CN110690250A - 发光元件和发光二极管 - Google Patents

发光元件和发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN110690250A
CN110690250A CN201911074035.9A CN201911074035A CN110690250A CN 110690250 A CN110690250 A CN 110690250A CN 201911074035 A CN201911074035 A CN 201911074035A CN 110690250 A CN110690250 A CN 110690250A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
electrode
light
contact
type semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201911074035.9A
Other languages
English (en)
Inventor
金钟奎
李素拉
尹馀镇
金在权
李俊燮
姜珉佑
吴世熙
金贤儿
林亨镇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Viosys Co Ltd
Original Assignee
Seoul Viosys Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020150022603A external-priority patent/KR102320797B1/ko
Priority claimed from KR1020150023752A external-priority patent/KR20160101348A/ko
Priority claimed from KR1020150037560A external-priority patent/KR20160112244A/ko
Priority claimed from KR1020150073596A external-priority patent/KR102424364B1/ko
Priority claimed from KR1020150073598A external-priority patent/KR20160139182A/ko
Priority claimed from KR1020150167920A external-priority patent/KR101769077B1/ko
Application filed by Seoul Viosys Co Ltd filed Critical Seoul Viosys Co Ltd
Publication of CN110690250A publication Critical patent/CN110690250A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

公开了一种发光元件和发光二极管。所述发光元件包括：第一发光单元；一个以上的第二发光单元，与第一发光单元布置在同一平面上；第一电极，形成在所述第一发光单元或所述一个以上的第二发光单元上，且与所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元中的一个发光单元电连接；第二电极，形成在所述第一发光单元或所述一个以上的第二发光单元上，且与所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元中的另一个发光单元电连接，其中，所述第一发光单元布置在中央，而所述一个以上的第二发光单元布置为围绕所述第一发光单元。

Description

发光元件和发光二极管
本申请是申请日为2016年2月4日，申请号为201680010257.2，标题为“发光元件以及发光二极管”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光元件以及发光二极管，更为具体地涉及一种改善发光元件的光效率的发光元件以及发光二极管。
背景技术
近来，随着对小型高功率发光元件的需求不断增加，对散热效率优秀的大面积的倒装芯片型发光元件的需求处于增加的趋势。倒装芯片型发光元件具有以下优点，随着电极直接接合于二次基板，不再使用用于供应外部电源的线，因此散热效率高于水平型发光元件。即，即使向倒装芯片型发光元件施加高密度电流，热量也会传递到二次基板侧，因此可以将倒装芯片型发光元件用作高功率发光源。
另外，对于为了发光元件的小型化而省略将发光元件另行封装在壳体等的工序并将发光元件本身用作封装件(package)的芯片级封装(chip scale package)的需求正在不断增加。倒装芯片型发光元件的电极能够发挥类似于引脚的作用，因此能够有用地应用于如上所述的芯片级封装。
通过使用芯片级封装而制造发光元件，可以使高密度的电流施加到芯片级封装。进而，由于最近要求高功率产品，因此施加到芯片级封装的驱动电流变得更高。如上所述，随着施加到芯片级封装的驱动电流的增加，从发光二极管芯片产生的热也增加，根据增加的热量可以产生热应力。并且，发生结温(junction temperature)随着增加的热量而变高的现象，因此存在使发光元件的可靠性下降的问题。
并且，通过将多个芯片级封装形态的发光单元串联或并联连接而配置在基板上，可以制造发光元件。在如此地配置多个发光单元来实现发光元件时，在多个发光单元之间形成不发光的区域，因此存在从发光元件的中央发出的光的光效率欠佳的问题。
此外，近来，随着要求高功率产品，进行着多个用于提高芯片级封装的发光效率的研究。即使利用多个发光单元而制造发光元件，也需要能够使发光元件的光效率最大化的技术。
在汽车的前照灯中应用串联的多个发光元件的情况下，在串联的多个发光元件的两端可以施加相对高的电压。在串联的发光元件不具备彼此预定的正向电压特性时，过高的电压可能会施加到正向电压较低的发光元件，而导致发光元件的稳定性下降，因此对可靠性带来不利的影响。
发明内容
技术问题
本发明所要解决的课题是提供如下的发光元件，其在使用多个发光结构体施加高功率时，可靠性较高且能够提高光效率。
本发明所要解决的另一课题是提供如下的发光元件以及发光二极管，其即使通过串联多个发光结构体来构成发光元件，也能够提高从发光元件的中央发出的光的发光强度(luminous intensity)。
本发明所要解决的又一课题是提供一种电流分散性能得到改善的发光元件。
技术方案
根据本发明的一实施例的发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层；第一接触电极以及第二接触电极，位于所述发光结构体上，分别与所述第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层欧姆接触；绝缘层，为了所述第一接触电极以及第二接触电极的绝缘，覆盖所述第一接触电极以及第二接触电极的一部分；第一电极焊盘以及第二电极焊盘，分别电连接于所述第一接触电极以及第二接触电极；以及散热垫，形成于所述绝缘层上，使从所述发光结构体产生的热散热，其中，所述散热垫的平面形状的至少三个面可以向外面暴露。
此时，所述第一电极焊盘以及第二电极焊盘中的一个以上形成于所述绝缘层上，可配置在所述绝缘层的平面上的一侧。
并且，所述第一电极焊盘以及第二电极焊盘相隔地形成于所述绝缘层上，所述散热垫形成于所述绝缘层上，且可以配置于所述第一电极焊盘及第二电极焊盘之间。
并且，所述第一电极焊盘以及第二电极焊盘分别形成两个以上，所述两个以上的第一电极焊盘以及第二电极焊盘分别形成于所述绝缘层上，且可以在所述绝缘层的平面上相隔地配置。
并且，所述散热垫形成于所述绝缘层上，且可配置于所述第一电极焊盘以及第二电极焊盘之间。或者，所述散热垫形成两个以上，所述两个以上的散热垫的面中向外面暴露的面的数量可以是三个以上。此时，所述两个以上的散热垫可以彼此相隔地配置。
并且，所述绝缘层可以包括：第一绝缘层，在所述第一接触电极及第二接触电极之间形成而覆盖所述第二接触电极的一部分，且形成有分别使所述第一导电型半导体层以及第二接触电极部分暴露的第一开口部以及第二开口部；以及第二绝缘层，形成为覆盖部分覆盖所述第一绝缘层的第一接触电极的一部分，且形成有使所述第一接触电极与第二接触电极部分暴露的第三开口部以及第四开口部。
在此，所述第一电极焊盘通过所述第三开口部而电连接于所述第一接触电极，所述第二电极焊盘可以通过所述第四开口部而电连接于所述第二接触电极。
并且，在所述发光结构体形成有使所述第一导电型半导体层部分暴露的多个孔，所述第一接触电极可以通过所述多个孔而电连接于所述第一导电型半导体层。
此时，所述第一电极焊盘以及第二电极焊盘可以分别包括Cu、Pt、Au、Ti、Ni、Al以及Ag中的一个以上，所述散热垫可以包括Cu、Pt、Au、Ti、Ni、Al以及Ag中的一个以上。
另外，根据本发明的一实施例的发光元件包括：多个发光结构体，彼此电连接；第一电极焊盘，电连接于所述多个发光结构体中的一个；第二电极焊盘，电连接于所述多个发光结构体中的另一个；以及散热垫，形成于所述多个发光结构体上，使从所述多个发光结构体产生的热散热，其中，所述散热垫的平面形状的至少三个面可以向外面暴露。
此时，所述发光结构体可以包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；活性层，夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间；第一接触电极以及第二接触电极，位于所述第二导电型半导体层上，分别与所述第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层欧姆接触；以及绝缘层，为了所述第一接触电极以及第二接触电极的绝缘，覆盖所述第一接触电极以及第二接触电极的一部分。
并且，所述第一电极焊盘以及第二电极焊盘可以分别电连接于所述第一接触电极以及第二接触电极，所述第一电极焊盘及第二电极焊盘与散热垫可形成于所述绝缘层上。并且，所述多个发光结构体可以彼此串联连接。
在此，所述散热垫的平面形状面积可以是所述发光元件的平面形状面积的50％以上。
另外，根据本发明的一实施例的发光元件包括：第一发光单元；一个以上的第二发光单元，配置于与所述第一发光单元相同的平面上；第一电极焊盘，形成于所述第一发光单元或者一个以上的第二发光单元上，电连接于所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元中的一个；以及第二电极焊盘，形成于所述第一发光单元或者一个以上的第二发光单元上，电连接于所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元中的另一个，其中，所述第一发光单元配置于中央，所述一个以上的第二发光单元可以配置为包围所述第一发光单元。
此时，所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元可以彼此电连接，所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元可以彼此串联连接。
并且，所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元分别包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层；第一接触电极以及第二接触电极，位于所述发光结构体上，分别与所述第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层欧姆接触；以及绝缘层，为了所述第一接触电极以及第二接触电极的绝缘，覆盖所述第一接触电极以及第二接触电极的一部分，其中，所述第一电极焊盘以及第二电极焊盘可以分别电连接于所述第一接触电极与第二接触电极。
在此，所述第一电极焊盘以及第二电极焊盘中的一个以上可形成于所述绝缘层上。此时，所述绝缘层可以包括：第一绝缘层，在所述第一接触电极及第二接触电极之间形成而覆盖所述第二接触电极的一部分，且形成有分别使所述第一导电型半导体层以及第二接触电极部分暴露的第一开口部以及第二开口部；以及第二绝缘层，形成为覆盖部分覆盖所述第一绝缘层的第一接触电极的一部分，且形成有使所述第一接触电极与第二接触电极部分暴露的第三开口部以及第四开口部。
并且，所述第一电极焊盘通过所述第三开口部电连接于所述第一接触电极，所述第二电极焊盘通过所述第四开口部电连接于所述第二接触电极。
并且，在所述发光结构体形成有使所述第一导电型半导体层部分暴露的多个孔，所述第一接触电极可以通过所述多个孔而电连接于所述第一导电型半导体层。
在此，所述第一电极焊盘以及第二电极焊盘可以分别包括Cu、Pt、Au、Ti、Ni、Al以及Ag中的一个以上。并且，所述第一发光单元可以是圆形或者具有四个角以上的多边形。
另外，根据本发明的一实施例的发光二极管包括：发光元件，包括第一发光单元、配置于与所述第一发光单元相同的平面上的一个以上的第二发光单元、分别电连接于所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元中的一个以及另一个的第一电极焊盘及第二电极焊盘；以及透镜，使从所述发光元件发射的光分散，其中，所述第一发光单元配置于中央，所述一个以上的第二发光单元可以配置为包围所述第一发光单元。
此时，所述透镜可以包括：下表面，定义光线入射的入光面；以及上表面，剖面具有圆形或变形的圆形的曲率，使光线射出。并且，所述透镜可以包括：下表面，定义所述光线入射的入光面；上表面，使射入的光反射；以及侧面，形成于所述下表面以及上表面之间，使从所述上表面反射的光线射出。
并且，所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元可以彼此电连接，所述第一发光单元可以是圆形或者具有四个以上的角的多边形。
另外，根据本发明的一实施例的发光元件包括：第一发光单元；一个以上的第二发光单元，配置于与所述第一发光单元相同的平面上，电连接于所述第一发光单元；第一电极焊盘，形成于所述第一发光单元或者一个以上的第二发光单元上，电连接于所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元中的一个；第二电极焊盘，形成于所述第一发光单元或者一个以上的第二发光单元上，电连接于所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元中的另一个；以及散热垫，形成于所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元上，使从所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元产生的热散热，其中，所述第一发光单元配置于中央，所述一个以上的第二发光单元可以配置为包围所述第一发光单元。
在这里，所述散热垫的平面形状的至少三个面可以向外面暴露。
并且，所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元分别包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层；第一接触电极以及第二接触电极，位于所述发光结构体上，分别与所述第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层欧姆接触；以及绝缘层，为了所述第一接触电极以及第二接触电极的绝缘，覆盖所述第一接触电极以及第二接触电极的一部分，其中，所述第一电极焊盘以及第二电极焊盘可以分别电连接于所述第一接触电极与第二接触电极。
并且，可以包括：第一绝缘层，在所述第一接触电极及第二接触电极之间形成而覆盖所述第二接触电极的一部分，且形成有分别使所述第一导电型半导体层以及第二接触电极部分暴露的第一开口部以及第二开口部；以及第二绝缘层，形成为将部分覆盖所述第一绝缘层的第一接触电极的一部分覆盖，且形成有使所述第一接触电极与第二接触电极部分暴露的第三开口部以及第四开口部。
在此，所述第一电极焊盘、第二电极焊盘以及散热垫中的一个以上可形成于所述第二绝缘层上，所述第一电极焊盘可以通过所述第三开口部电连接于所述第一接触电极，所述第二电极焊盘可以通过所述第四开口部电连接于所述第二接触电极。
并且，所述第一电极焊盘、第二电极焊盘以及散热垫可以分别包括Cu、Pt、Au、Ti、Ni、Al以及Ag中的一个以上。
此时，所述第一电极焊盘、第二电极焊盘以及散热垫可以彼此相隔而配置，所述第一发光单元可以是圆形或者具有四个以上的角的多边形。
另外，根据本发明的一实施例的发光二极管包括：发光元件，包括第一发光单元、配置于与所述第一发光单元相同的平面上的一个以上的第二发光单元、分别电连接于所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元中的一个以及另一个的第一电极焊盘及第二电极焊盘、形成于所述第一发光单元以及一个以上的第二发光单元上以使从所述一个以上的发光单元产生的热散热的散热垫；以及印刷电路板，安装有所述发光元件，其中，所述印刷电路板包括：基板主体，使通过所述散热垫传递的热分散；以及引线部，形成于所述基板主体上，且电连接于所述第一电极焊盘及第二电极焊盘。
此时，所述基板主体可以与所述散热垫接触，所述印刷电路板还可以包括形成于所述基板主体上且与所述散热垫接触的散热部。
并且，所述引线部与散热部可以彼此绝缘。
所述印刷电路板还可以包括夹设于所述基板主体与引线部之间的绝缘部。
并且，还可以包括：透镜，位于所述发光元件的上部，使从所述发光元件发出的光分散，所述透镜可以包括对从所述发光元件发出的光进行波长转换的荧光体。
另外，根据本发明的一实施例的发光元件包括：第一发光单元；第二发光单元，配置于与所述第一发光单元相同的平面上，且电连接于所述第一发光单元；第三发光单元，配置于与所述第一发光单元及第二发光单元相同的平面上，电连接于所述第二发光单元；第一电极连接部，电连接所述第一发光单元与第二发光单元；以及第二电极连接部，电连接所述第二发光单元与第三发光单元，其中，所述第一电极连接部以及所述第二电极连接部分别以所述第二发光单元为基准而配置于对角方向，所述第一电极连接部以及第二电极连接部分别位于所述第二发光单元以及第三发光单元的上部，且可以覆盖所述第二发光单元及第三发光单元的侧面。
此时，所述第一电极连接部以及所述第二电极连接部可以分别以所述第二发光单元为基准而配置于彼此不同的面侧。
并且，所述第一电极连接部可位于所述第二发光单元的一面边角侧，所述第二电极连接部可位于与所述第二发光单元的一面邻接的面的边角侧。
并且，所述第一电极连接部可配置于所述第二发光单元上，所述第二电极连接部可配置于所述第三发光单元上。
并且，所述第一至第三发光单元分别可以包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层；第一接触电极以及第二接触电极，位于所述发光结构体上，分别与所述第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层欧姆接触；以及绝缘层，为了所述第一接触电极以及第二接触电极的绝缘，覆盖所述第一接触电极以及第二接触电极的一部分。
此时，所述绝缘层可以包括：第一绝缘层，形成为覆盖所述第二接触电极，包括分别使所述第一导电型半导体层以及第二接触电极部分暴露的第一开口部以及第二开口部；以及第二绝缘层，形成为覆盖第一接触电极，所述第一接触电极覆盖所述第一绝缘层，并且包括分别使所述第一接触电极与第二接触电极部分暴露的第三开口部以及第四开口部。
并且，为使所述第一接触电极通过所述第一开口部与所述第一导电型半导体层欧姆接触，所述第一开口部配置有多个，所述第一电极连接及第二电极连接部分别可以形成于所述第二发光单元及第三发光单元的多个第一开口部之间。
并且，所述第一绝缘层可以包括：预绝缘层，覆盖所述发光结构体的上表面或者侧面的一部分；以及主绝缘层，形成为覆盖所述预绝缘层以及第二接触电极。
并且，所述第一发光单元的第一接触电极向所述第二发光单元的发光结构体上部延伸而可以与所述第二接触电极欧姆接触。
并且，还可以包括：台面，包括所述第二导电型半导体层以及活性层；以及第三绝缘层，覆盖所述台面上部的一部分。
并且，所述第二接触电极可以在所述台面上部与所述第二导电型半导体层欧姆接触。
此时，还包括位于所述发光结构体的下部的基板，所述基板可以在上表面形成有多个图案。
并且，所述第一发光单元的第一接触电极可以延伸至上部以覆盖所述第二发光单元的一侧，所述第二发光单元的第一接触电极可以延伸至上部以覆盖所述第三发光单元的一侧。
另外，根据本发明的一实施例的发光元件包括：第一发光单元；第二发光单元，配置于与所述第一发光单元相同的平面上，电连接于所述第一发光单元；以及多个电极连接部，电连接所述第一发光单元与第二发光单元，其中，所述多个电极连接部从所述第一发光单元延伸而以覆盖所述第二发光单元上部的一部分的方式配置于所述第二发光单元上部，且可以沿所述第二发光单元的平面形状的一个边而配置于一侧。
此时，所述第一发光单元与第二发光单元可以配置成平面形状的一个边彼此邻接。
并且，所述多个电极连接部可配置于与所述第一发光单元的一个边对应的所述第二发光单元的一边侧。
并且，所述第一发光单元以及第二发光单元配置成平面形状的一个边角彼此邻接，所述多个电极连接部可以从所述第一发光单元经过所述第二发光单元的一个边而延伸。
并且，所述第一发光单元及第二发光单元可以分别包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层；第一接触电极以及第二接触电极，位于所述发光结构体上，分别与所述第一导电型半导体层以及第二导电型半导体层欧姆接触；以及绝缘层，为了所述第一接触电极以及第二接触电极的绝缘，覆盖所述第一接触电极以及第二接触电极的一部分。
此时，所述绝缘层可以包括：第一绝缘层，形成为覆盖所述第二接触电极，包括分别使所述第一导电型半导体层以及第二接触电极部分暴露的第一开口部以及第二开口部；以及第二绝缘层，形成为覆盖第一接触电极，所述第一接触电极覆盖所述第一绝缘层，并且包括分别使所述第一接触电极与第二接触电极部分暴露的第三开口部以及第四开口部。
并且，所述第一绝缘层可以包括：预绝缘层，覆盖所述发光结构体的上表面或者侧面的一部分；以及主绝缘层，形成为覆盖所述预绝缘层以及第二接触电极。
并且，所述第一发光单元的第一接触电极可以向所述第二发光单元的发光结构体上部延伸而与所述第二接触电极欧姆接触。
并且，包括：台面，包括所述第二导电型半导体层以及活性层，所述第一绝缘层可以包括覆盖所述台面的上部一部分的预绝缘层。
此时，所述第二接触电极可以在所述台面上部与所述第二导电型半导体层欧姆接触。
并且，还包括位于所述发光结构体的下部的基板，所述基板可以在上表面形成有多个图案。
在此，在形成于所述基板的多个图案中，未被所述发光结构体覆盖而暴露的一部分可以形成为小于被所述发光结构体覆盖的剩余部分的大小。
另外，根据本发明的一实施例的发光元件包括：第一发光单元；第二发光单元，在与所述第一发光单元相同的平面上，沿第一方向邻接配置；多个接触孔，在所述第一发光单元以及第二发光单元上彼此相隔配置；以及第一电极连接部，电连接所述第一发光单元与所述第二发光单元，其中，所述第一电极连接部包括：第1-1电极连接部，位于所述第一发光单元上；第1-2电极连接部，位于所述第二发光单元上；以及第一中间连接部，在所述第一发光单元与第二发光单元之间，连接所述第1-1电极连接部与第1-2电极连接部，其中，所述第1-1电极连接部可以包括第1-1边缘部，所述第1-1边缘部位于与所述第二发光单元邻接的第一发光单元的第一侧面的边缘以及与所述第一侧面邻接的所述第一发光单元的另一侧面侧的边缘上。
此时，所述第一发光单元包括：第一侧面，与所述第二发光单元邻接；第二侧面，与所述第一侧面相对；第三侧面以及第四侧面，配置于所述第一侧面与所述第二侧面之间，且彼此相对，其中，所述第1-1边缘部可以限定配置于所述第一侧面侧以及第三侧面侧边缘上。
并且，所述第1-1电极连接部包括从所述第1-1边缘部延伸的多个第1-1分支部，所述多个第1-1分支部可以包括从配置于所述第三侧面侧的第1-1边缘部向第二侧面侧延伸的分支部、从配置于所述第一侧面侧的第1-1边缘部向第二侧面侧延伸的分支部、以及从配置于所述第一侧面侧的第1-1边缘部向所述第四侧面侧延伸的第1-1分支部。
此时，所述多个第1-1分支部可以彼此平行地配置，所述多个第1-1分支部可以配置于所述第一发光单元上的接触孔之间。
并且，还可以包括连接配置于所述第一发光单元的接触孔的接触孔连接部，所述接触孔连接部位于所述第1-1分支部之间，且可以包括与所述第1-1分支部平行的分支部。
并且，所述第二发光单元包括：第一侧面，与所述第一发光单元邻接；第二侧面，与所述第一侧面相对；第三侧面，配置于所述第一侧面与所述第二侧面之间，且与所述第一发光单元的第三侧面邻接；以及第四侧面，与第三侧面相对，其中，所述第1-2电极连接部可以包括第1-2边缘部，其位于与所述第一发光单元邻接的第二发光单元的第一侧面侧与第四侧面侧的边缘上。
并且，所述第1-2电极连接部包括从所述第1-2边缘部延伸的多个第1-2分支部，所述多个第1-2分支部可以平行于所述多个第1-1分支部。
在此，所述第1-2分支部可以分别连接所述第二发光单元上的接触孔。
并且，还包括：第三发光单元，在与所述第二发光单元相同的平面上沿第一方向邻接配置；多个接触孔，在所述第三发光单元上彼此相隔配置；以及第二电极连接部，电连接所述第二发光单元与所述第三发光单元，其中，所述第二电极连接部包括：第2-1电极连接部，位于所述第二发光单元上；第2-2电极连接部，位于所述第三发光单元上；以及第二中间连接部，在所述第二发光单元与第三发光单元之间，连接所述第2-1电极连接部与第2-2电极连接部，所述第2-1电极连接部可以包括第2-1边缘部，所述第2-1边缘部位于与所述第三发光单元邻接的所述第二发光单元的第二侧面侧与所述第二发光单元的第三侧面侧的边缘上。
并且，所述第2-1电极连接部包括从所述第2-1边缘部延伸的多个第2-1分支部，所述第2-1分支部可以分别与所述第1-2分支部平行配置。
并且，所述第三发光单元包括：第一侧面，与所述第二发光单元邻接；第二侧面，与所述第一侧面相对；第三侧面，配置于所述第一侧面与所述第二侧面之间，且与所述第二发光单元的第三侧面相邻；以及第四侧面，与第三侧面相对，其中，所述第2-2电极连接部可以包括第2-2边缘部，其位于与所述第二发光单元邻接的第三发光单元的第一侧面侧与第四侧面侧的边缘上。
并且，所述第2-2电极连接部包括从所述第2-2边缘部延伸的多个第2-2分支部，所述多个第2-2分支部可以平行于所述多个第2-1分支部。
在此，所述第2-2分支部可以分别连接所述第三发光单元上的接触孔。
并且，还包括：第四发光单元，包括下部半导体层以及上部半导体层，在与所述第三发光单元相同的平面上，沿第一方向邻接配置；多个接触孔，在所述第四发光单元上彼此相隔配置；以及第三电极连接部，电连接所述第三发光单元与所述第四发光单元，其中，所述第三电极连接部包括：第3-1电极连接部，位于所述第三发光单元上；第3-2电极连接部，位于所述第四发光单元上；以及第三中间连接部，在所述第三发光单元与第四发光单元之间连接所述第3-1电极连接部与第3-2电极连接部，其中，所述第3-1电极连接部可以包括第3-1边缘部，所述第3-1边缘部位于与所述第四发光单元邻接的所述第三发光单元的第二侧面侧与所述第三发光单元的第三侧面侧的边缘上。
此时，所述第3-1电极连接部包括从所述第3-1边缘部延伸的多个第3-1分支部，所述第3-1分支部可以分别与所述第2-2分支部平行配置，所述第3-2电极连接部连接所述第四发光单元上的接触孔，且可以使所述开口部暴露。
并且，还包括第一电极焊盘以及第二电极焊盘，而所述第一电极焊盘电连接于所述第一发光单元的第一导电型半导体层，所述第二电极焊盘电连接于所述第四发光单元的第二导电型半导体层，所述第一电极焊盘配置于所述第一发光单元及第二发光单元上，所述第二电极焊盘可以配置于所述第三发光单元以及第四发光单元上。
另外，根据本发明的一实施例的发光元件包括：第一发光单元；第二发光单元，在与所述第一发光单元相同的平面上，沿第一方向邻接配置；多个接触孔，在所述第一发光单元以及第二发光单元上彼此相隔配置；以及第一电极连接部，电连接所述第一发光单元与所述第二发光单元，其中，所述第一电极连接部，包括：第1-1电极连接部，位于所述第一发光单元上；第1-2电极连接部，位于所述第二发光单元上；以及第一中间连接部，在所述第一发光单元与第二发光单元之间，连接所述第1-1电极连接部与第1-2电极连接部，其中，所述第1-1电极连接部具有彼此平行的多个第1-1分支部，所述第1-2电极连接部具有彼此平行的多个第1-2分支部，所述第1-1分支部与所述第1-2分支部彼此平行，所述第1-1分支部以及所述第1-2分支部可以相对于所述第一方向以及与所述第一方向垂直的方向倾斜。
并且，包括：第三发光单元，在与所述第二发光单元相同的平面上沿第一方向邻接配置；多个接触孔，在所述第三发光单元上彼此相隔配置；以及第二电极连接部，电连接所述第二发光单元与所述第三发光单元，其中，所述第二电极连接部包括：第2-1电极连接部，位于所述第二发光单元上；第2-2电极连接部，位于所述第三发光单元上；以及第二中间连接部，在所述第二发光单元与第三发光单元之间连接所述第2-1电极连接部与第2-2电极连接部，其中，所述第2-1电极连接部具有彼此平行的多个第2-1分支部，所述第2-2电极连接部具有彼此平行的多个第2-2分支部，所述第2-1分支部与所述第2-2分支部彼此平行，所述第2-1分支部以及所述第2-2分支部可以与所述第1-1分支部以及所述第1-2分支部平行。
并且，包括：第四发光单元，在与所述第三发光单元相同的平面上，沿第一方向邻接配置；多个接触孔，在所述第四发光单元上彼此相隔配置；以及第三电极连接部，电连接所述第三发光单元与所述第四发光单元，其中，所述第三电极连接部包括：第3-1电极连接部，位于所述第三发光单元上；第3-2电极连接部，位于所述第四发光单元上；以及第三中间连接部，在所述第三发光单元与第四发光单元之间，连接所述第3-1电极连接部与第3-2电极连接部，其中，所述第3-1电极连接部具有彼此平行的多个第3-1分支部，所述第3-1分支部可以与所述第2-1分支部以及所述第2-2分支部平行。
此时，还包括第一电极焊盘以及第二电极焊盘，而所述第一电极焊盘配置于所述第一发光单元及第二发光单元上，所述第二电极焊盘可以配置于所述第三发光单元以及第四发光单元上。
另外，根据本发明的一实施例的一种发光元件包括：第一发光单元；一个以上的第二发光单元，与第一发光单元布置在同一平面上；第一电极，形成在所述第一发光单元或所述一个以上的第二发光单元上，且与所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元中的一个发光单元电连接；第二电极，形成在所述第一发光单元或所述一个以上的第二发光单元上，且与所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元中的另一个发光单元电连接，其中，所述第一发光单元布置在中央，而所述一个以上的第二发光单元布置为围绕所述第一发光单元。
另外，根据本发明的一实施例的一种发光二极管，包括：发光元件，包括第一发光单元、一个以上的第二发光单元、第一电极和第二电极，所述一个以上的第二发光单元与第一发光单元布置在同一平面上，第一电极和第二电极分别与所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元中的一个发光单元和另一个发光单元电连接；透镜，分散从所述发光元件发出的光，其中，第一发光单元布置在中心，并且所述一个以上的第二发光单元布置为围绕所述第一发光单元。
有益效果
根据本发明，除用于向发光结构体施加外部电力的电极以外，配置有用于使在发光结构体产生的热散热的散热垫，因此具有能够更加有效地使在发光元件产生的热散热的效果
并且，根据本发明，通过将发光元件所包含的多个发光结构体中的一个配置在发光元件的中央，而将其他发光结构体配置在配置于中央的发光结构体的周围，可以提高从发光元件的中央发出的光的发光强度的效果。
并且，根据本发明，在串联电连接多个发光单元时，使电连接发光单元的电极连接部位于发光单元的彼此不同的面侧，从而可以使施加到发光元件的电流均匀地分布到整个发光单元，因此可以使发光元件的光效率最大化。
并且，用于电连接发光单元的第一接触电极向邻接的发光单元延伸而电连接于邻接的发光单元的第二接触电极，从而可以使向发光单元之间发出的光反射并使其向发光元件的外部发出，因此具有可以最大化发光元件的光效率的效果。
并且，根据本发明，在电连接多个发光单元时，电连接发光单元的电极连接部包括配置于第一发光单元的两个侧面侧边缘上的边缘部，从而可以使电流均匀地分散至第一发光单元的广阔的区域。
并且，第一发光单元以及第二发光单元上的电极连接部的分支部彼此平行地配置，同时相对于排列有所述发光单元的方向而倾斜地配置，从而可以提高电流分散性能。
进而，通过串联连接邻接的发光单元，可以在一个发光元件使用发光特性类似的发光单元，因此可以维持预定的正向电压，进而，通过采用所述边缘部和/或所述分支部，可以使电流均匀地分散至多个发光单元，可以使发光单元的正向电压更加稳定，因此可以改善发光元件的可靠性。
附图说明
图1是示出根据本发明的第一实施例的发光元件的底面的仰视图。
图2是沿着图1的截取线AA'以及BB'截取的剖面图。
图3是用于说明根据本发明的第一实施例的发光元件的散热垫的图。
图4是示出根据本发明的第二实施例的发光元件的底面的仰视图。
图5是沿着图4的截取线CC'截取的剖面图。
图6是示出根据本发明的第三实施例的发光元件的底面的仰视图。
图7是示出根据本发明的第四实施例的发光元件的底面的仰视图。
图8是示出根据本发明的第五实施例的发光元件的底面的仰视图。
图9是沿着图1的截取线AA'截取的剖面图。
图10是示出应用了根据本发明的第五实施例的发光元件以及圆顶透镜的发光二极管的图。
图11是示出应用了根据本发明的第五实施例的发光元件与全反射透镜的发光二极管的图。
图12是示出根据本发明的第六实施例的发光元件的底面的仰视图。
图13是沿着图1的截取线AA'、BB'以及CC'截取的剖面图。
图14是示出根据本发明的第六实施例的发光二极管的图。
图15是示出应用了根据本发明的第六实施例的发光元件以及圆顶透镜的发光二极管的图。
图16是示出应用了根据本发明的第六实施例的发光元件与凹透镜的发光二极管的图。
图17是示出应用了根据本发明的第六实施例的发光元件、印刷电路板以及透镜的发光二极管的图。
图18是具体示出根据本发明的第七实施例的发光元件的平面图。
图19是简要示出根据本发明的第七实施例的发光元件的平面图。
图20a、图20b和图20c分别是沿着图1的截取线AA'、BB'以及CC'截取的剖面图。
图21至图23是拍摄根据本发明的第七实施例的发光元件的分析图像。
图24是示出根据本发明的第八实施例的发光元件的平面图。
图25是具体示出根据本发明的第九实施例的发光元件的平面图。
图26是简要示出根据本发明的第九实施例的发光元件的平面图。
图27a、图27b和图27c分别是沿着图1的截取线AA'、BB'以及CC'截取的剖面图。
图28是示出根据本发明的第十实施例的发光元件的平面图。
图29是示出根据本发明的第十一实施例的发光元件的平面图。
图30是示意性地示出根据本发明的第十二实施例的发光元件的平面图。
图31是示意性地示出根据本发明的第十二实施例的发光元件的平面图。
图32是沿着图1的截取线AA'截取的示意性的剖面图。
图33是沿着图1的截取线BB'截取的示意性的剖面图。
图34是沿着图1的截取线CC'截取的示意性的剖面图。
图35是沿着图1的截取线DD'截取的示意性的剖面图。
图36是沿着图1的截取线EE'截取的示意性的剖面图。
图37是沿着图1的截取线FF'截取的示意性的剖面图。
图38是示意性地示出根据本发明的第十二实施例的模块的剖面图。
图39是示意性地示出根据本发明的第十二实施例的模块的平面图。
图40是用于说明将根据本发明的一实施例的发光元件应用于照明装置的示例的分解立体图。
图41是用于说明将根据本发明的一实施例的发光元件应用于显示装置的示例的剖面图。
图42是用于说明将根据本发明的一实施例的发光元件应用于显示装置的示例的剖面图。
图43是用于说明将根据本发明的一实施例的发光元件应用于前照灯的示例的剖面图。
符号说明
100：发光元件 21：基板
21a：图案 23：发光结构体
25：第一导电型半导体层 27：活性层
29：第二导电型半导体层 31：第一接触电极
33：第二接触电极 35：第一绝缘层
35a：预绝缘层 35b：主绝缘层
37：第二绝缘层 39：第一电极焊盘
41：第二电极焊盘 43：散热垫
h1：第一孔 h2：第二孔
op1：第一开口部 op2：第二开口部
C1～C11：第一至第十一发光单元 D1～D10：第一至第十电极连接部
最优实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。为使本发明所属技术领域的一般技术人员能够充分理解本发明的宗旨，举例说明以下实施例。因此，本发明并不限定于以下所述的实施例，也可以通过其他形态具体实现。并且，在附图中，为了方便起见，构成要素的宽度、长度以及厚度等，有时可能会被夸张地描述。并且，在记载为一个构成要素位于另一构成要素的“上部”或者“上方”的情况下，不仅包括各部分位于另一部分的“紧邻的上部”或者“紧邻的上方”的情况，而且也包括在各构成要素与另一构成要素之间还夹设有其他构成要素的情况。在整个说明书中，相同的附图符号表示相同的构成要素。
参照附图更加详细地说明本发明的优选实施例。
图1是示出根据本发明的第一实施例的发光元件的底面的仰视图，图2的(a)是沿着图1的截取线AA'截取的剖面图，图2的(b)是沿着图1的截取线BB'截取的剖面图。
参照图1以及图2，根据本发明的第一实施例的发光元件10包括：发光结构体23、第一接触电极31、第二接触电极33、第一绝缘层35、第二绝缘层37、第一电极焊盘39、第二电极焊盘41以及散热垫43。
发光结构体23包括：第一导电型半导体层25、位于第一导电型半导体层25上的活性层27、以及位于活性层27上的第二导电型半导体层29。第一导电型半导体层25、活性层27以及第二导电型半导体层29可以包括III-V族系列的化合物半导体，作为一例，可以包括(Al、Ga、In)N之类的氮化物系半导体。
第一导电型半导体层25可以包括n型杂质(例如，Si)，第二导电型半导体层29可以包括p型杂质(例如，Mg)，也可以与其相反。活性层27可以包括多量子阱结构(MQW)，为了使其能够发射出期望的峰值波长的光，可以据此确定其组成比。
此外，发光结构体23可以包括第二导电型半导体层29以及活性层27被部分去除而使第一导电型半导体层25部分暴露的区域。即，如图2的(a)以及(b)所示，可以形成有贯穿第二导电型半导体层29以及活性层27而使第一导电型半导体层25暴露的多个孔h。此时，孔h的形状以及布置可以多样地变形。并且，暴露部分第一导电型半导体层25的区域，也可以部分去除第二导电型半导体层29以及活性层27而形成包括第二导电型半导体层29以及活性层27的台面。
在发光结构体23的第一导电型半导体层25的下部可以配置有生长基板。生长基板只要是可以使发光结构体23生长的基板21即可，例如，生长基板可以是蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化镓基板以及氮化铝基板等。此外，根据需要，生长基板可以利用公知的技术从发光结构体23分离而被去除。并且，虽然未图示，但在发光结构体23的下表面可以具有增加粗糙度的面。
第一接触电极31以及第二接触电极33可以分别与第一导电型半导体层25以及第二导电型半导体层29欧姆接触。首先对第二接触电极33进行说明，第二接触电极33形成于第二导电型半导体层29的上部，并且可以覆盖第二导电型半导体层29的一部分或者全部。第二接触电极33配置为单体，且形成为覆盖第二导电型半导体层29的上表面，且只在暴露第一导电型半导体层25的区域没有形成。据此，能够通过形成为单体的第二接触电极33向发光结构体23的整个区域均匀地供应电流，因此可以提高电流分散效率。当然，本发明并不限定于此，根据需要，第二接触电极33可以包括多个单位电极。
第二接触电极33只要是可以与第二导电型半导体层29欧姆接触的物质即可，例如，可以是包括金属物质以及导电氧化物中的一个以上的物质。
在第二接触电极33包括金属物质的情况下，第二接触电极33可以包括反射层(未图示)以及覆盖反射层的覆盖层(未图示)。据此，从发光结构体23发出的光可以在第二接触电极33反射。为此，反射层可以包括具有较高的反射率且可以与第二导电型半导体层29欧姆接触的金属。例如，反射层可以包括Ni、Pt、PD、Rh、W、Ti、Al、Ma、Ag以及Au中的一种以上，且可以形成为单层或多层。
此外，覆盖层可以防止反射层与其他物质之间的相互扩散，可以为了防止外部的其他物质扩散至反射层并损坏反射层而配置。在反射层接触于第二导电型半导体层29上的状态下，覆盖层可以形成为覆盖反射层的上表面以及侧面。通过使覆盖层形成为覆盖反射层的侧面，覆盖层与第二导电型半导体层29电连接，从而覆盖层可以与反射层一起被用作接触电极。这种覆盖层可以包括Au、Ni、Ti以及Cr中的一种以上，可以形成为单层或多层。
并且，反射层以及覆盖层分别可以通过电子束沉积或镀覆的方式形成。
另外，在第二接触电极33包括导电氧化物时，导电氧化物可以是ITO、ZnO、AZO、IZO等。如果第二接触电极33形成为包括导电氧化物，则与包括金属的情况相比，可以形成为覆盖第二导电型半导体层29上表面更宽的区域。从暴露第一导电型半导体层25的区域的边缘到第二接触电极33的相隔距离可以形成为，在第二接触电极33包括导电氧化物的情况下比包括金属的情况更短。据此，第二接触电极33与第二导电型半导体层29接触的部分以及第一接触电极31与第一导电型半导体层25接触的部分之间的最短距离相对变短，因此可以减少发光元件10的正向电压Vf。
如上所述，在第二接触电极33包括金属物质的情况下以及包括导电氧化物的情况下，在能够形成第二接触电极33的面积上产生差异的理由可以由于制造方法的差异而产生。例如，金属物质通过沉积或镀覆的方式形成，因此由于掩膜的工序余量而形成从第二导电型半导体层29的外廓边缘相隔预定距离的部分。相反，导电氧化物在第二导电型半导体层29上整体形成后，通过使第一导电型半导体层25暴露的蚀刻工序而使导电氧化物与第二导电型半导体层29一同被去除。因此，导电性氧化物可以形成为相对地更靠近第二导电型半导体层29的外廓边缘。
第一绝缘层35可以形成为覆盖发光结构体23的上表面以及第二接触电极33的一部分。并且，第一绝缘层35可以形成为覆盖孔h的侧面，且可以形成为使第一导电型半导体层25的一部分在孔h的底面暴露。此外，为使第二接触电极33的一部分暴露，在第一绝缘层35可以形成有一个以上的开口部。
第一绝缘层35可以包括绝缘物质，例如，可以包括SiO2、SiNx、MgF2等。并且，第一绝缘层35可以形成为多层，也可以包括由折射率彼此不同的物质交替地层叠而成的分布布拉格反射器。
在第二接触电极33包括导电氧化物的情况下，第一绝缘层35包括分布布拉格反射器而可以提高发光元件10的发光效率。此外，在第二接触电极33包括导电氧化物的情况下，通过由透明绝缘氧化物(例如，SiO2)形成第一绝缘层35可以形成通过第二接触电极33、第一绝缘层35以及第一接触电极31的层叠结构而形成的全方位反射器。
第一接触电极31可以形成为覆盖形成有使第二接触电极33的一部分暴露的开口部的部分以外的整个第一绝缘层35。据此，第一绝缘层35的一部分可以夹设于第一接触电极31与第二接触电极33之间。
另外，虽然未图示于图2，但是第一绝缘层35可以形成为能够覆盖包括发光结构体23的侧面的一部分的部分。第一绝缘层35可以根据在发光元件10的制造过程中是否进行芯片单位个体化(isolation)而不同。在发光元件10的制造过程中，在将晶圆个体化为芯片单元之后形成第一绝缘层35的情况下，发光结构体23的侧面也可以被第一绝缘层35覆盖。
第一接触电极31形成为覆盖发光结构体23的一部分。第一接触电极31形成为填埋孔h而与位于与孔h对应的部分的第一绝缘层35没有覆盖的第一导电型半导体层25欧姆接触。在本发明的第一实施例中，第一接触电极31可以形成为覆盖除第一绝缘层35的一部分以外的整个第一绝缘层35。据此，由于第一接触电极31而从发光结构体23发射出的光可以被反射，第一接触层与第二接触层可以通过第一绝缘层35彼此电绝缘。
第一接触电极31形成为覆盖除部分区域之外的整个发光结构体23的上表面，从而可以通过第一接触电极31进一步提高电流分散效率。并且，第一接触电极31可以覆盖未被第二接触电极33覆盖的部分，因此可以更加有效地使光反射而提高发光元件10的发光效率。
第一接触电极31与第一导电型半导体层25欧姆接触，并起到使光反射的作用。据此，第一接触电极31可以包括如Al层的高反射性金属层，并且可以形成为单层或多层。此时，高反射性金属层可形成于Ti、Cr或Ni等接触层上，第一接触层可以包括Ni、Pt、Pd、Rh、W、Ti、Al、Mg、Ag以及Au中的一种以上。
并且，如第一绝缘层35，第一接触电极31可以形成为覆盖发光结构体23的侧面的一部分，在第一接触电极31形成至发光结构体23的侧面的情况下，可以通过反射从活性层27向侧面发光的光，而提高发光元件10的发光效率。据此，在第一接触电极31形成为覆盖发光结构体23的侧面的一部分的情况下，第一绝缘层35可以夹设于发光结构体23与第一接触电极31之间。
第二绝缘层37形成为覆盖第一接触电极31的除一部分之外的整体。在第二绝缘层37可以形成使第一接触电极31的一部分暴露的第一开口部op1以及使第二接触电极33部分暴露的第二开口部op2。此时，第一开口部op1以及第二开口部op2可以分别形成一个以上。
第二绝缘层37可以包括绝缘物质，例如，可以包括SiO2、SiNx、MgF2等，可以包括多层，也可以包括由折射率不同的物质交替地层叠的分布布拉格反射器。在第二绝缘层37形成为多层时，第二绝缘层37的最上层可以由SiNx形成。据此，如果第二绝缘层37的最上层由SiNx形成，则能够有效地防止湿气浸透到发光结构体23。
第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可位于发光结构体23上，且分别可以电连接于第一接触电极31以及第二接触电极33。第一电极焊盘39通过第一开口部op1直接与第一接触电极31接触而电连接，第二电极焊盘41通过第二开口部op2直接与第二接触电极33接触并电连接。
第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41形成为具有数十μm以上的厚度，因此发光元件10本身可以作为芯片级封装而使用。
第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可以形成为单层或者多层，且可以包括具有导电性的物质。例如，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可以分别包括Cu、Pt、Au、Ti、Ni、Al以及Ag中的一个以上，或者，也可以包括烧结的形态的金属粒子以及夹设于金属粒子之间的非金属物质。在此，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可以利用镀覆、沉积、滴涂(dotting)或者丝网印刷方法等而形成。
在利用镀覆形成第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41的情况下，通过溅镀等方法在第一开口部op1以及第二开口部op2的整个面形成种子金属(seed metal)。种子金属可以包括Ti、Cu、Au、Cr等，可以发挥如球下UBM层(under bump metalization layer，凸点下金属层)的作用。例如，所述种子金属可以具有Ti/Cu层叠结构。在形成种子金属之后，在种子金属上形成掩膜，掩膜掩蔽与形成绝缘支撑体的区域对应的部分，并开放形成第一电极焊盘39及第二电极焊盘41的区域。然后，通过镀覆工序在掩膜的开放区域内形成第一电极焊盘39及第二电极焊盘41，然后通过蚀刻工序去除掩膜以及种子金属，从而可以形成第一电极焊盘39及第二电极焊盘41。
并且，利用丝网印刷方法形成第一电极焊盘39及第二电极焊盘41的情况如下。在第一开口部op1以及第二开口部op2的至少一部分上，通过溅镀等沉积以及图案化方式或者沉积以及剥离方法形成UBM层。UBM层可形成于要形成第一电极焊盘39及第二电极焊盘41的区域上，并且可以包括(Ti或TiW)层与(Cu、Ni、Au单层或者组合)层。例如，UBM层可以具有Ti/Cu层叠结构。接着，形成掩膜，掩膜掩蔽与形成绝缘支撑体的区域对应的部分，使形成第一电极焊盘39及第二电极焊盘41的区域开放。然后，通过丝网印刷工序在所述开放区域内形成如Ag浆料、Au浆料、Cu浆料等物质，并使其固化。然后，通过蚀刻工序去除所述掩膜，从而可以形成第一电极焊盘39及第二电极焊盘41。
此时，在通过如上所述的方法形成第一电极焊盘39及第二电极焊盘41时，如图1所示，在本发明的第一实施例中，可以使第一电极焊盘39及第二电极焊盘41分别形成于发光结构体23的边角侧。此外，可以调整第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41的大小以在第一电极焊盘39及第二电极焊盘41之间形成预定以上的空间。第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41的大小可以形成为在发光结构体23的边角侧具有预定以下的面积。
在本发明的第一实施例中，在发光结构体23的平面上，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41在发光结构体23的边角侧分别形成为三角形形状，在第一电极焊盘39与第二电极焊盘41之间，散热垫43可以形成为六边形形状。
散热垫43可以形成于发光结构体23的平面上，并且可以与第二绝缘层37接触而形成。散热垫43的厚度可以形成为与第一电极焊盘39及第二电极焊盘41相同的厚度或者具有比第一电极焊盘39及第二电极焊盘41小的厚度。此外，散热垫43的面积可以形成为具有比第一电极焊盘39及第二电极焊盘41的平面上的面积大的面积，如图1所示，至少三个面可以向外面暴露。例如，散热垫的面积可以形成为是发光元件的平面形状的50％以上，散热垫的面积越大，越可以提高散热效率。
在本发明的第一实施例中，通过使第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41在发光结构体23的边角侧形成为具有预定面积以下，而可以形成于未形成第一电极焊盘39及第二电极焊盘41的整个部分。此时，第一电极焊盘39及第二电极焊盘41与散热垫43可以形成为相隔预定距离以上。即，散热垫43可以由与第一电极焊盘39及第二电极焊盘41相同的物质形成，散热垫43形成为与第一电极焊盘39及第二电极焊盘41相隔，从而可以形成为使电流不在散热垫43流动。在此，第一电极焊盘39及第二电极焊盘41的形状以及散热垫43的形状并不限定于图示的形状，根据需要可以多样地变形。
图3是用于说明根据本发明的第一实施例的发光元件10的散热垫43的随着面积而变化的结温的图。
图3的(a)是示出以往的发光元件的图，图3的(b)是示出本发明的发光元件的图，是分别示出形成有第一电极焊盘39、第二电极焊盘41以及散热垫43的发光元件10的底面的图。以往的发光元件是未形成散热垫43的状态，且仅形成第一电极焊盘及第二电极焊盘，根据本发明的第一实施例的发光元件中，与散热垫一同形成有第一电极焊盘39及第二电极焊盘41，且示出第一电极焊盘39及第二电极焊盘41的一个边的长度形成为约500μm的情形。
比较以往的发光元件与根据本发明的第一实施例的发光元件的电流密度以及最大可施加电流的结果，可以确认由于在根据本发明的第一实施例的发光元件形成散热垫而使结温降低。据此，在预定工作范围内高电流驱动时，可以确保稳定的可靠性。
图4是示出根据本发明的第二实施例的发光元件的底面的仰视图，图5是沿着图4的截取线CC'截取的剖面图。
根据本发明的第二实施例的发光元件10包括：发光结构体23、第一接触电极31、第二接触电极33、第一绝缘层35、第二绝缘层37、第一电极焊盘39、第二电极焊盘41以及散热垫43。此外，在对根据本发明的第二实施例的发光元件10进行说明的同时，省略与第一实施例相同的说明。
如图4以及图5所示，在本发明的第二实施例中，发光元件10由多个发光结构体23a、23b串联而形成。为了便于说明，仅对第一发光结构体23a以及第二发光结构体23b串联的部分进行说明，第一发光结构体23a与第二发光结构体23b在基板21上部相隔形成，且形成为由第一绝缘体与第一接触电极31填埋第一发光结构体23a与第二发光结构体23b的相隔的空间。此时，第一发光结构体23a及第二发光结构体23b的结构形成为与第一实施例相同的结构。
如此，在多个发光结构体23a、23b形成为串联连接的状态的状态下，形成为由第二绝缘层37覆盖多个发光结构体23a、23b整体，第一电极焊盘39、第二电极焊盘41以及散热垫43分别形成于第二绝缘体上部。此时，第一电极焊盘39与第一接触电极31通过第一开口部op1电接触，第二电极焊盘41与第二接触电极33通过第二开口部op2电接触。并且，散热垫43以分别与第一电极焊盘39及第二电极焊盘41相隔的状态形成于第二绝缘层37上。
此时，在本发明的第二实施例中，对多个发光结构体23a、23b串联连接的情况进行了说明，但是可以根据需要而使多个发光结构体23a、23b并联连接，也可以使串联与并联混合而连接。
图6是示出根据本发明的第三实施例的发光元件的底面的仰视图。
参照图6，根据本发明的第三实施例的发光元件10包括：发光结构体23、第一接触电极31、第二接触电极33、第一绝缘层35、第二绝缘层37、第一电极焊盘39a、39b、第二电极焊盘41a、41b以及散热垫43。并且，在对根据本发明的第三实施例的发光元件10进行说明的同时，省略与第一实施例相同的说明。
在本发明的第三实施例中，第一电极焊盘39a、39b以及第二电极焊盘41a、41b可以分别形成两个，第一电极焊盘39a、39b及第二电极焊盘41a、41b可以分别在发光结构体23的边角侧形成为三角形形状。并且，在第一电极焊盘39a、39b及第二电极焊盘41a、41b之间可以形成有八边形形状的散热垫43。据此，八边形形状的散热垫43的四个面与第一电极焊盘39a、39b及第二电极焊盘41a、41b邻接配置，剩余四个面形成为暴露于发光结构体23的外面。
图7是示出根据本发明的第四实施例的发光元件的底面的仰视图。
参照图7，根据本发明的第四实施例的发光元件10包括：发光结构体23、第一接触电极31、第二接触电极33、第一绝缘层35、第二绝缘层37、第一电极焊盘39、第二电极焊盘41以及散热垫43a、43b、43c、43d。并且，在对根据本发明的第四实施例的发光元件10进行说明的同时，省略与第一实施例相同的部分的说明。
在本发明的第四实施例中，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41分别形成为三角形形状而在发光结构体23的边角侧向对角方向配置。此外，在第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41之间配置有四个散热垫43a、43b、43c、43d。在四个散热垫43a、43b、43c、43d中的未形成第一电极焊盘39及第二电极焊盘41的位置的两个散热垫43b、43d形成为四边形形状，剩余两个散热垫43a、43c形成为四边形形状中一个边角被倒角(chamfering)的形状。此时，四个散热垫43a、43b、43c、43d配置成彼此隔开的状态，四个散热垫43a、43b、43c、43d与第一电极焊盘39及第二电极焊盘41配置成彼此隔开的状态。
图8是示出根据本发明的第五实施例的发光元件的底面的仰视图，图9是沿着图1的截取线AA'截取的剖面图。
参照图8以及图9，根据本发明的第五实施例的发光元件10包括：第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4、第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41。
如图8所示，在本发明的第五实施例中，对使用四个发光单元C1、C2、C3、C4的情形进行说明，发光单元的数量可以根据需要而更少或者更多。
第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4彼此串联连接，第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4中的第三发光单元C3配置于发光元件10的中央，剩余发光单元C1、C2、C4配置成包围第三发光单元C3。并且，为使通过第一电极焊盘39及第二电极焊盘41施加的电流依次从第一发光单元C1流动至第四发光单元C4，而串联连接第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4。
此时，以发光元件10的平面形状为四边形形状、第三发光单元C3的平面形状为圆形的例进行说明，发光元件10的形状以及第三发光单元C3的形状可以根据需要而变形为三角形形状、四边形形状、六边形形状以及八边形形状等多种形状。
在圆形的第三发光单元C3配置于发光元件10的四边形形状的中央的状态下，第一发光单元C1、第二发光单元C2以及第四发光单元C4分别形成为不同的形状以形成四边形状的发光元件10的形状。
第一发光单元C1配置于第三发光单元C3的右上侧，第二发光单元C2配置于第三发光单元C3的左上侧。并且，第四发光单元C4配置于第三发光单元C3的下侧。据此，第一发光单元C1与第二发光单元C2可以形成为彼此线对称的形状。
如上所述，为使电流能够从发光单元C1依次向第四发光单元C4流动，第一发光单元C1与第二发光单元C2彼此电连接，第二发光单元C2电连接于第三发光单元C3，第三发光单元C3电连接于第四发光单元C4。为此，以使第一发光单元C1与第二发光单元C2在第三发光单元C3的上侧电连接且与第三发光单元C3以及第四发光单元C4电绝缘的方式相隔预定距离以上。
并且，第二发光单元C2在第三发光单元C3的上部电连接于第一发光单元C1，并在第三发光单元C3的左上部位置电连接于第三发光单元C3。第二发光单元C2以与第四发光单元C4电绝缘的方式相隔预定距离以上。
第三发光单元C3电连接于第二发光单元C2，并在第三发光单元C3的下部位置电连接于第四发光单元C4。并且，以与第一发光单元C1电绝缘的方式相隔预定距离以上。
第四发光单元C4以与第三发光单元C3电连接且与第一发光单元C1及第二发光单元C2电绝缘的方式相隔预定距离以上。
此时，第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4分别可以具有相同的面积。由于第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4彼此串联连接，因此通过使其具有相同的面积而可以使从各个发光单元C1、C2、C3、C4发出的光均匀地发出。
并且，在本发明的第五实施例中，虽然对第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4被串联连接的情况进行了说明，但是根据需要可以并联连接或者串联连接。
如上所述，在配置有第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4的状态下，第一电极焊盘39及第二电极焊盘41配置于第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4的上部。此时，第一电极焊盘39电连接于第四发光单元C4，第二电极焊盘41电连接于第一发光单元C1。即，第一电极焊盘39并不电连接于第一至第三发光单元C1、C2、C3，第二电极焊盘41并不电连接于第二至第四发光单元C2、C3、C4。
并且，可以调整第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41的大小，以使第一电极焊盘39及第二电极焊盘41配置于发光元件10的两端，而在第一电极焊盘39及第二电极焊盘41之间形成预定以上的空间。
参照图9对根据本发明的第五实施例的发光元件10的具体构成进行说明，发光元件10还包括发光结构体23、第一接触电极31、第二接触电极33、第一绝缘层35以及第二绝缘层37。
在对根据本发明的第五实施例的发光元件10的具体构成进行说明的同时，省略与第一实施例相同的说明。
发光结构体23包括第一导电型半导体层25、位于第一导电型半导体层25上的活性层27、以及位于活性层27上的第二导电型半导体层29。
并且，发光结构体23可以包括第二导电型半导体层29以及活性层27被部分去除而使第一导电型半导体层25部分暴露的区域。即，如图9所示，可以形成有通过贯穿第二导电型半导体层29以及活性层27而使第一导电型半导体层25暴露的多个孔h。此时，孔h的形状以及配置可以多样地变形。并且，第一导电型半导体层25部分暴露的区域，也可以部分去除第二导电型半导体层29以及活性层27而形成包括第二导电型半导体层29以及活性层27的台面。
在发光结构体23的第一导电型半导体层25的下部可以配置有生长基板。
第一接触电极31以及第二接触电极33可以分别与第一导电型半导体层25以及第二导电型半导体层29欧姆接触。第二接触电极33形成于第二导电型半导体层29的上部，并且可以覆盖第二导电型半导体层29的一部分或者全部。
第一绝缘层35可以形成为覆盖发光结构体23的上表面以及第二接触电极33的一部分。并且，第一绝缘层35可以形成为覆盖孔h的侧面，且可以形成为使第一导电型半导体层25的一部分暴露于孔h的底面。并且，为使第二接触电极33的一部分暴露，在第一绝缘层35可以形成有一个以上的开口部。
第一接触电极31可以形成为覆盖除了形成有使第二接触电极33的一部分暴露的开口部的部分以外的整个第一绝缘层35。据此，第一绝缘层35的一部分可以夹设于第一接触电极31与第二接触电极33之间。
另外，第一绝缘层35可以形成为能够覆盖包括发光结构体23的侧面的一部分的部分。
第一接触电极31形成为覆盖发光结构体23的一部分。第一接触电极31形成为填埋孔h而与位于与孔h对应的部分的第一绝缘层35没有覆盖的第一导电型半导体层25欧姆接触。在本发明的第一实施例中，第一接触电极31可以形成为覆盖除第一绝缘层35的一部分以外的整个第一绝缘层35。据此，从发光结构体23发出的光可以被第一接触电极31反射，第一接触层与第二接触层可以通过第一绝缘层35彼此电绝缘。
第二绝缘层37形成为覆盖第一接触电极31的除一部分之外的整体。在第二绝缘层37可以形成使第一接触电极31部分暴露的第一开口部以及使第二接触电极33部分暴露的第二开口部op2。此时，第一开口部以及第二开口部op2可以分别形成一个以上。
第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可位于发光结构体23上，且可以分别电连接于第一接触电极31以及第二接触电极33。第一电极焊盘39通过第一开口部直接与第一接触电极31接触而电连接，第二电极焊盘41通过第二开口部op2直接与第二接触电极33接触而电连接。
此时，在本发明的第五实施例中，第一电极焊盘39电连接于第四发光单元C4，因此第一开口部可以形成于第四发光单元C4。据此，如图9所示，第一电极焊盘39并不电连接于第二发光单元C2而配置于第二绝缘层37的上部。
另外，为使第一发光单元C1与第二发光单元C2串联连接，第一发光单元C1的第一接触电极31与第二发光单元C2的第二接触电极33电接触。此时，第一发光单元C1的第一接触电极31可以填埋第一发光单元C1与第二发光单元C2之间的相隔的空间。
并且，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41形成为具有数十μm以上的厚度，发光元件10本身可以作为芯片级封装而被使用。
并且，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可以形成为单层或者多层，并且可以包括具有导电性的物质。
图10是示出应用了根据本发明的第五实施例的发光元件以及圆顶透镜的发光二极管的图。并且，图11是示出应用了根据本发明的第五实施例的发光元件与全反射透镜的发光二极管的图。
如果利用根据本发明的第五实施例的发光元件10构成发光二极管，则可以将发光元件10安装在印刷电路板1200，并在发光元件10的上部结合圆顶透镜1310。圆顶透镜1310形成有，从发光元件10发出的光入射的入光面1312以及位于上表面的出光面1314。入光面1312可以形成为平面形状，根据需要可以多样地变形。并且，出光面1314可以形成为剖面是圆形或者具有变形的圆形的曲率的面。
并且，印刷电路板1200安装有发光元件10，并且可以通过发光元件10的第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41而供应从外部施加的电源。并且，在印刷电路板1200的下部可以形成用于将从发光元件10传递的热散热的散热部。
比较并测定应用了如上所述地构成的根据本发明的第五实施例的发光元件10的发光二极管与相同构成的以往的发光二极管的光效率的结果，可以确认在以往的发光二极管的光效率显示为100％时，根据本发明的第五实施例的发光二极管具有100.7％的光效率。
此时，如上所述，以往的发光二极管与根据本发明的第五实施例的发光二极管的比较应用了色坐标CIEx为0.330的相同的单一荧光体。
此外，即使在替代圆顶透镜而应用如图11所示的全反射透镜1320的情况下，从根据本发明的第五实施例的发光二极管发出的光也能够提高在中央的亮度，因此可以提高发光二极管的光效率。
全反射透镜1320可以是在上表面具有全反射功能的TIR透镜。即，在全反射透镜1320形成有，使从发光元件10发出的光入射的入光面1322、位于上表面的反射部1324以及位于侧面的出光面1326。据此，从发光元件10发出的光入射至全反射透镜1310而反射并从全反射透镜1310的侧面射出。此时，在本实施例中示出入光面1322形成为平面形状的情形，但是根据需要可以形成为凹陷的形状。
图12是示出根据本发明的第六实施例的发光元件的底面的仰视图，图13的(a)、图13的(b)以及图13的(c)是分别沿着图12的截取线AA'、BB'以及CC'截取的剖面图。
参照图12以及图13，根据本发明的第六实施例的发光元件10包括：第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4、第一电极焊盘39、第二电极焊盘41以及散热垫43。
如图12所示，对在本发明的第六实施例中使用四个发光单元C1、C2、C3、C4的情形进行说明，但发光单元的数量可以根据需要而更少或者更多。
第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4彼此串联连接，第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4中的第三发光单元C3配置于发光元件10的中央，剩余发光单元C1、C2、C4配置成包围第三发光单元C3。并且，为使通过第一电极焊盘39及第二电极焊盘41施加的电流依次从第一发光单元C1流动至第四发光单元C4，而串联连接第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4。
此时，以发光元件10的平面形状为四边形形状、第三发光单元C3的平面形状为圆形的例进行说明，发光元件10的形状以及第三发光单元C3的形状可以根据需要而变形为三角形形状、四边形形状、六边形形状以及八边形形状等多种形状。
在圆形的第三发光单元C3配置于发光元件10的四边形形状的中央的状态下，第一发光单元C1、第二发光单元C2以及第四发光单元C4分别形成为不同的形状以形成四边形状的发光元件10的形状。
在本发明的第六实施例中，对于第一至第四发光单元的配置，如图12所示的图，对于配置于相同平面上的情况进行说明。此时，为了便于说明，以图12所示的图为基准限定上下左右而进行说明
第一发光单元C1配置于第三发光单元C3的右上侧，第二发光单元C2配置于第三发光单元C3的左上侧。此外，第四发光单元C4配置于第三发光单元C3的下侧。据此，第一发光单元C1与第二发光单元C2可以形成为彼此线对称的形状。
此外，第二发光单元C2电连接于第一发光单元C1，并在第三发光单元C3的上部电连接，在第三发光单元C3的左上部位置电连接于第三发光单元C3。第二发光单元C2与第四发光单元C4相隔预定距离以上而电绝缘。
第四发光单元C4与第三发光单元C3电连接，且与第一发光单元C1及第二发光单元C2相隔预定距离以上而电绝缘。
另外，在本发明的第六实施例中，虽然对第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4被串联连接的情况进行了说明，但是根据需要可以并联连接或者串联连接。
如上所述，在配置有第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4的状态下，第一电极焊盘39及第二电极焊盘41分别配置于第四发光单元C4以及第一发光单元C1的上部。并且，第一电极焊盘39电连接于第四发光单元C4，第二电极焊盘41电连接于第一发光单元C1。
并且，在本实施例中，第一电极焊盘39及第二电极焊盘41在多个发光单元C1、C2、C3、C4的上部边角侧分别形成为三角形形状，在第一电极焊盘39与第二电极焊盘41之间，散热垫43可以形成为六边形形状。此时，第一电极焊盘39及第二电极焊盘41的形状以及散热垫43的形状并不限定于图示的形状，根据需要可以多样地变形。并且，第一电极焊盘39、第二电极焊盘41以及散热垫43可以彼此相隔预定距离以上而配置。
如上所述，在第三发光单元C3配置于发光元件10的中央，第一发光单元C1、第二发光单元C2以及第四发光单元C4配置成包围第三发光单元C3的状态下，通过提高配置于中央的第三发光单元C3的电流密度可以提高发光元件10的中央的光效率。例如，第三发光单元C3的电流密度可以通过使第三发光单元C3的面积相对其余发光单元C1、C2、C4小而提高。
如果如此提高第三发光单元C3的电流密度，据此可以在第三发光单元C3集中产生热量。据此，为了使从第三发光单元C3产生的热散热而具备散热垫43，在本发明的第六实施例中，如图12所示，散热垫43可以配置成能够覆盖整个第三发光单元C3。
参照图13对根据本发明的第六实施例的发光元件10的具体构成进行说明，发光元件10还包括基板21、发光结构体23、第一接触电极31、第二接触电极33、第一绝缘层35以及第二绝缘层37。
基板21只要是可以使发光结构体23生长的基板则不受限定，例如，可以是蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化镓基板以及氮化铝基板等。这种基板21可以利用公知的技术从发光结构体23分离而被去除。另外，虽然未图示，但发光结构体23的下表面可以具有粗糙度增加的面。
发光结构体23包括第一导电型半导体层25、位于第一导电型半导体层25上的活性层27、以及位于活性层27上的第二导电型半导体层29。
此外，发光结构体23可以包括第二导电型半导体层29以及活性层27被部分去除而使第一导电型半导体层25部分暴露的区域。即，如图13所示，可以形成有通过贯穿第二导电型半导体层29以及活性层27而暴露第一导电型半导体层25的多个孔h。此时，孔h的形状以及配置可以多样地变形。
第一接触电极31以及第二接触电极33可以分别与第一导电型半导体层25以及第二导电型半导体层29欧姆接触。首先对第二接触电极33进行说明，第二接触电极33形成于第二导电型半导体层29的上部，并且可以覆盖第二导电型半导体层29的一部分或者全部。
第二接触电极33只要是可以与第二导电型半导体层29欧姆接触的物质即可，例如，可以是包括金属物质以及导电氧化物中的一种以上的物质。
第一绝缘层35形成于发光结构体23的上表面，可以形成为覆盖除用于暴露第二接触电极33的一部分以外的全部。并且，第一绝缘层35形成为覆盖通过形成于发光结构体23的孔h暴露的第二导电型半导体层29与活性层28。并且，为了第一导电型半导体层25与第一接触电极31的欧姆接触，第一绝缘层可以以第一导电型半导体层25部分暴露于孔h的底面的方式形成于孔h的底面。并且，第一绝缘层35可以以使第二接触电极33部分暴露的方式形成于第二接触电极33上部。
第一绝缘层35可以包括绝缘物质，例如，可以包括SiO2、SiNx、MgF2等。并且，第一绝缘层35可以形成为多层，也可以包括由折射率彼此不同的物质交替地层叠而成的分布布拉格反射器。
另外，虽然未示出于图14，但是第一绝缘层35可以形成为能够覆盖包括基板21的一部分的部分。第一绝缘层35可以根据在发光元件10的制造过程中是否进行芯片单位个体化(isolation)而不同。在发光元件10的制造过程中，在将晶圆以芯片单位个体化之后形成第一绝缘层35的情况下，基板21的一部分可以被第一绝缘层35覆盖。
第一接触电极31形成于发光结构体23的上部，可以形成为覆盖除第一接触电极35的一部分以外的整个第一绝缘层35。此时，第一接触电极31形成为填埋形成于发光结构体23的孔h，从而与暴露于孔h的底面的第一导电型半导体层25欧姆接触。如上所述，第一接触电极31形成为覆盖第一绝缘层35的大部分，因此从发光结构体23发出的光可以在第一接触电极31反射。
并且，第一接触电极31与第二接触电极33可以被第一绝缘层35彼此电绝缘。
第二绝缘层37形成为覆盖第一接触电极31的除一部分之外的全部。在第二绝缘层37，如图13的(c)所示，可以形成有使第一接触电极31部分暴露的第一开口部op1，如图13的(a)所示，可以形成有使第二接触电极33部分暴露的第二开口部op2。此时，第二开口部op2可形成于第一绝缘层35、第一接触电极31以及第二绝缘层37。并且，第一开口部op1以及第二开口部op2可以分别形成一个以上。
第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41位于第二绝缘层37上，且可以分别电连接于第一接触电极31以及第二接触电极33。第一电极焊盘39通过第一开口部op1与第一接触电极31接触并电连接，第二电极焊盘41通过第二开口部op2与第二接触电极33接触并电连接。
此时，在本发明的第六实施例中，如图13的(c)所示，第一电极焊盘39电连接于第四发光单元C4，因此第一开口部op1可以形成于第四发光单元C4。
并且，如图13的(b)所示，第一发光单元C1与第二发光单元C2可以形成于相同的基板21上，在第一发光单元C1与第二发光单元C2之间形成相隔的空间。此时，第一发光单元C1与第二发光单元C2之间的相隔的空间的侧面以及底面可以被第一发光单元C1的第一绝缘层35覆盖。
为使第一发光单元C1与第二发光单元C2串联连接，第一发光单元C1的第一接触电极31与第二发光单元C2的第二接触电极33电接触。此时，第一发光单元C1的第一接触电极31可以填埋第一发光单元C1与第二发光单元C2之间的相隔的空间。
并且，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41形成为具有数十μm以上的厚度，因此发光元件10本身可以作为芯片级封装而使用。
散热垫43可以形成于第二绝缘层37的平面上，可以与第二绝缘层37接触而形成。散热垫43的厚度也可以形成为与第一电极焊盘39及第二电极焊盘41相同的厚度或者具有比第一电极焊盘39及第二电极焊盘41小的厚度。并且，散热垫43的面积可以形成为具有比第一电极焊盘39及第二电极焊盘41的平面上的面积大的面积，如图12所示，至少三个面可以向外部暴露。例如，散热垫的面积可以形成为是发光元件的平面形状的50％以上，散热垫的面积越大，越可以提高散热效率。
在本发明的第六实施例中，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41在发光结构体23的边角侧形成为具有预定面积以下，从而可以形成于未形成第一电极焊盘39及第二电极焊盘41的整个部分。此时，第一电极焊盘39及第二电极焊盘41与散热垫43可以形成为相隔预定距离以上以彼此电绝缘。即，散热垫43可以由与第一电极焊盘39及第二电极焊盘41相同的物质形成，散热垫43形成为与第一电极焊盘39及第二电极焊盘41相隔，从而可以形成为电流不在散热垫43流动。在这里，第一电极焊盘39及第二电极焊盘41的形状以及散热垫43的形状并不限定于图示的形状，可以根据需要而多样地变形。
图14的(a)是示出根据本发明的第六实施例的发光元件与印刷电路板结合的一例的剖面图。
根据本发明的一例的发光二极管包括发光元件10与印刷电路板1200。发光元件10与以上所述说明相同，而印刷电路板1200包括基板本体1201、绝缘部1203以及引线部1205。
在本发明的一例中，基板本体1201由金属形成，且为使从发光元件10产生的热通过散热垫43传递到基板本体1201而直接与散热垫43接触。如图所示，引线部1205形成两个以上，在发光元件10安装于印刷电路板1200时，与第一电极焊盘39及第二电极焊盘41接触而电连接。绝缘部1203夹设于基板本体1201与引线部1205之间，使引线部1205与基板本体1201绝缘。
此时，为使基板本体1201与散热垫43接触，未形成引线部1205的位置突出形成，突出形成的部分的高度与引线部1205的高度相同地突出。并且，为使基板本体1201与引线部1205电绝缘，基板本体1201的突出形成的部分与引线部1205可以形成为彼此相隔预定距离以上。
图14的(b)是示出根据本发明的第六实施例的发光元件与印刷电路板结合的另一例的剖面图。
根据本发明的另一例的发光二极管包括发光元件10与印刷电路板1200，在对本发明的另一例进行说明时，省略对与本发明的一例相同的构成的说明。
在本发明的另一例中，基板本体1201的未形成引线部1205的位置突出形成，但突出形成的位置的高度相当于绝缘部1203的高度。并且，为使基板本体1201与引线部1205电性绝缘，基板本体1201的突出形成的部分与引线部1205可以形成为彼此相隔预定距离以上。
并且，在基板本体1201的突出形成的部分的上部形成有散热部1207。如图所示，散热部1207与引线部1205相隔预定距离以上而形成，并具有与引线部1205相同的高度。据此，在发光元件10安装于印刷电路板1200时，散热部1207与散热垫43接触。并且，散热部127可以由与引线部1205相同的金属形成，但并不限定于此。
图14的(c)是示出根据本发明的第六实施例的发光元件与印刷电路板结合的又一例的剖面图。
根据本发明的又一例的发光二极管包括发光元件10与印刷电路板1200，在对本发明的又一例进行说明时，省略对与本发明的一例相同的构成的说明。
在本发明的又一例中，基板本体1201由有机硅或陶瓷等绝缘物质形成，引线部1205可以从基板本体1201的一面贯穿至作为相反面的另一面而形成。并且，散热部1207可以分别形成于一面以及另一面。据此，在发光元件10安装于印刷电路板1200时，第一电极焊盘39及第二电极焊盘41可以直接与引线部1205接触，而散热垫43可以直接与散热部1207接触。此时，引线部1205与散热部1207可以彼此相隔地形成。
图15是示出应用了根据本发明的第六实施例的发光元件以及圆顶透镜的发光二极管的图。
如果利用根据本发明的第六实施例的发光元件10构成发光二极管，则可以将发光元件10安装在印刷电路板1200，并在发光元件10的上部结合圆顶透镜1310。圆顶透镜1310形成有从发光元件10发出的光入射的入光面1312以及位于上表面的出光面1314。入光面1312可以形成为平面形状，可以根据需要多样地变形。并且，出光面1314可以形成为剖面是圆形或者具有变形的圆形的曲率的面。
并且，印刷电路板1200安装有发光元件10，并且可以通过发光元件10的第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41而供应从外部施加的电源。并且，在印刷电路板1200的下部可以形成用于将从发光元件10传递的热散热的散热部。
比较并测定应用了如此构成的根据本发明的第六实施例的发光元件10的发光二极管与相同构成的以往的发光二极管的光效率的结果，可以确认在以往的发光二极管的光效率显示为100％时，根据本发明的第六实施例的发光二极管具有100.7％的光效率。
此时，如上所述，以往的发光二极管与根据本发明的第六实施例的发光二极管的比较中应用了色坐标CIEx为0.330的相同的单一荧光体。
图16是示出应用了根据本发明的第六实施例的发光元件与凹透镜的发光二极管的图。
即使在替代圆顶透镜而应用如图16所示的凹透镜1320的情况下，从根据本发明的第六实施例的发光二极管发出的光也能够提高在中央的亮度，因此可以提高发光二极管的光效率。
凹透镜1320可以是TIR透镜。即，在凹透镜1320形成有，从发光元件10发出的光入射的入光面1322、位于上表面的反射部1324以及位于侧面的出光面1326。据此，从发光元件10发出的光入射到凹透镜1320而从凹透镜1320的侧面反射而射出。此时，在本发明的第六实施例中示出入光面1322为平面形状的情形，但是可以根据需要而形成为凸出的形状。
图17是示出应用根据本发明的第六实施例的发光元件、印刷电路板以及透镜的发光二极管的图。
图17的(a)至(c)示出在根据本发明的第六实施例的发光元件10安装于图14所示的印刷电路板1200的状态下，圆顶透镜1310形成于发光元件10的上部的情形。如图17的(a)至(c)所示，可以形成为覆盖安装有发光元件10的整个印刷电路板1200，发光元件10的第一电极焊盘39及第二电极焊盘41可以直接与引线部1205接触而电连接。并且，散热垫43在直接与印刷电路板1200的散热部1207接触或者在印刷电路板1200由金属形成的情况下，可以直接与印刷电路板1200接触。
此时，在本发明的第六实施例说明的圆顶透镜1310或者凹透镜1320可以包括使从发光元件10发出的光波长转换的荧光体。荧光体可以将从发光元件10发出的光体现为多样的颜色，尤其，也可以体现为如白色光的混合光。
图18是具体示出根据本发明的第七实施例的发光元件的平面图，图19是简要示出根据本发明的第七实施例的发光元件的平面图。图20a是沿着图18的截取线AA'截取的剖面图，图20b是沿着图18的BB'截取的剖面图，图20c是沿着图18的截取线CC'截取的剖面图。图21是拍摄根据本发明的第七实施例的发光元件的第一接触电极与第一导电型半导体层欧姆接触的位置的分析图片，图22是拍摄根据本发明的第七实施例的发光元件的边缘剖面的分析图片。图23是拍摄根据本发明的第七实施例的发光元件的第一接触电极与第二接触电极欧姆接触的位置的分析图片。
如图18至图20c所示，根据本发明的第七实施例的发光元件10包括：第一至第三发光单元C1、C2、C3、第一电极连接部D1、第二电极连接部D2、第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41。
如图18以及图19所示，在本发明的第七实施例的发光元件10中，第一至第三发光单元C1、C2、C3串联电连接，第一至第三发光单元C1、C2、C3形成为具有大致相同的面积。据此，第一至第三发光单元C1、C2、C3以并排地彼此邻接的状态配置。
此外，第一发光单元C1通过第一电极连接部D1电连接于第二发光单元C2，第二发光单元C2通过第二电极连接部D2电连接于第三发光单元C3。即，第一至第三发光单元C1、C2、C3通过第一电极连接部D1及第二电极连接部D2串联电连接。
并且，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41形成为分别覆盖第一至第三发光单元C1、C2、C3的一部分，且以彼此相隔预定距离以上的状态配置。第一电极焊盘及第二电极焊盘41与外部电源连接，而向发光元件10施加电源。
并且，第二电极焊盘41电连接于第一发光单元C1，第二电极焊盘41电连接于第三发光单元C3。即，如图19所示，电流从外部电源通过第二电极焊盘41并通过第一发光单元C1、第二发光单元C2以及第三发光单元C3流向第一电极焊盘39。此时，为使从第二电极焊盘41施加的电流均匀地分散到第一至第三发光单元C1、C2、C3的整个区域，可以将第一电极连接部D1以及第二电极连接部D2配置于相隔最远的位置。
即，通过使第一电极连接部D1形成于第二发光单元C2的上部，第二电极连接部D2形成于第三发光单元C3的上部，第一电极连接部D1电连接第一发光单元C1及第二发光单元C2，第二电极连接部D2电连接第二发光单元C2及第三发光单元C3。此时，为了将第一电极连接部D1与第二电极连接部D2彼此相隔最远地配置，以第二发光单元为基准进行的说明如下。以第二发光单元C2为基准，第一电极连接部D1形成于第二发光单元C2的一侧，第二电极连接部D2形成于作为第二发光单元C2的一侧的相反侧的另一侧。并且，为使第一电极连接部D1与第二电极连接部D2以第二发光单元C2为基准而相隔最远，以第二发光单元C2为基准配置于对角方向。
如图18所示，根据本发明的第七实施例的发光元件10中，三个发光单元C1、C2、C3在一列并排配置。并且，由于第一发光单元C1的一部分电连接于第二电极焊盘41，因此可以使第一电极连接部D1形成于不与第二电极焊盘41电连接的位置。并且，为使第二电极连接部D2与第一电极连接部D1相隔最远距离，第二电极连接部D2以第二发光单元C2为基准而可以配置于第一电极连接部D1的对角方向。据此，可以在第三发光单元C3的一部分形成第二电极连接部D2，并在不形成第二电极连接部D2的位置使第三发光单元C3电连接于第一电极焊盘39。
据此，如图19所示，电流可以在第一至第三发光单元C1、C2、C3的整个区域流动。
在这里，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41分别配置于第一至第三发光单元C1、C2、C3，因此可以更加有效地将通过从第一至第三发光单元C1、C2、C3由于施加的电流而产生的热散热至外部。
参照图20a至图20c对第一至第三发光单元C1、C2、C3的具体构成进行说明。
如图20a所示，第一至第三发光单元C1、C2、C3分别包括：基板21、发光结构体23、第一接触电极31、第二接触电极33、第一绝缘层35、第二绝缘层37、第三绝缘层、第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41。
基板21只要是可以使发光结构体23生长的基板则不受限定，例如，可以是蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化镓基板以及氮化铝基板等。并且，在本发明的第七实施例中，在基板21的上表面可以形成多个图案21a。如图20a所示，形成于基板21上表面的多个图案21a可以在基板21的上表面形成为多个突起形状，各图案21a形状的上表面可以形成有顶点(peak)，也可以形成为平坦的面。在这里，如图20a以及图22所示，形成于基板21的上表面的多个图案21a可以在上表面没有形成发光结构体23的位置具有较小的大小。
并且，基板21可以利用公知的技术从发光结构体23分离，据此，在发光结构体23的下表面可以具有粗糙度增加的面。
发光结构体23包括第一导电型半导体层25、位于第一导电型半导体层25上的活性层27、以及位于活性层27上的第二导电型半导体层29。
并且，发光结构体23可以包括第二导电型半导体层29以及活性层27被部分去除而使第一导电型半导体层25部分暴露的区域。即，如图20a所示，可以形成有通过贯穿第二导电型半导体层29以及活性层27而使第一导电型半导体层25暴露的第一孔h1。此时，第一孔h1的形状以及配置可以多样地变形。
并且，发光结构体23可以包括台面，所述台面包括活性层27与第二导电型半导体层29，而台面还可以包括第一导电型半导体层25的一部分。并且，第一孔h1可以形成于台面而暴露第一导电型半导体层25，第一孔h1可以形成多个。
第一接触电极31以及第二接触电极33可以分别与第一导电型半导体层25以及第二导电型半导体层29欧姆接触。首先，对第二接触电极33进行说明，第二接触电极33形成为覆盖第二导电型半导体层29的上部，第二接触电极33可形成于台面的上部。
第二接触电极33由可以与第二导电型半导体层29欧姆接触的物质构成，例如，可以是包括金属物质或导电氧化物的物质。在第二接触电极33包括金属物质的情况下，第二接触电极33可以包括与第二导电型半导体层29欧姆接触的反射层(未图示)以及为了保护反射层而覆盖反射层的覆盖层(未图示)。在这里，反射层可以包括金属，可以形成为单层或多层。在第二接触电极33形成为多层时，第二接触电极33可以包括Ti、Ni以及Au，可以是在Ti以及Ni交替层叠的结构上依次层叠有Au以及Ti的结构。
第一绝缘层35形成于发光结构体23的上表面，可以形成为覆盖第二接触电极33。第一绝缘层35可以形成为覆盖形成于台面的第一孔h1的侧面。并且，如图20b以及图20c所示，在第一绝缘层35可以形成有用于使第二接触电极33部分暴露的第二孔h2。据此，可以通过第二孔h2而使与第二接触电极33邻接的发光单元的第一接触电极31欧姆接触。
第一绝缘层35包括绝缘物质，例如，可以包括SiO2、SiNx、MgF2等，可以形成为多层，也可以包括由折射率不同的物质交替地层叠而成的分布布拉格反射器。
另外，如图20a至图20c所示，第一绝缘层35可以形成为覆盖基板21的一部分。这可以根据在发光元件10的制造过程中是否进行芯片单位个体化(isolation)而不同，在发光元件10的制造过程中以芯片单位对晶圆进行个体化之后，形成第一绝缘层35，从而可以形成为第一绝缘层35覆盖基板21的一部分。据此，第一绝缘层35可以形成为覆盖从基板21的侧面暴露的发光结构体23的侧面，可以形成为覆盖基板21至发光元件10的两侧末端。
此时，当第一绝缘层35形成为覆盖基板21的一部分时，可以形成为不完全覆盖形成于基板21的多个图案21a而仅覆盖一部分。据此，在相应的位置，基板21的多个图案21a可以向第一绝缘层35的上部暴露。
并且，如图20c所示，在发光单元与发光单元之间的相隔的空间也可以形成为覆盖基板21的一部分。
另外，第一绝缘层35可以包括预绝缘层(pre-insulation layer)35a以及主绝缘层(main insulation layer)35b。预绝缘层35a可以在主绝缘层35b之前形成，据此，预绝缘层35a可以位于主绝缘层35b的下部。
预绝缘层35a可以覆盖发光结构体23的一部分，且可以形成为覆盖第二接触电极33的上表面的一部分或者第二接触电极33的侧面。在预绝缘层35a形成为覆盖发光结构体23的上表面之后，通过蚀刻可以使第二导电型半导体层29的一部分暴露。在据此暴露的第二导电型半导体层29上可以形成第二接触电极33。据此，预绝缘层35a可以与第二接触电极33连接。
另外，预绝缘层35a可以在第二接触电极33的形成过程中形成。例如，在第二接触电极33包括导电氧化物层(未示出)与反射电极层(未示出)时，可以在第二导电型半导体层29上形成导电氧化物层，而在形成反射电极层之前形成预绝缘层35a。在形成反射电极层之后，形成覆盖反射电极层的主绝缘层35b，从而可以形成第一绝缘层35。在本实施例中，预绝缘层35a的厚度大约可以是第二接触电极33的厚度大约可以是
Figure BDA0002261822370000382
在本发明的第七实施例中，预绝缘层35a可以由与主绝缘层35b彼此相同的物质形成，例如，可以包括SiO2。
在此，在形成主绝缘层35b之前为了发光元件10的芯片单位个体化(isolation)可以对发光元件10的边缘进行蚀刻(etching)，但在这过程中，暴露于基板21的边缘侧的多个图案21a可能会同时被蚀刻。因此，如图20a所示，暴露的多个图案21a可以形成为大小小于被发光结构体23覆盖的多个图案21a的大小。
第一接触电极31形成于第一绝缘层35的上部，形成为覆盖第一绝缘层35的除一部分以外的整体。据此，可以填充形成于台面的第一孔h1以及形成于第一绝缘层35的第二孔h2。如图20a所示，第一接触电极31通过形成于台面的第一孔h1而与第一导电型半导体层25欧姆接触。并且，如图20b以及图20c所示，第一接触电极31可以使形成于第一绝缘层35的第二孔h2与相邻的其他发光单元的第二接触电极33欧姆接触。
在此，为了形成第一孔h1以及第二孔h2而蚀刻第一绝缘层35，在这过程中，通过第一孔h1暴露的第一导电型半导体层25的一部分表面可能同时被蚀刻，通过第二孔h2暴露的第二接触电极33的一部分可能同时被蚀刻。
如此，在为了形成第一孔h1而蚀刻第一绝缘层35的过程中，第一导电型半导体层25的一部分表面可能会与第一绝缘层35一起被蚀刻。据此，如图21所示，第一导电型半导体层25可以在形成有第一孔h1的位置形成台阶。
并且，如上所述，如果第二接触电极33是在交替层叠Ti以及Ni的结构上依次层叠Au以及Ti的结构，则在第一绝缘层35被蚀刻的过程中，在第二接触电极33的最上层层叠的Ti也可能会一起被蚀刻。据此，第一绝缘层35与第二接触电极33接触的位置的第二接触电极33的最上层是Ti，通过第二孔h2暴露的第二接触电极33的最上层可以是Au。因此，第一接触电极31可以通过第二孔h2与最上层为Au的第二接触电极33欧姆接触。在这里，在第一接触电极31被蚀刻的同时，现有最上层的Ti被蚀刻，其下一层的Au的一部分也可以同时被蚀刻。据此，如图23所示，第一接触电极31可以在形成有第二孔h2的位置形成台阶。此时，第一绝缘层35可以通过干式蚀刻(dry etching)的方式被蚀刻。
并且，第一接触电极31形成为覆盖第一绝缘层35的除一部分以外的全部，因此，从发光结构体23发出的光可以在第一接触电极31被反射。如图20a至20c所示，第一接触电极31形成为覆盖基板21的侧面，且形成为也覆盖在发光单元之间相隔的空间的侧面，因此从发光结构体23发出的光可以在第一接触电极31反射而向外部发出。据此，可以最大化发光元件10的光效率。
在此，第一接触电极31可以发挥在图18以及图19中的第一电极连接部D1及第二电极连接部D2的作用。即，参照图20c，第一发光单元C1的第一接触电极31经过第一发光单元C1与第二发光单元C2的相隔的空间而延伸形成至第二发光单元C2的第二接触电极33的上部。第一发光单元C1的第一接触电极31形成为覆盖第二发光单元C2的台面、第一绝缘层35以及第二接触电极33的一部分，通过形成于第二发光单元C2的第一绝缘层35的第二孔h2而与第二发光单元C2的第二接触电极33欧姆接触。并且，第二发光单元C2的第一接触电极31形成为以与第一发光单元C1的第一接触电极31相隔预定距离的状态覆盖第二发光单元C2的第一绝缘层35。
据此，如图20c所示，第一接触电极31可以形成为覆盖相邻的发光单元的侧面。即，第一发光单元C1的第一接触电极31可以形成为从第一发光单元C1的上部延伸而与第二发光单元C2的侧面一起覆盖第二发光单元C2的上部一部分。
另外，如上所述，第一接触电极31可以通过多个第一孔h1与第一导电型半导体层25欧姆接触，此时，如图19以及图20b所示，在多个第一孔h1之间可以配置有第一电极连接部D1或者第二电极连接部D2。即，如果使用图20b进行说明，则第一接触电极31在第三发光单元C3中形成为覆盖多个台面，并形成为通过第一孔h1与第一导电型半导体层25欧姆接触。此时，第二发光单元C2的第一接触电极31延伸并通过配置于第一孔h1之间的第二孔h2而与第二导电型半导体层29欧姆接触，从而可以形成第二电极连接部D2。换言之，第二电极连接部D2可以配置于第一孔h1之间。
如上所述，第一接触电极31与第一导电型半导体层25欧姆接触，并起到反射光的作用。据此，第一接触电极31可以包括如Al层的高反射性金属层，且可以形成为单层或多层。此时，高反射性金属层可形成于Ti、Cr或Ni等接触层上，第一接触电极31可以包括Ni、Pt、Pd、Rh、W、Ti、Al、Mg、Ag以及Au中的一种以上。
第二绝缘层37可以形成为覆盖第一接触电极31的除一部分之外的全部。在第二绝缘层37可以形成有用于使第一接触电极31部分暴露的第一开口部op1以及用于使第二接触电极33部分暴露的第二开口部op2。此时，第二开口部op2可形成于第一绝缘层35、第一接触电极31以及第二绝缘层37，第一开口部op1以及第二开口部op2可以分别形成一个以上。
通过形成于第二绝缘层37的第一开口部op1，第一电极焊盘39可以与第一接触电极31欧姆接触，第二电极焊盘41可以通过第二开口部op2与第二接触电极33欧姆接触。
第二绝缘层37可以包括绝缘物质，例如，可以包括SiO2、SiNx、MgF2等，可以包括多层，也可以包括由折射率不同的物质交替地层叠而成的分布布拉格反射器。在第二绝缘层37形成为多层时，第二绝缘层37的最上部层可以由SiNx形成。据此，如果第二绝缘层37的最上部层由SiNx形成，则能够有效地防止湿气浸透到发光结构体23。
第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41位于第二绝缘层37上，第一电极焊盘39可以电连接于第一接触电极31，第二电极焊盘41可以电连接于第二接触电极33。如图20a所示，第一电极焊盘39可以通过第一开口部op1与第一接触电极31欧姆接触。并且，第二电极焊盘41可以通过第二开口部op2与第二接触电极33欧姆接触。
第一电极焊盘39形成于第一至第三发光单元C1、C2、C3，第一开口部op1形成于第三发光单元C3。据此，第一电极焊盘39与第三发光单元C3的第一接触电极31欧姆接触。并且，第二电极焊盘41以与第一电极焊盘39相隔预定距离以上的状态形成于第一至第三发光单元C1、C2、C3，第二开口部op2形成于第一发光单元C1。据此，第二电极焊盘41与第一发光单元C1的第二接触电极33欧姆接触。
此时，第一开口部op1以及第二开口部op2可以通过第二绝缘层37的蚀刻而形成。在蚀刻第二绝缘层37的过程中，通过第一开口部op1及第二开口部op2暴露的第一接触电极31以及第二接触电极33的一部分可以被蚀刻。即，在第一接触电极31及第二接触电极33形成为包括Ti、Ni以及Au的多层时，可以在Ti以及Ni交替层叠的结构上依次层叠Au以及Ti而形成。此时，第一接触电极31及第二接触电极33，分别在形成第一开口部op1及第二开口部op2的过程中，层叠于最上层的Ti与第二绝缘层37同时被蚀刻，因此通过第一开口部op1及第二开口部op2暴露的第一接触电极31及第二接触电极33的最上层可以成为Au。据此，第一电极焊盘39及第二电极焊盘41可以通过第一开口部op1及第二开口部op2与最上层为Au的第一接触电极31及第二接触电极33欧姆接触。此时，第二绝缘层37可以通过干式蚀刻(dryetching)而被蚀刻。
并且，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可以分别形成为填埋第一至第三发光单元C1、C2、C3之间的相隔的空间，且形成为具有数十μm以上的厚度，因此发光元件10本身可以作为芯片级封装而被使用。
并且，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可以分别形成为单层或者多层，且可以包括具有导电性的物质。例如，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可以分别包括Cu、Pt、Au、Ti、Cr、Ni、Al以及Ag中的一个以上，或者，也可以包括烧结的形状的金属粒子以及夹设于金属粒子之间的非金属物质。在此，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可以利用镀覆、沉积、滴涂(dotting)或者丝网印刷方法等而形成。
虽然未示出，但是在本发明的第七实施例中，还可以包括散热垫。在发光元件10的平面形状中，散热垫可以在第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41之间与第一电极焊盘39及第二电极焊盘41相隔配置。散热垫配置在第二绝缘层37上而配置成与其他构成绝缘的状态。据此，从发光结构体23产生的热可以通过第二绝缘层37而传递到散热垫。
散热垫可以包括与第一电极焊盘39及第二电极焊盘41相同的材质，可以通过相同的方法形成。此外，在本发明的第七实施例中，第一电极焊盘39及第二电极焊盘41与全部散热垫可以形成为覆盖发光元件10的大部分，例如，可以形成为覆盖发光元件10的平面形状的50％以上。
以上所述的发光元件10可以通过如下所述的方法进行制造。在基板21上部使发光结构体23生长，蚀刻生长的发光结构体23的一部分而形成台面。据此，发光结构体23可以包括一个以上的台面，第一导电型半导体层25、活性层27以及第二导电型半导体层29可以暴露于台面的侧面。如上所述，如果在发光结构体23形成台面，则以覆盖台面的上部以及侧面的方式形成预绝缘层35a。
然后，蚀刻所形成的预绝缘层35a中台面上部的一部分，在通过蚀刻而暴露的第二导电型半导体层29上部形成第二接触电极33。这样，在形成有第二接触电极33的状态下，通过发光元件10的芯片单位个体化工序将发光元件10形成为芯片单元，通过该过程将发光元件10分离为多个发光单元。
在这里，通过芯片单位个体化工序，发光元件10的边缘位置的基板21的一部分与发光单元之间的基板21的一部分可能会暴露，并且形成于基板21上部的多个图案21a的一部分的大小可以通过蚀刻而变小。
如上所述，以覆盖分离为多个发光单元的发光元件10的整个上部与从台面侧面暴露的发光结构体23的方式形成第一绝缘层35(此时，第一绝缘层即为主绝缘层35b)。此时，第一绝缘层35形成为覆盖至从台面暴露第一导电型半导体层25的开口部，并蚀刻在相应开口部形成的第一绝缘层35而形成第一孔h1，以使第一导电型半导体层25暴露。另外，为了将与发光单元邻接的发光单元电连接，覆盖第二接触电极33上部的第一绝缘层35的一部分也同时被蚀刻，从而以暴露第二接触电极33的一部分的方式形成第二孔h2。
如上所述，以覆盖形成有第一孔h1以及第二孔h2的第一绝缘层35的上部的方式形成第一接触电极31。第一接触电极31可以形成于发光元件10的整个区域，也可以形成于发光单元之间的空间而使从发光结构体23发射的光可以被第一接触电极31反射。并且，多个发光单元中的一个第一接触电极31可以形成为覆盖至邻接的发光单元的上部一部分以使邻接的发光单元能够电连接。在此，在多个发光单元分别形成的第一接触电极31形成为彼此绝缘。
据此，可以以覆盖形成有第一接触电极31的上部的方式形成第二绝缘层37。第二绝缘层37可以形成为覆盖包括第一接触电极31的整个发光元件10。为了在形成有第二绝缘层37的状态下在发光元件10形成第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41，而以使第一接触电极31暴露于发光元件10所包含的多个发光单元中的一个第二绝缘层37的方式进行蚀刻而形成第一开口部op1。并且，以使第二接触电极33暴露于多个发光单元中的另一个的方式进行蚀刻，从而形成第二开口部op2。在此，第一开口部op1以及第二开口部op2可以形成多个。
以填埋如此形成的第一开口部op1的同时与暴露的第一接触电极31欧姆接触的方式，在第二绝缘层37的上部形成第一电极焊盘39，以填埋第二开口部op2的同时与暴露的第二接触电极33欧姆接触的方式，在第二绝缘层33的上部形成第二电极焊盘41。
此外，根据需要可以在第二绝缘层37上部的第一电极焊盘39及第二电极焊盘41之间形成散热垫。
图24是示出根据本发明的第八实施例的发光元件的平面图。
参照图24，根据本发明的第八实施例的发光元件10包括：第一至第七发光单元C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、第一至第六电极连接部D1、D2、D3、D4、D5、D6、第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41。
如图所示，第一至第七发光单元C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7配置于相同的平面上而串联电连接，第一至第七发光单元C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7形成为具有大致相同的面积。并且，为使第一至第七发光单元C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7串联连接，各发光单元通过第一至第六电极连接部D1、D2、D3、D4、D5、D6而电连接。
据此，第一发光单元C1与第二发光单元C2通过第一电极连接部D1电连接，第二发光单元C2配置于第一发光单元C1的下方，第一电极连接部D1配置于第二发光单元C2的上方右侧。第二发光单元C2与第三发光单元C3通过第二电极连接部D2电连接，第三发光单元C3配置于第二发光单元C2的右侧，第二电极连接部D2配置于第三发光单元C3的下方左侧。
并且，第三发光单元C3与第四发光单元C4通过第三电极连接部D3电连接，第四发光单元C4配置于第三发光单元C3的上方，第三电极连接部D3配置于第四发光单元C4的下方右侧。如上所述，随着配置第四发光单元C4，第四发光单元C4处于配置于第一发光单元C1的右侧的状态。
第四发光单元C4与第五发光单元C5通过第四电极连接部D4电连接，第五发光单元C5配置于第四发光单元C4的右侧，第四电极连接部D4配置于第五发光单元C5的上方左侧。第五发光单元C5可以形成为宽度比第四发光单元C4窄而长度比第四发光单元C4长。
第五发光单元C5与第六发光单元C6通过第五电极连接部D5电连接，第六发光单元C6配置于第五发光单元C5的右侧，第五电极连接部D5配置于第六发光单元C6的下方左侧。
第六发光单元C6与第七发光单元C7通过第六电极连接部D6电连接，第七发光单元C7配置于第五发光单元以及第六发光单元C6的下侧，第六电极连接部D6配置于第七发光单元C7的上方右侧。第七发光单元C7形成为将第五发光单元C5及第六发光单元C6的宽度加在一起的宽度，长度形成为比其他发光单元最短的长度。
如上所述，随着第一至第七发光单元C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7的形成，各发光单元可以以彼此串联电连接的状态构成一个发光元件10。
并且，第一至第六电极连接部D1、D2、D3、D4、D5、D6分别配置于第二至第七发光单元C2、C3、C4、C5、C6、C7上，为此，第一接触电极31延伸至邻接的发光单元的上部而形成，即使在发光单元之间形成相隔的空间，也可以最小化在发光元件10的内部被吸收的光。
并且，第一至第六电极连接部D1、D2、D3、D4、D5、D6配置成邻接的电极连接部之间的距离能够最大限度地相隔。例如，如果以第二发光单元C2为基准进行说明，则第一电极连接部D1配置于第二发光单元C2的上方右侧，第二电极连接部D2配置于第二发光单元C2的下方右侧。据此，通过第一电极连接部D1施加至第二发光单元C2的电流可以经过整个第二发光单元C2流向第二电极连接部D2。即，第一电极连接部D1配置于第二发光单元C2的一面边角侧，第二电极连接部D2配置于与配置有第一电极连接部D1的面邻接的另一面的边角侧。
并且，在以第三发光单元C3为基准观察时，第二电极连接部D2配置于第三发光单元C3的下方左侧，第三电极连接部D3配置于第三发光单元C3的上方右侧。据此，以第三发光单元C3为基准，第二电极连接部D2与第三电极连接部D3配置于对角线方向，通过第二电极连接部D2施加至第三发光单元C3的电流可以经过整个第三发光单元C3而流向第三电极连接部D3。
图25是具体示出根据本发明的第九实施例的发光元件的平面图，图26是简要示出根据本发明的第九实施例的发光元件的平面图。图27a是沿着图1的截取线AA'截取的剖面图，图27b是沿着图1的BB'截取的剖面图，图27c是沿着图1的截取线CC'截取的剖面图。
如图25至图27c所示，根据本发明的第九实施例的发光元件10包括：第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4、第一至第三电极连接部D1、D2、D3、第一电极焊盘39、第二电极焊盘41以及散热垫43。
如图25以及图26所示，在本发明的第九实施例中，发光元件10形成为，第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4串联电连接，第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4具有大致相同的面积。据此，在本发明的第九实施例中，四个发光单元C1、C2、C3、C4彼此邻接地配置而配置成类似于正方形的形状。
在这里，四个发光单元C1、C2、C3、C4中，第一发光单元C1在图25以及图26所示的平面形状上配置于右上方，第二发光单元C2配置于右下方。并且，第三发光单元C3配置于左上方，第四发光单元C4可以配置于左下方。
并且，第一发光单元C1通过第一电极连接部D1电连接于第二发光单元C2，第二发光单元C2通过第二电极连接部D2电连接于第三发光单元C3，第三发光单元C3通过第三电极连接部D3电连接于第四发光单元C4。即，第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4通过第一至第三电极连接部D1、D2、D3串联电连接。
此时，如上所述，随着第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4的配置，第一发光单元C1与第二发光单元C2配置成一个边相对应，第三发光单元C3与第四发光单元C4也配置成一个边相对应。但是，第二发光单元C2与第三发光单元C3并不配置成彼此的一个边相对应。据此，电连接第一发光单元C1与第二发光单元C2的第一电极连接部D1配置于第二发光单元C2的上部，形成为从第一发光单元C1的一个边向第二发光单元C2侧延伸的状态。电连接第三发光单元C3与第四发光单元C4的第三电极连接部D3以配置于第四发光单元C4的上部的状态连接。
但是，第二发光单元C2与第三发光单元C3并不邻接配置成一个边相对应。第二电极连接部D2配置于第三发光单元C3的上部，为使第二电极连接部D2形成于第三发光单元C3的上部，第二发光单元C2的第一接触电极31从第二发光单元C2延伸至配置于第三发光单元C3的第二电极连接部D2而形成。
参照图25以及图26，第二电极连接部D2形成于第三发光单元C3的右侧一个边侧，第二发光单元C2的第一接触电极31所延伸的延伸部31a向第一发光单元C1的第一接触电极31与第三发光单元C3的第一接触电极31之间延伸而电连接于第二电极连接部D2。显然，延伸部31a分别与第一发光单元C1的第一接触电极31以及第三发光单元C3的第一接触电极31彼此相隔而被绝缘。此时，在以下详细说明各发光单元C1、C2、C3、C4的第一接触电极31。
如上所述，第一至第三电极连接部D1、D2、D3分别形成于第二至第四发光单元C2、C3、C4的上部，但可以形成于与第一至第三发光单元C1、C2、C3邻接的各第二至第四发光单元C2、C3、C4的一个边。并且，如果第一至第三电极连接部D1、D2、D3分别为多个，则可以配置为沿着第二至第四发光单元C2、C3、C4的一个边彼此相隔的状态。
并且，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41形成为分别覆盖第四发光单元C4以及第一发光单元C1的一部分。并且，第一电极焊盘39配置于第四发光单元C4的边角侧而电连接于第四发光单元C4，第二电极焊盘41配置于第一发光单元C1的边角侧而电连接于第一发光单元C1。
在本发明的第九实施例中，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41分别形成为三角形状，第一电极焊盘39与第二电极焊盘41的配置位置处于从发光元件10的平面形状最大限度地相隔的状态。并且，在第一电极焊盘39与第二电极焊盘41之间，散热垫43可以形成为六角形状。此时，第一电极焊盘39、第二电极焊盘41以及散热垫43的形状并不限定于图示的形状，根据需要可以多样地变形，但可以分别彼此相隔预定距离以上而配置。
在本发明的第九实施例中，散热垫43形成为覆盖第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4的大部分，而未设置第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41的第二发光单元C2以及第三发光单元C3形成为由散热垫43覆盖全部。据此，散热垫43形成为，至少三个面在发光元件10的平面形状上向外部暴露，其一例就是六角形状。如上所述，散热垫43形成于第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4的整个区域，从而可以更加有效地使由施加到第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4的电流而产生的热散热。
参照图27a至图27c对第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4的具体构成进行说明。
如图27a所示，第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4分别包括：基板21、发光结构体23、第一接触电极31、第二接触电极33、第一绝缘层35、第二绝缘层37、第一电极焊盘39、第二电极焊盘41以及散热垫43。在对第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4的具体构成进行说明时，省略与所述实施例相同部分的说明。
基板21只要是可以使发光结构体23生长的基板则不受限定，例如，可以是蓝宝石基板、碳化硅基板、硅基板、氮化镓基板以及氮化铝基板等。此外，在本发明的第九实施例中，在基板21的上表面可以形成多个图案21a。如图27a所示，形成于基板21上表面的多个图案21a可以在基板21的上表面形成为多个突起形状，各图案21a形状的上表面可以形成有顶点(peak)，也可以形成为平坦的面。在这里，形成于基板21的上表面的多个图案21a可以在上表面没有形成发光结构体23的位置具有较小的大小。
并且，基板21可以利用公知的技术从发光结构体23分离，据此，可以在发光结构体23的下表面具有粗糙度增加的面。
发光结构体23包括第一导电型半导体层25、位于第一导电型半导体层25上的活性层27、以及位于活性层27上的第二导电型半导体层29。
并且，发光结构体23可以包括第二导电型半导体层29以及活性层27被部分去除而使第一导电型半导体层25部分暴露的区域。即，如图27a所示，可以形成有贯穿第二导电型半导体层29以及活性层27而使第一导电型半导体层25暴露的第一孔h1。此时，第一孔h1的形状以及配置可以多样地变形。
并且，发光结构体23可以包括台面，所述台面包括活性层27与第二导电型半导体层29，而台面还可以包括第一导电型半导体层25的一部分。并且，第一孔h1可以形成于台面而使第一导电型半导体层25暴露，第一孔h1可以形成多个。
第一接触电极31以及第二接触电极33可以分别与第一导电型半导体层25以及第二导电型半导体层29欧姆接触。首先，对第二接触电极33进行说明，第二接触电极33形成为覆盖第二导电型半导体层29的上部，第二接触电极33可形成于台面的上部。
第二接触电极33由可以与第二导电型半导体层29欧姆接触的物质构成，例如，可以是包括金属物质或导电氧化物的物质。
第一绝缘层35形成于发光结构体23的上表面，可以形成为覆盖第二接触电极33。第一绝缘层35可以形成为覆盖形成于台面的第一孔h1的侧面。并且，如图27b以及图27c所示，在第一绝缘层35可以形成有用于使第二接触电极33部分暴露的第二孔h2。据此，可以通过第二孔h2使与第二接触电极33邻接的发光单元的第一接触电极31欧姆接触。
第一绝缘层35包括绝缘物质，例如，可以包括SiO2、SiNx、MgF2等，可以形成为多层，也可以包括由折射率不同的物质交替地层叠而成的分布布拉格反射器。
并且，如图27a至图27c所示，第一绝缘层35可以形成为覆盖基板21的一部分。这可以根据在发光元件10的制造过程中是否进行芯片单位个体化(isolation)而不同，在发光元件10的制造过程中，在以芯片单位对晶圆进行个体化之后，形成第一绝缘层35，从而可以形成为第一绝缘层35覆盖基板21的一部分。据此，第一绝缘层35可以形成为覆盖从基板21的侧面暴露的发光结构体23的侧面，可以形成为覆盖基板21至发光元件10的两侧末端。
此时，第一绝缘层35可以形成为覆盖基板21的一部分，可以根据需要形成为不完全覆盖形成于基板21的多个图案21a而仅覆盖一部分。据此，在相应的位置，基板21的多个图案21a可以向第一绝缘层35的上部暴露。
并且，如图27c所示，第一绝缘层35在发光单元与发光单元之间相隔的空间也可以形成为覆盖基板21的一部分或者全部。
另外，第一绝缘层35可以包括预绝缘层(pre-insulation layer)35a以及主绝缘层(main insulation layer)35b。预绝缘层35a可以在主绝缘层35b之前形成，据此，预绝缘层35a可以位于主绝缘层35b的下部。
预绝缘层35a可以覆盖发光结构体23的一部分，且可以形成为覆盖第二接触电极33上表面的一部分或者第二接触电极33的侧面。在预绝缘层35a形成为覆盖发光结构体23的上表面之后，通过蚀刻可以使第二导电型半导体层29的一部分暴露。在这样暴露的第二导电型半导体层29上可以形成第二接触电极33。据此，预绝缘层35a可以与第二接触电极33连接。
并且，预绝缘层35a可以在第二接触电极33的形成过程中形成。例如，在第二接触电极33包括导电氧化物层(未示出)与反射电极层(未示出)时，在第二导电型半导体层29上可以形成导电氧化物层，而在形成反射电极层之前可以形成预绝缘层35a。在形成反射电极层之后，形成覆盖反射电极层的主绝缘层35b，从而可以形成第一绝缘层35。
在本发明的第九实施例中，预绝缘层35a可以由与主绝缘层35b彼此相同的物质形成，例如，可以包括SiO2。
在这里，在形成主绝缘层35b之前，为了发光元件10的芯片单位个体化(isolation)，可以对发光元件10的边缘进行蚀刻(etching)，但在这过程中，暴露于基板21的边缘侧的多个图案21a可能会同时被蚀刻。据此，如图27a所示，暴露的多个图案21a可以形成为小于被发光结构体23覆盖的多个图案21a的大小。
第一接触电极31形成于第一绝缘层35的上部，形成为覆盖第一绝缘层35的除一部分以外的整体。据此，可以填充形成于台面的第一孔h1以及形成于第一绝缘层35的第二孔h2。如图27a所示，第一接触电极31通过形成于台面的第一孔h1而与第一导电型半导体层25欧姆接触。并且，如图27b以及图27c所示，第一接触电极31可以使形成于第一绝缘层35的第二孔h2与相邻的其他发光单元的第二接触电极33欧姆接触。
并且，第一接触电极31形成为覆盖除第一绝缘层35的一部分以外的全部，因此，从发光结构体23发出的光可以在第一接触电极31反射。如图27a至27c所示，第一接触电极31形成为覆盖基板21的侧面，且形成为也覆盖在发光单元之间相隔的空间的侧面，因此从发光结构体23发射的光在第一接触电极31反射而可以向外部发出。据此，可以最大化发光元件10的光效率。
在这里，如图25以及图26所示，第一接触电极31可以发挥从第一至第三发光单元C1、C2、C3分别延伸的第一至第三电极连接部D1、D2、D3的作用。即，第一电极连接部D1，在图27b中，随着第一发光单元C1的第一接触电极31向第二发光单元C2的上部延伸而形成于第二发光单元C2的上部。并且，从第一发光单元C1延伸的第一接触电极31在第二发光单元C2的上部与第二接触电极33欧姆接触。
并且，参照图27c，第一发光单元C1的第一接触电极31形成于第一发光单元C1的上部，从第二发光单元C2延伸的第一接触电极31的延伸部31填埋第一发光单元C1与第三发光单元C3之间的相隔空间并延伸而延伸形成至第三发光单元C3的上部。据此，第二发光单元C2的延伸部31a在第三发光单元C3的上部通过第二孔h2与第三发光单元C3的第二接触电极33欧姆接触，在第三发光单元C3的上部可以形成第二电极连接部D2。此时，第二发光单元C2的延伸部31a可以与第三发光单元C3的第一接触电极31相隔而绝缘，并且，可以向第一发光单元C1的上部延伸，但可以与第一发光单元C1的第一接触电极31相隔而绝缘。
如上所述，第一接触电极31与第一导电型半导体层25欧姆接触，并起到使光反射的作用。据此，第一至第三发光单元C1、C2、C3的第一接触电极向用于电连接的第二至第四发光单元C2、C3、C4延伸形成，从而可以通过覆盖发光元件的大部分来提高发光元件10的发光效率。
第一接触电极31可以包括如Al层的高反射金属层，可以形成为单层或多层。此时，高反射性金属层可形成于Ti、Cr或Ni等接触层上，第一接触电极31可以包括Ni、Pt、Pd、Rh、W、Ti、Al、Mg、Ag以及Au中的一种以上。
第二绝缘层37可以形成为覆盖第一接触电极31的除一部分之外的全部。在第二绝缘层37可以形成用于使第一接触电极31部分暴露的第一开口部op1以及用于使第二接触电极33部分暴露的第二开口部op2。此时，第二开口部op2可形成于第一绝缘层35、第一接触电极31以及第二绝缘层37，第一开口部op1以及第二开口部op2可以分别形成一个以上。
可以通过形成于第二绝缘层37的第一开口部op1而使第一电极焊盘39与第一接触电极31欧姆接触，可以通过第二开口部op2而使第二电极焊盘41与第二接触电极33欧姆接触。
第一电极焊盘39、第二电极焊盘41以及散热垫43位于第二绝缘层37上，第一电极焊盘39可以电连接于第四发光单元C4的第一接触电极31，第二电极焊盘41可以电连接于第一发光单元C1的第二接触电极33。如图27a所示，第一电极焊盘39可以通过第一开口部op1与第一接触电极31欧姆接触。并且，第二电极焊盘41可以通过第二开口部op2而与第二接触电极33欧姆接触。散热垫43可以在第二绝缘层的上部配置成与第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41绝缘。
第一电极焊盘39形成于第四发光单元C4上，第一开口部op1形成于第四发光单元C4。据此，第一电极焊盘39与第四发光单元C4的第一接触电极31欧姆接触。并且，第二电极焊盘41以与散热垫43相隔预定距离以上的状态形成于第一发光单元C1上，第二开口部op2形成于第一发光单元C1。据此，第二电极焊盘41与第一发光单元C1的第二接触电极33欧姆接触。
并且，散热垫43可以形成为分别填埋第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4之间的空间，可以形成为具有数十μm以上的厚度。并且，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41也形成为具有与散热垫43相同的厚度，因此发光元件10本身可以作为芯片级封装而被使用。
并且，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可以分别形成为单层或者多层，可以包括具有导电性的物质。例如，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可以分别包括Cu、Pt、Au、Ti、Cr、Ni、Al以及Ag中的一种以上，或者，也可以包括烧结的形状的金属粒子以及夹设于金属粒子之间的非金属物质。在此，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可以利用镀覆、沉积、滴涂(dotting)或者丝网印刷方法等而形成。并且，散热垫43可以包括与第一电极焊盘39及第二电极焊盘41相同的素材。
以上所述的发光元件10可以通过与第七实施例中相同的方法进行制造。
图28是示出根据本发明的第十实施例的发光元件的平面图。
参照图28，根据本发明的第十实施例的发光元件10包括：第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4、第一至第三电极连接部D1、D2、D3、第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41。在对本发明的第十实施例进行说明时，对与本发明的第九实施例相同的构成省略说明。
如图所示，第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4配置于相同的平面上而串联电连接，第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4形成为具有大致相同的面积。并且，为使第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4串联连接，各发光单元C1、C2、C3、C4通过第一至第三电极连接部D1、D2、D3而电连接。
在本发明的第十实施例中，第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4可以形成为向一方向并排配置的状态。
据此，在图28的平面形状上，第二发光单元C2配置于第一发光单元C1的右侧，并通过第一电极连接部D1电连接于第一发光单元C1。并且，第三发光单元C3配置于第二发光单元C2的右侧，并通过第二电极连接部D2电连接于第二发光单元C2。第四发光单元C4配置于第三发光单元C3的右侧，并通过第三电极连接部D3电连接于第三发光单元C3。
如上所述，随着形成第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4，各发光单元C1、C2、C3、C4可以以彼此串联电连接的状态构成一个发光元件10。
并且，第一至第三电极连接部D1、D2、D3分别配置于第二至第四发光单元C2、C3、C4上，为此，第一接触电极31延伸至邻接的发光单元的上部而形成，从而即使在发光单元之间形成相隔的空间，也可以最小化在发光元件10的内部被吸收的光。
并且，在本发明的第十实施例中，第一至第四发光单元C1、C2、C3、C4形成为在一方向上具有方向性，因此第一至第三电极连接部D1、D2、D3可以形成于邻接的发光单元的一侧整体。例如，第一电极连接部D1形成于第二发光单元C2的上部，且形成于与第一发光单元C1邻接的一个边侧上部，多个第一电极连接部D1可以沿着第二发光单元C2的一个边侧而相隔配置。据此，电流可以在第一发光单元C1与第二发光单元C2之间通过一个边整体而流动。
第一电极焊盘39形成为覆盖第三发光单元C3以及第四发光单元C4的整个上部或者一部分，第二电极焊盘41可以形成为覆盖第一发光单元C1以及第二发光单元C2的整个上部或者一部分。并且，第一电极焊盘39电连接于第四发光单元C4，第二电极焊盘41可以电连接于第一发光单元C1。此时，第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41可以以彼此相隔预定距离以上的状态配置。
或者，虽然未示出于图28，但根据需要可以在第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41之间配置散热垫，此时，第一电极焊盘39、第二电极焊盘41以及散热垫可以配置为彼此相隔的状态。
图29是示出根据本发明的第十一实施例的发光元件的平面图。
参照图29，根据本发明的第十一实施例的发光元件包括：第一至第十一发光单元C1～C11、第一至第十电极连接部D1～D10、第一电极焊盘39、第二电极焊盘41以及散热垫43。在对本发明的第十一实施例进行说明时，对与本发明的第九实施例相同的构成省略说明。
本发明的第十一实施例使用11个发光单元C1～C11，各发光单元C1～C11彼此串联连接。如图29所示，第一至第十一发光单元C1～C11可以形成为彼此类似的面积，但考虑配置，第一至第五发光单元C1～C5可以形成为相同形状的矩形形状，第六至第十一发光单元C6～C11能够以与第一至第五发光单元C1～C5不同的矩形形状相同地形成。
观察第一至第十一发光单元C1～C11的配置，在图29所示的平面形状上，第一发光单元C1配置于右侧最上上，第二至第五发光单元C2～C5依次在第一发光单元C1的下侧并排配置。并且，第六发光单元C6配置于第五发光单元C5的左侧，第七发光单元C7以及第八发光单元C8在第六发光单元C6的上侧依次并排配置。第九发光单元C9配置于第八发光单元C8的左侧，第十发光单元C10以及第十一发光单元C11在第九发光单元C9的下侧依次并排配置。
如上所述，在第一至第十一发光单元C1～C11依次配置的状态下，第一至第十电极连接部D1～D10彼此电连接各个发光单元C1～C11。据此，第一至第十一发光单元C1～C11彼此被电连接，在本发明的又一实施例中可以串联连接。
并且，在本发明的第十一实施例中，第一至第十电极连接部D1～D10分别形成于第二至第十一发光单元C2～C11上部，切可以分别形成多个。即，在本发明的第十一实施例中，第一至第十一发光单元C1～C11以一个边彼此对应地邻接的方式配置，从而各个第一至第十电极连接部D1～D10可以沿着一个边分别配置于各个第二至第十一发光单元C2～C11。
此时，观察第五发光单元C5与第六发光单元C6的配置，第五发光单元C5的一个边与第六发光单元C6的一个边的一部分对应地配置，因此第五电极连接部D5并不形成于第六发光单元C6的一个边侧整体，而形成于与第五发光单元C5对应的第六发光单元C6的一个边的一部分。
第一电极焊盘39形成于第十一发光单元C11的上部，并电连接于第十一发光单元C11的第一接触电极31。并且，第二电极焊盘41形成于第一发光单元C1的上部，且电连接于第一发光单元C1的第一接触电极31。第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41与第十一发光单元C11以及第一发光单元C1各自的电连接与本发明的第九实施例相同，因此省略详细的说明。
散热垫43以与第一电极焊盘39以及第二电极焊盘41相隔的状态配置于第一电极焊盘39及第二电极焊盘41之间。据此，散热垫43可以形成为覆盖第一发光单元C1以及第十一发光单元C11的一部分以及第二至第十发光单元C2～C10的一部分或者全部。
图30至图31是用于说明根据本发明的第十二实施例的发光元件的平面图。
参照图30，发光元件包括第一至第四发光单元100、200、300、400，所述第一至第四发光单元100、200、300、400可以沿着第一方向1邻接配置。并且，所述发光元件包括：电连接所述第一发光单元100与所述第二发光单元200的第一电极连接部150、电连接所述第二发光单元200与所述第三发光单元300的第二电极连接部250、电连接所述第三发光单元300与所述第四发光单元400的第三电极连接部350。并且，发光元件可以包括基板110、第一电极焊盘500以及第二电极焊盘600。
基板110只要是可以使第一导电型半导体层111、活性层112以及第二导电型半导体层113生长的基板就不受限定，例如，可以是蓝宝石基板、碳化硅基板、氮化镓基板、氮化铝基板、硅基板等。
在本实施例中，基板110可以是被图案化的蓝宝石基板PSS。基板110的上表面可以包括凹凸图案R1、R2。凹凸图案R1、R2有效地反射从半导体层生成的光，从而可以改善发光二极管的光提取效率。凹凸图案R1、R2可以具有三角锥、四角锥、梯形或者半球形，但并不限定于此。第一凹凸图案R1与第一导电型半导体层111、211、311、411相接，且可位于发光单元的下部，具体地说，可位于第一导电型半导体层111、211、311、411的下部。第二凹凸图案R2不与第一导电型半导体层111、211、311、411相接，且可位于发光单元之间的区域。
第一凹凸图案R1的高度与第二凹凸图案R2的高度可以不同。第二凹凸图案R2的高度可小于第一凹凸图案R1的高度。例如，第一凹凸图案R1的高度可以是1.5μm至2μm，第二凹凸图案R2的高度可小于此。并且，第一凹凸图案R1的高度维持得比较大，因此能够更加有效地反射从发光单元生成的光。
所述第一电极连接部150包括：第1-1电极连接部140，位于所述第一发光单元上；第1-2电极连接部160，位于所述第二发光单元上；以及第一中间连接部106，在所述第一发光单元100与第二发光单元200之间连接所述第1-1电极连接部140与第1-2电极连接部160。所述第1-1电极连接部140可以包括第1-1边缘部102以及第1-1分支部103。并且，所述第1-2电极连接部160可以包括第2-1边缘部201以及第2-1分支部202。
所述第二电极连接部250包括：第2-1电极连接部240，位于所述第二发光单元上；第3-2电极连接部260，位于所述第三发光单元上；以及第二中间连接部205，在所述第二发光单元200与第三发光单元300之间连接所述第2-1电极连接部240与第2-2电极连接部260，所述第2-1电极连接部可以包括第2-1边缘部203以及第2-1分支部204。并且，所述第2-2电极连接部10可以包括第2-1边缘部201以及第2-1分支部202。
所述第三电极连接部350包括：第3-1电极连接部340，位于所述第三发光单元上；第3-2电极连接部401，位于所述第四发光单元上；以及第三中间连接部305，在所述第三发光单元300与第四发光单元400之间连接所述第3-1电极连接部340与第3-2电极连接部401，所述第3-1电极连接部可以包括第3-1边缘部303以及第3-1分支部304。
所述第一发光单元100包括：第一侧面，与所述第二发光单元200邻接；第二侧面，与所述第一侧面相对；第三侧面以及第四侧面，配置于所述第一侧面与所述第二侧面之间，且彼此相对。所述第二发光单元200包括：第一侧面，与第一发光单元100邻接；第二侧面，与所述第一侧面相对；第三侧面，配置于所述第一侧面与所述第二侧面之间，且与所述第一发光单元100的第三侧面相邻；以及第四侧面，与第三侧面相对。所述第三发光单元300包括：第一侧面，与所述第二发光单元200邻接；第二侧面，与所述第一侧面相对；第三侧面，配置于所述第一侧面与所述第二侧面之间，且与所述第二发光单元200的第三侧面相邻；以及第四侧面，与第三侧面相对。
参照图30、图32、图33，第一发光单元100包括第一导电型半导体层111、位于第一导电型半导体层111上的活性层112、以及位于活性层112上的第二导电型半导体层113。并且，第一发光单元100包括以下所述的预绝缘层114、接触电极115、第一绝缘层116以及第二绝缘层117。
所述第一导电型半导体层111、活性层112以及第二导电型半导体层113可以包括-V系列化合物半导体，例如，可以包括(Al、Ga、In)N之类的氮化物系半导体。第一导电型半导体层111可以包括n型杂质(例如，Si)，第二导电型半导体层113可以包括p型杂质(例如，Mg)。并且，也可以与其相反。活性层112可以包括多量子阱结构(MQW)，其组成比可以以能够发射出期望的峰值波长的光的方式确定。
并且，第一发光单元100包括第二导电型半导体层113以及活性层112被部分去除而使第一导电型半导体层111部分暴露的区域。例如，如图30以及32所示，第一发光单元100可以包括多个接触孔104，所述多个接触孔104贯穿第二导电型半导体层113以及活性层112而使第一导电型半导体层111暴露。如图30所示，接触孔104可以使第一导电型半导体层111以圆形暴露，接触孔104可以与第1-1分支部并排排列为一列，但接触孔的形状以及配置并不限定于图示的情形。并且，暴露第一导电型半导体层111部分的区域，也可以部分去除第二导电型半导体层113以及活性层112而形成包括第二导电型半导体层113以及活性层112的台面而被提供。配置于接触孔104周围的第二导电型半导体层113的侧面以及活性层112的侧面可以包括倾斜的侧面。接触孔104的倾斜的侧面提高在活性层112生成的光的提取效率。虽然未图示，在第一导电型半导体层111与基板100之间可以形成缓冲层，缓冲层可以是由氮化物等形成的无掺杂半导体层，因此可以缓解第一导电型半导体层111以及第二导电型半导体层113的晶格缺陷。由于所述多个接触孔104，接触孔连接部101与第一导电型半导体层111相接的区域的面积与数量增加，因此可以有效地实现电流分散。
参照图32以及图33，预绝缘层114可以覆盖配置于接触孔104周围的第二导电型半导体层113的一部分以及通过接触孔104暴露的第一导电型半导体层111的一部分。预绝缘层114可以包括开口部，通过所述开口部可以限定以下说明的配置第一至第三电极连接部150、250、350的区域。预绝缘层114在形成第一至第三电极连接部150、250、350时，可以防止第二导电型半导体层113因缓冲氧化蚀刻剂(BOE：Buffered Oxide Etchant)等蚀刻溶剂受损。
预绝缘层114可以包括绝缘性的物质，例如，可以包括SiO2、SiNx、MgF2等。预绝缘层114也可以发挥相对于形成于预绝缘层114上的其他层的基底层(basal layer)的作用。例如，在以下说明的第一绝缘层116包括分布布拉格反射器时，预绝缘层114可以发挥使所述分布布拉格反射器能够稳定地形成的基底层的作用，因此可以将分布布拉格反射器的裂纹(crack)最小化，可以改善对静电放电(ESD：Electrostatic discharge)的耐受性。在所述分布布拉格反射器具有交替地层叠的TiO2层/SiO2层的结构时，预绝缘层114可以形成为具有预定厚度以上的厚度的SiO2层。例如，所述预定厚度可以是约0.2μm至1.0μm。若要形成品质优良的分布布拉格反射器，沉积分布布拉格反射器的基底层的膜质以及表面特性优选优良。因此，通过以预定厚度以上的厚度形成预绝缘层114，可以在预绝缘层114上稳定地制造所述分布布拉格反射器。
参照图32以及图33，接触电极115邻接配置在第二导电型半导体层113上，且可以在接触孔104周围覆盖除预绝缘层114覆盖第二导电型半导体层113的区域以外的第二导电型半导体层113的大部分区域。接触电极115在与第二导电型半导体层113欧姆接触的同时，可以发挥使光反射的作用。因此，接触电极115可以包括具有较高的反射率且可以与第二导电型半导体层113欧姆接触的金属。例如，可以包括Ni、Pt、Pd、Rh、W、Ti、Al、Ag、Au以及ITO/ZnO氧化物中的至少一种。并且，可以包括单层或者多层。
第一绝缘层116可配置于接触电极115以及接触孔104区域的第一导电型半导体层111、活性层112以及第二导电型半导体层113的上表面。在发光元件包括预绝缘层114的情况下，第一绝缘层116配置于预绝缘层114上，且可以覆盖接触电极115的至少一部分。第一绝缘层116发挥使接触电极115从接触孔连接部101绝缘且从湿气等外部污染物质保护第一半导体层111及第二导电型半导体层113的作用。并且，参照图30的放大的部分，第一绝缘层116包括在第1-1电极连接部140区域电连接第1-1电极连接部140与接触电极115的开口部116a。所述开口部116a的宽度可以形成为比第1-1分支部103窄。进而，在第二发光单元200的第2-1电极连接部240的下表面以及第三发光单元300的第3-1电极连接部340的下表面也形成有与所述开口部116a对应的第一绝缘层216、316的开口部。第一绝缘层116可以包括SiO2等氧化膜、SiNx等氮化膜或者MgF2的绝缘膜。进而，第一绝缘层116可以包括低折射物质层与高折射物质层交替地层叠的分布布拉格反射器(DBR)。例如，通过层叠SiO2/TiO2或SiO2/Nb2O5等层，可以形成反射率较高的绝缘反射层。
如图30所示，接触孔连接部101包括：接触孔连接边缘部130，位于第一发光单元100的第三侧面的一部分、第二侧面、第四侧面的一部分的边缘部上；接触孔连接分支部131，为了从所述接触孔连接边缘部130连接接触孔104，以分支形状延伸。参照图30，接触孔连接分支部131包括：从配置于第一发光单元100的第二侧面侧的接触孔连接边缘部130向第一侧面侧延伸的分支部；从配置于第二侧面侧的接触孔连接边缘部130向第三侧面侧延伸的分支部；以及从配置于第四侧面侧的接触孔连接边缘部130向第一侧面侧延伸的分支部。所述接触孔连接分支部131可以彼此平行。
接触孔连接部101可以配置于第一绝缘层116上以及第一导电型半导体层111上，且通过配置于第一发光单元100的接触孔104电连接于第一导电型半导体层111。并且，接触孔连接部101可以通过以下说明的第二绝缘层117的第一开口部105与第一电极焊盘500相接触。即，接触孔连接部101可以形成为使第一电极焊盘500与第一导电型半导体层111电连接。并且，所述第一开口部105交替地排列于接触孔104之间，在第一发光单元100的整个区域配置有开口部105、接触孔104以及接触孔连接部101，因此在第一电极焊盘500与第一导电型半导体层111的电连接方面，可以发挥有效地实现电流分散的作用。
接触孔连接部101与以下说明的第一至第三电极连接部150、250、350可以包括如Al层等高反射金属层，高反射金属层可形成于Ti、Cr或者Ni等粘合层上。并且，在高反射金属层上可以形成有Ni、Cr、Au等单层或者复合层结构的保护层。接触孔连接部101可以具有例如Ti/Al/Ti/Ni/Au的多层结构。接触孔连接部101可以通过沉积金属物质并将其图案化而形成。但是，不一定限定于此。并且，可以通过与第一至第三电极连接部相同的工序而形成。
如图32以及图33所示，第二绝缘层117可以配置于接触孔连接部101、第一绝缘层116、第1-1电极连接部140上。第二绝缘层117可以起到防止从第一电极焊盘500到接触电极115、接触孔连接部101、第1-1电极连接部140的短路并从外部污染物质或者冲击保护发光结构体的作用。第二绝缘层117可以包括SiO2等氧化膜、SiNx等氮化膜、MgF2的绝缘膜、聚酰亚胺、聚四氟乙烯(Teflon)、聚对二甲苯(Parylene)等聚合物。进而，第一绝缘层116可以包括交替地层叠低折射物质层与高折射物质层的分布布拉格反射器(DBR)。例如，通过层叠SiO2/TiO2或SiO2/Nb2O5等层，可以形成反射率较高的第二绝缘层117。
第二绝缘层117可以包括：开口部105，用于容许从第一电极焊盘以及第二电极焊盘电连接于第一导电型半导体层111；开口部402，用于容许电连接于第二导电型半导体层113。所述开口部105可以形成于第一发光单元100的接触孔104之间的区域上，而所述开口部402可以形成于第四发光单元的接触孔之间的区域上。
如图30所示，第1-1电极连接部140包括第1-1边缘部102与第1-1分支部103。第1-1电极连接部140发挥电连接第一中间连接部106与第一发光单元100的第二导电型半导体层113的作用。第1-1边缘部102可以包括位于第一发光单元100的第三侧面的一部分的边缘部与位于第一侧面侧的边缘的边缘部。第1-1分支部103包括：从配置于所述第三侧面侧的第1-1边缘部102向第二侧面侧延伸的分支部、从配置于所述第一侧面侧的第1-1边缘部102向第二侧面侧延伸的分支部、以及从配置于所述第一侧面侧的第1-1边缘部102向所述第四侧面侧延伸的分支部。因此，第1-1电极连接部140与第一发光单元的接触电极115接触的面积变大，接触的区域整体分散于第一发光单元100。其结果，在串联连接第一发光单元100与第二发光单元200、以下说明的第三发光单元300及第四发光单元400的过程中，串联连接的发光元件彼此具有预定的正向电压特性，且发光元件的可靠性得到提高。
所述多个第1-1分支部103可以彼此平行地配置，也可配置于第一发光单元100的接触孔104之间。虽然所述接触孔连接部101与所述第1-1电极连接部140彼此不接触，但各个分支部可以彼此交替地相邻而配置。
第一中间连接部106是位于第一发光单元100与第二发光单元200之间的区域的第一电极连接部150的一部分，可以起到连接第1-1电极连接部140与第1-2电极连接部160的作用。
如图30以及图34所示，第1-2电极连接部160可以配置于第二发光单元200的第一绝缘层216上以及第一导电型半导体层211上，且包括第1-2边缘部201以及第1-2分支部202。第1-2边缘部201位于第二发光单元200的第一侧面的一部分与第四侧面侧的边缘上。第1-2分支部202包括：从配置于第一侧面侧的第1-2边缘部201向第三侧面侧延伸的分支部、从配置于第一侧面侧的第1-2边缘部201向第二侧面侧延伸的分支部、以及从配置于第四侧面侧的第1-2边缘部201向所述第二侧面侧延伸的第1-2分支部202。
所述多个第1-2分支部202可以彼此平行地配置，且连接第二发光单元200的接触孔104。并且，虽然所述第1-2分支部202与所述第2-1分支部204彼此不接触，但各个分支部可以彼此交替地相邻而配置。
所述多个第1-2分支部202可以配置成与所述多个第1-1分支部103平行，多个第1-2分支部202与所述多个第1-1分支部103对于所述第一方向1以及与所述第一方向1垂直的方向可以倾斜。
第1-2电极连接部160起到连接第二发光单元200的第一导电型半导体层211与第一中间连接部106的作用。即，构成第一电极连接部150的第1-1电极连接部140、第一中间连接部106、第1-2电极连接部160起到电连接第二发光单元200的第一导电型半导体层211与第一发光单元100的第二导电型半导体层113的作用，分支部具有向彼此的单元区域较深地延伸的形状，因此可以提高电流分散。
另外，第二发光单元200与第三发光单元300的各自的接触孔104、第一导电型半导体层211、311、活性层212、312、第二导电型半导体层213、313、接触电极215、315、第一绝缘层216、316以及第二绝缘层217、317，除了第二绝缘层217、317不具有开口部105的这一点上与第一发光单元100有差异之外，具有与第一发光单元100的各个构成相同的构成以及作用。并且，电连接第二发光单元200与第三发光单元300的第二电极连接部250也包括与第一电极连接部150对应的第2-1电极连接部240、第二中间连接部205以及第2-2电极连接部260，各自的构成以及作用与第1-1电极连接部140、第一中间连接部105以及第1-2电极连接部160相同。
如图30、图36以及图37所示，第三电极连接部350电连接第三发光单元300与第四发光单元400。第3-1电极连接部340以及第三中间连接部305的构成以及作用与第1-1电极连接部140以及第一中间连接部105相同。但是，第3-2电极连接部401形成于第四发光单元400的整个区域，在这一点上与第1-2电极连接部160以及第2-2电极连接部260相比存在构成上的差异。
参照图36以及图37，第四发光单元400包括第一导电型半导体层411、位于第一导电型半导体层411上的活性层412、以及位于活性层412上的第二导电型半导体层413。并且，第四发光单元400包括预绝缘层414、接触电极415、第一绝缘层416、第二绝缘层417，且包括部分暴露第一导电型半导体层411的多个接触孔104以能够连接到第3-2电极连接部401，。第四发光单元400的接触孔104的构成与第一至第三发光单元100、200、300的接触孔104相同。
并且，第四发光单元400包括部分去除第一绝缘层416、第3-2电极连接部401以及第二绝缘层417而使接触电极415部分暴露的区域。例如，如图30以及图37所示，在第四发光单元400的上部可以配置有暴露接触电极415的多个开口部402以使第二电极焊盘600与接触电极415电连接。第二电极焊盘600可以通过接触电极415电连接于第二导电型半导体层413。如图30所示，开口部402可以使接触电极415以圆形暴露，且可以在形成于第四发光单元400的接触孔104之间排列而形成，但开口部的形状以及配置并不限定于图示的情形。
如图31所示，第一电极焊盘500位于第一发光单元100及第二发光单元200上，第二电极焊盘600位于第三发光单元300以及第四发光单元400上。第一电极焊盘500可以通过第一发光单元100上部的开口部105电连接于接触孔连接部101，且可以通过接触孔连接部101电连接于第一导电型半导体层111。第二电极焊盘600可以通过第四发光单元400上部的开口部402电连接于接触电极415，且可以通过接触电极415电连接于第二导电型半导体层413。
并且，第一电极焊盘500以及第二电极焊盘600可以分别形成为单层或者多层，且可以包括具有导电性的物质。例如，第一电极焊盘500以及第二电极焊盘600可以分别包括Cu、Pt、Au、Ti、Cr、Ni、Al以及Ag中的一个以上，或者，也可以包括烧结的形状的金属粒子以及夹设于金属粒子之间的非金属物质。在此，第一电极焊盘500以及第二电极焊盘600可以利用镀覆、沉积、滴涂(dotting)或者丝网印刷方法等而形成。
第一电极焊盘500以及第二电极焊盘600的间隔可以是80μm以下。在第一电极焊盘500以及第二电极焊盘600分别覆盖第一发光单元100及第二发光单元200、第三发光单元300及第四发光单元400的大部分区域时，可以期待粘合力得到提高且散热特性变优的效果。
图38以及图39是利用根据本发明的第十二实施例的发光元件的模块的剖面图以及平面图。所述模块可使用于汽车前照灯。所述模块可以包括前述的发光元件1000、第一电极焊盘500及第二电极焊盘600、下部的第一导电图案1001a及第二导电图案1001b、第一散热部1002a及第二散热部1002b、下部底座1003、上部底座1004、空洞1006、键合线1005a、1005b、1005c、1005d。
第一导电图案1001a以及第二导电图案1001b在下部底座1003上彼此相隔配置。第一导电图案1001a以及第二导电图案1001b的一部分暴露于通过上部底座1004定义的空洞1006的外侧而可以与外部自由地连接。上部底座1004配置于下部底座1003上，且为使第一导电图案1001a及第二导电图案1001b的一部分暴露于外部而可形成于第一导电图案1001a及第二导电图案1001b上。上部底座1004的内壁，即空洞1006侧的壁可以倾斜地形成。据此，可以通过使从发光元件1000发出的光在上部底座1004的内壁反射而提高模块的发光效率。
另外，在所述空洞1004的下部配置有第一散热器1002a及第二散热器1002b。第一散热器1002a及第二散热器1002b贯穿下部底座1003而向下部底座1003的下方暴露。第一电极焊盘500及第二电极焊盘600分别连接于所述第一散热器1002a及第二散热器1002b。
键合线1005a、1005b分别连接第一散热器1002a及第二散热器1002b与第一导电图案1001a及第二导电图案1001b。因此，第一电极焊盘500及第二电极焊盘600通过第一散热器1002a及第二散热器1002b以及键合线1005a、1005b电连接于第一导电图案1001a及第二导电图案1001b。散热器1002a、1002b可以包括金属或者金属合金，尤其，可以包括导热性较高的金属或者金属合金。例如，可以包括Cu、Al以及Cu与Al的合金。外部电压通过键合线1005c、1005d施加到第一导电图案1001a及第二导电图案1001b，接着，通过键合线1005a、1005b施加到第一散热器1002a及第二散热器1002b。
空洞1006例如可以由有机硅等灌封材料(potting material)填充，并且可以从外部的影响保护发光元件1000。进而，荧光体可以配置于空洞1006内或者以预定的形状配置于发光元件的上部。
如上所述，根据本发明的实施例的发光元件可应用于如本实施例的模块，尤其可应用于车辆用前照灯，由此可以提高前照灯的可靠性。
图40是用于说明将根据本发明的一实施例的发光元件应用于照明装置的示例的分解立体图。
参照图40，根据本实施例的照明装置包括扩散罩1010、发光元件模块1020以及主体部1030。主体部1030可以收容发光元件模块1020，扩散罩1010可以以覆盖发光元件模块1020的上部的方式配置于主体部1030上。
只要主体部1030是收容以及支撑发光元件模块1020且能够向发光元件模块1020供应电源的形式，则不受限制。例如，如图所示，主体部1030可以包括主体外壳1031、电源供应装置1033、电源外壳1035以及电源连接部1037。
电源供应装置1033被收容于电源外壳1035内而电连接于发光元件模块1020，且可以包括至少一个IC芯片。所述IC芯片可以调整、转换或者控制供应至发光元件模块1020的电源的特性。电源外壳1035可以收容并支撑电源供应装置1033，在内部固定有电源供应装置1033的电源外壳1035可以位于主体外壳1031的内部。电源连接部115配置于电源外壳1035的下端而联结在电源外壳1035。据此，电源连接部115电连接于电源外壳1035内部的电源供应装置1033而可以发挥外部电源可以供应至电源供应装置1033的通道作用。
发光元件模块1020包括基板1023以及配置于基板1023上的发光元件1021。发光元件模块1020配置于主体外壳1031的上部而可以电连接于电源供应装置1033。
基板1023只要是可以支撑发光元件1021的基板就不受限制，例如，可以是包括布线的印刷电路板。为使基板1023能够稳定地固定于主体外壳1031，基板1023可以具有与主体外壳1031上部的固定部对应的形状。发光元件1021可以包括以上所述的根据本发明的实施例的发光元件中的至少一个。
扩散罩1010配置于发光元件1021上，且可以固定于主体外壳1031而覆盖发光元件1021。扩散罩1010可以具有透光性材质，通过调整扩散罩1010的形状以及透光性可以调整照明装置的取向特性。因此，扩散罩1010可以根据照明装置的使用目的以及应用状态变形为各种形式。
图41是用于说明将根据本发明的一实施例的发光元件应用于显示装置的示例的剖面图。
本实施例的显示装置包括显示面板2110、向显示面板2110提供光的背光单元BLU1以及支撑所述显示面板2110的下部边缘的面板引导件2100。
显示面板2110并不受特殊限定，例如，可以是包括液晶层的液晶显示面板。在显示面板2110的边缘还可以配置有向所述栅极线供应驱动信号的栅极驱动PCB。在这里，栅极驱动PCB2112、2113也可以不构成于其他PCB而可以形成于薄膜晶体管基板上。
背光单元BLU1包括光源模块，该光源模块包括至少一个基板2150以及多个发光元件2160。进而，背光单元BLU1还可以包括底盖2180、反射板2170、扩散板2131以及光学板2130。
底盖2180向上部开口，且可以收纳基板2150、发光元件2160、反射板2170、扩散板2131以及光学板2130。并且，底盖2180可以结合于面板引导件2100。基板2150位于反射板2170的下部而可以配置成被反射板2170包围的形状。但是，并不限定于此，在表面涂布有反射物质的情况下，也可以位于反射板2170上。并且，基板2150形成为多个，从而可以配置为多个基板2150并排配置的形状，但并不限定于此，也可以形成为单一的基板2150。
发光元件2160可以包括以上所述的根据本发明的实施例的发光元件中的至少一个。发光元件2160可以在基板2150上以预定的图案有规则地排列。并且，在各个发光元件2160上配置有透镜2210，从而可以提高从多个发光元件2160发出的光的均匀性。
扩散板2131以及光学板2130位于发光元件2160上。从发光元件2160发射的光通过扩散板2131以及光学板2130而能够以面光源形式供应至显示面板2110。
如上所述，根据本发明的实施例的发光元件可以应用于如本实施例的直下式显示装置。
图42是用于说明将根据一实施例的发光元件应用于显示装置的示例的剖面图。
根据本实施例的配置有背光单元的显示装置包括显示影像的显示面板3210、配置于显示面板3210的背面而照射光的背光单元BLU2。进而，所述显示装置包括支撑显示面板3210并收纳背光单元BLU2的框架240以及包围所述显示面板3210的盖板3240、3280。
显示面板3210并不受特殊限定，例如，可以是包括液晶层的液晶显示面板。在显示面板3210的边缘还可以配置有向所述栅极线供应驱动信号的栅极驱动PCB。在这里，栅极驱动PCB也可以不构成于其他PCB而形成于薄膜晶体管基板上。显示面板3210通过位于其上下部的盖板3240、3280而得到固定，位于下部的盖板3280可以联结于背光单元BLU2。
向显示面板3210提供光的背光单元BLU2包括：下部盖板3270，上表面的一部分开口；光源模块，配置于下部盖板3270的内部一侧；以及导光板3250，与所述光源模块并排配置而将点光转换为面光。并且，本实施例的背光单元BLU2还可以包括：光学板3230，位于导光板3250上而使光扩散以及集光；反射板3260，配置于导光板3250的下部，将向导光板3250的下部方向前进的光反射至显示面板3210方向。
光源模块包括：基板3220；以及多个发光元件3110，以预定的间隔与所述基板3220的一面相隔而配置。基板3220只要是支撑发光元件3110并电连接于发光元件3110的形式则不受限制，例如，可以是印刷电路板。发光元件3110可以包括至少一个以上说明的根据本发明的实施例的发光元件。从光源模块发出的光射入导光板3250而通过光学板3230供应至显示面板3210。通过导光板3250以及光学板3230，从发光元件3110发出的点光源可以变形为面光源。
据此，根据本发明的实施例的发光元件可以应用于如本实施例的边缘式显示装置。
图43是用于说明将根据本发明的一实施例的发光元件应用于前照灯的示例的剖面图。
参照图43，所述前照灯包括灯体4070、基板4020、发光元件4010以及盖板玻璃4050。进而，所述前照灯还可以包括散热部4030、支撑架4060以及连接部件4040。
基板4020通过支撑架4060固定而相隔配置于灯体4070上。基板4020只要是可以支撑发光元件4010的基板就不受限制，例如，可以是如印刷电路板等具有导电图案的基板。发光元件4010位于基板4020上，可以通过基板4020得到支撑以及固定。并且，发光元件4010可通过基板4020的导电图案而电连接于外部的电源。并且，发光元件4010可以包括至少一个以上说明的根据本发明的实施例的发光元件。
盖板玻璃4050位于从发光元件4010发出的光移动的路径上。例如，如图所示，盖板玻璃4050可以通过连接部件4040从发光元件4010相隔而配置，且可以配置于要提供从发光元件4010发出的光的方向。通过盖板玻璃4050可以调整从前照灯向外部发出的光的取向角和/或者颜色。另外，连接部件4040将盖板玻璃4050固定于基板4020，同时配置成包围发光元件4010，从而还可以发挥提供发光路径4045的导光作用。此时，连接部件4040可以由反光物质形成或者涂布有反光物质。另外，散热部4030可以包括散热翅片4031和/或者散热风扇4033，可以将在驱动发光元件4010时产生的热量散热至外部。
据此，根据本发明的实施例的发光元件可以应用于如本实施例的前照灯，尤其是车辆用前照灯。
如上所述，对本发明的具体说明通过参照附图的实施例而进行，但所述实施例仅以本发明的优选实施例为例进行了说明，不应该理解为本发明仅限定于所述实施例，应该将本发明的权利范围理解为权利要求范围及其等价概念。

Claims (15)

1.一种发光元件，包括：
第一发光单元；
一个以上的第二发光单元，与第一发光单元布置在同一平面上；
第一电极，形成在所述第一发光单元或所述一个以上的第二发光单元上，且与所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元中的一个发光单元电连接；以及
第二电极，形成在所述第一发光单元或所述一个以上的第二发光单元上，且与所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元中的另一个发光单元电连接，
其中，所述第一发光单元布置在中央，而所述一个以上的第二发光单元布置为围绕所述第一发光单元。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元彼此电连接。
3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元彼此串联连接。
4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一发光单元和所述至一个以上的第二发光单元中的每一个包括：
发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和介于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的活性层；
第一接触电极和第二接触电极，位于所述发光结构体上且分别与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层欧姆接触；
绝缘层，为了所述第一接触电极和第二接触电极的绝缘而覆盖所述第一接触电极和第二接触电极的一部分，
其中，所述第一电极和所述第二电极分别电连接到所述一个发光单元的所述第一接触电极和所述另一个发光单元的第二接触电极。
5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述第一电极和所述第二电极中的一个以上形成在所述绝缘层上。
6.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述绝缘层包括：
第一绝缘层，形成在所述第一接触电极与所述第二接触电极之间且覆盖所述第二接触电极的一部分，并且形成有分别使所述第一导电型半导体层和所述第二接触电极部分暴露的第一开口部和第二开口部；
第二绝缘层，形成为覆盖部分覆盖所述第一绝缘层的第一接触电极的一部分，并且形成有分别使所述第一接触电极和所述第二接触电极部分暴露的第三开口部和第四开口部。
7.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述第一电极通过第三开口部电连接到所述第一接触电极，第二电极通过第四开口部电连接到所述第二接触电极。
8.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述发光结构体包括：部分暴露第一导电类型半导体层的多个孔，
所述第一接触电极通过所述多个孔电连接到所述第一导电型半导体层。
9.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电极和第二电极中的每个包括Cu、Pt、Au、Ti、N、Al和Ag中的一个以上。
10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，第一发光单元是圆形或具有四个以上的角的多边形。
11.一种发光二极管，包括：
发光元件，包括第一发光单元、一个以上的第二发光单元、第一电极和第二电极，所述一个以上的第二发光单元与第一发光单元布置在同一平面上，第一电极和第二电极分别与所述第一发光单元和所述一个以上的第二发光单元中的一个发光单元和另一个发光单元电连接；以及
透镜，分散从所述发光元件发出的光，
其中，第一发光单元布置在中心，并且所述一个以上的第二发光单元布置为围绕所述第一发光单元。
12.根据权利要求11所述的发光二极管，其中，所述透镜包括：
下表面，限定了光入射的入光面；以及
上表面，剖面为圆形或具有变形的圆形的曲率，且光射出。
13.根据权利要求11所述的发光二极管，其中，所述透镜包括：
下表面，限定了光入射的入光面；以及
上表面，发射入射的光；以及
侧表面，形成在所述下表面与所述上表面之间且从所述上表面反射的光射出。
14.根据权利要求11所述的发光二极管，其中，所述第一发光单元与一个以上的第二发光单元彼此电连接。
15.根据权利要求11所述的发光二极管，其中，第一发光单元是圆形或具有四个以上的角的多边形。
CN201911074035.9A 2015-02-13 2016-02-04 发光元件和发光二极管 Withdrawn CN110690250A (zh)

Applications Claiming Priority (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0022603 2015-02-13
KR1020150022603A KR102320797B1 (ko) 2015-02-13 2015-02-13 발광 소자
KR10-2015-0023752 2015-02-17
KR1020150023752A KR20160101348A (ko) 2015-02-17 2015-02-17 발광 소자 및 발광 다이오드
KR10-2015-0037560 2015-03-18
KR1020150037560A KR20160112244A (ko) 2015-03-18 2015-03-18 발광 소자 및 발광 다이오드
KR10-2015-0073598 2015-05-27
KR1020150073596A KR102424364B1 (ko) 2015-05-27 2015-05-27 발광소자
KR1020150073598A KR20160139182A (ko) 2015-05-27 2015-05-27 발광소자
KR10-2015-0073596 2015-05-27
KR10-2015-0167920 2015-11-27
KR1020150167920A KR101769077B1 (ko) 2015-11-27 2015-11-27 고효율 발광 소자
CN201680010257.2A CN107223285B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件以及发光二极管

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680010257.2A Division CN107223285B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件以及发光二极管

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110690250A true CN110690250A (zh) 2020-01-14

Family

ID=56614901

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910953376.7A Active CN110690242B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件
CN201911073767.6A Active CN110690249B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件
CN201911070837.2A Active CN110854250B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件
CN201911037711.5A Active CN110676286B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件以及发光二极管
CN201680010257.2A Active CN107223285B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件以及发光二极管
CN201910175807.1A Active CN110061027B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件
CN201911074035.9A Withdrawn CN110690250A (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件和发光二极管

Family Applications Before (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910953376.7A Active CN110690242B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件
CN201911073767.6A Active CN110690249B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件
CN201911070837.2A Active CN110854250B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件
CN201911037711.5A Active CN110676286B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件以及发光二极管
CN201680010257.2A Active CN107223285B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件以及发光二极管
CN201910175807.1A Active CN110061027B (zh) 2015-02-13 2016-02-04 发光元件

Country Status (5)

Country Link
US (3) US10438992B2 (zh)
EP (1) EP3258507A2 (zh)
CN (7) CN110690242B (zh)
DE (1) DE112016000731T5 (zh)
WO (1) WO2016129873A2 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110690242B (zh) 2015-02-13 2023-06-30 首尔伟傲世有限公司 发光元件
KR102607885B1 (ko) * 2016-11-03 2023-11-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
KR102577879B1 (ko) * 2016-11-09 2023-09-14 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
WO2018084631A1 (ko) * 2016-11-03 2018-05-11 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
KR20180052256A (ko) * 2016-11-10 2018-05-18 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자
JP7094694B2 (ja) * 2017-12-01 2022-07-04 キヤノン株式会社 発光素子アレイ及びこれを用いた露光ヘッドと画像形成装置
DE102018112255A1 (de) * 2018-05-22 2019-11-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
CN108807612A (zh) * 2018-06-26 2018-11-13 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种发光二极管制备方法
JP6909983B2 (ja) * 2018-11-29 2021-07-28 日亜化学工業株式会社 発光素子
KR102715637B1 (ko) 2019-01-15 2024-10-14 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102708648B1 (ko) * 2019-11-07 2024-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
EP4160679B1 (en) 2020-04-28 2024-01-31 Nichia Corporation Light-emitting device
DE102020116871A1 (de) 2020-06-26 2021-12-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer halbleiterchip
KR20220081455A (ko) * 2020-12-08 2022-06-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US20220336427A1 (en) * 2021-04-14 2022-10-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Unit pixel for led display and led display apparatus having the same

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009302314A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Rohm Co Ltd ＧａＮ系半導体装置
US20100078656A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
US20110062456A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Chao-Hsing Chen Light-emitting device
US20110089444A1 (en) * 2002-07-15 2011-04-21 Epistar Corporation Light-emitting element
US20110266579A1 (en) * 2009-06-15 2011-11-03 Hideo Nagai Semiconductor light-emitting device, light-emitting module, and illumination device
CN102318087A (zh) * 2009-02-26 2012-01-11 普瑞光电股份有限公司 利用区段式LEDs来补偿个别区段式LED在光输出上的制造工艺差异的光源
US20120074441A1 (en) * 2010-09-24 2012-03-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
CN102479896A (zh) * 2010-11-26 2012-05-30 大连美明外延片科技有限公司 一种发光二极管芯片
CN102770976A (zh) * 2010-03-16 2012-11-07 普瑞光电股份有限公司 改进的多结点led
US20130228802A1 (en) * 2012-02-17 2013-09-05 Epistar Corporation Light-emitting diode device
CN103579474A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 晶元光电股份有限公司 发光二极管元件
CN103811623A (zh) * 2012-11-09 2014-05-21 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN103855180A (zh) * 2012-12-06 2014-06-11 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN103904095A (zh) * 2012-12-27 2014-07-02 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN104064652A (zh) * 2013-03-18 2014-09-24 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN104332482A (zh) * 2013-07-22 2015-02-04 Lg伊诺特有限公司 发光器件

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4432275B2 (ja) * 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
EP2149905A3 (en) * 2002-08-29 2014-05-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device having light-emitting diodes
JP4572604B2 (ja) * 2003-06-30 2010-11-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置
WO2006103596A2 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flexible led array
KR100652864B1 (ko) * 2005-12-16 2006-12-04 서울옵토디바이스주식회사 개선된 투명전극 구조체를 갖는 교류용 발광 다이오드
US9086085B2 (en) * 2006-07-26 2015-07-21 The Boeing Company Removeable fastener recess insert and method for making same
JP5564162B2 (ja) * 2006-09-29 2014-07-30 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光ダイオード装置
KR100765240B1 (ko) * 2006-09-30 2007-10-09 서울옵토디바이스주식회사 서로 다른 크기의 발광셀을 가지는 발광 다이오드 패키지및 이를 채용한 발광 소자
CN101051634B (zh) * 2007-02-02 2010-07-14 广州南科集成电子有限公司 硅衬底平面led集成芯片及制造方法
KR100889956B1 (ko) * 2007-09-27 2009-03-20 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광다이오드
DE102008011848A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
KR101025972B1 (ko) * 2008-06-30 2011-03-30 삼성엘이디 주식회사 교류 구동 발광 장치
KR101007130B1 (ko) * 2009-02-18 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
TWI466284B (zh) * 2010-07-02 2014-12-21 Epistar Corp 光電元件
JP2012028749A (ja) * 2010-07-22 2012-02-09 Seoul Opto Devices Co Ltd 発光ダイオード
WO2012026695A2 (en) * 2010-08-27 2012-03-01 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode with improved luminous efficiency
TWI451555B (zh) * 2010-10-25 2014-09-01 Epistar Corp 整流單元、發光二極體元件及其組合
CN102623480A (zh) * 2011-02-01 2012-08-01 绿种子能源科技股份有限公司 发光二极管阵列及其制造方法
CN103650178A (zh) * 2011-07-29 2014-03-19 三星电子株式会社 半导体发光元件
US20130050653A1 (en) * 2011-08-23 2013-02-28 Stanley Electric Co., Ltd. Led array capable of reducing uneven brightness distribution
US8937323B2 (en) * 2011-09-02 2015-01-20 Stanley Electric Co., Ltd. LED array capable of reducing uneven brightness distribution
KR20130049896A (ko) * 2011-11-07 2013-05-15 삼성전자주식회사 발광장치 제조방법 및 이에 이용되는 리드 프레임 기재
TWI453948B (zh) * 2012-03-12 2014-09-21 Univ Chang Gung The structure of the press - fit type flip - chip light emitting element and its making method
CN103367384B (zh) * 2012-03-30 2018-04-03 晶元光电股份有限公司 发光二极管元件
DE102012102847A1 (de) * 2012-04-02 2013-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements
US9006005B2 (en) * 2012-05-17 2015-04-14 Starlite LED Inc Flip light emitting diode chip and method of fabricating the same
KR101403639B1 (ko) * 2012-09-05 2014-06-05 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
US10388690B2 (en) * 2012-08-07 2019-08-20 Seoul Viosys Co., Ltd. Wafer level light-emitting diode array
WO2014025195A1 (ko) * 2012-08-07 2014-02-13 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이 및 그의 제조방법
KR101892213B1 (ko) * 2012-08-07 2018-08-28 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨의 발광 다이오드 어레이 및 그의 제조방법
DE202013012470U1 (de) * 2012-09-07 2017-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Leuchtdiodenarray auf WAFER-Ebene
KR20140066397A (ko) 2012-11-23 2014-06-02 서울바이오시스 주식회사 복수개의 단위 발광소자들을 갖는 발광다이오드
KR102087935B1 (ko) * 2012-12-27 2020-03-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101423717B1 (ko) 2013-02-08 2014-08-01 서울바이오시스 주식회사 복수개의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
KR20140146354A (ko) * 2013-06-17 2014-12-26 삼성전자주식회사 반도체 발광 장치 및 반도체 발광소자 패키지
KR20150016830A (ko) 2013-08-05 2015-02-13 주식회사 엘지화학 리간드 화합물 및 전이금속 화합물의 제조방법
CN103400850B (zh) * 2013-08-14 2016-01-20 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用于微显示与照明的柔性led阵列器件及制作方法
EP3135606B1 (en) 2014-03-11 2024-04-24 Daicel Corporation Packed body having filter tow bale packed in unsealed state in packing material, and method for producing same
US10157960B2 (en) * 2014-12-16 2018-12-18 Episky Corporation (Xiamem) Ltd Light-emitting device with electrode extending layer
CN110690242B (zh) 2015-02-13 2023-06-30 首尔伟傲世有限公司 发光元件
US9601674B2 (en) * 2015-08-13 2017-03-21 Epistar Corporation Light-emitting device

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110089444A1 (en) * 2002-07-15 2011-04-21 Epistar Corporation Light-emitting element
JP2009302314A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Rohm Co Ltd ＧａＮ系半導体装置
US20100078656A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-01 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
CN102318087A (zh) * 2009-02-26 2012-01-11 普瑞光电股份有限公司 利用区段式LEDs来补偿个别区段式LED在光输出上的制造工艺差异的光源
US20110266579A1 (en) * 2009-06-15 2011-11-03 Hideo Nagai Semiconductor light-emitting device, light-emitting module, and illumination device
US20110062456A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Chao-Hsing Chen Light-emitting device
CN102770976A (zh) * 2010-03-16 2012-11-07 普瑞光电股份有限公司 改进的多结点led
US20120074441A1 (en) * 2010-09-24 2012-03-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
CN102479896A (zh) * 2010-11-26 2012-05-30 大连美明外延片科技有限公司 一种发光二极管芯片
US20130228802A1 (en) * 2012-02-17 2013-09-05 Epistar Corporation Light-emitting diode device
CN103579474A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 晶元光电股份有限公司 发光二极管元件
CN103811623A (zh) * 2012-11-09 2014-05-21 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN103855180A (zh) * 2012-12-06 2014-06-11 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN103904095A (zh) * 2012-12-27 2014-07-02 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN104064652A (zh) * 2013-03-18 2014-09-24 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN104332482A (zh) * 2013-07-22 2015-02-04 Lg伊诺特有限公司 发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
CN110676286A (zh) 2020-01-10
CN110690242B (zh) 2023-06-30
DE112016000731T5 (de) 2017-12-21
WO2016129873A2 (ko) 2016-08-18
WO2016129873A3 (ko) 2016-10-06
CN110061027A (zh) 2019-07-26
US11282892B2 (en) 2022-03-22
WO2016129873A4 (ko) 2016-12-08
CN107223285A (zh) 2017-09-29
CN110061027B (zh) 2024-01-19
CN110854250A (zh) 2020-02-28
CN110690249A (zh) 2020-01-14
CN110690242A (zh) 2020-01-14
CN110676286B (zh) 2024-01-19
US20170154921A1 (en) 2017-06-01
US10438992B2 (en) 2019-10-08
EP3258507A2 (en) 2017-12-20
CN107223285B (zh) 2020-01-03
CN110854250B (zh) 2024-07-05
CN110690249B (zh) 2024-01-19
US20220208851A1 (en) 2022-06-30
US20170365638A9 (en) 2017-12-21
US20200035751A1 (en) 2020-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107223285B (zh) 发光元件以及发光二极管
US11705480B2 (en) Optoelectronic device with electrodes forming an outer boundary beyond an outer boundary of an epitaxial stack
US10008642B2 (en) Semiconductor light emitting devices
CN111048546B (zh) 具有多个发光单元的发光二极管
US9726802B2 (en) Integrated back light unit
US20150243851A1 (en) Light-emitting diode package
KR20170078562A (ko) 발광 소자
KR20160112244A (ko) 발광 소자 및 발광 다이오드
KR102320797B1 (ko) 발광 소자
KR102424364B1 (ko) 발광소자
KR102374671B1 (ko) 발광 다이오드
KR101740539B1 (ko) 발광소자
KR101746818B1 (ko) 발광 소자
KR20130060638A (ko) 발광 소자, 이를 포함하는 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명 시스템
KR20160139182A (ko) 발광소자
KR20160112295A (ko) 금속 벌크를 포함하는 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20200114