14X的一端(输入端子)观察滤波器14X单体的情况下的第1频带中的阻抗与从滤波器13B的一端(输入端子)观察滤波器13B单体的情况下的第1频带中的阻抗大致相等。
由此，在上述连接状态1(第2状态：非CA模式)下，在共用端子12c不仅连接滤波器13A也连接滤波器14X。因此，能够使上述连接状态1(第2状态：非CA模式)下的滤波器13A的第1频带的阻抗与连接状态2(第1状态：CA模式)下的滤波器13A的第1频带的阻抗大致相等(接近)。因此，即使将天线开关12的连接状态在连接状态1与连接状态2之间变更，也能够抑制共用端子12c处的阻抗的变化。由此，能够抑制滤波器13A的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
此外，在上述连接状态1(第2状态：非CA模式)下，由于使用以上述第3状态使用的滤波器14X，因此不需要新追加用于在上述第1状态及上述第2状态下进行阻抗匹配的电路元件。因此，能够实现开关模块1A的省空间化及小型化。
另外，在本实施例中，滤波器14X由利用包含LiTaO3的压电体层中传播的漏波的声表面波谐振器构成。此外，第3频带位于比第1频带更靠高频率侧的位置。利用包含LiTaO3的压电体层中传播的漏波(1eaky wave)的滤波器14X具有相比于比通带(第3频带)更靠高频侧的区域而低频侧区域的反射系数更大(Q值更高)的特性。因此，通过使滤波器14X的上述低频侧区域与第1频带一致，能够减少上述连接状态1(第2状态：非CA模式)下的滤波器13A的第1频带中的插入损耗。
此外，从滤波器14X的一端(输入端子)观察滤波器14X单体的情况下的第1频带中的电容与从滤波器13B的一端(输入端子)观察滤波器13B单体的情况下的第1频带中的电容大致相等。
利用包含LiTaO3的压电体层中传播的漏波的声表面波谐振器根据其构造，具有电容性阻抗。因此，通过使上述连接状态1(第2状态：非CA模式)下的滤波器13A的第1频带中的电容与上述连接状态2(第1状态：CA模式)下的电容大致相等(接近)，能够使阻抗大致相等(接近)。因此，能够不取决于第1状态及第2状态地减少滤波器13A的第1频带中的插入损耗。
在仅第1频带被选择的第2状态(非CA模式)下，取代未被选择的滤波器13B，与选择端子12s3连接的滤波器14X被连接于共用端子12c。因此，能够在不附加不必要的电感分量及电容分量的情况下，使第2状态(非CA模式)下的RF信号的通过特性与选择了第1频带及第2频带双方的CA模式中的RF信号的通过特性同等。因此，在可选择CA模式及非CA模式的系统中，即使是任意模式被选择的情况，也能够减少信号的传播损耗。
例如，配置在第1频带具有与滤波器13B的第1频带中的等效电容相同程度的电容的滤波器14X，以使得在第1频带是Band1及第2频带是Band3的系统中，在仅Band1被选择的非CA模式的情况下从共用端子12c观察滤波器电路侧的复阻抗与在Band1及Band3双方被选择的CA模式的情况下从共用端子12c观察滤波器电路侧的复阻抗相等即可。另外，在本实施例中，作为非CA模式，示例了仅第1频带被选择的情况，但本实施例所涉及的开关模块1A也能够应用于作为非CA模式仅第2频带被选择的系统。在仅第2频带被选择的非CA模式的情况下，只要配置在第2频带具有与滤波器13A的第2频带中的等效电容值同等的等效电容值的滤波器14X即可。
另外，本实施例所涉及的开关模块1A也可以具备接受被用作为无线通信用的第1频带及第2频带的选择信息并向天线开关12输出基于该选择信息的控制信号的开关控制部。在该情况下，开关控制部通过向天线开关12输出控制信号，在第1频带及第2频带之中的仅任意一个被选择的情况下，使共用端子12c与选择端子12s1及12s2之中的仅一个连接，并且使共用端子12c与选择端子12s3连接。由此，开关模块1A具有的开关控制部通过从外部接受上述选择信息从而进行天线开关12的切换，因此能够实现伴随着开关模块1A的高功能化及控制信号的传输布线的缩短化的高速切换。
或者，开关控制部也可以不包含于开关模块1A，也可以包含于RF信号处理电路3、或者与RF信号处理电路3的后级连接的基带信号处理电路。
[2.比较例所涉及的开关模块50的电路结构]
图2A是比较例所涉及的开关模块50的连接状态1(非CA模式)下的电路结构图。此外，图2B是比较例所涉及的开关模块50的连接状态2(CA模式)下的电路结构图。在图2A及图2B中，表示比较例所涉及的开关模块50、天线元件2、接收信号放大电路4A及4B、RF信号处理电路(RFIC)3。
本比较例所涉及的开关模块50相比于实施例1所涉及的开关模块1A，在未配置滤波器14X这方面不同。以下，针对开关模块50，对与开关模块1A的相同点省略说明，以不同点为中心来进行说明。
开关模块50具备：天线匹配电路51、天线开关52、滤波器13A及13B。
天线开关52是具有与天线元件连接的共用端子52c、与滤波器13A的一端连接的选择端子52s1、及与滤波器13B的一端连接的选择端子52s2的开关电路。天线开关52通过上述结构，对选择端子52s1及选择端子52s2的至少一个与共用端子52c的连接进行切换。
图2A所示的开关模块50的电路结构表示第1频带及第2频带之中作为传播RF接收信号的频带而选择了第1频带的情况下的连接状态1。如图2A所示，在连接状态1(非CA模式)下，天线开关52将共用端子52c与选择端子52s1连接。由此，在连接状态1下，形成天线元件2、天线开关52及滤波器13A被连接而构成的第1电路。
图2B所示的开关模块50的电路结构表示作为同时传播RF接收信号的频带，第1频带及第2频带双方被选择的情况下的连接状态2。如图2B所示，在连接状态2(CA模式)下，天线开关52将共用端子52c与选择端子52s1连接，并且将共用端子52c与选择端子52s2连接。由此，在连接状态2下，形成天线元件2、天线开关52、滤波器13A及13B被连接而构成的第2电路。
在连接状态2(CA模式)下的第2电路中，第1频带中的滤波器13B例如作为电容而发挥作用。这里，若从CA模式(图2B)向非CA模式(图2A)切换，与共用端子12c并联连接的滤波器的个数变化，则从共用端子12c观察滤波器电路的阻抗变化。因此，在比较例所涉及的开关模块50中，选择在CA模式(图2B)及非CA模式(图2A)的一个将阻抗匹配最佳化(牺牲另一个的阻抗匹配)、及调整为CA模式(图2B)及非CA模式(图2A)的中间阻抗匹配的任意一个。在任何情况下，都存在滤波器13A的反射特性及通过特性恶化的问题。
[3.实施例1及比较例所涉及的开关模块的特性比较]
图3是对实施例1及比较例所涉及的开关模块的通过特性及反射特性进行比较的图表。在图3的(a)中，表示连接状态1(非CA模式)下的滤波器13A的通过特性、及连接状态2(CA模式)下的滤波器13A的通过特性。另外，在连接状态2(CA模式)下，实施例1及比较例中的电路结构相同，因此滤波器13A的通过特性相同的(图3的虚线)。此外，在图3的(b)中，表示连接状态1(非CA模式)下的滤波器13A的反射特性、及连接状态2(CA模式)下的滤波器13A的反射特性。另外，在连接状态2(CA模式)下，实施例1及比较例中的电路结构相同，因此滤波器13A的反射特性相同的(图3的虚线)。
此外，实施例1所涉及的滤波器13A由将通带(第1频带)设为Band1的接收频带的声表面波谐振器构成。滤波器13B由将通带(第2频带)设为Band3的接收频带的声表面波谐振器构成。滤波器14X由将通带(第3频带)设为Band30的接收频带并利用包含LiTaO3的压电体层中传播的漏波的声表面波谐振器构成。
如图3的(b)所示，相比于连接状态2(CA模式)，连接状态1(非CA模式)的比较例所涉及的滤波器13A的通带中的反射损耗更小。这表示连接状态1(非CA模式)下的比较例所涉及的滤波器13A的通带的阻抗比连接状态2(CA模式)下的比较例所涉及的滤波器13A的通带的阻抗更从特性阻抗偏离。
伴随于此，如图3的(a)所示，相比于连接状态2(CA模式)，连接状态1(非CA模式)的比较例所涉及的滤波器13A的通带中的插入损耗更大。
与此相对地，如图3的(b)所示，实施例1所涉及的滤波器13A的通带中的反射损耗在连接状态2(CA模式)和连接状态1(非CA模式)下没有较大变化。这表示连接状态1(非CA模式)下的实施例1所涉及的滤波器13A的通带的阻抗与连接状态2(CA模式)下的实施例1所涉及的滤波器13A的通带的阻抗同样地，位于特性阻抗附近。
伴随于此，如图3的(a)所示，实施例1所涉及的滤波器13A的通带中的插入损耗在连接状态2(CA模式)及连接状态1(非CA模式)的双方良好，维持低损耗性。另外，在实施例1所涉及的滤波器13A中，连接状态1(非CA模式)的通带内的插入损耗比连接状态2(CA模式)小。认为这是由于在连接状态1(非CA模式)的情况下，在第1频带内反射特性(Q值)良好的滤波器14X被连接。
[4.实施例2所涉及的开关模块1B的电路结构]
图4A是实施例2所涉及的开关模块1B的连接状态1下的电路结构图。此外，图4B是实施例2所涉及的开关模块1B的连接状态2下的电路结构图。在图4A及图4B中，表示实施例2所涉及的开关模块1B、天线元件2、接收信号放大电路4A、4B及4Y、RF信号处理电路3。开关模块1B、天线元件2、接收信号放大电路4A、4B及4Y例如被配置于对应多模/多频的移动电话的前端部。本实施例所涉及的开关模块1B相比于实施例1所涉及的开关模块1A，仅与选择端子12s3连接的滤波器14Y的结构不同。以下，针对本实施例所涉及的开关模块1B，对与实施例1所涉及的开关模块1A的相同点省略说明，以不同点为中心来进行说明。
开关模块1B具备：天线匹配电路11、天线开关12、滤波器13A、13B及14Y。
滤波器13A是使第1频带(图4A及图4B中为BandA)的RF接收信号选择性地通过的第1滤波器电路。第1频带例如示例LTE的Band1(接收频带：2110-2170MHz)。
滤波器13B是使频带与第1频带不同的第2频带(图4A及图4B中为BandB)的RF接收信号选择性地通过的第2滤波器电路。第2频带例如示例LTE的Band3(接收频带：1805-1880MHz)。在本实施例中，第2频带位于比第1频带更靠低频侧的位置。
滤波器14Y是使频带与第1频带及第2频带不同的第3频带(图4A及图4B中为BandY)的RF信号选择性地通过的第3滤波器电路。第3频带例如示例LTE的Band25(接收频带：1930-1995MHz)。在本实施例中，第3频带位于第1频带与第2频带之间。
天线开关12是具有与天线元件2连接的共用端子12c、与滤波器13A的一端连接的选择端子12s1(第1选择端子)、与滤波器13B的一端连接的选择端子12s2(第2选择端子)、及与滤波器14Y的一端连接的选择端子12s3(第3选择端子)的开关电路。天线开关12通过上述结构，对选择端子12s1、12s2及12s3的至少一个与共用端子12c的连接进行切换。
接收信号放大电路4Y是对第3频带(BandY)的高频接收信号进行功率放大的低噪声放大器。
通过上述电路结构，本实施例所涉及的开关模块1B至少能够切换以下状态：
(1)使第1频带的高频信号与第2频带的高频信号同时传播的第1状态(CA模式)；
(2)仅使第1频带的高频信号及第2频带的高频信号之中的第1频带的高频信号传播的第2状态(非CA模式)；
(3)不使第1频带的高频信号及第2频带的高频信号传播而使第3频带的高频信号传播的第3状态。
图4A所示的开关模块1B的连接状态1是上述第2状态，相当于仅单一的频带被选择的非CA模式。更具体而言，连接状态1(第2状态：非CA模式)是共用端子12c与选择端子12s1被连接、并且共用端子12c与选择端子12s2不被连接、并且共用端子12c与选择端子12s3被连接的状态。
图4B所示的开关模块1B的连接状态2是上述第1状态，相当于将第1频带的RF接收信号与第2频带的RF接收信号同时传播的CA模式。更具体而言，连接状态2(第1状态：CA模式)是共用端子12c与选择端子12s1被连接、并且共用端子12c与选择端子12s2被连接、并且共用端子12c与选择端子12s3不被连接的状态。
这里，从滤波器14Y的一端(输入端子)观察滤波器14Y单体的情况下的第1频带中的阻抗与从滤波器13B的一端(输入端子)观察滤波器13B单体的情况下的第1频带中的阻抗大致相等。
由此，在上述连接状态1(第2状态：非CA模式)下，在共用端子12c不仅连接滤波器13A也连接滤波器14Y。因此，能够使上述连接状态1(第2状态：非CA模式)下的滤波器13A的第1频带的阻抗与连接状态2(第1状态：CA模式)下的滤波器13A的第1频带的阻抗大致相等(接近)。因此，即使将天线开关12的连接状态在连接状态1与连接状态2之间变更，也能够抑制共用端子12c处的阻抗的变化。由此，能够抑制滤波器13A的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
此外，在上述连接状态1(第2状态：非CA模式)下，使用在上述第3状态下使用的滤波器14Y，因此不需要新追加在上述第1状态及上述第2状态下用于进行阻抗匹配的电路元件。因此，能够实现开关模块1B的省空间化及小型化。
另外，在本实施例中，滤波器14Y由利用包含LiNbO3的压电体层中传播的瑞利波的声表面波谐振器、或者利用体波的弹性波谐振器(Bulk Acoustic Wave Resonator)构成。此外，第3频带位于第1频带与第2频带之间。由利用包含LiNbO3的压电体层中传播的瑞利波的声表面波谐振器、或者利用体波的弹性波谐振器构成的滤波器14Y具有在比通带(第3频带)更高频侧区域及低频侧区域的双方、反射系数较大(Q值较高)的特性。因此，通过使滤波器14Y的衰减频带与第1频带一致，能够减少上述连接状态1(第2状态：非CA模式)下的滤波器13A的第1频带中的插入损耗。
此外，从滤波器14Y的一端(输入端子)观察滤波器14Y单体的情况下的第1频带中的电容与从滤波器13B的一端(输入端子)观察滤波器13B单体的情况下的第1频带中的电容大致相等。
利用包含LiNbO3的压电体层中传播的瑞利波的声表面波谐振器、或者利用体波的弹性波谐振器根据其构造，具有电容性阻抗。因此，通过使上述连接状态1(第2状态：非CA模式)下的滤波器13A的第1频带中的电容与上述连接状态2(第1状态：CA模式)下的电容大致相等(接近)，能够使阻抗大致相等(接近)。因此，能够不取决于第1状态及第2状态地减少滤波器13A的第1频带中的插入损耗。
另外，在本实施例中，作为非CA模式示例了仅第1频带被选择的情况，但本实施例所涉及的开关模块1B也能够应用于作为非CA模式而仅第2频带被选择的系统。在仅第2频带被选择的非CA模式的情况下，配置在第2频带具有滤波器13A的第2频带中的等效电容值的滤波器14Y即可。
[5.实施例2及比较例所涉及的开关模块的特性比较]
图5是对实施例2及比较例所涉及的开关模块的通过特性及反射特性进行比较的图表。在图5的(a)中，表示连接状态1(非CA模式)下的滤波器13A的通过特性、及连接状态2(CA模式)下的滤波器13A的通过特性。另外，在连接状态2(CA模式)下，由于实施例2及比较例中的电路结构相同，因此滤波器13A的通过特性相同(图5的虚线)。此外，在图5的(b)中，表示连接状态1(非CA模式)下的滤波器13A的反射特性、及连接状态2(CA模式)下的滤波器13A的反射特性。另外，在连接状态2(CA模式)下，由于实施例2及比较例中的电路结构相同，因此滤波器13A的反射特性相同的(图5的虚线)。
此外，实施例2所涉及的滤波器13A由将通带(第1频带)设为Band1的接收频带的声表面波谐振器构成。滤波器13B由将通带(第2频带)设为Band3的接收频带的声表面波谐振器构成。滤波器14Y将通带(第3频带)设为Band25的接收频带，由利用包含LiNbO3的压电体层中传播的瑞利波的声表面波谐振器、或者利用体波的弹性波谐振器构成。
如图5的(b)所示，相比于连接状态2(CA模式)，连接状态1(非CA模式)的比较例所涉及的滤波器13A的通带中的反射损耗更小。这表示连接状态1(非CA模式)下的比较例的滤波器13A的通带中的阻抗比连接状态2(CA模式)下的比较例的滤波器13A的通带中的阻抗更从特性阻抗偏离。
伴随于此，如图5的(a)所示，相比于连接状态2(CA模式)，连接状态1(非CA模式)的比较例所涉及的滤波器13A的通带中的插入损耗更大。
与此相对地，如图5的(b)所示，实施例2所涉及的滤波器13A的通带中的反射损耗在连接状态2(CA模式)和连接状态1(非CA模式)下没有较大变化。这表示连接状态1(非CA模式)下的实施例2的滤波器13A的通带中的阻抗与连接状态2(CA模式)下的实施例2的滤波器13A的通带中的阻抗同样地，位于特性阻抗附近。
伴随于此，如图5的(a)所示，实施例2所涉及的滤波器13A的通带中的插入损耗在连接状态2(CA模式)及连接状态1(非CA模式)的双方良好，维持低损耗性。另外，在实施例2所涉及的滤波器13A中，连接状态1(非CA模式)的通带内的插入损耗比连接状态2(CA模式)小。认为这是由于在连接状态1(非CA模式)的情况下，在第1频带反射特性(Q值)良好的滤波器14Y被连接。
[6.实施例3所涉及的开关模块1C的电路结构]
图6A是实施例3所涉及的开关模块1C的连接状态1下的电路结构图。此外，图6B是实施例3所涉及的开关模块1C的连接状态2下的电路结构图。此外，图6C是实施例3所涉及的开关模块1C的连接状态3下的电路结构图。此外，图6D是实施例3所涉及的开关模块1C的连接状态4下的电路结构图。在图6A～图6D中，表示实施例3所涉及的开关模块1C、天线元件2、接收信号放大电路4A、4B、4C、4X及4Y、RF信号处理电路3。开关模块1C、天线元件2、接收信号放大电路4A、4B、4C、4X及4Y例如被配置于对应多模/多频的移动电话的前端部。本实施例所涉及的开关模块1C相比于实施例1所涉及的开关模块1A，伴随着同时使用的频带(band)最大为三个，天线开关22的选择端子数增加这方面不同。以下，针对本实施例所涉及的开关模块1C，对与实施例1所涉及的开关模块1A的相同点省略说明，以不同点为中心来进行说明。
开关模块1C具备：天线匹配电路11、天线开关22、滤波器13A、13B、13C、14X及14Y。
滤波器13A是使第1频带(图6A～图6D中为BandA)的RF接收信号选择性地通过的第1滤波器电路。第1频带例如示例LTE的Band1(接收频带：2110-2170MHz)。
滤波器13B是使频带与第1频带不同的第2频带(图6A～图6D中为BandB)的RF接收信号选择性地通过的第2滤波器电路。第2频带例如示例LTE的Band3(接收频带：1805-1880MHz)。在本实施例中，第2频带位于比第1频带更靠低频侧的位置。
滤波器13C是使频带与第1频带及第2频带不同的第3频带(图6A～图6D中为BandC)的RF接收信号选择性地通过的第3滤波器电路。第3频带例如示例LTE的Band7(接收频带：2620-2690MHz)。在本实施例中，第3频带位于比第1频带更靠高频侧的位置。
滤波器14X是使频带与第1频带、第2频带及第3频带不同的第4频带(图6A～图6D中为BandX)的RF信号选择性地通过的第4滤波器电路。第4频带例如示例LTE的Band30(接收频带：2350-2360MHz)。在本实施例中，第4频带位于比第1频带及第2频带更靠高频侧的位置，位于比第3频带更靠低频侧的位置。
滤波器14Y是使频带与第1频带、第2频带、第3频带及第4频带不同的第5频带(图6A～图6D中为BandY)的RF信号选择性地通过的第5滤波器电路。第5频带例如示例LTE的Band25(接收频带：1930-1995MHz)。在本实施例中，第5频带位于比第2频带更靠高频侧的位置，位于比第1频带、第3频带及第4频带更靠低频侧的位置。
天线开关22是具有与天线元件2连接的共用端子12c、与滤波器13A的一端连接的选择端子12s1(第1选择端子)、与滤波器13B的一端连接的选择端子12s2(第2选择端子)、与滤波器13C的一端连接的选择端子12s3(第3选择端子)、与滤波器14X的一端连接的选择端子12s4(第4选择端子)、及与滤波器14Y的一端连接的选择端子12s5(第5选择端子)的开关电路。天线开关22通过上述结构，对选择端子12s1、12s2、12s3、12s4及12s5的至少一个与共用端子12c的连接进行切换。
通过上述电路结构，本实施例所涉及的开关模块1C至少能够切换以下状态：
(1)使第1频带的高频信号、第2频带的高频信号和第3频带的高频信号同时传播的第1状态(3CA模式)；
(2)使第1频带的高频信号、第2频带的高频信号及第3频带的高频信号之中的仅第2频带及第3频带的高频信号同时传播的第2状态(2CA模式1)；
(3)使第1频带的高频信号、第2频带的高频信号及第3频带的高频信号之中的仅第1频带及第3频带的高频信号同时传播的第3状态(2CA模式2)；
(4)使第1频带的高频信号、第2频带的高频信号及第3频带的高频信号之中的仅第3频带的高频信号传播的第4状态(非CA模式)；
(5)不使第1频带的高频信号、第2频带的高频信号及第3频带的高频信号传播而使第4频带的高频信号传播的第5状态；
(6)不使第1频带的高频信号、第2频带的高频信号及第3频带的高频信号传播而使第5频带的高频信号传播的第6状态。
图6A所示的开关模块1C的连接状态1是上述第1状态，相当于将第1频带的RF接收信号、第2频带的RF接收信号和第3频带的RF接收信号同时传播的CA模式(3CA模式)。更具体而言，连接状态1(第1状态：3CA模式)是共用端子12c与选择端子12s1被连接、并且共用端子12c与选择端子12s2被连接、并且共用端子12c与选择端子12s3被连接、并且共用端子12c与选择端子12s4不被连接、并且共用端子12c与选择端子12s5不被连接的状态。
图6B所示的开关模块1C的连接状态2是上述第2状态，相当于将第2频带的RF接收信号与第3频带的RF接收信号同时传播的CA模式(2CA模式1)。更具体而言，连接状态2(第2状态：2CA模式1)是共用端子12c与选择端子12s1不被连接、并且共用端子12c与选择端子12s2被连接、并且共用端子12c与选择端子12s3被连接、并且共用端子12c与选择端子12s4被连接、并且共用端子12c与选择端子12s5不被连接的状态。
这里，从滤波器14X的一端(输入端子)观察滤波器14X单体的情况下的第2频带中的阻抗与从滤波器13A的一端(输入端子)观察滤波器13A单体的情况下的第2频带中的阻抗大致相等。此外，从滤波器14X的一端(输入端子)观察滤波器14X单体的情况下的第3频带中的阻抗与从滤波器13A的一端(输入端子)观察滤波器13A单体的情况下的第3频带中的阻抗大致相等。
由此，在上述连接状态2(第2状态：2CA模式1)下，在共用端子12c，不仅连接滤波器13B及13C也连接滤波器14X。因此，能够使上述连接状态2(第2状态：2CA模式1)下的滤波器13B的第2频带的阻抗与连接状态1(第1状态：3CA模式)下的滤波器13B的第2频带的阻抗大致相等(接近)。此外，能够使连接状态2(第2状态：2CA模式1)下的滤波器13C的第3频带的阻抗与连接状态1(第1状态：3CA模式)下的滤波器13C的第3频带的阻抗大致相等(接近)。因此，即使将天线开关22的连接状态在连接状态1与连接状态2之间变更，也能够抑制共用端子12c处的阻抗的变化。由此，能够抑制滤波器13B及13C的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
图6C所示的开关模块1C的连接状态3是上述第3状态，相当于将第1频带的RF接收信号与第3频带的RF接收信号同时传播的CA模式(2CA模式2)。更具体而言，连接状态3(第3状态：2CA模式2)是共用端子12c与选择端子12s1被连接、并且共用端子12c与选择端子12s2不被连接、并且共用端子12c与选择端子12s3被连接、并且共用端子12c与选择端子12s4不被连接、并且共用端子12c与选择端子12s5被连接的状态。
这里，从滤波器14Y的一端(输入端子)观察滤波器14Y单体的情况下的第1频带中的阻抗与从滤波器13B的一端(输入端子)观察滤波器13B单体的情况下的第1频带中的阻抗大致相等。此外，从滤波器14Y的一端(输入端子)观察滤波器14Y单体的情况下的第3频带中的阻抗与从滤波器13B的一端(输入端子)观察滤波器13B单体的情况下的第3频带中的阻抗大致相等。
由此，在上述连接状态3(第3状态：2CA模式2)下，在共用端子12c，不仅连接滤波器13A及13C也连接滤波器14Y。因此，能够使上述连接状态3(第3状态：2CA模式2)下的滤波器13A的第1频带的阻抗与连接状态1(第1状态：3CA模式)下的滤波器13A的第1频带的阻抗大致相等(接近)。此外，能够使连接状态3(第3状态：2CA模式2)下的滤波器13C的第3频带的阻抗与连接状态1(第1状态：3CA模式)下的滤波器13C的第3频带的阻抗大致相等(接近)。因此，即使将天线开关22的连接状态在连接状态1与连接状态3之间变更，也能够抑制共用端子12c处的阻抗的变化。由此，能够抑制滤波器13A及13C的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
图6D所示的开关模块1C的连接状态4是上述第4状态，相当于仅单一的频带被选择的非CA模式。更具体而言，连接状态4(第4状态：非CA模式)是共用端子12c与选择端子12s1不被连接、并且共用端子12c与选择端子12s2不被连接、并且共用端子12c与选择端子12s3被连接、并且共用端子12c与选择端子12s4被连接、并且共用端子12c与选择端子12s5被连接的状态。
这里，从滤波器14X及14Y的一端(输入端子)观察滤波器14X及14Y的并联电路的情况下的第3频带中的阻抗与从滤波器13A及13B的一端(输入端子)观察滤波器13A及13B的并联电路的情况下的第3频带中的阻抗大致相等。
由此，在上述连接状态4(第4状态：非CA模式)下，在共用端子12c，不仅连接滤波器13C也连接滤波器14X及14Y。因此，能够使上述连接状态4(第4状态：非CA模式)下的滤波器13C的第3频带的阻抗与连接状态1(第1状态：CA模式)下的滤波器13C的第3频带的阻抗大致相等(接近)。因此，即使将天线开关22的连接状态在连接状态1与连接状态4之间变更，也能够抑制共用端子12c中的阻抗的变化。由此，能够抑制滤波器13C的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
此外，在上述连接状态2～4下，使用上述第5状态下使用的滤波器14X、及上述第6状态下使用的滤波器14Y，因此不需要新追加上述第2状态～第4状态下用于进行阻抗匹配的电路元件。因此，能够实现开关模块1C的省空间化及小型化。
另外，在本实施例中，滤波器14X由利用包含LiTaO3的压电体层中传播的漏波的声表面波谐振器构成。利用包含LiTaO3的压电体层中传播的漏波的滤波器14X具有相比于比通带(第4频带)更高频侧的区域、低频侧区域的反射系数更大(Q值更高)的特性。因此，通过使滤波器14X的上述低频侧区域与滤波器13A～13C的通带一致，能够减少上述连接状态2～4下的滤波器13A～13C的插入损耗。
此外，在本实施例中，滤波器14Y由利用包含LiNbO3的压电体层中传播的瑞利波的声表面波谐振器、或者利用体波的弹性波谐振器构成。由利用包含LiNbO3的压电体层中传播的瑞利波的声表面波谐振器、或者利用体波的弹性波谐振器构成的滤波器14Y具有在比通带(第5频带)更高频侧区域及低频侧区域的双方、反射系数较大(Q值较高)的特性。因此，通过使滤波器14Y的衰减频带与滤波器13A～13C的通带一致，能够减少上述连接状态2～4下的滤波器13A～13C的插入损耗。
另外，在本实施例中，作为非CA模式示例了仅第3频带被选择的情况，但本实施例所涉及的开关模块1C也能够应用于具有作为非CA模式而仅第1频带被选择的状态、及作为非CA模式而仅第2频带被选择的状态的系统。此外，也能够应用于具有作为2CA模式而第1频带及第2频带被选择的状态的系统。
此外，在本实施例中，将CA模式下使用的滤波器的数量设为三个(滤波器13A～13C)，及将也用于阻抗匹配的滤波器的数量设为两个(滤波器14X及14Y)，但CA模式下使用的滤波器的数量也可以是四个以上，此外，用于阻抗匹配的滤波器的数量也可以是三个以上。
[7.实施例4所涉及的开关模块1D的电路结构]
图7A是实施例4所涉及的开关模块1D的连接状态1下的电路结构图。此外，图7B是实施例4所涉及的开关模块1D的连接状态2下的电路结构图。图7A及图7B中，表示实施例4所涉及的开关模块1D、天线元件2、发送信号放大电路4At、4Bt及4Zt、接收信号放大电路4Ar、4Br及4Zr、RF信号处理电路3。开关模块1D、天线元件2、发送信号放大电路4At、4Bt及4Zt、接收信号放大电路4Ar、4Br及4Zr例如被配置于对应多模/多频的移动电话的前端部。本实施例所涉及的开关模块1D相比于实施例1所涉及的开关模块1A，仅各滤波器被置换为双工器这一点不同。以下，针对本实施例所涉及的开关模块1D，对与实施例1所涉及的开关模块1A的相同点省略说明，以不同点为中心来进行说明。
开关模块1D具备：天线匹配电路11、天线开关12、双工器23A、23B及24Z。
双工器23A是具备发送第1频带的信号的发送滤波器23At(第1发送滤波器)、及接收第1频带的信号的接收滤波器23Ar(第1接收滤波器)的第1滤波器电路(第1双工器)。第1频带例如示例LTE的Band1(发送频带：1920-1980MHz，接收频带：2110-2170MHz)。
双工器23B是具备发送第2频带的信号的发送滤波器23Bt(第2发送滤波器)、及接收第2频带的信号的接收滤波器23Br(第2接收滤波器)的第2滤波器电路(第2双工器)。第2频带例如示例LTE的Band3(发送频带：1710-1785MHz，接收频带：1805-1880MHz)。
双工器24Z是具备发送第3频带的信号的发送滤波器24Zt(第3发送滤波器)、及接收第3频带的信号的接收滤波器24Zr(第3接收滤波器)的第3滤波器电路(第3双工器)。第3频带例如示例LTE的Band30(发送频带：2305-2315MHz，接收频带：2350-2360MHz)。
发送信号放大电路4At、4Bt、4Zt分别是对第1频带(BandA)、第2频带(BandB)、第3频带(BandZ)的高频发送信号进行功率放大的功率放大器。
接收信号放大电路4Ar、4Br、4Zr分别是对第1频带(BandA)、第2频带(BandB)、第3频带(BandZ)的高频接收信号进行功率放大的低噪声放大器。
通过上述电路结构，本实施例所涉及的开关模块1D至少能够切换以下状态：
(1)使第1频带的高频收发信号与第2频带的高频收发信号同时传播的第1状态(CA模式)；
(2)仅使第1频带的高频收发信号及第2频带的高频收发信号之中的第1频带的高频收发信号传播的第2状态(非CA模式)；
(3)不使第1频带的高频收发信号及第2频带的高频收发信号传播而使第3频带的高频收发信号传播的第3状态。
上述第1状态～第3状态下的天线开关12的切换如图7A及图7B所示，与实施例1所涉及的开关模块1A相同。
由此，在上述第2状态(非CA模式)下，在共用端子12c，不仅连接双工器23A也连接双工器24Z。因此，能够使第2状态(非CA模式)下的双工器23A的第1频带的阻抗与第1状态(CA模式)下的双工器23A的第1频带的阻抗大致相等(接近)。因此，即使变更天线开关12的连接状态，也能够抑制共用端子12c处的阻抗的变化。由此，能够抑制双工器23A的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
此外，在第2状态(非CA模式)下，使用第3状态下使用的双工器24Z，因此不需要新追加第1状态及第2状态下用于进行阻抗匹配的电路元件。因此，能够实现开关模块1D的省空间化及小型化。
另外，在本实施例中，双工器24Z由利用包含LiTaO3的压电体层中传播的漏波的声表面波谐振器构成。此外，第3频带位于比第1频带更靠高频率侧的位置。利用包含LiTaO3的压电体层中传播的漏波的双工器24Z具有：相比于比通带(第3频带)更靠高频侧的区域，低频侧区域的反射系数更大(Q值更高)的特性。因此，通过使双工器24Z的上述低频侧区域与第1频带一致，能够减少第2状态(非CA模式)下的双工器23A的第1频带中的插入损耗。
此外，从双工器24Z的一端(输入端子)观察双工器24Z单体的情况下的第1频带中的电容与从双工器23B的一端(输入端子)观察双工器23B单体的情况下的第1频带中的电容大致相等。
利用包含LiTaO3的压电体层中传播的漏波的声表面波谐振器根据其构造，具有电容性阻抗。因此，通过使第2状态(非CA模式)下的双工器23A的第1频带中的电容与第1状态(CA模式)下的电容大致相等(接近)，能够使阻抗大致相等(接近)。因此，能够不取决于第1状态及第2状态地减少双工器23A的第1频带中的插入损耗。
[8.实施例5所涉及的开关模块1E的电路结构]
图8A是实施例5所涉及的开关模块1E的连接状态1下的电路结构图。此外，图8B是实施例5所涉及的开关模块1E的连接状态2下的电路结构图。图8A及图8B中，表示实施例5所涉及的开关模块1E、天线元件2、发送信号放大电路4At、4Bt及4Yt、接收信号放大电路4Ar、4Br及4Yr、RF信号处理电路3。开关模块1E、天线元件2、发送信号放大电路4At、4Bt及4Yt、接收信号放大电路4Ar、4Br及4Yr例如被配置于对应多模/多频的移动电话的前端部。本实施例所涉及的开关模块1E相比于实施例4所涉及的开关模块1D，仅与选择端子12s3连接的双工器24Y的结构不同。以下，针对本实施例所涉及的开关模块1E，对与实施例4所涉及的开关模块1D的相同点省略说明，以不同点为中心来进行说明。
开关模块1E具备：天线匹配电路11、天线开关12、双工器23A、23B及24Y。
双工器24Y是具备发送第3频带的信号的发送滤波器24Yt(第3发送滤波器)、及接收第3频带的信号的接收滤波器24Yr(第3接收滤波器)的第3滤波器电路(第3双工器)。第3频带例如示例LTE的Band25(发送频带：1850-1915MHz，接收频带：1930-1995MHz)。
发送信号放大电路4Yt是对第3频带(BandY)的高频发送信号进行功率放大的功率放大器。
接收信号放大电路4Yr是对第3频带(BandY)的高频接收信号进行功率放大的低噪声放大器。
通过上述电路结构，本实施例所涉及的开关模块1E至少能够切换以下状态：
(1)使第1频带的高频收发信号和第2频带的高频收发信号同时传播的第1状态(CA模式)；
(2)仅使第1频带的高频收发信号及第2频带的高频收发信号之中的第1频带的高频收发信号传播的第2状态(非CA模式)；
(3)不使第1频带的高频收发信号及第2频带的高频收发信号传播而使第3频带的高频收发信号传播的第3状态。
上述第1状态～第3状态下的天线开关12的切换如图8A及图8B所示，与实施例2所涉及的开关模块1B相同。
由此，即使变更天线开关12的连接状态，也能够抑制共用端子12c处的阻抗的变化。由此，能够抑制双工器23A的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
此外，在第2状态(非CA模式)下，使用第3状态下使用的双工器24Y，因此不需要新追加第1状态及第2状态下用于进行阻抗匹配的电路元件。因此，能够实现开关模块1E的省空间化及小型化。
另外，在本实施例中，双工器24Y由利用包含LiNbO3的压电体层中传播的瑞利波的声表面波谐振器、或者利用体波的弹性波谐振器构成。此外，第3频带位于第1频带与第2频带之间。由利用包含LiNbO3的压电体层中传播的瑞利波的声表面波谐振器、或者利用体波的弹性波谐振器构成的双工器24Y，具有在比通带(第3频带)更高频侧区域及低频侧区域的双方反射系数较大(Q值较高)的特性。因此，通过使双工器24Y的衰减频带与第1频带一致，能够减少第2状态(非CA模式)下的双工器23A的第1频带中的插入损耗。
此外，从双工器24Y的一端(输入端子)观察双工器24Y单体的情况下的第1频带中的电容与从双工器23B的一端(输入端子)观察双工器23B单体的情况下的第1频带中的电容大致相等。
利用包含LiNbO3的压电体层中传播的瑞利波的声表面波谐振器、或者利用体波的弹性波谐振器根据其构造，具有电容性阻抗。因此，通过使第2状态(非CA模式)下的双工器23A的第1频带中的电容与第1状态(CA模式)下的电容大致相等(接近)，能够使阻抗大致相等(接近)。因此，能够不取决于第1状态及第2状态地减少双工器23A的第1频带中的插入损耗。
[9.实施例6所涉及的开关模块1F的电路结构]
图9A是实施例6所涉及的开关模块1F的连接状态1下的电路结构图。此外，图9B是实施例6所涉及的开关模块1F的连接状态2下的电路结构图。图9A及图9B中，表示实施例6所涉及的开关模块1F、天线元件2、接收信号放大电路4A、4B及4Y、RF信号处理电路3。开关模块1F、天线元件2、接收信号放大电路4A、4B及4Y例如被配置于对应多模/多频的移动电话的前端部。
本实施例所涉及的开关模块1F相比于实施例2所涉及的开关模块1B，在选择端子12s3与滤波器14Y之间附加配置阻抗匹配电路30这一点不同。以下，针对本实施例所涉及的开关模块1F，对与实施例2所涉及的开关模块1B的相同点省略说明，以不同点为中心来进行说明。
另外，在本实施例中，作为滤波器13A，应用使LTE的Band1(第1频带：接收频带：2110-2170MHz)的RF接收信号选择性地通过的滤波器。此外，作为滤波器13B，应用使LTE的Band3(第2频带：接收频带：1805-1880MHz)的RF接收信号选择性地通过的滤波器。此外，作为滤波器14X，应用使LTE的Band30(第3频带：接收频带：2350-2360MHz)的RF接收信号选择性地通过的滤波器。
阻抗匹配电路30被连接于将滤波器14Y与选择端子12s3连结的信号路径。阻抗匹配电路30具有使从选择端子12s3观察滤波器14Y单体的情况下的第1频带中的阻抗与从滤波器13B的一端观察滤波器13B单体的情况下的第1频带中的阻抗高精度地一致的功能。
图10是对实施例2所涉及的开关模块1B的连接状态1及2下的阻抗的差异进行说明的史密斯圆图。在实施例2所涉及的开关模块1B中，从滤波器13B的输入端子观察的滤波器13B单体的Band1带中的阻抗(图10的中央上侧的史密斯圆图)、及从滤波器14Y的输入端子观察的滤波器14Y单体的Band1带中的阻抗(图10的中央下侧的史密斯圆图)都位于史密斯圆图的外缘区域(高阻抗区域)。但是，从滤波器13B的输入端子观察的滤波器13B单体的Band1带中的阻抗相比于从滤波器14Y的输入端子观察的滤波器14Y单体的Band1带中的阻抗，位于稍靠低阻抗侧的位置。该滤波器13B与滤波器14Y的阻抗差在从连接状态2下的滤波器13A的输入端子观察的Band1带中的阻抗与从连接状态1下的滤波器13A的输入端子观察的Band1带中的阻抗之间，产生阻抗差(图10的右侧的史密斯圆图)。在实施例2所涉及的开关模块1B中，即使将连接状态在连接状态2与连接状态1之间变更，也能够抑制共用端子处的阻抗的变化，抑制滤波器13A的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化，但由于上述阻抗差，在连接状态2和连接状态1下，在滤波器13A的通带中的插入损耗及反射损耗中依然产生差异。
与此相对地，在本实施例所涉及的开关模块1F中，通过被配置于滤波器14Y的前级的阻抗匹配电路30，能够使从滤波器14Y的选择端子12s3观察的滤波器14Y单体的Band1带中的阻抗偏移。由此，通过连接状态2及连接状态1的变更，能够高精度地抑制共用端子处的阻抗的变化，能够高精度地抑制滤波器13A的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
图11A是实施例6a所涉及的开关模块1G的连接状态1下的电路结构图。此外，图11B是实施例6a所涉及的开关模块1G的连接状态2下的电路结构图。图11A及图11B中，表示实施例6a所涉及的开关模块1G、天线元件2、接收信号放大电路4A、4B及4Y、RF信号处理电路3。
本实施例所涉及的开关模块1G是实施例6所涉及的开关模块1F的具体例，表示阻抗匹配电路30的具体的电路结构。以下，针对本实施例所涉及的开关模块1G，对与实施例6所涉及的开关模块1F的相同点省略说明，以不同点为中心来进行说明。
阻抗匹配电路30具有被连接至将选择端子12s3及滤波器14Y的输入端子连结的信号路径与接地之间的电容器31。
图12是对实施例2及实施例6a所涉及的开关模块的连接状态1及2下的阻抗的差异进行说明的史密斯圆图。在实施例2所涉及的开关模块1B中，如图10所示，从滤波器14Y的输入端子观察的滤波器14Y单体的Band1带中的阻抗相比于从滤波器13B的输入端子观察的滤波器13B单体的Band1带中的阻抗，位于稍靠高阻抗侧的位置(图12的上侧中央的史密斯圆图)。
与此相对地，在实施例6a所涉及的开关模块1G中，通过在上述信号路径与接地之间所谓的被并联连接的电容器31，从滤波器14Y的选择端子12s3观察的滤波器14Y单体的Band1带中的阻抗在等电导圆上顺时针地移动。因此，从滤波器14Y的选择端子12s3观察的滤波器14Y的Band1带中的阻抗稍向低阻抗侧移动，接近于从滤波器13B的输入端子观察的滤波器13B单体的Band1带中的阻抗(图12的下侧中央的史密斯圆图)。
由此，即使将连接状态在连接状态2与连接状态1之间变更，也能够高精度地抑制共用端子处的Band1带的阻抗的变化，能够高精度地抑制滤波器13A的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
图13A是实施例6b所涉及的开关模块1H的连接状态1下的电路结构图。此外，图13B是实施例6b所涉及的开关模块1H的连接状态2下的电路结构图。图13A及图13B中，表示实施例6b所涉及的开关模块1H、天线元件2、接收信号放大电路4A、4B及4Y、RF信号处理电路3。
本实施例所涉及的开关模块1H是实施例6所涉及的开关模块1F的具体例，表示阻抗匹配电路30的具体的电路结构。以下，针对本实施例所涉及的开关模块1H，对与实施例6所涉及的开关模块1F的相同点省略说明，以不同点为中心来进行说明。
阻抗匹配电路30具有被连接到滤波器14Y的输入端子(一端)与选择端子12s3之间的电感器32。换言之，电感器32被串联配置于将滤波器14Y的输入端子(一端)与选择端子12s3连结的信号路径。
图14是对实施例2及实施例6b所涉及的开关模块的连接状态1及2下的阻抗的差异进行说明的史密斯圆图。在实施例2所涉及的开关模块1B中，如图10所示，从滤波器14Y的输入端子观察的滤波器14Y单体的Band1带中的阻抗相比于从滤波器13B的输入端子观察的滤波器13B单体的Band1带中的阻抗，位于稍靠高阻抗侧的位置(图12的上侧中央的史密斯圆图)。
与此相对地，在实施例6b所涉及的开关模块1H中，通过所谓的被串联连接在上述信号路径的电感器32，从滤波器14Y的选择端子12s3观察的滤波器14Y单体的Band1带中的阻抗在等电阻圆上顺时针地移动。因此，从滤波器14Y的选择端子12s3观察的滤波器14Y的Band1带中的阻抗稍向低阻抗侧移动，接近于从滤波器13B的输入端子观察的滤波器13B单体的Band1带中的阻抗(图14的下侧中央的史密斯圆图)。
由此，即使将连接状态在连接状态2与连接状态1之间变更，也能够高精度地抑制共用端子处的Band1带的阻抗的变化，能够高精度地抑制滤波器13A的通带中的插入损耗及反射损耗的恶化。
(其他的实施方式等)
以上，举例实施例来说明了本发明的实施方式所涉及的开关模块，但本发明的开关模块并不限定于上述实施例。将上述实施例中的任意结构要素组合并实现的其它实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施例实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置有本公开的开关模块的各种设备也包含于本发明。
另外，本发明所涉及的开关控制部也可以被实现为作为集成电路的IC、LSI(LargeScale Integration，大规模集成电路)。此外，集成电路化的手法也可以通过专用电路或者通用处理器来实现。在LSI制造后，也可以利用可程序化的FPGA(Field Programmable GateArray)、可重建LSI内部的电路单元的连接或设定的可重构处理器。进一步地，若通过半导体技术的进步或者派生的其他技术而置换为LSI的集成电路化的技术登场，则当然电可以使用该技术来进行功能模块的集成化。
此外，在上述实施方式所涉及的开关模块中，也可以在连接附图中公开的各电路元件及信号路径的路径之间插入其他高频电路元件及布线等。
产业上的可利用性
本发明作为采用载波聚合方式的对应多频/多模的开关模块，能够广泛利用于移动电话等的通信设备。
-符号说明-
1A、1B、1C、1D、1E、50 开关模块
2 天线元件
3 RF信号处理电路
4A、4Ar、4B、4Br、4C、4X、4Y、4Yr、4Zr 接收信号放大电路
4At、4Bt、4Yt、4Zt 发送信号放大电路
11、51 天线匹配电路
12、22、52 天线开关
12c、22c、52c 共用端子
12s1、12s2、12s3、22s1、22s2、22s3、22s4、22s5、52s1、52s2 选择端子
13A、13B、13C、14X、14Y 滤波器
23A、23B、24Y、24Z 双工器
23Ar、23Br、24Yr、24Zr 接收滤波器
23At、23Bt、24Yt、24Yr 发送滤波器。

Claims (11)

1.一种开关模块，能够对以下状态进行切换：
(1)使第1频带的高频信号和频带与该第1频带不同的第2频带的高频信号同时传播的第1状态；
(2)仅使所述第1频带的高频信号及所述第2频带的高频信号之中的所述第1频带的高频信号传播的第2状态；及
(3)不使所述第1频带的高频信号及所述第2频带的高频信号传播而使频带与所述第1频带及所述第2频带不同的第3频带的高频信号传播的第3状态，
其中，所述开关模块具备：
第1滤波器电路，使所述第1频带的高频信号选择性地通过；
第2滤波器电路，使所述第2频带的高频信号选择性地通过；
第3滤波器电路，使所述第3频带的高频信号选择性地通过；和
开关电路，具有：共用端子、与所述第1滤波器电路的一端连接的第1选择端子、与所述第2滤波器电路的一端连接的第2选择端子、及与所述第3滤波器电路的一端连接的第3选择端子，该开关电路对所述第1选择端子、所述第2选择端子及所述第3选择端子的至少一个与所述共用端子的连接进行切换，
在所述第1状态下，所述共用端子与所述第1选择端子被连接且所述共用端子与所述第2选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第3选择端子不被连接，
在所述第2状态下，所述共用端子与所述第1选择端子被连接且所述共用端子与所述第2选择端子不被连接，并且所述共用端子与所述第3选择端子被连接，
从所述第3滤波器电路的所述一端观察所述第3滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的阻抗与从所述第2滤波器电路的所述一端观察所述第2滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的阻抗大致相等。
2.根据权利要求1所述的开关模块，其中，
所述开关模块还具备：
阻抗匹配电路，被连接到将所述第3滤波器电路和所述第3选择端子连结的信号路径，
所述阻抗匹配电路使从所述第3选择端子观察所述第3滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的阻抗与从所述第2滤波器电路的所述一端观察所述第2滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的阻抗匹配。
3.根据权利要求2所述的开关模块，其中，
所述阻抗匹配电路具有：
电容器，被连接在所述信号路径与接地之间。
4.根据权利要求2或3所述的开关模块，其中，
所述阻抗匹配电路具有：
电感器，被连接在所述第3滤波器电路的所述一端与所述第3选择端子之间。
5.根据权利要求1～3的任意一项所述的开关模块，其中，
所述第3滤波器电路由利用在包含LiTaO3的压电体层中传播的漏波的声表面波谐振器构成，
所述第3频带位于比所述第1频带更靠高频率侧的位置。
6.根据权利要求1～3的任意一项所述的开关模块，其中，
所述第3滤波器电路由利用在包含LiNbO3的压电体层中传播的瑞利波的声表面波谐振器、或者利用体波的弹性波谐振器即体声波谐振器构成，
所述第3频带位于所述第1频带与所述第2频带之间。
7.根据权利要求5所述的开关模块，其中，
从所述第3滤波器电路的所述一端观察所述第3滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的电容与从所述第2滤波器电路的所述一端观察所述第2滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的电容大致相等。
8.根据权利要求1～3的任意一项所述的开关模块，其中，
所述开关模块还具备：
开关控制部，接受被用作为无线通信用的频带的选择信息，向所述开关电路输出基于所述选择信息的控制信号，
所述开关控制部通过向所述开关电路输出所述控制信号，从而
在所述第1状态下，使所述共用端子与所述第1选择端子连接且使所述共用端子与所述第2选择端子连接，并且将所述共用端子与所述第3选择端子设为不连接，
在所述第2状态下，将所述共用端子与所述第1选择端子连接且将所述共用端子与所述第2选择端子设为不连接，并且将所述共用端子与所述第3选择端子连接。
9.根据权利要求1～3的任意一项所述的开关模块，其中，
所述第1状态是载波聚合模式即CA模式，
所述第2状态是非载波聚合模式即非CA模式。
10.根据权利要求1～3的任意一项所述的开关模块，其中，
所述第1滤波器电路是具备发送所述第1频带的信号的第1发送滤波器及接收所述第1频带的信号的第1接收滤波器的第1双工器，
所述第2滤波器电路是具备发送所述第2频带的信号的第2发送滤波器及接收所述第2频带的信号的第2接收滤波器的第2双工器，
所述第3滤波器电路是具备发送所述第3频带的信号的第3发送滤波器及接收所述第3频带的信号的第3接收滤波器的第3双工器。
11.一种开关模块，能够对以下状态进行切换：
(1)使第1频带的高频信号、频带与该第1频带不同的第2频带的高频信号、及频带与所述第1频带及所述第2频带不同的第3频带的高频信号同时传播的第1状态；
(2)仅使所述第1频带、所述第2频带及所述第3频带之中的所述第2频带及所述第3频带的高频信号同时传播的第2状态；
(3)仅使所述第1频带、所述第2频带及所述第3频带之中的所述第1频带及所述第3频带的高频信号同时传播的第3状态；
(4)仅使所述第1频带、所述第2频带及所述第3频带之中的所述第3频带的高频信号传播的第4状态；
(5)不使所述第1频带、所述第2频带及所述第3频带的高频信号传播而使频带与所述第1频带、所述第2频带及所述第3频带不同的第4频带的高频信号传播的第5状态；及
(6)不使所述第1频带、所述第2频带及所述第3频带的高频信号传播而使频带与所述第1频带、所述第2频带、所述第3频带及所述第4频带不同的第5频带的高频信号传播的第6状态，
其中，所述开关模块具备：
第1滤波器电路，使所述第1频带的高频信号选择性地通过；
第2滤波器电路，使所述第2频带的高频信号选择性地通过；
第3滤波器电路，使所述第3频带的高频信号选择性地通过；
第4滤波器电路，使所述第4频带的高频信号选择性地通过；
第5滤波器电路，使所述第5频带的高频信号选择性地通过；和
开关电路，具有：共用端子、与所述第1滤波器电路的一端连接的第1选择端子、与所述第2滤波器电路的一端连接的第2选择端子、与所述第3滤波器电路的一端连接的第3选择端子、与所述第4滤波器电路的一端连接的第4选择端子、及与所述第5滤波器电路的一端连接的第5选择端子，该开关电路对所述第1选择端子、所述第2选择端子、所述第3选择端子、所述第4选择端子及所述第5选择端子的至少一个与所述共用端子的连接进行切换，
在所述第1状态下，所述共用端子与所述第1选择端子被连接，且所述共用端子与所述第2选择端子被连接，且所述共用端子与所述第3选择端子被连接，且所述共用端子与所述第4选择端子不被连接，并且所述共用端子与所述第5选择端子不被连接，
在所述第2状态下，所述共用端子与所述第1选择端子不被连接，所述共用端子与所述第2选择端子被连接，且所述共用端子与所述第3选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第4选择端子被连接，所述共用端子与所述第5选择端子不被连接，
在所述第3状态下，所述共用端子与所述第1选择端子被连接，所述共用端子与所述第2选择端子不被连接，并且所述共用端子与所述第3选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第4选择端子不被连接，所述共用端子与所述第5选择端子被连接，
在所述第4状态下，所述共用端子与所述第1选择端子不被连接，所述共用端子与所述第2选择端子不被连接，并且所述共用端子与所述第3选择端子被连接，并且所述共用端子与所述第4选择端子被连接，所述共用端子与所述第5选择端子被连接，
从所述第4滤波器电路的所述一端观察所述第4滤波器电路单体的情况下的所述第2频带中的阻抗与从所述第1滤波器电路的所述一端观察所述第1滤波器电路单体的情况下的所述第2频带中的阻抗大致相等，
从所述第4滤波器电路的所述一端观察所述第4滤波器电路单体的情况下的所述第3频带中的阻抗与从所述第1滤波器电路的所述一端观察所述第1滤波器电路单体的情况下的所述第3频带中的阻抗大致相等，
从所述第5滤波器电路的所述一端观察所述第5滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的阻抗与从所述第2滤波器电路的所述一端观察所述第2滤波器电路单体的情况下的所述第1频带中的阻抗大致相等，
从所述第5滤波器电路的所述一端观察所述第5滤波器电路单体的情况下的所述第3频带中的阻抗与从所述第2滤波器电路的所述一端观察所述第2滤波器电路单体的情况下的所述第3频带中的阻抗大致相等，
从所述第4滤波器电路及所述第5滤波器电路的所述一端观察所述第4滤波器电路及所述第5滤波器电路的并联电路的情况下的所述第3频带中的阻抗与从所述第1滤波器电路及所述第2滤波器电路的所述一端观察所述第1滤波器电路及所述第2滤波器电路的并联电路的情况下的所述第3频带中的阻抗大致相等。
CN201880041685.0A 2017-06-28 2018-06-25 开关模块 Active CN110785940B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-126282 2017-06-28
JP2017126282 2017-06-28
PCT/JP2018/024064 WO2019004152A1 (ja) 2017-06-28 2018-06-25 スイッチモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110785940A CN110785940A (zh) 2020-02-11
CN110785940B true CN110785940B (zh) 2021-12-14

Family

ID=64743065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880041685.0A Active CN110785940B (zh) 2017-06-28 2018-06-25 开关模块

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11558073B2 (zh)
JP (1) JP6687161B2 (zh)
KR (1) KR102274153B1 (zh)
CN (1) CN110785940B (zh)
WO (1) WO2019004152A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114342268B (zh) * 2019-08-28 2023-01-13 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
WO2021100259A1 (ja) * 2019-11-20 2021-05-27 株式会社村田製作所 高周波回路、高周波フロントエンド回路及び通信装置
CN114641937B (zh) * 2019-11-20 2023-08-08 株式会社村田制作所 高频电路、高频前端电路以及通信装置
US20210314007A1 (en) * 2020-04-05 2021-10-07 Skyworks Solutions, Inc. Bridge combiners and filters for radio-frequency applications
KR20220026819A (ko) * 2020-08-26 2022-03-07 삼성전자주식회사 복수의 주파수 대역을 이용한 통신을 수행하는 통신 회로와 그것을 구비한 전자 장치
US11942924B2 (en) * 2020-11-23 2024-03-26 Rf360 Singapore Pte. Ltd. Filter with multiple outputs or inputs to implement multiple filter frequency responses
KR20220117477A (ko) * 2021-02-17 2022-08-24 삼성전자주식회사 안테나를 제어하는 방법 및 이를 지원하는 전자 장치
WO2022209740A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN117081542A (zh) * 2023-10-17 2023-11-17 中科海高(成都)电子技术有限公司 滤波器组

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3644619B2 (ja) * 1997-06-25 2005-05-11 株式会社村田製作所 高周波伝送線路を有した電子部品
JP5086630B2 (ja) * 2006-12-20 2012-11-28 株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ 整合回路、デュアルバンド電力増幅器
US8803632B2 (en) * 2008-11-05 2014-08-12 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency circuit, high-frequency device, and multiband communications apparatus
US8718588B2 (en) * 2011-08-04 2014-05-06 Mediatek Inc. Signal processing circuit having mixer units using oscillation signals with different phases and frequency-selective combining block for frequency-selectively combining outputs of mixer units and related method thereof
US9203451B2 (en) * 2011-12-14 2015-12-01 Infineon Technologies Ag System and method for an RF receiver
US9240811B2 (en) * 2012-10-23 2016-01-19 Intel Deutschland Gmbh Switched duplexer front end
US20150028963A1 (en) * 2013-07-23 2015-01-29 Taiyo Yuden Co., Ltd. Electronic circuit
JP2015023557A (ja) 2013-07-23 2015-02-02 太陽誘電株式会社 電子回路
CN103714359B (zh) * 2013-07-25 2016-12-28 范志广 基于无线通信终端的射频识别方法及系统
CN103986422B (zh) * 2014-05-19 2017-06-30 天津大学 一种双频带射频功率放大器阻抗匹配电路
JP6253525B2 (ja) * 2014-06-17 2017-12-27 株式会社東芝 アンテナ装置、アンテナの自動整合方法、無線装置、及び制御装置
JP6325922B2 (ja) * 2014-07-03 2018-05-16 太陽誘電株式会社 モジュール
KR102273799B1 (ko) * 2014-12-05 2021-07-06 삼성전자주식회사 통신 기능을 지원하는 통신 회로 및 이를 포함하는 전자 장치
US9647706B2 (en) * 2015-03-11 2017-05-09 Nxp B.V. Antenna tuning circuit
US10541667B2 (en) * 2015-08-25 2020-01-21 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Surface acoustic wave (SAW) resonator having trap-rich region
KR102021252B1 (ko) * 2015-10-26 2019-09-11 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 스위치 모듈
JP6471810B2 (ja) * 2015-11-04 2019-02-20 株式会社村田製作所 分波装置及びその設計方法
CN106712795B (zh) * 2015-11-13 2020-06-16 华为终端有限公司 Lte载波聚合技术的射频电路及其通信设备
JP6358238B2 (ja) * 2015-11-18 2018-07-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US10141958B2 (en) * 2016-02-19 2018-11-27 Psemi Corporation Adaptive tuning network for combinable filters

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019004152A1 (ja) 2020-01-23
US11558073B2 (en) 2023-01-17
KR102274153B1 (ko) 2021-07-07
US20200136659A1 (en) 2020-04-30
WO2019004152A1 (ja) 2019-01-03
KR20200007953A (ko) 2020-01-22
JP6687161B2 (ja) 2020-04-22
CN110785940A (zh) 2020-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110785940B (zh) 开关模块
US10536179B2 (en) Switch module
CN107689778B (zh) 高频模块以及通信装置
JP6164390B2 (ja) 高周波モジュール
JP6965581B2 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
CN110224726B (zh) 高频前端电路以及具备该高频前端电路的通信装置
CN111756386B (zh) 前端电路以及通信装置
US11362636B2 (en) Multiplexer, front end circuit, and communication device
WO2017057568A1 (ja) 電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
JP2012244615A (ja) 通信モジュール
CN113169756B (zh) 前端电路以及通信装置
US20180331434A1 (en) High-frequency module
CN113169749B (zh) 前端模块以及通信装置
US10608694B2 (en) High-frequency module, transmission-reception module, and communication apparatus
WO2018061783A1 (ja) 弾性波フィルタ装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
CN112019186A (zh) 高频电路以及通信装置
WO2018118490A1 (en) Rf front-end circuit
KR20180125842A (ko) 수신밴드 가변 필터링 기능을 갖는 다중밴드 고주파 송신 장치
JP6798521B2 (ja) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
CN111756403A (zh) 前端电路以及通信装置
US11381262B2 (en) Radio-frequency module and communication device
US12057878B2 (en) Radio-frequency circuit and communication device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant