TW201405889A - 發光二極體元件 - Google Patents

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Abstract

一種發光二極體元件，包含一基板；複數個發光二極體單元，係為邊數大於四的正多邊形，設置在基板上；其中，每一上述發光二極體單元包含一第一電性連結區域，沿著上述發光二極體單元的一第一側邊設置；一第二電性連結區域，沿著上述發光二極體單元的一第二側邊設置；以及一導電連結結構，設置在上述每一電性連結區域上；其中，每一電性連結區域分別透過導電連結結構與其他的發光二極體單元電性連結。

Description

發光二極體元件
本發明係關於一種發光二極體元件，尤其是關於一種具有均勻發光及高可靠度的發光二極體元件，其係將複數發光二極體單元形成於單一基板上的發光二極體元件結構。
發光二極體(LED)之發光原理和結構與傳統光源並不相同，具有耗電量低、元件壽命長、無須暖燈時間、反應速度快等優點，再加上其體積小、耐震動、適合量產，容易配合應用需求製成極小或陣列式的元件，在市場上的應用頗為廣泛，例如，光學顯示裝置、雷射二極體、交通號誌、資料儲存裝置、通訊裝置、照明裝置、以及醫療裝置等。
習知的發光二極體元件1，如第1A圖與第1B圖所示，包含一基板10、複數個發光二極體單元12，緊密排列於基板10上。每一個發光二極體單元12包含一p型半導體層121、一發光層122、一n型半導體層123、一第一電性連結區域16、以及一第二電性連結區域18。電性連結區域(16，18)係指用以與相鄰的發光二極體單元12進行電性連結的區域。透過在兩個相鄰的發光二極體單元12電性連結區域上方形成導電連結結構19，可以將相鄰的發光二極體 單元12電性連結。由於基板10不導電，因此於複數個發光二極體單元12之間由蝕刻形成溝渠14後可使各發光二極體單元12彼此絕緣，另外再藉由部分蝕刻裸露出複數個發光二極體單元12至n型半導體層123。分別於n型半導體層123的第一電性連結區域16上以及p型半導體層121的第二電性連結區域18上形成一導電連結結構19，透過導電連結結構19選擇性連接複數個發光二極體單元12之第一電性連結區域16及第二電性連結區域18，使得複數個發光二極體單元12之間形成串聯(或並聯)之電路。其中，亦可另外再於電性連結區域(16，18)上分別形成電極，以降低半導體層表面與導電連結結構19間的接觸電阻；而導電連結結構19下方可以是空氣，也可以預先在形成導電連結結構19之前，在發光二極體單元12的半導體層部分表面及相近的發光二極體單元12半導體層之間以化學氣相沉積方式(CVD)、物理氣相沉積方式(PVD)、濺鍍(sputtering)等技術沉積形成絕緣層13，作為半導體層的保護與相近發光二極體單元12間的電性絕緣。絕緣層13的材質較佳例如可以是氧化鋁(Al2O3)、氧化矽(SiO2)、氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiNx)、二氧化鈦(TiO2)等材料或其複合組成。
此外，發光二極體元件1末端的兩個發光二極體單元12的n型半導體層123與p型半導體層121表面上可分別 另外形成第一電極襯墊16’與第二電極襯墊18’。藉由電極襯墊(16’，18’)，可以利用打線或焊錫等方式與外部電源形成電性連接，如第1B圖所示。
然而，藉由導電連結結構19進行發光二極體單元12間的電路連結時，由於發光二極體單元12間的溝渠14高低差距頗大，在形成導電連結結構19時容易產生導線連結不良或斷線的問題，進而影響發光二極體元件1的可靠度。
此外，矩形的發光二極體單元12在連接時由於須配合基板10形狀設計連接線路，導致電性連結區域(16，18)相對於發光二極體單元12的位置無法固定，且往往會將電性連結區域設計在發光二極體單元12的角落處。這樣的設計，使得每一個發光二極體單元12的電性連結區域間間距不一(如第1B圖中所示間距d與d’)，發光二極單元12間承受的壓降不同，易造成發光二極體單元12間發光亮度不均勻的問題。而將電性連結區域(16，18)設置在角落處時，由於角落為直角，電流不容易擴散，也容易使發光效率降低。
此外，上述之發光二極體元件1更可以進一步地與其他元件組合連接以形成一發光裝置(light-emitting apparatus)100。第2圖為習知的發光裝置結構示意圖，如第2圖所示，一發光裝置100包含一具有至少一電路101之次載體(sub-mount)110，將上述發光二極體元件1黏結固 定於次載體110上；以及，一電性連接結構104，以電性連接發光元件1之第一電極襯墊16’、第二電極襯墊18’與次載體110上之電路101；其中，上述之次載體110可以是導線架(lead frame)或大尺寸鑲嵌基底(mounting substrate)，以方便發光裝置100之電路規劃並提高其散熱效果。上述之電性連接結構104可以是焊線(bonding wire)或其他連結結構。
本發明係關於一種發光二極體元件，尤其是關於一種具有均勻發光及高可靠度的發光二極體元件，其係將複數發光二極體單元形成於單一基板上的發光二極體元件結構。
本發明的一實施例提供一種發光二極體元件，包含一一基板；複數個發光二極體單元，係為邊數大於四的正多邊形，設置在基板上；其中，每一上述發光二極體單元包含一第一電性連結區域，沿著上述發光二極體單元的一第一側邊設置；一第二電性連結區域，沿著上述發光二極體單元的一第二側邊設置；以及一導電連結結構，設置在上述每一電性連結區域上；其中，每一電性連結區域分別透過導電連結結構與其他的發光二極體單元電性連結。
本發明的另一實施例提供一種發光二極體元件，包含一基板；一第一發光二極體單元與一第二發光二極體單 元，分別係為邊數大於四的正多邊形，設置在基板上；其中，上述第一發光二極體單元與上述第二發光二極體單元分別包含一第一電性連結區域，沿著上述發光二極體單元的一第一側邊設置；一第二電性連結區域，沿著上述發光二極體單元的一第二側邊設置；以及一導電連結結構，連接上述第一發光二極體單元的第一電性連結區域與上述第二發光二極體單元的第二電性連結區域。
以下配合圖式說明本發明之各實施例。首先，第3A圖與第3B圖所示為本發明第一實施例之一發光二極體單元22結構。發光二極體單元22係為一正六邊形，設置在基板20上，包含一第一半導體層223，例如為n型半導體層、一發光層222、一第二半導體層221，例如為p型半導體層、一第一電性連結區域26、以及一第二電性連結區域28。其中，發光二極體單元22的n型半導體層223包含一第一電性連結區域26，沿著第一側邊21配置；而發光二極體單元22的p型半導體層221包含一第二電性連結區域28，沿著第二側邊23配置。為了在後續與其他發光二極體單元22電性連結時減少電路短路的可能，裸露第一電性半導體層表面的第一側邊21與表面為第二電性半導體層的第二側邊23並不相鄰。相同地，也可另外在電性連結區域(26，28)上分別形成第一電極26’與第二電極28’，當多個 發光二極體單元22透過導電連結結構彼此連結時，可以用以降低半導體層表面與導電連結結構間的接觸電阻。
當發光二極體單元22為正六邊形，並將電性連結區域(26，28)沿著發光二極體單元22的側邊設置時，由於發光二極體單元為正六邊形，具有旋轉對稱的特性，因此，當複數個發光二極體單元22設置在基板20上相互串聯或並聯時，發光二極體單元22彼此間即可以位於側邊的電性連結區域(26，28)透過導電連結結構(圖未示)電性連結，形成一緊密排列的發光二極體元件。
由本實施例延伸，配合發光二極體元件在電路上的設計需求，正六邊形的發光二極體單元22可以在同一電性半導體層上沿著兩相鄰側邊分別設置具有相同電性的第一電性連結區域與第三電性連結區域(26，26”)，例如利用黃光微影製程技術使n型半導體層沿著正六邊形的相鄰的第一側邊與第三側邊裸露形成平台，以提供一第一電性連結區域26與第三電性連結區域26”。接著，亦可選擇性地再於第一側邊與第三側邊的電性連結區域26與26”上分別設置第一電極226與第三電極226’，並在相鄰的第二側邊與第四側邊分別再設置第二電性連結區域28與第四電性連結區域28”，接著再於第二電性連結區域28與第四電性連結區域28”上選擇性地設置第二電極228與第四電極228’， 如第4A圖所示。
如此一來，可以便於在不同方向上與更多數目的發光二極體單元22進行電性連結。本領域中具有通常知識的人應可以理解，在不同的電路設計下，電性連結區域的數目應可以相對應的調整，並不以兩個或四個為限。
在相同的發明精神之下，我們也可以依需求將發光二極體單元22設計為其它邊長大於四的正多邊形，如第4B圖所示，例如可以為正五邊形的發光二極體單元32或正八邊形的發光二極體單元42等，而第一電性連結區域(36，46)與第二電性連結區域(38，48)也可以依需求沿著相對或不相鄰的側邊設置。相較於習知矩形設計的發光二極體單元，由於每一個發光二極體單元(22，32，42)的角落角度變大(大於九十度)，電流侷限在發光二極體單元角落不易擴散的問題可以獲得改善，也可以增加發光二極體單元放光的均勻性。
此外，本領域中具有通常知識的人應可以理解，在不同的設計需求下，也可以利用正五邊形、正六邊形、或正八邊形等複數不同發光二極體單元組合，透過彼此以側邊相鄰，並將導電連結結構設置於相鄰側邊的電性連結區域上進行電性連結，組成多種不同的發光二極體元件。
接著，請參照第5A圖、第5B圖與第5C圖，分別顯 示複數個正六邊形發光二極體單元22在單一基板20上進行直列串聯連接、三端點連接、以及與另外四個發光二極體單元22連接的電路圖。而第6A圖、第6B圖與第6C圖則分別顯示相對應於第5A圖、第5B圖與第5C圖電路連接圖的可能配置方式。其中，複數個發光二極體單元22相對應地設置在基板20上，以彼此相鄰接的方式，依據電路圖的設計，將不同發光二極體單元22的第一電性連結區域26與第二電性連結區域28以側邊相鄰的方式彼此排列。接著，依電路連結需求，在相對應的電性連結區域(26，28)上設置一導電連結結構29。透過導電連結結構29，可以將發光二極體單元22的第一電性連結區域26與另一相鄰的發光二極體單元22的第二電性連結區域28串聯連接(如第6A圖中虛線區域A)，或將發光二極體單元22的第二電性連結區域28與另一相鄰的發光二極體單元22的第二電性連結區域28並聯連接(如第6B圖中虛線區域B)。
值得注意的是，在這邊，發光二極體單元22間的連接方式，除了上述以側邊對側邊透過導電連結結構相互連接的方式之外，第6B圖中的左圖與右圖分別揭露了不同的連接方式。
在第6B圖的左圖中，上方的發光二極體單元22為了與下方兩個相鄰的發光二極體單元22達成三端點電性連 結，上方的發光二極體單元22下端的第二電性連結區域28與第四電性連結區域28”的交會之處與下方的兩個發光二極體單元22的第一電性連結區域26可以透過導電連結結構29彼此以末端與末端間相互連接(如第6B圖中虛線區域B’)，其中導電連結結構29係同時跨接下方兩個發光二極體單元22的第一電性連結區域26。而在第6B圖的右圖中，上方的發光二極體單元則透過設置在下端兩側邊的第二電性連結區域28與第四電性連結區域28”，分別與下方兩個發光二極體單元22的上端側邊的第一電性連結區域26透過導電連結結構29以側邊對側邊的方式相互連接。這些設計，除了可以使電性連結區域(26，28)在發光二極體單元22上的相對應位置固定外，電性連結區域(26，28)間的間距也可彼此固定(第一電性連結區域26與第二電性連結區域28之間的距離約固定為發光二極體單元22正六邊形相對側邊間的距離(如第6B圖中所示間距d”)，元件整體發光更為均勻，並可提高元件的可靠度。
其中，發光二極體元件的基板20並不限定為單一材料，亦可以是由複數不同材料組合而成的複合式基板。例如：基板20可以包含兩個相互接合的第一基板與第二基板(圖未示)。本實施例中，基板20的材質為藍寶石(sapphire)。然而，基板20的材質亦可以包含但不限於鋁酸鋰(lithium aluminum oxide,LiAlO2)、氧化鋅(zinc oxide,ZnO)、磷化 鎵(gallium nitride,GaP)、玻璃(Glass)、有機高分子板材、氮化鋁(aluminum nitride,AlN)。接著，在基板20的一表面上，形成複數個如本發明實施例所示的正六邊形發光二極體單元22。在本實施例中，製作方式例如可依以下所述：
參酌第3B圖所示發光二極體單元22的側視圖。首先，以傳統的磊晶成長製程，在一成長基板(圖未示)上依序形成n型半導體層223，發光層222，以及p型半導體層221。在本實施例中，成長基板的材質為砷化鎵(GaAs)。當然，除了砷化鎵(GaAs)基板之外，成長基板的材質係可包含但不限於鍺(germanium,Ge)、磷化銦(indium phosphide,InP)、藍寶石(sapphire)、碳化矽(silicon carbide)、矽(silicon)、鋁酸鋰(lithium aluminum oxide,LiAlO2)、氧化鋅(zinc oxide,ZnO)、氮化鎵(gallium nitride,GaN)、氮化鋁(aluminum nitride,AlN)。
接著，以黃光微影製程技術選擇性移除部分半導體層後，未被移除的半導體層在成長基板上形成多個彼此以側邊相鄰、為正六邊形的發光二極體單元22的半導體磊晶層結構。為了增加元件整體的出光效率，透過基板轉移與基板接合的技術，將發光二極體單元22半導體層結構設置於透明基板20之上。發光二極體單元22可以以加熱或加壓的方式與透明基板20直接接合，或是透過透明黏著層(圖 未示)將發光二極體單元22與透明基板20黏著接合。其中，透明黏著層可以是一有機高分子透明膠材，例如聚醯亞胺(polyimide)、苯環丁烯類高分子(BCB)、全氟環丁基類高分子(PFCB)、環氧類樹脂(Epoxy)、壓克力類樹脂(Acrylic Resin)、聚脂類樹脂(PET)、聚碳酸酯類樹脂(PC)等材料或其組合；或一透明導電氧化金屬層，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化錫氟(FTO)、銻錫氧化物(ATO)、鎘錫氧化物(CTO)、氧化鋅鋁(AZO)、掺鎘氧化鋅(GZO)等材料或其組合；或一無機絕緣層，例如氧化鋁(Al2O3)、氮化矽(SiNx)、氧化矽(SiO2)、氮化鋁(AlN)、二氧化鈦(TiO2)等材料或其組合。
接著，可再以黃光微影製程技術蝕刻沿側邊形成每一個發光二極體單元22的n型半導體層暴露區域，以做為後續的電性連結區域或電極的形成平台。
在本實施例中，發光二極體單元22係以苯環丁烯類高分子(BCB)做為透明黏著層與透明基板20進行接合。實際上，將發光二極體單元22設置於透明基板20上的方法不限於此，於本技術領域中具有通常知識的人應可以理解，根據不同的結構特性，發光二極體單元22亦可以磊晶成長的方式直接形成於透明的基板上。此外，根據基板轉移次數的不同，亦可以形成p型半導體層與基板相鄰，且 n型半導體層在p型半導體層上，中間夾有發光層的結構。
接著，在發光二極體單元22的半導體層部分表面及相鄰發光二極體單元22半導體層間以化學氣相沉積方式(CVD)、物理氣相沉積方式(PVD)、濺鍍(sputtering)等技術沉積形成絕緣層(圖未示)，作為半導體層的保護與相鄰發光二極體單元22間的電性絕緣。絕緣層的材質較佳例如可以是氧化鋁(Al2O3)、氧化矽(SiO2)、氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiNx)、二氧化鈦(TiO2)等材料或其複合組成。
之後，以濺鍍的方式在發光二極體單元22的n型半導體層暴露區域表面的第一電性連結區域26上形成第一電極26’、在p型半導體層表面的第二電性連結區域28上形成第二電極28’、以及在透明基板20的表面上形成導電連結結構29，以進行發光二極體單元22之間的電性連結。以本實施例為例，在第一發光二極體單元22的n型半導體層第一電性連結區域26上形成第一電極26’，在相鄰的發光二極體單元22的p型半導體層223第二電性連結區域28上形成第二電極28’，再分別形成一導電連結結構29於兩個電極(26’，28’)之間，例如以串聯的方式電性連結兩個相鄰的發光二極體單元22。
導電連結結構29與電極(26’，28’)的材質較佳例如可以是金屬，例如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鋁(Al)、 鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、錫(Sn)等，其合金或其層疊組合。形成第一電極26’、第二電極28’與導電連結結構29的材質可以相同或不同。然而，也可以不需要另外形成第一電極26’與第二電極28’，也可以透過單一導電連結結構29直接連結兩個相鄰發光二極體單元22的電性連結區域(26，28)，其結構可以是單一次製程，也可以是由多次製程所完成。
相同的，導電連結結構29與透明基板20之間可以是空氣，也可以預先在形成導電連結結構29之前，在發光二極體單元22的半導體層部分表面及相近的發光二極體單元22半導體層之間以化學氣相沉積方式(CVD)、物理氣相沉積方式(PVD)、濺鍍(sputtering)等技術沉積形成絕緣層，作為半導體層的保護與相近發光二極體單元22間的電性絕緣。絕緣層的材質較佳例如可以是氧化鋁(Al2O3)、氧化矽(SiO2)、氮化鋁(AlN)、氮化矽(SiNx)、二氧化鈦(TiO2)等材料或其複合組成。
接著，請參照第7A圖、第7B圖、與第7C圖，分別顯示依本發明之一實施例所提出的發光二極體元件3、4、及5的電路圖，第8A圖、第8B圖、與第8C圖則分別顯示相對應於第7A圖、第7B圖、與第7C圖電路連接圖的可能配置方式。
第7A圖中所顯示的是一種由複數的發光二極體單元22並聯而成的發光二極體元件3的電路圖。接著，參照第8A圖的配置結構，第8A圖中上方第一列的發光二極體單元22中，於每一發光二極體單元22的上端，第二電性連結區域28與第四電性連結區域218透過導電連結結構29彼此並聯；相似地，於每一發光二極體單元22的下端，第一電性連結區域26與第三電性連結區域216則透過導電連結結構29彼此並聯。除此之外，每一個第一列的發光二極體單元22更藉由沿著本身下端兩個相鄰側邊設置的第一電性連結區域26與第三電性連結區域216，透過導電連結結構29，分別再與設置於第二列相對應位置的兩個不同的發光二極體單元22上端的第一電性連結區域26與第三電性連結區域216電性並聯。值得注意的是，在這邊，發光二極體單元22間的連接方式，除了上述以側邊對側邊透過導電連結結構相互連結的方式之外，第一列相鄰的發光二極體單元22的上側以及最下列的發光二極體單元22的下側，還是可以透過側邊末端與末端之間以點狀方式透過導電連結結構29相互連接，如第8A圖中虛線區域D所示。
以下依此類推，構成如第8A圖所示，由二十個發光二極體單元22彼此相互並聯於單一基板30上形成的發光二極體元件3。
為了減少不透光的金屬電極襯墊對發光二極體元件3出光效率所產生的影響，在本實施例中，導電連結結構的末端延伸至六邊形發光二極體半導體層之外的基板30表面上並分別形成兩個第一電極襯墊206與第二電極襯墊208。藉由四個電極襯墊(206，208)，可以利用打線或焊錫等方式與外部電源形成電性連接。其中，形成電極襯墊(206，208)的製程，可以與形成導電連結結構29於單一次製程中進行，也可以由多次製程所完成。而形成電極襯墊206，208的材質，也可以分別與形成導電連結結構29的材質相同或不同。
本領域中具有通常知識的人應可以理解，在不同的元件結構設計下，電極襯墊的數目應可以相對應的調整，並不以四個為限。此外，依不同需求的考量，例如製程的難易程度，第一電極襯墊與第二電極襯墊也可以設置在半導體層的表面上，並不以設置在基板表面上為限。
第7B圖中所顯示的是另一種由複數發光二極體單元22透過串並聯組合搭配而成的橋式整流發光二極體元件4的電路圖。參照第8B圖的相對應配置結構，每一發光二極體單元22以與上述相同的方式，將需要相互電性連接的電性連結區域側邊相鄰接。此外，在橋式整流發光二極體元件4中的三端點連接區域(如第7B圖中虛線區域C)則以類 似如第6B圖中左圖實施例所示的連接方式，以導電連結結構29進行連結，其結構如第8B圖中虛線區域C’。
依此類推，構成如第8B圖所示，由二十個發光二極體單元22彼此相互串並聯於單一基板40上的橋式整流發光二極體元件4。當交流電源透過第一電極襯墊206與第二電極襯墊208輸入到橋式整流發光二極體元件4中時，在交流電輸入正向電壓時，橋式整流發光二極體元件4中有半數的發光二極體單元22會發光；在交流電輸入負向電壓時，發光二極體元件4中有半數的發光二極體單元22會發光，其中，位於橋式整流發光二極體元件4中，部分發光二極體單元22因電路設計，在不論正向或負向電壓輸入時，皆會放光。在本實施例所示的橋式整流發光二極體元件4中，共有八個正負向電壓皆發光的發光二極體單元22，如第8B圖中虛線區域F所示。
本領域中具有通常知識的人應可以理解，在不同的電路及元件結構設計下，正負向電壓皆發光的發光二極體單元數目應可以相對應的調整，並不以八個為限。
第7C圖中所顯示的是一種由複數的發光二極體單元22反向串並聯而成的交流發光二極體元件5的電路圖。參照第8C圖的配置結構，第8C圖中上方第一列的發光二極體單元22中，每一發光二極體單元22的上端，第二電性 連結區域28與第四電性連結區域218透過導電連結結構29彼此並聯；相似地，每一發光二極體單元22的下端，第一電性連結區域26與第三電性連結區域216則透過導電連結結構29彼此並聯。除此之外，每一個第一列的發光二極體單元22更藉由沿著本身下端兩個相鄰側邊設置的第一電性連結區域26與第三電性連結區域216，透過導電連結結構29，分別再與設置於第二列相對應位置的兩個不同的發光二極體單元22上端的第一電性連結區域26與第三電性連結區域216電性並聯。值得注意的是，在這邊，為了達成反向串並聯的結構，第二列與第三列的發光二極體單元22之間，以第二列的發光二極體單元22以下端側邊的第一電性連結區域26與第三電性連結區域216和第三列的發光二極體單元22以上端側邊的第二電性連結區域28與第四電性連結區域218彼此透過導電連結結構29進行串聯，如第8C圖虛線區域E所示。
以下依此類推，構成如第8C圖所示，由二十個發光二極體單元22彼此相互串並聯於單一基板50上形成的交流發光二極體元件5。當交流電源透過第一電極襯墊206與第二電極襯墊208輸入到交流發光二極體元件5中時，在交流電輸入正向電壓時，交流發光二極體元件5中有半數的發光二極體單元22會放光；在交流電輸入負向電壓時，交流發光二極體元件5中有半數的發光二極體單元22會放 光，在本實施例所示的交流發光二極體元件5中，共有兩組各十個發光二極體單元22在正負相電壓時輪流交替放光。
透過本發明的內容，以正六邊形發光二極體單元取代習知矩形發光二極體單元，並將電性連結區域設計在六邊形的四個相對側邊上，利用旋轉對稱的特性可使得發光二極體單元在彼此連接時只需旋轉，不需更改電性連結區域的相對位置，更可以輕易達成三接點連接或是透過單一發光二極體單元與另外四個發光二極體單元連結的結構；發光二極體單元與其他發光二極體單元連結時，形狀及電性連結區域相對位置固定，可使元件整體發光更均勻，並提高可靠度。
此外，電性連結區域沿著發光二極體單元側邊設置，需要電性連結的電性連結區域之間以側邊相鄰接，透過導電連結結構進行電性連結，可避免習知將電性連結區域設置在發光二極體單元角落時，發光二極體單元容易因為角落角度較小，使電流容易聚集在角落不易擴散的問題。而邊數大於四的正多邊形發光二極體單元每一個角落的角度相對增大，對於減少電流聚集在角落也有相對的功效。
本發明所列舉之各實施例僅用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍。任何人對本發明所作之任何顯而易 知之修飾或變更皆不脫離本發明之精神與範圍。
1、3、4、5‧‧‧發光二極體元件
10、20、30、40、50‧‧‧基板
12、22、32、42‧‧‧發光二極體單元
13‧‧‧絕緣層
101‧‧‧電路
104‧‧‧電性連接結構
110‧‧‧次載體
121、221‧‧‧p型半導體層
122、222‧‧‧發光層
123、223‧‧‧n型半導體層
14‧‧‧溝渠
16、26、36、46‧‧‧第一電性連結區域
16’、206‧‧‧第一電極襯墊
18、28、38、48‧‧‧第二電性連結區域
18’、208‧‧‧第二電極襯墊
19、29‧‧‧導電連結結構
21‧‧‧第一側邊
23‧‧‧第二側邊
26’、226‧‧‧第一電極
26”、216‧‧‧第三電性連結區域
28’、228‧‧‧第二電極
28”、218‧‧‧第四電性連結區域
100‧‧‧發光裝置
226’‧‧‧第三電極
228’‧‧‧第四電極
A、B‧‧‧連接區域
C、C’、E‧‧‧三接點連接區域
D‧‧‧點狀連接區域
F‧‧‧全亮區域
d、d’、d”‧‧‧間距
第1A圖為結構圖，顯示習知發光二極體元件側視結構圖；第1B圖為結構圖，顯示習知發光二極體元件俯視結構圖；第2圖為結構圖，顯示習知發光二裝置側視結構圖；第3A圖為結構圖，顯示依據本發明一實施例的發光二極體單元俯視結構圖；第3B圖為結構圖，顯示依據本發明一實施例的發光二極體單元側視結構圖；第4A-4B圖為結構圖，顯示依據本發明不同實施例的發光二極體單元俯視結構圖；第5A-5C圖為電路圖，顯示依據本發明不同實施例的發光二極體元件連接電路圖；第6A-6C圖為結構圖，顯示依據本發明不同實施例的發光二極體元件俯視結構圖；第7A-7C圖為電路圖，顯示依據本發明不同實施例的發光二極體元件連接電路圖；第8A-8C圖為結構圖，顯示依據本發明不同實施例的發光二極體元件俯視結構圖。
20‧‧‧基板
22‧‧‧發光二極體單元
26‧‧‧第一電性連結區域
28‧‧‧第二電性連結區域
29‧‧‧導電連結結構
A‧‧‧串聯連接區域

Claims (11)

  1. 一種發光二極體元件，包含：一基板；複數個發光二極體單元，設置在該基板上，其中每一該些發光二極體單元係為具有多於四個側邊之正多邊形，包含：一第一電性連結區域，沿著該發光二極體單元的一第一側邊設置；以及一第二電性連結區域，沿著該發光二極體單元的一第二側邊設置；以及一導電連結結構，設置在每一該電性連結區域上；其中，每一該些電性連結區域分別透過該導電連結結構與其他的發光二極體單元電性連結。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體元件，其中，每一該些發光二極體單元更包含：一第一電性半導體層；一第二電性半導體層，設置在該第一電性半導體層上；以及一活性層，設置在該第一電性半導體層與該第二電性半導體層之間；其中，該第一電性連結區域設置在該第一電性半導體層上，該第二電性連結區域設置在該第二電性半導體層上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體元件，每一該些發光二極體單元更包含一第三電性連結區域，設置在該發光二極體單元的一第三側邊上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的發光二極體元件，其中，該第三側邊與該第一側邊相鄰。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的發光二極體元件，其中，該第三電性連結區域設置在該第一電性半導體層上或設置在該第二電性半導體層上。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體元件，其中，該第一側邊與該第二側邊不相鄰。
  7. 如申請專利範圍第3項所述的發光二極體元件，每一該些發光二極體單元更包含一第四電性連結區域，設置在該發光二極體單元的一第四側邊上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的發光二極體元件，其中，至少一該些發光二極體單元與另外四個發光二極體單元藉由該些導電連結結構電性連結。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體元件，其中，該些發光二極體單元組成一交流發光二極體元件或一橋式整流發光二極體元件。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體元件，其中，該些發光二極體單元係為正六邊形，正五邊形，或其組合。
  11. 一種發光二極體元件，包含：一基板；一第一發光二極體單元與一第二發光二極體單元，分別係為具有大於四個側邊所形成之正多邊形，設置在該基板上；其中，該第一發光二極體單元與該第二發光二極體單元，分別包含：一第一電性連結區域，設置在該發光二極體單元的一第一側邊；以及一第二電性連結區域，設置在該發光二極體單元的一第二側邊；以及一導電連結結構，連接該第一發光二極體單元的該第一電性連結區域與該第二發光二極體單元的該第二電性連結區域。
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