CN110176469B - 发光二极管元件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管元件，包含：基板，其包含四个边缘；多个发光二极管单元，形成在基板上，其中多个发光二极管单元形成一串联阵列，具有至少三个相邻的发光单元行；以及多个导电配线结构，连接多个发光二极管单元；其中多个发光二极管单元中的一个发光二极管单元跨越发光单元行中至少两相邻的发光单元行，且此发光二极管单元之一长边邻近于基板之四个边缘之一边缘。

Description

发光二极管元件
本申请是中国发明专利申请(申请号：201310631968.X，申请日：2013年11月29日，发明名称：发光二极管元件)的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管元件，尤其是涉及一种具有高出光效率的阵列式发光二极管元件。
背景技术
发光二极管(LED)的发光原理和结构与传统光源不同，具有耗电量低、元件寿命长、无需暖灯时间、反应速度快等优点，再加上其体积小、耐震动、适合量产，容易配合应用需求制成极小或阵列式的元件，在市场上的应用颇为广泛。例如，光学显示装置、激光二极管、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置、以及医疗装置等。
现有的高压发光二极管元件1，如图1A与图1B所示，包含一透明基板10、多个发光二极管单元12于二维方向延伸，紧密排列形成于透明基板10上，每一个发光二极管单元的外延叠层120包含一第一半导体层121、一活性层122、以及一第二半导体层123。由于透明基板10不导电，因此于多个发光二极管单元外延叠层120之间由蚀刻形成沟槽14后可使各发光二极管单元12彼此绝缘，另外再通过部分蚀刻多个发光二极管单元外延叠层120至第一半导体层121以形成部分暴露区域。接着，再分别于相邻的发光二极管单元外延叠层120的第一半导体层121的暴露区域以及第二半导体层123上形成一导电配线结构19，包含第一电极18以及第二电极16。第一电极18与第二电极16分别各自又包含第一电极延伸部180与第二电极延伸部160，分别形成于相邻发光二极管单元外延叠层120的第一半导体层121与第二半导体层123之上，协助电流均匀分散流入半导体层中。通过导电配线结构19选择性连接于多个相邻的发光二极管单元12的第二半导体层123以及第一半导体层121，使得多个发光二极管单元12之间形成串联或并联的电路。其中，导电配线结构19下方可以是空气，也可以在形成导电配线结构19之前，预先在发光二极管单元12的外延层部分表面及相近的发光二极管单元12外延层间以化学气相沉积方式(CVD)、物理气相沉积方式(PVD)、溅镀(sputtering)等技术沉积形成绝缘层13，作为外延层的保护与相邻发光二极管单元12间的电性绝缘。绝缘层13的材质较佳例如可以是氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiNx)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Tantalum pentoxide,Ta2O5)等材料或其组合。
然而，通过导电配线结构19进行发光二极管单元12间的电路连结时，由于发光二极管单元12与之间的沟槽14高低差距颇大，在形成导电配线结构19时容易产生导线连结不良或断线的问题，进而影响元件的良率。
此外，上述的发光二极管元件1还可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)。图2为现有的发光装置结构示意图。如图2所示，一发光装置100包含一具有至少一电路101的次载体(sub-mount)110，以承载上述发光二极管元件1；以及，一电连接结构104，以电连接发光元件1的第一电极衬垫16’、第二电极衬垫18’与次载体110上的电路101；其中，上述的次载体110可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate)，以方便发光装置100的电路规划并提高其散热效果。上述的电连接结构104可以是焊线(bonding wire)或其他连结结构。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种发光二极管元件，包含：一基板；多个发光二极管单元，形成在基板上，其中多个发光二极管单元形成一串联阵列，且具有多个相邻的发光单元行及多个相邻的发光单元列，其中发光单元行及发光单元列各具有至少三个发光二极管单元，发光单元行及发光单元列的发光二极管单元之间串接方式包含垂直串接及水平串接；多个导电配线结构，连接多个发光二极管单元；以及至少两相邻的发光单元行中的至少三个发光二极管单元的串接方式相同，且至少两相邻的发光单元行中的一发光单元行中的发光二极管单元与相邻的发光单元行中的发光二极管单元的串接方式至少包含一次垂直与两次水平串接。
一种发光二极管元件，包含：一基板；多个发光二极管单元，形成在基板上，其中多个发光二极管单元形成一串联阵列，且具有n个相邻的发光单元行，其中n≧3，且同一发光单元行的发光二极管单元之间做一垂直串接或同一发光单元列的发光二极管单元之间做一水平串接，且至少两相邻的发光单元行中的至少三个发光二极管单元的串接方向相同；多个导电配线结构，连接多个发光二极管单元；一第一接触发光二极管单元，形成在基板上及第一发光单元行上，及一第一电极衬垫形成在第一接触发光二极管单元之上；一第二接触发光二极管单元，形成在基板上及第n发光单元行上，及一第二电极衬垫形成在第二接触发光二极管单元之上；其中第一发光单元行的至少三个发光二极管单元具有一第一面积，及第n发光单元行的至少三个发光二极管单元具有一第二面积，且第一面积与第二面积不相等。
一种发光二极管元件，包含：一基板；多个发光二极管单元，分别具有至少四个边缘，形成在基板上，其中多个发光二极管单元形成一串联阵列，且具有至少三个相邻的发光单元行；以及多个导电配线结构，连接多个发光二极管单元，其中至少一发光二极管单元的两导电配线结构形成于发光二极管单元的同一边缘之上，且发光二极管单元结构跨越至少两相邻的发光单元行。
附图说明
图1A为一结构图，显示一现有阵列发光二极管元件侧视结构图；
图1B为一结构图，显示一现有阵列发光二极管元件上视结构图；
图2为一示意图，显示一现有发光装置结构示意图；
图3A为一结构图，显示依据本发明一实施例的发光二极管单元侧视结构图；
图3B-图3G为一结构图，显示依据本发明一实施例的发光二极管单元上视结构图；
图4A至图4C是绘示出一发光模块示意图；
图5A-图5B是绘示出一光源产生装置示意图；及
图6是绘示一灯泡示意图。
具体实施方式
本发明揭示一种发光二极管元件结构，为了使本发明的叙述更加详尽与完备，请参照下列描述并配合图3A至图6的图示。
以下配合附图说明本发明的各实施例。随着市场需求，发光二极管元件的体积逐渐缩小。当发光二极管元件中每一个发光二极管单元的面积相对应缩小时，形成于发光二极管单元出光面上的电极，电极延伸部，与导电配线结构等不透光的结构，相对应大幅影响发光二极管单元的出光效率。
首先，图3A与图3B所示为本发明第一实施例的阵列发光二极管元件2的侧视图与上视图。发光二极管元件2具有一个基板20，基板20具有第一表面201与底面202，其中第一表面201与底面202相对。基板20并不限定为单一材料，也可以是由多个不同材料组合而成的复合式基板。例如：基板20可以包含两个相互接合的第一基板与第二基板(图未示)。本实施例中，基板20的材质为蓝宝石(sapphire)。然而，基板20的材质也可以包含但不限于铝酸锂(lithium aluminum oxide,LiAlO2)、氧化锌(zinc oxide,ZnO)、磷化镓(galliumphosphide,GaP)、玻璃(Glass)、有机高分子板材、氮化铝(aluminum nitride,AlN)、砷化镓(gallium arsenide,GaAs)、钻石(diamond)、石英(quartz)、硅(silicon,Si)、碳化硅(silicon carbide,SiC)、类钻石碳(diamond like carbon,DLC)。
接着，在基板20的第一表面201上，形成多个以二维延伸排列的阵列式发光二极管单元22。阵列式发光二极管单元22的制作方式，例如下面所述：
首先，以传统的外延成长制作工艺，在一外延成长基板(图未示)上形成一外延叠层220，包含第一半导体层221，活性层222，以及第二半导体层223。成长基板的材料是可包含但不限于砷化镓(GaAs)、锗(germanium,Ge)、磷化铟(indium phosphide,InP)、蓝宝石(sapphire)、碳化硅(silicon carbide,SiC)、硅(silicon)、氧化锂铝(lithium aluminumoxide,LiAlO2)、氧化锌(zinc oxide,ZnO)、氮化镓(gallium nitride,GaN)、氮化铝(aluminum nitride,AlN)。上述第一半导体层221，活性层222，以及第二半导体层223的材料可包含一种或一种以上的元素选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、砷(As)、磷(P)、氮(N)以及硅(Si)所构成群组。常用的材料是如磷化铝镓铟(AlGaInP)系列、氮化铝镓铟(AlGaInN)系列等III族氮化物、氧化锌(ZnO)系列等。
接着，以黄光光刻制作工艺技术选择性移除部分外延叠层以在成长基板上形成分开排列的多个发光二极管单元外延叠层220，如图3B所示。其中，还可包含以黄光光刻制作工艺技术蚀刻形成每一个发光二极管单元第一半导体层221的暴露区域，以做为后续导电配线结构的形成平台。
为了增加元件整体的出光效率，可以通过基板转移与基板接合的技术，将发光二极管单元外延叠层220设置于基板20之上。发光二极管单元外延叠层220可以以加热或加压的方式与基板20直接接合，或是通过透明粘着层(图未示)将发光二极管单元外延叠层220与基板20粘着接合。其中，透明粘着层可以是一有机高分子透明胶材，例如聚酰亚胺(polyimide)、苯环丁烯类高分子(BCB)、全氟环丁基类高分子(PFCB)、环氧类树脂(Epoxy)、压克力类树脂(Acrylic Resin)、聚脂类树脂(PET)、聚碳酸酯类树脂(PC)等材料或其组合；或一透明导电氧化金属层，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化锡氟(FTO)、锑锡氧化物(ATO)、镉锡氧化物(CTO)、氧化锌铝(AZO)、掺镉氧化锌(GZO)等材料或其组合；或一无机绝缘层，例如氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Tantalum Pentoxide,Ta2O5)等材料或其组合。
实际上，将发光二极管单元外延叠层220设置于基板20上的方法不限于此，于本技术领域中具有通常知识的人应可以理解，根据不同的结构特性，发光二极管单元外延叠层220也可以外延成长的方式直接形成于基板20上。此外，根据基板20转移次数的不同，可以形成第二半导体层223与基板的第一表面201相邻，第一半导体层221在第二半导体层223上，中间夹有活性层222的结构。
接着，在发光二极管单元外延叠层220的部分表面及相邻发光二极管单元外延叠层220间以化学气相沉积方式(CVD)、物理气相沉积方式(PVD)、溅镀(sputtering)等技术沉积形成绝缘层23，作为外延层的保护与相邻发光二极管单元22间的电性绝缘。绝缘层23的材质较佳例如可以是氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、氮化铝(AlN)、氮化硅(SiNx)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Tantalum Pentoxide,Ta2O5)等材料或其复合组合。
之后，以溅镀的方式在两个相邻的发光二极管单元22的第一半导体层221表面上与第二半导体层223表面上分别形成多个彼此完全分离的导电配线结构29。这些彼此完全分离的多个导电配线结构29，一端以单一方向分布的方式配置在第一半导体层221上，直接与第一半导体层221接触，并通过第一半导体层221使导电配线结构29彼此电性连结；这些在空间上彼此分离的导电配线结构29继续延伸至另一个相邻的发光二极管单元22的第二半导体层223上，另一端与发光二极管单元22的第二半导体层223电性相连，使两个相邻的发光二极管单元22形成电性串联。
实际上，将相邻的发光二极管单元22进行电性连结的方法不限于此，于本技术领域中具有通常知识的人应可以理解，通过将导电配线结构两端分别配置于不同发光二极管单元的相同或不同导电极性的半导体层上，可以使发光二极管单元间形成并联或串联的电性连结结构。
自图3B上视图观之，在电路设计上为一串串联阵列排列的发光二极管元件2中，于串联阵列电路末端的第一接触发光二极管单元B1的第一半导体层221上形成第一电极衬垫26。在一实施例中，也可选择在串联阵列电路另一末端的第二接触发光二极管单元B2的第二半导体层223上形成第二电极衬垫28。通过此第一电极衬垫26及第二电极衬垫28，可以以打线或焊锡等方式与外部电源或其他电路元件形成电连接。其中，形成第一电极衬垫26及第二电极衬垫28的制作工艺，可以与导电配线结构29于同一形成制作工艺中进行，也可以由多次制作工艺所完成。而形成第一电极衬垫26及第二电极衬垫28的材质，可以分别与形成导电配线结构29的材质相同或不同。其中，为了达到一定的导电度，第一电极衬垫26、第二电极衬垫28与导电配线结构29材质较佳例如可以是金属，例如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、锡(Sn)等，其合金或其叠层组合。
在一实施例中，以图3B上视图观之，发光二极管元件2的各个发光二极管单元在电路设计上为一串联阵列排列，且具有四个相邻的发光单元行R1-R4，及四个相邻的发光单元列C1-C4。在本实施例中，第一发光单元行R1的各个发光二极管单元自第二接触发光二极管单元B2开始以垂直方向互相串连，并经由第一行第四列R1C4水平串接至第二行第四列R2C4，之后由第二行第四列R2C4，以垂直方向互相串连至第二行第一列R2C1后，再水平串接至第三行第一列R3C1。接下来如图3B所示，在第三行与第四行间，发光二极管单元变为与相邻行的发光二极管单元作垂直与水平相间的串接，如第三行第一列R3C1与第四行第一列R4C1作水平串接，接着，第四行第一列R4C1与第四行第二列R4C2作垂直串接；接着，第四行第二列R4C2与第三行第二列R3C2作水平串接，接着，第三行第二列R3C2与第三行第三列R3C3作垂直串接，第三行第三列R3C3再与第四行第三列R4C3作水平串接；接着，第四行第三列R4C3与第四行第四列R4C4作垂直串接，最后，第四行第四列R4C4再与第三行第四列R3C4作水平串接，并形成一第一电极衬垫26于第三行第四列R3C4的第一半导体层221上，使之形成一第一接触发光二极管单元B1。
在本实施例中，至少三颗第一行的发光二极管单元与至少三颗第二行的发光二极管单元的串接方向相同，且在本实施例中为垂直串接；而在第三列与第四列的发光二极管单元则为与相邻行的发光二极管单元作垂直与水平相间的串接，并使第一接触发光二极管单元B1及第二接触发光二极管单元B2不形成在发光二极管元件2的几何对角线上。
图3C是显示本发明第二实施例的上视图，在本实施例中，发光二极管元件3的各个发光二极管单元在电路设计上为一串联阵列排列，且具有四个相邻的发光单元行R1-R4，及四个相邻的发光单元列C1-C4，其制造方法与材料与第一实施例相同，在此不再赘述。
在此实施例中，其第一行与第二行的串接方式与第一实施例相同，即第一发光单元行R1的各个发光二极管单元自第二接触发光二极管单元B2开始以垂直方向互相串连，及至少三颗第一行的发光二极管单元与至少三颗第二行的发光二极管单元的串接方向相同，且在本实施例中为垂直串接。
而为了使第二接触发光二极管单元B1形成在第四列，在本实施例中，在第三列与第四列的发光二极管单元的电路串接上与第一实施例不同的是在第三行第三列R3C3与第三行第四列R3C4也采垂直串接外，其余相邻行的发光二极管单元作垂直与水平相间的串接，并形成一第一电极衬垫26于第四行第三列R4C3的第一半导体层221上，使之形成一第一接触发光二极管单元B1。并使第一接触发光二极管单元B1及第二接触发光二极管单元B2不形成在发光二极管元件2的几何对角线上。
图3D是显示本发明第三实施例的上视图，在本实施例中，发光二极管元件4的各个发光二极管单元在电路设计上为一串联阵列排列，且具有五个相邻的发光单元行R1-R5，其制造方法与材料与第一实施例相同，在此不再赘述。
在此实施例中，是由第二接触发光二极管单元B2开始互相串连各个发光二极管单元至第一接触发光二极管单元B1。其中每一发光单元行R1-R5的各个发光二极管单元是以垂直方向互相串连，且各行串连的发光单元的最后一颗与相邻行为水平串接。即至少三颗每一行的发光二极管单元与至少三颗的相邻行的发光二极管单元的串接方向相同，且在本实施例中为垂直串接。
在本实施例中，为了使各个发光二极管单元的电流密度更为均匀，包含第二接触发光二极管单元B2的第一发光单元行R1的各个发光二极管单元可具有第一面积，只包含发光二极管单元的第二至第四发光单元行R2-R4的各个发光二极管单元可具有第二面积，及包含第一接触发光二极管单元B1的第五发光单元行R5的各个发光二极管单元可具有第三面积，其中第一面积、第二面积与第三面积不相等。
在一实施例中，第一面积、第二面积或第三面积任意两者相比的差异小于20％。在另一实施例中，包含第二接触发光二极管单元B2的第一发光单元行R1可具有α个发光二极管单元，只包含发光二极管单元的第二至第四发光单元行R2-R4的任一行可具有β个发光二极管单元，及包含第一接触发光二极管单元B1的第五发光单元行R5可具有γ个发光二极管单元，其中α、β及γ互不相等。在另一实施例中，第一接触发光二极管单元B1及第二接触发光二极管单元B2可位于发光二极管元件4的几何对角线之上。
图3E是显示本发明第四实施例的上视图，且为第一实施例的变化例，在本实施例中，发光二极管元件5的各个发光二极管单元在电路设计上为一串联阵列排列，且具有六个相邻的发光单元行R1-R6，其制造方法与材料与第一实施例相同，在此不再赘述。
在本实施例中，于第一至第四发光单元行的任一行中至少三颗发光二极管单元的串接方向相同，且在本实施例中为垂直串接；而在第五列与第六列的发光二极管单元则为与相邻行的发光二极管单元作垂直与水平相间的串接，并使第一接触发光二极管单元B1及第二接触发光二极管单元B2不形成在发光二极管元件4的几何对角线上。
与第一实施例不同的是，在本实施例中，包含第二接触发光二极管单元B2的第一发光单元行R1可具有α个发光二极管单元，只包含发光二极管单元的第二至第四及第六发光单元行R2-R4、R6的任一行可具有β个发光二极管单元，及包含第一接触发光二极管单元B1的第五发光单元行R5可具有γ个发光二极管单元，其中α≠β＝γ。
图3F是显示本发明第五实施例的上视图，在本实施例中，发光二极管元件6的各个发光二极管单元在电路设计上为一串联阵列排列，且具有三个相邻的发光单元行R1-R3，其制造方法与材料与第一实施例相同，在此不再赘述。
在本实施例中，于第一至第三发光单元行的任一行中至少三颗发光二极管单元的串接方向相同，且在本实施例中为垂直串接。在本实施例中，每一发光单元行的最后一颗发光二极管单元可与相邻行的发光二极管单元作垂直串接，并使第一接触发光二极管单元B1及第二接触发光二极管单元B2形成在发光二极管元件6的几何对角线上。
在本实施例中，每一发光单元行中至少有一颗发光二极管单元的两导电配线结构29形成在此发光二极管单元的同一侧边缘之上，并可同时与两相邻的发光单元行同时作垂直串接。在另一实施例中，每一发光单元行中至少有两颗发光二极管单元具有不同的面积，及/或不同的长宽比例。
图3G是显示本发明第六实施例的上视图，在本实施例中，发光二极管元件7的各个发光二极管单元在电路设计上为一串联阵列排列，且具有三个相邻的发光单元行R1-R3，其制造方法与材料与第一实施例相同，在此不再赘述。
在本实施例中，每一发光单元行至少三个发光二极管单元具有一第一面积，及第三发光单元行的至少三个发光二极管单元具有一第二面积，且第一面积与第二面积不相等。
图4A至图4C是绘示出一发光模块示意图，图4A是显示一发光模块外部透视图，一发光模块500可包含一载体502，产生自本发明任一实施例的发光元件(未显示)，多个透镜504、506、508及510，及两电源供应终端512及514。
图4B-图4C是显示一发光模块剖视图，且图4C是图4B的E区的放大图。其中载体502可包含一上载体503及下载体501，其中下载体501的一表面可与上载体503接触，且包含透镜504及508形成在上载体503之上。上载体503可形成至少一通孔515，且依本发明实施例形成的发光二极管元件2,3,4,5可形成在上述通孔515中并与下载体501接触，且被胶材521包围，并在胶材521之上形成一透镜508。
在一实施例中，通孔515的两侧壁之上可形成一反射层519增加发光元件300的发光效率；下载体501的下表面可形成一金属层517以增进散热效率。
图5A-图5B是绘示出一光源产生装置示意图600，一光源产生装置600可包含一发光模块500、一外壳540、一电源供应系统(未显示)以供应发光模块600一电流、以及一控制元件(未显示)，用以控制电源供应系统(未显示)。光源产生装置600可以是一照明装置，例如路灯、车灯或室内照明光源，也可以是交通号志或一平面显示器中背光模块的一背光光源。
图6是绘示一灯泡示意图。灯泡900包括一个外壳921，一透镜922，一照明模块924，一支架925，一散热器926，一串接部927及一电串接器928。其中照明模块924是包括一载体923，并在载体923上包含至少一个上述实施例中的发光二极管元件2,3,4,5。
于本发明的一实施例中，第一导电型半导体层221与基板20间尚可选择性地包含一缓冲层(buffer layer，未显示)。此缓冲层是介于二种材料系统之间，使基板的材料系统”过渡”至半导体系统的材料系统。对发光二极管的结构而言，一方面，缓冲层是用以降低二种材料间晶格不匹配的材料层。另一方面，缓冲层也可以是用以结合二种材料或二个分离结构的单层、多层或结构，其可选用的材料是如：有机材料、无机材料、金属、及半导体等；其可选用的结构是如：反射层、导热层、导电层、欧姆接触(ohmic contact)层、抗形变层、应力释放(stress release)层、应力调整(stress adjustment)层、接合(bonding)层、波长转换层、及机械固定构造等。
外延叠层220上还可选择性地形成一接触层(未显示)。接触层是设置于外延叠层220远离基板20的一侧。具体而言，接触层可以为光学层、电学层、或其二者的组合。光学层是可以改变来自于或进入活性层222的电磁辐射或光线。在此所称之「改变」是指改变电磁辐射或光的至少一种光学特性，前述特性是包含但不限于频率、波长、强度、通量、效率、色温、演色性(rendering index)、光场(light field)、及可视角(angle of view)。电学层是可以使得接触层的任一组相对侧间的电压、电阻、电流、电容中至少其一的数值、密度、分布发生变化或有发生变化的趋势。接触层的构成材料是包含氧化物、导电氧化物、透明氧化物、具有50％或以上穿透率的氧化物、金属、相对透光金属、具有50％或以上穿透率的金属、有机质、无机质、荧光物、磷光物、陶瓷、半导体、掺杂的半导体、及无掺杂的半导体中至少其一。于某些应用中，接触层的材料为氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝、与氧化锌锡中至少其一。若为相对透光金属，其厚度较佳地约为0.005μm～0.6μm。在一实施例中，由于接触层具有较佳的横向电流扩散速率，可以用以协助电流均匀扩散到外延叠层220之中。一般而言，根据接触层掺混的杂质与制作工艺的方式不同而有所变动，其能隙的宽度可介于0.5eV至5eV之间。
以上各附图与说明虽仅分别对应特定实施例，然而，各个实施例中所说明或公开的元件、实施方式、设计准则、及技术原理除在彼此显相冲突、矛盾、或难以共同实施之外，吾人当可依其所需任意参照、交换、搭配、协调、或合并。
虽然本发明已说明如上，然其并非用以限制本发明的范围、实施顺序、或使用的材料与制作工艺方法。对于本发明所作的各种修饰与变更，皆不脱本发明的精神与范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管元件，其特征在于，该发光二极管元件包含：
基板，包含四个边缘；
多个发光二极管单元，形成在该基板上，其中该多个发光二极管单元形成一串联阵列，具有至少三个相邻的发光单元行；
多个导电配线结构，连接该些多个发光二极管单元，其中该至少三个相邻的发光单元行中位于同一发光单元行的该多个发光二极管单元以该多个导电配线结构依序串联；
其中该多个发光二极管单元包含：
第一接触发光二极管单元，位于该串联阵列的一端；
第二接触发光二极管单元，位于该串联阵列的另一端；以及
第三发光二极管单元，串接于该第一接触发光二极管单元及该第二接触发光二极管单元之间，跨越该些发光单元行中至少两相邻的该些发光单元行，且该第三发光二极管单元的一长边邻近于该基板的该四个边缘的一边缘；
第一电极衬垫，形成在第一接触发光二极管单元上；以及
第二电极衬垫，形成在第二接触发光二极管单元上。
2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该多个导电配线结构中的一导电配线结构位于该第三发光二极管单元的一另一长边之上，电连接该第三发光二极管单元以及该两相邻发光单元行中的该发光二极管单元。
3.一种发光二极管元件，其特征在于，该发光二极管元件包含：
基板；
多个发光二极管单元，分别具有至少四个边缘，形成在该基板上，其中该多个发光二极管单元形成一串联阵列，且具有至少三个相邻的发光单元行；其中该多个发光二极管单元包含：
第一接触发光二极管单元，位于该串联阵列的一端；
第二接触发光二极管单元，位于该串联阵列的另一端；以及
第三发光二极管单元，串接于该第一接触发光二极管单元及该第二接触发光二极管单元之间；
第一电极衬垫，形成在第一接触发光二极管单元上；
第二电极衬垫，形成在第二接触发光二极管单元上；以及
多个导电配线结构，连接该多个发光二极管单元，其中该至少三个相邻的发光单元行中位于同一发光单元行的该多个发光二极管单元以该多个导电配线结构依序串联，
其中该第三发光二极管单元上的该多个导电配线结构中的两个形成于该第三发光二极管单元的同一长边上，且该第三发光二极管单元跨越至少两相邻的该些发光单元行。
4.如权利要求1或3所述的发光二极管元件，其中该第三发光二极管单元位于该基板的一角落。
5.如权利要求1或3所述的发光二极管元件，其中该第三发光二极管单元位于该发光二极管元件的一几何对角线。
6.如权利要求1或3所述的发光二极管元件，其中该长边的长度实质上与该两相邻发光单元行的总宽度相同。
7.如权利要求1或3所述的发光二极管元件，其中该多个导电配线结构其中之一位于该第三发光二极管单元上且沿着该长边延伸。
8.如权利要求7所述的发光二极管元件，其中该第三发光二极管单元与其前一个发光二极管单元串接方向与位于该第三发光二极管单元上的该导电配线结构的一延伸方向不相同。
9.如权利要求1或3所述的发光二极管元件，其中任一该多个发光二极管单元包含：第一半导体层，第二半导体层，形成在该第一半导体层上，以及活性层，形成在该第一半导体层与该第二半导体层之间。
10.如权利要求9所述的发光二极管元件，其中任意两个该多个导电配线结构彼此完全分离，且其中任一该多个导电配线结构的一端形成在该多个发光二极管单元中任两相邻的发光二极管单元的一个的该第二半导体层上，另一端形成在该任两相邻的发光二极管单元的另一个发光二极管单元上，电连接该另一个发光二极管单元所包含的该些半导体层其中之一。
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