CN103579474A - 发光二极管元件 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管元件，包括一基板、若干个发光二极管单元及一导电连结结构；该些发光二极管单元设置在该基板上；每一该些发光二极管单元为具有多于四个侧边的正多边形，包括一第一电性连结区域及一第二电性连结区域；该第一电性连结区域沿着该发光二极管单元的一第一侧边设置；该第二电性连结区域沿着该发光二极管单元的一第二侧边设置；该导电连结结构设置在每一该电性连结区域上；每一该些电性连结区域分别透过该导电连结结构与其它的发光二极管单元电性连结。

Description

发光二极管元件
技术领域
本发明关于一种发光二极管元件，尤其是关于一种将若干发光二极管单元形成于单一基板上的发光二极管元件结构。
背景技术
发光二极管(LED)的发光原理和结构与传统光源并不相同，具有耗电量低、元件寿命长、无须暖灯时间、反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用需求制成极小或阵列式的元件，在市场上的应用颇为广泛，例如，光学显示装置、雷射二极管、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置等。
现有的发光二极管元件1，如图1A与图1B所示，包括一基板10、若干个发光二极管单元12，紧密排列于基板10上。每一个发光二极管单元12包括一p型半导体层121、一发光层122、一n型半导体层123、一第一电性连结区域16、以及一第二电性连结区域18。电性连结区域(16，18)是指用以与相邻的发光二极管单元12进行电性连结的区域。透过在两个相邻的发光二极管单元12电性连结区域上方形成导电连结结构19，可以将相邻的发光二极管单元12电性连结。由于基板10不导电，因此在若干个发光二极管单元12之间由蚀刻形成沟渠14后可使各发光二极管单元12彼此绝缘，另外再通过部分蚀刻裸露出若干个发光二极管单元12至n型半导体层123。分别于n型半导体层123的第一电性连结区域16上以及p型半导体层121的第二电性连结区域18上形成一导电连结结构19，透过导电连结结构19选择性连接若干个发光二极管单元12的第一电性连结区域16及第二电性连结区域18，使得若干个发光二极管单元12之间形成串联(或并联)的电路。其中，亦可另外再在电性连结区域(16，18)上分别形成电极，以降低半导体层表面与导电连结结构19间的接触电阻；而导电连结结构19下方可以是空气，也可以预先在形成导电连结结构19之前，在发光二极管单元12的半导体层部分表面及相近的发光二极管单元12半导体层之间以化学气相沉积方式(CVD)、物理气相沉积方式(PVD)、溅镀(sputtering)等技术沉积形成绝缘层13，作为半导体层的保护与相近发光二极管单元12间的电性绝缘。绝缘层13的材质较佳例如可以是氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiNx)、二氧化钛(TiO2)等材料或其复合组成。
此外，发光二极管元件1末端的两个发光二极管单元12的n型半导体层123与p型半导体层121表面上可分别另外形成第一电极衬垫16’与第二电极衬垫18’。通过电极衬垫(16’，18’)，可以利用打线或焊锡等方式与外部电源形成电性连接，如图1B所示。
然而，通过导电连结结构19进行发光二极管单元12间的电路连结时，由于发光二极管单元12间的沟渠14高低差距颇大，在形成导电连结结构19时容易产生导线连结不良或断线的问题，进而影响发光二极管元件1的可靠度。  
此外，矩形的发光二极管单元12在连接时由于需配合基板10形状设计连接线路，导致电性连结区域(16，18)相对于发光二极管单元12的位置无法固定，且往往会将电性连结区域设计在发光二极管单元12的角落处。这样的设计，使得每一个发光二极管单元12的电性连结区域间的间距不一(如图1B中所示间距d与d’)，发光二极单元12间承受的压降不同，易造成发光二极管单元12间发光亮度不均匀的问题。而将电性连结区域(16，18)设置在角落处时，由于角落为直角，电流不容易扩散，也容易使发光效率降低。
此外，上述的发光二极管元件1更可以进一步地与其它元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)100。图2为现有的发光装置结构示意图，如图2所示，一发光装置100包括一具有至少一电路101的次载体(sub-mount)110，将上述发光二极管元件1黏结固定在次载体110上；以及，一电性连接结构104，以电性连接发光元件1的第一电极衬垫16’、第二电极衬垫18’与次载体110上的电路101；其中，上述的次载体110 可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以方便发光装置100的电路规划并提高其散热效果。上述的电性连接结构104可以是焊线(bonding wire)或其它连结结构。
发明内容
本发明提供一种具有均匀发光及高可靠度的发光二极管元件。
本发明的一实施例提供一种发光二极管元件，包括一基板、若干个发光二极管单元及一导电连结结构；该些发光二极管单元设置在该基板上；每一该些发光二极管单元为具有多于四个侧边的正多边形，包括一第一电性连结区域及一第二电性连结区域；该第一电性连结区域沿着该发光二极管单元的一第一侧边设置；该第二电性连结区域沿着该发光二极管单元的一第二侧边设置；该导电连结结构设置在每一该电性连结区域上；每一该些电性连结区域分别透过该导电连结结构与其它的发光二极管单元电性连结。
本发明的另一实施例提供一种发光二极管元件，包括一基板、一第一发光二极管单元、一第二发光二极管单元及一导电连结结构；该第一发光二极管单元与该第二发光二极管单元设置在该基板上，且分别为具有大于四个侧边所形成的正多边形；该第一发光二极管单元与该第二发光二极管单元分别包括一第一电性连结区域及一第二电性连结区域；该第一电性连结区域设置在该发光二极管单元的一第一侧边；该第二电性连结区域，设置在该发光二极管单元的一第二侧边；该导电连结结构连接该第一发光二极管单元的该第一电性连结区域与该第二发光二极管单元的该第二电性连结区域。
附图说明
图1A为现有发光二极管元件侧视结构图； 
图1B为现有发光二极管元件俯视结构图；
图2为现有发光二装置侧视结构图；
图3A为本发明一实施例的发光二极管单元俯视结构图；
图3B为本发明一实施例的发光二极管单元侧视结构图；
图4A-4B为本发明不同实施例的发光二极管单元俯视结构图；
图5A-5C为本发明不同实施例的发光二极管元件连接电路图；
图6A-6C为本发明不同实施例的发光二极管元件俯视结构图；
图7A-7C为本发明不同实施例的发光二极管元件连接电路图；
图8A-8C为本发明不同实施例的发光二极管元件俯视结构图。
具体实施方式
以下配合图式说明本发明的各实施例。首先，图3A与图3B显示了本发明第一实施例的一发光二极管单元22的结构。发光二极管单元22为一正六边形，设置在基板20上，包括一第一半导体层223（例如为n型半导体层）、一发光层222、一第二半导体层221（例如为p型半导体层）、一第一电性连结区域26以及一第二电性连结区域28。其中，发光二极管单元22的n型半导体层223包括一第一电性连结区域26，该第一电性连结区域26沿着第一侧边21配置；而发光二极管单元22的p型半导体层221包括一第二电性连结区域28，该第二电性连结区域28沿着第二侧边23配置。为了在后续与其它发光二极管单元22电性连结时减少电路短路的可能，裸露第一电性半导体层表面的第一侧边21与表面为第二电性半导体层的第二侧边23并不相邻。相同地，也可另外在电性连结区域(26，28)上分别形成第一电极26’与第二电极28’，当多个发光二极管单元22透过导电连结结构彼此连结时，可以用以降低半导体层表面与导电连结结构间的接触电阻。
当发光二极管单元22为正六边形，并将电性连结区域(26，28)沿着发光二极管单元22的侧边设置时，由于发光二极管单元为正六边形，具有旋转对称的特性，因此，当若干个发光二极管单元22设置在基板20上相互串联或并联时，发光二极管单元22彼此间即可以位于侧边的电性连结区域(26，28)透过导电连结结构(图未示)电性连结，形成一紧密排列的发光二极管元件。
由本实施例延伸，配合发光二极管元件在电路上的设计需求，正六边形的发光二极管单元22可以在同一电性半导体层上沿着两相邻侧边分别设置具有相同电性的第一电性连结区域与第三电性连结区域(26，26”)，例如利用黄光微影制程技术使n型半导体层沿着正六边形的相邻的第一侧边与第三侧边裸露形成平台，以提供一第一电性连结区域26与第三电性连结区域26”。接着，亦可选择性地再于第一侧边与第三侧边的电性连结区域26与26”上分别设置第一电极226与第三电极226’，并在相邻的第二侧边与第四侧边分别再设置第二电性连结区域28与第四电性连结区域28”，接着再于第二电性连结区域28与第四电性连结区域28” 上选择性地设置第二电极228与第四电极228’，如图4A所示。
如此一来，可以便于在不同方向上与更多数量的发光二极管单元22进行电性连结。本领域中具有公知常识的人应可以理解，在不同的电路设计下，电性连结区域的数目应可以相对应的调整，并不以两个或四个为限。
在相同的发明精神之下，我们也可以依需求将发光二极管单元22设计为其它边长大于四的正多边形，如图4B所示，例如可以为正五边形的发光二极管单元32或正八边形的发光二极管单元42等，而第一电性连结区域(36，46) 与第二电性连结区域(38，48)也可以依需求沿着相对或不相邻的侧边设置。相较于现有矩形设计的发光二极管单元，由于每一个发光二极管单元(22，32，42)的角落角度变大(大于九十度)，电流局限在发光二极管单元角落不易扩散的问题可以获得改善，也可以增加发光二极管单元放光的均匀性。
此外，本领域中具有公知常识的人应可以理解，在不同的设计需求下，也可以利用正五边形、正六边形、或正八边形等若干不同发光二极管单元组合，透过彼此以侧边相邻，并将导电连结结构设置于相邻侧边的电性连结区域上进行电性连结，组成多种不同的发光二极管元件。
接着，请参照图5A、图5B与图5C，分别显示若干个正六边形发光二极管单元22在单一基板20上进行直列串联连接、三端点连接、以及与另外四个发光二极管单元22连接的电路图。而图6A、图6B与图6C则分别显示相对应于图5A、图5B与图5C电路连接图的可能配置方式。其中，若干个发光二极管单元22相对应地设置在基板20上，以彼此相邻接的方式，依据电路图的设计，将不同发光二极管单元22的第一电性连结区域26与第二电性连结区域28以侧边相邻的方式彼此排列。接着，依电路连结需求，在相对应的电性连结区域(26，28)上设置一导电连结结构29。透过导电连结结构29，可以将发光二极管单元22的第一电性连结区域26与另一相邻的发光二极管单元22的第二电性连结区域28串联连接(如图6A中虚线区域A)，或将发光二极管单元22的第二电性连结区域28与另一相邻的发光二极管单元22的第二电性连结区域28并联连接(如图6B中虚线区域B)。
值得注意的是，在这边，发光二极管单元22间的连接方式，除了上述以侧边对侧边透过导电连结结构相互连接的方式之外，图6B中的左图与右图分别揭露了不同的连接方式。
在图6B的左图中，上方的发光二极管单元22为了与下方两个相邻的发光二极管单元22达成三端点电性连结，上方的发光二极管单元22下端的第二电性连结区域28与第四电性连结区域28”的交会之处与下方的两个发光二极管单元22的第一电性连结区域26可以透过导电连结结构29彼此以末端与末端间相互连接(如图6B中虚线区域B’)，其中导电连结结构29同时跨接下方两个发光二极管单元22的第一电性连结区域26。而在图6B的右图中，上方的发光二极管单元则透过设置在下端两侧边的第二电性连结区域28与第四电性连结区域28”，分别与下方两个发光二极管单元22的上端侧边的第一电性连结区域26透过导电连结结构29以侧边对侧边的方式相互连接。这些设计，除了可以使电性连结区域(26，28)在发光二极管单元22上的相对应位置固定外，电性连结区域(26，28)间的间距也可彼此固定(第一电性连结区域26与第二电性连结区域28之间的距离约固定为发光二极管单元22正六边形相对侧边间的距离(如图6B中所示间距d”)，元件整体发光更为均匀，并可提高元件的可靠度。
其中，发光二极管元件的基板20并不限定为单一材料，亦可以是由若干不同材料组合而成的复合式基板。例如：基板20可以包括两个相互接合的第一基板与第二基板(图未示)。本实施例中，基板20的材质为蓝宝石(sapphire)。然而，基板20的材质也可以包括但不限于铝酸锂(lithium aluminum oxide, LiAlO2)、氧化锌(zinc oxide, ZnO)、磷化镓(gallium nitride, GaP)、玻璃(Glass)、有机高分子板材、氮化铝(aluminum nitride, AlN)。接着，在基板20的一表面上，形成若干个如本发明实施例所示的正六边形发光二极管单元22。在本实施例中，制作方式例如可依以下所述：
参酌图3B所示发光二极管单元22的侧视图。首先，以传统的磊晶成长制程，在一成长基板(图未示)上依序形成n型半导体层223，发光层222，以及p型半导体层221。在本实施例中，成长基板的材质为砷化镓(GaAs)。当然，除了砷化镓(GaAs)基板之外，成长基板的材质可包括但不限于锗(germanium, Ge)、磷化铟(indium phosphide, InP)、蓝宝石(sapphire)、碳化硅(silicon carbide)、硅(silicon)、铝酸锂(lithium aluminum oxide, LiAlO2)、氧化锌(zinc oxide, ZnO)、氮化镓(gallium nitride, GaN)、氮化铝(aluminum nitride, AlN)。
接着，以黄光微影制程技术选择性移除部分半导体层后，未被移除的半导体层在成长基板上形成多个彼此以侧边相邻、为正六边形的发光二极管单元22的半导体磊晶层结构。为了增加元件整体的出光效率，透过基板转移与基板接合的技术，将发光二极管单元22半导体层结构设置于透明基板20之上。发光二极管单元22可以以加热或加压的方式与透明基板20直接接合，或是透过透明黏着层(图未示)将发光二极管单元22与透明基板20黏着接合。其中，透明黏着层可以是一有机高分子透明胶材，例如聚酰亚胺(polyimide)、苯环丁烯类高分子(BCB)、全氟环丁基类高分子(PFCB)、环氧类树脂(Epoxy)、压克力类树脂(Acrylic Resin)、聚脂类树脂(PET)、聚碳酸酯类树脂(PC)等材料或其组合；或一透明导电氧化金属层，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化锡氟（FTO）、锑锡氧化物（ATO）、镉锡氧化物（CTO）、氧化锌铝（AZO）、掺镉氧化锌（GZO）等材料或其组合；或一无机绝缘层，例如氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、二氧化钛(TiO2)等材料或其组合。
接着，可再以黄光微影制程技术蚀刻沿侧边形成每一个发光二极管单元22的n型半导体层暴露区域，以做为后续的电性连结区域或电极的形成平台。
    在本实施例中，发光二极管单元22以苯环丁烯类高分子(BCB)做为透明黏着层与透明基板20进行接合。实际上，将发光二极管单元22设置于透明基板20上的方法不限于此，于本技术领域中具有公知常识的人应可以理解，根据不同的结构特性，发光二极管单元22亦可以磊晶成长的方式直接形成于透明的基板上。此外，根据基板转移次数的不同，亦可以形成p型半导体层与基板相邻，且n型半导体层在p型半导体层上，中间夹有发光层的结构。
接着，在发光二极管单元22的半导体层部分表面及相邻发光二极管单元22半导体层间以化学气相沉积方式(CVD)、物理气相沉积方式(PVD)、溅镀(sputtering)等技术沉积形成绝缘层(图未示)，作为半导体层的保护与相邻发光二极管单元22间的电性绝缘。绝缘层的材质较佳例如可以是氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiNx)、二氧化钛(TiO2)等材料或其复合组成。
之后，以溅镀的方式在发光二极管单元22的n型半导体层暴露区域表面的第一电性连结区域26上形成第一电极26’、在p型半导体层表面的第二电性连结区域28上形成第二电极28’、以及在透明基板20的表面上形成导电连结结构29，以进行发光二极管单元22之间的电性连结。以本实施例为例，在第一发光二极管单元22的n型半导体层第一电性连结区域26上形成第一电极26’，在相邻的发光二极管单元22的p型半导体层223第二电性连结区域28上形成第二电极28’，再分别形成一导电连结结构29于两个电极(26’，28’)之间，例如以串联的方式电性连结两个相邻的发光二极管单元22。
导电连结结构29与电极(26’，28’)的材质较佳例如可以是金属，例如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、锡(Sn)等，其合金或其层迭组合。形成第一电极26’、第二电极28’与导电连结结构29的材质可以相同或不同。然而，也可以不需要另外形成第一电极26’与第二电极28’，也可以透过单一导电连结结构29直接连结两个相邻发光二极管单元22的电性连结区域(26，28)，其结构可以是单一次制程，也可以是由多次制程所完成。
相同的，导电连结结构29与透明基板20之间可以是空气，也可以预先在形成导电连结结构29之前，在发光二极管单元22的半导体层部分表面及相近的发光二极管单元22半导体层之间以化学气相沉积方式(CVD)、物理气相沉积方式(PVD)、溅镀(sputtering)等技术沉积形成绝缘层，作为半导体层的保护与相近发光二极管单元22间的电性绝缘。绝缘层的材质较佳例如可以是氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiNx)、二氧化钛(TiO2)等材料或其复合组成。
接着，请参照图7A、图7B、与图7C，分别显示依本发明的一实施例所提出的发光二极管元件3、4、及5的电路图，图8A、图8B、与图8C则分别显示相对应于图7A、图7B、与图7C电路连接图的可能配置方式。
图7A中所显示的是一种由若干的发光二极管单元22并联而成的发光二极管元件3的电路图。接着，参照图8A的配置结构，图8A中上方第一列的发光二极管单元22中，于每一发光二极管单元22的上端，第二电性连结区域28与第四电性连结区域218透过导电连结结构29彼此并联；相似地，于每一发光二极管单元22的下端，第一电性连结区域26与第三电性连结区域216则透过导电连结结构29彼此并联。除此之外，每一个第一列的发光二极管单元22更通过沿着本身下端两个相邻侧边设置的第一电性连结区域26与第三电性连结区域216，透过导电连结结构29，分别再与设置于第二列相对应位置的两个不同的发光二极管单元22上端的第一电性连结区域26与第三电性连结区域216电性并联。值得注意的是，在这边，发光二极管单元22间的连接方式，除了上述以侧边对侧边透过导电连结结构相互连结的方式之外，第一列相邻的发光二极管单元22的上侧以及最下列的发光二极管单元22的下侧，还是可以透过侧边末端与末端之间以点状方式透过导电连结结构29相互连接，如图8A中虚线区域D所示。
以下依此类推，构成如图8A所示，由二十个发光二极管单元22彼此相互并联于单一基板30上形成的发光二极管元件3。
为了减少不透光的金属电极衬垫对发光二极管元件3出光效率所产生的影响，在本实施例中，导电连结结构的末端延伸至六边形发光二极管半导体层之外的基板30表面上并分别形成两个第一电极衬垫206与第二电极衬垫208。通过四个电极衬垫(206，208)，可以利用打线或焊锡等方式与外部电源形成电性连接。其中，形成电极衬垫(206，208)的制程，可以与形成导电连结结构29在单一次制程中进行，也可以由多次制程所完成。而形成电极衬垫206，208的材质，也可以分别与形成导电连结结构29的材质相同或不同。
本领域中具有公知常识的人应可以理解，在不同的元件结构设计下，电极衬垫的数目应可以相对应的调整，并不以四个为限。此外，依不同需求的考虑，例如制程的难易程度，第一电极衬垫与第二电极衬垫也可以设置在半导体层的表面上，并不以设置在基板表面上为限。
图7B中所显示的是另一种由若干发光二极管单元22透过串并联组合搭配而成的桥式整流发光二极管元件4的电路图。参照图8B的相对应配置结构，每一发光二极管单元22以与上述相同的方式，将需要相互电性连接的电性连结区域侧边相邻接。此外，在桥式整流发光二极管元件4中的三端点连接区域(如图7B中虚线区域C)则以类似如图6B中左图实施例所示的连接方式，以导电连结结构29进行连结，其结构如图8B中虚线区域C’。
依此类推，构成如图8B所示，由二十个发光二极管单元22彼此相互串并联于单一基板40上的桥式整流发光二极管元件4。当交流电源透过第一电极衬垫206与第二电极衬垫208输入到桥式整流发光二极管元件4中时，在交流电输入正向电压时，桥式整流发光二极管元件4中有半数的发光二极管单元22会发光；在交流电输入负向电压时，发光二极管元件4中有半数的发光二极管单元22会发光，其中，位于桥式整流发光二极管元件4中，部分发光二极管单元22因电路设计，在不论正向或负向电压输入时，皆会放光。在本实施例所示的桥式整流发光二极管元件4中，共有八个正负向电压皆发光的发光二极管单元22，如图8B中虚线区域F所示。
本领域中具有公知常识的人应可以理解，在不同的电路及元件结构设计下，正负向电压皆发光的发光二极管单元数目应可以相对应的调整，并不以八个为限。
图7C中所显示的是一种由若干的发光二极管单元22反向串并联而成的交流发光二极管元件5的电路图。参照图8C的配置结构，图8C中上方第一列的发光二极管单元22中，每一发光二极管单元22的上端，第二电性连结区域28与第四电性连结区域218透过导电连结结构29彼此并联；相似地，每一发光二极管单元22的下端，第一电性连结区域26与第三电性连结区域216则透过导电连结结构29彼此并联。除此之外，每一个第一列的发光二极管单元22更通过沿着本身下端两个相邻侧边设置的第一电性连结区域26与第三电性连结区域216，透过导电连结结构29，分别再与设置于第二列相对应位置的两个不同的发光二极管单元22上端的第一电性连结区域26与第三电性连结区域216电性并联。值得注意的是，在这边，为了达成反向串并联的结构，第二列与第三列的发光二极管单元22之间，以第二列的发光二极管单元22以下端侧边的第一电性连结区域26与第三电性连结区域216和第三列的发光二极管单元22以上端侧边的第二电性连结区域28与第四电性连结区域218彼此透过导电连结结构29进行串联，如图8C虚线区域E所示。
以下依此类推，构成如图8C所示，由二十个发光二极管单元22彼此相互串并联于单一基板50上形成的交流发光二极管元件5。当交流电源透过第一电极衬垫206与第二电极衬垫208输入到交流发光二极管元件5中时，在交流电输入正向电压时，交流发光二极管元件5中有半数的发光二极管单元22会放光；在交流电输入负向电压时，交流发光二极管元件5中有半数的发光二极管单元22会放光，在本实施例所示的交流发光二极管元件5中，共有两组各十个发光二极管单元22在正负相电压时轮流交替放光。
透过本发明的内容，以正六边形发光二极管单元取代现有矩形发光二极管单元，并将电性连结区域设计在六边形的四个相对侧边上，利用旋转对称的特性可使得发光二极管单元在彼此连接时只需旋转，不需更改电性连结区域的相对位置，更可以轻易达成三接点连接或是透过单一发光二极管单元与另外四个发光二极管单元连结的结构；发光二极管单元与其它发光二极管单元连结时，形状及电性连结区域相对位置固定，可使元件整体发光更均匀，并提高可靠度。
此外，电性连结区域沿着发光二极管单元侧边设置，需要电性连结的电性连结区域之间以侧边相邻接，透过导电连结结构进行电性连结，可避免现有将电性连结区域设置在发光二极管单元角落时，发光二极管单元容易因为角落角度较小，使电流容易聚集在角落不易扩散的问题。而边数大于四的正多边形发光二极管单元每一个角落的角度相对增大，对于减少电流聚集在角落也有相对的功效。
本发明所列举的各实施例仅用以说明本发明，并非用以限制本发明的范围。任何人对本发明所作的任何显而易知的修饰或变更皆不脱离本发明的精神与范围。

Claims (11)

1.一种发光二极管元件，其特征在于：该发光二极管元件包括一基板、若干个发光二极管单元及一导电连结结构；该些发光二极管单元设置在该基板上；每一该些发光二极管单元为具有多于四个侧边的正多边形，包括一第一电性连结区域及一第二电性连结区域；该第一电性连结区域沿着该发光二极管单元的一第一侧边设置；该第二电性连结区域沿着该发光二极管单元的一第二侧边设置；该导电连结结构设置在每一该电性连结区域上；每一该些电性连结区域分别透过该导电连结结构与其它的发光二极管单元电性连结。
2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：每一该些发光二极管单元更包括一第一电性半导体层、一第二电性半导体层及一活性层；该第二电性半导体层设置在该第一电性半导体层上；该活性层设置在该第一电性半导体层与该第二电性半导体层之间；该第一电性连结区域设置在该第一电性半导体层上，该第二电性连结区域设置在该第二电性半导体层上。
3.如权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：每一该些发光二极管单元更包括一第三电性连结区域，该第三电性连结区域设置在该发光二极管单元的一第三侧边上。
4.如权利要求3所述的发光二极管元件，其特征在于：该第三侧边与该第一侧边相邻。
5.如权利要求3所述的发光二极管元件，其特征在于：该第三电性连结区域设置在该第一电性半导体层上或设置在该第二电性半导体层上。
6.如权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：该第一侧边与该第二侧边不相邻。
7.如权利要求3所述的发光二极管元件，其特征在于：每一该些发光二极管单元更包括一第四电性连结区域，设置在该发光二极管单元的一第四侧边上。
8.如权利要求7所述的发光二极管元件，其特征在于：至少一该些发光二极管单元与另外四个发光二极管单元通过该些导电连结结构电性连结。
9.如权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：该些发光二极管单元组成一交流发光二极管元件或一桥式整流发光二极管元件。
10.如权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：该些发光二极管单元为正六边形，正五边形，或其组合。
11.一种发光二极管元件，其特征在于：该发光二极管元件包括一基板、一第一发光二极管单元、一第二发光二极管单元及一导电连结结构；该第一发光二极管单元与该第二发光二极管单元设置在该基板上，且分别为具有大于四个侧边所形成的正多边形；该第一发光二极管单元与该第二发光二极管单元分别包括一第一电性连结区域及一第二电性连结区域；该第一电性连结区域设置在该发光二极管单元的一第一侧边；该第二电性连结区域设置在该发光二极管单元的一第二侧边；该导电连结结构连接该第一发光二极管单元的该第一电性连结区域与该第二发光二极管单元的该第二电性连结区域。
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