CN110719047A - 一种新型低功耗mipi电流模驱动 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种新型低功耗MIPI电流模驱动，涉及预加重电流模驱动技术领域。本发明包括MOS管N1～N6、MOS管P1、P2，N5、N6的漏端分别连接有电阻R3、R4；电阻R3、R4分别与MOS管N7、N8连接；当MOS管P1输出电流时，MOS管P2输出一个脉冲电流，并注入到N7或N8，即使outp、outn的寄生电容非常大，也可调整一个合适的脉冲电流注入，提高MIPI输出沿的驱动能力，从而在保证低功耗的同时提高MIPI的高速驱动能力。本发明通过在传统MIPI预加重电流模驱动基础上增加了电阻匹配方案，实现预加重脉冲电流可以随意提高而不产生输出过冲，也不影响MIPI共模输出。

Description

一种新型低功耗MIPI电流模驱动
技术领域
本发明属于预加重电流模驱动技术领域，特别是涉及一种新型低功耗MIPI电流模驱动。
背景技术
MIPI联盟的目的是在移动设备比如智能手机和平板电脑等硬件和软件建立接口标准，通过一套标准的硬件接口，将各种外设产品及不同的供应商产品能够与众多的处理器或SOC能够兼容对接。
现有预加重电流模驱动，如图2所示，通过N1、N2、N3、N4交替开启，完成MIPI的驱动输出，通过N5、N6预加重脉冲电流输出，弥补MIPI输出的线上损耗。缺陷在于当outp和outn输出端需要挂载较大寄生电容的器件时，例如，3.3v保护开关管或者防雷管等，同时预加重脉冲电流一般低于总输出电流的20％，否则会产生较大的输出过冲、改变MIPI的输出共模，在这种情况下，这种传统电路无法支持高速输出。
现提供一种新型低功耗MIPI电流模驱动，使MIPI输出端挂载大寄生电容器件时，也能实现低功耗高速输出。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型低功耗MIPI电流模驱动，通过在传统MIPI预加重电流模驱动基础上增加了电阻匹配方案，实现预加重脉冲电流可以随意提高而不产生输出过冲，也不影响MIPI共模输出，解决了背景技术中的问题。
为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：
本发明为一种新型低功耗MIPI电流模驱动，包括MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、MOS管N4、MOS管N5、MOS管N6、MOS管P1、MOS管P2，所述MOS管N5的漏端连接有电阻R3、MOS管N6的漏端连接有电阻R4；所述电阻R3、电阻R4分别与MOS管N7、MOS管N8连接；所述MOS管P2电流脉冲式注入到输出和电阻R3、电阻R4；通过精确计算电阻R3、电阻R4，保证脉冲电流维持MIPI共模输出，不产生过冲；所述MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、MOS管N4为主驱动开关，并交替开启，提供MIPI的输出电流，所述MOS管N5、MOS管N6分别与MOS管N7、MOS管N8同时开启，当MOS管P1输出电流时，所述MOS管P2也输出一个脉冲电流，并注入到MOS管N7或MOS管N8，这样即使outp和outn的寄生电容非常大，也可以调整一个合适的脉冲电流注入，提高MIPI输出沿的驱动能力，从而在保证低功耗的同时提高MIPI的高速驱动能力。
优选的，所述MOS管P2输出脉冲电流的大小根据MIPI挂载寄生电容大小调节，外部挂载寄生电容越大，要求的数据率越高，则MOS管P2的输出电流越大。
进一步地，所述MOS管N1与MOS管N3之间连接有电阻R2、所述MOS管N2与MOS管N3之间连接有电阻R1；优选的，所述电阻R2、电阻R1为预设电阻，保证MIPI的阻抗匹配和共模输出，以符合MIPI的协议。
进一步地，所述MOS管N5、MOS管N6开关交替脉冲开启，预加重脉冲电流输出，弥补MIPI输出的线上损耗。
本发明具有以下有益效果：
1、本发明在传统MIPI预加重电流模驱动基础上增加了电阻匹配方案，实现预加重脉冲电流可以随意提高而不产生输出过冲，也不影响MIPI共模输出。
2、本发明预加重电流模驱动的脉冲电流大小可以随意提高，从而降低输出阻抗，提高MIPI驱动能力，MIPI可以支持挂载超大寄生电容器件，同时可以保证MIPI的高速传输能力不受影响。
3、本发明预加重电流模驱动的脉冲驱动电流很大，但是由于是脉冲式开启，不会带来更大的额外功耗，保证MIPI的低功耗性能不受影响。
当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明新型低功耗MIPI电流模驱动的结构示意图；
图2为现有预加重电流模驱动的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1所示，本发明为一种新型低功耗MIPI电流模驱动，包括MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、MOS管N4、MOS管N5、MOS管N6、MOS管P1、MOS管P2，MOS管N3、MOS管N4接地，MOS管P1、MOS管P2均接1.1V电源，MOS管N1与MOS管N3之间连接有电阻R2、MOS管N2与MOS管N3之间连接有电阻R1；优选的，电阻R2、电阻R1为预设电阻，保证MIPI的阻抗匹配和共模输出，以符合MIPI的协议，MOS管N5、MOS管N6开关交替脉冲开启，预加重脉冲电流输出，弥补MIPI输出的线上损耗，其中MOS管N5、MOS管N6可以弥补线上大寄生电容的损耗，而预加重可以弥补码间干扰等高频线上损耗。
其中，MOS管N5的漏端连接有电阻R3、MOS管N6的漏端连接有电阻R4；电阻R3、电阻R4分别与MOS管N7、MOS管N8连接；MOS管P2电流脉冲式注入到输出和电阻R3、电阻R4；通过精确计算电阻R3、电阻R4，保证脉冲电流维持MIPI共模输出，不产生过冲，其中，电阻R3、电阻R4和MOS管P2的电流值的设置是根据MIPI协议，不能随意设置，是在协议范围内，根据测试眼图和频率范围进行折中的；MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、MOS管N4为主驱动开关，并交替开启，提供MIPI的输出电流，MOS管N5、MOS管N6分别与MOS管N7、MOS管N8同时开启，当MOS管P1输出电流时，MOS管P2也输出一个较大的脉冲电流，并注入到MOS管N7或MOS管N8，其中，MOS管P2输出脉冲电流的大小根据MIPI挂载寄生电容大小调节，外部挂载寄生电容越大，要求的数据率越高，则MOS管P2的输出电流越大，这样即使outp和outn的寄生电容非常大，也可以调整一个合适的脉冲电流注入，提高MIPI输出沿的驱动能力，从而在保证低功耗的同时提高MIPI的高速驱动能力。
一种新型低功耗MIPI电流模驱动，在传统MIPI预加重电流模驱动基础上增加了电阻匹配方案，实现预加重脉冲电流可以随意提高而不产生输出过冲，也不影响MIPI共模输出；预加重电流模驱动的脉冲电流大小可以随意提高，从而降低输出阻抗，提高MIPI驱动能力，MIPI可以支持挂载超大寄生电容器件，同时可以保证MIPI的高速传输能力不受影响；本发明预加重电流模驱动的脉冲驱动电流很大，但是由于是脉冲式开启，不会带来更大的额外功耗，保证MIPI的低功耗性能不受影响。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (5)

1.一种新型低功耗MIPI电流模驱动，包括MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、MOS管N4、MOS管N5、MOS管N6、MOS管P1、MOS管P2，其特征在于：
所述MOS管N5的漏端连接有电阻R3、MOS管N6的漏端连接有电阻R4；
所述电阻R3、电阻R4分别与MOS管N7、MOS管N8连接；
所述MOS管N5、MOS管N6分别与MOS管N7、MOS管N8同时开启，当MOS管P1输出电流时，所述MOS管P2也输出一个脉冲电流，并注入到MOS管N7或MOS管N8；
所述MOS管P2电流脉冲式注入到输出和电阻R3、电阻R4；
通过精确计算电阻R3、电阻R4，保证脉冲电流维持MIPI共模输出，不产生过冲；
所述MOS管N1、MOS管N2、MOS管N3、MOS管N4为主驱动开关，并交替开启，提供MIPI的输出电流。
2.根据权利要求1所述的一种新型低功耗MIPI电流模驱动，其特征在于，所述MOS管P2输出脉冲电流的大小根据MIPI挂载寄生电容大小调节，外部挂载寄生电容越大，要求的数据率越高，则MOS管P2的输出电流越大。
3.根据权利要求1所述的一种新型低功耗MIPI电流模驱动，其特征在于，所述MOS管N1与MOS管N3之间连接有电阻R2、所述MOS管N2与MOS管N3之间连接有电阻R1。
4.根据权利要求3所述的一种新型低功耗MIPI电流模驱动，其特征在于，所述电阻R2、电阻R1为预设电阻，保证MIPI的阻抗匹配和共模输出，以符合MIPI的协议。
5.根据权利要求1所述的一种新型低功耗MIPI电流模驱动，其特征在于，所述MOS管N5、MOS管N6开关交替脉冲开启，预加重脉冲电流输出，弥补MIPI输出的线上损耗。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6774700B1 (en) * 2003-08-29 2004-08-10 Agilent Technologies, Inc. Current-mode logic differential signal generation circuit employing squelch
US20080218222A1 (en) * 2007-03-02 2008-09-11 Kawasaki Microelectronics, Inc. Circuit and method for current-mode output driver with pre-emphasis
US7683656B1 (en) * 2008-11-17 2010-03-23 Intel Corporation Predriver equalization for common mode noise reduction in a semi-differential current mode driver
US20110175656A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Integrated Device Technology, Inc. Circuit including current-mode logic driver with multi-rate programmable pre-emphasis delay element
KR101726396B1 (ko) * 2015-12-17 2017-04-13 (주) 엠칩스 프리엠퍼시스의 상하비율을 조정하기 위한 전류 모드 논리 드라이버 및 그 방법
CN106603095A (zh) * 2016-12-05 2017-04-26 清华大学 一种高速低功耗pam4发射机
CN106817119A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 联发科技股份有限公司 驱动电路
CN106982048A (zh) * 2017-02-07 2017-07-25 宁波大学 基于电流选择器的预加重信号产生电路
CN109412579A (zh) * 2018-09-19 2019-03-01 京微齐力(北京)科技有限公司 电流模式逻辑驱动电路

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6774700B1 (en) * 2003-08-29 2004-08-10 Agilent Technologies, Inc. Current-mode logic differential signal generation circuit employing squelch
US20080218222A1 (en) * 2007-03-02 2008-09-11 Kawasaki Microelectronics, Inc. Circuit and method for current-mode output driver with pre-emphasis
US7683656B1 (en) * 2008-11-17 2010-03-23 Intel Corporation Predriver equalization for common mode noise reduction in a semi-differential current mode driver
US20110175656A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Integrated Device Technology, Inc. Circuit including current-mode logic driver with multi-rate programmable pre-emphasis delay element
CN106817119A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 联发科技股份有限公司 驱动电路
KR101726396B1 (ko) * 2015-12-17 2017-04-13 (주) 엠칩스 프리엠퍼시스의 상하비율을 조정하기 위한 전류 모드 논리 드라이버 및 그 방법
CN106603095A (zh) * 2016-12-05 2017-04-26 清华大学 一种高速低功耗pam4发射机
CN106982048A (zh) * 2017-02-07 2017-07-25 宁波大学 基于电流选择器的预加重信号产生电路
CN109412579A (zh) * 2018-09-19 2019-03-01 京微齐力(北京)科技有限公司 电流模式逻辑驱动电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王轩等: "预加重LVDS驱动器电路设计与实现", 《空间电子技术》 *

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