CN110739209A - 一种锗单晶单面抛光片的清洗工艺 - Google Patents

一种锗单晶单面抛光片的清洗工艺 Download PDF

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冯奎
王云彪
武永超
张贺强
陈亚楠
龚一夫
吕菲
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Abstract

本发明提供一种锗单晶单面抛光片的清洗工艺，锗单晶单面抛光片采用背面贴UV膜粗抛，后揭掉晶片背面的UV膜，然后两次浸泡浓硫酸去除锗单晶单面抛光片边缘的残胶沾污，再进行精抛，精抛后采用氢氧化钾溶液清洗，最后采用SC‑1液清洗的方式，有效的去除了锗单晶单面抛光片的表面沾污，达到了免清洗开盒即用的表面要求，极大提高了锗单晶单面抛光片的表面质量，为后续锗单晶单面抛光片外延层质量的提高奠定了良好的基础。本发明操作简单、易于实现，降低了锗单晶单面抛光片的清洗难度，易于实现批量化生产。

Description

一种锗单晶单面抛光片的清洗工艺
技术领域
本发明涉及半导体材料加工技术，特别是涉及一种锗单晶单面抛光片的清洗工艺。
背景技术
锗单晶单面抛光片具有良好的机械性能和导热性，主要应用于高效电池，电池是在锗单晶单面抛光片衬底上外延GaAs等材料制成的多结化合物电池，具有转换效率高、耐高温、抗辐射、可靠性强等优势，化合物电池在 MOCVD工艺中需要生长多层晶体材料，并且是异质结生长，容易产生晶格畸变。因此，化合物电池对锗单晶单面抛光片的表面质量提出了较为苛刻的要求。
在目前锗单晶单面抛光片加工中，采用贴UV膜进行粗抛和精抛，抛光后揭掉UV膜，然后采用单片清洗工艺，通过采用硫酸浸泡和低温一号液浸泡的方式去除表面沾污和颗粒，生产的锗单晶单面抛光片外延后表面雾斑、手印、水迹问题严重，这种外延片制作的电池转换效率低，不能满足要求。
发明内容
鉴于现有技术存在的问题，本发明提供一种锗单晶单面抛光片的清洗工艺，达到高质量的抛光片表面要求如，表面无雾、无沾污、无手印、无腐蚀、无斑痕、无抛光液，表面0.3微米及以上颗粒数不大于10个，具体技术方案是，一种锗单晶单面抛光片的清洗工艺，其特征在于：锗单晶单面采用背面贴UV膜工艺进行粗抛，其清洗工艺的步骤为，
㈠、将完成粗抛的锗单晶进行纯水冲洗、甩干后照射UV灯，降低UV膜的粘度，然后揭掉UV膜，装入25片锗片的PFA花篮内；
㈡、配置60-70℃的浓硫酸和18-24℃的浓硫酸；
㈢、将装有25片锗片的PFA花篮放入60-70℃的浓硫酸浸泡30〜40s，再用18-24℃的浓硫酸浸泡30〜40s，然后进行纯水冲洗，去除背面残留UV膜；
㈣、将锗片进行精抛，然后进行纯水冲洗；
㈤、用单片夹将锗片夹住，放入0.02%-2%的氢氧化钾溶液中浸泡30〜40s，然后进行纯水冲洗；
㈥、再放入温度低于12℃的SC-1液中浸泡120〜150s，然后进行纯水冲洗；
㈦、将锗片用单片甩干机甩干，检验，包装。
本发明具有的优点和有益效果是：达到表面无雾、无沾污、无手印、无腐蚀、无斑痕、无抛光液，表面0.3微米及以上颗粒数不大于10个的锗外延要求，一次清洗合格率稳定在95%以上，降低生产成本，提高产能。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步说明。
实施例一：锗单晶片：P型<100>，电阻率为：≤0.1Ω·㎝，直径：100mm，厚度：175±15μm，单面抛光，采用锗单晶背面贴UV膜工艺进行粗抛。
清洗步骤如下：
㈠、将粗抛完成后的锗片装入25片的PFA花篮中进行纯水冲洗，甩干后照射UV灯，降低UV膜的粘度，然后揭掉UV膜；
㈡、配置68℃的浓硫酸和21℃的浓硫酸；
㈢、将装有25片锗片的PFA花篮放入68℃的浓硫酸浸泡35s，再用21℃的浓硫酸浸泡35s，然后进行纯水冲洗；
㈣、将锗片进行精抛，然后进行纯水冲洗；
㈤、用单片夹将锗片夹住，放入0.5%的氢氧化钾溶液中浸泡32s，然后进行纯水冲洗；
㈥、再放入温度低于12℃的SC-1液中浸泡120s，然后进行纯水冲洗；
㈦、将锗片用单片甩干机甩干、检验、包装。

Claims (1)

1.一种锗单晶单面抛光片的清洗工艺，其特征是：锗单晶单面采用背面贴UV膜工艺进行粗抛，其清洗工艺的步骤为，
㈠、将完成粗抛的锗单晶进行纯水冲洗、甩干后照射UV灯，降低UV膜的粘度，然后揭掉UV膜，装入25片锗片的PFA花篮内；
㈡、配置60-70℃的浓硫酸和18-24℃的浓硫酸；
㈢、将装有25片锗片的PFA花篮放入60-70℃的浓硫酸浸泡30〜40s，再用18-24℃的浓硫酸浸泡30〜40s，然后进行纯水冲洗，去除背面残留UV膜；
㈣、将锗片进行精抛，然后进行纯水冲洗；
㈤、用单片夹将锗片夹住，放入0.02%-2%的氢氧化钾溶液中浸泡30〜40s，然后进行纯水冲洗；
㈥、再放入温度低于12℃的SC-1液中浸泡120〜150s，然后进行纯水冲洗；
㈦、将锗片用单片甩干机甩干，检验，包装。
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