CN110669040A - 化合物、显示面板和显示装置 - Google Patents
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- CN110669040A CN110669040A CN201910917798.9A CN201910917798A CN110669040A CN 110669040 A CN110669040 A CN 110669040A CN 201910917798 A CN201910917798 A CN 201910917798A CN 110669040 A CN110669040 A CN 110669040A
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 77
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 57
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 23
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 15
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 8
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 7
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 abstract description 9
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 abstract description 7
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 abstract description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 134
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 19
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 11
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 10
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 10
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-diamine Chemical compound NC1CCCCC1N SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002330 electrospray ionisation mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 5
- 238000004895 liquid chromatography mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 4
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- UKMZAFFUNGVYEX-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-iodo-9-phenylcarbazole Chemical compound BrC1=CC=C(C=2C3=CC=CC=C3N(C1=2)C1=CC=CC=C1)I UKMZAFFUNGVYEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- XEOBFEVBEFETKP-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-iododibenzofuran Chemical compound BrC1=CC=C(I)C2=C1C1=C(O2)C=CC=C1 XEOBFEVBEFETKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 etc. Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- LXOCTSJQHHCASE-UHFFFAOYSA-N 3-phenyl-n-(3-phenylphenyl)aniline Chemical compound C=1C=CC(C=2C=CC=CC=2)=CC=1NC(C=1)=CC=CC=1C1=CC=CC=C1 LXOCTSJQHHCASE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 125000005266 diarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSSBJZCMMKRJTF-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran-2-ylboronic acid Chemical compound C1=CC=C2C3=CC(B(O)O)=CC=C3OC2=C1 DSSBJZCMMKRJTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOXNHPQCCUVWRO-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophen-4-ylboronic acid Chemical compound C12=CC=CC=C2SC2=C1C=CC=C2B(O)O GOXNHPQCCUVWRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- YGNUPJXMDOFFDO-UHFFFAOYSA-N n,4-diphenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YGNUPJXMDOFFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAFPBOJJGMZHIW-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-3-pyridin-3-ylaniline Chemical compound C=1C=CC(C=2C=NC=CC=2)=CC=1NC1=CC=CC=C1 GAFPBOJJGMZHIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
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Abstract
本发明属于OLED技术领域并提供了一种用作OLED的空穴传输材料和电子阻挡材料的化合物,所述化合物具有[化学式1]所示的通式结构;其中,Ar1和Ar2分别独立地选自氢原子、取代或未取代的C5‑C40芳基,m和n分别独立地选自0、1、2;在[化学式1]中,X选自O原子、S原子或‑NR‑,R选自氢、取代或未取代的C5‑C40芳基;Ar3具有[化学式2]所示的结构;在[化学式2]中,R1‑R8分别独立地选自氢、取代或未取代的C5‑C40芳基;Y选自O原子、S原子或‑NR’‑,R’选自氢、取代或未取代的C5‑C40芳基。本发明的空穴传输材料不仅具有传统空穴传输材料所具备的三芳胺基团,可以调节材料的LUMO能级,而且包含的供电子基团是较弱的供电子基团,能使分子具有较高HOMO能级,从而有效提升空穴传输能力。
Description
技术领域
本发明属于OLED技术领域,具体涉及一种主要用作空穴传输材料和电子阻挡材料的化合物、包括该化合物的显示面板和显示装置。
背景技术
手机消费品等中小尺寸OLED屏幕很多采用R、G、B子像素显示方式。为了提高生产良率,往往会将一些功能层设计为公共层,这样就可以减少FMM(精细金属掩膜)的使用,而空穴传输层经常采用公共层,一般公共空穴传输层可以用市售材料。
现有的空穴传输材料技术存在几个问题。一是材料溶解性不好,会导致量产时的蒸镀掩膜清洗效果不好;二是材料的迁移率太慢,会导致器件的整体电压太高;三是材料的迁移率过快,尤其是材料横向迁移率过快,导致相邻像素之间发生串扰;四是材料的LUMO能级太深,不能有效阻挡可能越过发光层的电子迁移;五是材料的三线态能级较低,不能同时实现RGB三色中的空穴的有效传输,导致掩膜使用数量的增加以及工艺难度的提升。
专利申请EP-721935中的市售材料的迁移率在可接受范围,不会发生串扰,但是溶解性不好,三线态能级不高,难以应用到OLED器件中。
发明内容
本发明提供一种化合物,所述化合物具有[化学式1]所示的通式结构:
其中,Ar1和Ar2分别独立地选自氢原子、取代或未取代的C5-C40芳基和取代或未取代的C5-C40杂芳基,m和n分别独立地选自0、1、2;
在[化学式1]中,X选自O原子、S原子或-NR-,R选自氢、取代或未取代的C5-C40芳基;
Ar3具有[化学式2]所示的结构:
在[化学式2]中,R1-R8分别独立地选自氢、取代或未取代的C5-C40芳基和取代或未取代的C5-C40杂芳基;Y选自O原子、S原子或-NR’-,R’选自氢、取代或未取代的C5-C40芳基。
本发明设计的空穴传输材料具有如下优势:
(1)包含传统空穴传输材料所包含的三芳胺基团,可以有效调节材料的LUMO能级;
(2)包含相对较弱的供电子基团,具有较深的HOMO能级,可以有效地提升空穴传输能力;
(3)具有高的三线态能级,可以有效阻挡激子的传输,将激子限制在发光层中,提升器件的效率;
(4)分子中的大基团通过单键连接,各大基团之间具有适当的扭曲和空间位阻,使材料具有较好的溶解性。
本发明还提供一种包括上述化合物的显示面板,所述显示面板包括有机发光器件,有机发光器件包括相对设置的阳极、阴极,以及位于阳极和阴极之间的空穴传输层和发光层,其中所述空穴传输层的材料包括本发明所述的化合物中的一种或多种。
进一步地,本发明所述的显示面板还包括位于阳极与阴极之间的电子阻挡层,所述电子阻挡层包括本发明所述的化合物中的一种或多种。
本发明还提供一种显示装置,所述显示装置包括如上所述的显示面板。
附图说明
图1示出本发明的一个示例性化合物HT004的化学结构;
图2是本发明实施例提供的OLED器件的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
下面通过实施例和对比例进一步说明本发明,这些实施例只是用于说明本发明,本发明不限于以下实施例。凡是对本发明技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的范围,均应涵盖在本发明的保护范围中。
本发明的一方面提供一种化合物,所述化合物具有[化学式1]所示的通式结构:
其中,Ar1和Ar2分别独立地选自氢原子、取代或未取代的C5-C40芳基、以及取代或未取代的C5-C40杂芳基,m和n分别独立地选自0、1、2;
在[化学式1]中,X选自O原子、S原子或-NR-,R选自氢、取代或未取代的C5-C40芳基;
Ar3具有[化学式2]所示的结构:
在[化学式2]中,R1-R8分别独立地选自氢、取代或未取代的C5-C40芳基和取代或未取代的C5-C40杂芳基;Y选自O原子、S原子或-NR’-;R’选自氢、取代或未取代的C5-C40芳基。
图1示出了本发明的一个示例性化合物。包含上述化合物的空穴传输材料不仅具有传统空穴传输材料所具备的三芳胺基团,可以调节材料的LUMO能级。另外,该空穴传输材料包含的供电子基团是较弱的供电子基团,这些较弱的供电子基团使分子具有较的高HOMO能级,从而有效提升空穴传输能力。
根据本发明所述化合物的一种实施方式,所述化合物具有[化学式1-1]所示的结构:
其中,X选自O或S。
根据本发明所述化合物的一种实施方式,所述化合物具有[化学式1-2]所示的结构:
其中,X为-NR-,R选自氢或苯基。
根据本发明所述化合物的一种实施方式,在[化学式1]中,Ar1和Ar2分别独立地选自氢原子或苯基。
当Ar1和Ar2是氢和苯基时,分子合成比较简单。另外,增加或减少苯基的个数可以有效地调节分子的HOMO值,以便搭配不同的材料体系。
根据本发明所述化合物的一种实施方式,在[化学式1]中,m和n各自独立地选自0或1。
根据本发明所述化合物的一种实施方式,所述化合物具有[化学式1-2]所示的结构:
其中,X为-NR-,R选自氢或苯基;且在[化学式1-2]中,Ar3具有如下所示的结构:
其中,#表示在[化学式1]中的连接位置。
本实施例的化合物具有芳胺结构,具有良好的空穴传输能力,并且二苯并噻吩和二苯并呋喃基团的加入可以有效地调节分子的HOMO能级,以便匹配其他发光功能层的材料。
根据本发明所述化合物的一种实施方式,在[化学式2]中,R1-R8为氢原子。
根据本发明所述化合物的一种实施方式,所述化合物的分子量为1000以下。
通过将本发明的空穴传输材料的分子量限定在1000以下,可以使空穴传输材料具有较低的熔化温度,从而使空穴传输材料更适于蒸镀。
根据本发明所述化合物的一种实施方式,所述化合物选自以下化合物中的一种:
根据本发明的一个实施方式,所述化合物的三线态能级ET为2.6eV以上。本发明的化合物具有高的三线态能级,可以有效阻挡激子的传输,将激子限制在发光层中,防止激子的损失,从而提升器件的发光效率。
根据本发明所述一个实施方式,所述化合物的玻璃化转变温度Tg为120℃以上,具有较高的耐热性和稳定性,使得本发明的材料更有可能用在量产中。
本发明还提供一种显示面板,包括有机发光器件,其中所述有机发光器件包括相对设置的阳极、阴极,位于阳极与阴极之间的空穴传输层和发光层,其中空穴传输层的材料包括本发明所述的化合物中的一种或多种。
根据本发明所述的显示面板,所述显示面板还包括位于阳极与阴极之间的电子阻挡层,其中所述电子阻挡层包括本发明所述的化合物中的一种或多种。
在本发明提供的有机发光器件中,阳极材料可以选自金属例如铜、金、银、铁、铬、镍、锰、钯、铂等及它们的合金。阳极材料也可以选自金属氧化物如氧化铟、氧化锌、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等;阳极材料还可以选自导电性聚合物例如聚苯胺、聚吡咯、聚(3-甲基噻吩)等。此外,阳极材料还可以选自除以上列举的阳极材料以外的有助于空穴注入的材料及其组合,其包括已知的适合做阳极的材料。
在本发明提供的有机发光器件中,阴极材料可以选自金属例如铝、镁、银、铟、锡、钛等及它们的合金。阴极材料也可以选自多层金属材料例如LiF/Al、LiO2/Al、BaF2/Al等。除了以上列举的阴极材料以外,阴极材料还可以是有助于电子注入的材料及其组合,包括已知的适合做阴极的材料。
在本发明实施例中,有机发光器件的制作过程为:在透明或不透明的光滑的基板上形成阳极,在阳极上形成有机薄膜层,在有机薄膜层上形成阴极。有机薄膜层的形成可以采用如蒸镀、溅射、旋涂、浸渍、离子镀等已知的成膜方法。其中有机薄膜层至少包括空穴传输层和发光层,空穴传输层的材料为本发明所述的化合物。其中有机薄膜层还可以包括电子阻挡层,电子阻挡层的材料为本发明所述的化合物。
本发明的另一方面示例性地描述了化合物HT007、HT012、HT044、HT062和H070的合成。
实施例1
化合物HT007的合成
在250ml圆底烧瓶中,将1-溴-4-碘-9-苯基-9H-咔唑(12mmol)、3-二苯并呋喃硼酸(10mmol)和Na2CO3(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH(无水乙醇)/H2O(75/25/50,mL)溶剂中,形成混合溶液,然后将Pd(PPh3)4(0.48mmol)加入到上述混合溶液中,在氮气气氛下进行回流反应20小时得到的中间体冷却到室温,加入水中,然后通过硅藻土垫过滤,同时用二氯甲烷萃取,然后用水洗涤,并采用无水硫酸镁干燥,过滤和蒸发后,用硅胶柱层析纯化粗产物得到中间产物HT007-1。
在250ml圆底烧瓶中,将中间产物HT007-1(12mmol)、碘化亚铜(15mmol)、叔丁醇钾(65mmol)、1,2-二氨基环己烷(12mmol)和二芳胺(12mmol)加入到干燥的1,4-二氧六环(100ml)中,在N2氛围下回流48小时,得到的中间体冷却到室温,加入水中,然后通过硅藻土垫过滤,同时用二氯甲烷萃取,然后用水洗涤,并采用无水硫酸镁干燥,过滤和蒸发后,用硅胶柱层析纯化粗产物得到最终产物HT007。
化合物HT007元素分析结果(分子式C42H28N2O):理论值:C,87.47;H,4.89;N,4.86;O,2.77。测试值:C,87.47;H,4.88;N,4.87;O,2.77。通过液相质谱联用分析得ESI-MS(m/z)(M+):理论值为576.22,测试值为576.68。
实施例2
化合物HT012的合成
在250ml圆底烧瓶中,将1-溴-4-碘-9-苯基-9H-咔唑(12mmol)、1-二苯并呋喃硼酸(10mmol)和Na2CO3(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH(无水乙醇)/H2O(75/25/50,mL)溶剂中,形成混合溶液,然后将Pd(PPh3)4(0.48mmol)加入到上述混合溶液中,在氮气气氛下进行回流反应20小时得到的中间体冷却到室温,加入水中,然后通过硅藻土垫过滤,同时用二氯甲烷萃取,然后用水洗涤,并采用无水硫酸镁干燥,过滤和蒸发后,用硅胶柱层析纯化粗产物得到中间产物HT012-1。
在250ml圆底烧瓶中,将中间产物HT012-1(12mmol)、碘化亚铜(15mmol)、叔丁醇钾(65mmol)、1,2-二氨基环己烷(12mmol)和N-[1,1′-联苯]-3-基[1,1′-联苯]-3-胺(12mmol)加入到干燥的1,4-二氧六环(100ml)中,在N2氛围下回流48小时,得到的中间体冷却到室温,加入水中,然后通过硅藻土垫过滤,同时用二氯甲烷萃取,然后用水洗涤,并采用无水硫酸镁干燥,过滤和蒸发后,用硅胶柱层析纯化粗产物得到最终产物HT012。
化合物HT012元素分析结果(分子式C54H36N2O):理论值:C,88.98;H,4.98;N,3.84;O,2.20。测试值:C,88.98;H,4.98;N,3.84;O,2.20。通过液相质谱联用分析得ESI-MS(m/z)(M+):理论值为728.28,测试值为728.88。
实施例3
化合物HT044的合成
在250ml圆底烧瓶中,将1-溴-4-碘代二苯并呋喃(12mmol)、4-硼酸基-9-苯基-咔唑(10mmol)和Na2CO3(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH(无水乙醇)/H2O(75/25/50,mL)溶剂中,形成混合溶液,然后将Pd(PPh3)4(0.48mmol)加入到上述混合溶液中,在氮气气氛下进行回流反应20小时得到的中间体冷却到室温,加入水中,然后通过硅藻土垫过滤,同时用二氯甲烷萃取,然后用水洗涤,并采用无水硫酸镁干燥,过滤和蒸发后,用硅胶柱层析纯化粗产物得到中间产物HT044-1。
在250ml圆底烧瓶中,将中间产物HT044-1(12mmol)、碘化亚铜(15mmol)、叔丁醇钾(65mmol)、1,2-二氨基环己烷(12mmol)和N-苯基[1,1′-联苯]-4-胺(12mmol)加入到干燥的1,4-二氧六环(100ml)中,在N2氛围下回流48小时,得到的中间体冷却到室温,加入水中,然后通过硅藻土垫过滤,同时用二氯甲烷萃取,然后用水洗涤,并采用无水硫酸镁干燥,过滤和蒸发后,用硅胶柱层析纯化粗产物得到最终产物HT044。
化合物HT044元素分析结果(分子式C48H32N2O):理论值:C,88.32;H,4.94;N,4.29;O,2.45。测试值:C,88.32;H,4.94;N,4.29;O,2.45。通过液相质谱联用分析得ESI-MS(m/z)(M+):理论值为652.25,测试值为652.78。
实施例4
化合物HT062的合成
在250ml圆底烧瓶中,将1-溴-4-碘代二苯并呋喃(12mmol)、2-二苯并呋喃硼酸(10mmol)和Na2CO3(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH(无水乙醇)/H2O(75/25/50,mL)溶剂中,形成混合溶液,然后将Pd(PPh3)4(0.48mmol)加入到上述混合溶液中,在氮气气氛下进行回流反应20小时得到的中间体冷却到室温,加入水中,然后通过硅藻土垫过滤,同时用二氯甲烷萃取,然后用水洗涤,并采用无水硫酸镁干燥,过滤和蒸发后,用硅胶柱层析纯化粗产物得到中间产物HT062-1。
在250ml圆底烧瓶中,将中间产物HT062-1(12mmol)、碘化亚铜(15mmol)、叔丁醇钾(65mmol)、1,2-二氨基环己烷(12mmol)和N-苯基[1,1′-联苯]-4-胺(12mmol)加入到干燥的1,4-二氧六环(100ml)中,在N2氛围下回流48小时,得到的中间体冷却到室温,加入水中,然后通过硅藻土垫过滤,同时用二氯甲烷萃取,然后用水洗涤,并采用无水硫酸镁干燥,过滤和蒸发后,用硅胶柱层析纯化粗产物得到最终产物HT062。
化合物HT062元素分析结果(分子式C42H27NO2):理论值:C,87.32;H,4.71;N,2.42;O,5.54。测试值:C,87.32;H,4.72;N,2.41;O,5.54。通过液相质谱联用分析得ESI-MS(m/z)(M+):理论值为577.20,测试值为577.67。
实施例5
化合物HT070的合成
在250ml圆底烧瓶中,将1-溴-4-碘-9-苯基-9H-咔唑(12mmol)、4-二苯并噻吩硼酸(10mmol)和Na2CO3(80mmol)分别加入到甲苯/EtOH(无水乙醇)/H2O(75/25/50,mL)溶剂中,形成混合溶液,然后将Pd(PPh3)4(0.48mmol)加入到上述混合溶液中,在氮气气氛下进行回流反应20小时得到的中间体冷却到室温,加入水中,然后通过硅藻土垫过滤,同时用二氯甲烷萃取,然后用水洗涤,并采用无水硫酸镁干燥,过滤和蒸发后,用硅胶柱层析纯化粗产物得到中间产物HT070-1。
在250ml圆底烧瓶中,将中间产物HT070-1(12mmol)、碘化亚铜(15mmol)、叔丁醇钾(65mmol)、1,2-二氨基环己烷(12mmol)和N-苯基-3-(3-吡啶基)苯胺(12mmol)加入到干燥的1,4-二氧六环(100ml)中,在N2氛围下回流48小时,得到的中间体冷却到室温,加入水中,然后通过硅藻土垫过滤,同时用二氯甲烷萃取,然后用水洗涤,并采用无水硫酸镁干燥,过滤和蒸发后,用硅胶柱层析纯化粗产物得到最终产物HT070。
化合物HT070元素分析结果(分子式C47H31N3S):理论值:C,84.28;H,4.66;N,6.27;S,4.79。测试值:C,84.28;H,4.67;N,6.26;S,4.79。通过液相质谱联用分析得ESI-MS(m/z)(M+):理论值为669.22,测试值为669.83。下面的表1列出了化合物HT007、HT012、HT044、HT062、HT070的HOMO值、LUMO值、能级差Eg以及三线态能级(ET)。
表1
由上表1可以看出,本发明的化合物可以作为空穴传输材料,具有合适的HOMO值和较低的LUMO值,可以提高空穴传输的能力,本发明的化合物可以作为电子阻挡材料,有效提升阻挡电子的能力。同时本发明的化合物具有较高的三线态能级(ET>2.8eV),可以有效地阻挡激子越过发光层,提升器件发光效率;同时本发明的化合物具有优异的热稳定性和薄膜稳定性,利于提升器件寿命。
有机发光器件的制作
[器件实施例1]蓝色有机发光器件(本发明的化合物用作空穴传输层材料)本实施例提供了一种有机发光器件。如图2所示,有机发光器件包括:基板1、ITO阳极2、第一空穴传输层3、第二空穴传输层4、电子阻挡层5、发光层6、第一电子传输层7、第二电子传输层8、阴极9(镁银电极,镁银质量比为9:1)和盖帽层(CPL)10,其中ITO阳极2的厚度是15nm,第一空穴传输层3的厚度是10nm、第二空穴传输层4的厚度是95nm、电子阻挡层5的厚度是90nm、发光层6的厚度是30nm、第一电子传输层7的厚度是30nm、第二电子传输层8的厚度是5nm、镁银电极9的厚度是15nm和盖帽层(CPL)10的厚度是100nm。
本发明的有机发光器件的制备步骤如下:
1)将玻璃基板1切成50mm×50mm×0.7mm的大小,分别在异丙醇和去离子水中超声处理30分钟,然后在臭氧下暴露约10分钟来进行清洁;将所得的具有ITO阳极2的玻璃基板安装到真空沉积设备上;
2)在ITO阳极2上,通过真空蒸镀方式蒸镀空穴缓冲层材料—实施例1得到的HT007∶HAT-CN,得到厚度为10nm的层,该层作为第一空穴传输层3;
3)在第一空穴传输层3上真空蒸镀第二空穴传输层4的材料HT007,得到厚度为95nm的层,该层作为第二空穴传输层4;
4)在空穴传输层4上蒸镀材料NPB,得到厚度为90nm的层,该层作为电子阻挡层5;
5)在电子阻挡层5上共沉积发光层6,其中,CBP作为主体材料,FIrpic作为掺杂材料,CBP和FIrpic的质量比为97:3,发光层5的厚度为30nm;
6)在发光层6上真空蒸镀第一电子传输层7材料Alq3,得到厚度为30nm的第一电子传输层7;
7)在第一电子传输层7上真空蒸镀第二电子传输层7的材料LiF,得到厚度为5nm的第二电子传输层8;
8)在第二电子传输层8上真空蒸镀镁银,制得厚度为15nm的阴极8,其中,质量比Mg:Ag为9:1;
9)在阴极9上真空蒸镀高折射率的空穴型材料CBP,厚度为100nm,作为阴极覆盖层(盖帽层或CPL)使用。
上述步骤中提到的材料HAT-CN、HT007、CBP、FIrpic、NPB、Alq3的结构式分别如下所示:
[器件实施例2]
与[器件实施例1]相比,[器件实施例2]的制作过程除了第一空穴传输层3和空穴传输层4中的HT007替换为HT012之外,其他各层材料及制备步骤均相同。
[器件实施例3]
与[器件实施例1]相比,[器件实施例3]的制作过程除了第一空穴传输层3和空穴传输层4中的HT007替换为HT044之外,其他各层材料及制备步骤均相同。
[器件实施例4]
与[器件实施例1]相比,[器件实施例4]的制作过程除了第一空穴传输层3和空穴传输层4中的HT007替换为HT062之外,其他各层材料及制备步骤均相同。
[器件实施例5]
与[器件实施例1]相比,[器件实施例5]的制作过程除了第一空穴传输层3和空穴传输层4中的HT007替换为HT070之外,其他各层材料及制备步骤均相同。
[器件对比例1]
与[器件实施例1]相比,[器件对比例1]的制作过程除了第一空穴传输层3和空穴传输层4中的HT007替换为NPB之外,其他各层材料及制备步骤均相同。
表2[器件实施例]与[器件对比例1]的测试结果表
由表2可知,本发明提供的有机发光器件具有较低的驱动电压、以及较高的发光效率和使用寿命,其中驱动电压小于3.85V,发光效率大于68Cd/A,使用寿命大于60h。其中,相对于[器件对比例1],电压提升5%左右,效率提升7.5%,寿命提升10%以上;有机发光器件的以上性能均有明显的提升,这主要得益于本发明的材料具有与相邻层匹配合适的HOMO值和更高的三线态能级(>2.8eV),可以有效地将空穴传输至发光层,与电子有效复合激发而发光。
有机发光器件的制作
[器件实施例6]蓝色有机发光器件(本发明的化合的用作电子阻挡层的材料)
本实施例提供了一种有机发光器件。本实施例的有机发光器件的结构与器件实施例1相同,不同的是各功能层中的材料。如图2所示,有机发光器件包括:基板1、ITO阳极2、第一空穴传输层3、第二空穴传输层4、电子阻挡层5、发光层6、第一电子传输层7、第二电子传输层8、阴极9(镁银电极,镁银质量比为9:1)和盖帽层(CPL)10,其中ITO阳极2的厚度是15nm,第一空穴传输层3的厚度是10nm、第二空穴传输层4的厚度是95nm、电子阻挡层5的厚度是90nm、发光层6的厚度是30nm、第一电子传输层7的厚度是30nm、第二电子传输层8的厚度是5nm、镁银电极9的厚度是15nm和盖帽层(CPL)10的厚度是100nm。
本发明的有机发光器件的制备步骤如下:
1)将玻璃基板1切成50mm×50mm×0.7mm的大小,分别在异丙醇和去离子水中超声处理30分钟,然后在臭氧下暴露约10分钟来进行清洁;将所得的具有ITO阳极2的玻璃基板安装到真空沉积设备上;
2)在ITO阳极2上,通过真空蒸镀方式蒸镀空穴缓冲层材料TAPC:HAT-CN,得到厚度为10nm的层,该层作为第一空穴传输层3;
3)在第一空穴传输层3上真空蒸镀第二空穴传输层4的材料TAPC,得到厚度为95nm的层,该层作为第二空穴传输层4;
4)在空穴传输层4上蒸镀实施例1得到的材料HT007,得到厚度为90nm的层,该层作为电子阻挡层5;
5)在电子阻挡层5上共沉积发光层6,其中,CBP作为主体材料,FIrpic作为掺杂材料,CBP和FIrpic的质量比为97:3,发光层5的厚度为30nm;
6)在发光层6上真空蒸镀第一电子传输层7材料Alq3,得到厚度为30nm的第一电子传输层7;
7)在第一电子传输层7上真空蒸镀第二电子传输层7的材料LiF,得到厚度为5nm的第二电子传输层8;
8)在第二电子传输层8上真空蒸镀镁银,制得厚度为15nm的阴极8,其中,质量比Mg:Ag为9:1;
9)在阴极9上真空蒸镀高折射率的空穴型材料CBP,厚度为100nm,作为阴极覆盖层(盖帽层或CPL)使用。
上述步骤中提到的材料HAT-CN、HT007、CBP、FIrpic、NPB、Alq3的结构式分别如下述所示:
[器件实施例7]
与[器件实施例6]相比,[器件实施例7]的制作过程除了电子阻挡层5中的HT007替换为HT012之外,其他各层材料及制备步骤均相同。
[器件实施例8]
与[器件实施例6]相比,[器件实施例8]的制作过程除了电子阻挡层5中的HT007替换为HT044之外,其他各层材料及制备步骤均相同。
[器件实施例9]
与[器件实施例6]相比,[器件实施例9]的制作过程除了电子阻挡层5中的HT007替换为HT062之外,其他各层材料及制备步骤均相同。
[器件实施例10]
与[器件实施例6]相比,[器件实施例10]的制作过程除了电子阻挡层5中的HT007替换为HT070之外,其他各层材料及制备步骤均相同。
[器件对比例2]
与[器件实施例6]相比,[器件对比例2]的制作过程除了电子阻挡层5中的HT007替换为NPB之外,其他各层材料及制备步骤均相同。
表3[器件实施例]与[器件对比例2]的测试结果表
由表3可知,本发明提供的有机发光器件具有较低的驱动电压、以及较高的发光效率和使用寿命,其中驱动电压小于3.80V,发光效率大于70Cd/A,使用寿命大于65h。其中,相比于[器件对比例2],电压提升5%左右,效率提升7.5%,寿命提升8%以上;有机发光器件的以上性能均具有明显的提升,这主要得益于本发明的材料具有与相邻层匹配合适的HOMO值和较低的LUMO值,可以有效阻挡电子越过发光层,将电子限制在发光层内与空穴有效复合;得益于材料具有更高的三线态能级(>2.8eV),可以有效阻挡激子的回流,提升激子的利用率,有效减少非辐射能量的产生。
本发明的又一方面还提供一种显示装置,其包括如上文所述的显示面板。
在本发明中,有机发光器件可以是OLED,其可以用在有机发光显示装置中,其中有机发光显示装置可以是手机显示屏、电脑显示屏、电视显示屏、智能手表显示屏、智能汽车显示面板、VR或AR头盔显示屏、各种智能设备的显示屏等。图3是根据本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。在图3中,20表示手机显示面板,30表示显示装置。
本申请虽然以较佳实施例公开如上,但并不是用来限定权利要求,任何本领域技术人员在不脱离本申请构思的前提下,都可以做出若干可能的变动和修改,因此本申请的保护范围应当以本申请权利要求所界定的范围为准。
Claims (14)
2.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物具有[化学式1-1]所示的结构:
其中,X选自O或S。
4.根据权利要求1至3任一项所述的化合物,其特征在于,在[化学式1]中,Ar1和Ar2分别独立地选自氢原子或苯基。
5.根据权利要求1至3任一项所述的化合物,其特征在于,在[化学式1]中,m和n各自独立地选自0或1。
6.根据权利要求3所述的化合物,其特征在于,在[化学式1]中,Ar3具有如下所示的结构:
其中,#表示在[化学式1]中的连接位置。
7.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,在[化学式2]中,R1-R8为氢原子。
8.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物的分子量为1000以下。
10.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物的三线态能级ET为2.6eV以上。
11.根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,所述化合物的玻璃化转变温度Tg为120℃以上。
12.一种显示面板,包括有机发光器件,其中所述有机发光器件包括相对设置的阳极、阴极,位于阳极与阴极之间的空穴传输层和发光层,其中空穴传输层的材料包括权利要求1至11任一项所述的化合物中的一种或多种。
13.根据权利要求12所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于阳极与阴极之间的电子阻挡层,所述电子阻挡层包括权利要求1至11中任一项所述的化合物中的一种或多种。
14.一种显示装置,包括权利要求12或13所述的显示面板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910917798.9A CN110669040A (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 化合物、显示面板和显示装置 |
US16/719,733 US20210098705A1 (en) | 2019-09-26 | 2019-12-18 | Compound, display panel, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910917798.9A CN110669040A (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 化合物、显示面板和显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110669040A true CN110669040A (zh) | 2020-01-10 |
Family
ID=69079381
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910917798.9A Pending CN110669040A (zh) | 2019-09-26 | 2019-09-26 | 化合物、显示面板和显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210098705A1 (zh) |
CN (1) | CN110669040A (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2019
- 2019-09-26 CN CN201910917798.9A patent/CN110669040A/zh active Pending
- 2019-12-18 US US16/719,733 patent/US20210098705A1/en active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20210098705A1 (en) | 2021-04-01 |
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