CN110783467A - 一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及钙钛矿薄膜的制备技术，具体涉及一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，采用碘化铅、碘甲胺、碘化铵盐为原料，二甲基甲酰胺与二甲基亚砜为混合溶剂，通过hot‑casting法，将旋涂了PETDOT：PSS的基底预热后立即旋涂钙钛矿前驱体溶液，退火后，得到致密、均匀、光泽完全覆盖的高质量二维钙钛矿薄膜，所述的二维钙钛矿薄膜化学组成为(BA)2(MA)3Pb4I13，其中BA为正丁胺阳离子，MA为甲胺阳离子。本发明通过结合hot‑casting技术及溶剂工程，提高了钙钛矿的结晶性，得到了性能较好的高质量二维钙钛矿薄膜，进而提升了钙钛矿太阳能电池的光电性能及效率。

Description

一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及钙钛矿薄膜的制备技术，具体涉及一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法。
背景技术
钙钛矿材料具有优异的光电性能，备受研究者的关注。钙钛矿太阳能电池发展极为迅速，短短十年间，效率从3.9％已经提升到超过25％，在钙钛矿太阳能电池吸光层材料中，大多数研究者选择三维的CH3NH3PbI3(MAPbI3)钙钛矿材料，因其具有突出的天然优势，例如高的吸光系数，良好的电子和空穴的双极性运输性能，可调谐的带隙，小的激子结合能和较高的载流子扩散长度等，在发光二极管、激光、光电探测器、晶体管等领域也具有广泛的应用。然而，三维钙钛矿作为吸光层其器件稳定性较差，不利于规模化生产。二维钙钛矿具有更好的光、湿及热稳定性，短短几年(BA)2(MA)nPbn+1I3n+1体系效率已突破17％，优异的光电性能使其成为未来最具潜力的光电材料之一。
钙钛矿的研究取得了极大的进展，尤其三维钙钛矿其光电转换效率已突破25％，但其对水、光和热存在着较差的稳定性，极大的阻碍了其商业化的实现。为使钙钛矿实现商业化应用，不仅需要高效率，长期的稳定性也至关重要。因此，研究和开发固有稳定的新型光电材料是极其重要的。近年来，二维钙钛矿由于固有显著的稳性定，引起了广大研究者的关注，2014年至今短短五年时间，二维钙钛矿材料的研究取得了极大的进展，最高效率已达18％，但是由于带隙较宽、激子结合能较大和较差的电子传输能力，其效率相比三维钙钛矿还有一定差距。
目前二维钙钛矿的制备方法主要为hot-casting法，为一步旋涂法不需要冲反溶剂，所用溶剂大多为纯DMF(二甲基甲酰胺)，其在hot-casting过程中蒸发速度较快导致均相成核不利于二维钙钛矿的形成，制得的钙钛矿薄膜形貌也较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，解决上述背景技术中提出的问题，以25％DMF占比的二甲基甲酰胺加二甲基亚砜混合液为溶剂，50-150℃为基底预热温度，80-130℃为退火温度，所得钙钛矿薄膜致密、均匀、光泽、结晶度好，在光电领域具有良好的应用前景。
本发明提供了一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，采用碘化铅、碘甲胺、碘化铵盐为原料，二甲基甲酰胺与二甲基亚砜为混合溶剂，通过hot-casting法，将旋涂了PETDOT：PSS的基底预热后立即旋涂钙钛矿前驱体溶液，退火后，得到致密、均匀、光泽完全覆盖的高质量二维钙钛矿薄膜，所述的二维钙钛矿薄膜化学组成为(BA)2(MA)3Pb4I13，其中BA为正丁胺阳离子，MA为甲胺阳离子。
优选的，上述一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)、空穴传输层PEDOT：PSS的预处理
将空穴传输层PEDOT：PSS过滤后旋涂于导电基底上，退火，将涂有空穴传输层PEDOT：PSS的导电基底于热台上加热；
(2)、(BA)2(MA)3Pb4I13的前驱体溶液的制备与处理
将碘化铅，碘甲胺，碘化铵盐以摩尔比4:3:2的比例加入到二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的混合溶剂中，在热台上加热搅拌，得到组成为(BA)2(MA)3Pb4I13的前驱体溶液，将所得前驱体溶液过滤，过滤后的前驱体溶液放入样品瓶置于40-70℃热台上至溶液温度恒定后使用；
(3)、二维钙钛矿薄膜的制备
将(1)中加热的涂有空穴传输层PEDOT：PSS的导电基底迅速转移到旋涂仪上，移取(2)中温度恒定后的前驱体溶液滴于基底上立即进行旋涂，并将旋涂好的片子置于热台上退火得到致密、均匀、光泽完全覆盖的高质量二维钙钛矿薄膜。
优选的，(1)中，导电基底为FTO。
优选的，(2)中，混合溶剂中二甲基甲酰胺的占比为25％，前驱体溶液浓度为0.7mol/L-1.2mol/L。
优选的，(1)中，退火条件为90-150℃退火10-30min。
优选的，(1)中，热台上加热条件为40-150℃加热5-15min。
优选的，(2)中，热台上加热搅拌条件为40-70℃加热搅拌1-4h。
优选的，(1)中和(2)中，过滤采用0.22μm尼龙过滤头。
优选的，(3)中，移取的前驱体溶液的体积为50-100uL，旋涂条件为旋涂转速为3000-6000rpm，时间10-30s。
优选的，热台上退火的条件为80-130℃退火5-15min。
本发明和现有技术相比，其优点在于：
1、本发明通过结合hot-casting技术及溶剂工程，提高了钙钛矿的结晶性，得到了性能较好的高质量二维钙钛矿薄膜，进而提升了钙钛矿太阳能电池的光电性能及效率。
2、本发明相比于常见的两步法及一步法中的反溶剂制备法，制备周期短、工艺简单、不需要冲反溶剂，可通过控制溶剂比例及基底预热温度调节二维钙钛矿薄膜的结晶取向，晶粒尺寸大小，及薄膜形貌。所制得二维钙钛矿薄膜具有较好的湿稳定性、高效，在光电领域具有较好的应用前景，对钙钛矿太阳能电池走向产业用具有极大的应用前景及商业价值。
附图说明
图1为本发明二维钙钛矿薄膜的制备流程图；
图2为本发明实施例1制备得到的二维钙钛矿的X射线衍射图；
图3为本发明实施例1制备得到二维钙钛矿的稳态光致发光光谱图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的一个具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
本发明一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，采用碘化铅、碘甲胺、碘化铵盐为原料，二甲基甲酰胺与二甲基亚砜为混合溶剂，通过hot-casting法，将旋涂了PETDOT：PSS的基底预热后立即旋涂钙钛矿前驱体溶液，退火后，得到致密、均匀、光泽完全覆盖的高质量二维钙钛矿薄膜，所述的二维钙钛矿薄膜化学组成为(BA)2(MA)3Pb4I13，其中BA为正丁胺阳离子，MA为甲胺阳离子。如图1所示为本发明二维钙钛矿薄膜的制备流程图。
需要说明的是，下述实施例中使用的PEDOT：PSS均购买自西安宝莱特光电科技有限公司。下述实施例中碘化铅简写为PbI2，碘甲胺简写为MAI，碘化铵盐简写为BAI，下述实施例中的混合溶剂均指的是二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的的混合溶剂，其中，混合溶剂中二甲基甲酰胺的占比为25％。
实施例1
将FTO玻璃基底依次用光学洗涤剂、乙醇、丙酮、异丙醇、乙醇超声清洗15分钟，用氮气吹干。经紫外-臭氧处理后，将PEDOT：PSS旋涂于FTO基底上，于热台上150℃烘烤10min后取出，得到厚度50nm的空穴传输层。将BAI、MAI、PbI2以摩尔比4:3:2溶解于混合溶剂中，搅拌2h，获得前驱体溶液。采用hot-casting方法，将旋涂有空穴传输层的基底80℃加热5min后迅速将其转移至旋涂仪旋涂前驱体溶液，转速为3000rpm时间10s，然后80℃退火5min，得到具有不同相的二维钙钛矿薄膜。
实施例2
将FTO玻璃基底依次用光学洗涤剂、乙醇、丙酮、异丙醇、乙醇超声清洗15分钟，用氮气吹干。经紫外-臭氧处理后，将PEDOT：PSS旋涂于FTO基底上，于热台上150℃烘烤10min后取出，得到厚度约50nm的空穴传输层。将BAI、MAI、PbI2以摩尔比4:3:2溶解于混合溶剂中，搅拌3h，获得前驱体溶液。采用hot-casting方法，将旋涂有空穴传输层的基底90℃加热8min后迅速将其转移至旋涂仪旋涂前驱体溶液，转速为4000rpm时间15s，然后90℃退火8min，得到具有不同相的二维钙钛矿薄膜。
实施例3
将FTO玻璃基底依次用光学洗涤剂、乙醇、丙酮、异丙醇、乙醇超声清洗15分钟，用氮气吹干。经紫外-臭氧处理后，将PEDOT：PSS旋涂于FTO基底上，于热台上150℃烘烤10min后取出，得到厚度约50nm的空穴传输层。将BAI、MAI、PbI2以摩尔比4:3:2溶解于混合溶剂中，搅拌4h，获得前驱体溶液。采用hot-casting方法，将旋涂有空穴传输层的基底100℃加热10min后迅速将其转移至旋涂仪旋涂前驱体溶液，转速为5000rpm时间20s，然后100℃退火10min，得到具有不同相的二维钙钛矿薄膜。
实施例4
将FTO玻璃基底依次用光学洗涤剂、乙醇、丙酮、异丙醇、乙醇超声清洗15分钟，用氮气吹干。经紫外-臭氧处理后，将PEDOT：PSS旋涂于FTO基底上，于热台上150℃烘烤10min后取出，得到厚度约50nm的空穴传输层。将BAI、MAI、PbI2以摩尔比4:3:2溶解于混合溶剂中，搅拌3.5h，获得前驱体溶液。采用hot-casting方法，将旋涂有空穴传输层的基底110℃加热12min后迅速将其转移至旋涂仪旋涂前驱体溶液，转速为5500rpm时间25s，然后110℃退火15min，得到具有不同相的二维钙钛矿薄膜。
上述实施例1-4得到的二维钙钛矿薄膜的XRD和稳态测试相类似，我们以实施例1为例对制备得到的二维钙钛矿薄膜进行XRD和稳态测试，分别如图2和3所示，所得二维钙钛矿薄膜进行稳态测试与图2特征相类似，可观察到本发明所得二维钙钛矿薄膜从上到下依次为n＝2、n＝3、n＝4及n＝∞的钙钛矿相，从下到上n值依次增大，表明获得了具有混合相结构的二维钙钛矿薄膜，利于电荷的传输，且所得钙钛矿结晶度极高，无杂相利于制备高性能光电器件。
以上公开的仅为本发明的几个具体实施例，但是，本发明实施例并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，采用碘化铅、碘甲胺、碘化铵盐为原料，二甲基甲酰胺与二甲基亚砜为混合溶剂，通过hot-casting法，将旋涂了PETDOT：PSS的基底预热后立即旋涂钙钛矿前驱体溶液，退火后，得到致密、均匀、光泽完全覆盖的高质量二维钙钛矿薄膜，所述的二维钙钛矿薄膜化学组成为(BA)2(MA)3Pb4I13，其中BA为正丁胺阳离子，MA为甲胺阳离子。
2.根据权利要求1所述的一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)、空穴传输层PEDOT：PSS的预处理
将空穴传输层PEDOT：PSS过滤后旋涂于导电基底上，退火，将涂有空穴传输层PEDOT：PSS的导电基底于热台上加热；
(2)、(BA)2(MA)3Pb4I13的前驱体溶液的制备与处理
将碘化铅，碘甲胺，碘化铵盐以摩尔比4:3:2的比例加入到二甲基甲酰胺与二甲基亚砜的混合溶剂中，在热台上加热搅拌，得到组成为(BA)2(MA)3Pb4I13的前驱体溶液，将所得前驱体溶液过滤，过滤后的前驱体溶液放入样品瓶置于40-70℃热台上至溶液温度恒定后使用；
(3)、二维钙钛矿薄膜的制备
将(1)中加热的涂有空穴传输层PEDOT：PSS的导电基底迅速转移到旋涂仪上，移取(2)中温度恒定后的前驱体溶液滴于基底上立即进行旋涂，并将旋涂好的片子置于热台上退火得到致密、均匀、光泽完全覆盖的高质量二维钙钛矿薄膜。
3.根据权利要求2所述的一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，(1)中，导电基底为FTO。
4.根据权利要求2所述的一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，(2)中，混合溶剂中二甲基甲酰胺的占比为25％，前驱体溶液浓度为0.7mol/L-1.2mol/L。
5.根据权利要求2所述的一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，(1)中，退火条件为90-150℃退火10-30min。
6.根据权利要求2所述的一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，(1)中，热台上加热条件为40-150℃加热5-15min。
7.根据权利要求2所述的一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，(2)中，热台上加热搅拌条件为40-70℃加热搅拌1-4h。
8.根据权利要求2所述的一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，(1)中和(2)中，过滤采用0.22μm尼龙过滤头。
9.根据权利要求2所述的一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，(3)中，移取的前驱体溶液的体积为50-100uL，旋涂条件为旋涂转速为3000-6000rpm，时间10-30s。
10.根据权利要求2所述的一种高质量二维钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，热台上退火的条件为80-130℃退火5-15min。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112062680A (zh) * 2020-08-25 2020-12-11 南京工业大学 一种有机质子型离子液体、二维钙钛矿纯相量子阱结构薄膜、制备方法及其应用
CN113178523A (zh) * 2021-04-22 2021-07-27 河南大学 一种无铅准二维锡基钙钛矿薄膜及其制备的光电探测器
CN113793903A (zh) * 2021-08-25 2021-12-14 佛山仙湖实验室 二维钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法
CN113809239A (zh) * 2021-08-25 2021-12-17 佛山仙湖实验室 钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法
CN113929131A (zh) * 2021-09-28 2022-01-14 桂林理工大学 一种FA掺杂的CsPbI2Br基钙钛矿薄膜材料的制备方法
CN114031310A (zh) * 2021-11-08 2022-02-11 太原理工大学 一种二维钙钛矿衬底调控生长梯度相变型全无机钙钛矿薄膜的方法
TWI755125B (zh) * 2020-10-29 2022-02-11 中華學校財團法人中華科技大學 高質量全無機鈣鈦礦量子點發射極製法及其所應用的發光二極體
US11271157B1 (en) 2020-08-27 2022-03-08 Industrial Technology Research Institute Perovskite film and manufacturing method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108365102A (zh) * 2018-02-22 2018-08-03 南京工业大学 一种稳定高效二维层状钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108365102A (zh) * 2018-02-22 2018-08-03 南京工业大学 一种稳定高效二维层状钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHAN MYAE MYAE SOE ET AL.: ""Understanding Film Formation Morphology and Orientation in High Member 2D Ruddlesden–Popper Perovskites for High-Efficiency Solar Cells"", 《ADVANCED ENERGY MATERIALS》 *
GUANGBAO WU ET AL.: ""Management of the crystallization in two-dimensional perovskite solar cells with enhanced efficiency within a wide temperature range and high stability"", 《NANO ENERGY》 *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112062680B (zh) * 2020-08-25 2021-06-22 南京工业大学 一种有机质子型离子液体、二维钙钛矿纯相量子阱结构薄膜、制备方法及其应用
CN112062680A (zh) * 2020-08-25 2020-12-11 南京工业大学 一种有机质子型离子液体、二维钙钛矿纯相量子阱结构薄膜、制备方法及其应用
US11271157B1 (en) 2020-08-27 2022-03-08 Industrial Technology Research Institute Perovskite film and manufacturing method thereof
TWI755125B (zh) * 2020-10-29 2022-02-11 中華學校財團法人中華科技大學 高質量全無機鈣鈦礦量子點發射極製法及其所應用的發光二極體
CN113178523A (zh) * 2021-04-22 2021-07-27 河南大学 一种无铅准二维锡基钙钛矿薄膜及其制备的光电探测器
CN113178523B (zh) * 2021-04-22 2022-05-27 河南大学 一种无铅准二维锡基钙钛矿薄膜及其制备的光电探测器
CN113793903A (zh) * 2021-08-25 2021-12-14 佛山仙湖实验室 二维钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法
CN113809239A (zh) * 2021-08-25 2021-12-17 佛山仙湖实验室 钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法
CN113809239B (zh) * 2021-08-25 2024-03-05 佛山仙湖实验室 钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法
CN113793903B (zh) * 2021-08-25 2024-03-05 佛山仙湖实验室 二维钙钛矿薄膜及含其的光电探测器的反溶剂制备方法
CN113929131A (zh) * 2021-09-28 2022-01-14 桂林理工大学 一种FA掺杂的CsPbI2Br基钙钛矿薄膜材料的制备方法
CN114031310A (zh) * 2021-11-08 2022-02-11 太原理工大学 一种二维钙钛矿衬底调控生长梯度相变型全无机钙钛矿薄膜的方法
CN114031310B (zh) * 2021-11-08 2023-09-19 太原理工大学 一种二维钙钛矿衬底调控生长梯度相变型全无机钙钛矿薄膜的方法

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